本發(fā)明的一個方式涉及一種半導體裝置、顯示面板及電子設備。

另外，本發(fā)明的一個方式不限定于上述技術領域。本說明書等所公開的發(fā)明的技術領域涉及一種物體、方法或制造方法。另外，本發(fā)明的一個方式涉及一種工序(process)、機器(machine)、產(chǎn)品(manufacture)或組合物(composition of matter)。因此，更具體而言，作為本說明書所公開的本發(fā)明的一個方式的技術領域的例子可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、這些裝置的驅動方法或這些裝置的制造方法。

另外，在本說明書等中，半導體裝置是指通過利用半導體特性而能夠工作的元件、電路或裝置等。作為一個例子，晶體管和二極管等半導體元件是半導體裝置。此外，作為另外的例子，包含半導體元件的電路是半導體裝置。此外，作為另外的例子，具備包含半導體元件的電路的裝置是半導體裝置。

背景技術：

顯示裝置趨向多灰度化及高清晰化等高性能化。為了應對該高性能化，作為顯示裝置的驅動電路，尤其作為源極驅動器，采用了IC(Integrated Circuit：集成電路，以下還稱為驅動器IC)。

驅動器IC包括用于生成對像素供應的模擬信號的灰度電壓生成電路。該灰度電壓生成電路為根據(jù)數(shù)字信號生成模擬信號的所謂的D/A轉換電路。

考慮到高速響應速度的需求，D/A轉換電路采用使用串聯(lián)設置的電阻器的所謂的R-DAC(Resistor digital-to-analog converter，電阻數(shù)模轉換器)。當采用R-DAC時，隨著數(shù)字信號的位數(shù)的增加，開關的個數(shù)以指數(shù)函數(shù)的方式增加，因此驅動器IC的電路面積會增加。

因此，在專利文獻1至3中提出了分別轉換高位及低位的數(shù)字信號并將各自的模擬信號合成來獲得所希望的模擬信號的結構。

[專利文獻1]美國專利申請公開第2005/0140630號說明書

[專利文獻2]美國專利申請公開第2010/0156867號說明書

[專利文獻3]美國專利申請公開第2010/0141493號說明書

技術實現(xiàn)要素：

如上所述，用作灰度電壓生成電路的半導體裝置有多種結構。各結構都有長處和短處，根據(jù)情況選擇適當?shù)慕Y構。因此，如果能夠提出具有新穎結構的用作灰度電壓生成電路的半導體裝置，則可以提高選擇自由度。

因此，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種具有與現(xiàn)有的半導體裝置不同結構的用作灰度電壓生成電路的新穎的半導體裝置、電子構件、新穎的電子設備等。

如在專利文獻2中記載，在使用電流DAC的情況下，使用耐壓大的晶體管構成開關。當由于數(shù)字信號的位數(shù)的增加而帶來開關個數(shù)的增加時，導致電路面積的增加。另外，當由于數(shù)字信號的位數(shù)的增加而帶來開關個數(shù)的增加時，輸出部的寄生電容增加，導致響應速度的下降。

在專利文獻3的結構中，對在輸入級設置的差動電路供應電壓。在該結構中，所輸出的模擬信號受到晶體管的失調電壓的影響。如果該失調電壓改變輸出電壓而輸出電壓超過所希望的灰度電壓，有可能導致不能獲得所希望的灰度的顯示等顯示品質的降低。

于是，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種電路面積得到減少的結構新穎的半導體裝置等。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種顯示品質得到提高的結構新穎的半導體裝置等。

注意，本發(fā)明的一個方式的目的不局限于上述目的。上述列舉的目的并不妨礙其他目的的存在。另外，其他目的是上面沒有提到而將在下面的記載中進行說明的目的。本領域技術人員可以從說明書或附圖等的記載中導出并適當抽出上面沒有提到的目的。注意，本發(fā)明的一個方式實現(xiàn)上述目的及/或其他目的中的至少一個目的。

本發(fā)明的一個方式是一種具有將N位(N為2以上的自然數(shù))的數(shù)字信號轉換為模擬信號的功能的半導體裝置，該半導體裝置包括：數(shù)字模擬轉換電路；第一差動放大電路；第二差動放大電路；電流電壓轉換電路；以及切換電路，其中，數(shù)字模擬轉換電路具有根據(jù)高位的(N-M)位(M為小于N的自然數(shù))的數(shù)字信號生成第一電壓及第二電壓的功能，第一差動放大電路具有根據(jù)流過第一電流源的電流生成對應于第一電壓與第二電壓之差的第一電流的功能，第二差動放大電路具有根據(jù)流過第二電流源的電流生成對應于第一電壓與半導體裝置的輸出電壓之差的第二電流的功能，電流電壓轉換電路具有根據(jù)對應于第一電流與第二電流的總和的電流生成輸出電壓的功能，第一差動放大電路包括第一輸入端子及第二輸入端子，切換電路具有在第一狀態(tài)與第二狀態(tài)之間進行切換的功能，在第一狀態(tài)下將第一電壓供應到第一輸入端子并將第二電壓供應到第二輸入端子，在第二狀態(tài)下將第一電壓供應到第二輸入端子并將第二電壓供應到第一輸入端子，并且，切換電路具有根據(jù)M位數(shù)字信號在第一狀態(tài)與第二狀態(tài)之間進行切換的功能。

在本發(fā)明的一個方式中，優(yōu)選的是，數(shù)字模擬轉換電路包括串聯(lián)連接的電阻器以及被供應(N-M)位數(shù)字信號的傳輸晶體管邏輯。

在本發(fā)明的一個方式中，優(yōu)選的是，第一差動放大電路及第二差動放大電路為跨導放大器。

在本發(fā)明的一個方式中，優(yōu)選的是，第一電流源包括串聯(lián)連接的電阻器以及被供應M位數(shù)字信號的傳輸晶體管邏輯，并且根據(jù)由傳輸晶體管邏輯選擇的電壓值生成電流。

注意，本發(fā)明的其他方式記載于下面所述的實施方式中的說明及附圖中。

本發(fā)明的一個方式可以提供一種新穎的半導體裝置及新穎的電子設備等。

另外，本發(fā)明的一個方式能夠提供一種電路面積得到減少的結構新穎的半導體裝置等。另外，本發(fā)明的一個方式能夠提供一種顯示品質得到提高的結構新穎的半導體裝置等。

注意，本發(fā)明的一個方式的效果不局限于上述列舉的效果。上述列舉的效果并不妨礙其他效果的存在。其他效果是下面記載的在本節(jié)中未說明的效果。本領域技術人員可以從說明書或附圖等的記載導出并適當?shù)爻槌鲈撛诒竟?jié)中未說明的效果。注意，本發(fā)明的一個方式至少具有上述列舉的效果及/或其他效果中的一個效果。因此，本發(fā)明的一個方式有時不具有上述列舉的效果。

附圖說明

圖1為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖2為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖3為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖4A和圖4B為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖5為說明本發(fā)明的一個方式的圖；

圖6為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖7為說明本發(fā)明的一個方式的圖；

圖8為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖9為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖10為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖11為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖12為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖13為說明本發(fā)明的一個方式的框圖；

圖14A和圖14B為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖15為說明本發(fā)明的一個方式的截面示意圖；

圖16A和圖16B示出本發(fā)明的一個方式的顯示面板；

圖17示出本發(fā)明的一個方式的顯示模塊；

圖18A至圖18E示出本發(fā)明的一個方式的電子設備；

圖19為說明本發(fā)明的一個方式的電路圖；

圖20A、圖20B1及圖20B2示出實施方式的顯示面板的結構；

圖21A至圖21C示出實施方式的顯示面板的結構；

圖22為說明實施方式的像素電路的電路圖；

圖23A、圖23B1及圖23B2示出實施方式的顯示面板的結構。

符號說明

IN1 端子

IN2 端子

VB3 偏置電壓

VB5 偏置電壓

VB8 偏置電壓

10 半導體裝置

10A 半導體裝置

11 D/A轉換電路

11a 電壓生成電路

11b 傳輸晶體管邏輯

11c 傳輸晶體管邏輯

11d 電阻器

11e 晶體管

11f 晶體管

11g 晶體管

11h 晶體管

13 電路

14 差動放大電路

15 跨導放大器

16A 晶體管

16B 晶體管

17 電流源

17A 晶體管

18 差動放大電路

19 跨導放大器

20A 晶體管

20B 晶體管

21 電流源

21A 晶體管

21B 晶體管

22 晶體管

23 電流電壓轉換電路

41 晶體管

43 晶體管

45 電壓生成電路

47 傳輸晶體管邏輯

49 電阻器

51 晶體管

53 晶體管

55 差動放大電路

57 電流鏡電路

59 電流鏡電路

100 半導體裝置

100A 半導體裝置

200 源極驅動器

201 柵極驅動器

202 顯示部

203 像素

203A 像素

203B 像素

211 數(shù)字電路部

231 晶體管

212 D/A轉換器

232 電容元件

233 液晶元件

213 輸出電路部

221 晶體管

222 晶體管

223 EL元件

500 襯底

501 溝道形成區(qū)

502 低濃度雜質區(qū)

503 高濃度雜質區(qū)

504a 柵極絕緣膜

504b 柵極絕緣膜

505a 柵電極層

505b 柵電極層

506a 源電極層

506b 漏電極層

506c 源電極層

506d 漏電極層

507 金屬間化合物區(qū)域

508a 側壁絕緣膜

508b 側壁絕緣膜

509 元件分離絕緣膜

510 晶體管

511 溝道形成區(qū)

512 低濃度雜質區(qū)

513 高濃度雜質區(qū)

517 金屬間化合物區(qū)域

520 晶體管

521 層間絕緣膜

522 層間絕緣膜

523 布線

711 顯示部

712 源極驅動器

712A 柵極驅動器

712B 柵極驅動器

713 襯底

714 源極驅動器IC

715 FPC

716 外部電路襯底

901 外殼

902 外殼

903a 顯示部

903b 顯示部

904 選擇按鈕

905 鍵盤

910 電子書閱讀器終端

911 外殼

912 外殼

913 顯示部

914 顯示部

915 軸部

916 電源開關

917 操作鍵

918 揚聲器

920 電視裝置

921 外殼

922 顯示部

923 支架

924 遙控操作機

930 主體

931 顯示部

932 揚聲器

933 麥克風

934 操作按鈕

941 主體

942 顯示部

943 操作開關

8000 顯示模塊

8001 上蓋

8002 下蓋

8003 FPC

8004 觸摸面板

8005 FPC

8006 顯示面板

8007 背光單元

8008 光源

8009 框架

8010 印刷電路板

8011 電池

AF1 取向膜

AF2 取向膜

C1 電容元件

C2 電容元件

CF1 著色膜

G1 掃描線

G2 掃描線

KB1 結構體

S1 信號線

S2 信號線

SW1 開關

SW2 開關

ANO 布線

CSCOM 布線

VCOM1 布線

VCOM2 布線

601C 絕緣膜

604 導電膜

605 接合層

606 絕緣膜

608 半導體膜

611B 導電膜

611C 導電膜

612A 導電膜

612B 導電膜

616 絕緣膜

618 絕緣膜

619B 端子

619C 端子

620 功能層

621 絕緣膜

622 連接部

624 導電膜

628 絕緣膜

630 像素電路

650 顯示元件

651 電極

652 電極

653 包含發(fā)光性有機化合物的層

670 襯底

671 電極

691A 開口

691B 開口

691C 開口

700 顯示面板

702 像素

705 密封劑

750 顯示元件

751 電極

751H 開口

752 電極

753 包含液晶材料的層

770 襯底

770P 功能膜

771 絕緣膜

具體實施方式

下面，參照附圖對實施方式進行說明。注意，實施方式可以以多個不同方式來實施，本領域技術人員可以很容易地理解到，其方式和詳細內(nèi)容可以在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下被變更為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內(nèi)容中。

注意，在本說明書等中，“第一”、“第二”、“第三”等序數(shù)詞是為了避免構成要素的混淆而附加的。因此，該序數(shù)詞不限制構成要素的個數(shù)。此外，該序數(shù)詞不限制構成要素的順序。另外，例如，在本說明書等中，一個實施方式中的“第一”所指的構成要素有可能在其他實施方式或權利要求書的范圍中被設為“第二”所指的構成要素。此外，例如，在本說明書等中，一個實施方式中的“第一”所指的構成要素有可能在其他實施方式或權利要求書的范圍中被省略。

注意，在附圖中，有時使用同一附圖標記表示同一構成要素、具有相同功能的構成要素、由同一材料構成的構成要素或者同時形成的構成要素等，并且有時省略重復的說明。

實施方式1

在本實施方式中，對具有作為灰度電壓生成電路的功能的半導體裝置的一個例子進行說明。

在本說明書等中，半導體裝置是指能夠通過利用半導體特性而工作的所有裝置。因此，包括晶體管等半導體元件的驅動器IC或包括驅動器IC的顯示裝置等是半導體裝置。

<半導體裝置的結構>

圖1為用于說明半導體裝置10的示出電路結構的一個例子的電路圖。

半導體裝置10包括數(shù)字模擬轉換電路(以下，D/A轉換電路)11、差動放大電路14、電流源17、差動放大電路18、電流源21、切換電路13及電流電壓轉換電路23。

D/A轉換電路11為在N位(N為2以上的自然數(shù))的數(shù)字信號輸入到半導體裝置10時將高位的(N-M)位(M為小于N的自然數(shù))的數(shù)字信號轉換為模擬信號的電路。D/A轉換電路11作為模擬信號輸出電壓V_HI及電壓V_LO。有時將D/A轉換電路11簡單地稱為電路。

電壓V_HI及電壓V_LO為根據(jù)高位的數(shù)字信號而決定的電壓。從半導體裝置10輸出的輸出電壓V_O通過使用在D/A轉換電路11中決定的電壓V_HI及電壓V_LO來生成。

差動放大電路14包括晶體管16A及晶體管16B。差動放大電路14可以根據(jù)流過電流源17的電流I_{B_LB}及施加到晶體管16A和晶體管16B的柵極的電壓之差而改變流過差動放大電路14與電流電壓轉換電路23之間的電流量。有時將差動放大電路14簡單地稱為電路。

差動放大電路18包括晶體管20A及晶體管20B。差動放大電路18可以根據(jù)流過電流源21的電流I_B及施加到晶體管20A和晶體管20B的柵極的電壓之差而改變流過差動放大電路18與電流電壓轉換電路23之間的電流量。有時將差動放大電路18簡單地稱為電路。在此，對晶體管16A、晶體管16B、晶體管20A及晶體管20B為n溝道晶體管的情況進行說明，但是如圖19所示那樣這些晶體管也可以是p溝道晶體管。

電流I_{B_LB}在N位數(shù)字信號輸入到半導體裝置10時是與低位的M位數(shù)字信號對應的電流。因此，在電流電壓轉換電路23中，對應于N位數(shù)字信號的電流根據(jù)對應于高位的(N-M)位數(shù)字信號的大小的電壓V_HI和電壓V_LO以及對應于低位的M位數(shù)字信號的電流I_{B_LB}而流動。

電流電壓轉換電路23輸出對應于流過差動放大電路14及差動放大電路18的電流的電壓。該電壓為輸出電壓V_O。有時將電流電壓轉換電路23簡單地稱為電路。

切換電路13包括多個開關。切換電路13中的開關將電壓V_HI及電壓V_LO的輸入對象在相當于晶體管16A的柵極的端子IN1與相當于晶體管16B的柵極的端子IN2之間切換。根據(jù)數(shù)字信號的低位中的最高有效位及其反轉位(DEC(MSB)、DECB(MSB))而進行基于開關的切換。

由于晶體管16A及晶體管16B或者晶體管20A及晶體管20B的晶體管特性，將失調電壓加到輸入電壓。該失調電壓導致差動放大電路14及差動放大電路18的輸出電流的偏差。該電流偏差導致輸出電壓V_O的偏差。由于輸出電壓V_O為顯示裝置的灰度電壓，因此從差動放大電路14及差動放大電路18輸出的電流的偏差有可能導致不能獲得所希望的灰度電壓等顯示品質的下降。

在本發(fā)明的一個方式中，以消除起因于失調電壓的從差動放大電路14輸出的電流的偏差的方式使切換電路13進行工作。另外，以不使起因于失調電壓的從差動放大電路18輸出的電流的偏差影響到輸出電壓V_O的方式使切換電路13進行工作。

切換電路13對連接進行切換，以將電壓V_HI和電壓V_LO中的一個輸入到端子IN1，將電壓V_HI和電壓V_LO中的另一個輸入到端子IN2。切換電路13根據(jù)低位中的最高有效位而對連接進行切換。具體而言，在低位中的最高有效位為“1”的情況下，即，在低位中的最高有效位的反轉位為“0”的情況下，將電壓V_HI輸入到端子IN1，將電壓V_LO輸入到端子IN2。另外，在低位中的最高有效位為“0”的情況下，即，在低位中的最高有效位的反轉位為“1”的情況下，將電壓V_HI輸入到端子IN2，將電壓V_LO輸入到端子IN1。

通過采用這種結構，可以實現(xiàn)輸出電壓V_O不容易受到起因于失調電壓的從差動放大電路14輸出的電流的偏差的影響的結構。在上述結構中，切換電路13根據(jù)低位中的最高有效位的數(shù)據(jù)切換其連接，因此由低位表示的電壓的最大值及最小值都通過包括失調電壓的值而得到。因此，能夠實現(xiàn)合并了由低位表示的電壓的輸出電壓V_O不容易受到失調電壓的影響的結構。

因此，在本發(fā)明的一個方式中，能夠實現(xiàn)不容易受到差動放大電路14及差動放大電路18的失調電壓的影響的結構。因此，可以抑制輸出電壓V_O的偏差所引起的灰度電壓的重疊或跳變。其結果是，可以提高顯示品質。

另外，在上述結構中，在D/A轉換電路11中生成對應于數(shù)字信號的高位的電壓。另外，將對應于數(shù)字信號的低位的電壓供應到電流源17。如此，在分開生成高位的電壓和低位的電壓之后，將低位的電壓轉換為電流，在電流電壓轉換電路23中將各電流合成，由此可以生成所希望的電壓。

在D/A轉換電路11中生成的電壓及對電流源17供應的電壓分別使用串聯(lián)設置的多個電阻器及傳輸晶體管邏輯來生成。在上述結構中，分開轉換高位的電壓及低位的電壓，因此可以減少電阻器的個數(shù)。此外，通過采用R-DAC來轉換高位的電壓及低位的電壓，可以縮短建立時間，并可以進行響應速度快的轉換。

另外，如果想要利用R-DAC將位數(shù)較大的數(shù)字信號轉換為模擬信號，則由于使用較多電阻器，所以需要提高電源電壓。在此情況下，為了將傳輸晶體管邏輯的各晶體管用作開關，需要提高所施加的電壓。在此情況下，需要在傳輸晶體管邏輯中使用耐壓高的晶體管。另一方面，在本發(fā)明的一個方式中，如上所述，可以減少電阻器的個數(shù)。因此，可以降低電源電壓。因此，即使所施加的電壓不高，也可以將傳輸晶體管邏輯的各晶體管用作開關。在此情況下，不需要提高用于傳輸晶體管邏輯的晶體管的耐壓，所以可以減小晶體管的尺寸。因此，可以抑制寄生電容的增加，并可以實現(xiàn)電路面積的小面積化及響應速度的提高。

在圖1的結構中，為了說明工作原理，使用差動放大電路14及差動放大電路18進行了說明，但是差動放大電路也可以為跨導放大器。圖2示出該結構。

圖2所示的半導體裝置10A包括D/A轉換電路11、跨導放大器15、電流源17、跨導放大器19、電流源21、切換電路13及電流電壓轉換電路23。

有時將跨導放大器15表示為第一Gm放大器或Gm1。有時將跨導放大器19表示為第二Gm放大器或Gm2。

跨導放大器具有輸出與兩個輸入電壓之差成比例的電流的功能。例如，在圖2中，將跨導放大器15根據(jù)端子IN1與端子IN2之間的電壓之差輸出的電流表示為電流I_1N及電流I_1P。另外，在圖2中，將供應到跨導放大器15、19的電壓表示為電壓V_DDA。電壓V_DDA為為了使跨導放大器15、19輸出電流而供應的電壓。

在以下說明中，使用圖2的結構進行說明。

<半導體裝置的工作>

接著，說明圖2所示的半導體裝置10A的工作的具體例子，來對本發(fā)明的一個方式的效果進行說明。

圖3所示的電路圖示出圖2中的M為4、即低位為4位的情況。在圖3中，低位中的最高有效位由數(shù)據(jù)DEC[3]表示。其反轉位由數(shù)據(jù)DECB[3]表示。在圖3的例子中，示出在各跨導放大器中不存在失調電壓的情況。

如上所述，切換電路13在低位中的最高有效位為“1”(數(shù)據(jù)DEC[3]＝1)的情況下，即，在低位中的最高有效位的反轉位為“0”(數(shù)據(jù)DECB[3]＝0)的情況下，將電壓V_HI輸入端子IN1，將電壓V_LO輸入端子IN2。圖4A示出在該情況下的利用切換電路13實現(xiàn)的連接狀態(tài)。

另外，切換電路13在低位中的最高有效位為“0”(數(shù)據(jù)DEC[3]＝0)的情況下，即，在低位中的最高有效位的反轉位為“1”(數(shù)據(jù)DECB[3]＝1)的情況下，將電壓V_HI輸入端子IN2，將電壓V_LO輸入端子IN1。圖4B示出在該情況下的利用切換電路13實現(xiàn)的連接狀態(tài)。

通過采用這種結構，可以實現(xiàn)輸出電壓V_O不容易受到起因于失調電壓的從跨導放大器15輸出的電流的偏差的影響的結構。在上述結構中，切換電路13根據(jù)低位中的最高有效位的數(shù)據(jù)切換連接，因此由低位表示的電壓的最大值及最小值都通過包括失調電壓的值而得到。因此，能夠實現(xiàn)合并了由低位表示的電壓的輸出電壓V_O不容易受到失調電壓的影響的結構。

在決定流過跨導放大器15的電流I_{B_LB}的電流源17中，根據(jù)低位的4位，電流值改變。根據(jù)該電流值的變化調整從跨導放大器15輸出的電流I_1N及I_1P的值，可以調整合并了由低位表示的電壓的輸出電壓V_O。

接著，圖5示出用來通過電流源17可取到的電流I_{B_LB}的變化而表示灰度的電壓的分布的示意圖。如圖5所示，以根據(jù)高位決定的電壓V_LO為基準，根據(jù)低位中的最高有效位及其反轉位(DEC[3]、DECB[3])決定電流I_{B_LB}的增減，并且，根據(jù)與低位中的除最高有效位之外的3位對應的電流I_{B_LB}的大小，可以獲得4位(16個灰度)的多個電壓V_O。

利用低位的數(shù)據(jù)獲得的16值的電壓范圍可以通過比根據(jù)高位決定的電壓V_HI與電壓V_LO的電壓之差(V_HI-V_LO)小的(V_HI-V_LO)×(2^M-1/2^M)獲得，即當M為4時，可以通過(V_HI-V_LO)×(15/16)獲得該16值的電壓范圍。因此，能夠消除在高位改變一個階段的情況下獲得的輸出電壓V_O的重疊。因此，可以抑制輸出電壓V_O的偏差所引起的灰度電壓的重疊或跳變。其結果是，可以提高顯示品質。

圖6所示的電路圖示出在圖3的電路圖中各跨導放大器中存在失調電壓時的情況。圖6示出跨導放大器15的端子IN1中存在失調電壓ΔV_TH1的情況。另外，圖6示出被輸入跨導放大器19的電壓V_LO的端子中存在失調電壓ΔV_TH2的情況。

可以以通過切換電路13的切換而消除跨導放大器15的失調電壓ΔV_TH1的方式進行工作。

換言之，跨導放大器15的輸出電流I_1N在低位中的最高有效位為“1”(數(shù)據(jù)DEC[3]＝1)且低位中的最高有效位的反轉位為“0”(數(shù)據(jù)DECB[3]＝0)的情況下，即，在電壓V_HI連接到端子IN1的情況下，如圖7所示那樣，可以以I_1N＝Gm1×(V_HI－V_LO+ΔV_TH1)的方式進行工作。在此，Gm1表示跨導放大器15的放大率。

同樣地，跨導放大器15的輸出電流I_1N在低位中的最高有效位為“0”(數(shù)據(jù)DEC[3]＝0)且低位中的最高有效位的反轉位為“1”(數(shù)據(jù)DECB[3]＝1)的情況下，即，在電壓V_LO連接到端子IN1的情況下，如圖7所示那樣，可以以I_1N＝Gm1×(V_LO－V_HI+ΔV_TH1)的方式進行工作。

影響到輸出電壓V_O的偏差的由低位表示的電壓取決于I_1N的最大值與最小值之差。換言之，由通過切換電路13的切換而獲得的兩個I_1N(Gm1×(V_HI－V_LO+ΔV_TH1)與Gm1×(V_LO－V_HI+ΔV_TH1))之差決定。合并了由兩個I_1N之差決定的由低位表示的電壓的輸出電壓V_O可以以不包含失調電壓ΔV_TH1的形式獲得。因此，通過利用切換電路13的切換來切換I_1N，可以減少失調電壓ΔV_TH1的偏差的影響。

電壓V_O以根據(jù)高位決定的電壓V_LO為基準來決定。失調電壓ΔV_TH2同樣地施加到電壓V_O，但是低位的精度不容易受到跨導放大器19的失調電壓ΔV_TH2的偏差的影響。

如上所述，在本發(fā)明的一個方式的結構中，可以以輸出電壓V_O不容易受到跨導放大器15、19中的失調電壓的影響的方式進行工作。因此，輸出電壓V_O不受到失調電壓的影響，可以抑制灰度電壓的重疊或跳變，所以可以提高顯示品質。

接著，對構成半導體裝置10A的各電路進行說明。

<D/A轉換電路11>

圖8所示的D/A轉換電路11包括電壓生成電路11a、PTL(傳輸晶體管邏輯)11b及PTL11c。

電壓生成電路11a包括多個電阻器11d。電壓生成電路11a被供應電壓V_REFH1、V_REFL1(V_REFH1>V_REFL1)并生成多個電壓VR[0]至VR[2^N-M]。

PTL11b包括多個p溝道晶體管11e及多個n溝道晶體管11f。PTL11c包括多個p溝道晶體管11g及多個n溝道晶體管11h。電壓VR[0]至VR[2^N-M]中的電壓VR[2^N-M/2]至VR[2^N-M-1]被輸入到晶體管11e，電壓VR[0]至VR[(2^N-M/2)-1]被輸入到晶體管11f，電壓VR[(2^N-M/2)+1]至VR[2^N-M]被輸入到晶體管11g，電壓VR[1]至VR[2^N-M/2]被輸入到晶體管11h。

晶體管11e至晶體管11h為傳輸晶體管，具有作為開關的功能。這些開關根據(jù)高位信號切換開閉。PTL11b及PTL11c具有根據(jù)開關的切換從電壓VR[0]至VR[2^N-M-1]中選擇指定的電壓并將其輸出的功能。PTL11b具有輸出電壓V_LO的功能，PTL11c具有輸出電壓V_HI的功能。電壓V_HI、V_LO為對應于高位信號的模擬值的電壓。如上所述，電壓V_HI、V_LO在后級的電路中被轉換為對應于低位信號的電壓。

D/A轉換電路11為使用串聯(lián)設置的電阻器的R-DAC。R-DAC能夠高速地進行D/A轉換，但是存在如果數(shù)字信號的位數(shù)增加則電路的占有面積增加這樣的問題。在本發(fā)明的一個方式的半導體裝置10中，僅將數(shù)字信號中的高位信號用于R-DAC，所以可以減少電路的占有面積。

<跨導放大器15及電流源17>

在圖9所示的跨導放大器15中，電壓V_HI和V_LO中的一個被輸入到輸入到端子IN1，電壓V_HI和V_LO中的另一個被輸入到端子IN2。圖9所示的跨導放大器15根據(jù)流過晶體管17A及17B的電流I_{B_LB}輸出電流I_1N、I_1P。晶體管17A及17B相當于圖2所示的電流源17。

圖9所示的跨導放大器15包括差動放大電路的電路結構。跨導放大器15包括p溝道晶體管41及n溝道晶體管43。晶體管41及晶體管43通過電壓VB1、VB2使電流I_1N、I_1P流動，通過電壓V_HI與V_LO之差使從電流I_1N、I_1P減去電流ΔI_1N、ΔI_1P而得到的電流或對電流I_1N、I_1P加上電流ΔI_1N、ΔI_1P的電流流過跨導放大器15與電流電壓轉換電路23之間。

電流I_1N+ΔI_1N、I_1N－ΔI_1N、I_1P+ΔI_1P及I_1P－ΔI_1P為對應于電壓V_HI、V_LO及電流I_{B_LB}的電流。該電流I_1N+ΔI_1N、I_1N－ΔI_1N、I_1P+ΔI_1P及I_1P－ΔI_1P在后級的電路中被轉換為對應于數(shù)字信號的電壓。

電壓VB1、VB2為對應于低位的數(shù)字信號的電壓。電壓VB1、VB2可以利用被供應低位的數(shù)字信號的D/A轉換電路及偏置電壓生成電路生成。

圖10示出用來生成電壓VB1、VB2的D/A轉換電路的一個例子。圖10所示的D/A轉換電路包括電壓生成電路45及PTL(傳輸晶體管邏輯)47。

電壓生成電路45包括多個電阻器49。電壓生成電路45被供應電壓V_REFH2、V_REFL2(V_REFH1>V_REFH2、V_REFH2>V_REFL2)并生成多個電壓。

PTL47包括多個p溝道晶體管51及多個n溝道晶體管53。晶體管51及晶體管53為傳輸晶體管，具有作為開關的功能。這些開關根據(jù)低位的數(shù)字信號DEC[1]至[M]及作為其反轉信號的數(shù)字信號DECB[1]至[M]而切換開閉。PTL47具有根據(jù)開關的切換從在電壓生成電路45中生成的多個電壓中選擇指定的電壓并將其輸出的功能。從PTL47輸出的電壓V_{LB_HI}、V_{LB_LO}為生成用來使與低位的數(shù)字信號對應的電流I_1N、I_1P流動的電壓VB1、VB2的電壓。

圖11示出用來生成電壓VB1、VB2的偏置電壓生成電路的一個例子。圖11所示的偏置電壓生成電路包括差動放大電路55、電流鏡電路57及電流鏡電路59。差動放大電路55根據(jù)電壓V_{LB_HI}、V_{LB_LO}生成電流。電流鏡電路57及電流鏡電路59進行工作以使所生成的電流流動，由此可以生成電壓VB1、VB2。電壓VB1、VB2被供應到晶體管17A、17B，可以使對應于電壓V_{LB_HI}、V_{LB_LO}、即低位的數(shù)字信號的電流I_{B_LB}流動。

<跨導放大器19、電流源21及電流電壓轉換電路23>

在圖12所示的跨導放大器19中，電壓V_O、V_LO被輸入到輸入端子。跨導放大器19在將偏置電壓VB3、VB4供應到構成電流源21的晶體管21A及晶體管21B的情況下使恒定電流I_B流動?？鐚Х糯笃?9根據(jù)電壓V_O與V_LO之差來改變跨導放大器19的輸出電流、即電流I_B/2+ΔI_1N及電流I_B/2－ΔI_1N。在圖12中，用箭頭表示流過電路之間的電流。

在電流電壓轉換電路23中，對構成電流電壓轉換電路23的晶體管22供應偏置電壓VB5至VB8而使恒定電流流動，根據(jù)電流I_B/2+I_1P及電流I_B/2+I_1N、即跨導放大器19的輸出電流而輸出電壓V_O。

在電流電壓轉換電路23中，改變通過將電流I_1P+ΔI_1P和電流I_B/2－ΔI_1P合成而獲得的電流I_B/2+I_1P及通過將電流I_1P－ΔI_1P和電流I_B/2+ΔI_1P合成而獲得的電流I_B/2+I_1P、以及通過將電流I_1N+ΔI_1N和電流I_B/2－ΔI_1N合成而獲得的電流I_B/2+I_1N及通過將電流I_1N－ΔI_1N和電流I_B/2+ΔI_1N合成而獲得的電流I_B/2+I_1N，可以生成與原來的數(shù)字信號對應的作為模擬電壓的灰度電壓，即電壓V_O。

<總結>

如上所述，在本實施方式的結構中，當在跨導放大器中生成對應于低位的灰度電壓的電流時，根據(jù)低位中的最高有效位的數(shù)字信號，對跨導放大器的兩個輸入端子切換地輸入對跨導放大器供應的電壓V_HI、V_LO。對從跨導放大器輸出的電流的最大值及最小值這兩者添加對應于失調電壓的變化量，所以可以抑制起因于失調電壓的灰度電壓的偏差。

實施方式2

在本實施方式中，說明包括上述實施方式中說明的被用作灰度電壓生成電路的半導體裝置的顯示裝置的電路框圖。圖13示出源極驅動器、柵極驅動器、顯示部的電路框圖。

圖13的電路框圖所示的顯示裝置包括源極驅動器200、柵極驅動器201及顯示部202。另外，圖13所示的顯示部202中配置有像素203。

源極驅動器200可以包括上述實施方式1中說明的半導體裝置。具體而言，源極驅動器200包括數(shù)字電路部211(在附圖中，表示為Digital Block)、D/A轉換器212(在附圖中，表示為DAC)及輸出電路部213(在附圖中，表示為Output Buffers)。

源極驅動器200具有將模擬信號輸出到源極線SL[1]至[n](n為2以上的自然數(shù))的功能。

數(shù)字電路部211包括移位寄存器等。例如，數(shù)字電路部211被輸入源極時鐘SCLK及源極起始脈沖SSP。移位寄存器生成采樣脈沖。

D/A轉換器212與上述實施方式1中說明的半導體裝置一樣。換言之，D/A轉換器212具有上述實施方式1的半導體裝置10或者10A的結構。通過采用該結構，可以實現(xiàn)電路的小面積化及顯示品質的提高。例如，數(shù)字信號DATA[1]至[N](在附圖中，表示為[1：N])被輸入到D/A轉換器212。數(shù)字信號DATA[1]至[N]被轉換為模擬信號。轉換后的模擬信號根據(jù)采樣脈沖輸出到輸出電路部213。

輸出電路部213包括緩沖器等。輸出電路部213具有對源極線SL[1]至[n]輸出放大了的模擬信號的功能。

作為一個例子，柵極驅動器201包括移位寄存器、緩沖器等。柵極驅動器201被輸入柵極起始脈沖及柵極時鐘等，并輸出脈沖信號。既可以與源極驅動器200同樣地對構成柵極驅動器201的電路進行IC化，構成柵極驅動器201的電路也可以使用與顯示部202的像素203所具有的晶體管相同的晶體管。

柵極驅動器201將掃描信號輸出到柵極線GL[1]至GL[m](m為2以上的自然數(shù))。注意，也可以設置多個柵極驅動器201，并通過該多個柵極驅動器201分別控制柵極線GL[1]至GL[m]。例如，也可以在顯示部202的左方及右方設置柵極驅動器201，并通過該多個柵極驅動器201分別逐行地控制柵極線GL[1]至GL[m]。

在顯示部202中，柵極線GL[1]至GL[m]及源極線SL[1]至SL[n]大致正交地設置。在柵極線與源極線的交叉部設置像素203。當進行彩色顯示時，在顯示部202中，依次設置對應于紅色、綠色及藍色(RGB)的各顏色的像素203。另外，作為RGB的像素的排列，可以適當?shù)厥褂脳l狀排列、馬賽克狀排列、三角形狀排列等。此外，不局限于RGB，也可以采用追加白色或黃色等其他顏色來進行彩色顯示的結構。

參照圖14A和圖14B的例子對像素203的結構實例進行說明。

圖14A中的像素203A是液晶顯示裝置所包括的像素的一個例子，并包括晶體管231、電容元件232及液晶元件233。

晶體管231具有作為控制液晶元件233與源極線SL之間的連接的開關元件的功能。晶體管231通過經(jīng)由柵極線GL從其柵極輸入的掃描信號來控制導通狀態(tài)。

電容元件232例如是通過層疊導電層來形成的元件。

液晶元件233例如是由公共電極、像素電極及液晶層構成的元件。通過形成在公共電極與像素電極之間的電場的作用，液晶層的液晶材料的取向變化。

圖14B的像素203B是EL顯示裝置所包括的像素的一個例子，并包括晶體管221、晶體管222及EL元件223。在圖14B中，除了柵極線GL及源極SL以外還示出電源線VL。電源線VL是用來將電流供應給EL元件223的布線。

晶體管221具有作為控制晶體管222的柵極與源極線SL之間的連接的開關元件的功能。晶體管221的開閉通過經(jīng)由柵極線GL從其柵極輸入的掃描信號來控制。

晶體管222具有根據(jù)施加到柵極的電壓來控制流過電源線VL與EL元件223之間的電流的功能。

EL元件223例如是由夾在電極之間的發(fā)光層構成的元件。EL元件223可以根據(jù)流過發(fā)光層的電流量來控制亮度。

在上面說明的電路框圖所示的顯示裝置包括上述實施方式中說明的半導體裝置10或者10A。因此，可以抑制起因于失調電壓的灰度電壓的偏差。

實施方式3

在本實施方式中，參照圖15說明本發(fā)明的一個方式的半導體裝置的截面結構的一個例子。

上述實施方式所示的半導體裝置包括數(shù)字模擬轉換電路11、差動放大電路14、電流源17、差動放大電路18、電流源21、切換電路13及電流電壓轉換電路23等，可以由使用硅等的晶體管形成。此外，硅可以使用多晶硅、微晶硅、非晶硅。另外，可以使用氧化物半導體等代替硅。

圖15示出本發(fā)明的一個方式的半導體裝置的截面示意圖。圖15所示的截面示意圖示出半導體裝置包括使用半導體材料(例如，硅)的n溝道晶體管及p溝道晶體管。

n溝道晶體管510包括：設置于包含半導體材料的襯底500的溝道形成區(qū)域501；夾著溝道形成區(qū)域501地設置的低濃度雜質區(qū)域502及高濃度雜質區(qū)域503(將這些雜質區(qū)域簡單地總稱為雜質區(qū)域)；與該雜質區(qū)域相接地設置的金屬間化合物區(qū)域507；設置在溝道形成區(qū)域501上的柵極絕緣膜504a；設置在柵極絕緣膜504a上的柵電極層505a；以及與金屬間化合物區(qū)域507相接地設置的源電極層506a及漏電極層506b。在柵電極層505a的側面設置有側壁絕緣膜508a。以覆蓋晶體管510的方式設置有層間絕緣膜521及層間絕緣膜522。源電極層506a及漏電極層506b與金屬間化合物區(qū)域507是通過形成在層間絕緣膜521及層間絕緣膜522中的開口而連接的。

p溝道晶體管520包括：設置在包含半導體材料的襯底500中的溝道形成區(qū)域511；夾著溝道形成區(qū)域511的低濃度雜質區(qū)域512及高濃度雜質區(qū)域513(將這些雜質區(qū)簡單地總稱為雜質區(qū)域)；與該雜質區(qū)域相接地設置的金屬間化合物區(qū)域517；設置在溝道形成區(qū)域511上的柵極絕緣膜504b；設置在柵極絕緣膜504b上的柵電極層505b；以及與金屬間化合物區(qū)域517相接地設置的源電極層506c及漏電極層506d。在柵電極層505b的側面設置有側壁絕緣膜508b。以覆蓋晶體管520的方式設置有層間絕緣膜521及層間絕緣膜522。源電極層506c及漏電極層506d與金屬間化合物區(qū)域517是通過形成在層間絕緣膜521及層間絕緣膜522中的開口而連接的。

在襯底500上以分別圍繞晶體管510及晶體管520的方式設置有元件分離絕緣膜509。

圖15示出晶體管510及晶體管520是在半導體襯底中形成溝道的晶體管的情況，但是也可以是在形成在絕緣表面上的非晶半導體膜或多晶半導體膜中形成溝道的晶體管。此外，如使用SOI襯底的情況那樣，也可以是在單晶半導體膜中形成溝道的晶體管。

通過作為半導體襯底使用單晶半導體襯底，可以使晶體管510及晶體管520高速工作。因此，優(yōu)選將構成上述實施方式所示的各電路的晶體管形成于單晶半導體襯底。

晶體管510通過布線523與晶體管520連接。此外，也可以采用在布線523上設置層間絕緣膜及電極層、并在其上還層疊設置晶體管的結構。

實施方式4

在本實施方式中，參照圖16A至圖18E，作為上述實施方式中說明的半導體裝置的應用例子而說明應用于顯示面板的例子、將該顯示面板應用于顯示模塊的例子、該顯示模塊的應用例子以及將該顯示模塊應用于電子設備的例子。

<安裝于顯示面板的例子>

參照圖16A和圖16B說明將半導體裝置安裝于顯示面板的安裝例子。

圖16A示出在顯示面板所包括的顯示部711的周圍設置有源極驅動器712及柵極驅動器712A、712B并在襯底713上安裝包括半導體裝置的源極驅動器IC714來作為源極驅動器712的例子。

使用各向異性導電粘合劑及各向異性導電薄膜將源極驅動器IC714安裝于襯底713上。

另外，源極驅動器IC714通過FPC715與外部電路襯底716連接。

此外，圖16B示出在顯示部711的周圍設置有源極驅動器712及柵極驅動器712A、712B并在FPC715上安裝源極驅動器IC714來作為源極驅動器712的例子。

通過將源極驅動器IC714安裝于FPC715上，可以在襯底713上設置較大的顯示部711，由此能夠實現(xiàn)窄邊框化。

<顯示模塊的應用例子>

接著，參照圖17說明使用圖16A和圖16B的顯示面板的顯示模塊的應用實例。

在圖17所示的顯示模塊8000中，在上蓋8001與下蓋8002之間設置有連接于FPC8003的觸摸面板8004、連接于FPC8005的顯示面板8006、背光單元8007、框架8009、印刷電路板8010和電池8011。注意，有時沒有設置背光單元8007、電池8011、觸摸面板8004等。

可以將圖16A和圖16B所說明的顯示面板用于圖17中的顯示面板8006。

上蓋8001和下蓋8002的形狀和尺寸可以根據(jù)觸摸面板8004和顯示面板8006的尺寸適當?shù)馗淖儭?/p>

觸摸面板8004可以為電阻膜式觸摸面板或靜電電容式觸摸面板，并且能夠被形成為與顯示面板8006重疊來使用?？梢允癸@示面板8006的對置襯底(密封襯底)具有觸摸面板功能?；蛘?，光傳感器可以被設置于顯示面板8006的每個像素內(nèi)，以制成光學式觸摸面板?；蛘?，觸摸傳感器用電極被設置于顯示面板8006的每個像素內(nèi)，以制成靜電電容式觸摸面板。此時，也可以省略觸摸面板8004。

背光單元8007包括光源8008?？梢詫⒐庠?008設置于背光單元8007的端部，并且可以使用光擴散板。

框架8009除了保護顯示面板8006的功能之外還具有阻擋由于印刷電路板8010的操作產(chǎn)生的電磁波的電磁屏蔽的功能?？蚣?009可以具有散熱板的功能。

印刷電路板8010包括電源電路以及用于輸出視頻信號和時鐘信號的信號處理電路。作為用于給電源電路供電的電源，可以使用外部商用電源或者使用另行設置的電池8011的電源。在使用商用電源時，可以省略電池8011。

顯示模塊8000可以另外設置有諸如偏振片、相位差板、棱鏡片等的構件。

<應用于電子設備的例子>

接著，說明作為如下電子設備的顯示面板而使用包括上述顯示模塊的顯示面板的情況，該電子設備是計算機、便攜式信息終端(包括移動電話、便攜式游戲機以及音頻再現(xiàn)裝置等)、電子紙、電視裝置(也稱為電視或電視接收機)以及數(shù)碼攝像機等。

圖18A示出便攜式信息終端，其包括外殼901、外殼902、第一顯示部903a和第二顯示部903b等。在外殼901和外殼902中的至少一部分中設置有包括前面的實施方式所示的半導體裝置的顯示模塊。因此，能夠實現(xiàn)電路面積得到縮小且顯示品質得到提高的便攜式信息終端。

另外，第一顯示部903a為具有觸摸輸入功能的面板，例如如圖18A的左圖所示，可以由顯示在第一顯示部903a的選擇按鈕904選擇進行“觸摸輸入”還是進行“鍵盤輸入”。由于可以以各種各樣的尺寸顯示選擇按鈕，所以各個年齡段的人都能容易使用。在此，例如在選擇“鍵盤輸入”的情況下，如圖18A的右圖所示，在第一顯示部903a中顯示鍵盤905。由此，與現(xiàn)有的信息終端同樣地，可以利用鍵盤迅速地進行文字輸入等。

另外，圖18A所示的便攜式信息終端如圖18A的右圖所示，可以將第一顯示部903a和第二顯示部903b中的一個卸下。通過作為第二顯示部903b采用具有觸摸輸入功能的面板，可以進一步減輕攜帶時的重量，并可以用一只手拿著外殼902而用另一只手進行操作，所以很方便。

圖18A所示的便攜式信息終端可具有：顯示各種信息(例如靜態(tài)圖像、動態(tài)圖像和文字圖像等)的功能；在顯示部上顯示日歷、日期、時間等的功能；操作或編輯顯示在顯示部上的信息的功能；利用各種軟件(程序)控制處理的功能等。另外，也可以在外殼的背面或側面設置外部連接端子(耳機端子、USB端子等)、記錄介質插入部等。

圖18A所示的便攜式信息終端可以采用以無線方式發(fā)送且接收信息的結構。還可以采用以無線方式從電子書籍服務器購買且下載所希望的書籍數(shù)據(jù)等的結構。

再者，也可以使圖18A所示的外殼902具有天線、麥克風功能或無線通信功能，來將其用作移動電話。

圖18B示出安裝有電子紙的電子書閱讀器910，該電子書閱讀器由外殼911及外殼912這兩個外殼構成。在外殼911及外殼912中分別設置有顯示部913及顯示部914。外殼911及外殼912由軸部915彼此連接，并且可以以該軸部915為軸而進行開閉動作。此外，外殼911包括電源開關916、操作鍵917以及揚聲器918等。在外殼911和外殼912中的至少一個中設置有包括前面的實施方式所示的半導體裝置的顯示模塊。因此，能夠實現(xiàn)電路面積得到縮小且顯示品質得到提高的電子書閱讀器。

圖18C示出電視裝置，其包括外殼921、顯示部922和支架923等。可以通過外殼921所具有的開關和遙控操作機924來進行電視裝置920的操作。在外殼921和遙控操作機924中安裝有包括前面的實施方式所示的半導體裝置的顯示模塊。因此，可以能夠實現(xiàn)電路面積得到縮小且顯示品質得到提高的電視裝置。

圖18D示出智能手機，其主體930中設置有顯示部931、揚聲器932、麥克風933和操作按鈕934等。包括前面的實施方式所示的半導體裝置的顯示模塊設置在主體930中。因此，可以能夠實現(xiàn)電路面積得到縮小且顯示品質得到提高的智能手機。

圖18E示出數(shù)碼相機，其包括主體941、顯示部942和操作開關943等。包括前面的實施方式所示的半導體裝置的顯示模塊設置在主體941中。因此，可以能夠實現(xiàn)電路面積得到縮小且顯示品質得到提高的數(shù)碼相機。

如上所述，在本實施方式所示的電子設備中搭載有包括根據(jù)前面的實施方式的半導體裝置的顯示模塊。因此，可以能夠實現(xiàn)電路面積得到縮小且顯示品質得到提高的電子設備。

實施方式5

在本實施方式中，參照圖20A、圖20B1及圖20B2至圖23A、圖23B1及圖23B2對可以應用本發(fā)明的一個方式的半導體裝置的顯示面板的結構進行說明。

圖20A、圖20B1及圖20B2是說明顯示面板700的結構的圖。圖20A是顯示面板700的仰視圖。圖20B1是說明圖20A的一部分的仰視圖。圖20B2是省略在圖20B1中示出的部分構成要素的仰視圖。

圖21A至圖21C是說明顯示面板700的結構的圖。圖21A是沿著圖20A的截斷線X1-X2、X3-X4、X5-X6、X7-X8、X9-X10、X11-X12的截面圖。圖21B是說明顯示面板的一部分的結構的截面圖。圖21C是說明顯示面板的其他一部分的結構的截面圖。

圖22是說明顯示面板700的結構的圖。圖22是可以用于顯示面板700所包括的像素電路的像素電路630(i，j)及像素電路630(i，j+1)的電路圖。

圖23A、圖23B1及圖23B2是說明顯示面板700的結構的圖。圖23A是說明可以用于顯示面板700的像素及布線等的配置的框圖。圖23B1及圖23B2是說明可以用于顯示面板700的開口751H的配置的示意圖。

<顯示面板的結構實例1>

顯示面板700包括信號線S1(j)以及像素702(i，j)(參照圖20B1及圖20B2)。

像素702(i，j)與信號線S1(j)電連接。

像素702(i，j)包括第一顯示元件750(i，j)、第一導電膜、第二導電膜、第二絕緣膜601C、像素電路630(i，j)以及第二顯示元件650(i，j)(參照圖21A及圖22)。

第一導電膜與第一顯示元件750(i，j)電連接(參照圖21A)。例如，可以將第一導電膜用于第一顯示元件750(i，j)的第一電極751(i，j)。

第二導電膜包括與第一導電膜重疊的區(qū)域。例如，可以將第二導電膜用于導電膜612B，該導電膜612B具有可用于開關SW1的晶體管的源電極或漏電極的功能。

第二絕緣膜601C包括被夾在第二導電膜和第一導電膜之間的區(qū)域。

像素電路630(i，j)與第二導電膜電連接。例如，像素電路630(i，j)的開關SW1可以使用將第二導電膜用于用作源電極或漏電極的導電膜612B的晶體管(參照圖21A及圖22)。

第二顯示元件650(i，j)與像素電路630(i，j)電連接。

第二絕緣膜601C包括開口691A(參照圖21A)。

第二導電膜通過開口691A與第一導電膜電連接。例如，導電膜612B與兼作第一導電膜的第一電極751(i，j)電連接。

像素電路630(i，j)與信號線S1(j)電連接(參照圖22)。導電膜612A與信號線S1(j)電連接(參照圖21A及圖22)。

第一電極751(i，j)包括埋入于第二絕緣膜601C的側端部。

顯示面板的像素電路630(i，j)包括開關SW1。開關SW1包括晶體管。晶體管包括氧化物半導體。

顯示面板的第二顯示元件650(i，j)具有在與第一顯示元件750(i，j)進行顯示的方向同一方向上進行顯示的功能。例如，在附圖中以虛線的箭頭表示第一顯示元件750(i，j)通過控制反射外部光線的強度進行顯示的方向。此外，在附圖中以實線的箭頭表示第二顯示元件650(i，j)進行顯示的方向(參照圖21A)。

此外，顯示面板的第二顯示元件650(i，j)具有在由第一顯示元件750(i，j)進行顯示的區(qū)域圍繞的區(qū)域中進行顯示的功能(參照圖23B1或圖23B2)。另外，第一顯示元件750(i，j)在與第一電極751(i，j)重疊的區(qū)域中進行顯示，而第二顯示元件650(i，j)在與開口751H重疊的區(qū)域中進行顯示。

顯示面板的第一顯示元件750(i，j)包括具有反射入射光的功能的反射膜，且具有控制反射光的強度的功能。而且，反射膜包括開口751H。例如，可以將第一導電膜或第一電極751(i，j)等用于第一顯示元件750(i，j)的反射膜。

第二顯示元件650(i，j)具有向開口751H發(fā)射光的功能。

顯示面板包括像素702(i，j)、一群像素702(i，1)至像素702(i，n)、另一群像素702(1，j)至像素702(m，j)以及掃描線G1(i)(參照圖23A)。另外，i是1以上且m以下的整數(shù)，j是1以上且n以下的整數(shù)，并且m及n是1以上的整數(shù)。

顯示面板包括掃描線G2(i)、布線CSCOM以及布線ANO。

一群像素702(i，1)至像素702(i，n)包括像素702(i，j)，并在行方向(附圖中的以箭頭R表示的方向)上配設。

此外，另一群像素702(1，j)至像素702(m，j)包括像素702(i，j)，并在與行方向交叉的列方向(附圖中的以箭頭C表示的方向)上配設。

掃描線G1(i)與在行方向上配設的一群像素702(i，1)至像素702(i，n)電連接。

在列方向上配設的另一群像素702(1，j)至像素702(m，j)與信號線S1(j)電連接。

例如，在行方向上與像素702(i，j)相鄰的像素702(i，j+1)包括開口，與像素702(i，j)中的開口751H的配置不同地在像素702(i，j+1)中配置該開口(參照圖23B1)。

例如，在列方向上與像素702(i，j)相鄰的像素702(i+1，j)包括開口，與像素702(i，j)中的開口751H的配置不同地在像素702(i+1，j)中配置的該開口(參照圖23B2)。另外，例如，可以將第一電極751(i，j)用于反射膜。

上述顯示面板包括：第一顯示元件；與第一顯示元件電連接的第一導電膜；包括與第一導電膜重疊的區(qū)域的第二導電膜；包括被夾在第二導電膜和第一導電膜之間的區(qū)域的絕緣膜；與第二導電膜電連接的像素電路；以及與像素電路電連接的第二顯示元件，其中第二絕緣膜包括開口，并且第二導電膜通過開口與第一導電膜電連接。

由此，例如可以使用能夠通過同一工序形成的像素電路來驅動第一顯示元件及以與第一顯示元件不同的方法進行顯示的第二顯示元件。其結果是，可以提供一種方便性或可靠性優(yōu)異的新穎的顯示面板。

此外，顯示面板包括端子619B以及導電膜611B(參照圖21A)。

第二絕緣膜601C包括被夾在端子619B和導電膜611B之間的區(qū)域。此外，第二絕緣膜601C包括開口691B。

端子619B通過開口691B與導電膜611B電連接。此外，導電膜611B與像素電路630(i，j)電連接。例如，當將第一電極751(i，j)或第一導電膜用于反射膜時，端子619B的用作切點的面與第一電極751(i，j)的朝向入射到第一顯示元件750(i，j)的光的面朝向相同的方向。

由此，可以通過端子將電力或信號供應到像素電路。其結果是，可以提供一種方便性或可靠性優(yōu)異的新穎的顯示面板。

顯示面板的第一顯示元件750(i，j)包括包含液晶材料的層753、第一電極751(i，j)以及第二電極752。另外，第二電極752以在與第一電極751(i，j)之間形成控制液晶材料的取向的電場的方式設置。

此外，顯示面板包括取向膜AF1及取向膜AF2。取向膜AF2以在與取向膜AF1之間夾有包含液晶材料的層753的方式設置。

此外，顯示面板的第二顯示元件650(i，j)包括第三電極651(i，j)、第四電極652以及包含發(fā)光性有機化合物的層653(j)。

第四電極652包括與第三電極651(i，j)重疊的區(qū)域。包含發(fā)光性有機化合物的層653(j)設置在第三電極651和第四電極652之間。而且，第三電極651(i，j)在連接部622中與像素電路630(i，j)電連接。

顯示面板的像素702(i，j)包括著色膜CF1、遮光膜BM、絕緣膜771以及功能膜770P。

著色膜CF1包括與第一顯示元件750(i，j)重疊的區(qū)域。遮光膜BM在與第一顯示元件750(i，j)重疊的區(qū)域包括開口。

絕緣膜771設置在著色膜CF1和包含液晶材料的層753之間或遮光膜BM和包含液晶材料的層753之間。由此，可以使因著色膜CF1的厚度產(chǎn)生的凹凸變平坦?；蛘?，可以抑制雜質從遮光膜BM或著色膜CF1等擴散到包含液晶材料的層753。

功能膜770P包括與第一顯示元件750(i，j)重疊的區(qū)域。功能膜770P以在與第一顯示元件750(i，j)之間夾有襯底770的方式設置。

顯示面板包括襯底670、襯底770以及功能層620。

襯底770包括與襯底670重疊的區(qū)域。功能層620設置在襯底670和襯底770之間。

功能層620包括像素電路630(i，j)、第二顯示元件650(i，j)、絕緣膜621以及絕緣膜628。此外，功能層620包括絕緣膜618以及絕緣膜616。

絕緣膜621設置在像素電路630(i，j)和第二顯示元件650(i，j)之間。

絕緣膜628設置在絕緣膜621和襯底670之間，并在與第二顯示元件650(i，j)重疊的區(qū)域包括開口。沿著第三電極651的外周形成的絕緣膜628可以防止第三電極651和第四電極652之間的短路。

絕緣膜618包括設置在絕緣膜621和像素電路630(i，j)之間的區(qū)域。絕緣膜616包括設置在絕緣膜618和像素電路630(i，j)之間的區(qū)域。

此外，顯示面板包括接合層605、密封劑705以及結構體KB1。

接合層605設置在功能層620和襯底670之間，并具有貼合功能層620和襯底670的功能。

密封劑705設置在功能層620和襯底770之間，并具有貼合功能層620和襯底770的功能。

結構體KB1具有在功能層620和襯底770之間提供指定的空隙的功能。

顯示面板包括端子619C、導電膜611C以及導電體CP。

第二絕緣膜601C包括被夾在端子619C和導電膜611C之間的區(qū)域。此外，第二絕緣膜601C還包括開口691C。

端子619C通過開口691C與導電膜611C電連接。此外，導電膜611C與像素電路630(i，j)電連接。

導電體CP被夾在端子619C和第二電極752之間，并使端子619C和第二電極752電連接。例如，可以將導電粒子用于導電體CP。

此外，顯示面板包括驅動電路GD以及驅動電路SD(參照圖20A及圖23A)。

驅動電路GD與掃描線G1(i)電連接。驅動電路GD例如包括晶體管MD。具體而言，可以將包括能夠通過與像素電路630(i，j)所包括的晶體管相同的工序形成的半導體膜的晶體管用于晶體管MD(參照圖21A及圖21C)。

驅動電路SD與信號線S1(j)電連接。例如，驅動電路SD使用導電材料電連接到能夠通過與端子619B或端子619C同一工序形成的端子。

下面說明顯示面板的各構成要素。注意，有時無法明確區(qū)分上述構成要素，一個構成要素可能兼作其他構成要素或包含其他構成要素的一部分。

例如，可以將第一導電膜用于第一電極751(i，j)。此外，還可以將第一導電膜用于反射膜。

可以將第二導電膜用于具有晶體管的源電極或漏電極的功能的導電膜612B。

《結構實例1》

顯示面板包括襯底670、襯底770、結構體KB1、密封劑705及接合層605。

顯示面板包括功能層620、絕緣膜621以及絕緣膜628。

顯示面板包括信號線S1(j)、信號線S2(j)、掃描線G1(i)、掃描線G2(i)、布線CSCOM以及布線ANO。

顯示面板包括第一導電膜或第二導電膜。

顯示面板包括端子619B、端子619C、導電膜611B或導電膜611C。

顯示面板包括像素電路630(i，j)以及開關SW1。

顯示面板包括第一顯示元件750(i，j)、第一電極751(i，j)、反射膜、開口751H、包含液晶材料的層753、第二電極752。

顯示面板包括取向膜AF1、取向膜AF2、著色膜CF1、遮光膜BM、絕緣膜771或功能膜770P。

顯示面板包括第二顯示元件650(i，j)、第三電極651(i，j)、第四電極652或包含發(fā)光性有機化合物的層653(j)。

顯示面板包括第二絕緣膜601C。

顯示面板包括驅動電路GD或驅動電路SD。

《襯底670》

可以將具有能夠承受制造工序中的熱處理的程度的耐熱性的材料用于襯底670等。具體而言，可以使用厚度為0.7mm的無堿玻璃。

例如，可以將第6代(1500mm×1850mm)、第7代(1870mm×2200mm)、第8代(2200mm×2400mm)、第9代(2400mm×2800mm)、第10代(2950mm×3400mm)等大面積的玻璃襯底用于襯底670等。由此，可以制造大型顯示裝置。

可以將有機材料、無機材料或有機材料和無機材料等的復合材料等用于襯底670等。例如，可以將玻璃、陶瓷、金屬等無機材料用于襯底670等。

具體而言，可以將無堿玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃、水晶玻璃、石英或藍寶石等用于襯底670等。具體而言，可以將無機氧化物膜、無機氮化物膜或無機氧氮化物膜等用于襯底670。例如，可以將氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化鋁膜等用于襯底670等?？梢詫US或鋁等用于襯底670等。

例如，可以將以硅或碳化硅為材料的單晶半導體襯底或多晶半導體襯底、以硅鍺等為材料的化合物半導體襯底、SOI襯底等用于襯底670等。由此，可以將半導體元件形成于襯底670等。

例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑料等有機材料用于襯底670等。具體而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板用于襯底670等。

例如，襯底670等可以使用將金屬板、薄板狀的玻璃板或無機材料等的膜貼合于樹脂薄膜等的復合材料。例如，襯底670等可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料等分散到樹脂薄膜而得到的復合材料。例如，襯底670等可以使用將纖維狀或粒子狀的樹脂或有機材料等分散到無機材料而得到的復合材料。

另外，可以將單層的材料或層疊有多個層的材料用于襯底670等。例如，也可以將層疊有基材與防止包含在基材中的雜質擴散的絕緣膜等的材料用于襯底670等。具體而言，可以將層疊有玻璃與防止包含在玻璃中的雜質擴散的選自氧化硅層、氮化硅層或氧氮化硅層等中的一種或多種膜的材料用于襯底670等?；蛘撸梢詫盈B有樹脂與防止穿過樹脂的雜質的擴散的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的材料用于襯底670等。

具體而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等樹脂薄膜、樹脂板或層疊體等用于襯底670等。

具體而言，可以將包含聚酯、聚烯烴、聚酰胺(尼龍、芳族聚酰胺等)、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚氨酯、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂或具有硅氧烷鍵的樹脂的材料用于襯底670等。

具體而言，可以將聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)或丙烯酸樹脂等用于襯底670等。

另外，可以將紙或木材等用于襯底670等。

例如，可以將柔性襯底用于襯底670等。

此外，可以采用在襯底上直接形成晶體管或電容元件等的方法。另外，可以使用如下方法：例如在對制造工序中的加熱具有耐性的工序用襯底上形成晶體管或電容元件等，并將所形成的晶體管或電容元件等轉置到襯底670等。由此，例如可以在柔性襯底上形成晶體管或電容元件等。

《襯底770》

例如，可以將具有透光性的材料用于襯底770。具體而言，襯底770可以使用選自可用于襯底670的材料的材料。具體而言，可以使用拋光至大約0.7mm厚或0.1mm厚的無堿玻璃。

《結構體KB1》

例如，可以將有機材料、無機材料或有機材料和無機材料的復合材料用于結構體KB1等。由此，可以在夾著結構體KB1等的構成要素之間設置指定的間隔。

具體而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚硅氧烷或丙烯酸樹脂等或選自上述樹脂中的多種樹脂的復合材料等用于結構體KB1等。另外，也可以使用具有感光性的材料來形成。

《密封劑705》

可以將無機材料、有機材料或無機材料和有機材料的復合材料等用于密封劑705等。

例如，可以將熱熔性樹脂或固化樹脂等有機材料用于密封劑705等。

例如，可以將反應固化型粘合劑、光固化型粘合劑、熱固化型粘合劑或/及厭氧型粘合劑等有機材料用于密封劑705等。

具體而言，可以將包含環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅酮樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等的粘合劑用于密封劑705等。

《接合層605》

例如，可以將能夠用于密封劑705的材料用于接合層605。

《絕緣膜621》

例如，可以將絕緣性無機材料、絕緣性有機材料或包含無機材料和有機材料的絕緣性復合材料用于絕緣膜621等。

具體而言，可以將無機氧化物膜、無機氮化物膜、無機氧氮化物膜等或層疊有選自這些材料中的多個材料的層疊材料用于絕緣膜621等。例如，可以將氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化鋁膜等或包含層疊有選自這些材料中的多個材料的層疊材料的膜用于絕緣膜621等。

具體而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚硅氧烷或丙烯酸樹脂等或選自上述樹脂中的多個樹脂的層疊材料或復合材料等用于絕緣膜621等。另外，也可以使用具有感光性的材料來形成。

由此，例如可以使起因于與絕緣膜621重疊的各構成要素的臺階平坦化。

《絕緣膜628》

例如，可以將能夠用于絕緣膜621的材料用于絕緣膜628等。具體而言，可以將厚度為1μm的包含聚酰亞胺的膜用于絕緣膜628。

《第二絕緣膜601C》

例如，可以將能夠用于絕緣膜621的材料用作第二絕緣膜601C。具體而言，可以將包含硅及氧的材料用于第二絕緣膜601C。由此，可以抑制雜質擴散到像素電路或第二顯示元件等。

例如，可以將包含硅、氧及氮的厚度為200nm的膜用作第二絕緣膜601C。

此外，第二絕緣膜601C包括開口691A、開口691B或開口691C。

《布線、端子、導電膜》

可以將具有導電性的材料用于布線等。具體而言，可以將具有導電性的材料用于信號線S1(j)、信號線S2(j)、掃描線G1(i)、掃描線G2(i)、布線CSCOM、布線ANO、端子619B、端子619C、導電膜611B或導電膜611C等。

例如，可以將無機導電性材料、有機導電性材料、金屬或導電性陶瓷等用于布線等。

具體而言，可以將選自鋁、金、鉑、銀、銅、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、鈀或錳的金屬元素等用于布線等?；蛘?，可以將含有上述金屬元素的合金等用于布線等。尤其是，銅和錳的合金適用于利用濕蝕刻法的微細加工。

具體而言，布線等可以采用如下結構：在鋁膜上層疊有鈦膜的雙層結構；在氮化鈦膜上層疊有鈦膜的雙層結構；在氮化鈦膜上層疊有鎢膜的雙層結構；在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊有鎢膜的雙層結構；依次層疊有鈦膜、鋁膜和鈦膜的三層結構等。

具體而言，可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物用于布線等。

具體而言，可以將含有石墨烯或石墨的膜用于布線等。

例如，可以形成含有氧化石墨烯的膜，然后通過使含有氧化石墨烯的膜還原來形成含有石墨烯的膜。作為還原方法，可以舉出利用加熱的方法以及利用還原劑的方法等。

具體而言，可以將導電高分子用于布線等。

《第一導電膜、第二導電膜》

例如，可以將能夠用于布線等的材料用于第一導電膜或第二導電膜。

此外，可以將第一電極751(i，j)或布線等用于第一導電膜。

此外，可以將能夠用于開關SW1的晶體管的導電膜612B或布線等用于第二導電膜。

《像素電路630(i，j)》

像素電路630(i，j)與信號線S1(j)、信號線S2(j)、掃描線G1(i)、掃描線G2(i)、布線CSCOM及布線ANO電連接(參照圖22)。

像素電路630(i，j+1)與信號線S1(j+1)、信號線S2(j+1)、掃描線G1(i)、掃描線G2(i)、布線CSCOM及布線ANO電連接。

在用于供應到信號線S2(j)的信號的電壓與用于供應到信號線S1(j+1)的信號的電壓不同的情況下，以與信號線S2(j)相離的方式配置信號線S1(j+1)。具體而言，以與信號線S2(j)相鄰的方式配置信號線S2(j+1)。

像素電路630(i，j)包括開關SW1、電容元件C1、開關SW2、晶體管M及電容元件C2。

例如，可以將包括與掃描線G1(i)電連接的柵電極及與信號線S1(j)電連接的第一電極的晶體管用于開關SW1。

電容元件C1包括與用于開關SW1的晶體管的第二電極電連接的第一電極以及與布線CSCOM電連接的第二電極。

例如，可以將包括與掃描線G2(i)電連接的柵電極及與信號線S2(j)電連接的第一電極的晶體管用于開關SW2。

晶體管M包括與用于開關SW2的晶體管的第二電極電連接的柵電極及與布線ANO電連接的第一電極。

此外，可以將包括以在柵電極與導電膜之間夾著半導體膜的方式設置的該導電膜的晶體管用于晶體管M。例如，可以使用與能夠供應與晶體管M的第一電極相同的電位的布線電連接的導電膜。

電容元件C2包括與用于開關SW2的晶體管的第二電極電連接的第一電極及與晶體管M的第一電極電連接的第二電極。

此外，將第一顯示元件750的第一電極與用于開關SW1的晶體管的第二電極電連接，將第一顯示元件750的第二電極與布線VCOM1電連接。由此，可以驅動第一顯示元件750。

此外，將第二顯示元件650的第一電極與晶體管M的第二電極電連接，將第二顯示元件650的第二電極與布線VCOM2電連接。由此，可以驅動第二顯示元件650。

《開關SW1、開關SW2、晶體管M、晶體管MD》

例如，可以將底柵型或頂柵型等晶體管用于開關SW1、開關SW2、晶體管M、晶體管MD等。

例如，可以利用將包含第14族元素的半導體用于半導體膜的晶體管。具體而言，可以將包含硅的半導體用于半導體膜。例如，可以使用將單晶硅、多晶硅、微晶硅或非晶硅等用于半導體膜的晶體管。

例如，可以利用將氧化物半導體用于半導體膜的晶體管。具體而言，可以將包含銦的氧化物半導體或包含銦、鎵及鋅的氧化物半導體用于半導體膜。

例如，可以將與將非晶硅用于半導體膜的晶體管相比在關閉狀態(tài)下的泄漏電流更小的晶體管用于開關SW1、開關SW2、晶體管M、晶體管MD等。具體而言，可以把將氧化物半導體用于半導體膜608的晶體管用于開關SW1、開關SW2、晶體管M、晶體管MD等。

由此，與利用將非晶硅用于半導體膜的晶體管的像素電路相比，可以使像素電路能夠保持的圖像信號的時間變長。具體而言，可以抑制閃爍的發(fā)生，并以低于30Hz、優(yōu)選為低于1Hz、更優(yōu)選為低于1次/分的頻率供應選擇信號。其結果是，可以降低信息處理裝置的使用者所累積的疲勞。另外，可以降低伴隨驅動的功耗。

能夠用于開關SW1的晶體管包括半導體膜608及具有與半導體膜608重疊的區(qū)域的導電膜604(參照圖21B)。另外，能夠用于開關SW1的晶體管包括導電膜612A及導電膜612B。

導電膜604具有柵電極的功能，絕緣膜606具有柵極絕緣膜的功能。導電膜612A具有源電極和漏電極中的一個的功能，導電膜612B具有源電極和漏電極中的另一個的功能。

此外，可以將包括以在與導電膜604之間夾著半導體膜608的方式設置的導電膜624的晶體管用作晶體管M(參照圖21C)。

可以將依次層疊有包含鉭及氮的厚度為10nm的膜以及包含銅的厚度為300nm的膜的導電膜用作導電膜604。

可以將層疊有包含硅及氮的厚度為400nm的膜以及包含硅、氧及氮的厚度為200nm的膜的材料用作絕緣膜606。

可以將包含銦、鎵及鋅的厚度為25nm的膜用作半導體膜608。

可以將依次層疊有包含鎢的厚度為50nm的膜、包含鋁的厚度為400nm的膜、包含鈦的厚度為100nm的膜的導電膜用作導電膜612A或導電膜612B。

《第一顯示元件750(i，j)》

例如，可以將具有控制光的反射或透過的功能的顯示元件用作第一顯示元件750(i，j)等。例如，可以使用組合有液晶元件與偏振片的結構或快門方式的MEMS顯示元件等。通過使用反射型顯示元件，可以抑制顯示面板的功耗。具體而言，可以將反射型液晶顯示元件用作第一顯示元件750。

此外，可以使用可通過IPS(In-Plane-Switching：平面內(nèi)轉換)模式、TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場轉換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償雙折射)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模式以及AFLC(Anti Ferroelectric Liquid Crystal：反鐵電性液晶)模式等驅動方法驅動的液晶元件。

另外，可以使用可通過例如如下模式驅動的液晶元件：垂直取向(VA)模式諸如MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直取向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直取向構型)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence：電控雙折射)模式、CPA(Continuous Pinwheel Alignment：連續(xù)焰火狀排列)模式、ASV(Advanced Super View：高級超視覺)模式等。

例如，可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等?；蛘?，可以使用呈現(xiàn)膽甾相、近晶相、立方相、手性向列相、各向同性相等的液晶材料?；蛘?，可以使用呈現(xiàn)藍相的液晶材料。

《第一電極751(i，j)》

例如，可以將用于布線等的材料用于第一電極751(i，j)。具體而言，可以將反射膜用于第一電極751(i，j)。

《反射膜》

例如，可以將反射可見光的材料用于反射膜。具體而言，可以將包含銀的材料用于反射膜。例如，可以將包含銀及鈀等的材料或包含銀及銅等的材料用于反射膜。

反射膜例如反射透過包含液晶材料的層753而來的光。由此，可以將第一顯示元件750用作反射型液晶元件。另外，例如，可以將其表面不平坦的材料用于反射膜。由此，使入射光向各種方向反射，可以進行白色顯示。

另外，不局限于將第一電極751(i，j)用于反射膜的結構。例如，可以采用在包含液晶材料的層753與第一電極751(i，j)之間設置反射膜的結構。或者，可以采用在反射膜與包含液晶材料的層753之間設置具有透光性的第一電極751(i，j)的結構。

《開口751H》

當開口751H的總面積與非開口的總面積的比值過大時，使用第一顯示元件750(i，j)的顯示變暗。另外，當開口751H的總面積與非開口的總面積的比值過小時，使用第二顯示元件650(i，j)的顯示變暗。

另外，當設置在反射膜中的開口751H的面積過小時，從第二顯示元件650所發(fā)射的光的提取效率降低。

開口751H可以具有多邊形、四邊形、橢圓形、圓形或十字形等形狀。開口751H還可以具有細條狀、狹縫狀、方格狀的形狀。此外，也可以將開口751H配置在相鄰的像素附近。優(yōu)選的是，以靠近具有顯示相同顏色的功能的其他像素的方式配置開口751H。由此，可以抑制第二顯示元件650所發(fā)射的光射入到配置于鄰接的像素的著色膜的現(xiàn)象(也稱為串擾)。

《第二電極752》

例如，可以將具有可見光透光性及導電性的材料用于第二電極752。

例如，可以將導電性氧化物、薄得可以透光的金屬膜或金屬納米線用于第二電極752。

具體而言，可以將包含銦的導電性氧化物用于第二電極752?；蛘?，可以將厚度為1nm以上且10nm以下的金屬薄膜用于第二電極752?；蛘?，可以將包含銀的金屬納米線用于第二電極752。

具體而言，可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅、添加有鋁的氧化鋅等用于第二電極752。

《取向膜AF1、取向膜AF2》

例如，可以將包含聚酰亞胺等的材料用于取向膜AF1或取向膜AF2。具體而言，可以使用通過摩擦處理或光取向技術而形成為在預定的方向上取向的材料。

例如，可以將包含可溶性聚酰亞胺的膜用于取向膜AF1或取向膜AF2。

《著色膜CF1》

可以將使預定的顏色的光透過的材料用于著色膜CF1。由此，例如可以將著色膜CF1用于濾色片。

例如，可以將使藍色光透過的材料、使綠色光透過的材料、使紅色光透過的材料、使黃色光透過的材料或使白色光透過的材料等用于著色膜CF1。

《遮光膜BM》

可以將防止透光的材料用于遮光膜BM。由此，例如可以將遮光膜BM用于黑矩陣。

《絕緣膜771》

例如，可以將聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等用于絕緣膜771。

《功能膜770P》

例如，可以將偏振片、相位差板、擴散薄膜、防反射膜或聚光薄膜等用于功能膜770P。或者，可以將包含二向色性染料的偏振片用于功能膜770P。

另外，可以將抑制塵埃的附著的抗靜電膜、不容易被弄臟的具有拒水性的膜、抑制使用時的損傷的硬涂膜等用于功能膜770P。

《第二顯示元件650(i，j)》

例如，可以將發(fā)光元件用于第二顯示元件650(i，j)。具體而言，可以將有機電致發(fā)光元件、無機電致發(fā)光元件或發(fā)光二極管等用于第二顯示元件650(i，j)。

例如，可以將以發(fā)射藍色光的方式層疊的層疊體、以發(fā)射綠色光的方式層疊的層疊體或以發(fā)射紅色光的方式層疊的層疊體等用于包含發(fā)光性有機化合物的層653(j)。

例如，可以將沿著信號線S1(j)在列方向上較長的帶狀層疊體用于包含發(fā)光性有機化合物的層653(j)。此外，可以將發(fā)射與包含發(fā)光性有機化合物的層653(j)不同的顏色的光且沿著信號線S1(j+1)在列方向上較長的帶狀層疊體用于包含發(fā)光性有機化合物的層653(j+1)。

例如，可以將以發(fā)射白色光的方式層疊的層疊體用于包含發(fā)光性有機化合物的層653(j)及包含發(fā)光性有機化合物的層653(j+1)。具體而言，可以將層疊有使用包含發(fā)射藍色光的熒光材料的發(fā)光性有機化合物的層及包含發(fā)射綠色光及紅色光的熒光材料以外的材料的層或包含發(fā)射黃色光的熒光材料以外的材料的層的層疊體用于包含發(fā)光性有機化合物的層653(j)及包含發(fā)光性有機化合物的層653(j+1)。

例如，可以將能夠用于布線等的材料用于第三電極651(i，j)或第四電極652。

例如，可以將選自能夠用于布線等的材料的具有可見光透光性的材料用于第三電極651(i，j)。

具體而言，作為第三電極651(i，j)可以使用導電性氧化物或包含銦的導電性氧化物、氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等。或者，可以將薄得可以透光的金屬膜用于第三電極651(i，j)。

例如，可以將選自能夠用于布線等的材料的具有可見光反射性的材料用于第四電極652。

《驅動電路GD》

可以將移位寄存器等各種時序電路等用于驅動電路GD。例如，可以將晶體管MD、電容元件等用于驅動電路GD。具體而言，可以使用包括能夠與晶體管M在同一工序中形成的半導體膜的晶體管。

或者，可以將具有與能夠用于開關SW1的晶體管不同的結構的晶體管用于晶體管MD。具體而言，可以將包括導電膜624的晶體管用于晶體管MD(參照圖21C)。

在與導電膜604之間夾著半導體膜608的方式設置導電膜624，在導電膜624與半導體膜608之間設置絕緣膜616，并在半導體膜608與導電膜604之間設置絕緣膜606。例如，使供應與導電膜604相同電位的布線與導電膜624電連接。

可以將與晶體管M相同的結構用于晶體管MD。

《驅動電路SD》

例如，可以將集成電路用于驅動電路SD。具體而言，可以將在硅襯底上形成的集成電路用于驅動電路SD。

例如，可以利用COG(Chip on glass：玻璃覆晶封裝)法將驅動電路SD安裝于與像素電路630(i，j)電連接的焊盤上。具體而言，可以使用各向異性導電膜將集成電路安裝于焊盤上。

焊盤可以與端子619B或端子619C在同一工序中形成。

<氧化物半導體膜的電阻率的控制方法>

對控制氧化物半導體膜的電阻率的方法進行說明。

可以將具有預定的電阻率的氧化物半導體膜用于半導體膜608或導電膜624等。

例如，可以將控制氧化物半導體膜所包含的氫、水等雜質的濃度及/或膜中的氧缺陷的方法用作控制氧化物半導體膜的電阻率的方法。

具體而言，可以將等離子體處理用于增加或減少氫、水等雜質濃度及/或膜中的氧缺陷的方法。

具體而言，可以利用使用包含選自稀有氣體(He、Ne、Ar、Kr、Xe)、氫、硼、磷及氮中的一種以上的氣體來進行的等離子體處理。例如，可以使用Ar氣氛下的等離子體處理、Ar和氫的混合氣體氣氛下的等離子體處理、氨氣氛下的等離子體處理、Ar和氨的混合氣體氣氛下的等離子體處理或氮氣氛下的等離子體處理等。由此，氧化物半導體膜可以具有高載流子密度及低電阻率。

或者，可以利用離子注入法、離子摻雜法或等離子體浸沒離子注入法等，將氫、硼、磷或氮注入到氧化物半導體膜，由此使氧化物半導體膜具有低電阻率。

或者，可以采用以與氧化物半導體膜相接的方式形成包含氫的絕緣膜并且使氫從絕緣膜擴散到氧化物半導體膜的方法。由此，可以提高氧化物半導體膜的載流子密度，并降低電阻率。

例如，通過以與氧化物半導體膜相接的方式形成膜中的含氫濃度為1×10²²atoms/cm³以上的絕緣膜，可以有效地使氧化物半導體膜含氫。具體而言，可以將氮化硅膜用于以與氧化物半導體膜相接的方式形成的絕緣膜。

包含在氧化物半導體膜中的氫與鍵合于金屬原子的氧起反應而生成水，與此同時在發(fā)生了氧脫離的晶格(或發(fā)生了氧脫離的部分)中形成氧缺陷。當氫進入該氧缺陷時，有時產(chǎn)生作為載流子的電子。另外，有時由于氫的一部分與鍵合于金屬原子的氧鍵合，產(chǎn)生作為載流子的電子。由此，氧化物半導體膜可以具有高載流子密度及低電阻率。

具體而言，可以適當?shù)貙⑼ㄟ^二次離子質譜分析法(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)得到的氫濃度為8×10¹⁹atoms/cm³以上、優(yōu)選為1×10²⁰atoms/cm³以上、更優(yōu)選為5×10²⁰atoms/cm³以上的氧化物半導體膜用于導電膜624。

另一方面，可以將電阻率高的氧化物半導體膜用于形成晶體管的溝道的半導體膜。具體而言，可以將電阻率高的氧化物半導體膜用于半導體膜608。

例如，以與氧化物半導體膜相接的方式形成包含氧的絕緣膜(換言之，能夠釋放氧的絕緣膜)，將氧從絕緣膜供應到氧化物半導體膜中，可以填補膜中或界面的氧缺陷。由此，氧化物半導體膜可以具有高電阻率。

例如，可以將氧化硅膜或氧氮化硅膜用于能釋放氧的絕緣膜。

氧缺陷被填補且氫濃度被降低的氧化物半導體膜可以說是高純度本征或實質上高純度本征的氧化物半導體膜。在此，“實質上本征”是指氧化物半導體膜的載流子密度低于8×10¹¹/cm³，優(yōu)選低于1×10¹¹/cm³，更優(yōu)選低于1×10¹⁰/cm³。高純度本征或實質上高純度本征的氧化物半導體膜具有較少的載流子發(fā)生源，因此可以具有較低的載流子密度。此外，高純度本征或實質上高純度本征的氧化物半導體膜的缺陷態(tài)密度低，因此可以降低陷阱態(tài)密度。

包括高純度本征或實質上高純度本征的氧化物半導體膜的晶體管的關態(tài)電流顯著低，即便是溝道寬度為1×10⁶μm、溝道長度L為10μm的元件，當源電極與漏電極間的電壓(漏電壓)在1V至10V的范圍時，關態(tài)電流也可以為半導體參數(shù)分析儀的測定極限以下，即1×10^-13A以下。

將上述高純度本征或實質上高純度本征的氧化物半導體膜用于溝道區(qū)域的晶體管的電特性的變動小且可靠性高。

具體而言，可以適當?shù)貙⑼ㄟ^二次離子質譜分析法(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)得到的氫濃度為2×10²⁰atoms/cm³以下、優(yōu)選為5×10¹⁹atoms/cm³以下、更優(yōu)選為1×10¹⁹atoms/cm³以下、更優(yōu)選為低于5×10¹⁸atoms/cm³、更優(yōu)選為1×10¹⁸atoms/cm³以下、更優(yōu)選為5×10¹⁷atoms/cm³以下、更優(yōu)選為1×10¹⁶atoms/cm³以下的氧化物半導體用于形成晶體管的溝道的半導體膜。

將氫濃度及/或氧缺陷量比半導體膜608多且電阻率比半導體膜608低的氧化物半導體膜用于導電膜624。

另外，可以將包含其濃度為半導體膜608所包含的氫濃度的2倍以上、優(yōu)選為10倍以上的氫的膜用于導電膜624。

另外，可以將其電阻率為半導體膜608的電阻率的1×10^-8倍以上且低于1×10^-1倍的膜用于導電膜624。

具體而言，可以將其電阻率為1×10^-3Ωcm以上且低于1×10⁴Ωcm、優(yōu)選為1×10^-3Ωcm以上且低于1×10^-1Ωcm的膜用于導電膜624。

(關于本說明書等的記載的注釋)

以下是對上述實施方式及實施方式中的各結構的說明的注釋。

<關于實施方式中說明的本發(fā)明的一個方式的注釋>

各實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當?shù)亟M合而構成本發(fā)明的一個方式。另外，當在一個實施方式中示出多個結構實例時，可以適當?shù)亟M合這些結構實例。

另外，可以將某一實施方式中說明的內(nèi)容(或其一部分)應用于/組合于/替換成該實施方式中說明的其他內(nèi)容(或其一部分)及/或一個或多個其他實施方式中說明的內(nèi)容(或其一部分)。

注意，實施方式中說明的內(nèi)容是指各實施方式中利用各種附圖所說明的內(nèi)容或者利用說明書所記載的文章而說明的內(nèi)容。

另外，通過將某一實施方式中示出的附圖(或其一部分)與該附圖的其他部分、該實施方式中示出的其他附圖(或其一部分)及/或一個或多個其他實施方式中示出的附圖(或其一部分)組合，可以構成更多的圖。

雖然在各實施方式中對本發(fā)明的一個方式進行了說明，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。例如，作為本發(fā)明的一個方式，在實施方式1中示出使用R-DAC的結構，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。根據(jù)情況，也可以將使用R-DAC以外的DAC的結構作為本發(fā)明的一個方式。

<關于說明附圖的記載的注釋>

在本說明書等中，“上”“下”等表示配置的詞句是為了方便參照附圖對構成要素彼此的位置關系進行說明而使用的。構成要素彼此的位置關系根據(jù)描述各構成要素的方向適當?shù)馗淖?。因此，表示配置的詞句不局限于本說明書中所示的記載，根據(jù)情況可以適當?shù)馗鼡Q表達方式。

“上”或“下”這樣的詞句不是將構成要素的位置關系限定為“正上方”或“正下方”且直接相接的情況。例如，當記載為“絕緣層A上的電極B”時，不一定必須在絕緣層A上直接相接地形成有電極B，不排除在絕緣層A與電極B之間包括其他構成要素的情況。

在本說明書等中，根據(jù)功能對構成要素進行分類并在框圖中以彼此獨立的方框表示。然而，在實際的電路等中難以根據(jù)功能對構成要素進行分類，有時一個電路涉及到多個功能或者多個電路涉及到一個功能。因此，框圖中的方框的分割不局限于說明書中說明的構成要素，而可以根據(jù)情況適當?shù)夭煌?/p>

為了便于說明，在附圖中，示出任意大小的尺寸、層的厚度或區(qū)域。因此，本發(fā)明的一個方式并不局限于附圖中的尺寸。附圖是為了明確起見而示意性地示出的，而不局限于附圖所示的形狀或數(shù)值等。例如，可以包括雜波或定時偏差等所引起的信號、電壓或電流的不均勻等。

<關于可以換稱的記載的注釋>

在本說明書等中，當說明晶體管的連接關系時，記載為“源極和漏極中的一個”(或者第一電極或第一端子)和“源極和漏極中的另一個”(或者第二電極或第二端子)。這是因為晶體管的源極和漏極根據(jù)晶體管的結構或工作條件等改變的緣故。注意，根據(jù)情況可以將晶體管的源極和漏極適當?shù)負Q稱為源極(漏極)端子或源極(漏極)電極等。

注意，在本說明書等中，“電極”或“布線”這樣的詞語不是用來在功能上限定其構成要素。例如，有時將“電極”用作“布線”的一部分，反之亦然。再者，“電極”或“布線”這樣的詞語還包括多個“電極”或“布線”被形成為一體的情況等。

另外，在本說明書等中，可以適當?shù)貙﹄妷汉碗娢贿M行換稱。電壓是指與基準電位之間的電位差，例如在基準電位為地電壓(接地電壓)時，可以將電壓換稱為電位。接地電位不一定意味著0V。注意，電位是相對的，對布線等供應的電位有時根據(jù)基準電壓而變化。

在本說明書等中，根據(jù)情況或狀態(tài)，可以互相調換“膜”和“層”等詞句。例如，有時可以將“導電層”換稱為“導電膜”。此外，有時可以將“絕緣膜”換稱為“絕緣層”。

另外，在本說明書等中，示出在一個像素中具備一個晶體管及一個電容器的1T-1C的電路結構或在一個像素中具備兩個晶體管及一個電容器的2T-1C的電路結構，但是本實施方式不局限于此。也可以采用在一個像素中具備三個以上的晶體管及兩個以上的電容器的電路結構，也可以采用還形成有其他的布線的各種電路結構。

<關于詞句的定義的注釋>

下面，對上述實施方式中沒有提到的詞句的定義進行說明。

《開關》

在本說明書等中，開關是指具有通過變?yōu)閷顟B(tài)(開啟狀態(tài))或非導通狀態(tài)(關閉狀態(tài))來控制是否使電流流過的功能的元件?；蛘?，開關是指具有選擇并切換電流路徑的功能的元件。

例如，可以使用電開關或機械開關等。換而言之，開關只要可以控制電流，就不局限于特定的元件。

電開關的例子包括晶體管(例如雙極晶體管或MOS晶體管)、二極管(例如PN二極管、PIN二極管、肖特基二極管、金屬-絕緣體-金屬(MIM：Metal Insulator Metal)二極管、金屬-絕緣體-半導體(MIS：Metal Insulator Semiconductor)二極管或者二極管接法的晶體管)或者組合這些元件的邏輯電路。

當作為開關使用晶體管時，晶體管的“導通狀態(tài)”是指視為晶體管的源極與漏極電短路的狀態(tài)。另外，晶體管的“非導通狀態(tài)”是指視為晶體管的源極與漏極電斷開的狀態(tài)。當僅將晶體管用作開關時，對晶體管的極性(導電型)沒有特別的限制。

機械開關的例子包括像數(shù)字微鏡裝置(DMD)那樣的利用MEMS(微電子機械系統(tǒng))技術的開關。該開關具有以機械方式可動的電極，并且通過移動該電極來控制導通和非導通而進行工作。

《溝道長度》

在本說明書等中，例如，溝道長度是指在晶體管的俯視圖中半導體(或在晶體管處于開啟狀態(tài)時，在半導體中電流流過的部分)和柵極重疊的區(qū)域或者形成溝道的區(qū)域中的源極和漏極之間的距離。

另外，在一個晶體管中，溝道長度不一定在所有的區(qū)域中取相同的值。也就是說，一個晶體管的溝道長度有時不限于一個值。因此，在本說明書中，溝道長度是形成溝道的區(qū)域中的任一個值、最大值、最小值或平均值。

《溝道寬度》

在本說明書等中，例如，溝道寬度是指半導體(或在晶體管處于開啟狀態(tài)時，在半導體中電流流過的部分)和柵電極重疊的區(qū)域、或者形成溝道的區(qū)域中的源極和漏極相對的部分的長度。

另外，在一個晶體管中，溝道寬度不一定在所有的區(qū)域中取相同的值。也就是說，一個晶體管的溝道寬度有時不限于一個值。因此，在本說明書中，溝道寬度是形成溝道的區(qū)域中的任一個值、最大值、最小值或平均值。

另外，根據(jù)晶體管的結構，有時實際上形成溝道的區(qū)域中的溝道寬度(下面稱為實效的溝道寬度)和晶體管的俯視圖所示的溝道寬度(下面稱為外觀上的溝道寬度)不同。例如，在具有立體結構的晶體管中，有時實效的溝道寬度大于晶體管的俯視圖所示的外觀上的溝道寬度，而不能忽略其影響。例如，在具有微型且立體結構的晶體管中，有時形成在半導體的側面上的溝道區(qū)域的比例較大。在此情況下，實際形成溝道時獲得的實效的溝道寬度大于俯視圖所示的外觀上的溝道寬度。

在具有立體結構的晶體管中，有時難以通過實測估計實效溝道寬度。例如，為了根據(jù)設計值估計實效溝道寬度，需要假定已知半導體的形狀。因此，當不清楚半導體的形狀時，難以準確地測量實效溝道寬度。

因此，在本說明書中，有時將在晶體管的俯視圖中半導體和柵電極重疊的區(qū)域中的源極與漏極相對的部分的長度、即外觀上的溝道寬度稱為“圍繞溝道寬度(SCW：Surrounded Channel Width)”。此外，在本說明書中，在簡單地描述為“溝道寬度”時，有時是指圍繞溝道寬度或外觀上的溝道寬度?；蛘撸诒菊f明書中，在簡單地描述為“溝道寬度”時，有時是指實效溝道寬度。注意，通過取得截面TEM圖像等并對其進行分析等，可以確定溝道長度、溝道寬度、實效溝道寬度、外觀上的溝道寬度、圍繞溝道寬度等的值。

另外，在通過計算求出晶體管的場效應遷移率或每溝道寬度的電流值等時，有時使用圍繞溝道寬度來計算。在此情況下，該值有時與使用實效溝道寬度計算時的值不同。

《像素》

在本說明書等中，像素指的是例如能夠控制明亮度的一個單元。因此，作為一個例子，一個像素指的是一個色彩單元，并用該一個色彩單元來表現(xiàn)明亮度。因此，在采用由R(紅色)、G(綠色)和B(藍色)這些色彩單元構成的彩色顯示裝置的情況下，將像素的最小單位設置為由R的像素、G的像素以及B的像素這三個像素構成的像素。

再者，色彩單元并不局限于三種顏色，也可以使用三種以上的顏色，例如有RGBW(W是白色)或對RGB追加黃色(yellow)、青色(cyan)、品紅色(magenta)的顏色等。

<顯示元件>

在本說明書等中，顯示元件包括對比度、亮度、反射率、透射率等因電或磁作用變化的顯示媒體。作為顯示元件的一個例子有EL(電致發(fā)光)元件、LED芯片(白色LED芯片、紅色LED芯片、綠色LED芯片、藍色LED芯片等)、晶體管(根據(jù)電流而發(fā)光的晶體管)、電子發(fā)射元件、使用碳納米管的顯示元件、液晶元件、電子墨水、電子液態(tài)粉末(electronic liquid powder)(注冊商標)電濕潤(electrowetting)元件、電泳元件、等離子體顯示器面板(PDP)、使用微電機系統(tǒng)(MEMS)的顯示元件(例如，光柵光閥(GLV)、數(shù)字微鏡裝置(DMD)、數(shù)碼微快門(DMS)、MIRASOL(注冊商標)、IMOD(干涉測量調節(jié))元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、壓電陶瓷顯示器等)、使用碳納米管的顯示元件或使用量子點的顯示元件等。作為使用EL元件的顯示裝置的例子，有EL顯示器等。作為使用電子發(fā)射元件的顯示裝置的例子，有場致發(fā)射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器)等。作為使用液晶元件的顯示裝置的例子，有液晶顯示器(透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)等。作為使用電子墨水、電子液態(tài)粉末(注冊商標)或電泳元件的顯示裝置的一個例子，可以舉出電子紙等。作為在各像素中使用量子點的顯示裝置的一個例子，有量子點顯示器等。量子點可以不用作顯示元件而用作背光的一部分。通過使用量子點，可以進行色純度高的顯示。注意，當實現(xiàn)半透射型液晶顯示器或反射型液晶顯示器時，使像素電極的一部分或全部具有作為反射電極的功能即可。例如，使像素電極的一部分或全部包含鋁、銀等即可。此時，也可以將SRAM等存儲電路設置在反射電極下。由此，可以進一步降低功耗。注意，當使用LED芯片時，也可以在LED芯片的電極或氮化物半導體下配置石墨烯或石墨。石墨烯或石墨也可以為層疊有多個層的多層膜。如此通過設置石墨烯或石墨，可以容易在其上形成氮化物半導體、例如具有晶體的n型GaN半導體層等。并且，在其上設置具有結晶的p型GaN半導體層等，由此能夠構成LED芯片。另外，也可以在石墨烯或石墨與具有結晶的n型GaN半導體層之間設置AlN層。此外，LED芯片所包括的GaN半導體層也可以通過MOCVD形成。注意，也可以通過設置石墨烯，以濺射法形成LED芯片所包括的GaN半導體層。另外，在使用MEMS(微電子機械系統(tǒng))的顯示元件中，可以在顯示元件被密封的空間(例如，配置有顯示元件的元件襯底與和元件襯底對置配置的對置襯底之間)中配置干燥劑。通過配置干燥劑，可以防止MEMS等由于水分而難以工作或容易劣化的情形。

《連接》

在本說明書等中，“A與B連接”除了包括A與B直接連接的情況以外，還包括A與B電連接的情況。在此，“A與B電連接”是指當在A與B之間存在具有某種電作用的對象物時，能夠在A和B之間進行電信號的交換。

注意，例如，在晶體管的源極(或第一端子等)通過Z1(或沒有通過Z1)與X電連接，晶體管的漏極(或第二端子等)通過Z2(或沒有通過Z2)與Y電連接的情況下以及在晶體管的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接，Z1的另一部分與X直接連接，晶體管的漏極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，Z2的另一部分與Y直接連接的情況下，可以表達為如下。

例如，可以表達為“X、Y、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)互相電連接，并以X、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)、Y的順序依次電連接”?；蛘撸梢员磉_為“晶體管的源極(或第一端子等)與X電連接，晶體管的漏極(或第二端子等)與Y電連接，并以X、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)、Y的順序依次電連接”?；蛘?，可以表達為“X通過晶體管的源極(或第一端子等)及漏極(或第二端子等)與Y電連接，并按照X、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)、Y的連接順序進行設置”。通過使用與這些例子相同的表達方法規(guī)定電路結構中的連接順序，可以區(qū)別晶體管的源極(或第一端子等)與漏極(或第二端子等)而確定技術范圍。

另外，作為其他表達方法，例如可以表達為“晶體管的源極(或第一端子等)至少通過第一連接路徑與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑是通過晶體管的晶體管的源極(或第一端子等)與晶體管的漏極(或第二端子等)之間的路徑，所述第一連接路徑是通過Z1的路徑，晶體管的漏極(或第二端子等)至少通過第三連接路徑與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑，所述第三連接路徑是通過Z2的路徑”。或者，也可以表達為“晶體管的源極(或第一端子等)至少經(jīng)過第一連接路徑，通過Z1與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑具有通過晶體管的連接路徑，晶體管的漏極(或第二端子等)至少經(jīng)過第三連接路徑，通過Z2與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑”?；蛘?，也可以表達為“晶體管的源極(或第一端子等)至少經(jīng)過第一電路徑，通過Z1與X電連接，所述第一電路徑不具有第二電路徑，所述第二電路徑是從晶體管的源極(或第一端子等)到晶體管的漏極(或第二端子等)的電路徑，晶體管的漏極(或第二端子等)至少經(jīng)過第三電路徑，通過Z2與Y電連接，所述第三電路徑不具有第四電路徑，所述第四電路徑是從晶體管的漏極(或第二端子等)到晶體管的源極(或第一端子等)的電路徑”。通過使用與這些例子同樣的表達方法規(guī)定電路結構中的連接路徑，可以區(qū)別晶體管的源極(或第一端子等)和漏極(或第二端子等)來確定技術范圍。

注意，這些表達方法只是一個例子而已，不局限于上述表達方法。在此，X、Y、Z1及Z2為對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導電膜和層等)。