相關申請的交叉引用

本申請要求享有于2015年12月31日提交的韓國專利申請no.10-2015-0191104的優(yōu)先權，為了所有目的通過參考將該專利申請結合在此，如同在此完全闡述一樣。

本發(fā)明的實施方式涉及一種有機發(fā)光顯示面板及包括有機發(fā)光顯示面板的有機發(fā)光二極管顯示裝置。更具體地說，本發(fā)明的實施方式涉及一種具有加寬的開口單元的有機發(fā)光顯示面板及包括有機發(fā)光顯示面板的有機發(fā)光二極管顯示裝置。

背景技術：

隨著進入信息導向社會，對顯示圖像的顯示裝置的各種需求逐漸增加。近來，已使用諸如液晶顯示(lcd)裝置、等離子體顯示面板(pdp)裝置和有機發(fā)光二極管(oled)顯示裝置之類的各種平板顯示裝置。

在上述顯示裝置之中，有機發(fā)光二極管顯示裝置采用自發(fā)光元件。因此，有機發(fā)光二極管顯示裝置不需要用于液晶顯示裝置(其采用非發(fā)光元件)的背光單元。因此，能夠以輕重量和薄外形制造有機發(fā)光二極管顯示裝置。此外，與液晶顯示裝置相比，有機發(fā)光二極管顯示裝置具有寬視角和高對比度。有機發(fā)光二極管顯示裝置在功耗方面也是有利的。此外，有機發(fā)光二極管顯示裝置以低dc電壓驅動并且具有高響應速度。有機發(fā)光二極管顯示裝置的內部組件是固態(tài)的，使得有機發(fā)光二極管顯示裝置較強地抵抗外部撞擊并且具有較寬的工作溫度范圍。此外，可以以低成本制造有機發(fā)光二極管顯示裝置。

根據包括第一電極、第二電極以及有機發(fā)光層的有機發(fā)光二極管的結構，上述有機發(fā)光二極管顯示裝置按照頂部發(fā)光方法或底部發(fā)光方法顯示圖像。按照底部發(fā)光方法，從有機發(fā)光層產生的可見光線在形成有tft的基板下方進行顯示。相比之下，按照頂部發(fā)光方法，從有機發(fā)光層產生的可見光線在形成有tft的基板上方進行顯示。

同時，對于尺寸逐漸增加的有源有機場發(fā)光元件來說，確保最大開口率和保持亮度是非常重要的。然而，由于有機場發(fā)光元件的各種配線和晶體管，開口率減小，亮度降低。因此，正需要一種可解決上述問題的有機發(fā)光二極管顯示裝置。

技術實現(xiàn)要素：

根據本發(fā)明的一個方面，一種有機發(fā)光顯示面板包括：設置成彼此交叉的用于傳輸數(shù)據信號的數(shù)據線和用于傳輸?shù)谝粧呙栊盘柕牡谝粧呙杈€；多個子像素；用于傳輸?shù)诙呙栊盘柕牡诙呙杈€；以及用于傳輸驅動電壓的驅動電壓線和用于傳輸參考電壓的參考電壓線，其中所述多個子像素包括多個有源層，其中所述多個子像素之中的至少一個子像素的至少一個有源層與所述數(shù)據線、所述驅動電壓線和所述參考電壓線的任意之一交疊并且還與所述第一掃描線或所述第二掃描線交疊。

根據本發(fā)明的另一個方面，一種有機發(fā)光顯示裝置包括：上述有機發(fā)光顯示面板；數(shù)據驅動器，所述數(shù)據驅動器配置成驅動所述有機發(fā)光顯示面板的多條數(shù)據線；柵極驅動器，所述柵極驅動器配置成驅動所述有機發(fā)光顯示面板的多條柵極線；和時序控制器，所述時序控制器配置成控制所述數(shù)據驅動器和所述柵極驅動器。

通過本發(fā)明，減小了電路區(qū)域并加寬了開口單元。因此，可提高大尺寸有機發(fā)光二極管顯示裝置的亮度并且可延長有機發(fā)光二極管的壽命。

附圖說明

將從結合附圖的隨后詳細描述中更清楚地理解本發(fā)明的上述和其他方面、特征和其他優(yōu)點，在附圖中：

圖1是根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的示意性系統(tǒng)構造圖；

圖2是圖解根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中包括的一個子像素的平面圖；

圖3是圖2的區(qū)域x的放大圖；

圖4是沿圖3的線a-b截取的剖面圖；

圖5是圖解根據一比較例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個子像素的平面圖；

圖6是圖解根據第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中包括的一個子像素的平面圖；

圖7是圖6的區(qū)域y的放大圖；

圖8是沿圖7的線c-d截取的剖面圖；

圖9是圖解根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個像素的平面圖；以及

圖10是圖解根據一比較例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個像素的平面圖。

具體實施方式

下文中，將參照附圖詳細描述本發(fā)明的實施例。提供下面的實施例是為了將本發(fā)明的構思充分傳達給所屬領域技術人員。因此，本發(fā)明不限于下面的實施例本身，而是能夠以其他實施方式進行修改和變化。此外，在附圖中，為了方便可能放大裝置的尺寸和厚度。在整個本說明書中相似的參考標記一般表示相似的元件。

將從下面參照附圖描述的實施例更清楚地理解本發(fā)明的優(yōu)點和特征以及用于實現(xiàn)它們的方法。然而，本發(fā)明不限于下面的實施例，而是可以以各種不同的形式實施。提供這些實施例僅是為了使本發(fā)明的公開內容完整并將本發(fā)明的范疇完全提供給本發(fā)明所屬領域的普通技術人員，本發(fā)明將由所附權利要求書限定。在整個說明書中相同的標記一般表示相同的元件。在附圖中，為了清楚可能放大多個層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。

當一元件或層被稱為位于另一元件或層“上”時，該元件或層可直接位于另一元件或層上，或者可存在中間元件或層。同時，當一元件被稱為“直接”位于另一元件“上”時，可不存在任何中間元件。

為了易于描述附圖中所示的一個元件或組件與其他元件或組件的關系，在此可使用空間相對術語，比如“在……下面”、“在……下方”、“下面的”、“在…..上方”和“上面的”。將理解到，除附圖中描述的方位以外，這些空間相對術語旨在還涵蓋在使用或操作中元件的不同方位。例如，如果附圖中的元件被翻轉，則被描述為位于其他元件“下面”或“下方”的元件將被定向為位于其他元件“上方”。因而，示例性術語“在……下面”能夠涵蓋上方和下方的方位。

此外，在描述本發(fā)明的組件時，可能使用諸如第一、第二、a、b、(a)和(b)之類的術語。這些術語僅用于彼此區(qū)分組件。因此，相應組件的屬性、順序、次序等不受這些術語限制。

圖1是根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的示意性系統(tǒng)構造圖。參照圖1，根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置1000包括：設置有多條數(shù)據線dl1到dlm和多條柵極線gl1到gln并且設置有多個子像素的有機發(fā)光顯示面板1100、配置成驅動多條數(shù)據線dl1到dlm的數(shù)據驅動器1200、配置成驅動多條柵極線gl1到gln的柵極驅動器1300、以及配置成控制數(shù)據驅動器1200和柵極驅動器1300的時序控制器1400。同時，在本發(fā)明實施例中，沒有明確區(qū)分數(shù)據線和掃描線的術語。

數(shù)據驅動器1200通過給多條數(shù)據線提供數(shù)據電壓或數(shù)據信號驅動多條數(shù)據線。此外，柵極驅動器1300通過按順序給多條柵極線提供掃描信號按順序驅動多條柵極線。

此外，時序控制器1400通過給數(shù)據驅動器1200和柵極驅動器1300提供控制信號控制數(shù)據驅動器1200和柵極驅動器1300。時序控制器1400根據每一幀中實現(xiàn)的時序開始掃描，將從外部輸入的輸入圖像數(shù)據轉換為適于被數(shù)據驅動器1200使用的數(shù)據信號形式，以輸出轉換后的圖像數(shù)據。時序控制器1400在對應于掃描的適當時間處控制數(shù)據驅動。

柵極驅動器1300通過根據時序控制器1400的控制按順序給多條柵極線提供開(on)電壓或關(off)電壓掃描信號，驅動多條柵極線。此外，根據有機發(fā)光顯示面板的驅動方法或設計方法，柵極驅動器1300可如圖1中所示僅位于有機發(fā)光顯示面板1100的一側，或者如果需要或希望的話可位于其兩側。

此外，柵極驅動器1300可包括一個或多個柵極驅動器集成電路。每個柵極驅動器集成電路可通過帶式自動接合(tab)方法或玻上芯片(cog)方法連接至有機發(fā)光顯示面板1100的接合焊盤。每個柵極驅動器集成電路還可以以面板內柵極(gip)型實現(xiàn)以直接設置在有機發(fā)光顯示面板1100中，或者如果需要或希望的話可集成并設置在有機發(fā)光顯示面板1100中。

此外，每個柵極驅動器集成電路可以以覆晶薄膜(cof)型實現(xiàn)。在這種情形中，可在柔性膜上安裝對應于每個柵極驅動器集成電路的柵極驅動芯片，并且柔性膜的一端可接合至有機發(fā)光顯示面板1100。

如果具體柵極線被開啟，則數(shù)據驅動器1200將從時序控制器1400接收的圖像數(shù)據轉換為模擬形式的數(shù)據電壓并且將數(shù)據電壓提供至多條數(shù)據線，以驅動多條數(shù)據線。此外，數(shù)據驅動器1200可包括驅動多條數(shù)據線的至少一個源極驅動器集成電路。

每個源極驅動器集成電路可通過帶式自動接合(tab)方法或玻上芯片(cog)方法連接至有機發(fā)光顯示面板1100的接合焊盤。每個源極驅動器集成電路還可直接設置在有機發(fā)光顯示面板1100中，或者如果需要或希望的話可集成并設置在有機發(fā)光顯示面板1100中。

此外，每個源極驅動器集成電路可以以覆晶薄膜(cof)型實現(xiàn)。在這種情形中，在柔性膜上安裝對應于每個源極驅動器集成電路的源極驅動芯片。柔性膜的一端接合至至少一個源極印刷電路板，其另一端接合至有機發(fā)光顯示面板1100。

源極印刷電路板通過諸如柔性扁平電纜(ffc)或柔性印刷電路(fpc)之類的連接介質連接至控制印刷電路板。時序控制器1400設置在控制印刷電路板中。

此外，在控制印刷電路板中，可進一步設置功率控制器，功率控制器配置成給有機發(fā)光顯示面板1100、數(shù)據驅動器1200、柵極驅動器1300等提供電壓或電流或者控制要被提供的電壓或電流。上述源極印刷電路板和控制印刷電路板可形成為一個印刷電路板。

同時，本發(fā)明實施例的像素包括一個或多個子像素。例如，本發(fā)明實施例的像素可包括兩個到四個子像素。盡管子像素中限定的顏色可包括紅色r、綠色g和藍色b，并且可選擇性地包括白色w，但本發(fā)明實施例不限于此。將主要描述這樣的構造：其中下面將要描述的根據實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置1000的一個像素包括至少一個白色(w)子像素。

此外，根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極。有機發(fā)光層可包括設置在每一子像素中或者設置在下基板的整個表面上的所有構造。

在這種情形中，連接至薄膜晶體管的電極被稱為第一電極，薄膜晶體管配置成控制有機發(fā)光顯示面板1100的每個子像素的發(fā)光。設置在顯示面板的整個表面上或者設置成包括兩個或更多個像素的電極被稱為第二電極。當?shù)谝浑姌O是陽極時，第二電極是陰極。相反，當?shù)谝浑姌O是陰極時，第二電極是陽極。下文中，描述了陽極是第一電極的實施例并且陰極是第二電極的實施例，但本發(fā)明不限于此。

同時，每個子像素進一步包括設置成與數(shù)據線dl1到dlm平行的驅動電壓線和參考電壓線。此外，設置在每個子像素中的多個晶體管可包括從數(shù)據線、驅動電壓線或參考電壓線分支的源極/漏極電極。

然而，當源極/漏極電極從數(shù)據線、驅動電壓線或參考電壓線分支以形成多個晶體管時，電路區(qū)域被加寬了分支區(qū)域那么大。因此，發(fā)光區(qū)域減小，使得每個子像素的開口率降低。此外，當減小電路區(qū)域以提高每個子像素的開口率時，構成電路區(qū)域的組件的尺寸也減小，這會降低可靠性。

提供本發(fā)明實施例以解決上述問題。為此，設置在每個子像素中的多個晶體管之中的至少一個晶體管的有源層與數(shù)據線、驅動電壓線或參考電壓線交疊。因此，晶體管形成為不具有從數(shù)據線、驅動電壓線或參考電壓線分支的源極/漏極電極。結果，提供了電路區(qū)域減小且發(fā)光區(qū)域加寬的有機發(fā)光二極管顯示裝置。

下文中，將參照附圖詳細描述本發(fā)明實施例。

圖2是圖解根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中包括的一個子像素的平面圖。參照圖2，根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中包括的一個子像素sp由發(fā)光區(qū)域ea和電路區(qū)域ca構成。

一個子像素sp的電路區(qū)域ca包括多個晶體管t11、t21和dt。例如，電路區(qū)域ca可包括三個晶體管t11、t21和dt。更具體地說，電路區(qū)域ca可包括第一晶體管t11、第二晶體管t21和驅動晶體管dt。

此外，可在一個子像素sp中設置多條線100、110、120、130和200。具體地說，一個子像素可包括第一線100、第二線110、第三線120、第四線130和第五線200。

在此，第一線100和第四線130可彼此間隔開以在第一方向(圖2中的水平方向)上平行。在此，第一線100可以是第一掃描線，即用于傳輸?shù)谝粧呙栊盘柣驏艠O信號的柵極線；第四線130可以是第二掃描線，即用于傳輸?shù)诙呙栊盘柣蚋袦y信號的感測線。然而，根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置不限于此。

此外，第二線110和第三線120可彼此間隔開以在第二方向(圖2中的垂直方向)上平行。在此，第二線110可以是用于傳輸數(shù)據電壓(vdata)的數(shù)據線，第三線120可以是用于傳輸參考電壓(vref)的參考電壓線。然而，根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置不限于此。此外，第五線200可以是連接至參考電壓線的連接線，但根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置不限于此。例如，根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的第二線110和第三線120分別是數(shù)據線、參考電壓線和驅動電壓線的任意之一就足夠了。

同時，子像素sp的發(fā)光區(qū)域ea可由堤圖案190限定，堤圖案190設置在第一電極180的頂表面的一部分中。在發(fā)光區(qū)域ea中，可設置包括第一電極180、第二電極以及一個或多個有機層的有機發(fā)光二極管oled。有機發(fā)光二極管oled可根據從設置在基板上的驅動晶體管dt提供的電流發(fā)射光。

對于根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的子像素sp的電連接關系來說，有機發(fā)光二極管oled的第一電極180經由第一接觸孔250連接至驅動晶體管dt的一端。在此，驅動晶體管dt可由柵極電極251、有源層140、漏極電極253和源極電極263構成。在此，源極電極263可以是連接至第一晶體管t11的浮置圖案(floatingpattern)。作為一個例子，浮置圖案設置在與驅動電壓線或參考電壓線相同的層上，并連接至子像素sp的電容器；并且浮置圖案設置在有源層140上以與驅動電壓線或參考電壓線分隔開。

此外，可在驅動晶體管dt的有源層140與板150交疊的區(qū)域中設置存儲電容器cst。作為一個例子，板150設置在與第二線110相同的層上并且設置在有源層140上以與第二線110分隔開。

此外，驅動晶體管dt的另一端可經由第二接觸孔260連接至第二晶體管t21。在此，第二晶體管t21可以是開關晶體管。第二晶體管t21包括連接至第一線100的柵極電極、有源層141、以及源極/漏極電極。

此外，連接至第四線130的第一晶體管t11可以是感測晶體管。第一晶體管t11可由連接至第四線130的柵極電極、有源層142、浮置圖案263和漏極電極構成。在這種情形中，浮置圖案263可用作第一晶體管t11的源極電極并且漏極電極可連接至第三線120。

此外，第一晶體管t11的一端可經由第三接觸孔261連接至存儲電容器cst。

同時，將描述有機發(fā)光二極管oled的電功能。首先，開關晶體管t21被經由第一線提供的掃描信號導通，以將經由數(shù)據線110提供的數(shù)據信號傳輸至驅動晶體管dt的柵極電極251。存儲電容器cst存儲經由開關晶體管t21提供的數(shù)據信號，以將驅動晶體管dt的導通狀態(tài)保持預定時間或更長。此外，驅動晶體管dt根據存儲電容器cst中存儲的數(shù)據信號被驅動。驅動晶體管dt根據數(shù)據信號控制提供至第一電極180的驅動電流或驅動電壓。

當驅動晶體管dt被驅動時，有機層的發(fā)光層通過經由驅動晶體管dt提供的電流而發(fā)光。經由驅動晶體管dt提供的驅動電流被傳輸至第一電極180并流經有機層。如此，電子和空穴重新結合以發(fā)光，驅動電流最終流出到第二電極。

同時，根據本發(fā)明實施例的第一晶體管t11的有源層142的一部分可與第三線120和第四線130交疊。在這種情形中，第三線120可經由第四接觸孔142c連接至有源層142(第三有源層142)。

如上所述，在根據本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中，設置在至少一個子像素sp中的多個晶體管之中的至少一個晶體管的有源層與第三線120交疊。因此，晶體管形成為不具有從第三線120分支的源極/漏極電極，由此減小了電路區(qū)域并加寬了發(fā)光區(qū)域。

同時，在圖2中，盡管圖解了參考電壓線120設置成與數(shù)據線110平行，但一個像素可進一步包括設置成與數(shù)據線110平行的驅動電壓線。在這種情形中，設置在一個像素中的至少一個晶體管的有源層可與數(shù)據線110、參考電壓線120和驅動電壓線的任意之一交疊。

此外，在圖2中，盡管圖解了第一晶體管t11的有源層142與第三線120交疊，但根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置不限于此。在有機發(fā)光二極管顯示裝置中，第一晶體管t11、第二晶體管t21和驅動晶體管dt之中的至少一個晶體管的有源層配置成與第二線110或第三線120交疊就足夠了。

下面將參照圖3詳細描述這種構造。圖3是圖2的區(qū)域x的放大圖。參照圖3，設置在圖2的區(qū)域x中的第一晶體管的第三有源層142，即感測晶體管的第三有源層142可與第三線120和第四線130交疊。

具體地說，在根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的至少一個子像素中，感測晶體管的有源層142可與第三線120和第四線130交疊。此外，浮置圖案263經由第五接觸孔142b連接至第三有源層142。此外，第三線120可經由第四接觸孔142c連接至第三有源層142。

在此，第四線130可用作第一晶體管的柵極電極并且第三線120可用作第一晶體管的源極電極或漏極電極。例如，當浮置圖案263是第一晶體管的源極電極時，第三線120可以是第一晶體管的漏極電極。當浮置圖案263是第一晶體管的漏極電極時，第三線120可以是源極電極。

同時，在有源層142與第四線130和第三線120交疊的區(qū)域中，有源層142可包括溝道區(qū)域142a。下面將參照圖4詳細描述此構造。

圖4是沿圖3的線a-b截取的剖面圖。參照圖4，在根據第一實施例的第一晶體管t11中，在基板500上設置有源層142并且在有源層142的頂表面的一部分上設置柵極絕緣層171。在柵極絕緣層171上設置第四線130。

在此，柵極絕緣層171和第四線130可設置在與第一晶體管t11的有源層142的溝道區(qū)域142a對應的位置中。此外，第四線130可用作第一晶體管t11的柵極電極。

在第四線130上設置層間絕緣層172。此外，在層間絕緣層172上設置浮置圖案263和第三線120。在此，浮置圖案263和第三線120可經由形成在層間絕緣層172中的接觸孔連接至有源層142。

在此，浮置圖案263可用作第一晶體管t11的源極電極并且第三線120可用作第一晶體管t11的漏極電極。然而，本發(fā)明實施例不限于此，浮置圖案263可用作第一晶體管t11的漏極電極并且第三線120可用作第一晶體管t11的源極電極。此外，可在浮置圖案263和第三線120上設置保護層173。

在此，第一晶體管t11的有源層142可由透明導電材料形成。例如，第一晶體管t11的有源層142可由包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化銦鎵(igo)、氧化銦鎵鋅(igzo)或其組合的化合物形成。然而，根據本發(fā)明實施例的第一晶體管t11的有源層142的材料不限于此。同時，有源層142可包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域和溝道區(qū)域。為了與源極電極和漏極電極的相應一個的接觸效率，有源層142的源極區(qū)域和漏極區(qū)域被賦予導電特性。具體地說，與用作柵極電極的第四線130交疊的有源層142的溝道區(qū)域是半導體。然而，有源層142與用作源極電極的第三線120和用作漏極電極的浮置圖案263接觸的源極區(qū)域和漏極區(qū)域被賦予導電特性。

如上所述，第四線130設置在第一晶體管t11的有源層142上并且第三線120設置在第四線130上。在這種情形中，第一晶體管t11的有源層142的溝道區(qū)域142a可與第三線120和第四線130交疊。就是說，第一晶體管t11可配置成共享第三線120，即參考電壓線。

如上所述，構成第一晶體管t11的有源層142設置在第四線130和第三線120下方，使得第一晶體管t11的源極/漏極電極的構造不需要從第三線120分支。換句話說，由于第三線120用作第一晶體管t11的源極/漏極電極，所以第一晶體管t11的源極/漏極電極的構造不需要從第三線120分支。因此，節(jié)省了不從第三線120分支的源極/漏極電極的構造那么大的區(qū)域，使得可減小電路區(qū)域。

此外，第一晶體管t11的有源層142不與第三線120設置在同一層上。因此，即使第一晶體管t11的有源層142與第三線120交疊，也不需要用于有源層142的單獨空間。

接下來，將根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置與根據下面的比較例的有機發(fā)光二極管顯示裝置進行比較。圖5是圖解根據一比較例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個子像素的平面圖。根據比較例的第一晶體管可包括與根據第一實施例的第一晶體管相對應的組件。在此將省略其過多的描述。此外，相似的參考標記表示相似的組件。

參照圖5，在根據比較例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中，可作為感測晶體管的第一晶體管t12的結構可與根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的第一晶體管的結構不同。

具體地說，根據比較例的第一晶體管t12可由第四線130、有源層342、浮置圖案263和漏極電極121構成。在此，第四線130可用作第一晶體管t12的柵極電極并且浮置圖案263可用作第一晶體管t12的源極電極。

同時，根據比較例的第一晶體管t12的有源層342可與第四線130交疊。根據比較例的第一晶體管t12的漏極電極121可從第三線120分支。第一晶體管t12經由第二浮置線連接至第五線200，這與根據第一實施例的第一晶體管t11不同。

在此，由于根據比較例的第一晶體管t12的漏極電極121從第三線120分支，所以電路區(qū)域可被加寬漏極電極121被分支的區(qū)域k那么大。然而，在這種情形中，開口率降低了漏極電極121的分支區(qū)域k那么多。

與此相對照，在根據第一實施例的第一晶體管中，有源層與第三線120交疊。因此，第三線120在結構上與有源層接觸，因而第三線120用作第一晶體管的漏極電極。就是說，用作漏極電極的結構不需要從第三線120分支。因此，與比較例相比，根據第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的電路區(qū)域減小了圖5的區(qū)域k那么大。此外，開口率相應增加。

接下來，下面將參照圖6到9描述根據第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置。圖6是圖解根據第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中包括的一個子像素的平面圖。根據第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置可包括與上述實施例相同的組件。將省略其過多的描述。此外，相似的參考標記表示相似的組件。

參照圖6，根據第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個子像素sp的電路區(qū)域ca包括多個晶體管t11、t22和dt。例如，電路區(qū)域ca可包括三個晶體管t11、t22和dt。具體地說，電路區(qū)域ca可包括第一晶體管t11、第二晶體管t22和驅動晶體管dt。

此外，可在一個子像素sp中設置多條線100、110、120、130和200。具體地說，一個子像素可包括第一線100、第二線110、第三線120、第四線130和第五線200。

在此，第一線100可以是第一掃描線，第二線110可以是數(shù)據線，第三線120可以是參考電壓線，第四線130可以是第二掃描線，第五線200可以是連接至參考電壓線的連接線。然而，根據第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置不限于此。例如，根據第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的第二線110和第三線120分別是數(shù)據線、參考電壓線和驅動電壓線的任意之一就足夠了。

同時，根據第二實施例的第一晶體管t11可由連接至第四線130的柵極電極、有源層142、浮置圖案263和漏極電極構成。在這種情形中，浮置圖案263可用作第一晶體管t11的源極電極并且漏極電極可連接至第三線120。

此外，第一晶體管t11的有源層142的一部分可與第三線120和第四線130交疊。在這種情形中，第三線120可經由暴露第一晶體管t11的有源層142的接觸孔連接至第一晶體管t11的有源層142。

此外，根據第二實施例的第二晶體管t22可由連接至第一線100的柵極電極、有源層442、用作源極電極的板150和漏極電極構成。在這種情形中，第二線110可用作第二晶體管t22的源極電極。

此外，第二晶體管t22的有源層442的一部分可與第一線100和第二線110交疊。在這種情形中，第二線110和板150可分別經由暴露第二晶體管t22的有源層442的接觸孔260和462連接至第二晶體管t22的有源層442。

如上所述，在根據第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中，設置在至少一個子像素sp中的多個晶體管之中的兩個晶體管的有源層的每一個與第二線110或第三線120交疊。因此，晶體管形成為不具有從第二線110或第三線120分支的源極/漏極電極，使得減小了電路區(qū)域并加寬了發(fā)光區(qū)域。

同時，在圖6中，圖解了第一晶體管t11和第二晶體管t22的有源層142和442分別與第三線120和第二線110交疊。然而，在根據第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中，第一晶體管t11、第二晶體管t22和驅動晶體管dt之中的至少兩個晶體管的有源層配置成與第二線110或第三線120交疊就足夠了。

下面將參照圖7詳細描述此構造。圖7是圖6的區(qū)域y的放大圖。參照圖7，設置在圖6的區(qū)域y中的第二晶體管的第三有源層442，即開關晶體管的有源層可與第一線100和第二線110交疊。

具體地說，在根據第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的至少一個子像素中，第二晶體管的有源層442可與第一線100和第二線110交疊。此外，板150和第二線110可分別經由接觸孔260和462連接至第二晶體管的有源層442。

在此，第一線100可用作第二晶體管的柵極電極并且第二線110可用作第二晶體管的源極電極。板150可用作第二晶體管的漏極電極。然而，根據第二實施例的第二晶體管的構造不限于此。第二線110可用作第二晶體管的漏極電極并且板150可用作第二晶體管的源極電極。

同時，在第二晶體管的有源層442與第一線100和第二線110交疊的區(qū)域中，第二晶體管的有源層442可包括溝道區(qū)域442a。下面將參照圖8詳細描述此構造。

圖8是沿圖7的線c-d截取的剖面圖。參照圖8，在根據第二實施例的第二晶體管t22中，在基板500上設置有源層442并且在有源層442的頂表面的一部分上設置柵極絕緣層371。在柵極絕緣層371上設置第一線100。

在此，柵極絕緣層371和第一線100可設置在與第二晶體管t22的有源層442的溝道區(qū)域442a對應的位置中。此外，第一線100可用作第二晶體管t22的柵極電極。

在第一線100上設置層間絕緣層372。此外，在層間絕緣層372上設置第二線110和板150。在此，第二線110和板150可經由形成在層間絕緣層372中的接觸孔連接至有源層442。

在此，第二線110可用作第二晶體管t22的源極電極并且板150可用作第二晶體管t22的漏極電極。然而，本發(fā)明實施例不限于此。此外，可在第二線110和板150上設置保護層373。

在此，第二晶體管t22的有源層442可由包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化銦鎵(igo)、氧化銦鎵鋅(igzo)或其組合的化合物形成，但根據本發(fā)明實施例的第二晶體管t22的有源層442的材料不限于此。同時，有源層442可包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域和溝道區(qū)域。為了與源極電極和漏極電極的相應一個的接觸效率，有源層442的源極區(qū)域和漏極區(qū)域被賦予導電特性。具體地說，與用作柵極電極的第一線100交疊的有源層442的溝道區(qū)域是半導體。然而，有源層442與用作源極電極的第二線110和用作漏極電極的板150接觸的源極區(qū)域和漏極區(qū)域被賦予導電特性。

如上所述，第一線100設置在第二晶體管t22的有源層442上并且第二線110設置在第一線100上。在這種情形中，第二晶體管t22的有源層442的溝道區(qū)域442a可與第一線100和第二線110交疊。

如上所述，構成第二晶體管t22的有源層442設置在第一線100和第二線110下方，使得第二晶體管t22的源極/漏極電極的構造不需要從第二線110分支。換句話說，由于第二線110用作第二晶體管t22的源極/漏極電極，所以第二晶體管t22的源極/漏極電極的構造不需要從第二線110分支。因此，節(jié)省了不從第二線110分支的源極/漏極電極的構造那么大的區(qū)域，使得可減小電路區(qū)域。

此外，第二晶體管t22的有源層442不與第二線110設置在同一層上。因此，即使第二晶體管t22的有源層442與第二線110交疊，也不需要用于有源層442的單獨空間。

接下來，下面將描述當根據本發(fā)明實施例的子像素應用于有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個像素時每個像素的結構。圖9是圖解根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個像素的平面圖。圖9中所示的有機發(fā)光二極管顯示裝置可包括與上述實施例相同的組件。將省略其過多的描述。此外，相似的參考標記表示相似的組件。

參照圖9，根據本實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個像素p包括四個子像素sp1、sp2、sp3和sp4。具體地說，根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個像素可包括第一子像素sp1、第二子像素sp2、第三子像素sp3和第四子像素sp4。每個像素可發(fā)射具有紅色r、白色w、藍色b和綠色g中任意一種顏色的光。同時，圖9是根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個像素p的示例，一個像素p不限于包括四個子像素sp1、sp2、sp3和sp4。

一個像素p中包括的子像素sp1、sp2、sp3和sp4的每一個可包括第一晶體管t11、第二晶體管t22和驅動晶體管dt。在這種情形中，設置在子像素sp1、sp2、sp3和sp4的每一個中的第一晶體管t11、第二晶體管t22和驅動晶體管dt之中的至少一個晶體管的有源層，具體的是每個有源層的溝道區(qū)域可與數(shù)據線110、參考電壓線120和驅動電壓線125的任意之一交疊并且還可與第一掃描線110和第二掃描線130的任意之一交疊。

例如，在第一子像素sp1中，第二晶體管t22的有源層543的溝道區(qū)域可與第一掃描線100和數(shù)據線110交疊。

此外，在第二子像素sp2中，第一晶體管t11的有源層142的溝道區(qū)域可與第二掃描線130和參考電壓線120交疊并且第二晶體管t22的有源層442的溝道區(qū)域可與第一掃描線100和數(shù)據線110交疊。

此外，在第三子像素sp3中，第二晶體管t22的有源層643的溝道區(qū)域可與第一掃描線100和數(shù)據線110交疊并且第一晶體管t11的有源層642的溝道區(qū)域可與第二掃描線130和參考電壓線120交疊。

此外，在第四子像素sp4中，第二晶體管t22的有源層742的溝道區(qū)域可與第一掃描線100和數(shù)據線110交疊。

就是說，與第一掃描線100交疊的有源層543、442、643和742分別與數(shù)據線110交疊，并且與第二掃描線130交疊的有源層142和642可與參考電壓線120交疊。如上所述，每個有源層與數(shù)據線110、驅動電壓線125或參考電壓線120交疊。數(shù)據線110、驅動電壓線125或參考電壓線120用作源極/漏極電極，使得不需要設置源極/漏極電極的單獨構造。因此，可減小電路區(qū)域的尺寸。

下面將在比較圖9和圖10的同時描述上述效果。圖10是圖解根據比較例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個像素的平面圖。根據比較例的一個像素可包括與圖9中所示的一個像素相對應的組件。將省略其過多的描述。此外，相似的參考標記表示相似的組件。

參照圖10，根據比較例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個像素p中包括的子像素sp21、sp22、sp23和sp24的每一個包括發(fā)光區(qū)域ea和電路區(qū)域ca。此外，一個像素p中包括的子像素sp21、sp22、sp23和sp24的每一個可包括第一晶體管t31、第二晶體管t32和驅動晶體管dt。在此，在圖9的第一子像素sp1中，第一晶體管t11的有源層543的溝道區(qū)域與數(shù)據線110交疊。相比之下，圖10的第一子像素sp21的第一晶體管t31的有源層543a與從數(shù)據線110分支的圖案110a交疊。

在圖9的第二子像素sp2中，第一晶體管t11的有源層142的溝道區(qū)域和第二晶體管t22的有源層442的溝道區(qū)域可分別與參考電壓線120和數(shù)據線110交疊。相比之下，在圖10的第二子像素sp22中，第一晶體管t31的有源層142a的溝道區(qū)域和第二晶體管t32的有源層442a的溝道區(qū)域可分別與從參考電壓線120分支的圖案120a和從數(shù)據線110分支的圖案110b交疊。

此外，在圖9的第三子像素sp3中，第一晶體管t11的有源層642的溝道區(qū)域和第二晶體管t22的有源層643的溝道區(qū)域可分別與參考電壓線120和數(shù)據線110交疊。相比之下，在圖10的第三子像素sp23中，第一晶體管t31的有源層642a的溝道區(qū)域和第二晶體管t32的有源層643a的溝道區(qū)域可分別與從參考電壓線120分支的圖案120b和從數(shù)據線110分支的圖案110c交疊。

此外，在圖9的第四子像素sp4中，第二晶體管t22的有源層742的溝道區(qū)域與數(shù)據線110交疊。相比之下，圖10的第四子像素sp24的第二晶體管t32的有源層742a與從數(shù)據線110分支的圖案110d交疊。

如上所述，根據圖9中所示的實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的有源層的一部分與金屬配線交疊。因此，與根據圖10中所示的比較例的有機發(fā)光二極管顯示裝置相比，可減小電路區(qū)域ca的尺寸。在這種情形中，發(fā)光區(qū)域ea的尺寸可被加寬電路區(qū)域ca減小的尺寸那么大。因此，可提高開口率。

具體地說，理解到與根據比較例的每個子像素的開口率相比，可提高根據實施例的每個子像素的開口率。更具體地說，根據實施例的第一到第四子像素sp1、sp2、sp3和sp4的開口率分別是25.4％、44.5％、39.8％和24.9％。此外，根據比較例的第一到第四子像素sp21、sp22、sp23和sp24的開口率分別是21.9％、41.2％、36.1％和21.4％。就是說，理解到根據實施例的第一到第四子像素sp1、sp2、sp3和sp4的開口率高于根據比較例的第一到第四子像素sp21、sp22、sp23和sp24。

如上所述，在根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中，設置在一個子像素中的至少一個晶體管的有源層與數(shù)據線110、參考電壓線120和驅動電壓線125的任意之一交疊并且還與第一掃描線100和第二掃描線130的任意之一交疊。因此，可減小電路區(qū)域并可加寬開口單元。如此，有機發(fā)光二極管顯示裝置，尤其是大尺寸有機發(fā)光二極管顯示裝置可具有提高的亮度并且有機發(fā)光二極管的壽命可延長。

此外，設置在一個子像素中的至少一個晶體管的有源層的位置被改變，由此調整用于每一子像素的電路區(qū)域的尺寸。

上面實施例中描述的特征、結構、效果等包括在至少一個實施例中但并不限于一個實施例。此外，所屬領域技術人員可在針對其他實施方式進行組合或修改的同時實現(xiàn)在各個實施例中描述的特征、結構、效果等。因此，將理解到與組合和修改有關的內容將包含在本發(fā)明的范圍內。

此外，應當理解，上述實施例應當僅被認為是描述性的意義，而不是限制的目的。所屬領域技術人員將理解到，在不背離實施例的精神和范圍的情況下可進行各種其他修改和應用。例如，可在被修改的同時實現(xiàn)實施例中詳細描述的各個組件。