本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置，且特別是有關(guān)于一種補償薄膜覆晶封裝(chip on film，COF)的特性阻抗的顯示裝置。

背景技術(shù)：

在一些顯示裝置中，為了符合窄邊框的需求，顯示面板是通過薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)連接至設(shè)置有時序控制器(time controller)的電路板，而驅(qū)動晶片是設(shè)置在薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)上。一般來說若要量測驅(qū)動晶片的效能，則測試點應(yīng)該位于驅(qū)動晶片上，但由于要在薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)上量測訊號并不容易，因此一般都會將測試點設(shè)置于電路板上。然而，在這兩處端點所量測到的效能并不相同，通常驅(qū)動晶片實際的效能會高于所量測的效能。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員仍在尋求是否有設(shè)計能解決此問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提出一種顯示裝置，包括顯示面板、晶片、電路板與薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)。薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)是連接在顯示面板與電路板之間，而晶片是設(shè)置于薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)上。薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)包括連接至晶片的第一訊號線與第二訊號線，第一訊號線與第二訊號線之間的間距大于第一訊號線與第二訊號線的線寬。

在一實施例中，第一訊號線與第二訊號線之間的間距大于1.5倍的線寬。

在一實施例中，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)還包括第一地線與第二地線。第一地線設(shè)置于第一訊號線相對于第二訊號線的另一側(cè)，第二地線設(shè)置于第二訊號線相對于第一訊號線的另一側(cè)。第一訊號線與第一地線之間的第一間距大于上述的線寬，并且第二訊號線與第二地線之間的 第二間距也大于線寬。

在一實施例中，第一訊號線與第二訊號線之間的間距與薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)上從晶片量測至電路板的長度成正比。

在一實施例中，第一訊號線與第二訊號線之間的間距與晶片的阻抗成反比。

在一實施例中，在薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)上的每一位置上，第一訊號線與第二訊號線之間的間距與線寬都維持不變。

在一實施例中，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的特性阻抗大于顯示裝置的系統(tǒng)阻抗。

在一實施例中，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的特性阻抗大于100歐姆。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1A是根據(jù)一實施例繪示顯示面板的側(cè)視圖。

圖1B是根據(jù)一實施例繪示顯示面板的俯視圖。

圖2A與圖2B描繪了從不同端點量測到的眼圖。

圖3是根據(jù)一實施例繪示薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)上線路的示意圖。

圖4是根據(jù)一實施例繪示增加薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗之后的眼圖。

具體實施方式

關(guān)于本文中所使用的“第一”、“第二”……等，并非特別指次序或順位的意思，其僅為了區(qū)別以相同技術(shù)用語描述的元件或操作。

圖1A是根據(jù)一實施例繪示顯示面板的側(cè)視圖。圖1B是根據(jù)一實施例繪示顯示面板的俯視圖。請參照圖1A與圖1B，顯示裝置100包括顯示面板110、晶片120、薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130與電路板140。顯示裝置100可以實作為電視、手機熒幕、電腦熒幕等等，或者顯示裝置100也可以實作為半成品(例如不包括機殼)，本發(fā)明并不限制將顯示裝置100實作為什么產(chǎn)品。

顯示面板110可以為液晶(Liquid Crystal Display，LCD)顯示面板、有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示面板、或其他適合的顯示面板，本發(fā)明并不限于此。晶片120例如為閘極或源極驅(qū)動晶片，設(shè)置在薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130上。薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130是連接在顯示面板110與該電路板140之間。在一些實施例中，電路板140是通過軟排線(flexible flat cable，F(xiàn)FC)150連接至?xí)r序控制器160，但本發(fā)明并不限制電路板140的材料與設(shè)置在電路板140上的元件。

理論上，在端點151上可以量測到晶片120的效能，但由于晶片120是設(shè)置在薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130上，無法在端點151上進行量測，因此通常會選擇在測試點152量測晶片120的效能。例如，所量測到的訊號可以畫成眼圖(eye diagram)，當(dāng)此眼圖較為打開(open)時，表示效能較好，相反地若眼圖較為關(guān)閉(close)表示效能較差。圖2A繪示了從測試點152量測的眼圖，而圖2B繪示了晶片120實際上的眼圖，從圖2A與圖2B可以看出，在圖2B的眼圖較為打開，但圖2A的眼圖則較為關(guān)閉，這是因為一般來說電路板140上的阻抗較高(例如100歐姆)，但薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130與晶片120的阻抗較低，因此當(dāng)訊號從高阻抗傳輸?shù)降妥杩箷r會有反向的反射，造成了圖2A的現(xiàn)象。在此實施例中，便是要提高薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗，使得圖2A的問題可以獲得改善。

圖3是根據(jù)一實施例繪示薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)上線路的示意圖，值得注意的是圖3并沒有按照實際的尺寸繪示。請參照圖3，在此實施例中，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130上包括了第一訊號線320、第二訊號線330、第一地線310、第二地線340，這些訊號線是連接至晶片120。第一地線310是設(shè)置于第一訊號線320相對于第二訊號線330的另一側(cè)，而第二地線340是設(shè)置于第二訊號線330相對于第一訊號線320的另一側(cè)。第一訊號線320與第二訊號線330具有線寬W；第一訊號線320與第二訊號線330之間具有間距S；第一地線310與第一訊號線320之間具有間距S1(也稱第一間距)；第二訊號線330與第二地線340之間具有間距S2(也稱第二間距)。在此實施例中，第一訊號線320 與第二訊號線330具有相同的線寬，且第一間距S1與第二間距S2相同，但在其他實施例中這些數(shù)值也可以不相同，本發(fā)明并不限于此。

特別的是，這些線寬與間距會與薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗有關(guān)。具體來說，當(dāng)間距S越大時，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗會越大；當(dāng)線寬W越大時，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗會越小；當(dāng)?shù)谝婚g距S1與第二間距S2越大時，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗會越大。因此，若增加間距S、減少線寬W、增加間距S1、S2、或其組合都可以增加薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗。

在一些實施例中，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130并沒有設(shè)置第一地線310與第二地線340。在這些實施例中，間距S會大于線寬W。在一些實施例中，間距S會大于1.5倍的線寬W。例如，線寬W可以為27納米，而間距S可以為189納米。如果薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130上設(shè)置有第一地線310與第二地線340，在一些實施例中，間距S會大于線寬W，并且間距S1、S2都會大于線寬W。例如，線寬W可以為27納米，間距S可以為189納米，而間距S1、S2可以為300納米。值得注意的是，上述的線寬W、間距S、S1、S2僅為范例，本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)可通過不過量的實驗來調(diào)整出適當(dāng)?shù)木€寬W與間距S、S1、S2。

在上述實施例中是藉由調(diào)整線寬W與間距S、S1、S2來增加薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗，然而其他因素會影響所需要的調(diào)整量。例如，當(dāng)晶片120的阻抗越高時，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130便不需要太高的特性阻抗，所需要的調(diào)整量會降低，因此可以設(shè)定間距S與晶片120的阻抗成反比，以避免當(dāng)晶片120的阻抗較大時增加太多薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗，形成過度設(shè)計(over design)的情況。另外，當(dāng)薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的長度(從晶片120至電路板140的長度)較小時，則薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130本身的特性阻抗也會增加，所需要的調(diào)整量便會降低，因此可以設(shè)定間距S與薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130上從晶片120到電路板140的長度成正比。由于薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的長度會隨著顯示裝置100的尺寸改變，因此在本實施例中會根據(jù)顯示裝置100的尺寸而調(diào)整間距S。值得注意的是，在上述增加或減少間距S的實施例中，間距S還是會大于線寬W，例如大于線寬W的1.5 倍。

請參照回圖1B，在一些已知的技術(shù)中，在薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130上靠近晶片120的地方，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130上線路的間距會相對地較小。在一些實施例中，在薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的每一個位置上，上述的間距S、S1、S2與線寬W都會維持不變。但在其他實施例中，在不同的位置上也可以有不同的間距S、S1、S2與線寬W，本發(fā)明并不限于此。

以另一個角度來說，只要增加薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗，都可以改善圖2A中眼圖關(guān)閉的問題。在一些實施例中，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗是大于顯示裝置100的系統(tǒng)阻抗，例如薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗可以大于100歐姆。本領(lǐng)域技術(shù)人員，當(dāng)可理解如何改變上述的間距S、S1、S2與線寬W，使得薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗可以大于100歐姆?；蛘?，也可以使用不同的材料，讓薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗大于100歐姆，例如介電常數(shù)越大的材料會有越大的特性阻抗，但本發(fā)明并不限制薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130使用何種材料。

圖4是根據(jù)一實施例繪示增加薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗之后的眼圖。請參照圖2A與圖4，在根據(jù)上述實施例增加薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)130的特性阻抗之后，可以看出同樣從測試點152量測，但圖4的電壓差410會大于圖2A的電壓差210，表示圖4的眼圖會比圖2A的眼圖較為打開。

雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。

附圖標(biāo)記說明

100：顯示裝置

110：顯示面板

120：晶片

130：薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)

140：電路板

150：軟排線

151：端點

152：測試點

160：時序控制器

210：電壓差

310、340：地線

320、330：訊號線

410：電壓差

S、S1、S2：間距

W：線寬