有機發(fā)光顯示裝置及其修復和驅(qū)動方法
有機發(fā)光顯示裝置及其修復和驅(qū)動方法
【專利摘要】一種有機發(fā)光顯示裝置包括：在列和行中對齊的多個發(fā)光像素，每個所述發(fā)光像素包括發(fā)光裝置和聯(lián)接至所述發(fā)光裝置的第一像素電路；虛擬像素，包括位于所述發(fā)光像素的每列中的第二像素電路；以及位于每列中的修復線；其中相同的數(shù)據(jù)信號被提供給與所述修復線和聯(lián)接的所述發(fā)光像素中的一個以及與所述修復線聯(lián)接的所述虛擬像素，以及所述發(fā)光像素被配置為同時發(fā)光。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其修復和驅(qū)動方法
[0001] 相關(guān)專利申請的交叉引用
[0002] 本申請要求于2013年4月1日向韓國專利局提交的第10-2013-0035459號韓國 專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明的實施方式涉及有機發(fā)光顯示裝置、修復有機發(fā)光顯示裝置的方法和驅(qū)動 有機發(fā)光顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 如果某一像素有缺陷，則像素可能不斷地發(fā)光而不管掃描信號和數(shù)據(jù)信號的存 在。一直發(fā)光的像素被認為是亮斑(或熱斑)，并且具有高能見度，因此容易被用戶識別。由 此，具有高能見度且被看作亮點的有缺陷的像素通常被轉(zhuǎn)變成暗斑以允許有缺陷的像素更 少可能地被識別。然而，隨著像素電路的復雜性變得相對復雜，因電路缺陷引起的亮斑可能 不容易被解決。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明的實施方式提供了一種用于在面板的每列像素中形成冗余圖案和用于通 過使用冗余圖案正常地驅(qū)動有缺陷的像素的顯示裝置。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式的一個方面，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，其包括：在列 和行中對齊的多個發(fā)光像素，每個所述發(fā)光像素包括發(fā)光裝置和聯(lián)接至所述發(fā)光裝置的第 一像素電路；虛擬像素，包括位于所述發(fā)光像素的每列中的第二像素電路；以及位于每列 中的修復線；其中相同的數(shù)據(jù)信號被提供給與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素中的一個和 與所述修復線聯(lián)接的所述虛擬像素，以及所述發(fā)光像素被配置為同時發(fā)光。
[0007] 所述虛擬像素可位于第一行或最后一行。
[0008] 所述發(fā)光像素可位于顯示區(qū)域，所述虛擬像素可位于非顯示區(qū)域。
[0009] 所述第一像素電路和所述第二像素電路可具有相同的配置。
[0010] 與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素的第一像素電路可從所述發(fā)光裝置去耦。
[0011] 所述發(fā)光裝置可包括陽極、陰極和位于所述陽極與所述陰極之間的發(fā)光層，并且 與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素的第一像素電路的配線可從所述發(fā)光裝置的陽極去耦。
[0012] 聯(lián)接至所述修復線的所述發(fā)光像素可包括與所述發(fā)光裝置的陽極接觸的第一導 電單元和用于將所述第一導電單元聯(lián)接至所述修復線的第一接觸金屬，并且聯(lián)接至所述修 復線的所述虛擬像素可包括從所述第二像素電路延伸的第二導電單元和用于將所述第二 導電單元聯(lián)接至所述修復線的第二接觸金屬。
[0013] 所述第一導電單元和所述修復線可位于同一層。
[0014] 所述修復線與所述第一像素電路和所述第二像素電路的薄膜晶體管的源電極和 漏電極可位于同一層且可包括相同的材料。
[0015] 所述修復線與所述陽極可位于同一層且可包括相同的材料。
[0016] 所述有機發(fā)光顯示裝置還可包括位于所述修復線與第一導電單元之間和位于所 述修復線與第二導電單元之間的至少一個絕緣層，其中，所述第一導電單元與聯(lián)接至所述 修復線的所述發(fā)光像素的發(fā)光裝置的陽極接觸，所述第二導電單元與聯(lián)接至所述修復線的 所述虛擬像素的第二像素電路聯(lián)接，所述第一導電單元和所述第二導電單元可被激光焊接 至所述修復線。
[0017] 所述第一導電單元和所述第二導電單元與所述第一像素電路和所述第二像素電 路的薄膜晶體管的柵電極可位于同一層且可包括相同的材料，所述修復線與所述薄膜晶體 管的源電極和漏電極可位于同一層且可包括相同的材料。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式的另一方面，提供了一種驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法， 所述有機發(fā)光顯示裝置包括位于行和列中的多個發(fā)光像素，所述發(fā)光像素均包括發(fā)光裝置 和與所述發(fā)光裝置聯(lián)接的第一像素電路，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括虛擬像素，所述虛 擬像素包括位于每列中的第二像素電路和位于每列中的修復線，所述方法包括：將數(shù)據(jù)信 號順序地提供給所述發(fā)光像素和所述虛擬像素，其中將相同的數(shù)據(jù)信號提供給聯(lián)接至所述 修復線的所述發(fā)光像素中的一個和聯(lián)接至所述修復線的所述虛擬像素；以及根據(jù)與所述數(shù) 據(jù)信號對應(yīng)的驅(qū)動電流，從所述發(fā)光像素的發(fā)光裝置同時發(fā)光。
[0019] 所述虛擬像素可位于所述虛擬像素的對應(yīng)列的頂部或底部。
[0020] 在幀中，可在從發(fā)光裝置同時發(fā)光之前順序地提供數(shù)據(jù)信號。
[0021] 順序地提供數(shù)據(jù)信號和從發(fā)光裝置同時發(fā)光可部分和暫時重疊。
[0022] 根據(jù)本方面的實施方式的另一方面，提供了一種修復有機發(fā)光顯示裝置的方法， 所述有機發(fā)光顯示裝置包括位于列和行中的多個發(fā)光像素，每個所述發(fā)光像素包括發(fā)光裝 置和與所述發(fā)光裝置聯(lián)接的第一像素電路，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括虛擬像素，所述 虛擬像素包括位于每列中的第二像素電路和位于每列中的修復線，所述發(fā)光像素被配置同 時發(fā)光，所述方法包括：將所述發(fā)光像素的第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置從所述第一有缺 陷的像素的第一像素電路去耦；將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至與所述有缺陷 的像素位于同一列中的所述修復線；以及將所述修復線聯(lián)接至與所述第一有缺陷的像素位 于同一列中的第一虛擬像素的第二像素電路，以使所述第一虛擬像素接收與被提供給所述 第一有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號匹配的數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由所述修復線將與接收的數(shù)據(jù)信號對應(yīng) 的驅(qū)動電流提供給所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置、以及允許所述第一有缺陷的像素與 所述發(fā)光像素同時發(fā)光。
[0023] 將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至所述修復線可包括：在與所述第一有 缺陷的像素的發(fā)光裝置的陽極聯(lián)接的第一導電單元上形成第一接觸金屬，并且將所述修復 線聯(lián)接至所述第一虛擬像素的第二像素電路可包括：在與所述第一虛擬像素的第二像素電 路聯(lián)接的第二導電單元上形成第二接觸金屬。
[0024] 將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至所述修復線可包括：使用激光焊接將 與所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置的陽極聯(lián)接的第一導電單元電聯(lián)接至通過至少一個 絕緣層與所述第一導電單元絕緣的所述修復線，并且將所述修復線聯(lián)接至所述第一虛擬像 素的第二像素電路可包括：使用激光焊接將與所述第一虛擬像素的第二像素電路聯(lián)接的第 二導電單元電聯(lián)接至通過至少一個絕緣層與所述第二導電單元絕緣的所述修復線。
[0025] 所述方法還可包括：將與所述第一有缺陷的像素位于同一列的第二有缺陷的像素 的發(fā)光裝置從所述第一像素電路去耦；切割位于所述第一有缺陷的像素與所述第二有缺陷 的像素之間的所述修復線；以及將與所述第一有缺陷的像素位于同一列的第二虛擬像素的 第二像素電路聯(lián)接至所述修復線因切割而與所述第一有缺陷的像素電隔離的部分，以被配 置為接收與被提供給所述第二有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號匹配的數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由所述修復線 將與接收的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的驅(qū)動電流提供給所述第二有缺陷的像素的發(fā)光裝置、以及允許 所述第二有缺陷的像素與所述多個發(fā)光像素同時發(fā)光。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026] 通過參考附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，本發(fā)明的實施方式的上面和其 它方面將變得更加明顯，在附圖中：
[0027] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示裝置的框圖；
[0028] 圖2至圖4是圖1所示的顯示面板的實施例的示意圖；
[0029] 圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的發(fā)光像素的示意圖；
[0030] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的虛擬像素的示意圖；
[0031] 圖7和圖8是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的驅(qū)動顯示裝置的方法的圖示；
[0032] 圖9是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖示；
[0033] 圖10示出了具有使用圖9所示的實施方式的方法修復的像素的顯示面板的掃描 驅(qū)動單元提供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形；
[0034] 圖11是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖 示；
[0035] 圖12示出了具有使用圖11所示的實施方式的方法修復的像素的顯示面板的掃描 驅(qū)動單元提供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形；
[0036] 圖13是用于描述的根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖 示；
[0037] 圖14示出了具有圖13所示的實施方式的方法修復的像素的顯示面板的掃描驅(qū)動 單元提供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形；
[0038] 圖15是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光像素的電路圖；
[0039] 圖16是用于描述圖15所示的實施方式的驅(qū)動發(fā)光像素的方法的時序圖；
[0040] 圖17是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的發(fā)光像素的電路圖；
[0041] 圖18是用于描述驅(qū)動圖17所示的實施方式的發(fā)光像素的方法的時序圖；
[0042] 圖19是根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式的發(fā)光像素的電路圖；
[0043] 圖20是用于描述驅(qū)動圖19所示的實施方式的發(fā)光像素的方法的時序圖；
[0044] 圖21和圖22是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的修復背面發(fā)光顯示裝置中的發(fā) 光像素的方法的截面圖；
[0045] 圖23是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的聯(lián)接背面發(fā)光顯示裝置中的虛擬像素 的方法的截面圖；
[0046] 圖24是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的修復正面發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光 像素的方法的截面圖；
[0047] 圖25是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的聯(lián)接正面發(fā)光顯示裝置中的虛擬 像素的方法的截面圖；
[0048] 圖26是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復背面發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光 像素的方法的截面圖；
[0049] 圖27是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的聯(lián)接背面發(fā)光顯示裝置中的虛擬 像素的方法的截面圖；以及
[0050] 圖28是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的顯示面板的示意圖。
【具體實施方式】
[0051] 下文通過參考【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的示例性實施方式詳細描述本發(fā)明的實施方式。至 始至終相似的參考標號表示相似的元件。在本發(fā)明的實施方式的下面描述中，被并入本文 的已知功能和配置的詳細描述在使本發(fā)明的主題可能更不清楚時將被省略。
[0052] 在附圖中，為了清楚起見層和區(qū)域的厚度可被夸大。將理解，當一個層被稱為"位 于"另一層或襯底"之上"時，它可直接位于另一層或襯底之上，或者也可能存在一個或多個 中間層。
[0053] 還理解，術(shù)語"包括（comprises)"和/或"包括（comprising)"在本說明書中使用 時，指定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或多個特征、整 數(shù)、步驟、操作、元件、操作和/或其組合的存在或附加、而且，術(shù)語"位于…之上"指目標的 上側(cè)或下側(cè)，不總是表示相對于重力方向的上側(cè)。
[0054] 將理解，盡管術(shù)語第一、第二等可在本文中用于描述各種元件，這些元件不應(yīng)該受 限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個元件與另一個元件。例如，第一元件可被稱為第 二元件，相似地，第二元件可被稱為第一元件，而不背離本發(fā)明的范圍。
[0055] 如本文所使用的，術(shù)語"和/或"包括所列的相關(guān)項的任意和全部組合。例如"至 少一個"的表達位于一列元件之前時修改整列元件，但不修改列中的單獨元件。
[0056] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示裝置100的框圖。
[0057] 參考圖1，顯示裝置100包括具有多個像素的顯示面板10、掃描驅(qū)動單元20、數(shù)據(jù) 驅(qū)動單元30和控制單元40。掃描驅(qū)動單元20、數(shù)據(jù)驅(qū)動單元30和控制單元40可分離地 位于不同的半導體芯片上，或者集成在一個半導體芯片上。而且，掃描驅(qū)動單元20可與顯 不面板10形成于同一襯底上。
[0058] 沿水平方向延伸的多個掃描線SL、沿堅直方向延伸且與掃描線SL垂直交叉的多 個數(shù)據(jù)線DL形成于顯示面板10。而且，基本平行于數(shù)據(jù)線DL且與數(shù)據(jù)線DL間隔開延伸并 且與掃描線SL垂直交叉的多個修復線RL形成于顯示面板10。以基本矩陣形狀/配置對齊 的多個像素 P形成于掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL和修復線RL彼此交叉的位置。
[0059] 盡管在圖1中數(shù)據(jù)線DL形成于像素 P的右側(cè)并且修復線RL形成于像素 P的左 偵牝但是本發(fā)明不限于此并且數(shù)據(jù)線DL和修復線RL的位置可交換。而且，根據(jù)像素 P的設(shè) 計，修復線RL可被形成為平行于掃描線SL，并且一個或多個修復線RL可形成于每個像素列 中。盡管在圖1中未示出，但用于提供發(fā)光控制信號的多個發(fā)光控制線、用于提供初始電壓 的初始電壓線、用于提供電源電壓的驅(qū)動電壓線等可附加地形成于顯示面板10。
[0060] 掃描驅(qū)動單元20可生成掃描信號并且經(jīng)由掃描線SL順序地將掃描信號提供給顯 示面板10。
[0061] 數(shù)據(jù)驅(qū)動單元30可經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL順序地將數(shù)據(jù)信號提供給顯示面板10。數(shù)據(jù)驅(qū) 動單元30將從控制單元40輸入且具有灰度的輸入圖像數(shù)據(jù)DATA轉(zhuǎn)變成電壓或電流數(shù)據(jù) 信號。
[0062] 控制單元40生成掃描控制信號SCS和數(shù)據(jù)控制信號DCS并且分別將它們發(fā)送至 掃描驅(qū)動單元20和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元30。如此，掃描驅(qū)動單元20順序地將掃描信號提供給掃 描線SL，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動單元30將數(shù)據(jù)信號提供給像素 P。而且，第一電源電壓ELVDD、第二 電源電壓ELVSS、發(fā)光控制信號EM、初始電壓Vint等可在控制單元40的控制下被提供給像 素 P。而且，控制單元40控制掃描驅(qū)動單元20將掃描信號提供給虛擬像素并且控制數(shù)據(jù)驅(qū) 動單元30以在掃描信號被提供給虛擬像素時將與被提供給或待被提供給有缺陷的像素的 數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號提供給虛擬像素。
[0063] 圖2至圖4是圖1所示的顯示面板的實施例的示意圖。
[0064] 參考圖2至圖4,以基本矩形形狀對齊的多個像素 P形成于顯示面板10a、10b或 10c上的多個掃描線SL與多個數(shù)據(jù)線DL和多個修復線RL交叉的位置處。像素 P包括形成 于顯示區(qū)域AA的發(fā)光像素 EP和形成于非顯示區(qū)域NA的虛擬像素 DP。非顯示區(qū)域NA可形 成于顯示區(qū)域AA上、下、或上和上的區(qū)域。如此，一個或多個虛擬像素 DP可形成于像素列 的頂部區(qū)域和底部區(qū)域的至少一個區(qū)域上的每個像素列中。
[0065] 參考圖2,顯示面板10a包括顯示區(qū)域AA和形成于顯示區(qū)域AA下方的非顯示區(qū) 域NA。第一掃描線SL1至第η掃描線SLn形成于顯示區(qū)域AA，并且第（n+1)掃描線SLn+1 形成于非顯示區(qū)域ΝΑ。第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm和第一修復線RL1至第m修復 線RLm分離地在像素列中形成于顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA。聯(lián)接至第一掃描線SL1至 第η掃描線SLn和第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm的多個發(fā)光像素 EP形成于顯示區(qū)域 AA。聯(lián)接至第（n+1)掃描線SLn+Ι和第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm的多個虛擬像素 DP 形成于非顯示區(qū)域NA。
[0066] 參考圖3,顯示面板10b包括顯示區(qū)域AA和形成于顯示區(qū)域AA上方的非顯示區(qū)域 NA。在第0掃描線SL0至第η掃描線SLn中，第一掃描線SL1至第η掃描線SLn形成于顯 示區(qū)域AA，并且第0掃描線SL0形成于非顯示區(qū)域NA。第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm 和第一修復線RL1至第m修復線RLm分離地在像素列中形成于顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域 NA。聯(lián)接至第一掃描線SL1至第η掃描線SLn和第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm的多個 發(fā)光像素 EP形成于顯示區(qū)域AA，并且聯(lián)接至第0掃描線SL0和第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù) 線DLm的多個虛擬像素 DP形成于非顯示區(qū)域NA。
[0067] 參考圖4,顯示面板10c包括顯示區(qū)域AA和形成于顯示區(qū)域上方和下方的非顯示 區(qū)域NA。第一掃描線SL1至第η掃描線SLn形成于顯示區(qū)域AA，并且第0掃描線SL0和第 (n+1)掃描線SLn+Ι形成于非顯示區(qū)域NA。第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm和第一修復 線RL1至第m修復線RLm分別在像素列中形成于顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA。聯(lián)接至第 一掃描線SL1至第η掃描線SLn和第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm的多個發(fā)光像素 EP 形成于顯示區(qū)域AA。聯(lián)接至第0掃描線SL0和第（n+1)掃描線SLn+Ι以及第一數(shù)據(jù)線DL1 至第m數(shù)據(jù)線DLm的多個虛擬像素 DP形成于非顯示區(qū)域NA。
[0068] 圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的發(fā)光像素的示意圖。參考圖5,聯(lián)接至第i掃描 線SLi (其中i=l,…，n，n是自然數(shù)）和第j數(shù)據(jù)線DLj (其中j=l,…，m，m是自然數(shù)）的發(fā) 光像素 EPij包括像素電路PC和使用從像素電路PC接收的驅(qū)動電流發(fā)出光的發(fā)光裝置E。 像素電路PC可包括至少一個薄膜晶體管（TFT)和至少一個電容器。發(fā)光裝置E可以是有 機發(fā)光二極管（OLED)，有機發(fā)光二極管包括陽極、陰極和位于它們之間的發(fā)光層。
[0069] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的虛擬像素的示意圖。參考圖6,聯(lián)接至第k掃描 線SLk (其中k=0或η+1，η是自然數(shù)）和第j數(shù)據(jù)線DLj (其中j=l,…，m，m是自然數(shù)）的 虛擬像素 DPkj僅包括像素電路PC，不包括發(fā)光裝置E。虛擬像素 DPkj的像素電路PC與發(fā) 光像素 EPij的像素電路PC相同。
[0070] 圖7和圖8是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的驅(qū)動顯示裝置100的方法的圖 示。參考圖7,顯示裝置100在一個幀的掃描周期1 (例如，掃描（1))和發(fā)光周期2 (例如， 發(fā)光（2))被驅(qū)動。在掃描周期1中，掃描信號被順序地提供給多個掃描線，并且與數(shù)據(jù)信 號對應(yīng)的電壓被充入每個發(fā)光像素 EP的電容器中。在發(fā)光周期2中，所有發(fā)光像素 EP的 0LED接收與充入的電壓對應(yīng)的電流，并且發(fā)出與接收的電流對應(yīng)的對應(yīng)亮度的光(例如，同 時發(fā)出光)。
[0071] 如果發(fā)光像素 EP之一有缺陷，則相同列中的虛擬像素 DP被使用，在掃描周期1 中，掃描信號被順序地提供給包括與虛擬像素 DP聯(lián)接的掃描線的多個掃描線。在這種情況 下，與提供給有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號被提供給虛擬像素 DP。在發(fā)光周期 2中，所有發(fā)光像素 EP (包括有缺陷的像素)的0LED接收與充入的電壓對應(yīng)的電流，并且發(fā) 出與接收的電流對應(yīng)的對應(yīng)亮度的光(例如，同時發(fā)出光)。這里，有缺陷的像素的0LED從 虛擬像素 DP接收電流，并且發(fā)出與接收的電流對應(yīng)的亮度的光。
[0072] 掃描周期1在發(fā)光周期2之前執(zhí)行。與第N幀的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓在掃描周期 1中被充入發(fā)光像素 EP和虛擬像素 DP，并且所有發(fā)光像素 EP的0LED可在發(fā)光周期2中根 據(jù)與第N幀的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電流發(fā)出光。
[0073] 參考圖8,顯示裝置100在一個幀的掃描和發(fā)光周期3 (例如，掃描&發(fā)光（3))中 被驅(qū)動。在掃描和發(fā)光周期3中，掃描信號被順序地提供給掃描線，并且與第N幀的數(shù)據(jù)信 號對應(yīng)的電壓被充入每個發(fā)光像素 EP的電容器中。與此同時，在掃描和發(fā)光周期3中，所 有發(fā)光像素 EP的0LED接收與對應(yīng)于第（N-1)幀的數(shù)據(jù)信號的充入電壓對應(yīng)的電流，并且 發(fā)出與接收的電流對應(yīng)的對應(yīng)亮度的光(例如，同時發(fā)出光)。在掃描和發(fā)光周期3中，發(fā)光 周期可與掃描周期相同，或者可與掃描周期同時開始但在掃描周期結(jié)束之前結(jié)束。
[0074] 如果存在有缺陷的發(fā)光像素 EP，則相同列中的虛擬像素 DP被使用，在掃描和發(fā)光 周期3中，第N幀中的掃描信號和數(shù)據(jù)信號被順序地提供給包括聯(lián)接至虛擬像素 DP的掃描 線的多個掃描線。在這種情況下，與提供給有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號被提 供給虛擬像素 DP。與此同時，在掃描和發(fā)光周期3中，所有發(fā)光像素 EP (包括有缺陷的像 素）的0LED接收與對應(yīng)于第（N-1)幀的數(shù)據(jù)信號的充入電壓對應(yīng)的電流，并且發(fā)出與接收 的電流對應(yīng)的對應(yīng)亮度的光(例如，同時發(fā)出光)。這里，有缺陷的像素的0LED從虛擬像素 DP接收電流，并且發(fā)出與接收的電流對應(yīng)的亮度的光。
[0075] 盡管在圖7和圖8中在一個幀中僅執(zhí)行掃描周期和發(fā)光周期，但是在一個幀中 可附加地執(zhí)行其它周期(例如，初始化周期、用于補償閾值電壓的補償周期、發(fā)光關(guān)閉周期 等)。
[0076] 圖9是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖示。 如同圖2中所示的顯示面板10a，圖9示出了虛擬像素 DPn+Ι聯(lián)接至第一掃描線SL1至第 (n+1)掃描線SLn+Ι中的第（n+1)掃描線SLn+Ι的情況。在圖9中，為了方便起見僅示出了 第j列，并且顯示0LED作為發(fā)光裝置E。
[0077] 參考圖9,如果聯(lián)接至第i掃描線的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi有缺陷，則將聯(lián) 接至像素電路PCi的0LED從像素電路PCi去耦。為此，通過將激光束照射到用于將像素電 路PCi電聯(lián)接至0LED的切割單元130來切割切割單元130,由此將像素電路PCi與0LED電 分離。例如，可切割0LED的陽極與有缺陷的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi的連接區(qū)域，以 將像素電路PCi與0LED電隔離。
[0078] 然后，第一修復單元140a將有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED聯(lián)接至修復線RLj，并 且第二修復單元140b將虛擬像素 DPn+Ι的像素電路PCn+Ι聯(lián)接至修復線RLj。例如，有缺陷 的發(fā)光像素 EPi的0LED的陽極可聯(lián)接至修復線RL j，并且虛擬像素 DPn+Ι的像素電路PCn+1 中的TFT的一個電極可聯(lián)接至修復線RLj。如此，有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED從有缺陷 的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi去耦，并且經(jīng)由修復線RLj電聯(lián)接至虛擬像素 DPn+Ι的像 素電路PCn+1。
[0079] 圖10示出了具有使用圖9所示的方法修復的像素的顯示面板的掃描驅(qū)動單元提 供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形。
[0080] 參考圖10,在掃描周期中，第一掃描信號S1至第（n+1)掃描信號Sn+Ι被順序地提 供給第一掃描線SL1至第（n+1)掃描線SLn+Ι中的對應(yīng)掃描線。第一數(shù)據(jù)信號D1至第η數(shù) 據(jù)信號Dn與第一掃描信號S1至第（n+1)掃描信號Sn+Ι同步被順序地提供給第j數(shù)據(jù)線 DLj。在這種情況下，與提供給有缺陷的發(fā)光像素 EPi的數(shù)據(jù)信號Di相同的數(shù)據(jù)信號Di被 再次提供給虛擬像素 DPn+Ι。由此，有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED可經(jīng)由虛擬像素 DPn+1 的像素電路PCn+1和修復線RLj接收與數(shù)據(jù)信號Di對應(yīng)的電流。如此，在發(fā)光周期中，包 括有缺陷的發(fā)光像素 EPi的所有發(fā)光像素可發(fā)光(例如，可同時發(fā)光)，因此可抑制亮斑或暗 斑的生成。
[0081] 圖11是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖 示。如同圖3中所示的顯示面板10b，圖11示出了虛擬像素 DP0聯(lián)接至第0掃描線SL0至 第η掃描線SLn中的第0掃描線SL0。在圖11中，為了方便起見僅示出了第j列，并且顯示 0LED作為發(fā)光裝置E。
[0082] 參考圖11，如果聯(lián)接至第i掃描線的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi有缺陷，則將聯(lián) 接至像素電路PCi的0LED從像素電路PCi去耦。為此，通過將激光束照射到用于將像素電 路PCi聯(lián)接至0LED的切割單元130來切割切割單元130,由此將像素電路PCi與0LED電分 離。例如，可切割0LED的陽極的連接區(qū)域以與有缺陷的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi電隔 離。
[0083] 然后，第一修復單元140a將有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED聯(lián)接至修復線RLj，并 且第二修復單元140b將虛擬像素 DP0的像素電路PC0聯(lián)接至修復線RLj。例如，有缺陷的 發(fā)光像素 EPi的0LED的陽極可聯(lián)接至修復線RLj，并且虛擬像素 DP0的像素電路PC0中的 TFT的一個電極也可聯(lián)接至修復線RLj。如此，有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED從有缺陷的 發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi去耦，并且經(jīng)由修復線RLj電聯(lián)接至虛擬像素 DP0的像素電 路 PCO。
[0084] 圖12示出了具有使用圖11中所示的方法修復的像素的顯示面板的掃描驅(qū)動單元 提供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形。參考圖12,在掃描周期中，第0掃 描信號S0至第η掃描信號Sn被順序且分別地提供給第0掃描線SL0至第η掃描線SLn。 第一數(shù)據(jù)信號D1至第η數(shù)據(jù)信號Dn與第0掃描信號SO至第η掃描信號Sn同步被順序地 提供給第j數(shù)據(jù)線DLj。在這種情況下，與提供給有缺陷的發(fā)光像素 EPi的數(shù)據(jù)信號Di相 同的數(shù)據(jù)信號Di被初始提供給虛擬像素 DP0 (例如，數(shù)據(jù)信號Di在被提供給有缺陷的發(fā)光 像素 EPi之前被提供給虛擬像素 DP0)。由此，有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED可經(jīng)由虛擬 像素 DP0的像素電路PC0和修復線RLj接收與數(shù)據(jù)信號Di對應(yīng)的電流。如此，在發(fā)光周期 中，包括有缺陷的發(fā)光像素 EPi的所有發(fā)光像素可發(fā)光(例如，同時發(fā)光)，因此可抑制亮斑 或暗斑的生成。
[0085] 圖13是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖 示。如同圖4中所示的顯示面板10c，圖13示出了虛擬像素 DP0和DPn+Ι聯(lián)接至第0掃描 線SL0至第（n+1)掃描線SLn+Ι中的第0掃描線SL0和第（n+1)掃描線SLn+Ι。在圖13中， 為了方便起見僅示出了第j列，并且顯示0LED作為發(fā)光裝置E。
[0086] 參考圖13，如果聯(lián)接至第i掃描線的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi和聯(lián)接至第p掃 描線的發(fā)光像素 EPp的像素電路PCp有缺陷，則將分別聯(lián)接至像素電路PCi和PCp的0LED 從像素電路PCi和PCp去耦。為此，通過將激光束照射到用于將像素電路PCi和PCp聯(lián)接 至對應(yīng)的0LED的切割單元130來切割切割單元130,由此將像素電路PCi、PCp與0LED電 分離。例如，可切割0LED的陽極與有缺陷的發(fā)光像素 EPi、EPp的像素電路PCi、PCp的連接 區(qū)域以與0LED與像素電路PCi、PCp電隔離。
[0087] 另外，通過將激光束照射到修復線RLj的分離單元150來切割分離單元150,由 此將修復線RLj分離成上部和下部。如此，兩個虛擬像素 DP0和DPn+Ι的像素電路PC0和 PCn+Ι彼此電分離。
[0088] 然后，第一修復單元140a將有缺陷的發(fā)光像素 EPi和EPp的0LED連接至修復線 RLj的上部和下部，并且第二修復單元140b將虛擬像素 DP0和DPn+Ι的像素電路PC0和 PCn+Ι連接至修復線RLj。例如，有缺陷的發(fā)光像素 EPi和EPp的0LED的陽極可聯(lián)接至修 復線RL j，并且虛擬像素 DP0和DPn+Ι的像素電路PC0和PCn+Ι中的對應(yīng)TFT的電極可聯(lián) 接至修復線RLi。如此，有缺陷的發(fā)光像素 EPi和EPp的0LED從有缺陷的發(fā)光像素 EPi和 EPp的像素電路PCi和PCp去耦，并且經(jīng)由修復線RLj電聯(lián)接至虛擬像素 DP0和DPn+Ι的像 素電路PC0和PCn+1。
[0089] 圖14示出了具有使用圖13中所示的方法修復的像素的顯示面板的掃描驅(qū)動單 元提供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形。參考圖14,在掃描周期中，第 〇掃描信號S0至第（n+1)掃描信號Sn+Ι被順序地提供給第0掃描線SL0至第（n+1)掃描 線SLn+Ι中的對應(yīng)掃描線。第一數(shù)據(jù)信號D1至第η數(shù)據(jù)信號Dn與第0掃描信號S0至第 (n+1)掃描信號Sn+Ι同步被順序地提供給第j數(shù)據(jù)線DLj。在這種情況下，與隨后被提供 給有缺陷的發(fā)光像素 EPi的數(shù)據(jù)信號Di相同的數(shù)據(jù)信號Di被初始地提供給虛擬像素 DP0。 而且，與提供給有缺陷的發(fā)光像素 EPp的數(shù)據(jù)信號Dp相同的數(shù)據(jù)信號Dp被再次提供給虛 擬像素 DPn+1。
[0090] 由此，有缺陷的發(fā)光像素EPi的0LED可經(jīng)由虛擬像素DP0的像素電路PC0和修復 線RLj接收與數(shù)據(jù)信號Di對應(yīng)的電流。而且，有缺陷的發(fā)光像素EPp的0LED可經(jīng)由虛擬 像素DPn+Ι的像素電路PCn+Ι和修復線RLj接收與數(shù)據(jù)信號Dp對應(yīng)的電流。如此，在發(fā)光 周期中，所有發(fā)光像素(包括有缺陷的發(fā)光像素EPi和EPp)可發(fā)光(例如，同時發(fā)光)，因此 可抑制亮斑或暗斑的生成。
[0091] 圖15是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的發(fā)光像素 EP1的電路圖。圖16是用于描述驅(qū)動 圖15中所示的實施方式的發(fā)光像素 EP1的方法的時序圖。
[0092] 參考圖15,發(fā)光像素EP1包括0LED和用于向0LED提供電流的像素電路2A。盡管 在圖15中未示出，虛擬像素DPI包括像素電路2A，但是不包括0LED。
[0093] 0LED的陽極聯(lián)接至像素電路2A，0LED的陰極聯(lián)接至用于提供第二電源電壓ELVSS 的第二電源。0LED發(fā)出與從像素電路2A提供的電流對應(yīng)的亮度的光。如果發(fā)光像素EP1 被確定為有缺陷的像素，位于0LED聯(lián)接至像素電路2A的位置處或附近的切割單元130可 使用激光束被切割。
[0094] 像素電路2A包括第一晶體管TA1至第四晶體管TA4、第一電容器C1和第二電容器 C2〇
[0095] 第一晶體管TA1的柵電極從掃描線接收掃描信號，第一晶體管TA1的第一電極從 數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號D。第一晶體管TA1的第二電極聯(lián)接至第一節(jié)點N1。
[0096] 第二晶體管TA2的柵電極聯(lián)接至第二節(jié)點N2,第二晶體管TA2的第一電極從第一 電源接收第一電源電壓ELVDD，以及第二晶體管TA2的第二電極聯(lián)接至0LED的陽極。第二 晶體管TA2充當驅(qū)動晶體管。
[0097] 第一電容器C1聯(lián)接在第一節(jié)點N1與第二晶體管TA2的第一電極/第一電源之間。 第二電容器C2聯(lián)接在第一節(jié)點N1與第二節(jié)點N2之間。
[0098] 第三晶體管TA3的柵電極接收第一控制信號GC，第三晶體管TA3的第一電極聯(lián)接 至第二晶體管TA2的柵電極，以及第三晶體管TA3的第二電極聯(lián)接至0LED的陽極和第二晶 體管TA2的第二電極。
[0099] 第四晶體管TA4的柵電極接收第二控制信號SUS_ENB，第四晶體管TA4的第一電極 接收輔助電壓Vsus，以及第四晶體管TA4的第二電極聯(lián)接至數(shù)據(jù)線和第一晶體管TA1的第 一電極。
[0100] 在圖16中，假設(shè)均包括圖15中所示的像素電路2A的發(fā)光像素 EP1和虛擬像素 DPI形成于圖2中所示的顯示面板10a，并且使用圖9中所示的方法修復。
[0101] 參考圖16,多個發(fā)光像素 EP1使用同時發(fā)光方法被驅(qū)動，并且通過將每個幀劃分 成初始化周期Int、補償周期Vth、掃描/數(shù)據(jù)輸入周期Scan/Data和發(fā)光周期Emission進 行操作。在掃描/數(shù)據(jù)輸入周期Scan/Data中，掃描信號被順序輸入多個掃描線，與掃描信 號對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號被順序地輸入發(fā)光像素 EP1和虛擬像素 DPI。
[0102] 在初始化周期Int和補償周期Vth中，掃描信號被提供給(例如，被同時提供給)所 有發(fā)光像素 EP1和虛擬像素 DPI。包括在發(fā)光像素 EP1和虛擬像素 DPI的每個中的驅(qū)動晶 體管的初始和閾值電壓補償、以及每個發(fā)光像素 EP1的發(fā)光全都在一個幀中執(zhí)行。
[0103] 在初始化周期Int中，具有低電平的第一掃描信號S1至第Sn+Ι掃描信號Sn+Ι被 同時提供給所有掃描線。具有低電平的第二控制信號SUS_ENB被提供給第四晶體管TA4的 柵電極，并且數(shù)據(jù)線處于高阻抗（Hi-Z)狀態(tài)。如此，第一晶體管TA1和第四晶體管TA4導 通，因此具有高電平的輔助電壓Vsus被提供給第一節(jié)點N1，第二節(jié)點N2的電壓降低，并且 第二節(jié)點N2被維持在初始電壓Vint。然后，第二控制信號SUS_ENB從低電平改變至高電 平，第四晶體管TA4截止，并且具有高電平的數(shù)據(jù)線的輔助電壓Vsus被提供給第一節(jié)點N1。 由于第二節(jié)點N2的電壓降低，因此第二晶體管TA2導通，并且OLED的陽極的電壓被重置為 驅(qū)動電壓ELVDD的電平。
[0104] 在補償周期Vth中，具有高電平且被提供給數(shù)據(jù)線的輔助電壓Vsus被提供給第一 節(jié)點N1。第一控制信號GC以低電平被提供，因此第三晶體管TA3導通。如此，第二晶體管 TA2為二極管耦合型，因此電流流動直到與第二晶體管TA2的閾值電壓對應(yīng)的電壓被存儲 在第二電容器C2內(nèi)。然后，第二晶體管TA2截止。
[0105] 在掃描/數(shù)據(jù)輸入周期Scan/Data中，具有低電平的第一掃描信號S1至第（n+1) 掃描信號Sn+1被順序地輸入多個掃描線，因此第一晶體管TA1導通，并且數(shù)據(jù)信號被順序 地輸入聯(lián)接至每個掃描線的發(fā)光像素 EP1和虛擬像素 DPI。由此，與提供給有缺陷的發(fā)光像 素的數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號被提供給虛擬像素 DPI。如此，驅(qū)動電壓ELVDD與第一節(jié)點 N1的電壓之間的電壓差被存儲在第一電容器C1中。
[0106] 在這種情況下，順序提供的掃描信號的寬度可被提供作為2個水平周期（2H)，并 且相鄰的掃描信號的寬度(例如，第（n-1)掃描信號Sn-Ι的寬度和第η掃描信號Sn的寬度） 可重疊一個水平周期（1H)或更小。這改善了由可能因大尺寸顯示區(qū)域引起的信號線的阻 容（RC)延遲導致的充電缺乏。
[0107] 在發(fā)光周期Emission中，第一電源電壓ELVDD以高電平被提供，并且第二電源電 壓ELVSS以低電平被提供。從第一電源電壓ELVDD至0LED的陰極的電流路徑經(jīng)由第二晶 體管TA2形成，并且所有發(fā)光像素 EP1的0LED發(fā)出與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的亮度的光。在這種情 況下，有缺陷的像素的0LED因經(jīng)由修復線從虛擬像素 DPI提供的電流而發(fā)光。
[0108] 盡管在圖16中未示出，但是在第N幀的發(fā)光周期之后，為了在第（N+1)幀開始之 前插入黑色或變暗，可添加用于停止發(fā)光的發(fā)光停止周期。
[0109] 圖17是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的發(fā)光像素 EP2的電路圖。圖18是用于描述 驅(qū)動圖17中所示的實施方式的發(fā)光像素 EP2的方法的時序圖。
[0110] 參考圖17,發(fā)光像素 EP2包括0LED和用于向0LED提供電流的像素電路2B。盡管 在圖17中未示出，但是虛擬像素 DP2包括像素電路2B，但是不包括0LED。
[0111] 0LED的陽極聯(lián)接至像素電路2B，0LED的陰極聯(lián)接至用于提供第二電源電壓ELVSS 的第二電源。0LED發(fā)出與從像素電路2B提供的電流對應(yīng)的光(例如，發(fā)出預定亮度的光)。 如果發(fā)光像素 EP2被確定為有缺陷的像素，位于0LED聯(lián)接至像素電路2B區(qū)域處或附近的 切割單元130使用激光束被切割。
[0112] 像素電路2B包括第一晶體管TB1至第五晶體管TB5和第一電容器C1至第三電容 器C3。
[0113] 第一晶體管TB1的柵電極從掃描線接收掃描信號S，第一晶體管TB1的第一電極聯(lián) 接至數(shù)據(jù)線且從數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號D。第一晶體管TB1的第二電極聯(lián)接至第一節(jié)點N1。
[0114] 第二晶體管TB2的柵電極接收第一控制信號GW，第二晶體管TB2的第一電極聯(lián)接 至第一節(jié)點N1，以及第二晶體管TB2的第二電極聯(lián)接至第二節(jié)點N2。
[0115] 第三晶體管TB3的柵電極聯(lián)接至第三節(jié)點N3,第三晶體管TB3的第一電極從第一 電源接收第一電源電壓ELVDD，以及第三晶體管TB3的第二電極聯(lián)接至0LED的陽極。第三 晶體管TB3充當驅(qū)動晶體管。
[0116] 第四晶體管TB4的柵電極接收第二控制信號GC，第四晶體管TB4的第一電極聯(lián)接 至第三節(jié)點N3和第三晶體管TB3的柵電極，以及第四晶體管TB4的第二電極聯(lián)接至0LED 的陽極。
[0117] 第五晶體管TB5的柵電極接收第二控制信號GC，第五晶體管TB5的第一電極聯(lián)接 至數(shù)據(jù)線且從數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號D，以及第五晶體管TB5的第二電極聯(lián)接至第二節(jié)點N2。
[0118] 第一電容器C1聯(lián)接在第一節(jié)點N1與第五晶體管TB5的柵電極之間，第二電容器 C2聯(lián)接在第二節(jié)點N2與第一電源之間，以及第三電容器C3聯(lián)接在第二節(jié)點N2與第三節(jié)點 N3/第三晶體管TB3的柵電極之間。當?shù)谝痪w管TB1導通時，第一電容器C1充入與從數(shù) 據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號D對應(yīng)的電壓。
[0119] 在圖18中，假設(shè)均包括圖17中所示的實施方式的像素電路2B的發(fā)光像素 EP2和 虛擬像素 DP2形成于圖2中所示的顯示面板10a，并且使用圖9中所示的方法修復。
[0120] 參考圖18,多個發(fā)光像素 EP2使用同時發(fā)光方法被驅(qū)動，并且通過將每個幀劃分 成初始化周期Int、補償周期Vth、數(shù)據(jù)傳輸周期Dtrans和掃描/發(fā)光周期Scan/Emission 進行操作。在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission中，掃描信號被順序地輸入至多個掃描線，并 且與掃描信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號被順序地輸入至發(fā)光像素 EP2和虛擬像素 DP2。包括在每個 發(fā)光像素 EP2和虛擬像素 DP2中的驅(qū)動晶體管的初始化、閾值電壓補償和數(shù)據(jù)傳輸、以及每 個發(fā)光像素 EP2的發(fā)光分別在幀的劃分周期中執(zhí)行。
[0121] 在初始化周期Int中，第一電源電壓ELVDD和第二控制信號GC以低電平被提供。 數(shù)據(jù)線處于高阻抗（Hi-Z)狀態(tài)。如此，第五晶體管TB5和第四晶體管TB4導通，因此第三 晶體管TB3為二極管耦合型，并且0LED的陽極的電壓和第三節(jié)點N3的電壓被初始化至驅(qū) 動電源ELVDD的電平。
[0122] 在補償周期Vth中，第二控制信號GC以低電平被提供，并且具有高電平的輔助電 源Vsus被提供給數(shù)據(jù)線。如此，第五晶體管TB5導通，因此輔助電源Vsus被提供給第二節(jié) 點N2。而且，第四晶體管TB4導通，因此第三晶體管TB3為二極管耦合型，電流流動直到與 第三晶體管TB3的閾值電壓對應(yīng)的電壓被存儲在第三電容器C3中。然后，第三晶體管TB3 截止。
[0123] 在數(shù)據(jù)傳輸周期Dtrans中，第一電源電壓ELVDD和第二電源電壓ELVSS以它們各 自的高電平被提供，并且第一控制信號GW以低電平被提供。如此，第二晶體管TB2導通，因 此在第（N-1)幀的掃描周期中被寫入發(fā)光像素 EP2且被存儲在第一電容器C1中的數(shù)據(jù)信 號D移動至第二節(jié)點N2。由此，驅(qū)動電壓ELVDD與第二節(jié)點N2的電壓之間的電壓差被存儲 在第二電容器C2中。
[0124] 在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission中，掃描周期和發(fā)光周期同時執(zhí)行。在掃描/ 發(fā)光周期Scan/Emission中，第一電源電壓ELVDD以高電平被提供，第二電源電壓ELVSS以 低電平被提供。而且，具有低電平的第一掃描信號S1至第（n+1)掃描信號Sn+Ι被順序地 輸入對應(yīng)的掃描線，因此第一晶體管TB1導通，并且數(shù)據(jù)信號被順序地輸入與每個掃描線 聯(lián)接的發(fā)光像素 EP2和虛擬像素 DP2。在這種情況下，與提供給有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號相 同的數(shù)據(jù)信號被提供給虛擬像素 DP2。如此，與第N幀的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓被存儲在第一 電容器C1中。
[0125] 第二晶體管TB2截止以阻斷第一節(jié)點N1與第二節(jié)點N2。而且，從第一電源電壓 ELVDD至0LED的陰極的電流路徑經(jīng)由導通的第三晶體管TB3形成，并且0LED發(fā)出與在第 (N-1)幀的掃描周期被寫入發(fā)光像素 EP2且被存儲在第二電容器C2中的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的 亮度的光。在這種情況下，顯示區(qū)域AA中的所有發(fā)光像素 EP2同時發(fā)光。有缺陷的像素的 0LED因經(jīng)由修復線從虛擬像素 DP2提供的電流而發(fā)光。也就是說，在掃描/發(fā)光周期Scan/ Emission中，第N幀的數(shù)據(jù)信號根據(jù)掃描信號被順序地輸入，與此同時，顯示區(qū)域AA中的所 有發(fā)光像素 EP2發(fā)出與第（N-1)幀的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的光。
[0126] 這里，順序提供的掃描信號的寬度可被提供作為2個水平周期（2H)，并且相鄰掃 描信號的寬度(例如，第（n-Ι)掃描信號Sn-Ι的寬度和第η掃描信號Sn的寬度）可重疊一 個水平周期（1H)或更小。這解決了因根據(jù)大尺寸顯示區(qū)域的信號線的RC延遲引起的充電 缺乏。
[0127] 圖19是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的發(fā)光像素 EP3的電流圖。圖20是用于描述 驅(qū)動圖19中所示的實施方式的發(fā)光像素 EP3的方法的時序圖。
[0128] 參考圖19,發(fā)光像素 EP3包括0LED和向0LED提供電流的像素電路2C。盡管在圖 19中未示出，虛擬像素 DP3包括像素電路2C，但是不包括0LED。
[0129] 0LED的陽極聯(lián)接至像素電路2C，并且0LED的陰極聯(lián)接至用于提供第二電源電壓 ELVSS的第二電源。0LED發(fā)出與從像素電路2C提供的電流對應(yīng)的亮度的光。如果發(fā)光像 素 EP3被確定為有缺陷的像素，則位于0LED聯(lián)接至像素電路2C的位置處或附近的切割單 元130可使用激光束被切割。
[0130] 像素電路2C包括第一晶體管TC1至第八晶體管TC8以及第一電容器C1和第二電 容器C2。
[0131] 第一晶體管TC1的柵電極從掃描線接收掃描信號，第一晶體管TC1的第一電極聯(lián) 接至數(shù)據(jù)線且從數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號D，以及第一晶體管TC1的第二電極聯(lián)接至第一節(jié)點 N1。
[0132] 第二晶體管TC2的柵電極接收第一控制信號GW，第二晶體管TC2的第一電極聯(lián)接 至第一節(jié)點N1，以及第二晶體管TC2的第二節(jié)點聯(lián)接至第二節(jié)點N2。
[0133] 第三晶體管TC3的柵電極接收第二控制信號GI，第三晶體管TC3的第一電極聯(lián)接 至初始化電源且從初始化電源接收初始電壓Vint，以及第三晶體管TC3的第二電極聯(lián)接至 節(jié)點N3。
[0134] 第四晶體管TC4的柵電極接收第一控制信號GW，第四晶體管TC4的第一電極聯(lián)接 至第三節(jié)點N3,以及第四晶體管TC4的第二電極聯(lián)接至第四節(jié)點N4。
[0135] 第五晶體管TC5的柵電極也接收第二控制信號GI，第五晶體管TC5的第一電極聯(lián) 接至第一電源且從第一電源接收第一電源電壓ELVDD，以及第五晶體管TC5的第二電極聯(lián) 接至第二節(jié)點N2。
[0136] 第六晶體管TC6的柵電極聯(lián)接至第三節(jié)點N3,第六晶體管TC6的第一電極聯(lián)接至 第二節(jié)點N2,以及第六晶體管TC6的第二電極聯(lián)接至第四節(jié)點N4。第六晶體管TC6充當驅(qū) 動晶體管。
[0137] 第七晶體管TC7的柵電極接收第三控制信號GE，第七晶體管TC7的第一電極聯(lián)接 至第四節(jié)點N4,以及第七晶體管TC7的第二電極聯(lián)接至0LED的陽極。
[0138] 第八晶體管TC8的柵電極也接收第三控制信號GE，第八晶體管TC8的第一電極聯(lián) 接至第一電源且從第一電源接收第一電源電壓ELVDD，以及第八晶體管TC8的第二電極聯(lián) 接至第二節(jié)點N2。
[0139] 第一電容器C1聯(lián)接在第一節(jié)點N1與用于提供第三電源電壓Vhold的第三電源之 間。當?shù)谝痪w管TC1導通時，第一電容器C1接收/充入與從數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號D對 應(yīng)的電壓。第三電源可以是固定電壓的電源(例如，直流電源)。例如，第三電源可被設(shè)定成 用于提供第一電源電壓ELVDD的第一電源，或被設(shè)定成用于提供初始電壓Vint的初始化電 源。第二電容器C2聯(lián)接在第三節(jié)點N3與第一電源之間。
[0140] 在圖20中，假設(shè)均包括圖19中所示的像素電路2C的發(fā)光像素 EP3和虛擬像素 DP3形成于圖2中所示的顯示面板10a，并且通過使用圖9中所示的方法修復。
[0141] 參考圖20,多個發(fā)光像素 EP3使用同時發(fā)光方法被驅(qū)動，并且通過將每個幀劃分 成初始化周期Int、補償/數(shù)據(jù)傳輸周期Vth/Dtrans和掃描/發(fā)光周期Scan/Emission進 行操作。在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission中，掃描信號被順序地輸入多個掃描線，并且與 掃描信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號被順序地輸入發(fā)光像素 EP3和虛擬像素 DP3。包括在發(fā)光像素 EP3 和虛擬像素 DP3的每個中的初始、閾值電壓補償和數(shù)據(jù)傳輸以及每個發(fā)光像素 EP3的發(fā)光 全都在給定幀的對應(yīng)周期中執(zhí)行。
[0142] 在初始化周期Int中（例如，在初始化周期Int開始時)，第一電源電壓ELVDD以高 電平被提供，第二電源電壓ELVSS和第二控制信號GI以低電平被提供。如此，第三晶體管 TC3和第五晶體管TC5導通，因此第一電源電壓ELVDD被提供給第二節(jié)點N2,初始電壓Vint 被提供給第三節(jié)點N3。
[0143] 在補償/數(shù)據(jù)傳輸周期Vth/Dtrans中，第一電源電壓ELVDD、第二電源電壓ELVSS 和第一控制信號GW以低電平被提供。如此，第二晶體管TC2導通，因此，在第（N-1)幀的掃 描周期中被寫入發(fā)光像素 EP3中且被存儲在第一電容器C1中的數(shù)據(jù)信號D移動至第二節(jié) 點N2。而且，第四晶體管TC4導通，因此第六晶體管TC6為二極管耦合型，使電流流過第六 晶體管TC6,因此第六晶體管TC6的閾值電壓被補償，并且驅(qū)動電源ELVDD與第二節(jié)點N2的 電壓之間的電壓差被存儲在第二電容器C2中。
[0144] 在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission中，掃描周期和發(fā)光周期同時執(zhí)行。在掃描 /發(fā)光周期Scan/Emission中，第一電源電壓ELVDD以高電平被提供，并且第二電源電壓 ELVSS和第三控制信號GE以低電平被提供(例如，第三控制信號GE在掃描/發(fā)光周期Scan/ Emission開始時、在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission的發(fā)光周期Emission期間以低電平被 提供)。
[0145] 而且，在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission中，具有低電平的第一掃描信號S1至第 (η+l)掃描信號被順序地輸入對應(yīng)的掃描線，因此第一晶體管TC1導通，并且第N幀的數(shù)據(jù) 信號被順序地輸入聯(lián)接至每個掃描線的發(fā)光像素 EP3。在這種情況下，與被提供給有缺陷的 像素和發(fā)光像素 EP3的數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號被提供給虛擬像素 DP3。如此，與第N幀的 數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓被存儲在第一電容器C1中。
[0146] 第二晶體管TC2截止以阻斷/電隔離第一節(jié)點N1與第二節(jié)點N2。而且，第七晶 體管TC7和第八晶體管TC8導通，因此從第一電源電壓ELVDD至OLED的陰極的電流路徑經(jīng) 由導通的第六晶體管TC6、第七晶體管TC7和第八晶體管TC8形成，并且0LED發(fā)出與在第 (N-1)幀的掃描周期中被寫入發(fā)光像素 EP3中且被存儲在第二電容器C2中的數(shù)據(jù)信號對 應(yīng)的亮度的光。在這種情況下，顯示區(qū)域AA中的所有發(fā)光像素 EP3同時發(fā)光。有缺陷的像 素的0LED因經(jīng)由修復線從虛擬像素 DP3提供的電流而發(fā)光。也就是說，在掃描/發(fā)光周期 Scan/Emission中，第N幀的數(shù)據(jù)信號根據(jù)掃描信號被順序地輸入，與此同時，顯示區(qū)域AA 中的所有發(fā)光像素 EP3同時發(fā)出與第（N-1)幀的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的光。發(fā)光周期Emission可 部分地與掃描周期Scan重疊，并且可短于掃描周期Scan。
[0147] 這里，順序提供的掃描信號的寬度可被提供作為2個水平寬度（2H)，并且相鄰掃 描信號的寬度(例如，第（n-Ι)掃描信號Sn-Ι的寬度和第η掃描信號Sn的寬度）可重疊一 個水平周期或更小。這有助于避免可由大尺寸顯示區(qū)域中的信號線的RC延遲導致的充電 不足/缺乏。
[0148] 圖21和22是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的修復背面發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光 像素 EP的方法的截面圖。
[0149] 在圖21和圖22中，為了方便說明，僅示出了用于形成每個發(fā)光像素 EP中的0LED 的像素電極31、聯(lián)接至像素電路中的像素電極31的TFT。TFT可以是圖15中所示的像素電 路2A的第二晶體管TA2、圖17中所示的像素電路2B的第三晶體管TB3、或圖19中所示的 像素電路2C的第七晶體管TC7。
[0150] 參考圖21，在襯底11上形成TFT的有源層21。盡管在圖21中未示出，還可在襯 底11的頂面形成用于防止雜質(zhì)離子擴散、用于防止?jié)駳饣蛲獠靠諝鉂B入和用于平坦化表 面(例如，勢壘層、阻擋層和/或緩沖層）的輔助層。
[0151] 有源層21可包括半導體，并且可包括摻雜的離子雜質(zhì)。而且，有源層21可由氧化 物半導體形成。有源層21包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)。
[0152] 在形成有有源層21的襯底11上形成柵絕緣層GI。在柵絕緣層GI上形成柵電極 24和像素電極31。柵電極24被形成為對應(yīng)于有源層21的溝道區(qū)。
[0153] 通過在柵絕緣層GI上順序堆疊然后刻蝕第一和第二導電層來形成柵電極24和像 素電極31。柵電極24可包括由第一導電層的一部分形成的第一柵電極22和由第二導電層 的一部分形成的第二柵電極23?？捎傻谝粚щ妼釉诘诙щ妼颖徊糠忠瞥蟊┞兜牟糠?形成像素電極31。在形成有柵電極24和像素電極31的襯底11上形成層間絕緣層ILD。
[0154] 在層間絕緣層ILD上形成分別通過接觸孔與有源層21的源區(qū)和漏區(qū)接觸的源電 極25和漏電極26。源電極25和漏電極26中的一個通過位于第二導電層留在像素電極31 邊緣區(qū)域的部分上方的接觸孔接觸/電聯(lián)接至像素電極31。而且，在層間絕緣層ILD上形 成由導電材料形成的修復線RL和第一連接單元41。第一連接單元41通過接觸第二導電層 留在像素電極的(例如，與像素電極與源電極25或漏電極26接觸的邊緣區(qū)域相反的）邊緣 區(qū)域的部分電聯(lián)接至像素電極31。修復線RL和第一連接單元41可由與源電極25和漏電 極26相同的材料或不同的材料形成。
[0155] 在如上所述形成背板之后，如果像素電路被檢測和確定為有缺陷，則通過將激光 束照射到將源電極25和漏電極26中的一個聯(lián)接至像素電極31的切割單元130,將TFT與 像素電極電分離。如此，有缺陷的發(fā)光像素 EP的像素電路與像素電極31電分離。
[0156] 參考圖22,在第一修復單元140a中，通過在修復線RL和第一連接單元41上形成 第一接觸金屬CM1，將修復線RL經(jīng)由第一連接單元41電聯(lián)接至像素電極31。第一接觸金 屬CM1可使用例如化學氣相沉積（CVD)的方法形成。在修復之后，在形成有第一接觸金屬 CM1的襯底11上形成具有用于使像素電極31暴露的孔的像素限定層TOL。
[0157] 然后，在像素電極31上順序地形成包括發(fā)光層的有機層和相對電極。如果有機層 發(fā)紅光、綠光或藍光，發(fā)光層可分別被圖案化成紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層或藍光發(fā)光層。否 貝 1J，如果有機層發(fā)白光，貝1J發(fā)光層可具有紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層和藍光發(fā)光層被堆疊以發(fā) 白光的多層結(jié)構(gòu)、或包括紅光發(fā)光材料、綠光發(fā)光材料和藍光發(fā)光材料的單層結(jié)構(gòu)。相對電 極可被沉積在襯底11的整個表面，因此可被形成為公共電極。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，像 素電極31用作陽極，相對電極用作陰極。像素電極31和相對電極的極性可互換。
[0158] 圖23是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的聯(lián)接背面發(fā)光顯示裝置中的虛擬像素 DP的方法的截面圖。
[0159] 在圖23中，為了方便說明，僅示出了與虛擬像素 DP的像素電路中的修復線聯(lián)接的 TFT。虛擬像素 DP的像素電路可與圖21和圖21所示的發(fā)光像素 EP的像素電路同時形成， 并且可與圖21和圖22所示的發(fā)光像素 EP的像素電路相同的材料形成。由此，圖23中所 示的TFT可以是圖15中所示的像素電路2A的第二晶體管TA2、圖17中所示的像素電路2B 的第三晶體管TB3、或圖19中所示的像素電路2C的第七晶體管TC7。
[0160] 參考圖23,在襯底11上形成TFT的有源層51。有源層51可包括半導體并且可包 括摻雜的離子雜質(zhì)。而且，有源層51可由氧化物半導體形成。有源層51包括源區(qū)、漏區(qū)以 及位于它們之間的溝道區(qū)。在形成有有源層51的襯底11上形成柵絕緣層GI。在柵絕緣層 GI上形成柵電極54。
[0161] 在與有源層51的溝道區(qū)對應(yīng)的位置形成柵電極54。通過在柵絕緣層GI上順序堆 疊然后刻蝕第一和第二導電層來形成柵電極54。柵電極54可包括由第一導電層的一部分 形成的第一柵電極52和由第二導電層的一部分形成的第二柵電極53。在形成有柵電極54 的襯底11上形成層間絕緣層ILD。
[0162] 在層間絕緣層ILD上形成分別通過接觸孔與有源層51的源區(qū)和漏區(qū)接觸的源電 極55和漏電極56。而且，在層間絕緣層ILD上形成由導電材料形成的修復線RL和第二連 接單元61。第二連接單元61可從源電極55和漏電極56中的一個延伸。修復線RL可由與 源電極55和漏電極56相同的材料或不同的材料形成。
[0163] 在第二修復單元140b中，通過在修復線RL和第二連接單元61上形成第二接觸金 屬CM2,將修復線RL電聯(lián)接至第二連接單元61。第二接觸金屬CM2可與第一接觸金屬CM1 同時形成，可由與第一接觸金屬CM1相同的材料形成，并且可使用例如CVD的方法形成。在 形成有第二接觸金屬CM2的襯底11上形成像素限定層TOL。
[0164] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，如果在形成背板時發(fā)光像素的像素電路有缺陷，為了解 決因有缺陷的像素電路引起的亮斑，切割發(fā)光像素的像素電極與發(fā)光像素的TFT之間的連 接，并且將聯(lián)接至像素電極的連接單元聯(lián)接至修復線。還將與發(fā)光像素的像素電極聯(lián)接的 修復線聯(lián)接至虛擬像素的像素電路。如此，可將與輸入發(fā)光像素的像素電路的數(shù)據(jù)信號相 同的數(shù)據(jù)信號輸入虛擬像素的像素電路，并且發(fā)光像素的發(fā)光裝置可發(fā)出與輸入的數(shù)據(jù)信 號對應(yīng)的亮度的光。
[0165] 圖24是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的修復正面發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光像素 EP的方法的截面圖。圖25是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的聯(lián)接正面發(fā)光顯示裝置中 的虛擬像素 EP的方法的截面圖。
[0166] 在圖24和圖25中，為了方便說明，僅示出了與發(fā)光像素 EP和虛擬像素 DP的像素 電路中的修復線RL聯(lián)接的TFT。
[0167] 參考圖24和圖25,在襯底11上形成發(fā)光像素 EP的TFT的有源層21 (圖24)和虛 擬像素 DP的TFT的有源層51 (圖25)。盡管在圖24和圖25中未示出，還可在襯底11的 頂面形成用于防止雜質(zhì)離子擴散、用于防止?jié)駳饣蛲獠靠諝鉂B入和用于平坦化表面(例如， 勢壘層、阻擋層和/或緩沖層）的輔助層。
[0168] 有源層21和51可包括+導體，并且可包括慘雜的尚子雜質(zhì)。而且，有源層21和 51可由氧化物半導體形成。有源層21和51中的每個包括源區(qū)、漏區(qū)以及位于它們之間的 溝道區(qū)。在形成有有源層21和51的襯底11上形成柵絕緣層GI。
[0169] 在柵絕緣層GI上形成發(fā)光像素 EP的柵電極24和虛擬像素 DP的柵電極54。柵電 極24和54可被形成以分別對應(yīng)于有源層21和51的溝道區(qū)。在形成有柵電極24和54的 襯底11上形成層間絕緣層ILD。
[0170] 在層間絕緣層ILD上形成分別通過接觸孔與有源層21和51的源區(qū)和漏區(qū)接觸的 源和漏電極25和26、以及源和漏電極55和56。在形成有源和漏電極25和26、以及源和漏 電極55和56的襯底11上形成平坦化層PL。平坦化層PL可被形成為在與像素電極31對 應(yīng)的區(qū)域上具有壓紋表面。
[0171] 在平坦化層PL上形成發(fā)光像素 EP的像素電極31和第一連接單元41、修復線RL、 以及與源電極55和漏電極56中的一個聯(lián)接的虛擬像素 DP的第二連接單元61。第一連接 單元41可從像素電極31延伸。修復線RL可被形成為與像素電極31相鄰。修復線RL、第 二連接單元61和像素電極31可由相同的材料或不同的材料形成。像素電極31可具有根 據(jù)平坦化層PL形狀的壓紋結(jié)構(gòu)。
[0172] 在如上所述形成背板之后，如果像素電路被測試和確定為有缺陷，通過將激光束 照射到將源電極25和漏電極26中的一個聯(lián)接至像素電極31的切割單元130,將發(fā)光像素 EP的TFT與像素電極電分離。如此，將有缺陷的發(fā)光像素 EP的像素電路與像素電極31電 分離。
[0173] 而且，在第一修復單元140a中，通過使用第一接觸金屬CM1將修復線RL電聯(lián)接至 第一連接單元41。而且，在第二修復單元140b中，通過使用第二接觸金屬CM2將修復線RL 電聯(lián)接至第二連接單元61。第一接觸金屬CM1可與第二接觸金屬CM2使用例如CVD的方法 同時形成(例如，在相同的工序中)并且可由相同的材料形成。在修復之后，在形成有第一接 觸金屬CM1和第二接觸金屬CM2的襯底11上形成像素限定層TOL。
[0174] 盡管在圖24和25中未示出，在像素電極31上形成包括發(fā)光層的有機層和相對電 極。如同像素電極31，有機層和相對電極還可根據(jù)平坦化層PL的形狀而具有壓紋結(jié)構(gòu)。在 這種情況下，如果位于沿從發(fā)光層發(fā)出的光的前進方向的元件具有壓紋表面，盡管滿足全 反射條件因此發(fā)生全反射，但反射光的入射角可改變，因此可能不會發(fā)生一個元件中的連 續(xù)全反射。由此，可增加朝向用戶發(fā)射的光的量，因此可使光效率最大化。
[0175] 圖26是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復背面發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光 像素 EP的方法的截面圖。圖27是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的聯(lián)接背面發(fā)光顯 示裝置中的虛擬像素 DP的方法的截面圖。
[0176] 在圖26和圖27中，為了方便說明，僅示出了與發(fā)光像素 EP和虛擬像素 DP的像素 電路中的修復線RL聯(lián)接的TFT。圖26和圖27示出了在執(zhí)行顯示面板的可視測試之后執(zhí)行 修復的情況。
[0177] 參考圖26和圖27,在襯底11上形成發(fā)光像素 EP的TFT的有源層21和虛擬像素 DP的TFT的有源層51。盡管在圖26和圖27中未示出，還可在襯底11的頂面形成用于防止 雜質(zhì)離子擴散、用于防止?jié)駳饣蛲獠靠諝夂陀糜谄教够砻?例如，勢壘層、阻擋層和/或 緩沖層）的輔助層。
[0178] 有源層21和51可包括+導體并且可包括慘雜的尚子雜質(zhì)。而且，有源層21和51 可由氧化物半導體形成。有源層21和51中的每個包括源區(qū)、漏區(qū)和位于它們之間的溝道 區(qū)。在形成有有源層21和51的襯底11上形成柵絕緣層GI。
[0179] 在柵絕緣層GI上形成發(fā)光像素 EP的柵電極24和虛擬像素 DP的柵電極54。柵電 極24和54可被形成為分別對應(yīng)于有源層21和51的溝道區(qū)。通過在柵絕緣層GI上順序 堆疊然后刻蝕第一和第二導電層形成柵電極24和54。柵電極24和54可分別包括由第一 導電層的一部分形成的第一柵電極22和52以及由第二導電層的一部分形成的第二柵電極 23 和 53。
[0180] 而且，在柵絕緣層GI上形成發(fā)光像素 EP的像素電極31和第一連接單元41、以及 虛擬像素 DP的第二連接單元61。像素電極31可由第一導電層在第二導電層被部分移除之 后暴露的部分形成。第一連接單元41可從像素電極31延伸，并且可以是第一和第二導電 層的一部分。第二連接單元61可包括由第一導電層的一部分形成的第一層62和由第二導 電層的一部分形成的第二層63。在形成有柵電極24、54和第一和第二連接單元41、61的襯 底11上形成層間絕緣層ILD。
[0181] 在層間絕緣層ILD上形成分別通過接觸孔與有源層21和51的源區(qū)和漏區(qū)接觸的 源和漏電極25和26、以及源和漏電極55和56。而且，在層間絕緣層ILD上形成修復線RL 以至少部分地與第一連接單元41和第二連接單元61重疊。在形成有源和漏電極25和26、 源和漏電極55和56以及修復線RL的襯底11上形成像素限定層TOL。
[0182] 在可視測試之后被檢測為有缺陷的像素的發(fā)光像素 EP中，通過將激光束照射到 將源電極25和漏電極26中的一個聯(lián)接至像素電極31的切割單元130由此切割切割單元 130,將發(fā)光像素 EP的TFT與像素電極31電分離。如此，將有缺陷的發(fā)光像素 EP的像素電 路與像素電極31電分離。
[0183] 而且，通過將激光束照射到發(fā)光像素 EP的第一修復單元140a執(zhí)行激光焊接。如 此，修復線RL與第一連接單元41之間的層間絕緣層ILD破裂，因此修復線RL電聯(lián)接至第 一連接單元41。而且，通過將激光束照射到虛擬像素 DP的第二修復單元140b執(zhí)行激光焊 接。如此，修復線RL與第二連接單元61之間的層間絕緣層ILD破裂，因此修復線RL電聯(lián) 接至第二連接單元61。
[0184] 在可視測試之前或之后，在像素電極31上形成包括發(fā)光層的有機層和相對電極。 如果有機層發(fā)出紅光、綠光或藍光，發(fā)光層可分別被圖案化成紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層或藍 光發(fā)光層。否則，如果有機層發(fā)出白光，貝 1J發(fā)光層可具有紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層和藍光發(fā) 光層被堆疊以發(fā)出白光的多層結(jié)構(gòu)、或包括紅光發(fā)光材料、綠光發(fā)光材料和藍光發(fā)光材料 的單層結(jié)構(gòu)。相對電極可被沉積在襯底11的整個表面，因此可被形成為公共電極。根據(jù)本 發(fā)明的實施方式，像素電極31用作陽極，相對電極用作陰極。像素電極31和相對電極的極 性可互換。
[0185] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，當某一電路為有缺陷時，可使用修復線和激光焊接簡單 地執(zhí)行修復，因此可提高顯示裝置的產(chǎn)率。
[0186] 圖28是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的顯示面板10d的示意圖。
[0187] 參考圖28,多個掃描線SL與多個數(shù)據(jù)線DL和多個修復線RL交叉的位置處以基本 矩陣形狀對齊的多個像素 P形成于顯示面板l〇d。像素 P包括形成于顯示區(qū)域AA的發(fā)光像 素 EP和形成于非顯示區(qū)域NA的虛擬像素 DP。如此，一個或多個虛擬像素 DP可形成于像素 列的上區(qū)域或下區(qū)域的至少一個上的每個像素列中。圖28示出了虛擬像素 DP形成于像素 列的下區(qū)域的實施例。
[0188] 一個發(fā)光像素 EP包括沿列方向?qū)R的第一至第三子發(fā)光像素 SEPUSEP2和SEP3。 第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3中的每個包括像素電路PC和聯(lián)接至像素電路 PC的發(fā)光裝置E。發(fā)光裝置E可以是包括陽極、陰極以及位于陽極與陰極之間的發(fā)光層的 0LED。第一至第三子發(fā)光像素 SEPUSEP2和SEP3的像素電路PC和/或發(fā)光裝置E的尺寸 可不同。第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3共同聯(lián)接至一個掃描線(例如，第i掃 描線SLi)，并且分別聯(lián)接至第一至第三數(shù)據(jù)線DLj_l、DLj_2和DLj_3。由此，如果掃描信 號被提供給第i掃描線，數(shù)據(jù)信號分別經(jīng)由第一至第三數(shù)據(jù)線DLj_l、DLj_2和DLj_3被提 供給第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3,因此第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和 SEP3中的每個充入與所提供的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓，并且發(fā)出與充入的電壓對應(yīng)的亮度的 光。
[0189] 一個虛擬像素 DP包括沿列方向?qū)R的第一至第三子虛擬像素 SDPUSDP2和SDP3。 第一至第三虛擬電分離像素 SDP1、SDP2和SDP3中的每個僅包括像素電路PC，不包括發(fā)光 裝置E。第一至第三子虛擬子像素 SDPUSDP2和SDP3中的每個的像素電路PC與第一至第 三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3中的每個的像素電路PC相同。第一至第三子虛擬像素 SDPUSDP2和SDP3共同聯(lián)接至一個掃描線(例如，第（n+1)掃描線SLn+Ι)，并且分別聯(lián)接至 第一至第三數(shù)據(jù)線DLj_l、DLj_2和DLj_3。由此，如果掃描信號被提供給第（n+1)掃描信號 SLn+Ι，數(shù)據(jù)信號分別經(jīng)由第一至第三數(shù)據(jù)線DLj_l、DLj_2和DLj_3被提供給第一至第三子 虛擬像素 SDP1、SDP2和SDP3。
[0190] 在第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3中，如果第二子發(fā)光像素 SEP2的像 素電路PC為有缺陷，則用于將第二子發(fā)光像素 SEP2的像素電路PC聯(lián)接至發(fā)光裝置E的 切割單元130被切割，并且發(fā)光裝置E聯(lián)接至修復線RLj。而且，在第一至第三子虛擬像素 SDPUSDP2和SDP3中，與第二子發(fā)光像素 SEP2對應(yīng)的第二子虛擬像素 SDP2的像素電路PC 聯(lián)接至修復線RLj。
[0191] 如果掃描信號在掃描周期中被順序地提供給第一掃描線SL1至第η掃描線SLn， 則數(shù)據(jù)信號分別經(jīng)由第一至第三數(shù)據(jù)線DLj_l、DLj_2和DLj_3被提供給第一至第三子發(fā)光 像素 SEP1、SEP2和SEP3。如果最后一個掃描信號被提供給第（n+1)掃描線SLn+Ι，與提供 給第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3的數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號被提供給第一至 第三子虛擬像素 SDP1、SDP2和SDP3,并且根據(jù)與充入聯(lián)接至修復線RLj的第二子虛擬像素 SDP2的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓的電流經(jīng)由修復線RLj被提供給第二子發(fā)光像素 SEP2。如此， 在發(fā)光周期中，所有發(fā)光像素 EP可同時發(fā)光。
[0192] 圖28示出了當包括在一個像素中的多個子像素具有不同的特性時虛擬像素被形 成為多個子像素的實施例。然而，即使在當前的實施方式中，通過將虛擬像素形成為一個子 像素和通過校正被提供給虛擬像素的數(shù)據(jù)信號的伽瑪值，還可應(yīng)用相同的驅(qū)動原理。
[0193] 在上述實施方式中，像素電路被形成為p溝道金屬氧化物半導體（PM0S)晶體管， 并且低電平信號為使能信號而高電平信號為禁用信號。然而，通過將像素電路形成為η溝 道金屬氧化物半導體（NM0S)晶體管和通過反轉(zhuǎn)所提供的信號，也可應(yīng)用本發(fā)明的實施方 式。在這種情況下，高電平信號為使能信號，低電平信號為禁用信號。
[0194] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，TFT的工作點包括在飽和范圍內(nèi)，如果有缺陷的像素的陽 極具有高阻抗，有缺陷的像素的電流可通過預測阻抗值被校正。
[0195] 本發(fā)明的實施方式不限于上述的像素結(jié)構(gòu)和同時發(fā)光驅(qū)動，可被應(yīng)用至用于使用 各種方法同時發(fā)光的各種像素，并且當發(fā)光像素的像素電路為有缺陷時通過分離像素電路 與發(fā)光裝置和通過經(jīng)由修復線聯(lián)接虛擬像素的像素電路，可在沒有亮斑或暗斑的情況下實 現(xiàn)同時發(fā)光。
[0196] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可通過使用虛擬像素容易地修復有缺陷的像素，同時發(fā) 光驅(qū)動顯示裝置被正常地驅(qū)動而不會將亮斑變成暗斑。
[0197] 盡管本發(fā)明的實施方式已經(jīng)參考其示例性實施方式被具體示出和描述，本領(lǐng)域技 術(shù)人員將理解，可在本文中進行各種形式和細節(jié)的改變而不背離由下面的權(quán)利要求及其等 同限定的本發(fā)明的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機發(fā)光顯示裝置，包括： 在列和行中對齊的多個發(fā)光像素，每個所述發(fā)光像素包括發(fā)光裝置和聯(lián)接至所述發(fā)光 裝置的第一像素電路； 虛擬像素，包括位于所述發(fā)光像素的每列中的第二像素電路；以及 位于每列中的修復線； 其中相同的數(shù)據(jù)信號被提供給與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素中一個和與所述修 復線聯(lián)接的所述虛擬像素，以及 所述發(fā)光像素被配置為同時發(fā)光。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述虛擬像素位于第一行和最后一行 的至少一個中。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述發(fā)光像素位于顯示區(qū)域，所述虛 擬像素位于非顯示區(qū)域。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一像素電路和所述第二像素電 路具有相同的配置。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素的 第一像素電路從所述發(fā)光裝置去耦。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述發(fā)光裝置包括陽極、陰極和位于 所述陽極與所述陰極之間的發(fā)光層，以及 與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素的第一像素電路的配線從所述發(fā)光裝置的陽極去 奉禹。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中聯(lián)接至所述修復線的所述發(fā)光像素包 括與所述發(fā)光裝置的陽極接觸的第一導電單元和用于將所述第一導電單元聯(lián)接至所述修 復線的第一接觸金屬，以及 聯(lián)接至所述修復線的所述虛擬像素包括從所述第二像素電路延伸的第二導電單元和 用于將所述第二導電單元聯(lián)接至所述修復線的第二接觸金屬。
8. 如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一導電單元和所述修復線位于 同一層。
9. 如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述修復線與所述第一像素電路和所 述第二像素電路的薄膜晶體管的源電極和漏電極位于同一層且包括相同的材料。
10. 如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述修復線與所述陽極位于同一層 且包括相同的材料。
11. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括位于所述修復線與第一導電單元 之間和位于所述修復線與第二導電單元之間的至少一個絕緣層，其中，所述第一導電單元 與聯(lián)接至所述修復線的所述發(fā)光像素的發(fā)光裝置的陽極接觸，所述第二導電單元與聯(lián)接至 所述修復線的所述虛擬像素的第二像素電路聯(lián)接， 其中所述第一導電單元和所述第二導電單元被激光焊接至所述修復線。
12. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一導電單元和所述第二導電 單元與所述第一像素電路和所述第二像素電路的薄膜晶體管的柵電極位于同一層且包括 相同的材料， 所述修復線與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極位于同一層且包括相同的材料。
13. -種驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述發(fā)光顯示裝置包括位于行和列中的多個 發(fā)光像素，所述發(fā)光像素均包括發(fā)光裝置和與所述發(fā)光裝置聯(lián)接的第一像素電路，所述有 機發(fā)光顯示裝置還包括虛擬像素，所述虛擬像素包括位于每列中的第二像素電路和位于每 列中的修復線，所述方法包括： 將數(shù)據(jù)信號順序地提供給所述發(fā)光像素和所述虛擬像素，其中將相同的數(shù)據(jù)信號提供 給聯(lián)接至所述修復線的所述發(fā)光像素中的一個和聯(lián)接至所述修復線的所述虛擬像素；以及 根據(jù)與所述數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的驅(qū)動電流，從所述發(fā)光像素的發(fā)光裝置同時發(fā)光。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述虛擬像素位于所述虛擬像素的對應(yīng)列的頂部 和底部的至少之一處。
15. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中在幀中，在從發(fā)光裝置同時發(fā)光之前順序地提供 數(shù)據(jù)信號。
16. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中順序地提供數(shù)據(jù)信號和從發(fā)光裝置同時發(fā)光部分 和暫時重疊。
17. -種修復有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機發(fā)光顯示裝置包括位于列和行中的 多個發(fā)光像素，每個所述發(fā)光像素包括發(fā)光裝置和與所述發(fā)光裝置聯(lián)接的第一像素電路， 所述有機發(fā)光顯示裝置還包括虛擬像素，所述虛擬像素包括位于每列中的第二像素電路和 位于每列中的修復線，所述發(fā)光像素被配置同時發(fā)光，所述方法包括： 將所述發(fā)光像素的第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置從所述第一有缺陷的像素的第一像 素電路去耦； 將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至與所述第一有缺陷的像素位于同一列中 的修復線；以及 將所述修復線聯(lián)接至與所述第一有缺陷的像素位于同一列中的第一虛擬像素的第二 像素電路，以使所述第一虛擬像素接收與被提供給所述第一有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號匹配 的數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由所述修復線將與接收的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的驅(qū)動電流提供給所述第一有缺陷 的像素的發(fā)光裝置、以及允許所述第一有缺陷的像素與所述發(fā)光像素同時發(fā)光。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至所述 修復線包括：在與所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置的陽極聯(lián)接的第一導電單元上形成第 一接觸金屬，以及 將所述修復線聯(lián)接至所述第一虛擬像素的第二像素電路包括：在與所述第一虛擬像素 的第二像素電路聯(lián)接的第二導電單元上形成第二接觸金屬。
19. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至所述 修復線包括：使用激光焊接將與所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置的陽極聯(lián)接的第一導電 單元電聯(lián)接至通過至少一個絕緣層與所述第一導電單元絕緣的所述修復線，以及 將所述修復線聯(lián)接至所述第一虛擬像素的第二像素電路包括：使用激光焊接將與所述 第一虛擬像素的第二像素電路聯(lián)接的第二導電單元電聯(lián)接至通過至少一個絕緣層與所述 第二導電單元絕緣的所述修復線。
20. 如權(quán)利要求17所述的方法，還包括： 將與所述第一有缺陷的像素位于同一列的第二有缺陷的像素的發(fā)光裝置從所述第一 像素電路去耦； 切割位于所述第一有缺陷的像素與所述第二有缺陷的像素之間的所述修復線；以及 將與所述第一有缺陷的像素位于同一列的第二虛擬像素的第二像素電路聯(lián)接至所述 修復線因切割而與所述第一有缺陷的像素電隔離的部分，以被配置為接收與被提供給所述 第二有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號匹配的數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由所述修復線將與接收的數(shù)據(jù)信號對應(yīng) 的驅(qū)動電流提供給所述第二有缺陷的像素的發(fā)光裝置、以及允許所述第二有缺陷的像素與 所述多個發(fā)光像素同時發(fā)光。
【文檔編號】G09G3/32GK104103234SQ201410125869
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月1日
【發(fā)明者】康起寧, 金那英, 趙秀范, 李在鎬, 許命九 申請人:三星顯示有限公司
【專利摘要】一種有機發(fā)光顯示裝置包括：在列和行中對齊的多個發(fā)光像素，每個所述發(fā)光像素包括發(fā)光裝置和聯(lián)接至所述發(fā)光裝置的第一像素電路；虛擬像素，包括位于所述發(fā)光像素的每列中的第二像素電路；以及位于每列中的修復線；其中相同的數(shù)據(jù)信號被提供給與所述修復線和聯(lián)接的所述發(fā)光像素中的一個以及與所述修復線聯(lián)接的所述虛擬像素，以及所述發(fā)光像素被配置為同時發(fā)光。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其修復和驅(qū)動方法
[0001] 相關(guān)專利申請的交叉引用
[0002] 本申請要求于2013年4月1日向韓國專利局提交的第10-2013-0035459號韓國 專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明的實施方式涉及有機發(fā)光顯示裝置、修復有機發(fā)光顯示裝置的方法和驅(qū)動 有機發(fā)光顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 如果某一像素有缺陷，則像素可能不斷地發(fā)光而不管掃描信號和數(shù)據(jù)信號的存 在。一直發(fā)光的像素被認為是亮斑(或熱斑)，并且具有高能見度，因此容易被用戶識別。由 此，具有高能見度且被看作亮點的有缺陷的像素通常被轉(zhuǎn)變成暗斑以允許有缺陷的像素更 少可能地被識別。然而，隨著像素電路的復雜性變得相對復雜，因電路缺陷引起的亮斑可能 不容易被解決。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明的實施方式提供了一種用于在面板的每列像素中形成冗余圖案和用于通 過使用冗余圖案正常地驅(qū)動有缺陷的像素的顯示裝置。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式的一個方面，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，其包括：在列 和行中對齊的多個發(fā)光像素，每個所述發(fā)光像素包括發(fā)光裝置和聯(lián)接至所述發(fā)光裝置的第 一像素電路；虛擬像素，包括位于所述發(fā)光像素的每列中的第二像素電路；以及位于每列 中的修復線；其中相同的數(shù)據(jù)信號被提供給與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素中的一個和 與所述修復線聯(lián)接的所述虛擬像素，以及所述發(fā)光像素被配置為同時發(fā)光。
[0007] 所述虛擬像素可位于第一行或最后一行。
[0008] 所述發(fā)光像素可位于顯示區(qū)域，所述虛擬像素可位于非顯示區(qū)域。
[0009] 所述第一像素電路和所述第二像素電路可具有相同的配置。
[0010] 與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素的第一像素電路可從所述發(fā)光裝置去耦。
[0011] 所述發(fā)光裝置可包括陽極、陰極和位于所述陽極與所述陰極之間的發(fā)光層，并且 與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素的第一像素電路的配線可從所述發(fā)光裝置的陽極去耦。
[0012] 聯(lián)接至所述修復線的所述發(fā)光像素可包括與所述發(fā)光裝置的陽極接觸的第一導 電單元和用于將所述第一導電單元聯(lián)接至所述修復線的第一接觸金屬，并且聯(lián)接至所述修 復線的所述虛擬像素可包括從所述第二像素電路延伸的第二導電單元和用于將所述第二 導電單元聯(lián)接至所述修復線的第二接觸金屬。
[0013] 所述第一導電單元和所述修復線可位于同一層。
[0014] 所述修復線與所述第一像素電路和所述第二像素電路的薄膜晶體管的源電極和 漏電極可位于同一層且可包括相同的材料。
[0015] 所述修復線與所述陽極可位于同一層且可包括相同的材料。
[0016] 所述有機發(fā)光顯示裝置還可包括位于所述修復線與第一導電單元之間和位于所 述修復線與第二導電單元之間的至少一個絕緣層，其中，所述第一導電單元與聯(lián)接至所述 修復線的所述發(fā)光像素的發(fā)光裝置的陽極接觸，所述第二導電單元與聯(lián)接至所述修復線的 所述虛擬像素的第二像素電路聯(lián)接，所述第一導電單元和所述第二導電單元可被激光焊接 至所述修復線。
[0017] 所述第一導電單元和所述第二導電單元與所述第一像素電路和所述第二像素電 路的薄膜晶體管的柵電極可位于同一層且可包括相同的材料，所述修復線與所述薄膜晶體 管的源電極和漏電極可位于同一層且可包括相同的材料。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式的另一方面，提供了一種驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法， 所述有機發(fā)光顯示裝置包括位于行和列中的多個發(fā)光像素，所述發(fā)光像素均包括發(fā)光裝置 和與所述發(fā)光裝置聯(lián)接的第一像素電路，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括虛擬像素，所述虛 擬像素包括位于每列中的第二像素電路和位于每列中的修復線，所述方法包括：將數(shù)據(jù)信 號順序地提供給所述發(fā)光像素和所述虛擬像素，其中將相同的數(shù)據(jù)信號提供給聯(lián)接至所述 修復線的所述發(fā)光像素中的一個和聯(lián)接至所述修復線的所述虛擬像素；以及根據(jù)與所述數(shù) 據(jù)信號對應(yīng)的驅(qū)動電流，從所述發(fā)光像素的發(fā)光裝置同時發(fā)光。
[0019] 所述虛擬像素可位于所述虛擬像素的對應(yīng)列的頂部或底部。
[0020] 在幀中，可在從發(fā)光裝置同時發(fā)光之前順序地提供數(shù)據(jù)信號。
[0021] 順序地提供數(shù)據(jù)信號和從發(fā)光裝置同時發(fā)光可部分和暫時重疊。
[0022] 根據(jù)本方面的實施方式的另一方面，提供了一種修復有機發(fā)光顯示裝置的方法， 所述有機發(fā)光顯示裝置包括位于列和行中的多個發(fā)光像素，每個所述發(fā)光像素包括發(fā)光裝 置和與所述發(fā)光裝置聯(lián)接的第一像素電路，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括虛擬像素，所述 虛擬像素包括位于每列中的第二像素電路和位于每列中的修復線，所述發(fā)光像素被配置同 時發(fā)光，所述方法包括：將所述發(fā)光像素的第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置從所述第一有缺 陷的像素的第一像素電路去耦；將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至與所述有缺陷 的像素位于同一列中的所述修復線；以及將所述修復線聯(lián)接至與所述第一有缺陷的像素位 于同一列中的第一虛擬像素的第二像素電路，以使所述第一虛擬像素接收與被提供給所述 第一有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號匹配的數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由所述修復線將與接收的數(shù)據(jù)信號對應(yīng) 的驅(qū)動電流提供給所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置、以及允許所述第一有缺陷的像素與 所述發(fā)光像素同時發(fā)光。
[0023] 將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至所述修復線可包括：在與所述第一有 缺陷的像素的發(fā)光裝置的陽極聯(lián)接的第一導電單元上形成第一接觸金屬，并且將所述修復 線聯(lián)接至所述第一虛擬像素的第二像素電路可包括：在與所述第一虛擬像素的第二像素電 路聯(lián)接的第二導電單元上形成第二接觸金屬。
[0024] 將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至所述修復線可包括：使用激光焊接將 與所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置的陽極聯(lián)接的第一導電單元電聯(lián)接至通過至少一個 絕緣層與所述第一導電單元絕緣的所述修復線，并且將所述修復線聯(lián)接至所述第一虛擬像 素的第二像素電路可包括：使用激光焊接將與所述第一虛擬像素的第二像素電路聯(lián)接的第 二導電單元電聯(lián)接至通過至少一個絕緣層與所述第二導電單元絕緣的所述修復線。
[0025] 所述方法還可包括：將與所述第一有缺陷的像素位于同一列的第二有缺陷的像素 的發(fā)光裝置從所述第一像素電路去耦；切割位于所述第一有缺陷的像素與所述第二有缺陷 的像素之間的所述修復線；以及將與所述第一有缺陷的像素位于同一列的第二虛擬像素的 第二像素電路聯(lián)接至所述修復線因切割而與所述第一有缺陷的像素電隔離的部分，以被配 置為接收與被提供給所述第二有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號匹配的數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由所述修復線 將與接收的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的驅(qū)動電流提供給所述第二有缺陷的像素的發(fā)光裝置、以及允許 所述第二有缺陷的像素與所述多個發(fā)光像素同時發(fā)光。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026] 通過參考附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，本發(fā)明的實施方式的上面和其 它方面將變得更加明顯，在附圖中：
[0027] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示裝置的框圖；
[0028] 圖2至圖4是圖1所示的顯示面板的實施例的示意圖；
[0029] 圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的發(fā)光像素的示意圖；
[0030] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的虛擬像素的示意圖；
[0031] 圖7和圖8是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的驅(qū)動顯示裝置的方法的圖示；
[0032] 圖9是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖示；
[0033] 圖10示出了具有使用圖9所示的實施方式的方法修復的像素的顯示面板的掃描 驅(qū)動單元提供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形；
[0034] 圖11是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖 示；
[0035] 圖12示出了具有使用圖11所示的實施方式的方法修復的像素的顯示面板的掃描 驅(qū)動單元提供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形；
[0036] 圖13是用于描述的根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖 示；
[0037] 圖14示出了具有圖13所示的實施方式的方法修復的像素的顯示面板的掃描驅(qū)動 單元提供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形；
[0038] 圖15是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光像素的電路圖；
[0039] 圖16是用于描述圖15所示的實施方式的驅(qū)動發(fā)光像素的方法的時序圖；
[0040] 圖17是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的發(fā)光像素的電路圖；
[0041] 圖18是用于描述驅(qū)動圖17所示的實施方式的發(fā)光像素的方法的時序圖；
[0042] 圖19是根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式的發(fā)光像素的電路圖；
[0043] 圖20是用于描述驅(qū)動圖19所示的實施方式的發(fā)光像素的方法的時序圖；
[0044] 圖21和圖22是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的修復背面發(fā)光顯示裝置中的發(fā) 光像素的方法的截面圖；
[0045] 圖23是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的聯(lián)接背面發(fā)光顯示裝置中的虛擬像素 的方法的截面圖；
[0046] 圖24是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的修復正面發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光 像素的方法的截面圖；
[0047] 圖25是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的聯(lián)接正面發(fā)光顯示裝置中的虛擬 像素的方法的截面圖；
[0048] 圖26是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復背面發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光 像素的方法的截面圖；
[0049] 圖27是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的聯(lián)接背面發(fā)光顯示裝置中的虛擬 像素的方法的截面圖；以及
[0050] 圖28是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的顯示面板的示意圖。
【具體實施方式】
[0051] 下文通過參考【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的示例性實施方式詳細描述本發(fā)明的實施方式。至 始至終相似的參考標號表示相似的元件。在本發(fā)明的實施方式的下面描述中，被并入本文 的已知功能和配置的詳細描述在使本發(fā)明的主題可能更不清楚時將被省略。
[0052] 在附圖中，為了清楚起見層和區(qū)域的厚度可被夸大。將理解，當一個層被稱為"位 于"另一層或襯底"之上"時，它可直接位于另一層或襯底之上，或者也可能存在一個或多個 中間層。
[0053] 還理解，術(shù)語"包括（comprises)"和/或"包括（comprising)"在本說明書中使用 時，指定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或多個特征、整 數(shù)、步驟、操作、元件、操作和/或其組合的存在或附加、而且，術(shù)語"位于…之上"指目標的 上側(cè)或下側(cè)，不總是表示相對于重力方向的上側(cè)。
[0054] 將理解，盡管術(shù)語第一、第二等可在本文中用于描述各種元件，這些元件不應(yīng)該受 限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個元件與另一個元件。例如，第一元件可被稱為第 二元件，相似地，第二元件可被稱為第一元件，而不背離本發(fā)明的范圍。
[0055] 如本文所使用的，術(shù)語"和/或"包括所列的相關(guān)項的任意和全部組合。例如"至 少一個"的表達位于一列元件之前時修改整列元件，但不修改列中的單獨元件。
[0056] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示裝置100的框圖。
[0057] 參考圖1，顯示裝置100包括具有多個像素的顯示面板10、掃描驅(qū)動單元20、數(shù)據(jù) 驅(qū)動單元30和控制單元40。掃描驅(qū)動單元20、數(shù)據(jù)驅(qū)動單元30和控制單元40可分離地 位于不同的半導體芯片上，或者集成在一個半導體芯片上。而且，掃描驅(qū)動單元20可與顯 不面板10形成于同一襯底上。
[0058] 沿水平方向延伸的多個掃描線SL、沿堅直方向延伸且與掃描線SL垂直交叉的多 個數(shù)據(jù)線DL形成于顯示面板10。而且，基本平行于數(shù)據(jù)線DL且與數(shù)據(jù)線DL間隔開延伸并 且與掃描線SL垂直交叉的多個修復線RL形成于顯示面板10。以基本矩陣形狀/配置對齊 的多個像素 P形成于掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL和修復線RL彼此交叉的位置。
[0059] 盡管在圖1中數(shù)據(jù)線DL形成于像素 P的右側(cè)并且修復線RL形成于像素 P的左 偵牝但是本發(fā)明不限于此并且數(shù)據(jù)線DL和修復線RL的位置可交換。而且，根據(jù)像素 P的設(shè) 計，修復線RL可被形成為平行于掃描線SL，并且一個或多個修復線RL可形成于每個像素列 中。盡管在圖1中未示出，但用于提供發(fā)光控制信號的多個發(fā)光控制線、用于提供初始電壓 的初始電壓線、用于提供電源電壓的驅(qū)動電壓線等可附加地形成于顯示面板10。
[0060] 掃描驅(qū)動單元20可生成掃描信號并且經(jīng)由掃描線SL順序地將掃描信號提供給顯 示面板10。
[0061] 數(shù)據(jù)驅(qū)動單元30可經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL順序地將數(shù)據(jù)信號提供給顯示面板10。數(shù)據(jù)驅(qū) 動單元30將從控制單元40輸入且具有灰度的輸入圖像數(shù)據(jù)DATA轉(zhuǎn)變成電壓或電流數(shù)據(jù) 信號。
[0062] 控制單元40生成掃描控制信號SCS和數(shù)據(jù)控制信號DCS并且分別將它們發(fā)送至 掃描驅(qū)動單元20和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元30。如此，掃描驅(qū)動單元20順序地將掃描信號提供給掃 描線SL，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動單元30將數(shù)據(jù)信號提供給像素 P。而且，第一電源電壓ELVDD、第二 電源電壓ELVSS、發(fā)光控制信號EM、初始電壓Vint等可在控制單元40的控制下被提供給像 素 P。而且，控制單元40控制掃描驅(qū)動單元20將掃描信號提供給虛擬像素并且控制數(shù)據(jù)驅(qū) 動單元30以在掃描信號被提供給虛擬像素時將與被提供給或待被提供給有缺陷的像素的 數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號提供給虛擬像素。
[0063] 圖2至圖4是圖1所示的顯示面板的實施例的示意圖。
[0064] 參考圖2至圖4,以基本矩形形狀對齊的多個像素 P形成于顯示面板10a、10b或 10c上的多個掃描線SL與多個數(shù)據(jù)線DL和多個修復線RL交叉的位置處。像素 P包括形成 于顯示區(qū)域AA的發(fā)光像素 EP和形成于非顯示區(qū)域NA的虛擬像素 DP。非顯示區(qū)域NA可形 成于顯示區(qū)域AA上、下、或上和上的區(qū)域。如此，一個或多個虛擬像素 DP可形成于像素列 的頂部區(qū)域和底部區(qū)域的至少一個區(qū)域上的每個像素列中。
[0065] 參考圖2,顯示面板10a包括顯示區(qū)域AA和形成于顯示區(qū)域AA下方的非顯示區(qū) 域NA。第一掃描線SL1至第η掃描線SLn形成于顯示區(qū)域AA，并且第（n+1)掃描線SLn+1 形成于非顯示區(qū)域ΝΑ。第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm和第一修復線RL1至第m修復 線RLm分離地在像素列中形成于顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA。聯(lián)接至第一掃描線SL1至 第η掃描線SLn和第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm的多個發(fā)光像素 EP形成于顯示區(qū)域 AA。聯(lián)接至第（n+1)掃描線SLn+Ι和第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm的多個虛擬像素 DP 形成于非顯示區(qū)域NA。
[0066] 參考圖3,顯示面板10b包括顯示區(qū)域AA和形成于顯示區(qū)域AA上方的非顯示區(qū)域 NA。在第0掃描線SL0至第η掃描線SLn中，第一掃描線SL1至第η掃描線SLn形成于顯 示區(qū)域AA，并且第0掃描線SL0形成于非顯示區(qū)域NA。第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm 和第一修復線RL1至第m修復線RLm分離地在像素列中形成于顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域 NA。聯(lián)接至第一掃描線SL1至第η掃描線SLn和第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm的多個 發(fā)光像素 EP形成于顯示區(qū)域AA，并且聯(lián)接至第0掃描線SL0和第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù) 線DLm的多個虛擬像素 DP形成于非顯示區(qū)域NA。
[0067] 參考圖4,顯示面板10c包括顯示區(qū)域AA和形成于顯示區(qū)域上方和下方的非顯示 區(qū)域NA。第一掃描線SL1至第η掃描線SLn形成于顯示區(qū)域AA，并且第0掃描線SL0和第 (n+1)掃描線SLn+Ι形成于非顯示區(qū)域NA。第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm和第一修復 線RL1至第m修復線RLm分別在像素列中形成于顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA。聯(lián)接至第 一掃描線SL1至第η掃描線SLn和第一數(shù)據(jù)線DL1至第m數(shù)據(jù)線DLm的多個發(fā)光像素 EP 形成于顯示區(qū)域AA。聯(lián)接至第0掃描線SL0和第（n+1)掃描線SLn+Ι以及第一數(shù)據(jù)線DL1 至第m數(shù)據(jù)線DLm的多個虛擬像素 DP形成于非顯示區(qū)域NA。
[0068] 圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的發(fā)光像素的示意圖。參考圖5,聯(lián)接至第i掃描 線SLi (其中i=l,…，n，n是自然數(shù)）和第j數(shù)據(jù)線DLj (其中j=l,…，m，m是自然數(shù)）的發(fā) 光像素 EPij包括像素電路PC和使用從像素電路PC接收的驅(qū)動電流發(fā)出光的發(fā)光裝置E。 像素電路PC可包括至少一個薄膜晶體管（TFT)和至少一個電容器。發(fā)光裝置E可以是有 機發(fā)光二極管（OLED)，有機發(fā)光二極管包括陽極、陰極和位于它們之間的發(fā)光層。
[0069] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的虛擬像素的示意圖。參考圖6,聯(lián)接至第k掃描 線SLk (其中k=0或η+1，η是自然數(shù)）和第j數(shù)據(jù)線DLj (其中j=l,…，m，m是自然數(shù)）的 虛擬像素 DPkj僅包括像素電路PC，不包括發(fā)光裝置E。虛擬像素 DPkj的像素電路PC與發(fā) 光像素 EPij的像素電路PC相同。
[0070] 圖7和圖8是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的驅(qū)動顯示裝置100的方法的圖 示。參考圖7,顯示裝置100在一個幀的掃描周期1 (例如，掃描（1))和發(fā)光周期2 (例如， 發(fā)光（2))被驅(qū)動。在掃描周期1中，掃描信號被順序地提供給多個掃描線，并且與數(shù)據(jù)信 號對應(yīng)的電壓被充入每個發(fā)光像素 EP的電容器中。在發(fā)光周期2中，所有發(fā)光像素 EP的 0LED接收與充入的電壓對應(yīng)的電流，并且發(fā)出與接收的電流對應(yīng)的對應(yīng)亮度的光(例如，同 時發(fā)出光)。
[0071] 如果發(fā)光像素 EP之一有缺陷，則相同列中的虛擬像素 DP被使用，在掃描周期1 中，掃描信號被順序地提供給包括與虛擬像素 DP聯(lián)接的掃描線的多個掃描線。在這種情況 下，與提供給有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號被提供給虛擬像素 DP。在發(fā)光周期 2中，所有發(fā)光像素 EP (包括有缺陷的像素)的0LED接收與充入的電壓對應(yīng)的電流，并且發(fā) 出與接收的電流對應(yīng)的對應(yīng)亮度的光(例如，同時發(fā)出光)。這里，有缺陷的像素的0LED從 虛擬像素 DP接收電流，并且發(fā)出與接收的電流對應(yīng)的亮度的光。
[0072] 掃描周期1在發(fā)光周期2之前執(zhí)行。與第N幀的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓在掃描周期 1中被充入發(fā)光像素 EP和虛擬像素 DP，并且所有發(fā)光像素 EP的0LED可在發(fā)光周期2中根 據(jù)與第N幀的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電流發(fā)出光。
[0073] 參考圖8,顯示裝置100在一個幀的掃描和發(fā)光周期3 (例如，掃描&發(fā)光（3))中 被驅(qū)動。在掃描和發(fā)光周期3中，掃描信號被順序地提供給掃描線，并且與第N幀的數(shù)據(jù)信 號對應(yīng)的電壓被充入每個發(fā)光像素 EP的電容器中。與此同時，在掃描和發(fā)光周期3中，所 有發(fā)光像素 EP的0LED接收與對應(yīng)于第（N-1)幀的數(shù)據(jù)信號的充入電壓對應(yīng)的電流，并且 發(fā)出與接收的電流對應(yīng)的對應(yīng)亮度的光(例如，同時發(fā)出光)。在掃描和發(fā)光周期3中，發(fā)光 周期可與掃描周期相同，或者可與掃描周期同時開始但在掃描周期結(jié)束之前結(jié)束。
[0074] 如果存在有缺陷的發(fā)光像素 EP，則相同列中的虛擬像素 DP被使用，在掃描和發(fā)光 周期3中，第N幀中的掃描信號和數(shù)據(jù)信號被順序地提供給包括聯(lián)接至虛擬像素 DP的掃描 線的多個掃描線。在這種情況下，與提供給有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號被提 供給虛擬像素 DP。與此同時，在掃描和發(fā)光周期3中，所有發(fā)光像素 EP (包括有缺陷的像 素）的0LED接收與對應(yīng)于第（N-1)幀的數(shù)據(jù)信號的充入電壓對應(yīng)的電流，并且發(fā)出與接收 的電流對應(yīng)的對應(yīng)亮度的光(例如，同時發(fā)出光)。這里，有缺陷的像素的0LED從虛擬像素 DP接收電流，并且發(fā)出與接收的電流對應(yīng)的亮度的光。
[0075] 盡管在圖7和圖8中在一個幀中僅執(zhí)行掃描周期和發(fā)光周期，但是在一個幀中 可附加地執(zhí)行其它周期(例如，初始化周期、用于補償閾值電壓的補償周期、發(fā)光關(guān)閉周期 等)。
[0076] 圖9是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖示。 如同圖2中所示的顯示面板10a，圖9示出了虛擬像素 DPn+Ι聯(lián)接至第一掃描線SL1至第 (n+1)掃描線SLn+Ι中的第（n+1)掃描線SLn+Ι的情況。在圖9中，為了方便起見僅示出了 第j列，并且顯示0LED作為發(fā)光裝置E。
[0077] 參考圖9,如果聯(lián)接至第i掃描線的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi有缺陷，則將聯(lián) 接至像素電路PCi的0LED從像素電路PCi去耦。為此，通過將激光束照射到用于將像素電 路PCi電聯(lián)接至0LED的切割單元130來切割切割單元130,由此將像素電路PCi與0LED電 分離。例如，可切割0LED的陽極與有缺陷的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi的連接區(qū)域，以 將像素電路PCi與0LED電隔離。
[0078] 然后，第一修復單元140a將有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED聯(lián)接至修復線RLj，并 且第二修復單元140b將虛擬像素 DPn+Ι的像素電路PCn+Ι聯(lián)接至修復線RLj。例如，有缺陷 的發(fā)光像素 EPi的0LED的陽極可聯(lián)接至修復線RL j，并且虛擬像素 DPn+Ι的像素電路PCn+1 中的TFT的一個電極可聯(lián)接至修復線RLj。如此，有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED從有缺陷 的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi去耦，并且經(jīng)由修復線RLj電聯(lián)接至虛擬像素 DPn+Ι的像 素電路PCn+1。
[0079] 圖10示出了具有使用圖9所示的方法修復的像素的顯示面板的掃描驅(qū)動單元提 供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形。
[0080] 參考圖10,在掃描周期中，第一掃描信號S1至第（n+1)掃描信號Sn+Ι被順序地提 供給第一掃描線SL1至第（n+1)掃描線SLn+Ι中的對應(yīng)掃描線。第一數(shù)據(jù)信號D1至第η數(shù) 據(jù)信號Dn與第一掃描信號S1至第（n+1)掃描信號Sn+Ι同步被順序地提供給第j數(shù)據(jù)線 DLj。在這種情況下，與提供給有缺陷的發(fā)光像素 EPi的數(shù)據(jù)信號Di相同的數(shù)據(jù)信號Di被 再次提供給虛擬像素 DPn+Ι。由此，有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED可經(jīng)由虛擬像素 DPn+1 的像素電路PCn+1和修復線RLj接收與數(shù)據(jù)信號Di對應(yīng)的電流。如此，在發(fā)光周期中，包 括有缺陷的發(fā)光像素 EPi的所有發(fā)光像素可發(fā)光(例如，可同時發(fā)光)，因此可抑制亮斑或暗 斑的生成。
[0081] 圖11是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖 示。如同圖3中所示的顯示面板10b，圖11示出了虛擬像素 DP0聯(lián)接至第0掃描線SL0至 第η掃描線SLn中的第0掃描線SL0。在圖11中，為了方便起見僅示出了第j列，并且顯示 0LED作為發(fā)光裝置E。
[0082] 參考圖11，如果聯(lián)接至第i掃描線的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi有缺陷，則將聯(lián) 接至像素電路PCi的0LED從像素電路PCi去耦。為此，通過將激光束照射到用于將像素電 路PCi聯(lián)接至0LED的切割單元130來切割切割單元130,由此將像素電路PCi與0LED電分 離。例如，可切割0LED的陽極的連接區(qū)域以與有缺陷的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi電隔 離。
[0083] 然后，第一修復單元140a將有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED聯(lián)接至修復線RLj，并 且第二修復單元140b將虛擬像素 DP0的像素電路PC0聯(lián)接至修復線RLj。例如，有缺陷的 發(fā)光像素 EPi的0LED的陽極可聯(lián)接至修復線RLj，并且虛擬像素 DP0的像素電路PC0中的 TFT的一個電極也可聯(lián)接至修復線RLj。如此，有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED從有缺陷的 發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi去耦，并且經(jīng)由修復線RLj電聯(lián)接至虛擬像素 DP0的像素電 路 PCO。
[0084] 圖12示出了具有使用圖11中所示的方法修復的像素的顯示面板的掃描驅(qū)動單元 提供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形。參考圖12,在掃描周期中，第0掃 描信號S0至第η掃描信號Sn被順序且分別地提供給第0掃描線SL0至第η掃描線SLn。 第一數(shù)據(jù)信號D1至第η數(shù)據(jù)信號Dn與第0掃描信號SO至第η掃描信號Sn同步被順序地 提供給第j數(shù)據(jù)線DLj。在這種情況下，與提供給有缺陷的發(fā)光像素 EPi的數(shù)據(jù)信號Di相 同的數(shù)據(jù)信號Di被初始提供給虛擬像素 DP0 (例如，數(shù)據(jù)信號Di在被提供給有缺陷的發(fā)光 像素 EPi之前被提供給虛擬像素 DP0)。由此，有缺陷的發(fā)光像素 EPi的0LED可經(jīng)由虛擬 像素 DP0的像素電路PC0和修復線RLj接收與數(shù)據(jù)信號Di對應(yīng)的電流。如此，在發(fā)光周期 中，包括有缺陷的發(fā)光像素 EPi的所有發(fā)光像素可發(fā)光(例如，同時發(fā)光)，因此可抑制亮斑 或暗斑的生成。
[0085] 圖13是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復有缺陷的像素的方法的圖 示。如同圖4中所示的顯示面板10c，圖13示出了虛擬像素 DP0和DPn+Ι聯(lián)接至第0掃描 線SL0至第（n+1)掃描線SLn+Ι中的第0掃描線SL0和第（n+1)掃描線SLn+Ι。在圖13中， 為了方便起見僅示出了第j列，并且顯示0LED作為發(fā)光裝置E。
[0086] 參考圖13，如果聯(lián)接至第i掃描線的發(fā)光像素 EPi的像素電路PCi和聯(lián)接至第p掃 描線的發(fā)光像素 EPp的像素電路PCp有缺陷，則將分別聯(lián)接至像素電路PCi和PCp的0LED 從像素電路PCi和PCp去耦。為此，通過將激光束照射到用于將像素電路PCi和PCp聯(lián)接 至對應(yīng)的0LED的切割單元130來切割切割單元130,由此將像素電路PCi、PCp與0LED電 分離。例如，可切割0LED的陽極與有缺陷的發(fā)光像素 EPi、EPp的像素電路PCi、PCp的連接 區(qū)域以與0LED與像素電路PCi、PCp電隔離。
[0087] 另外，通過將激光束照射到修復線RLj的分離單元150來切割分離單元150,由 此將修復線RLj分離成上部和下部。如此，兩個虛擬像素 DP0和DPn+Ι的像素電路PC0和 PCn+Ι彼此電分離。
[0088] 然后，第一修復單元140a將有缺陷的發(fā)光像素 EPi和EPp的0LED連接至修復線 RLj的上部和下部，并且第二修復單元140b將虛擬像素 DP0和DPn+Ι的像素電路PC0和 PCn+Ι連接至修復線RLj。例如，有缺陷的發(fā)光像素 EPi和EPp的0LED的陽極可聯(lián)接至修 復線RL j，并且虛擬像素 DP0和DPn+Ι的像素電路PC0和PCn+Ι中的對應(yīng)TFT的電極可聯(lián) 接至修復線RLi。如此，有缺陷的發(fā)光像素 EPi和EPp的0LED從有缺陷的發(fā)光像素 EPi和 EPp的像素電路PCi和PCp去耦，并且經(jīng)由修復線RLj電聯(lián)接至虛擬像素 DP0和DPn+Ι的像 素電路PC0和PCn+1。
[0089] 圖14示出了具有使用圖13中所示的方法修復的像素的顯示面板的掃描驅(qū)動單 元提供的掃描信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元提供的數(shù)據(jù)信號的波形。參考圖14,在掃描周期中，第 〇掃描信號S0至第（n+1)掃描信號Sn+Ι被順序地提供給第0掃描線SL0至第（n+1)掃描 線SLn+Ι中的對應(yīng)掃描線。第一數(shù)據(jù)信號D1至第η數(shù)據(jù)信號Dn與第0掃描信號S0至第 (n+1)掃描信號Sn+Ι同步被順序地提供給第j數(shù)據(jù)線DLj。在這種情況下，與隨后被提供 給有缺陷的發(fā)光像素 EPi的數(shù)據(jù)信號Di相同的數(shù)據(jù)信號Di被初始地提供給虛擬像素 DP0。 而且，與提供給有缺陷的發(fā)光像素 EPp的數(shù)據(jù)信號Dp相同的數(shù)據(jù)信號Dp被再次提供給虛 擬像素 DPn+1。
[0090] 由此，有缺陷的發(fā)光像素EPi的0LED可經(jīng)由虛擬像素DP0的像素電路PC0和修復 線RLj接收與數(shù)據(jù)信號Di對應(yīng)的電流。而且，有缺陷的發(fā)光像素EPp的0LED可經(jīng)由虛擬 像素DPn+Ι的像素電路PCn+Ι和修復線RLj接收與數(shù)據(jù)信號Dp對應(yīng)的電流。如此，在發(fā)光 周期中，所有發(fā)光像素(包括有缺陷的發(fā)光像素EPi和EPp)可發(fā)光(例如，同時發(fā)光)，因此 可抑制亮斑或暗斑的生成。
[0091] 圖15是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的發(fā)光像素 EP1的電路圖。圖16是用于描述驅(qū)動 圖15中所示的實施方式的發(fā)光像素 EP1的方法的時序圖。
[0092] 參考圖15,發(fā)光像素EP1包括0LED和用于向0LED提供電流的像素電路2A。盡管 在圖15中未示出，虛擬像素DPI包括像素電路2A，但是不包括0LED。
[0093] 0LED的陽極聯(lián)接至像素電路2A，0LED的陰極聯(lián)接至用于提供第二電源電壓ELVSS 的第二電源。0LED發(fā)出與從像素電路2A提供的電流對應(yīng)的亮度的光。如果發(fā)光像素EP1 被確定為有缺陷的像素，位于0LED聯(lián)接至像素電路2A的位置處或附近的切割單元130可 使用激光束被切割。
[0094] 像素電路2A包括第一晶體管TA1至第四晶體管TA4、第一電容器C1和第二電容器 C2〇
[0095] 第一晶體管TA1的柵電極從掃描線接收掃描信號，第一晶體管TA1的第一電極從 數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號D。第一晶體管TA1的第二電極聯(lián)接至第一節(jié)點N1。
[0096] 第二晶體管TA2的柵電極聯(lián)接至第二節(jié)點N2,第二晶體管TA2的第一電極從第一 電源接收第一電源電壓ELVDD，以及第二晶體管TA2的第二電極聯(lián)接至0LED的陽極。第二 晶體管TA2充當驅(qū)動晶體管。
[0097] 第一電容器C1聯(lián)接在第一節(jié)點N1與第二晶體管TA2的第一電極/第一電源之間。 第二電容器C2聯(lián)接在第一節(jié)點N1與第二節(jié)點N2之間。
[0098] 第三晶體管TA3的柵電極接收第一控制信號GC，第三晶體管TA3的第一電極聯(lián)接 至第二晶體管TA2的柵電極，以及第三晶體管TA3的第二電極聯(lián)接至0LED的陽極和第二晶 體管TA2的第二電極。
[0099] 第四晶體管TA4的柵電極接收第二控制信號SUS_ENB，第四晶體管TA4的第一電極 接收輔助電壓Vsus，以及第四晶體管TA4的第二電極聯(lián)接至數(shù)據(jù)線和第一晶體管TA1的第 一電極。
[0100] 在圖16中，假設(shè)均包括圖15中所示的像素電路2A的發(fā)光像素 EP1和虛擬像素 DPI形成于圖2中所示的顯示面板10a，并且使用圖9中所示的方法修復。
[0101] 參考圖16,多個發(fā)光像素 EP1使用同時發(fā)光方法被驅(qū)動，并且通過將每個幀劃分 成初始化周期Int、補償周期Vth、掃描/數(shù)據(jù)輸入周期Scan/Data和發(fā)光周期Emission進 行操作。在掃描/數(shù)據(jù)輸入周期Scan/Data中，掃描信號被順序輸入多個掃描線，與掃描信 號對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號被順序地輸入發(fā)光像素 EP1和虛擬像素 DPI。
[0102] 在初始化周期Int和補償周期Vth中，掃描信號被提供給(例如，被同時提供給)所 有發(fā)光像素 EP1和虛擬像素 DPI。包括在發(fā)光像素 EP1和虛擬像素 DPI的每個中的驅(qū)動晶 體管的初始和閾值電壓補償、以及每個發(fā)光像素 EP1的發(fā)光全都在一個幀中執(zhí)行。
[0103] 在初始化周期Int中，具有低電平的第一掃描信號S1至第Sn+Ι掃描信號Sn+Ι被 同時提供給所有掃描線。具有低電平的第二控制信號SUS_ENB被提供給第四晶體管TA4的 柵電極，并且數(shù)據(jù)線處于高阻抗（Hi-Z)狀態(tài)。如此，第一晶體管TA1和第四晶體管TA4導 通，因此具有高電平的輔助電壓Vsus被提供給第一節(jié)點N1，第二節(jié)點N2的電壓降低，并且 第二節(jié)點N2被維持在初始電壓Vint。然后，第二控制信號SUS_ENB從低電平改變至高電 平，第四晶體管TA4截止，并且具有高電平的數(shù)據(jù)線的輔助電壓Vsus被提供給第一節(jié)點N1。 由于第二節(jié)點N2的電壓降低，因此第二晶體管TA2導通，并且OLED的陽極的電壓被重置為 驅(qū)動電壓ELVDD的電平。
[0104] 在補償周期Vth中，具有高電平且被提供給數(shù)據(jù)線的輔助電壓Vsus被提供給第一 節(jié)點N1。第一控制信號GC以低電平被提供，因此第三晶體管TA3導通。如此，第二晶體管 TA2為二極管耦合型，因此電流流動直到與第二晶體管TA2的閾值電壓對應(yīng)的電壓被存儲 在第二電容器C2內(nèi)。然后，第二晶體管TA2截止。
[0105] 在掃描/數(shù)據(jù)輸入周期Scan/Data中，具有低電平的第一掃描信號S1至第（n+1) 掃描信號Sn+1被順序地輸入多個掃描線，因此第一晶體管TA1導通，并且數(shù)據(jù)信號被順序 地輸入聯(lián)接至每個掃描線的發(fā)光像素 EP1和虛擬像素 DPI。由此，與提供給有缺陷的發(fā)光像 素的數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號被提供給虛擬像素 DPI。如此，驅(qū)動電壓ELVDD與第一節(jié)點 N1的電壓之間的電壓差被存儲在第一電容器C1中。
[0106] 在這種情況下，順序提供的掃描信號的寬度可被提供作為2個水平周期（2H)，并 且相鄰的掃描信號的寬度(例如，第（n-1)掃描信號Sn-Ι的寬度和第η掃描信號Sn的寬度） 可重疊一個水平周期（1H)或更小。這改善了由可能因大尺寸顯示區(qū)域引起的信號線的阻 容（RC)延遲導致的充電缺乏。
[0107] 在發(fā)光周期Emission中，第一電源電壓ELVDD以高電平被提供，并且第二電源電 壓ELVSS以低電平被提供。從第一電源電壓ELVDD至0LED的陰極的電流路徑經(jīng)由第二晶 體管TA2形成，并且所有發(fā)光像素 EP1的0LED發(fā)出與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的亮度的光。在這種情 況下，有缺陷的像素的0LED因經(jīng)由修復線從虛擬像素 DPI提供的電流而發(fā)光。
[0108] 盡管在圖16中未示出，但是在第N幀的發(fā)光周期之后，為了在第（N+1)幀開始之 前插入黑色或變暗，可添加用于停止發(fā)光的發(fā)光停止周期。
[0109] 圖17是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的發(fā)光像素 EP2的電路圖。圖18是用于描述 驅(qū)動圖17中所示的實施方式的發(fā)光像素 EP2的方法的時序圖。
[0110] 參考圖17,發(fā)光像素 EP2包括0LED和用于向0LED提供電流的像素電路2B。盡管 在圖17中未示出，但是虛擬像素 DP2包括像素電路2B，但是不包括0LED。
[0111] 0LED的陽極聯(lián)接至像素電路2B，0LED的陰極聯(lián)接至用于提供第二電源電壓ELVSS 的第二電源。0LED發(fā)出與從像素電路2B提供的電流對應(yīng)的光(例如，發(fā)出預定亮度的光)。 如果發(fā)光像素 EP2被確定為有缺陷的像素，位于0LED聯(lián)接至像素電路2B區(qū)域處或附近的 切割單元130使用激光束被切割。
[0112] 像素電路2B包括第一晶體管TB1至第五晶體管TB5和第一電容器C1至第三電容 器C3。
[0113] 第一晶體管TB1的柵電極從掃描線接收掃描信號S，第一晶體管TB1的第一電極聯(lián) 接至數(shù)據(jù)線且從數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號D。第一晶體管TB1的第二電極聯(lián)接至第一節(jié)點N1。
[0114] 第二晶體管TB2的柵電極接收第一控制信號GW，第二晶體管TB2的第一電極聯(lián)接 至第一節(jié)點N1，以及第二晶體管TB2的第二電極聯(lián)接至第二節(jié)點N2。
[0115] 第三晶體管TB3的柵電極聯(lián)接至第三節(jié)點N3,第三晶體管TB3的第一電極從第一 電源接收第一電源電壓ELVDD，以及第三晶體管TB3的第二電極聯(lián)接至0LED的陽極。第三 晶體管TB3充當驅(qū)動晶體管。
[0116] 第四晶體管TB4的柵電極接收第二控制信號GC，第四晶體管TB4的第一電極聯(lián)接 至第三節(jié)點N3和第三晶體管TB3的柵電極，以及第四晶體管TB4的第二電極聯(lián)接至0LED 的陽極。
[0117] 第五晶體管TB5的柵電極接收第二控制信號GC，第五晶體管TB5的第一電極聯(lián)接 至數(shù)據(jù)線且從數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號D，以及第五晶體管TB5的第二電極聯(lián)接至第二節(jié)點N2。
[0118] 第一電容器C1聯(lián)接在第一節(jié)點N1與第五晶體管TB5的柵電極之間，第二電容器 C2聯(lián)接在第二節(jié)點N2與第一電源之間，以及第三電容器C3聯(lián)接在第二節(jié)點N2與第三節(jié)點 N3/第三晶體管TB3的柵電極之間。當?shù)谝痪w管TB1導通時，第一電容器C1充入與從數(shù) 據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號D對應(yīng)的電壓。
[0119] 在圖18中，假設(shè)均包括圖17中所示的實施方式的像素電路2B的發(fā)光像素 EP2和 虛擬像素 DP2形成于圖2中所示的顯示面板10a，并且使用圖9中所示的方法修復。
[0120] 參考圖18,多個發(fā)光像素 EP2使用同時發(fā)光方法被驅(qū)動，并且通過將每個幀劃分 成初始化周期Int、補償周期Vth、數(shù)據(jù)傳輸周期Dtrans和掃描/發(fā)光周期Scan/Emission 進行操作。在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission中，掃描信號被順序地輸入至多個掃描線，并 且與掃描信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號被順序地輸入至發(fā)光像素 EP2和虛擬像素 DP2。包括在每個 發(fā)光像素 EP2和虛擬像素 DP2中的驅(qū)動晶體管的初始化、閾值電壓補償和數(shù)據(jù)傳輸、以及每 個發(fā)光像素 EP2的發(fā)光分別在幀的劃分周期中執(zhí)行。
[0121] 在初始化周期Int中，第一電源電壓ELVDD和第二控制信號GC以低電平被提供。 數(shù)據(jù)線處于高阻抗（Hi-Z)狀態(tài)。如此，第五晶體管TB5和第四晶體管TB4導通，因此第三 晶體管TB3為二極管耦合型，并且0LED的陽極的電壓和第三節(jié)點N3的電壓被初始化至驅(qū) 動電源ELVDD的電平。
[0122] 在補償周期Vth中，第二控制信號GC以低電平被提供，并且具有高電平的輔助電 源Vsus被提供給數(shù)據(jù)線。如此，第五晶體管TB5導通，因此輔助電源Vsus被提供給第二節(jié) 點N2。而且，第四晶體管TB4導通，因此第三晶體管TB3為二極管耦合型，電流流動直到與 第三晶體管TB3的閾值電壓對應(yīng)的電壓被存儲在第三電容器C3中。然后，第三晶體管TB3 截止。
[0123] 在數(shù)據(jù)傳輸周期Dtrans中，第一電源電壓ELVDD和第二電源電壓ELVSS以它們各 自的高電平被提供，并且第一控制信號GW以低電平被提供。如此，第二晶體管TB2導通，因 此在第（N-1)幀的掃描周期中被寫入發(fā)光像素 EP2且被存儲在第一電容器C1中的數(shù)據(jù)信 號D移動至第二節(jié)點N2。由此，驅(qū)動電壓ELVDD與第二節(jié)點N2的電壓之間的電壓差被存儲 在第二電容器C2中。
[0124] 在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission中，掃描周期和發(fā)光周期同時執(zhí)行。在掃描/ 發(fā)光周期Scan/Emission中，第一電源電壓ELVDD以高電平被提供，第二電源電壓ELVSS以 低電平被提供。而且，具有低電平的第一掃描信號S1至第（n+1)掃描信號Sn+Ι被順序地 輸入對應(yīng)的掃描線，因此第一晶體管TB1導通，并且數(shù)據(jù)信號被順序地輸入與每個掃描線 聯(lián)接的發(fā)光像素 EP2和虛擬像素 DP2。在這種情況下，與提供給有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號相 同的數(shù)據(jù)信號被提供給虛擬像素 DP2。如此，與第N幀的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓被存儲在第一 電容器C1中。
[0125] 第二晶體管TB2截止以阻斷第一節(jié)點N1與第二節(jié)點N2。而且，從第一電源電壓 ELVDD至0LED的陰極的電流路徑經(jīng)由導通的第三晶體管TB3形成，并且0LED發(fā)出與在第 (N-1)幀的掃描周期被寫入發(fā)光像素 EP2且被存儲在第二電容器C2中的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的 亮度的光。在這種情況下，顯示區(qū)域AA中的所有發(fā)光像素 EP2同時發(fā)光。有缺陷的像素的 0LED因經(jīng)由修復線從虛擬像素 DP2提供的電流而發(fā)光。也就是說，在掃描/發(fā)光周期Scan/ Emission中，第N幀的數(shù)據(jù)信號根據(jù)掃描信號被順序地輸入，與此同時，顯示區(qū)域AA中的所 有發(fā)光像素 EP2發(fā)出與第（N-1)幀的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的光。
[0126] 這里，順序提供的掃描信號的寬度可被提供作為2個水平周期（2H)，并且相鄰掃 描信號的寬度(例如，第（n-Ι)掃描信號Sn-Ι的寬度和第η掃描信號Sn的寬度）可重疊一 個水平周期（1H)或更小。這解決了因根據(jù)大尺寸顯示區(qū)域的信號線的RC延遲引起的充電 缺乏。
[0127] 圖19是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的發(fā)光像素 EP3的電流圖。圖20是用于描述 驅(qū)動圖19中所示的實施方式的發(fā)光像素 EP3的方法的時序圖。
[0128] 參考圖19,發(fā)光像素 EP3包括0LED和向0LED提供電流的像素電路2C。盡管在圖 19中未示出，虛擬像素 DP3包括像素電路2C，但是不包括0LED。
[0129] 0LED的陽極聯(lián)接至像素電路2C，并且0LED的陰極聯(lián)接至用于提供第二電源電壓 ELVSS的第二電源。0LED發(fā)出與從像素電路2C提供的電流對應(yīng)的亮度的光。如果發(fā)光像 素 EP3被確定為有缺陷的像素，則位于0LED聯(lián)接至像素電路2C的位置處或附近的切割單 元130可使用激光束被切割。
[0130] 像素電路2C包括第一晶體管TC1至第八晶體管TC8以及第一電容器C1和第二電 容器C2。
[0131] 第一晶體管TC1的柵電極從掃描線接收掃描信號，第一晶體管TC1的第一電極聯(lián) 接至數(shù)據(jù)線且從數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號D，以及第一晶體管TC1的第二電極聯(lián)接至第一節(jié)點 N1。
[0132] 第二晶體管TC2的柵電極接收第一控制信號GW，第二晶體管TC2的第一電極聯(lián)接 至第一節(jié)點N1，以及第二晶體管TC2的第二節(jié)點聯(lián)接至第二節(jié)點N2。
[0133] 第三晶體管TC3的柵電極接收第二控制信號GI，第三晶體管TC3的第一電極聯(lián)接 至初始化電源且從初始化電源接收初始電壓Vint，以及第三晶體管TC3的第二電極聯(lián)接至 節(jié)點N3。
[0134] 第四晶體管TC4的柵電極接收第一控制信號GW，第四晶體管TC4的第一電極聯(lián)接 至第三節(jié)點N3,以及第四晶體管TC4的第二電極聯(lián)接至第四節(jié)點N4。
[0135] 第五晶體管TC5的柵電極也接收第二控制信號GI，第五晶體管TC5的第一電極聯(lián) 接至第一電源且從第一電源接收第一電源電壓ELVDD，以及第五晶體管TC5的第二電極聯(lián) 接至第二節(jié)點N2。
[0136] 第六晶體管TC6的柵電極聯(lián)接至第三節(jié)點N3,第六晶體管TC6的第一電極聯(lián)接至 第二節(jié)點N2,以及第六晶體管TC6的第二電極聯(lián)接至第四節(jié)點N4。第六晶體管TC6充當驅(qū) 動晶體管。
[0137] 第七晶體管TC7的柵電極接收第三控制信號GE，第七晶體管TC7的第一電極聯(lián)接 至第四節(jié)點N4,以及第七晶體管TC7的第二電極聯(lián)接至0LED的陽極。
[0138] 第八晶體管TC8的柵電極也接收第三控制信號GE，第八晶體管TC8的第一電極聯(lián) 接至第一電源且從第一電源接收第一電源電壓ELVDD，以及第八晶體管TC8的第二電極聯(lián) 接至第二節(jié)點N2。
[0139] 第一電容器C1聯(lián)接在第一節(jié)點N1與用于提供第三電源電壓Vhold的第三電源之 間。當?shù)谝痪w管TC1導通時，第一電容器C1接收/充入與從數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號D對 應(yīng)的電壓。第三電源可以是固定電壓的電源(例如，直流電源)。例如，第三電源可被設(shè)定成 用于提供第一電源電壓ELVDD的第一電源，或被設(shè)定成用于提供初始電壓Vint的初始化電 源。第二電容器C2聯(lián)接在第三節(jié)點N3與第一電源之間。
[0140] 在圖20中，假設(shè)均包括圖19中所示的像素電路2C的發(fā)光像素 EP3和虛擬像素 DP3形成于圖2中所示的顯示面板10a，并且通過使用圖9中所示的方法修復。
[0141] 參考圖20,多個發(fā)光像素 EP3使用同時發(fā)光方法被驅(qū)動，并且通過將每個幀劃分 成初始化周期Int、補償/數(shù)據(jù)傳輸周期Vth/Dtrans和掃描/發(fā)光周期Scan/Emission進 行操作。在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission中，掃描信號被順序地輸入多個掃描線，并且與 掃描信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號被順序地輸入發(fā)光像素 EP3和虛擬像素 DP3。包括在發(fā)光像素 EP3 和虛擬像素 DP3的每個中的初始、閾值電壓補償和數(shù)據(jù)傳輸以及每個發(fā)光像素 EP3的發(fā)光 全都在給定幀的對應(yīng)周期中執(zhí)行。
[0142] 在初始化周期Int中（例如，在初始化周期Int開始時)，第一電源電壓ELVDD以高 電平被提供，第二電源電壓ELVSS和第二控制信號GI以低電平被提供。如此，第三晶體管 TC3和第五晶體管TC5導通，因此第一電源電壓ELVDD被提供給第二節(jié)點N2,初始電壓Vint 被提供給第三節(jié)點N3。
[0143] 在補償/數(shù)據(jù)傳輸周期Vth/Dtrans中，第一電源電壓ELVDD、第二電源電壓ELVSS 和第一控制信號GW以低電平被提供。如此，第二晶體管TC2導通，因此，在第（N-1)幀的掃 描周期中被寫入發(fā)光像素 EP3中且被存儲在第一電容器C1中的數(shù)據(jù)信號D移動至第二節(jié) 點N2。而且，第四晶體管TC4導通，因此第六晶體管TC6為二極管耦合型，使電流流過第六 晶體管TC6,因此第六晶體管TC6的閾值電壓被補償，并且驅(qū)動電源ELVDD與第二節(jié)點N2的 電壓之間的電壓差被存儲在第二電容器C2中。
[0144] 在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission中，掃描周期和發(fā)光周期同時執(zhí)行。在掃描 /發(fā)光周期Scan/Emission中，第一電源電壓ELVDD以高電平被提供，并且第二電源電壓 ELVSS和第三控制信號GE以低電平被提供(例如，第三控制信號GE在掃描/發(fā)光周期Scan/ Emission開始時、在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission的發(fā)光周期Emission期間以低電平被 提供)。
[0145] 而且，在掃描/發(fā)光周期Scan/Emission中，具有低電平的第一掃描信號S1至第 (η+l)掃描信號被順序地輸入對應(yīng)的掃描線，因此第一晶體管TC1導通，并且第N幀的數(shù)據(jù) 信號被順序地輸入聯(lián)接至每個掃描線的發(fā)光像素 EP3。在這種情況下，與被提供給有缺陷的 像素和發(fā)光像素 EP3的數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號被提供給虛擬像素 DP3。如此，與第N幀的 數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓被存儲在第一電容器C1中。
[0146] 第二晶體管TC2截止以阻斷/電隔離第一節(jié)點N1與第二節(jié)點N2。而且，第七晶 體管TC7和第八晶體管TC8導通，因此從第一電源電壓ELVDD至OLED的陰極的電流路徑經(jīng) 由導通的第六晶體管TC6、第七晶體管TC7和第八晶體管TC8形成，并且0LED發(fā)出與在第 (N-1)幀的掃描周期中被寫入發(fā)光像素 EP3中且被存儲在第二電容器C2中的數(shù)據(jù)信號對 應(yīng)的亮度的光。在這種情況下，顯示區(qū)域AA中的所有發(fā)光像素 EP3同時發(fā)光。有缺陷的像 素的0LED因經(jīng)由修復線從虛擬像素 DP3提供的電流而發(fā)光。也就是說，在掃描/發(fā)光周期 Scan/Emission中，第N幀的數(shù)據(jù)信號根據(jù)掃描信號被順序地輸入，與此同時，顯示區(qū)域AA 中的所有發(fā)光像素 EP3同時發(fā)出與第（N-1)幀的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的光。發(fā)光周期Emission可 部分地與掃描周期Scan重疊，并且可短于掃描周期Scan。
[0147] 這里，順序提供的掃描信號的寬度可被提供作為2個水平寬度（2H)，并且相鄰掃 描信號的寬度(例如，第（n-Ι)掃描信號Sn-Ι的寬度和第η掃描信號Sn的寬度）可重疊一 個水平周期或更小。這有助于避免可由大尺寸顯示區(qū)域中的信號線的RC延遲導致的充電 不足/缺乏。
[0148] 圖21和22是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的修復背面發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光 像素 EP的方法的截面圖。
[0149] 在圖21和圖22中，為了方便說明，僅示出了用于形成每個發(fā)光像素 EP中的0LED 的像素電極31、聯(lián)接至像素電路中的像素電極31的TFT。TFT可以是圖15中所示的像素電 路2A的第二晶體管TA2、圖17中所示的像素電路2B的第三晶體管TB3、或圖19中所示的 像素電路2C的第七晶體管TC7。
[0150] 參考圖21，在襯底11上形成TFT的有源層21。盡管在圖21中未示出，還可在襯 底11的頂面形成用于防止雜質(zhì)離子擴散、用于防止?jié)駳饣蛲獠靠諝鉂B入和用于平坦化表 面(例如，勢壘層、阻擋層和/或緩沖層）的輔助層。
[0151] 有源層21可包括半導體，并且可包括摻雜的離子雜質(zhì)。而且，有源層21可由氧化 物半導體形成。有源層21包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)。
[0152] 在形成有有源層21的襯底11上形成柵絕緣層GI。在柵絕緣層GI上形成柵電極 24和像素電極31。柵電極24被形成為對應(yīng)于有源層21的溝道區(qū)。
[0153] 通過在柵絕緣層GI上順序堆疊然后刻蝕第一和第二導電層來形成柵電極24和像 素電極31。柵電極24可包括由第一導電層的一部分形成的第一柵電極22和由第二導電層 的一部分形成的第二柵電極23?？捎傻谝粚щ妼釉诘诙щ妼颖徊糠忠瞥蟊┞兜牟糠?形成像素電極31。在形成有柵電極24和像素電極31的襯底11上形成層間絕緣層ILD。
[0154] 在層間絕緣層ILD上形成分別通過接觸孔與有源層21的源區(qū)和漏區(qū)接觸的源電 極25和漏電極26。源電極25和漏電極26中的一個通過位于第二導電層留在像素電極31 邊緣區(qū)域的部分上方的接觸孔接觸/電聯(lián)接至像素電極31。而且，在層間絕緣層ILD上形 成由導電材料形成的修復線RL和第一連接單元41。第一連接單元41通過接觸第二導電層 留在像素電極的(例如，與像素電極與源電極25或漏電極26接觸的邊緣區(qū)域相反的）邊緣 區(qū)域的部分電聯(lián)接至像素電極31。修復線RL和第一連接單元41可由與源電極25和漏電 極26相同的材料或不同的材料形成。
[0155] 在如上所述形成背板之后，如果像素電路被檢測和確定為有缺陷，則通過將激光 束照射到將源電極25和漏電極26中的一個聯(lián)接至像素電極31的切割單元130,將TFT與 像素電極電分離。如此，有缺陷的發(fā)光像素 EP的像素電路與像素電極31電分離。
[0156] 參考圖22,在第一修復單元140a中，通過在修復線RL和第一連接單元41上形成 第一接觸金屬CM1，將修復線RL經(jīng)由第一連接單元41電聯(lián)接至像素電極31。第一接觸金 屬CM1可使用例如化學氣相沉積（CVD)的方法形成。在修復之后，在形成有第一接觸金屬 CM1的襯底11上形成具有用于使像素電極31暴露的孔的像素限定層TOL。
[0157] 然后，在像素電極31上順序地形成包括發(fā)光層的有機層和相對電極。如果有機層 發(fā)紅光、綠光或藍光，發(fā)光層可分別被圖案化成紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層或藍光發(fā)光層。否 貝 1J，如果有機層發(fā)白光，貝1J發(fā)光層可具有紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層和藍光發(fā)光層被堆疊以發(fā) 白光的多層結(jié)構(gòu)、或包括紅光發(fā)光材料、綠光發(fā)光材料和藍光發(fā)光材料的單層結(jié)構(gòu)。相對電 極可被沉積在襯底11的整個表面，因此可被形成為公共電極。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，像 素電極31用作陽極，相對電極用作陰極。像素電極31和相對電極的極性可互換。
[0158] 圖23是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的聯(lián)接背面發(fā)光顯示裝置中的虛擬像素 DP的方法的截面圖。
[0159] 在圖23中，為了方便說明，僅示出了與虛擬像素 DP的像素電路中的修復線聯(lián)接的 TFT。虛擬像素 DP的像素電路可與圖21和圖21所示的發(fā)光像素 EP的像素電路同時形成， 并且可與圖21和圖22所示的發(fā)光像素 EP的像素電路相同的材料形成。由此，圖23中所 示的TFT可以是圖15中所示的像素電路2A的第二晶體管TA2、圖17中所示的像素電路2B 的第三晶體管TB3、或圖19中所示的像素電路2C的第七晶體管TC7。
[0160] 參考圖23,在襯底11上形成TFT的有源層51。有源層51可包括半導體并且可包 括摻雜的離子雜質(zhì)。而且，有源層51可由氧化物半導體形成。有源層51包括源區(qū)、漏區(qū)以 及位于它們之間的溝道區(qū)。在形成有有源層51的襯底11上形成柵絕緣層GI。在柵絕緣層 GI上形成柵電極54。
[0161] 在與有源層51的溝道區(qū)對應(yīng)的位置形成柵電極54。通過在柵絕緣層GI上順序堆 疊然后刻蝕第一和第二導電層來形成柵電極54。柵電極54可包括由第一導電層的一部分 形成的第一柵電極52和由第二導電層的一部分形成的第二柵電極53。在形成有柵電極54 的襯底11上形成層間絕緣層ILD。
[0162] 在層間絕緣層ILD上形成分別通過接觸孔與有源層51的源區(qū)和漏區(qū)接觸的源電 極55和漏電極56。而且，在層間絕緣層ILD上形成由導電材料形成的修復線RL和第二連 接單元61。第二連接單元61可從源電極55和漏電極56中的一個延伸。修復線RL可由與 源電極55和漏電極56相同的材料或不同的材料形成。
[0163] 在第二修復單元140b中，通過在修復線RL和第二連接單元61上形成第二接觸金 屬CM2,將修復線RL電聯(lián)接至第二連接單元61。第二接觸金屬CM2可與第一接觸金屬CM1 同時形成，可由與第一接觸金屬CM1相同的材料形成，并且可使用例如CVD的方法形成。在 形成有第二接觸金屬CM2的襯底11上形成像素限定層TOL。
[0164] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，如果在形成背板時發(fā)光像素的像素電路有缺陷，為了解 決因有缺陷的像素電路引起的亮斑，切割發(fā)光像素的像素電極與發(fā)光像素的TFT之間的連 接，并且將聯(lián)接至像素電極的連接單元聯(lián)接至修復線。還將與發(fā)光像素的像素電極聯(lián)接的 修復線聯(lián)接至虛擬像素的像素電路。如此，可將與輸入發(fā)光像素的像素電路的數(shù)據(jù)信號相 同的數(shù)據(jù)信號輸入虛擬像素的像素電路，并且發(fā)光像素的發(fā)光裝置可發(fā)出與輸入的數(shù)據(jù)信 號對應(yīng)的亮度的光。
[0165] 圖24是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的修復正面發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光像素 EP的方法的截面圖。圖25是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的聯(lián)接正面發(fā)光顯示裝置中 的虛擬像素 EP的方法的截面圖。
[0166] 在圖24和圖25中，為了方便說明，僅示出了與發(fā)光像素 EP和虛擬像素 DP的像素 電路中的修復線RL聯(lián)接的TFT。
[0167] 參考圖24和圖25,在襯底11上形成發(fā)光像素 EP的TFT的有源層21 (圖24)和虛 擬像素 DP的TFT的有源層51 (圖25)。盡管在圖24和圖25中未示出，還可在襯底11的 頂面形成用于防止雜質(zhì)離子擴散、用于防止?jié)駳饣蛲獠靠諝鉂B入和用于平坦化表面(例如， 勢壘層、阻擋層和/或緩沖層）的輔助層。
[0168] 有源層21和51可包括+導體，并且可包括慘雜的尚子雜質(zhì)。而且，有源層21和 51可由氧化物半導體形成。有源層21和51中的每個包括源區(qū)、漏區(qū)以及位于它們之間的 溝道區(qū)。在形成有有源層21和51的襯底11上形成柵絕緣層GI。
[0169] 在柵絕緣層GI上形成發(fā)光像素 EP的柵電極24和虛擬像素 DP的柵電極54。柵電 極24和54可被形成以分別對應(yīng)于有源層21和51的溝道區(qū)。在形成有柵電極24和54的 襯底11上形成層間絕緣層ILD。
[0170] 在層間絕緣層ILD上形成分別通過接觸孔與有源層21和51的源區(qū)和漏區(qū)接觸的 源和漏電極25和26、以及源和漏電極55和56。在形成有源和漏電極25和26、以及源和漏 電極55和56的襯底11上形成平坦化層PL。平坦化層PL可被形成為在與像素電極31對 應(yīng)的區(qū)域上具有壓紋表面。
[0171] 在平坦化層PL上形成發(fā)光像素 EP的像素電極31和第一連接單元41、修復線RL、 以及與源電極55和漏電極56中的一個聯(lián)接的虛擬像素 DP的第二連接單元61。第一連接 單元41可從像素電極31延伸。修復線RL可被形成為與像素電極31相鄰。修復線RL、第 二連接單元61和像素電極31可由相同的材料或不同的材料形成。像素電極31可具有根 據(jù)平坦化層PL形狀的壓紋結(jié)構(gòu)。
[0172] 在如上所述形成背板之后，如果像素電路被測試和確定為有缺陷，通過將激光束 照射到將源電極25和漏電極26中的一個聯(lián)接至像素電極31的切割單元130,將發(fā)光像素 EP的TFT與像素電極電分離。如此，將有缺陷的發(fā)光像素 EP的像素電路與像素電極31電 分離。
[0173] 而且，在第一修復單元140a中，通過使用第一接觸金屬CM1將修復線RL電聯(lián)接至 第一連接單元41。而且，在第二修復單元140b中，通過使用第二接觸金屬CM2將修復線RL 電聯(lián)接至第二連接單元61。第一接觸金屬CM1可與第二接觸金屬CM2使用例如CVD的方法 同時形成(例如，在相同的工序中)并且可由相同的材料形成。在修復之后，在形成有第一接 觸金屬CM1和第二接觸金屬CM2的襯底11上形成像素限定層TOL。
[0174] 盡管在圖24和25中未示出，在像素電極31上形成包括發(fā)光層的有機層和相對電 極。如同像素電極31，有機層和相對電極還可根據(jù)平坦化層PL的形狀而具有壓紋結(jié)構(gòu)。在 這種情況下，如果位于沿從發(fā)光層發(fā)出的光的前進方向的元件具有壓紋表面，盡管滿足全 反射條件因此發(fā)生全反射，但反射光的入射角可改變，因此可能不會發(fā)生一個元件中的連 續(xù)全反射。由此，可增加朝向用戶發(fā)射的光的量，因此可使光效率最大化。
[0175] 圖26是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的修復背面發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光 像素 EP的方法的截面圖。圖27是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的聯(lián)接背面發(fā)光顯 示裝置中的虛擬像素 DP的方法的截面圖。
[0176] 在圖26和圖27中，為了方便說明，僅示出了與發(fā)光像素 EP和虛擬像素 DP的像素 電路中的修復線RL聯(lián)接的TFT。圖26和圖27示出了在執(zhí)行顯示面板的可視測試之后執(zhí)行 修復的情況。
[0177] 參考圖26和圖27,在襯底11上形成發(fā)光像素 EP的TFT的有源層21和虛擬像素 DP的TFT的有源層51。盡管在圖26和圖27中未示出，還可在襯底11的頂面形成用于防止 雜質(zhì)離子擴散、用于防止?jié)駳饣蛲獠靠諝夂陀糜谄教够砻?例如，勢壘層、阻擋層和/或 緩沖層）的輔助層。
[0178] 有源層21和51可包括+導體并且可包括慘雜的尚子雜質(zhì)。而且，有源層21和51 可由氧化物半導體形成。有源層21和51中的每個包括源區(qū)、漏區(qū)和位于它們之間的溝道 區(qū)。在形成有有源層21和51的襯底11上形成柵絕緣層GI。
[0179] 在柵絕緣層GI上形成發(fā)光像素 EP的柵電極24和虛擬像素 DP的柵電極54。柵電 極24和54可被形成為分別對應(yīng)于有源層21和51的溝道區(qū)。通過在柵絕緣層GI上順序 堆疊然后刻蝕第一和第二導電層形成柵電極24和54。柵電極24和54可分別包括由第一 導電層的一部分形成的第一柵電極22和52以及由第二導電層的一部分形成的第二柵電極 23 和 53。
[0180] 而且，在柵絕緣層GI上形成發(fā)光像素 EP的像素電極31和第一連接單元41、以及 虛擬像素 DP的第二連接單元61。像素電極31可由第一導電層在第二導電層被部分移除之 后暴露的部分形成。第一連接單元41可從像素電極31延伸，并且可以是第一和第二導電 層的一部分。第二連接單元61可包括由第一導電層的一部分形成的第一層62和由第二導 電層的一部分形成的第二層63。在形成有柵電極24、54和第一和第二連接單元41、61的襯 底11上形成層間絕緣層ILD。
[0181] 在層間絕緣層ILD上形成分別通過接觸孔與有源層21和51的源區(qū)和漏區(qū)接觸的 源和漏電極25和26、以及源和漏電極55和56。而且，在層間絕緣層ILD上形成修復線RL 以至少部分地與第一連接單元41和第二連接單元61重疊。在形成有源和漏電極25和26、 源和漏電極55和56以及修復線RL的襯底11上形成像素限定層TOL。
[0182] 在可視測試之后被檢測為有缺陷的像素的發(fā)光像素 EP中，通過將激光束照射到 將源電極25和漏電極26中的一個聯(lián)接至像素電極31的切割單元130由此切割切割單元 130,將發(fā)光像素 EP的TFT與像素電極31電分離。如此，將有缺陷的發(fā)光像素 EP的像素電 路與像素電極31電分離。
[0183] 而且，通過將激光束照射到發(fā)光像素 EP的第一修復單元140a執(zhí)行激光焊接。如 此，修復線RL與第一連接單元41之間的層間絕緣層ILD破裂，因此修復線RL電聯(lián)接至第 一連接單元41。而且，通過將激光束照射到虛擬像素 DP的第二修復單元140b執(zhí)行激光焊 接。如此，修復線RL與第二連接單元61之間的層間絕緣層ILD破裂，因此修復線RL電聯(lián) 接至第二連接單元61。
[0184] 在可視測試之前或之后，在像素電極31上形成包括發(fā)光層的有機層和相對電極。 如果有機層發(fā)出紅光、綠光或藍光，發(fā)光層可分別被圖案化成紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層或藍 光發(fā)光層。否則，如果有機層發(fā)出白光，貝 1J發(fā)光層可具有紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層和藍光發(fā) 光層被堆疊以發(fā)出白光的多層結(jié)構(gòu)、或包括紅光發(fā)光材料、綠光發(fā)光材料和藍光發(fā)光材料 的單層結(jié)構(gòu)。相對電極可被沉積在襯底11的整個表面，因此可被形成為公共電極。根據(jù)本 發(fā)明的實施方式，像素電極31用作陽極，相對電極用作陰極。像素電極31和相對電極的極 性可互換。
[0185] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，當某一電路為有缺陷時，可使用修復線和激光焊接簡單 地執(zhí)行修復，因此可提高顯示裝置的產(chǎn)率。
[0186] 圖28是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的顯示面板10d的示意圖。
[0187] 參考圖28,多個掃描線SL與多個數(shù)據(jù)線DL和多個修復線RL交叉的位置處以基本 矩陣形狀對齊的多個像素 P形成于顯示面板l〇d。像素 P包括形成于顯示區(qū)域AA的發(fā)光像 素 EP和形成于非顯示區(qū)域NA的虛擬像素 DP。如此，一個或多個虛擬像素 DP可形成于像素 列的上區(qū)域或下區(qū)域的至少一個上的每個像素列中。圖28示出了虛擬像素 DP形成于像素 列的下區(qū)域的實施例。
[0188] 一個發(fā)光像素 EP包括沿列方向?qū)R的第一至第三子發(fā)光像素 SEPUSEP2和SEP3。 第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3中的每個包括像素電路PC和聯(lián)接至像素電路 PC的發(fā)光裝置E。發(fā)光裝置E可以是包括陽極、陰極以及位于陽極與陰極之間的發(fā)光層的 0LED。第一至第三子發(fā)光像素 SEPUSEP2和SEP3的像素電路PC和/或發(fā)光裝置E的尺寸 可不同。第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3共同聯(lián)接至一個掃描線(例如，第i掃 描線SLi)，并且分別聯(lián)接至第一至第三數(shù)據(jù)線DLj_l、DLj_2和DLj_3。由此，如果掃描信 號被提供給第i掃描線，數(shù)據(jù)信號分別經(jīng)由第一至第三數(shù)據(jù)線DLj_l、DLj_2和DLj_3被提 供給第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3,因此第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和 SEP3中的每個充入與所提供的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓，并且發(fā)出與充入的電壓對應(yīng)的亮度的 光。
[0189] 一個虛擬像素 DP包括沿列方向?qū)R的第一至第三子虛擬像素 SDPUSDP2和SDP3。 第一至第三虛擬電分離像素 SDP1、SDP2和SDP3中的每個僅包括像素電路PC，不包括發(fā)光 裝置E。第一至第三子虛擬子像素 SDPUSDP2和SDP3中的每個的像素電路PC與第一至第 三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3中的每個的像素電路PC相同。第一至第三子虛擬像素 SDPUSDP2和SDP3共同聯(lián)接至一個掃描線(例如，第（n+1)掃描線SLn+Ι)，并且分別聯(lián)接至 第一至第三數(shù)據(jù)線DLj_l、DLj_2和DLj_3。由此，如果掃描信號被提供給第（n+1)掃描信號 SLn+Ι，數(shù)據(jù)信號分別經(jīng)由第一至第三數(shù)據(jù)線DLj_l、DLj_2和DLj_3被提供給第一至第三子 虛擬像素 SDP1、SDP2和SDP3。
[0190] 在第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3中，如果第二子發(fā)光像素 SEP2的像 素電路PC為有缺陷，則用于將第二子發(fā)光像素 SEP2的像素電路PC聯(lián)接至發(fā)光裝置E的 切割單元130被切割，并且發(fā)光裝置E聯(lián)接至修復線RLj。而且，在第一至第三子虛擬像素 SDPUSDP2和SDP3中，與第二子發(fā)光像素 SEP2對應(yīng)的第二子虛擬像素 SDP2的像素電路PC 聯(lián)接至修復線RLj。
[0191] 如果掃描信號在掃描周期中被順序地提供給第一掃描線SL1至第η掃描線SLn， 則數(shù)據(jù)信號分別經(jīng)由第一至第三數(shù)據(jù)線DLj_l、DLj_2和DLj_3被提供給第一至第三子發(fā)光 像素 SEP1、SEP2和SEP3。如果最后一個掃描信號被提供給第（n+1)掃描線SLn+Ι，與提供 給第一至第三子發(fā)光像素 SEP1、SEP2和SEP3的數(shù)據(jù)信號相同的數(shù)據(jù)信號被提供給第一至 第三子虛擬像素 SDP1、SDP2和SDP3,并且根據(jù)與充入聯(lián)接至修復線RLj的第二子虛擬像素 SDP2的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓的電流經(jīng)由修復線RLj被提供給第二子發(fā)光像素 SEP2。如此， 在發(fā)光周期中，所有發(fā)光像素 EP可同時發(fā)光。
[0192] 圖28示出了當包括在一個像素中的多個子像素具有不同的特性時虛擬像素被形 成為多個子像素的實施例。然而，即使在當前的實施方式中，通過將虛擬像素形成為一個子 像素和通過校正被提供給虛擬像素的數(shù)據(jù)信號的伽瑪值，還可應(yīng)用相同的驅(qū)動原理。
[0193] 在上述實施方式中，像素電路被形成為p溝道金屬氧化物半導體（PM0S)晶體管， 并且低電平信號為使能信號而高電平信號為禁用信號。然而，通過將像素電路形成為η溝 道金屬氧化物半導體（NM0S)晶體管和通過反轉(zhuǎn)所提供的信號，也可應(yīng)用本發(fā)明的實施方 式。在這種情況下，高電平信號為使能信號，低電平信號為禁用信號。
[0194] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，TFT的工作點包括在飽和范圍內(nèi)，如果有缺陷的像素的陽 極具有高阻抗，有缺陷的像素的電流可通過預測阻抗值被校正。
[0195] 本發(fā)明的實施方式不限于上述的像素結(jié)構(gòu)和同時發(fā)光驅(qū)動，可被應(yīng)用至用于使用 各種方法同時發(fā)光的各種像素，并且當發(fā)光像素的像素電路為有缺陷時通過分離像素電路 與發(fā)光裝置和通過經(jīng)由修復線聯(lián)接虛擬像素的像素電路，可在沒有亮斑或暗斑的情況下實 現(xiàn)同時發(fā)光。
[0196] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可通過使用虛擬像素容易地修復有缺陷的像素，同時發(fā) 光驅(qū)動顯示裝置被正常地驅(qū)動而不會將亮斑變成暗斑。
[0197] 盡管本發(fā)明的實施方式已經(jīng)參考其示例性實施方式被具體示出和描述，本領(lǐng)域技 術(shù)人員將理解，可在本文中進行各種形式和細節(jié)的改變而不背離由下面的權(quán)利要求及其等 同限定的本發(fā)明的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機發(fā)光顯示裝置，包括： 在列和行中對齊的多個發(fā)光像素，每個所述發(fā)光像素包括發(fā)光裝置和聯(lián)接至所述發(fā)光 裝置的第一像素電路； 虛擬像素，包括位于所述發(fā)光像素的每列中的第二像素電路；以及 位于每列中的修復線； 其中相同的數(shù)據(jù)信號被提供給與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素中一個和與所述修 復線聯(lián)接的所述虛擬像素，以及 所述發(fā)光像素被配置為同時發(fā)光。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述虛擬像素位于第一行和最后一行 的至少一個中。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述發(fā)光像素位于顯示區(qū)域，所述虛 擬像素位于非顯示區(qū)域。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一像素電路和所述第二像素電 路具有相同的配置。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素的 第一像素電路從所述發(fā)光裝置去耦。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述發(fā)光裝置包括陽極、陰極和位于 所述陽極與所述陰極之間的發(fā)光層，以及 與所述修復線聯(lián)接的所述發(fā)光像素的第一像素電路的配線從所述發(fā)光裝置的陽極去 奉禹。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中聯(lián)接至所述修復線的所述發(fā)光像素包 括與所述發(fā)光裝置的陽極接觸的第一導電單元和用于將所述第一導電單元聯(lián)接至所述修 復線的第一接觸金屬，以及 聯(lián)接至所述修復線的所述虛擬像素包括從所述第二像素電路延伸的第二導電單元和 用于將所述第二導電單元聯(lián)接至所述修復線的第二接觸金屬。
8. 如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一導電單元和所述修復線位于 同一層。
9. 如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述修復線與所述第一像素電路和所 述第二像素電路的薄膜晶體管的源電極和漏電極位于同一層且包括相同的材料。
10. 如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述修復線與所述陽極位于同一層 且包括相同的材料。
11. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括位于所述修復線與第一導電單元 之間和位于所述修復線與第二導電單元之間的至少一個絕緣層，其中，所述第一導電單元 與聯(lián)接至所述修復線的所述發(fā)光像素的發(fā)光裝置的陽極接觸，所述第二導電單元與聯(lián)接至 所述修復線的所述虛擬像素的第二像素電路聯(lián)接， 其中所述第一導電單元和所述第二導電單元被激光焊接至所述修復線。
12. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一導電單元和所述第二導電 單元與所述第一像素電路和所述第二像素電路的薄膜晶體管的柵電極位于同一層且包括 相同的材料， 所述修復線與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極位于同一層且包括相同的材料。
13. -種驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述發(fā)光顯示裝置包括位于行和列中的多個 發(fā)光像素，所述發(fā)光像素均包括發(fā)光裝置和與所述發(fā)光裝置聯(lián)接的第一像素電路，所述有 機發(fā)光顯示裝置還包括虛擬像素，所述虛擬像素包括位于每列中的第二像素電路和位于每 列中的修復線，所述方法包括： 將數(shù)據(jù)信號順序地提供給所述發(fā)光像素和所述虛擬像素，其中將相同的數(shù)據(jù)信號提供 給聯(lián)接至所述修復線的所述發(fā)光像素中的一個和聯(lián)接至所述修復線的所述虛擬像素；以及 根據(jù)與所述數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的驅(qū)動電流，從所述發(fā)光像素的發(fā)光裝置同時發(fā)光。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述虛擬像素位于所述虛擬像素的對應(yīng)列的頂部 和底部的至少之一處。
15. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中在幀中，在從發(fā)光裝置同時發(fā)光之前順序地提供 數(shù)據(jù)信號。
16. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中順序地提供數(shù)據(jù)信號和從發(fā)光裝置同時發(fā)光部分 和暫時重疊。
17. -種修復有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機發(fā)光顯示裝置包括位于列和行中的 多個發(fā)光像素，每個所述發(fā)光像素包括發(fā)光裝置和與所述發(fā)光裝置聯(lián)接的第一像素電路， 所述有機發(fā)光顯示裝置還包括虛擬像素，所述虛擬像素包括位于每列中的第二像素電路和 位于每列中的修復線，所述發(fā)光像素被配置同時發(fā)光，所述方法包括： 將所述發(fā)光像素的第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置從所述第一有缺陷的像素的第一像 素電路去耦； 將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至與所述第一有缺陷的像素位于同一列中 的修復線；以及 將所述修復線聯(lián)接至與所述第一有缺陷的像素位于同一列中的第一虛擬像素的第二 像素電路，以使所述第一虛擬像素接收與被提供給所述第一有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號匹配 的數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由所述修復線將與接收的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的驅(qū)動電流提供給所述第一有缺陷 的像素的發(fā)光裝置、以及允許所述第一有缺陷的像素與所述發(fā)光像素同時發(fā)光。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至所述 修復線包括：在與所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置的陽極聯(lián)接的第一導電單元上形成第 一接觸金屬，以及 將所述修復線聯(lián)接至所述第一虛擬像素的第二像素電路包括：在與所述第一虛擬像素 的第二像素電路聯(lián)接的第二導電單元上形成第二接觸金屬。
19. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中將所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置聯(lián)接至所述 修復線包括：使用激光焊接將與所述第一有缺陷的像素的發(fā)光裝置的陽極聯(lián)接的第一導電 單元電聯(lián)接至通過至少一個絕緣層與所述第一導電單元絕緣的所述修復線，以及 將所述修復線聯(lián)接至所述第一虛擬像素的第二像素電路包括：使用激光焊接將與所述 第一虛擬像素的第二像素電路聯(lián)接的第二導電單元電聯(lián)接至通過至少一個絕緣層與所述 第二導電單元絕緣的所述修復線。
20. 如權(quán)利要求17所述的方法，還包括： 將與所述第一有缺陷的像素位于同一列的第二有缺陷的像素的發(fā)光裝置從所述第一 像素電路去耦； 切割位于所述第一有缺陷的像素與所述第二有缺陷的像素之間的所述修復線；以及 將與所述第一有缺陷的像素位于同一列的第二虛擬像素的第二像素電路聯(lián)接至所述 修復線因切割而與所述第一有缺陷的像素電隔離的部分，以被配置為接收與被提供給所述 第二有缺陷的像素的數(shù)據(jù)信號匹配的數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由所述修復線將與接收的數(shù)據(jù)信號對應(yīng) 的驅(qū)動電流提供給所述第二有缺陷的像素的發(fā)光裝置、以及允許所述第二有缺陷的像素與 所述多個發(fā)光像素同時發(fā)光。
【文檔編號】G09G3/32GK104103234SQ201410125869
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月1日
【發(fā)明者】康起寧, 金那英, 趙秀范, 李在鎬, 許命九 申請人:三星顯示有限公司
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