本公開的實(shí)施例涉及一種像素電路、顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，oled)顯示面板由于具有視角寬、對比度高、響應(yīng)速度快以及相比于無機(jī)發(fā)光顯示器件的更高的發(fā)光亮度、更低的驅(qū)動(dòng)電壓等優(yōu)勢而逐漸受到人們的廣泛關(guān)注。由于上述特點(diǎn)，有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示面板可以適用于手機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、儀器儀表等具有顯示功能的裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的一個(gè)實(shí)施例提供了一種像素電路，該像素電路包括發(fā)光元件、發(fā)光控制電路、觸控探測電路和信號線。發(fā)光控制電路與發(fā)光元件電連接且配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光；觸控探測電路配置為通過感測入射到其上光線的強(qiáng)弱以用于判定是否存在觸控動(dòng)作；信號線配置為與發(fā)光控制電路的輸入端和觸控探測電路的輸出端電連接。

本公開的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種顯示面板，該顯示面板包括陣列排列的像素單元和寫入讀出選擇電路。至少一個(gè)像素單元包括上述的像素電路；寫入讀出選擇電路包括第一端、第二端以及第三端，第三端電連接到像素電路的信號線，第一端可電連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，第二端可電連接至觸控驅(qū)動(dòng)電路；寫入讀出選擇電路配置為可將第一端與第三端電連接或?qū)⒌诙撕偷谌穗娺B接。

本公開的再一個(gè)實(shí)施例提供了一種顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，該顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法包括：在顯示階段，經(jīng)由像素電路的信號線向像素電路的發(fā)光控制電路輸入顯示數(shù)據(jù)信號，以驅(qū)動(dòng)像素電路發(fā)光；以及在光感讀取階段，經(jīng)由像素電路的信號線讀取像素電路的觸控探測電路的觸控電信號，以判定是否存在觸控動(dòng)作。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或相關(guān)技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實(shí)施例，并非對本公開的限制。

圖1是本公開實(shí)施例一提供的一種像素電路的示意性框圖；

圖2是圖1所示的像素電路的示例性電路圖；

圖3是圖1所示的像素電路的觸控探測電路的示例性電路圖；

圖4(a)是圖1所示的像素電路的發(fā)光控制電路的一種示例性電路圖；

圖4(b)是圖1所示的像素電路的發(fā)光控制電路的另一種示例性電路圖；

圖5是本公開實(shí)施例二提供的一種顯示面板的示意圖；

圖6是圖5所示的顯示面板的示例性電路圖；

圖7是本公開實(shí)施例三提供的一種顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法的示例性流程圖；

圖8是圖7所示的驅(qū)動(dòng)方法的示例性時(shí)序圖；

圖9是本公開實(shí)施例四提供的一種顯示面板的示例性的平面示意圖；以及

圖10是圖9所示的顯示面板的沿a-a’線的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

發(fā)明人注意到，具備觸控功能的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板通常采用電容式觸控技術(shù)。由于基于電容式觸控技術(shù)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板需要采用兩個(gè)獨(dú)立進(jìn)行的制作工藝步驟，也即，電容式觸控基板制作工藝和oled顯示基板制作工藝，因此工藝流程和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

例如，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為n型和p型晶體管，為了清楚起見，本公開的實(shí)施例以晶體管為p型晶體管為例詳細(xì)闡述了本公開的技術(shù)方案，然而本公開的實(shí)施例的晶體管不限于p型晶體管，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以根據(jù)實(shí)際需要利用n型晶體管實(shí)現(xiàn)本公開中的實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)晶體管。這些晶體管例如為薄膜晶體管。

本公開的實(shí)施例提供了一種像素電路、顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法，實(shí)現(xiàn)了具備觸控功能的顯示面板，并優(yōu)化了像素電路和顯示面板的結(jié)構(gòu)布局。

本公開的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種像素電路，該像素電路包括發(fā)光元件、發(fā)光控制電路、觸控探測電路和信號線。發(fā)光控制電路與發(fā)光元件電連接且配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光；觸控探測電路配置為通過感測入射到其上光線的強(qiáng)弱以用于判定是否存在觸控動(dòng)作；信號線配置為與發(fā)光控制電路的輸入端和觸控探測電路的輸出端電連接。

本公開的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種顯示面板，該顯示面板包括陣列排列的像素單元和寫入讀出選擇電路。至少一個(gè)像素單元包括上述的像素電路；寫入讀出選擇電路包括第一端、第二端以及第三端，第三端電連接到像素電路的信號線，第一端可電連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，第二端可電連接至觸控驅(qū)動(dòng)電路；寫入讀出選擇電路配置為可將第一端與第三端電連接或?qū)⒌诙撕偷谌穗娺B接。

本公開的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，該顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法包括：在顯示階段，經(jīng)由像素電路的信號線向像素電路的發(fā)光控制電路輸入顯示數(shù)據(jù)信號，以驅(qū)動(dòng)像素電路發(fā)光；以及在光感讀取階段，經(jīng)由像素電路的信號線讀取像素電路的觸控探測電路的觸控電信號，以判定是否存在觸控動(dòng)作。

下面通過幾個(gè)實(shí)施例對根據(jù)本公開實(shí)施例的像素電路、顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說明。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種像素電路100，該像素電路100例如可應(yīng)用于顯示面板，例如oled顯示面板等。例如，圖1是本公開實(shí)施例一提供的一種像素電路100的示意性框圖。如圖1所示，該像素電路100可以包括發(fā)光元件100(例如，可以為圖2所示的發(fā)光元件el)、發(fā)光控制電路120、觸控探測電路130和信號線140。例如，發(fā)光元件110、發(fā)光控制電路120和觸控探測電路130的具體形式可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)定，本公開的實(shí)施例對此不做具體限定。例如，本公開實(shí)施例一提供的一種像素電路100可以實(shí)現(xiàn)為如圖2所示的電路。

例如，如圖1和圖2所示，發(fā)光元件110可以為有機(jī)發(fā)光元件，有機(jī)發(fā)光元件例如可以為有機(jī)發(fā)光二極管，但本公開的實(shí)施例不限于此。例如，信號線140可以包括第一端141和第二端142，信號線140(例如，信號線的第一端141)配置為與發(fā)光控制電路120的輸入端163和觸控探測電路130的輸出端162電連接(參見圖3和圖4(a)、圖4(b))，因此可以在不同的時(shí)間段經(jīng)由像素電路100的信號線140向發(fā)光控制電路120輸入顯示數(shù)據(jù)信號,或者經(jīng)由像素電路100的信號線140讀取像素電路100的觸控探測電路130的觸控電信號，由此可以優(yōu)化像素電路100的布局,節(jié)省制造成本，降低產(chǎn)品的運(yùn)行功耗。

例如，下面結(jié)合圖1-圖3對本公開實(shí)施例提供的觸控探測電路130進(jìn)行詳細(xì)說明。

例如，如圖1和圖2所示，觸控探測電路130可以配置為通過感測入射到其上光線的強(qiáng)弱，所產(chǎn)生的信號可以用于判定是否存在觸控動(dòng)作。例如，觸控探測電路130可以配置為通過感測例如由于觸控操作的手指或觸控筆反射到其上的由發(fā)光元件el發(fā)射的光線的強(qiáng)弱判定是否存在觸控動(dòng)作；又例如，觸控探測電路130還可以配置為通過感測入射到其上的環(huán)境光線的強(qiáng)弱判定是否存在觸控動(dòng)作。例如，本公開的實(shí)施例以觸控探測電路130配置為通過感測反射到其上的由發(fā)光元件el發(fā)射的光線的強(qiáng)弱判定是否存在觸控動(dòng)作為例詳細(xì)闡述本公開的技術(shù)方案，但本公開的實(shí)施例不限于此。

例如，觸控探測電路130的具體形式可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)定，本公開的實(shí)施例對此不做具體限定。例如，如圖3所示，觸控探測電路130可以包括感光元件131，感光元件131可以配置為將入射到其上的光線轉(zhuǎn)換為感測電信號。例如，感光元件131可以包括第一晶體管t1，第一晶體管t1例如可以為底柵型晶體管，由于第一晶體管t1的溝道區(qū)上方?jīng)]有遮擋，因此可以感測入射到其上的光線的強(qiáng)弱，并引起第一晶體管t1的關(guān)態(tài)漏電流的變化。

例如，第一晶體管t1可以包括第一端、第二端和控制端，例如，第一晶體管t1的第一端可以設(shè)置為觸控探測電路130的輸入端161。例如，第一晶體管t1的控制端在接收到導(dǎo)通信號(例如，低電平信號)的情況下可以使得第一端和第二端導(dǎo)通，第一晶體管t1控制端在接收到截止信號(例如，高電平信號)的情況下可以使得第一端和第二端斷開。然而，即使在第一晶體管t1的控制端在接收到截止信號但第一晶體管t1的第一端和第二端之間存在電壓差的情況下，第一晶體管t1中會(huì)出現(xiàn)漏電流，并且漏電流的強(qiáng)度會(huì)隨著入射到第一晶體管t1之上的光線的強(qiáng)度的增強(qiáng)而增強(qiáng)，由此可以利用第一晶體管t1的漏電流的強(qiáng)弱判定是否存在觸控動(dòng)作。

例如，在觸控探測電路130配置為感測反射到其上的由發(fā)光元件el發(fā)射的光線的強(qiáng)弱判定是否存在觸控動(dòng)作的情況下，在像素電路100的存在觸控操作時(shí)，由于例如手指的遮擋，發(fā)光元件el發(fā)射的光線被手指反射，并入射到第一晶體管t1上，因此第一晶體管t1感受到的光強(qiáng)增加，第一晶體管t1轉(zhuǎn)換獲得的感測電信號(例如，電流信號)隨之增強(qiáng)。因此，可以在第一晶體管t1輸出的感測電信號的強(qiáng)度大于預(yù)定數(shù)值的情況下判定該像素電路100的對應(yīng)位置處的存在觸控操作，在第一晶體管t1輸出的感測電信號的強(qiáng)度小于或等于預(yù)定數(shù)值的情況下判定該像素電路100的對應(yīng)位置處的不存在觸控操作，由此包含該像素電路100的顯示面板可以實(shí)現(xiàn)觸控功能。

例如，觸控探測電路130還可以包括放大電路132，放大電路132可以配置為放大感光元件131輸出的感測電信號，以提升觸控探測電路130的觸控電信號的信噪比。例如，感光電路還可以包括觸控選擇電路，觸控選擇電路可以配置為控制讀取觸控電信號的時(shí)間。例如，觸控探測電路130和觸控選擇電路具體形式可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)定，本公開的實(shí)施例對此不做具體限定。例如，放大電路132可以包括第二晶體管t2和第一電容c1；例如，觸控選擇電路可以包括第三晶體管t3；例如，第二晶體管t2和第三晶體管t3可以為頂柵型晶體管，也可以為底柵型晶體管。

例如，觸控探測電路130還可以包括第一節(jié)點(diǎn)151。例如，第一晶體管t1的第二端可以電連接到第一節(jié)點(diǎn)151。例如，第二晶體管t2的控制端可以電連接到第一節(jié)點(diǎn)151，第二晶體管t2的第一端可以電連接到第三晶體管t3的第一端，第二晶體管t2的第二端可以電連接到第一電容c1的第二端，并電連接到參考電壓端vref。例如，第一電容c1的第一端可以電連接到第一節(jié)點(diǎn)151，第二端電連接到參考電壓端vref；第三晶體管t3的第二端可以電連接到信號線140(例如，信號線的第一端141)。

例如，在觸控探測電路130包括第一電容c1、第二晶體管t2和第三晶體管t3的情況下，觸控探測電路130可以通過以下步驟實(shí)現(xiàn)觸控探測功能：

步驟s110：復(fù)位階段，使得第一晶體管t1處于導(dǎo)通狀態(tài)，并經(jīng)由第一晶體管t1的第一端將第一電壓(復(fù)位電壓)寫入在第一節(jié)點(diǎn)151上；

步驟s120：感測階段，使得第一晶體管t1處于截止?fàn)顟B(tài)，并將第二電壓寫入在第一晶體管t1的第一端上，第二電壓小于第一電壓；

步驟s130：觸控電信號讀取階段，使得第三晶體管t3處于導(dǎo)通階段，并經(jīng)由信號線140讀取第三晶體管t3輸出的電信號。

例如，在步驟s110中，可以向第一晶體管t1的控制端施加低電平信號，以使其處于導(dǎo)通狀態(tài)，由此，第一電壓可以經(jīng)由導(dǎo)通的第一晶體管t1寫入在第一節(jié)點(diǎn)151上。例如，寫入在第一節(jié)點(diǎn)151上的電壓可以存儲在第一電容c1中，并將其保持在第二晶體管t2的控制端。此時(shí)，寫入的第一電壓使第二晶體管t2處于截止?fàn)顟B(tài)，例如第二晶體管t2的控制端和第二端的電壓可以相同，即此時(shí)第一電壓等于參考電壓vref，下面以二者相等為例進(jìn)行說明，但是本公開的實(shí)施例不限于此。例如，可以向第三晶體管t3的控制端施加高電平信號，以使其處于截止?fàn)顟B(tài)。

例如，在步驟s120中，可以向第一晶體管t1和第三晶體管t3的控制端施加高電平信號，以使第一晶體管t1和第三晶體管t3處于截止?fàn)顟B(tài)。例如，在存在觸控動(dòng)作的情況下，發(fā)光元件el發(fā)射的光線被例如手指反射，并入射到第一晶體管t1上，因此第一晶體管t1感受到的光線強(qiáng)度以及第一晶體管t1中的漏電流的強(qiáng)度增加，第一電容c1的第一端的電荷流失量增加，第一節(jié)點(diǎn)151的電壓降低量增加，并直至使得第二晶體管t2由截止變?yōu)閷?dǎo)通。請注意，盡管在存在觸控動(dòng)作的情況下，第二晶體管t2即使變得導(dǎo)通，但是由于第三晶體管t3處于截止?fàn)顟B(tài)，第二晶體管t2中也不存在開態(tài)電流。

例如，在步驟s130中，可以向第三晶體管t3的控制端施加低電平信號，以使第三晶體管t3處于導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，第二晶體管t2處于導(dǎo)通狀態(tài)，由此從參考電壓端vref電流經(jīng)由第二晶體管t2和第三晶體管t3，再流向信號線140，由此信號線140可以獲取觸控探測電路130的觸控電信號。例如，觸控電信號讀取階段還包括第二感測階段，第二感測階段為觸控電信號讀取階段的第三晶體管t3導(dǎo)通之前的時(shí)間段。例如，觸控電信號的強(qiáng)度取決于第二晶體管t2的控制端的電壓(也即，第一節(jié)點(diǎn)151的電壓)大小，而第二晶體管t2的控制端的電壓大小取決于感測階段和第二感測階段中第一晶體管t1的漏電流的累積值(積分值)，也即是入射到第一晶體管t1上的光線強(qiáng)度。例如，相比于不存在觸控動(dòng)作，在存在觸控動(dòng)作的情況下，第一節(jié)點(diǎn)151的電壓更低，因此在觸控電信號讀取階段中的第二晶體管t2的開態(tài)電流強(qiáng)度以及信號線140獲取的觸控電信號的強(qiáng)度更高，由此可以在信號線140獲取的觸控電信號的強(qiáng)度大于預(yù)定數(shù)值的情況下，可以判定該像素電路100的對應(yīng)位置處的存在觸控操作。例如，預(yù)定數(shù)值可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)測定獲得。

例如，通過設(shè)置第二晶體管t2和第二電容123，可以將第一晶體管t1的較弱的關(guān)態(tài)漏電流轉(zhuǎn)化為第二晶體管t2的較強(qiáng)的開態(tài)電流，由此可以提升觸控探測電路130的觸控電信號的信噪比。例如，通過設(shè)置第三晶體管t3，可以將感測階段和觸控電信號讀取階段分離，因此可以在觸控探測電路130和發(fā)光控制電路120共用信號線140的情況下、依然可以將感測階段設(shè)置在顯示階段之中，因此可以在使得觸控電信號讀取階段的時(shí)間長度最小的前提下、保證觸控電信號的強(qiáng)度和信噪比，也即，本公開實(shí)施例一提供的像素電路100可以在優(yōu)化電路布局的情況下保證或提升觸控電信號的信噪比。

例如，下面結(jié)合圖1、圖2、圖4(a)和圖4(b)對本公開實(shí)施例提供的發(fā)光控制電路120進(jìn)行詳細(xì)說明。例如，如圖1和圖2所示，發(fā)光控制電路120可以與發(fā)光元件el電連接且配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件el發(fā)光。

例如，發(fā)光控制電路120可以包括發(fā)光驅(qū)動(dòng)電路121、發(fā)光選擇電路122和第二電容123。例如，發(fā)光驅(qū)動(dòng)電路121可以配置為可驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件el發(fā)光；發(fā)光選擇電路122可以配置為可選擇地將數(shù)據(jù)信號寫入到發(fā)光驅(qū)動(dòng)電路121的控制端；第二電容123(例如，第二電容c2)可以配置為存儲數(shù)據(jù)信號并將其保持在發(fā)光驅(qū)動(dòng)電路121的控制端。例如，發(fā)光驅(qū)動(dòng)電路121、發(fā)光選擇電路122和第二電容123的具體形式可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)定，本公開的實(shí)施例對此不做具體限定。

例如，發(fā)光控制電路120可以實(shí)現(xiàn)為2t1c電路，即利用兩個(gè)tft(thin-filmtransistor，薄膜晶體管)和一個(gè)存儲電容來實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件el(例如，oled)發(fā)光的基本功能。例如，圖4(a)和圖4(b)分別示出了兩種2t1c像素電路100的示意圖。

例如，如圖4(a)所示，一種2t1c型發(fā)光控制電路120可以包括第五晶體管t5(即，發(fā)光選擇電路122)、第四晶體管t4(即，發(fā)光驅(qū)動(dòng)電路121)以及第二電容c2。例如，該第五晶體管t5的控制端可以接收掃描信號，第五晶體管t5的第一端可以電連接到信號線140以接收數(shù)據(jù)信號，第五晶體管t5的第二端可以電連接到第二節(jié)點(diǎn)152，也即，第四晶體管t4的控制端。例如，第四晶體管t4的第一端可以電連接到發(fā)光元件el的第二端(例如，oled的正極端)；第四晶體管t4的第二端可以電連接到第一電源端vdd，例如，第一電源端vdd可以為電壓源以輸出恒定的正電壓，也可以為電流源等。例如，第二電容c2的第一端電連接到第二節(jié)點(diǎn)152(即，第五晶體管t5的第二端以及第四晶體管t4的控制端)，第二電容c2的第二端電連接到第四晶體管t4的第二端以及第一電源端vdd；發(fā)光元件el的第一端(例如，oled的負(fù)極端)電連接到第二電源端vss，例如，第二電源端vss可以為接地端。例如，該2t1c像素電路100的驅(qū)動(dòng)方式是將像素的明暗(灰階)經(jīng)由兩個(gè)tft和第二電容c2來控制。在通過柵線施加掃描信號以導(dǎo)通第五晶體管t5情況下，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路通過數(shù)據(jù)線送入的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)由第五晶體管t5對第二電容c2充電，由此將數(shù)據(jù)電壓存儲在第二電容c2中，且該存儲的數(shù)據(jù)電壓控制第四晶體管t4的導(dǎo)通程度，由此控制流過第四晶體管t4以及驅(qū)動(dòng)oled發(fā)光的電流大小，即此電流決定該像素發(fā)光的灰階。

例如，如圖4(b)所示，另一種2t1c型發(fā)光控制電路120也包括第五晶體管t5、第四晶體管t4以及第二電容c2，但是其連接方式略有改變。例如，圖4(b)的發(fā)光控制電路120相對于圖4(a)的變化之處包括：發(fā)光元件el的第二端(例如，oled的正極端)電連接到第一電源端vdd，而發(fā)光元件el的第一端(例如，oled的負(fù)極端)電連接到第四晶體管t4的第二端，第四晶體管t4的第一端電連接到第二電源端vss。第二電容c2的第二端連接到第二節(jié)點(diǎn)152(即，第五晶體管t5的第二端以及第四晶體管t4的控制端)，第二電容c2的第一端連接到第四晶體管t4的第一端以及第二電源端vss。該2t1c型發(fā)光控制電路120的工作方式基本上與圖4(a)所示的像素電路100基本相同，在此不再贅述。

例如，本公開實(shí)施例僅以發(fā)光控制電路120為2t1c電路進(jìn)行說明，但是本公開實(shí)施例的發(fā)光控制電路120不限于2t1c電路，例如，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求，發(fā)光控制電路120還可以具備電學(xué)補(bǔ)償功能，以提升包含該像素電路100的顯示面板的顯示均勻度。例如，補(bǔ)償功能可以通過電壓補(bǔ)償、電流補(bǔ)償或混合補(bǔ)償來實(shí)現(xiàn)，具有補(bǔ)償功能的發(fā)光控制電路120例如可以為4t1c、4t2c、6t1c以及其它具有電學(xué)補(bǔ)償功能的發(fā)光控制電路120，在此不再贅述。由例如，發(fā)光控制電路120還可以包括外部補(bǔ)償電路部分，例如可以包括感測電路部分以感測驅(qū)動(dòng)晶體管的電學(xué)特性或發(fā)光元件的電學(xué)特性，具體構(gòu)造可以參見常規(guī)設(shè)計(jì)，這里不再贅述。

需要說明的是，本公開的實(shí)施例一和其它實(shí)施例中采用的晶體管可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)晶體管或其他特性相同的開關(guān)器件。這里采用的晶體管的源極、漏極在結(jié)構(gòu)上可以是對稱的，所以其源極、漏極在物理結(jié)構(gòu)上可以是沒有區(qū)別的。在本公開的實(shí)施例中，為了區(qū)分晶體管除作為控制端的柵極，直接描述了其中一極為第一端，另一極為第二端，所以本公開實(shí)施例中全部或部分晶體管的第一端和第二端根據(jù)需要是可以互換的。例如，本公開實(shí)施例的晶體管的第一端可以為源極，第二端可以為漏極；或者，晶體管的第一端為漏極，第二端為源極。

例如，在本實(shí)施例中，通過在像素電路100中設(shè)置觸控探測電路130，使得包含該像素電路100的顯示面板具備觸控功能；通過將信號線140與發(fā)光控制電路120的輸入端和觸控探測電路130的輸出端電連接，使得發(fā)光控制電路120和觸控探測電路130可以共用信號線140，由此可以優(yōu)化像素電路100的布局。在本實(shí)施例中，通過在觸控探測電路130中設(shè)置放大模塊，可以提升觸控探測電路130的觸控電信號的信噪比；通過在觸控探測電路130中設(shè)置觸控選擇電路，可以在優(yōu)化電路布局的情況下保證或提升觸控電信號的信噪比。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供一種顯示面板10，例如，如圖5所示，該顯示面板10包括陣列排列的像素單元240和寫入讀出選擇電路210。例如，為了清楚起見，圖5僅示例性的示出了三行和三列的像素單元240，但本公開的實(shí)施例不限于此，例如，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求，顯示面板10可以包括1440行、900列的像素單元240。例如，至少一個(gè)像素單元240可以包括實(shí)施例一提供的任一像素電路。例如，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求，顯示面板10中部分像素可以包括實(shí)施例一提供的像素電路，例如根據(jù)所需要的觸控精度可以每十個(gè)像素單元中有一個(gè)像素單元包括實(shí)施例一提供的像素電路，或者為了實(shí)現(xiàn)像素級的觸控精度，顯示面板10的所有像素單元240均可以包括實(shí)施例一提供的像素電路。又例如，顯示面板10的至少一列像素單元240可以包括實(shí)施例一提供的像素電路，并且所述至少一列像素單元240中的每列像素單元240共用同一信號線。

例如，下面結(jié)合圖5和圖6對本公開實(shí)施例二提供的寫入讀出選擇電路210進(jìn)行詳細(xì)說明。例如，如圖5和圖6所示，寫入讀出選擇電路210可以包括第一端211、第二端212以及第三端213，第三端213電連接到像素電路的信號線140，第一端211可電連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路222，第二端212可電連接至觸控驅(qū)動(dòng)電路221。例如，寫入讀出選擇電路210配置為可將第一端211與第三端213電連接或?qū)⒌诙?12和第三端213電連接，從而進(jìn)行相應(yīng)的信號傳輸。例如，寫入讀出選擇電路210可以配置為在顯示階段將第一端211與第三端213電連接，經(jīng)由像素電路的信號線140向像素電路的發(fā)光控制電路輸入顯示數(shù)據(jù)信號；在光感讀取階段將第二端212和第三端213電連接，經(jīng)由像素電路的信號線140讀取像素電路的觸控探測電路的觸控電信號。

例如，寫入讀出選擇電路210的具體形式可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)定，本公開的實(shí)施例對此不做具體限定。例如，本公開實(shí)施例二提供的一種寫入讀出選擇電路210可以實(shí)現(xiàn)為如圖6所示的電路。例如，寫入讀出選擇電路210可以包括第一控制晶體管ct1和第二控制晶體管ct2；第一控制晶體管ct1的第一端(即，寫入讀出選擇電路的第三端213)電連接到像素電路的信號線140，第一控制晶體管ct1的第二端(即，寫入讀出選擇電路的第一端211)配置為可電連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路222；第二控制晶體管ct2的第一端(即，寫入讀出選擇電路的第三端213)電連接到像素電路的信號線140，第二控制晶體管ct2的第二端(即，寫入讀出選擇電路的第二端212)配置為可電連接到觸控驅(qū)動(dòng)電路221。

例如，顯示面板10還可以包括觸控驅(qū)動(dòng)電路221和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路222，此時(shí)，第一控制晶體管ct1的第二端電連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路222；第二控制晶體管ct2的第二端電連接到觸控驅(qū)動(dòng)電路221。例如，可以通過控制第一控制晶體管ct1和第二控制晶體管ct2的導(dǎo)通和截止使得寫入讀出選擇電路的第一端211與寫入讀出選擇電路的第三端213電連接，或?qū)懭胱x出選擇電路的第二端212和寫入讀出選擇電路的第三端213電連接，也即，可以通過控制第一控制晶體管ct1和第二控制晶體管ct2的導(dǎo)通和截止使得數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路222與像素電路的信號線140電連接或?qū)⒂|控驅(qū)動(dòng)電路221與像素電路的信號線140電連接。因此，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路222可以在顯示階段經(jīng)由像素電路的信號線140向像素電路的發(fā)光控制電路輸入顯示數(shù)據(jù)信號；觸控驅(qū)動(dòng)電路221可以在光感讀取階段經(jīng)由像素電路的信號線140讀取像素電路的觸控探測電路的觸控電信號。進(jìn)而，本公開實(shí)施例二提供的顯示面板10的像素電路的發(fā)光控制電路和觸控探測電路可以共用信號線140，由此可以優(yōu)化像素電路和顯示面板10的布局。觸控驅(qū)動(dòng)電路221和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路222可以采用各種形式，例如二者可以采用單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片實(shí)現(xiàn)，或者采用同一個(gè)半導(dǎo)體芯片，或者可以具體采用fpga電路等方式實(shí)現(xiàn)。

例如，顯示面板10還可以包括電壓選擇電路230。例如，下面結(jié)合圖5和圖6對本公開實(shí)施例二提供的寫入讀出選擇電路210進(jìn)行詳細(xì)說明。例如，電壓選擇電路230可以配置為將像素電路的觸控探測電路的輸入端161(例如，第一晶體管的第一端)電連接到第一輸入電源vref或第二輸入電源vini。例如，電壓選擇電路230的具體形式可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)定，本公開的實(shí)施例對此不做具體限定。

例如，本公開實(shí)施例二提供的一種電壓選擇電路230可以實(shí)現(xiàn)為如圖6所示的電路。例如，如圖6所示，電壓選擇電路230可以包括第三控制晶體管ct3和第四控制晶體管ct4；第三控制晶體管ct3的第一端電連接到像素電路的觸控探測電路的輸入端161，第三控制晶體管ct3的第二端配置為可電連接到第一輸入電源vref；第四控制晶體管ct4的第一端電連接到像素電路的觸控探測電路的輸入端161，第四控制晶體管ct4的第二端配置為可電連接到第二輸入電源vini。例如，第一輸入電源vref和第二輸入電源vini可以為電壓源，且第一輸入電源vref輸出的第一電壓的強(qiáng)度可以大于第二輸入電源vini輸出的第二電壓的強(qiáng)度。例如，在第三控制晶體管ct3導(dǎo)通、第四控制晶體管ct4截止的情況下，可以向像素電路的觸控探測電路的輸入端161(例如，第一晶體管的第一端)寫入第一電壓；在第三控制晶體管ct3截止、第四控制晶體管ct4導(dǎo)通的情況下，可以向像素電路的觸控探測電路的輸入端161寫入第二電壓。例如，本公開實(shí)施例二提供的一種電壓選擇電路230可以在無需設(shè)置交流電源(例如，電壓源)的情況下，向觸控探測電路的輸入端161寫入兩種強(qiáng)度不同的電壓信號，由此可以更好的利用和兼容現(xiàn)有的顯示面板10制造工藝。

需要說明的是，對于該顯示面板10的其它組成部分(例如控制裝置、圖像數(shù)據(jù)編碼/解碼裝置、行掃描驅(qū)動(dòng)器、列掃描驅(qū)動(dòng)器、時(shí)鐘電路等)均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對本發(fā)明的限制。

例如，在本實(shí)施例中，通過使得顯示面板10的至少一個(gè)像素單元240包括實(shí)施例一提供的任一像素電路，可以使得顯示面板10具備觸控功能；通過設(shè)置寫入讀出選擇電路210，使得像素電路的信號線140可以與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路222或觸控驅(qū)動(dòng)電路221電連接，由此使得數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路222可以經(jīng)由像素電路的信號線140向像素電路的發(fā)光控制電路輸入顯示數(shù)據(jù)信號，觸控驅(qū)動(dòng)電路221可以經(jīng)由像素電路的信號線140讀取像素電路的觸控探測電路的觸控電信號；通過設(shè)置電壓選擇電路230，可以在無需設(shè)置交流電源的情況下，向觸控探測電路的輸入端161寫入兩種強(qiáng)度不同的例如，電壓信號。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供一種顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，例如，如圖7所示，該顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法可以包括以下步驟：

步驟s210：在顯示階段el，經(jīng)由像素電路的信號線向像素電路的發(fā)光控制電路輸入顯示數(shù)據(jù)信號，以驅(qū)動(dòng)像素電路發(fā)光；

步驟s220：在光感讀取階段r，經(jīng)由像素電路的信號線讀取像素電路的觸控探測電路的觸控電信號，以判定是否存在觸控動(dòng)作。

上述步驟并沒有先后順序，也并非要求在每個(gè)顯示階段都需要伴隨一個(gè)光感讀取階段(觸控階段)，在滿足觸控時(shí)間精度的情況下，可以為每兩個(gè)或更多個(gè)顯示階段設(shè)置一個(gè)光感讀取階段，由此減少功耗。

例如，驅(qū)動(dòng)顯示面板的時(shí)序圖可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行設(shè)定，本公開的實(shí)施例對此不做具體限定。例如，圖8是圖7所示的驅(qū)動(dòng)方法的示例性時(shí)序圖，實(shí)施例二的圖6示出的第一晶體管t1、位于第一行至第n行的第三晶體管t3、位于第一行至第n行的第五晶體管t5以及第一控制晶體管ct1-第四控制晶體管ct4的控制端分別用g1、g31-g3n、g51-g5n以及cg1-cg4表示。例如，為了清楚起見，光感讀取階段r的時(shí)間長度與顯示階段el的時(shí)間長度相等，但本公開的實(shí)施例不限于此。例如，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求，光感讀取階段r的時(shí)間長度可以等于顯示階段el的時(shí)間長度的二分之一或者少至十分之一。

例如，下面結(jié)合圖7和圖8對顯示階段el進(jìn)行詳細(xì)說明。例如，如圖8所示，在顯示階段el，第一控制晶體管ct1的控制端cg1接收到低電平信號、第二控制晶體管ct2的控制端cg2接收到高電平信號，因此，第一控制晶體管ct1導(dǎo)通，第二控制晶體管ct2截止，由此數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路可以經(jīng)由導(dǎo)通的第一控制晶體管ct1和像素電路的信號線向像素電路的發(fā)光控制電路輸入顯示數(shù)據(jù)信號；與此同時(shí)，位于第一行至第n行的第五晶體管t5的控制端g51-g5n逐行接收低電平信號，由此顯示面板的像素單元可以逐行發(fā)光。例如，在顯示階段el，位于第一行至第n行的第三晶體管t3的控制端g31-g3n均接收到高電平信號，由此第三晶體管t3處于截止?fàn)顟B(tài)。

例如，在顯示階段el的過程中，對于觸控探測電路可以包括復(fù)位階段re和感測階段se，該顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法還可以包括：

步驟s310：在復(fù)位階段re，向像素電路的觸控探測電路的輸入端寫入第一電壓；

步驟s320：在感測階段se，向像素電路的觸控探測電路的輸入端寫入第二電壓，第二電壓小于第一電壓。

例如，在復(fù)位階段re，第三控制晶體管ct3的控制端cg3和第一晶體管t1的控制端g1接收到低電平信號、第四控制晶體管ct4的控制端cg4接收到高電平信號，因此，第三控制晶體管ct3和第一晶體管t1導(dǎo)通，第四控制晶體管ct4截止，由此可以向觸控探測電路的輸入端寫入第一電壓，且第一電壓經(jīng)由導(dǎo)通的第一晶體管t1寫入到像素電路中的第一節(jié)點(diǎn)，該寫入的第一電壓使得觸控探測電路中的第二晶體管t2處于截止?fàn)顟B(tài)。

例如，在感測階段se，第三控制晶體管ct3的控制端cg3和第一晶體管t1的控制端g1接收到高電平信號、第四控制晶體管ct4的控制端cg4接收到低電平信號。此時(shí)，第三控制晶體管ct3和第一晶體管t1截止，第四控制晶體管ct4導(dǎo)通，因此可以向觸控探測電路的輸入端寫入第二電壓。由于第二電壓小于第一電壓，第一晶體管t1的第一端與第二端之間存在壓差，因此第一晶體管t1的漏電流的強(qiáng)度隨入射到其上的光線強(qiáng)度的增加而增加，進(jìn)而第二晶體管t2的控制端的電壓隨入射到第一晶體管t1上的光線強(qiáng)度的增加而降低。

例如，復(fù)位階段re和感測階段se的設(shè)置方式可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)定，本公開的實(shí)施例對此不做具體限定。例如，如圖8所示，復(fù)位階段re和感測階段se可以與顯示階段el并行，復(fù)位階段re的起始時(shí)刻可以位于顯示階段el的起始時(shí)刻，感測階段se為顯示階段el的位于復(fù)位階段re之后的時(shí)間段，此時(shí)位于不同行的像素電路的感測階段se的開啟時(shí)間相同。又例如，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求，不同行的像素電路的復(fù)位階段re的起始時(shí)刻的時(shí)間以及感測階段se的起始時(shí)刻的時(shí)間還可以不同，例如，在顯示階段el，可以逐行開啟像素電路的觸控探測電路的復(fù)位階段re和感測階段se。

例如，下面結(jié)合圖7和圖8對光感讀取階段r進(jìn)行詳細(xì)說明。例如，如圖8所示，在光感讀取階段r，第一控制晶體管ct1的控制端cg1接收到高電平信號、第二控制晶體管ct2的控制端cg2接收到低電平信號，因此，第一控制晶體管ct1截止，第二控制晶體管ct2導(dǎo)通，由此觸控驅(qū)動(dòng)電路可以經(jīng)由像素電路的信號線和導(dǎo)通的第二控制晶體管ct2讀取像素電路的觸控探測電路的觸控電信號；與此同時(shí)，位于第一行至第n行的第三晶體管t3的控制端g31-g3n逐行接收低電平信號，因此觸控驅(qū)動(dòng)電路可以逐行讀取像素電路的觸控電信號，由此可以確定是否存在觸控動(dòng)作，以及存在觸控動(dòng)作的位置。

例如，如圖8所示，在光感讀取階段r，位于第一行至第n行的第五晶體管t5的控制端g51-g5n均接收高電平信號，因此，第五晶體管t5處于截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)顯示面板不發(fā)光。例如，第一晶體管t1的控制端g1和第三控制晶體管ct3的控制端cg3可以接收高電平信號，第四控制晶體管ct4的控制端cg4可以接收低電平信號，因此，第一晶體管t1和第三控制晶體管ct3截止，第四控制晶體管ct4導(dǎo)通，由此可以向觸控探測電路的輸入端寫入第二電壓。

例如，通過將感測階段se和光感讀取階段r分離，可以在觸控探測電路和發(fā)光控制電路共用信號線的情況下、依然可以將感測階段se設(shè)置在顯示階段el之中，因此可以在使得觸控電信號讀取階段的時(shí)間長度最小的情況下、保證觸控電信號的強(qiáng)度和信噪比，也即，本公開實(shí)施例三提供的驅(qū)動(dòng)方法可以在使用具有電路布局優(yōu)化的顯示面板的情況下保證或提升觸控電信號的信噪比。

實(shí)施例四

本實(shí)施例提供一種顯示面板300，例如，該顯示面板300的具體結(jié)構(gòu)和工藝流程可以應(yīng)用在實(shí)施例二提供的顯示面板10中。例如，如圖9所示，該顯示面板300包括陣列排布的發(fā)光區(qū)310和光感區(qū)320，下面結(jié)合圖9和圖10對該顯示面板300的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。

例如，發(fā)光區(qū)310和光感區(qū)320的排布方式、面積比例等可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)定，本公開的實(shí)施例對此不做具體限定。例如，如圖9所示，光感區(qū)320可以設(shè)置在行方向上相鄰的兩個(gè)發(fā)光區(qū)310之間，然而本公開的實(shí)施例不限于此。例如，光感區(qū)320還可以設(shè)置在列方向上相鄰的兩個(gè)發(fā)光區(qū)310之間，或者相鄰的四個(gè)發(fā)光區(qū)310之間。

例如，圖10是圖9所示的顯示面板300的一個(gè)像素單元的沿a-a’線的剖面示意圖。例如，圖10所示的顯示面板300的一個(gè)像素單元可以包括感光晶體管361(例如，實(shí)施例一中的第一晶體管)、驅(qū)動(dòng)晶體管362(例如，實(shí)施例一中的第四晶體管)和發(fā)光器件363(例如，實(shí)施例一中的發(fā)光元件)。例如，感光晶體管361位于光感區(qū)320，驅(qū)動(dòng)晶體管362和發(fā)光器件363位于發(fā)光區(qū)310。

例如，感光晶體管361為底柵型晶體管，并且可以包括順次設(shè)置的第一柵極金屬層343、第一柵絕緣層gi1、半導(dǎo)體層344、鈍化層pvx和源極/漏極金屬層347。例如，驅(qū)動(dòng)晶體管362為頂柵型晶體管，并且可以包括順次設(shè)置的半導(dǎo)體層344、第二柵絕緣層gi2、第二柵極金屬層346、鈍化層pvx和源極/漏極金屬層347。例如，感光晶體管361和驅(qū)動(dòng)晶體管362的半導(dǎo)體層344、鈍化層pvx和源極/漏極金屬層347可以同時(shí)形成，由此可以簡化包含觸控功能顯示面板300的工藝流程。例如，發(fā)光器件363可以包括順次設(shè)置的陽極層348、有機(jī)發(fā)光層350和陰極層351。例如，發(fā)光器件363與驅(qū)動(dòng)晶體管362之間可以設(shè)置平坦層pln，發(fā)光器件363的陽極可以通過平坦層pln中的過孔h2與驅(qū)動(dòng)晶體管362的源極或漏極電連接。

例如，圖10所示的顯示面板300的制備工藝可以包括以下步驟：

步驟s310：在襯底基板341上形成第一柵極金屬層343，并通過圖案化工藝(例如，光刻膠涂布、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝)形成感光晶體管361的柵極；

步驟s320：形成第一柵絕緣層gi1；

步驟s330：形成半導(dǎo)體層344(例如，沉積非晶硅層，并通過低溫晶化工藝，實(shí)現(xiàn)非晶硅的晶化)，并通過圖案化工藝形成感光晶體管361和驅(qū)動(dòng)晶體管362的有源層圖案；

步驟s340：形成第二柵絕緣層gi2；

步驟s350：形成第二柵極金屬層346，并通過圖案化工藝形成驅(qū)動(dòng)晶體管362的柵極；

步驟s360：形成鈍化層pvx，并通過圖案化工藝在鈍化層pvx和第二柵絕緣層gi2中形成過孔h1，以暴露感光晶體管361和驅(qū)動(dòng)晶體管362的部分有源層圖案；

步驟s370：對感光晶體管361和驅(qū)動(dòng)晶體管362暴露出的部分進(jìn)行n型摻雜工藝獲得n型摻雜區(qū)345；

步驟s380：形成源極/漏極金屬層347并通過圖案化工藝形成感光晶體管361和驅(qū)動(dòng)晶體管362的源極和漏極；

步驟s390：形成平坦化層，并通過圖案化工藝(例如，曝光、顯影工藝)在平坦層pln中形成過孔h2，以暴露驅(qū)動(dòng)晶體管362的源極或漏極的部分區(qū)域；

步驟s391：形成陽極層348，陽極層348可以通過平坦層pln中的過孔與驅(qū)動(dòng)晶體管362的源極或漏極電連接，例如，可以通過圖案化工藝，使得陽極層348僅存在發(fā)光區(qū)310，由此可以使得感光晶體管361能夠感測入射到其上的光線強(qiáng)度；

步驟s392：形成像素界定層349；

步驟s393：形成有機(jī)發(fā)光層350；

步驟s394：形成陰極層351(例如，使得該陰極層351透光)。

例如，在步驟s310之前，也即在襯底基板341上形成第一柵極金屬層343之前，還可以先在襯底基板341上形成緩沖層342，然后將第一柵極金屬層343形成在緩沖層342上。例如，本實(shí)施例提供的顯示面板300的各層級結(jié)構(gòu)的具體性質(zhì)和形成方法可以參見有機(jī)發(fā)光顯示器件的制造工藝，在此不再贅述。

例如，為了清楚起見，圖10所示的顯示面板300僅示出了感光晶體管361、驅(qū)動(dòng)晶體管362和發(fā)光器件363。例如，顯示面板300的開關(guān)晶體管(例如，實(shí)施例一中的第二晶體管、第三晶體管、第五晶體管以及第一控制晶體管至第四控制晶體管)的結(jié)構(gòu)和工藝流程可以與驅(qū)動(dòng)晶體管362相同或部分相同，具體制作過程在此不再贅述。例如，對于顯示面板300的其它必不可少的組成部分(例如，電容)均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對本發(fā)明的限制。

例如，本公開的實(shí)施例四可以利用一套背板流片工藝實(shí)現(xiàn)包含觸控功能的顯示面板，并且可以通過同時(shí)形成感光晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管以及開關(guān)晶體管的半導(dǎo)體層、鈍化層和源極/漏極金屬層，簡化了包含觸控功能顯示面板的工藝流程。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本公開進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本公開的精神和范圍。這樣，倘若本公開的這些修改和變型屬于本公開權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本公開也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。

以上所述僅是本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求確定。