本公開內(nèi)容涉及有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
背景技術(shù)：
：有源矩陣有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括能夠自發(fā)光和具有快速響應(yīng)時間、高發(fā)射效率、高亮度和寬視角等等優(yōu)點的有機發(fā)光二極管。OLED作為自發(fā)光元件具有如圖1所示的結(jié)構(gòu)。OLED包括陽極電極、陰極電極、以及在陽極電極和陰極電極之間的有機化合物層。有機化合物層包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)射層EML、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL。當將驅(qū)動電壓施加到陽極電極和陰極電極時，穿過空穴傳輸層HTL的空穴和穿過電子傳輸層ETL的電子移動到發(fā)射層EML，并形成激子。作為結(jié)果，發(fā)射層EML產(chǎn)生可見光。OLED顯示器以矩陣形式布置各自包括OLED的像素，并基于視頻數(shù)據(jù)的灰度調(diào)整像素的亮度。每一個像素包括：驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，所述驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)基于驅(qū)動TFT的柵-源電壓來控制OLED中流動的驅(qū)動電流；電容器，所述電容器用于在一幀期間內(nèi)均勻保持驅(qū)動TFT的柵-源電壓；和至少一個開關(guān)TFT，所述開關(guān)TFT響應(yīng)于柵極信號來安排(program)驅(qū)動TFT的柵-源電壓。在OLED中流動的驅(qū)動電流，是通過驅(qū)動TFT的閾值電壓以及驅(qū)動TFT的基于數(shù)據(jù)電壓而受控制的柵-源電壓來確定的。像素的亮度與驅(qū)動電流的大小成比例。在OLED顯示器中，像素的驅(qū)動TFT可由于工藝差異變化、隨時間推移造成的柵偏應(yīng)力等原因具有不同的閾值電壓。如上所述，因為像素的亮度與驅(qū)動電流的大小成比例，所以像素的驅(qū)動TFT的閾值電壓的變化導致像素的亮度變化。技術(shù)實現(xiàn)要素：本公開內(nèi)容提供了有機發(fā)光二極管顯示器，所述有機發(fā)光二極管顯示器能夠通過補償像素的閾值電壓中的變化提高顯示質(zhì)量。在一個方面，提供一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：顯示面板，所述顯示面板包括多個像素；柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的掃描線和發(fā)射線；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的數(shù)據(jù)線，其中，所述多個像素之中的第n像素行的每一個像素包括如下部件，其中n為自然數(shù)：有機發(fā)光二極管(OLED)，所述有機發(fā)光二極管包括陽極電極和陰極電極，所述陽極電極連接至節(jié)點C，所述陰極電極連接至低電位驅(qū)動電壓的輸入端；驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，所述驅(qū)動薄膜晶體管包括柵極、漏極和源極，所述柵極連接至節(jié)點A，所述漏極連接至節(jié)點B，所述源極連接至節(jié)點D，所述驅(qū)動薄膜晶體管用于控制施加到所述有機發(fā)光二極管的驅(qū)動電流；第一TFT連接在所述節(jié)點A和所述節(jié)點B之間；第二TFT連接至所述節(jié)點C；第三TFT連接在所述數(shù)據(jù)線和所述節(jié)點D之間；第四TFT連接在高電位驅(qū)動電壓的輸入端和所述節(jié)點B之間；第五TFT連接在所述節(jié)點D和所述節(jié)點C之間；且存儲電容器連接在所述節(jié)點A和所述節(jié)點C之間。在另一個方面，提供一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：顯示面板，所述顯示面板包括多個像素；柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的掃描線和發(fā)射線；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的數(shù)據(jù)線，其中，所述多個像素之中的第n像素行的每一個像素包括如下部件，其中n為自然數(shù)：有機發(fā)光二極管(OLED)，所述有機發(fā)光二極管包括陽極電極和陰極電極，所述陽極電極連接至節(jié)點C，所述陰極電極連接至低電位驅(qū)動電壓的輸入端；驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，所述驅(qū)動薄膜晶體管包括柵極、漏極和源極，所述柵極連接至節(jié)點A、所述漏極連接至節(jié)點B，所述源極連接至節(jié)點D，所述驅(qū)動TFT用于控制施加到所述OLED的驅(qū)動電流；第一TFT連接在所述節(jié)點A和所述節(jié)點B之間；第二TFT連接至所述節(jié)點C；第三TFT連接在所述數(shù)據(jù)線和所述節(jié)點D之間；第四TFT連接在高電位驅(qū)動電壓的輸入端和所述節(jié)點B之間；第五TFT連接在所述節(jié)點D和所述節(jié)點C之間；且存儲電容器連接在所述節(jié)點A和初始化電壓的輸入端之間。在又一個另一方面中，提供一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：顯示面板，所述顯示面板包括多個像素；柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的掃描線和發(fā)射線；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的數(shù)據(jù)線，其中，多個像素之中的第n像素行的每一個像素包括如下部件，其中n為自然數(shù)：有機發(fā)光二極管(OLED)，所述有機發(fā)光二極管包括陽極電極和陰極電極，所述陽極電極連接至節(jié)點C，所述陰極電極連接至低電位驅(qū)動電壓的輸入端；驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，所述驅(qū)動薄膜晶體管包括柵極、漏極和源極，所述柵極連接至節(jié)點A、所述漏極連接至節(jié)點B且所述源極連接至節(jié)點D，所述驅(qū)動TFT用于控制施加到所述OLED的驅(qū)動電流；第一TFT連接在所述節(jié)點A和所述節(jié)點B之間；第三TFT連接在所述數(shù)據(jù)線和所述節(jié)點D之間；第四TFT連接在高電位驅(qū)動電壓的輸入端和所述節(jié)點B之間；第五TFT連接在所述節(jié)點D和所述節(jié)點C之間；且存儲電容器連接至所述節(jié)點A。附圖說明被引入以提供對本發(fā)明的進一步理解以及被并入和構(gòu)成此說明書部分的附圖示出了本發(fā)明的多個實施方式并與所述說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。在所述附圖中：圖1示出了有機發(fā)光二極管(OLED)和所述OLED的發(fā)射原理；圖2示出了依據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光二極管(OLED)；圖3為等效電路圖，示出了依據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的像素結(jié)構(gòu)；圖4為波形圖，示出了施加到圖3中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號；圖5A、5B和5C分別示出了與圖4的初始周期、采樣周期和發(fā)射周期一致的像素的等效電路圖；圖6示出了在初始周期、采樣周期和發(fā)射周期中的節(jié)點A、D和C處像素電壓值；圖7和8為等效電路圖，示出了在圖3中所示的像素結(jié)構(gòu)的變型例；圖9為波形圖，示出了施加到圖7和圖8中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號；圖10為等效電路圖，示出了依據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的像素結(jié)構(gòu)；圖11為波形圖，示出了施加到圖10中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號；圖12A、12B和12C分別示出了與圖11的初始周期、采樣周期和發(fā)射周期一致的像素的等效電路圖；圖13和14為等效電路圖，示出了在圖10中所示的像素結(jié)構(gòu)的變型例；圖15為等效電路圖，示出了在圖10中所示的像素結(jié)構(gòu)的另一變型例；圖16為波形圖，示出了施加到圖15中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號；圖17和18為等效電路圖，示出了在圖15中所示的像素結(jié)構(gòu)的其它改良范例；圖19和20為等效電路圖，示出了依據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的像素結(jié)構(gòu)；圖21為波形圖，示出了施加到圖19和20中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號；圖22到24為等效電路圖，示出了在圖19和20中所示的像素結(jié)構(gòu)的變型例；圖25為波形圖，示出了施加到圖22到24中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號；圖26到28為等效電路圖，示出了其中水平方向上相鄰的像素彼此共享預定薄膜晶體管的范例。具體實施方式現(xiàn)在將詳細介紹本發(fā)明的實施方式以及在附圖中示出范例。只要有可能，相同的參考標號會使用在整個所述附圖中以指代相同或者相似的部件。值得注意的是，如果確定已知技術(shù)能夠誤導本發(fā)明的實施方式，則所述已知技術(shù)的詳細描述將被省略。本發(fā)明的示例性實施方式描述了構(gòu)成像素的所有薄膜晶體管(TFT)是作為n型TFT實現(xiàn)的。但也可以使用其它構(gòu)造。例如構(gòu)成像素的TFT也可作為p型TFT實現(xiàn)。將參照圖2至28描述本發(fā)明的示例性實施方式。圖2示出了依據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光二極管(OLED)。參照圖2，依據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的OLED顯示器包括：其上形成有多個像素PXL的顯示面板10；數(shù)據(jù)驅(qū)動電路12，用于驅(qū)動顯示面板10的數(shù)據(jù)線14；柵極驅(qū)動電路13，用于驅(qū)動顯示面板10的柵線15；以及時序控制器11，用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動電路12和柵極驅(qū)動電路13的驅(qū)動時序。在顯示面板10上，多條數(shù)據(jù)線14和多條柵線15彼此交叉，并且像素PXL以矩陣形式分別設(shè)置在數(shù)據(jù)線14和柵線15的交叉點。相同水平線上的像素PXL形成一個像素行。一個像素行上的像素PXL被連接至一條柵線15，并且一條柵線15可以包括至少一條掃描線和至少一條發(fā)射線。換句話說，每一個像素PXL可以連接至一條數(shù)據(jù)線14、至少一條掃描線和至少一條發(fā)射線。像素PXL可公共地接收來自電源(未示出)的高電位驅(qū)動電壓ELVDD、低電位驅(qū)動電壓ELVSS和初始化電壓Vinit。優(yōu)選的，但不是必需的，在充分低于有機發(fā)光二極管(OLED)的工作電壓的范圍內(nèi)選擇初始化電壓Vinit，以防止每一個像素PXL的OLED在初始周期和采樣周期期間不必要的發(fā)光。此外，初始化電壓Vinit可以設(shè)置為等于或者小于低電位驅(qū)動電壓ELVSS。構(gòu)成像素PXL的薄膜晶體管(TFT)可以作為包括氧化物半導體層的氧化物TFT實現(xiàn)。從電子遷移率、工藝差異變化等等所有方面來考慮，氧化物TFT對于大面積的顯示面板10而言都是有利的。本發(fā)明的實施方式并不僅限于此。例如，TFT的半導體層可以由非晶硅或多晶硅形成。每一個像素PXL包括用于補償驅(qū)動TFT的閾值電壓以及存儲電容器的變化的多個TFT。本發(fā)明的實施方式提出了一種能夠提高像素集成度并且容易補償高電位驅(qū)動電壓的IR降的像素結(jié)構(gòu)。稍后參照圖3到28詳細描述所述像素結(jié)構(gòu)。每一個像素PXL可以包括TFT，所述TFT的源極或漏極與存儲電容器的一側(cè)電極相連接，所述TFT包括至少兩個子TFT，所述至少兩個子TFT彼此串聯(lián)連接，以便最大限度地降低或防止漏電流的影響。在此種情況下，所述至少兩個子TFT響應(yīng)于相同控制信號而導通或者截止。例如，如圖3中所示，TFTT1可以設(shè)計為包括子TFTT1A和T1B的雙柵TFT，所述子TFTT1A和T1B響應(yīng)于相同控制信號而導通或者截止、并且彼此串聯(lián)連接；而TFTT2可以設(shè)計為包括子TFTT2A和T2B的雙柵TFT，所述子TFTT2A和T2B響應(yīng)于相同控制信號而導通或者截止、并且彼此串聯(lián)連接。此外，如圖24中所示，除了TFTT1和T2之外，還可以將TFTT6設(shè)計為包括子TFTT6A和T6B的雙柵TFT。時序控制器11依據(jù)顯示面板10分辨率而對從外部接收的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)RGB進行重新整理，并且將重新整理后的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)RGB提供至數(shù)據(jù)驅(qū)動電路12。時序控制器11基于諸如垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、點時鐘DCLK和數(shù)據(jù)使能信號DE之類的時序信號，產(chǎn)生用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動電路12的操作時序的數(shù)據(jù)控制信號DDC和用于控制柵極驅(qū)動電路13的操作時序的柵極控制信號GDC。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路12基于數(shù)據(jù)控制信號DDC，將從時序控制器11接收的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)RGB轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)電壓。柵極驅(qū)動電路13可以基于所述柵極控制信號GDC，產(chǎn)生掃描信號和發(fā)射信號。柵極驅(qū)動電路13可以包括掃描驅(qū)動器和發(fā)射驅(qū)動器。掃描驅(qū)動器可以以連續(xù)線的方式產(chǎn)生掃描信號，以便驅(qū)動與每一像素行連接的至少一條掃描線，并可以將掃描信號提供至所述掃描線。所述發(fā)射驅(qū)動器可以以連續(xù)線的方式產(chǎn)生發(fā)射信號，以便驅(qū)動與每一像素行連接的至少一條發(fā)射線，并可以將發(fā)射信號提供至所述發(fā)射線。可以通過面板柵極驅(qū)動(GIP)工藝，直接在顯示器面板的非顯示區(qū)上形成柵極驅(qū)動電路13。圖3是等效電路圖，示出了依據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的像素結(jié)構(gòu)。圖4為波形圖，示出了施加到圖3中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號。參照圖3，第n像素行中的每一個像素PXL(n為自然數(shù))包括OLED、驅(qū)動TFTDT、第一TFTT1、第二TFTT2、第三TFTT3、第四TFTT4、第五TFTT5以及存儲電容器Cst。第n像素行中的每一個像素PXL響應(yīng)于第n個柵極信號操作。第n個柵極信號包括第n個第一掃描信號SCAN1(n)、第n個第二掃描信號SCAN2(n)、第n個第一發(fā)射信號EM1(n)以及第n個第二發(fā)射信號EM2(n)。OLED利用從驅(qū)動TFTDT提供的驅(qū)動電流Ioled來發(fā)光。如圖1所示，OLED包括陽極電極、陰極電極、以及位于陽極電極和陰極電極之間的多層有機化合物層。所述多層有機化合物層包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)射層EML、電子傳輸層ETL以及電子注入層EIL。OLED的陽極電極連接至節(jié)點C，且OLED的陰極電極連接至低電位驅(qū)動電壓ELVSS的輸入端。驅(qū)動TFTDT依據(jù)驅(qū)動TFTDT的柵-源電壓Vgs，來控制施加到OLED的驅(qū)動電流Ioled。驅(qū)動TFTDT的柵極連接至節(jié)點A，且驅(qū)動TFTDT的漏極連接至節(jié)點B。驅(qū)動TFTDT的源極連接至節(jié)點D。第一TFTT1連接在節(jié)點A和節(jié)點B之間，并且響應(yīng)于第n個第一掃描信號SCAN1(n)導通或截止。第一TFTT1的柵極連接到第n像素行的第一掃描線(此后，稱為“第n條第一掃描線”)，第n個第一掃描信號SCAN1(n)施加到所述第n條第一掃描線。第一TFTT1的漏極連接至節(jié)點B，且第一TFTT1的源極連接至節(jié)點A。第二TFTT2連接在節(jié)點C和初始化電壓Vinit的輸入端之間，并且響應(yīng)于第n個第一掃描信號SCAN1(n)導通或截止。第二TFTT2的柵極連接到第n條第一掃描線，第n個第一掃描信號SCAN1(n)施加到所述第n條第一掃描線。第二TFTT2的漏極連接至節(jié)點C，且第二TFTT2的源極連接至初始化電壓Vinit的輸入端。第三TFTT3連接在數(shù)據(jù)線14和節(jié)點D之間，并且響應(yīng)于第n個第二掃描信號SCAN2(n)導通或截止。第三TFTT3的柵極連接到第n像素行的第二掃描線(此后，稱為“第n條第二掃描線”)，第n個第二掃描信號SCAN2(n)施加到所述第n條第二掃描線。第三TFTT3的漏極連接至數(shù)據(jù)線14，且第三TFTT3的源極連接至節(jié)點D。第四TFTT4連接在高電位驅(qū)動電壓ELVDD的輸入端和節(jié)點B之間，并且響應(yīng)于第n個第一發(fā)射信號EM1(n)導通或截止。第四TFTT4的柵極連接到第n像素行的第一發(fā)射線(此后，稱為“第n條第一發(fā)射線”)，第n個第一發(fā)射信號EM1(n)施加到所述第n條第一發(fā)射線。第四TFTT4的漏極連接至高電位驅(qū)動電壓ELVDD的輸入端，且第四TFTT4的源極連接至節(jié)點B。第五TFTT5連接在節(jié)點D和節(jié)點C之間，并且響應(yīng)于第n個第二發(fā)射信號EM2(n)導通或截止。第五TFTT5的柵極連接到第n像素行的第二發(fā)射線(此后，稱為“第n條第二發(fā)射線”)，第n個第二發(fā)射信號EM2(n)施加到所述第n條第二發(fā)射線。第五TFTT5的漏極連接至節(jié)點D，且第五TFTT5的源極連接至節(jié)點C。存儲電容器Cst連接在節(jié)點A和節(jié)點C之間。下面參照圖4、5A到5C和6描述如圖3中所示的像素PXL的操作。如圖4所示，一個幀周期可以被分為：初始周期Pi，在所述初始周期中，節(jié)點A和節(jié)點C被初始化；采樣周期Ps，在所述采樣周期中，驅(qū)動TFTDT的閾值電壓Vth被采樣，并被存儲在節(jié)點A中；以及發(fā)射周期Pe，在所述發(fā)射周期中，驅(qū)動TFTDT的柵-源電壓Vgs被安排，以包括所采樣的閾值電壓Vth，并且OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓Vgs控制后的OLED的驅(qū)動電流Ioled發(fā)光。如圖4所示，因為在第(n-1)水平周期(Hn-1)期間執(zhí)行了初始化操作，所以可以將第n個水平周期Hn的整個期間分配給采樣操作。當如上所述充分地確保采樣周期Ps時，可以更加精準地對驅(qū)動TFTDT的閾值電壓Vth進行采樣。更具體地，參照圖5A，在分配用于向第(n-1)像素行寫入數(shù)據(jù)的第(n-1)水平周期中，包括初始周期Pi。在初始周期Pi中，以導通(ON)電平施加第n個第一掃描信號SCAN1(n)和第n個第一發(fā)射信號EM1(n)，并且以截止(OFF)電平施加第n個第二掃描信號SCAN2(n)和第n個第二發(fā)射信號EM2(n)。在初始周期Pi中，第一TFTT1和第二TFTT2響應(yīng)于第n個第一掃描信號SCAN1(n)而導通，且第四TFTT4響應(yīng)于第n個第一發(fā)射信號EM1(n)而導通。因此，節(jié)點A被初始化到高電位驅(qū)動電壓ELVDD，且節(jié)點C被初始化到初始化電壓Vinit。在采樣操作之前初始化節(jié)點A和C的原因，是為了提高采樣操作的可靠性，并且防止OLED不必要地發(fā)光。為此，優(yōu)選的，但不是必需的，在充分低于OLED工作電壓的范圍內(nèi)選擇初始化電壓Vinit。此外，初始化電壓Vinit可以設(shè)置為等于或者小于低電位驅(qū)動電壓ELVSS。在初始周期Pi中，節(jié)點D被保持在前一幀的數(shù)據(jù)電壓Vdata(n)。參照圖5B，在分配用于向第n像素行寫入數(shù)據(jù)的第n水平周期中，包括采樣周期Ps。在采樣周期Ps中，以導通(ON)電平施加第n個第一掃描信號SCAN1(n)和第n個第二掃描信號SCAN2(n)，且以截止(OFF)電平施加第n個第一發(fā)射信號EM1(n)和第n個第二發(fā)射信號EM2(n)。在采樣周期Ps中，第一TFTT1和第二TFTT2響應(yīng)于第n個第一掃描信號SCAN1(n)而導通，且第三TFTT3響應(yīng)于第n個第二掃描信號SCAN2(n)而導通。因此，驅(qū)動TFTDT以二極管方式連接。換句話說，驅(qū)動TFTDT的柵極和漏極被短路，因此驅(qū)動TFTDT像二極管一樣工作。此外，數(shù)據(jù)電壓Vdata(n)被施加到節(jié)點D。在公開的本實施方式中，數(shù)據(jù)電壓Vdata(n)是以足夠低的電壓施加的(例如，Vdata(n)＜ELVDD-Vth)，從而驅(qū)動TFTDT能夠在采樣周期Ps期間導通。在采樣周期Ps中，電流Ids在驅(qū)動TFTDT的漏極和源極之間流動，并且節(jié)點A的電壓由于所述電流Ids而從初始狀態(tài)的高電位驅(qū)動電壓ELVDD降低到數(shù)據(jù)電壓Vdata(n)與驅(qū)動TFTDT的閾值電壓Vth的相加之和(Vdata(n)+Vth)。在采樣周期Ps中，節(jié)點C的電壓被保持在初始化電壓Vnit，并提供電流Ids的路徑。參照圖5C，發(fā)射周期Pe對應(yīng)于一個幀周期中的除了初始周期Pi和采樣周期Ps之外的剩余時期。在發(fā)射周期Pe中，以導通(ON)電平施加第n個第一發(fā)射信號EM1(n)和第n個第二發(fā)射信號EM2(n)，并且以截止(OFF)電平施加第n個第一掃描信號SCAN1(n)和第n個第二掃描信號SCAN2(n)。在發(fā)射周期Pe中，第四TFTT4響應(yīng)于第n個第一發(fā)射信號EM1(n)而導通，并由此將驅(qū)動TFTDT的漏極連接到低電位驅(qū)動電壓ELVSS的輸入端。此外，第五TFTT5響應(yīng)于第n個第二發(fā)射信號EM2(n)而導通，并且因此節(jié)點C和D具有與OLED的工作電壓Voled相同的電壓。在發(fā)射周期Pe中，節(jié)點C的電壓從初始狀態(tài)的初始化電壓Vinit變?yōu)镺LED的工作電壓Voled。在發(fā)射周期Pe中，因為節(jié)點A是浮置的、并且經(jīng)由存儲電容器Cst而與節(jié)點C耦合，因此節(jié)點A的電壓從在采樣周期Ps期間設(shè)置的節(jié)點A的電壓(Vdata(n)+Vth)改變了如下的量：即節(jié)點C的電壓變化量(Voled-Vinit)。換句話說，在發(fā)射周期Pe中，節(jié)點A的電壓被設(shè)置為“Vdata(n)+Vth+Voled-Vinit”，且節(jié)點C的電壓被設(shè)置為OLED的工作電壓Voled。因此，柵-源電壓Vgs(驅(qū)動TFTDT的柵電壓Vg減去源電壓Vs)被安排為“Vdata(n)+Vth-Vinit”。在發(fā)射周期Pe中在OLED中流動的驅(qū)動電流Ioled的關(guān)系公式由下面的公式1表示。OLED利用驅(qū)動電流Ioled來發(fā)光，并實現(xiàn)所需要的灰度級?！竟?】Ioled=k2[(Vgs-Vth)]2=k2[Vdata(n)-Vinit]2]]>在上述公式1中，“k”是通過驅(qū)動TFTDT的電子遷移率、寄生電容和溝道容量(channelcapacity)等確定的比例常數(shù)。依據(jù)上述公式1，驅(qū)動電流Ioled是通過k/2(Vgs-Vth)2表示的。但是，由于在發(fā)射周期Pe中安排的柵-源電壓Vgs中包括驅(qū)動TFTDT的閾值電壓Vth，因此從如上述公式1所示的驅(qū)動電流Ioled的關(guān)系公式中去除了驅(qū)動TFTDT的閾值電壓Vth。換句話說，消除了閾值電壓Vth的改變對于驅(qū)動電流Ioled的影響。阻礙OLED顯示器的亮度均勻性的另一個原因是IR降變化。IR降變化導致施加到每一個像素的高電位驅(qū)動電壓ELVDD的變化。但是，由于通過圖3到6中所示的不同配置，由上述公式1表示的驅(qū)動電流Ioled中并不包括高電位驅(qū)動電壓ELVDD的成分，因此本發(fā)明的實施方式能夠消除IR降變化對于驅(qū)動電流Ioled的影響。圖7和8為等效電路圖，示出了在圖3中所示的像素結(jié)構(gòu)的變型例；圖9為波形圖，示出了施加到圖7和圖8中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號。對顯示面板10的像素陣列進行簡化，對于提高像素的集成集成度、更容易地執(zhí)行制造工藝、或者增加產(chǎn)量來說是很重要的。如圖7所示，第n像素行的像素PXL可以如下構(gòu)造：第四TFTT4和第五TFTT5響應(yīng)于相同的發(fā)射信號EM(n)而導通或者截止，以便簡化像素陣列。為此，可以將第四TFTT4的柵極和第五TFTT5的柵極連接至第n條發(fā)射線，其中第n個發(fā)射信號EM(n)施加到所述第n條發(fā)射線。當通過去除一些柵極信號來減少提供柵極信號所需的信號線的數(shù)量時，可以通過信號線的數(shù)量的減少，來增加像素的孔徑比。此外，可以通過柵極信號的數(shù)量的減少，來降低產(chǎn)生所述柵極信號的柵極驅(qū)動電路的大小。這對實現(xiàn)窄邊框是非常重要的。如圖8所示，顯示面板10的每一個像素PXL可以如下構(gòu)造：第二TFTT2的漏極連接至低電位驅(qū)動電壓ELVSS的輸入端，以便進一步簡化像素陣列。因為初始化電壓Vinit在包括如圖8所示的像素PXL的像素陣列中不是必需的，可以去除提供初始化電壓Vinit所需的信號線。由于圖7和8中所示的像素PXL中的其它部件基本上與在圖3中所示的像素PXL相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。參照圖9，一個幀周期可以被分為：初始周期Pi，在所述初始周期Pi中，節(jié)點A和節(jié)點C被初始化；采樣周期Ps，在所述采樣周期Ps中，驅(qū)動TFTDT的閾值電壓Vth被采樣，并且被存儲在節(jié)點A中；以及發(fā)射周期Pe，在所述發(fā)射周期Pe中，驅(qū)動TFTDT的柵-源電壓Vgs被安排為包括所采樣的閾值電壓Vth，并且OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓Vgs控制后的OLED的驅(qū)動電流Ioled發(fā)光。在初始周期Pi中，以導通電平施加第n個第一掃描信號SCAN1(n)和第n個發(fā)射信號EM(n)，且以截止電平施加第n個第二掃描信號SCAN2(n)。由于在圖9的初始周期Pi中獲得的操作效果基本上與圖5A中的初始周期Pi相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。在采樣周期Ps中，以導通電平施加第n個第一掃描信號SCAN1(n)和第n個第二掃描信號SCAN2(n)，且以截止電平施加第n個發(fā)射信號EM(n)。由于在圖9的采樣周期Ps中獲得的操作效果基本上與圖5B中的采樣周期Ps相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。在發(fā)射周期Pe中，以導通電平施加第n個發(fā)射信號EM(n)，且以截止電平施加第n個第一掃描信號SCAN1(n)和第n個第二掃描信號SCAN2(n)。由于在圖9的發(fā)射周期Pe中獲得的操作效果基本上與圖5C中的發(fā)射周期Pe相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。圖10為等效電路圖，示出了依據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的像素結(jié)構(gòu)。圖11為波形圖，示出了施加到圖10中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號。圖12A、12B和12C分別示出了與圖11的初始周期、采樣周期和發(fā)射周期對應(yīng)的像素的等效電路圖。參照圖10，第n像素行中的每一個像素PXL(n為自然數(shù))包括OLED、驅(qū)動TFTDT、第一TFTT1、第二TFTT2、第三TFTT3、第四TFTT4、第五TFTT5以及存儲電容器Cst。除了存儲電容器Cst的連接構(gòu)造之外，圖10中所示的像素PXL的構(gòu)造基本上與圖3中所示的PXL的構(gòu)造相同。在圖10中所示的像素PXL中，存儲電容器Cst連接在節(jié)點A和初始化電壓Vinit的輸入端之間。參照圖11，一個幀周期可以被分為：初始周期Pi，在所述初始周期Pi中，節(jié)點A和節(jié)點C被初始化；采樣周期Ps，在所述采樣周期Ps中，驅(qū)動TFTDT的閾值電壓Vth被采樣、并且被存儲在節(jié)點A中；以及發(fā)射周期Pe，在所述發(fā)射周期Pe中，驅(qū)動TFTDT的柵-源電壓Vgs被安排以包括所采樣的閾值電壓Vth，并且OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓Vgs控制后的OLED的驅(qū)動電流Ioled發(fā)光。如圖11所示，初始化操作和采樣操作兩者都是在第n水平周期Hn期間執(zhí)行的。換句話說，初始周期Pi和采樣周期Ps被包括在第n水平周期Hn中。參照圖12A，在初始周期Pi中，以導通電平施加第n個第一掃描信號SCAN1(n)和第n個第一發(fā)射信號EM1(n)，且以截止電平施加第n個第二掃描信號SCAN2(n)和第n個第二發(fā)射信號EM2(n)。由于在圖12A的初始周期Pi中獲得的操作效果基本上與圖5A中的初始周期Pi相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。參照圖12B，在采樣周期Ps中，以導通電平施加第n個第一掃描信號SCAN1(n)和第n個第二掃描信號SCAN2(n)，且以截止電平施加第n個第一發(fā)射信號EM1(n)和第n個第二發(fā)射信號EM2(n)。由于在圖12B的采樣周期Ps中獲得的操作效果基本上與圖5B中的采樣周期Ps相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。發(fā)射周期Pe對應(yīng)于一個幀周期中的除了初始周期Pi和采樣周期Ps之外的剩余時期。參照圖12C，在發(fā)射周期Pe中，以導通電平施加第n個第一發(fā)射信號EM1(n)和第n個第二發(fā)射信號EM2(n)，且以截止電平施加第n個第一掃描信號SCAN1(n)和第n個第二掃描信號SCAN2(n)。由于在圖12C的發(fā)射周期Pe中獲得的操作效果基本上與圖5C中的發(fā)射周期Pe相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。圖13和14為等效電路圖，示出了圖10中所示的像素結(jié)構(gòu)的變型例。圖13的像素PXL與圖10的像素PXL的不同之處在于，圖13的像素PXL進一步包括第六TFTT6。在圖13的像素PXL中，第二TFTT2連接在節(jié)點E和節(jié)點C之間，所述節(jié)點E連接至存儲電容器Cst，并且第六TFTT6連接在節(jié)點E和初始化電壓Vinit的輸入端之間。第二TFTT2和第六TFTT6每一個的柵極連接至第n條第一掃描線，第n個第一掃描信號SCAN1(n)施加到所述第n條第一掃描線。圖13的像素PXL進一步包括第六TFTT6，因而提高了電路的操作穩(wěn)定性。由于圖13的像素PXL的其它部件基本上與圖10的像素PXL相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。圖14的像素PXL與圖10的像素PXL的不同之處在于，圖14的像素PXL進一步包括第七TFTT7。在圖14的像素PXL中，第二TFTT2連接在初始化電壓Vinit的輸入端和節(jié)點C之間，并且第七TFTT7連接在存儲電容器Cst和初始化電壓Vinit的輸入端之間。第二TFTT2和第七TFTT7每一個的柵極連接至第n條第一掃描線，第n個第一掃描信號SCAN1(n)施加到所述第n條第一掃描線。圖14的像素PXL進一步包括第七TFTT7，因而提高了電路的操作穩(wěn)定性。由于圖14的像素PXL其它部件基本上與圖10的像素PXL相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。圖15為等效電路圖，示出了在圖10中所示的像素結(jié)構(gòu)的另一變型例。圖16為波形圖，示出了施加到圖15中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號。對顯示面板10的像素陣列進行簡化，對于提高像素的集成集成度、更容易地執(zhí)行制造工藝、或者增加產(chǎn)量來說是很重要的。如圖15所示，第n個像素行的像素PXL可以如下構(gòu)造：第二TFTT2和第三TFTT3響應(yīng)于相同的掃描信號SCAN(n)導通或者截止，以便簡化像素陣列。為此，第二TFTT2的柵極和第三TFTT3的柵極可以連接至第n條掃描線，第n個掃描信號SCAN(n)施加到所述第n條掃描線。當通過去除一些柵極信號來減少提供柵極信號所需的信號線的數(shù)量時，可以通過信號線的數(shù)量的減少，來增加像素的孔徑比。此外，可以通過柵極信號的數(shù)量的減少，來降低產(chǎn)生柵極信號的柵極驅(qū)動電路的大小。這對實現(xiàn)窄邊框是非常重要的。由于圖15中所示的像素PXL的其它部件基本上與圖10中所示的像素PXL相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。參照圖16，一個幀周期可以被分為：初始周期Pi，在所述初始周期Pi中，節(jié)點A和節(jié)點C被初始化；采樣周期Ps，在所述采樣周期Ps中，驅(qū)動TFTDT的閾值電壓Vth被采樣，并且被存儲在節(jié)點A中；以及發(fā)射周期Pe，在所述發(fā)射周期Pe中，驅(qū)動TFTDT的柵-源電壓Vgs被安排為包括所采樣的閾值電壓Vth，并且OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓Vgs控制后的OLED的驅(qū)動電流Ioled發(fā)光。在初始周期Pi中，以導通電平施加第n個掃描信號SCAN(n)和第n個第一發(fā)射信號EM1(n)，且以截止電平施加第n個第二發(fā)射信號EM2(n)。由于在圖16的所述初始周期Pi中獲得的操作效果基本上與圖12A的初始周期Pi相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。在所述采樣周期Ps中，以導通電平施加第n個掃描信號SCAN(n)，且以截止電平施加第n個第一發(fā)射信號EM1(n)和第n個第二發(fā)射信號EM2(n)。由于在圖16的采樣周期Ps中獲得的操作效果基本上與圖12B的采樣周期Ps相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。在所述發(fā)射周期Pe中，以導通電平施加第n個第一發(fā)射信號EM1(n)和第n個第二發(fā)射信號EM2(n)，且以截止電平施加第n個掃描信號SCAN(n)。由于在圖16的所述發(fā)射周期Pe中獲得的操作效果基本上與圖12C的所述發(fā)射周期Pe相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。圖17和18為等效電路圖，示出了在圖15中所示的像素結(jié)構(gòu)的變型例。圖17的像素PXL與圖15的像素PXL的不同之處在于，圖17的像素PXL進一步包括第六TFTT6。在圖13的像素PXL中，第二TFTT2連接在節(jié)點E和節(jié)點C之間，所述節(jié)點E連接至存儲電容器Cst，并且第六TFTT6連接在節(jié)點E和初始化電壓Vinit的輸入端之間。第二TFTT2和第六TFTT6每一個的柵極連接至第n條掃描線，第n個掃描信號SCAN(n)施加到所述第n條掃描線。圖17的像素PXL進一步包括第六TFTT6，因而提高了電路的操作穩(wěn)定性。由于圖17的像素PXL的其它部件基本上與圖15的像素PXL相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。圖18的像素PXL與圖15的像素PXL的不同之處在于，圖18的像素PXL進一步包括第七TFTT7。在圖18的像素PXL中，第七TFTT7連接在存儲電容器Cst和初始化電壓Vinit的輸入端之間。第二TFTT2和第七TFTT7每一個的柵極連接至第n條掃描線，第n個掃描信號SCAN(n)施加到所述第n條掃描線。圖18的像素PXL進一步包括第七TFTT7，因而提高了電路的操作穩(wěn)定性。由于圖18的像素PXL的其它部件基本上與圖15的像素PXL相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。圖19和20為等效電路圖，示出了依據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的像素結(jié)構(gòu)。圖21為波形圖，示出了施加到圖19和20中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號。參照圖19，第n像素行中的每一個像素PXL(n為自然數(shù))包括OLED、驅(qū)動TFTDT、第一TFTT1、第二TFTT2、第三TFTT3、第四TFTT4、第五TFTT5以及存儲電容器Cst。圖19的像素PXL與圖10的像素PXL的不同之處在于，圖19的像素PXL不包括第二TFTT2，第一TFTT1和第三TFTT3是利用相同掃描信號SCAN(n)驅(qū)動的，且第四TFTT4和第五TFTT5是利用相同發(fā)射信號EM(n)驅(qū)動的。由于圖19的像素PXL與上文所述的像素結(jié)構(gòu)相比具有最小數(shù)量的TFT和最小數(shù)量的柵極信號，因此圖19的像素結(jié)構(gòu)對于提高集成度是最有利的。在圖19的像素PXL中，存儲電容器Cst連接在節(jié)點A與初始化電壓Vinit的輸入端之間。與圖19的像素PXL不同，圖20的像素PXL包括連接在節(jié)點C與低電位驅(qū)動電壓ELVSS的輸入端之間的第二TFTT2。在圖20的像素PXL中，存儲電容器Cst連接在節(jié)點A與低電位驅(qū)動電壓ELVSS的輸入端之間。圖20的像素PXL進一步包括第二TFTT2，以便在初始周期Pi中初始化節(jié)點C，由此確保操作穩(wěn)定性。在圖20的像素PXL中，由于第二TFTT2的漏極直接連接至低電位驅(qū)動電壓ELVSS的輸入端，因此可以去除提供初始化電壓Vinit所需的信號線。參照圖21，一個幀周期可以被分為：初始周期Pi，在所述初始周期Pi中，節(jié)點A和節(jié)點C被初始化；采樣周期Ps，在所述采樣周期Ps中，驅(qū)動TFTDT的閾值電壓Vth被采樣，并且被存儲在節(jié)點A中；以及發(fā)射周期Pe，在所述發(fā)射周期Pe中，驅(qū)動TFTDT的柵-源電壓Vgs被安排為包括所采樣的閾值電壓Vth，并且OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓Vgs控制后的OLED的驅(qū)動電流Ioled發(fā)光。如圖21所示，初始化操作和采樣操作兩者都是在第n水平周期Hn期間執(zhí)行。換句話說，初始周期Pi和采樣周期Ps被包括在第n水平周期Hn中。在初始周期Pi中，以導通電平施加第n個掃描信號SCAN(n)和第n個發(fā)射信號EM(n)。由于在圖21的初始周期Pi中獲得的操作效果基本上與圖12A的初始周期Pi相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。在采樣周期Ps中，以導通電平施加第n個掃描信號SCAN(n)，且以截止電平施加第n個發(fā)射信號EM(n)。由于在圖21的采樣周期Ps中獲得的操作效果基本上與圖12B中的采樣周期Ps相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。在所述發(fā)射周期Pe中，以導通電平施加第n個發(fā)射信號EM(n)，且以截止電平施加第n個掃描信號SCAN(n)。由于在圖21的發(fā)射周期Pe中獲得的操作效果基本上與圖12C中的發(fā)射周期Pe相同，因此可以簡化或者可以完全省略進一步的說明。圖22到24為等效電路圖，示出了在圖19和20中所示的像素結(jié)構(gòu)的變型例。圖25為波形圖，示出了施加到圖22到24中所示像素的數(shù)據(jù)信號和柵極信號。圖22的像素PXL與圖19的像素PXL相比進一步包括第六TFTT6，且圖24的像素PXL與圖20的像素PXL相比進一步包括第六TFTT6。第六TFTT6包括與高電位驅(qū)動電壓ELVDD的輸入端連接的漏極、以及與節(jié)點A連接的源極。第六TFTT6的柵極連接至第(n-1)條掃描線，第(n-1)個掃描信號SCAN(n-1)施加到所述第(n-1)條掃描線，從而在第(n-1)水平周期Hn-1中執(zhí)行初始化操作。結(jié)果，如圖25所示，由于將第n水平周期Hn的整個期間分配給圖22和24的像素PXL的采樣操作，因此能夠充分地確保采樣周期Ps，并且能夠改善采樣操作的可靠性。在圖22的像素PXL中，存儲電容器Cst連接在節(jié)點A與初始化電壓Vinit的輸入端之間。在圖24的像素PXL中，存儲電容器Cst連接在節(jié)點A與低電位驅(qū)動電壓ELVSS的輸入端之間。圖23的像素PXL與圖22的像素PXL的不同之處在于存儲電容器Cst的一側(cè)電極直接連接至低電位驅(qū)動電壓ELVSS的輸入端。因此，圖23的像素PXL可以去除提供初始化電壓Vinit所需的信號線。在圖22到24中所示的像素PXL中的一個像素PXL中，第一TFTT1、第二TFTT2和第三TFTT3中每一個的柵極連接至第n條掃描線，第n個掃描信號SCAN(n)施加到所述第n條掃描線；第四TFTT4和第五TFTT5中每一個的柵極連接至第n條發(fā)射線，第n個發(fā)射信號EM(n)施加到所述第n條發(fā)射線；以及第六TFTT6的柵極連接至第(n-1)條掃描線，第(n-1)個掃描信號SCAN(n-1)施加到所述第(n-1)條掃描線。參看圖25，在初始周期Pi中，以導通電平施加第(n-1)個掃描信號SCAN(n-1)和第n個發(fā)射信號EM(n)，且以截止電平施加第n個掃描信號。在采樣周期Ps中，以導通電平施加第n個掃描信號SCAN(n)，且以截止電平施加第(n-1)個掃描信號SCAN(n-1)和第n個發(fā)射信號EM(n)。在發(fā)射周期Pe中，以導通電平施加第n個發(fā)射信號EM(n)，且以截止電平施加第(n-1)個掃描信號SCAN(n-1)和第n個掃描信號SCAN(n)。初始周期Pi被包括在第(n-1)水平周期Hn-1中，且采樣周期Ps被包括在第n水平周期Hn中。圖26到28為等效電路圖，示出了水平方向上相鄰的像素彼此共享預定TFT以便提高像素集成度。圖26示出了基于圖3的像素結(jié)構(gòu)的共享結(jié)構(gòu)，圖27示出了基于圖10的像素結(jié)構(gòu)的共享結(jié)構(gòu)，且圖28示出了基于圖20的像素結(jié)構(gòu)的共享結(jié)構(gòu)。在圖26到28中，水平方向上相鄰的像素PXL1和PXL2包括連接至第一數(shù)據(jù)線14A的第一像素PXL1、和連接至與第一數(shù)據(jù)線14A相鄰的第二數(shù)據(jù)線14B的第二像素PXL2。在這種情況下，第一像素PXL1和第二像素PXL2可以彼此共享一個第四TFTT4，第四TFTT4連接在第一像素PXL1和第二像素PXL2的節(jié)點B與高電位驅(qū)動電壓ELVDD的輸入端之間，以便提高像素集成度。具體來講，第四TFTT4的漏極連接至高電位驅(qū)動電壓ELVDD的輸入端，且第四TFTT4的源極共同連接至第一像素PXL1和第二像素PXL2的節(jié)點B。因此，本發(fā)明的實施方式能夠通過所述共享結(jié)構(gòu)，將像素陣列中全部所需的第四TFTT4的數(shù)量降低到一半。此外，本技術(shù)也可被如下所述地構(gòu)造。(1)一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：顯示面板，所述顯示面板包括多個像素；柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的掃描線和發(fā)射線；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的數(shù)據(jù)線，其中，所述多個像素之中的第n像素行的每一個像素包括如下部件，其中n為自然數(shù)：有機發(fā)光二極管(OLED)，所述有機發(fā)光二極管包括陽極電極和陰極電極，所述陽極電極連接至節(jié)點C，所述陰極電極連接至低電位驅(qū)動電壓的輸入端；驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，所述驅(qū)動薄膜晶體管包括柵極、漏極和源極，所述柵極連接至節(jié)點A，所述漏極連接至節(jié)點B，所述源極連接至節(jié)點D，所述驅(qū)動薄膜晶體管用于控制施加到所述有機發(fā)光二極管的驅(qū)動電流；第一TFT連接在所述節(jié)點A和所述節(jié)點B之間；第二TFT連接至所述節(jié)點C；第三TFT連接在所述數(shù)據(jù)線和所述節(jié)點D之間；第四TFT連接在高電位驅(qū)動電壓的輸入端和所述節(jié)點B之間；第五TFT連接在所述節(jié)點D和所述節(jié)點C之間；且存儲電容器連接在所述節(jié)點A和所述節(jié)點C之間。(2)根據(jù)(1)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第二TFT連接在初始化電壓的輸入端和所述節(jié)點C之間，或者連接在低電位驅(qū)動電壓的輸入端和所述節(jié)點C之間。(3)根據(jù)(2)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT和第二TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條第一掃描線，第n個第一掃描信號施加到所述第n條第一掃描線；所述第三TFT的柵極連接至第n條第二掃描線，第n個第二掃描信號施加到所述第n條第二掃描線；所述第四TFT的柵極連接至第n條第一發(fā)射線，第n個第一發(fā)射信號施加到所述第n條第一發(fā)射線；以及所述第五TFT的柵極連接至第n條第二發(fā)射線，第n個第二發(fā)射信號施加到所述第n條第二發(fā)射線，其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第一發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第二掃描信號和所述第n個第二發(fā)射信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第二掃描信號，且以截止電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和所述第n個第二發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和所述第n個第二發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第二掃描信號。(4)根據(jù)(2)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT和第二TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條第一掃描線，第n個第一掃描信號施加到所述第n條第一掃描線；所述第三TFT的柵極連接至第n條第二掃描線，第n個第二掃描信號施加到所述第n條第二掃描線；所述第四TFT和第五TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條發(fā)射線，第n個發(fā)射信號施加到所述第n條發(fā)射線；其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第二掃描信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第二掃描信號，且以截止電平施加所述第n個發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第二掃描信號。(5)根據(jù)(3)或(4)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述初始周期被包括在第(n-1)水平周期中，且所述采樣周期被包括在第n水平周期中。(6)一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：顯示面板，所述顯示面板包括多個像素；柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的掃描線和發(fā)射線；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的數(shù)據(jù)線，其中，所述多個像素之中的第n像素行的每一個像素包括如下部件，其中n為自然數(shù)：有機發(fā)光二極管(OLED)，所述有機發(fā)光二極管包括陽極電極和陰極電極，所述陽極電極連接至節(jié)點C，所述陰極電極連接至低電位驅(qū)動電壓的輸入端；驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，所述驅(qū)動薄膜晶體管包括柵極、漏極和源極，所述柵極連接至節(jié)點A、所述漏極連接至節(jié)點B，所述源極連接至節(jié)點D，所述驅(qū)動TFT用于控制施加到所述OLED的驅(qū)動電流；第一TFT連接在所述節(jié)點A和所述節(jié)點B之間；第二TFT連接至所述節(jié)點C；第三TFT連接在所述數(shù)據(jù)線和所述節(jié)點D之間；第四TFT連接在高電位驅(qū)動電壓的輸入端和所述節(jié)點B之間；第五TFT連接在所述節(jié)點D和所述節(jié)點C之間；且存儲電容器連接在所述節(jié)點A和初始化電壓的輸入端之間。(7)根據(jù)(6)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第二TFT連接在節(jié)點E和所述節(jié)點C之間，所述節(jié)點E連接至所述存儲電容器，且其中，每一個像素進一步包括第六TFT，所述第六TFT連接在所述節(jié)點E和所述初始化電壓的輸入端之間。(8)根據(jù)(6)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第二TFT連接在所述初始化電壓的輸入端和所述節(jié)點C之間，且其中，每一個像素進一步包括第七TFT，所述第七TFT連接在所述存儲電容器和所述初始化電壓的輸入端之間。(9)根據(jù)(7)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT、第二TFT和第六TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條第一掃描線，第n個第一掃描信號施加到所述第n條第一掃描線；所述第三TFT的柵極連接至第n條第二掃描線，第n個第二掃描信號施加到所述第n條第二掃描線；所述第四TFT的柵極連接至第n條第一發(fā)射線，第n個第一發(fā)射信號施加到所述第n條第一發(fā)射線；以及所述第五TFT的柵極連接至第n條第二發(fā)射線，第n個第二發(fā)射信號施加到所述第n條第二發(fā)射線，其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第一發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第二掃描信號和所述第n個第二發(fā)射信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第二掃描信號，且以截止電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和所述第n個第二發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和第n個第二發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第二掃描信號。(10)根據(jù)(8)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT、第二TFT和第七TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條第一掃描線，第n個第一掃描信號施加到所述第n條第一掃描線；所述第三TFT的柵極連接至第n條第二掃描線，第n個第二掃描信號施加到所述第n條第二掃描線；所述第四TFT的柵極連接至第n條第一發(fā)射線，第n個第一發(fā)射信號施加到所述第n條第一發(fā)射線；以及所述第五TFT的柵極連接至第n條第二發(fā)射線，第n個第二發(fā)射信號施加到所述第n條第二發(fā)射線，其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第一發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第二掃描信號和所述第n個第二發(fā)射信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第二掃描信號，且以截止電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和所述第n個第二發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和第n個第二發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第一掃描信號和所述第n個第二掃描信號。(11)根據(jù)(6)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT、第二TFT和第三TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條掃描線，第n個掃描信號施加到所述第n條掃描線；所述第四TFT的柵極連接至第n條第一發(fā)射線，第n個第一發(fā)射信號施加到所述第n條第一發(fā)射線；所述第五TFT的柵極連接至第n條第二發(fā)射線，第n個第二發(fā)射信號施加到所述第n條第二發(fā)射線；其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號和所述第n個第一發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第二發(fā)射信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號，且以截止電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和所述第n個第二發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和所述第n個第二發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個掃描信號。(12)根據(jù)(7)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT、第二TFT、第三TFT和第六TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條掃描線，第n個掃描信號施加到所述第n條掃描線；所述第四TFT的柵極連接至第n條第一發(fā)射線，第n個第一發(fā)射信號施加到所述第n條第一發(fā)射線；所述第五TFT的柵極連接至第n條第二發(fā)射線，第n個第二發(fā)射信號施加到所述第n條第二發(fā)射線；其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號和所述第n個第一發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第二發(fā)射信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號，且以截止電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和所述第n個第二發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和所述第n個第二發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個掃描信號。(13)根據(jù)(8)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT、第二TFT、第三TFT和第七TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條掃描線，第n個掃描信號施加到所述第n條掃描線；所述第四TFT的柵極連接至第n條第一發(fā)射線，第n個第一發(fā)射信號施加到所述第n條第一發(fā)射線；所述第五TFT的柵極連接至第n條第二發(fā)射線，第n個第二發(fā)射信號施加到所述第n條第二發(fā)射線；其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號和所述第n個第一發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個第二發(fā)射信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號，且以截止電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和所述第n個第二發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個第一發(fā)射信號和所述第n個第二發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個掃描信號。(14)根據(jù)(10)至(13)中任一項所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述初始周期和所述采樣周期被包括在第n水平周期中。(15)一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：顯示面板，所述顯示面板包括多個像素；柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的掃描線和發(fā)射線；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述顯示面板的數(shù)據(jù)線，其中，多個像素之中的第n像素行的每一個像素包括如下部件，其中n為自然數(shù)：有機發(fā)光二極管(OLED)，所述有機發(fā)光二極管包括陽極電極和陰極電極，所述陽極電極連接至節(jié)點C，所述陰極電極連接至低電位驅(qū)動電壓的輸入端；驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，所述驅(qū)動薄膜晶體管包括柵極、漏極和源極，所述柵極連接至節(jié)點A、所述漏極連接至節(jié)點B且所述源極連接至節(jié)點D，所述驅(qū)動TFT用于控制施加到所述OLED的驅(qū)動電流；第一TFT連接在所述節(jié)點A和所述節(jié)點B之間；第三TFT連接在所述數(shù)據(jù)線和所述節(jié)點D之間；第四TFT連接在高電位驅(qū)動電壓的輸入端和所述節(jié)點B之間；第五TFT連接在所述節(jié)點D和所述節(jié)點C之間；且存儲電容器連接至所述節(jié)點A。(16)根據(jù)(15)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述存儲電容器連接在所述節(jié)點A和初始化電壓的輸入端之間，或者連接在所述節(jié)點A和所述低電位驅(qū)動電壓的輸入端之間。(17)根據(jù)(15)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT和第三TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條掃描線，第n個掃描信號施加到所述第n條掃描線；所述第四TFT和所述第五TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條發(fā)射線，第n個發(fā)射信號施加到所述第n條發(fā)射線，其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號和所述第n個發(fā)射信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號和，且以截止電平施加所述第n個發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個掃描信號。(18)根據(jù)(15)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，每一個像素進一步包括第二TFT，所述第二TFT連接在所述節(jié)點C和所述低電位驅(qū)動電壓的輸入端之間。(19)根據(jù)(18)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT、第二TFT和第三TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條掃描線，第n個掃描信號施加到所述第n條掃描線；所述第四TFT和所述第五TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條發(fā)射線，第n個發(fā)射信號施加到所述第n條發(fā)射線，其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號和所述第n個發(fā)射信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號和，且以截止電平施加所述第n個發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個掃描信號。(20)根據(jù)(17)或(19)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述初始周期和所述采樣周期被包括在第n水平周期中。(21)根據(jù)(15)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，每一個像素進一步包括第六TFT，所述第六TFT連接在所述高電位驅(qū)動電壓的輸入端和所述節(jié)點A之間。(22)根據(jù)(21)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT和第三TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條掃描線，第n個掃描信號施加到所述第n條掃描線；所述第四TFT和第五TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條發(fā)射線，第n個發(fā)射信號施加到所述第n條發(fā)射線；所述第六TFT的柵極連接至第(n-1)條掃描線，第(n-1)個掃描信號施加到所述第(n-1)條掃描線；其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第(n-1)個掃描信號和所述第n個發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個掃描信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號，且以截止電平施加所述第(n-1)個掃描信號和所述第n個發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第(n-1)個掃描信號和所述第n個掃描信號。(23)根據(jù)(21)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，每一個像素進一步包括第二TFT，所述第二TFT連接在所述節(jié)點C和所述低電位驅(qū)動電壓的輸入端之間。(24)根據(jù)(23)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，一個幀周期包括初始周期、采樣周期、和發(fā)射周期，在所述初始周期中，所述節(jié)點A和所述節(jié)點C被初始化，在所述采樣周期中，所述驅(qū)動TFT的閾值電壓被采樣并且被存儲在所述節(jié)點A中，在所述發(fā)射周期中，所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓被安排以包括所采樣的閾值電壓，并且所述OLED利用已基于所述安排的柵-源電壓控制后的驅(qū)動電流發(fā)光，其中，所述第一TFT、第二TFT和第三TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條掃描線，第n個掃描信號施加到所述第n條掃描線；所述第四TFT和第五TFT中的每一個TFT的柵極連接至第n條發(fā)射線，第n個發(fā)射信號施加到所述第n條發(fā)射線；所述第六TFT的柵極連接至第(n-1)條掃描線，第(n-1)個掃描信號施加到所述第(n-1)條掃描線；其中，在所述初始周期中，以導通電平施加所述第(n-1)個掃描信號和所述第n個發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第n個掃描信號，其中，在所述采樣周期中，以導通電平施加所述第n個掃描信號，且以截止電平施加所述第(n-1)個掃描信號和所述第n個發(fā)射信號，以及其中，在所述發(fā)射周期中，以導通電平施加所述第n個發(fā)射信號，且以截止電平施加所述第(n-1)個掃描信號和所述第n個掃描信號。(25)根據(jù)(22)或(24)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述初始周期被包括在第(n-1)水平周期中，且所述采樣周期被包括在第n水平周期中。(26)根據(jù)(1)、(6)或(12)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述多個像素包括第一像素和第二像素，所述數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和與所述第一數(shù)據(jù)線相鄰的第二數(shù)據(jù)線，所述第一像素連接至所述第一數(shù)據(jù)線，所述第二像素連接至所述第二數(shù)據(jù)線，且其中，所述第一像素和所述第二像素彼此共享所述第四TFT。(27)根據(jù)(1)、(6)或(12)所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，每一個像素被如下構(gòu)造：源極或漏極連接至所述存儲電容器的一側(cè)電極的TFT包括至少兩個TFT，所述至少兩個TFT彼此串聯(lián)連接、并響應(yīng)于相同的控制信號而導通或截止。雖然已經(jīng)參考許多示例性實施方式對于實施方式進行了描述，應(yīng)該了解地是，可以被本領(lǐng)域技術(shù)人員設(shè)計的許多其它改良和實施方式將落在本公開內(nèi)容原理的范圍內(nèi)。更特別地是，在本公開內(nèi)容、本附圖和附加的權(quán)利要求范圍中的主體組合安排的組成部分和/或者安排中的各種變化和改良是可能的。除了在所述組成部分和/或安排中的變化和改良，可選的應(yīng)用對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也將是顯而易見的。當前第1頁1 2 3