有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括：包括有機(jī)發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng)電路部分的顯示基底、密封顯示基底的封裝基底以及在顯示基底和封裝基底之間的密封部分，密封部分包括圍繞顯示基底的多個(gè)密封框架部分，并且多個(gè)密封框架部分中的第一密封框架部分與焊盤部分相鄰，其中密封部分的拐角的寬度和第一密封框架部分的寬度中的至少一個(gè)比除第一密封框架部分以外的密封框架部分的寬度寬。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。更特別地，本公開涉及部分地增強(qiáng)形成在除 了顯示區(qū)和非顯示區(qū)的區(qū)域中的密封材料的寬度的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

【背景技術(shù)】
[0002] 常規(guī)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以包括兩個(gè)電極和位于兩個(gè)電極之間的有機(jī)發(fā) 射層。從一個(gè)電極注入的電子和從另一個(gè)電極注入的空穴在有機(jī)發(fā)射層中彼此結(jié)合，以形 成激子，激子發(fā)射能量來(lái)顯示光。
[0003] 常規(guī)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還可以包括具有有機(jī)發(fā)射層的顯示基底以及覆蓋 并密封顯不基底的封裝基底。另外，密封劑可以被形成在顯不基底和封裝基底之間，以密封 和連接顯示基底和封裝基底。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本公開致力于提供能防止單元密封結(jié)構(gòu)變形的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
[0005] 示例性實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括：包括有機(jī)發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng) 電路部分的顯不基底、密封顯不基底的封裝基底以及在顯不基底和封裝基底之間的密封部 分，密封部分包括圍繞顯示基底的多個(gè)密封框架部分，并且多個(gè)密封框架部分中的第一密 封框架部分與焊盤部分相鄰，其中密封部分的拐角的寬度和第一密封框架部分的寬度中的 至少一個(gè)比除第一密封框架部分以外的密封框架部分的寬度寬。
[0006] 有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括至少在密封部分的一個(gè)內(nèi)拐角處的密封 材料，密封材料具有三角形形狀。
[0007] 密封材料可以在密封部分的內(nèi)拐角中的兩個(gè)或更多拐角處被增強(qiáng)。
[0008] 密封材料可以具有直角三角形形狀，密封材料裝配到密封部分的直角的內(nèi)拐角。
[0009] 在密封部分的所有部分中，密封材料可以只在密封部分的拐角處，密封材料與密 封部分的內(nèi)拐角直接接觸。
[0010] 第一密封框架部分的寬度可以比除第一密封框架部分之外的密封框架部分的寬 度寬大約10%或更多。
[0011] 有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括在多個(gè)密封框架部分中的至少一個(gè)上并 向外突出的突出部分，突出部分的寬度比多個(gè)密封框架部分寬。
[0012] 突出部分可以具有半圓形狀。
[0013] 突出部分可以在相對(duì)的密封框架部分處。
[0014] 密封部分的拐角的寬度可以沿相對(duì)于任何相鄰的密封框架部分的寬度的方向傾 斜的方向測(cè)量。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015] 通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)特征將變得 明顯，附圖中：
[0016] 圖1示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元的俯視圖。
[0017] 圖2示出沿圖1的線II-II截取的剖視圖。
[0018] 圖3示出圖1的部分A的部分放大視圖。
[0019] 圖4示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元的俯視圖。
[0020] 圖5示出沿圖4的線V-V截取的剖視圖。
[0021] 圖6示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元的俯視圖。
[0022] 圖7示出根據(jù)第四示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元的俯視圖。 具體實(shí)施例
[0023] 在下文中將參照附圖更完整地描述本公開，附圖中示出示例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域 技術(shù)人員將意識(shí)到的那樣，所描述的實(shí)施例可以以各種不同的方式體現(xiàn)，全部不背離本公 開的精神或范圍。圖和描述將被認(rèn)為在本質(zhì)上是例示性的，而不是限制性的。在整個(gè)說(shuō)明 書中，同樣的附圖標(biāo)記指代同樣的元件。
[0024] 在下文中將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器 的結(jié)構(gòu)。
[0025] 圖1示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元的俯視圖。圖2 是沿圖1的線II-II的剖視圖。圖3是圖1的部分A的部分放大視圖。
[0026] 根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器被設(shè)計(jì)為密封部分的寬度在被施加 增加的應(yīng)力的區(qū)域中更大。也就是，焊盤區(qū)中或拐角處的密封部分相比其它區(qū)域中可以具 有更大的寬度，用于結(jié)構(gòu)增強(qiáng)。結(jié)果，可以防止單元密封結(jié)構(gòu)的（即，密封部分的）松脫或破 裂。
[0027] 參照?qǐng)D1和圖2,根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元可以包 括彼此面對(duì)的顯示基底10和封裝基底20以及密封部分15。密封部分15可以被形成在顯 示基底10和封裝基底20之間。
[0028] 顯示基底10可以包括有機(jī)發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng)電路部分。在這種情況下，有機(jī)發(fā)光元 件可以包括陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)射層和陰極，驅(qū)動(dòng)電路部分可以包括至少兩個(gè)薄膜晶體管T1和T2 以及至少一個(gè)存儲(chǔ)電容器CAP1。
[0029] 如圖2所示，封裝基底20可以被安裝在上部并在顯示基底10的一側(cè)。封裝基底 20用于通過(guò)密封顯示基底10來(lái)保護(hù)顯示基底10的有機(jī)發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng)電路部分免受外部 影響。
[0030] 密封部分15可以包括密封框架11和增強(qiáng)密封框架11的增強(qiáng)的密封材料12。密 封框架11和增強(qiáng)的密封材料12將被分別描述如下。
[0031] 如圖1所示，密封框架11被形成為沿顯示基底10和封裝基底20的邊緣粘附，并 密封顯示基底10和封裝基底20。例如，密封框架11可以沿顯示基底10和/或封裝基底 20的整個(gè)周圍邊緣(例如，整個(gè)周長(zhǎng)）連續(xù)延伸。
[0032] 例如，密封框架11可以具有四邊形框架，所以密封框架11的每個(gè)拐角可以配置為 直角。換句話說(shuō)，如圖1和圖3所示，密封框架11的兩部分可以被配置為彼此垂直，以限定 為直角的拐角，使得兩個(gè)垂直部分之間的表面接觸部與面對(duì)密封框架11的中心的每個(gè)垂 直部分的側(cè)表面成斜角。結(jié)果，拐角（即，表面接觸部）的寬度W1 (圖3)大于密封框架的限 定該拐角的兩個(gè)垂直部分的任意一個(gè)的寬度W2。換句話說(shuō)，寬度W1可以被定義為邊長(zhǎng)等于 寬度W2的正方形的對(duì)角線，所以寬度W1等于W2*(2)，S卩，W1=W2*1.41421。由于寬度W1大 于寬度W2,因此密封框架11的拐角被增強(qiáng)，以提供對(duì)潛在應(yīng)力增加的支撐。相反，如果整個(gè) 密封框架具有均勻的寬度，例如，如果框架的拐角被彎曲以和框架的側(cè)部分具有相同寬度， 當(dāng)相對(duì)大的應(yīng)力被集中在密封框架的拐角時(shí)，則可能會(huì)出現(xiàn)單元破裂現(xiàn)象。
[0033] 此外，如圖1和圖3所示，增強(qiáng)的密封材料12可被緊密地安裝在密封框架11的拐 角處，以進(jìn)一步增加寬度W1。例如，增強(qiáng)的密封材料12可以具有直角三角形形狀。例如，增 強(qiáng)的密封材料12可裝配到(例如，并接觸）密封框架11的內(nèi)拐角。例如，當(dāng)密封框架11具 有四邊形框架形狀(例如，矩形框架形狀)，直角三角形的增強(qiáng)的密封材料12可裝配到密封 框架11的直角的內(nèi)拐角，以進(jìn)一步增加在密封框架11的拐角處的密封材料12的總寬度。 由于增強(qiáng)的密封材料12具有接觸(例如直接地接觸)密封框架11的垂直側(cè)邊的部分(例如， 密封框架的限定拐角的部分）的直角三角形形狀，被集中在該拐角上的相對(duì)大的應(yīng)力量可 以被分散。然而，實(shí)施例不限于上述的增強(qiáng)的密封材料12的形狀。
[0034] 增強(qiáng)的密封材料12可以被安裝在四個(gè)拐角中的兩個(gè)或更多拐角處。增強(qiáng)的密封 材料12可以和密封框架11 一體地配置(例如，一體形成)，或者可以和密封框架11分別配 置(例如，分別形成）以被緊固到(例如，物理連接到）密封框架11。
[0035] 在下文中，將描述用于防止單元密封結(jié)構(gòu)松脫或破裂的密封部分15的各種示例 性實(shí)施例和修改實(shí)施例。
[0036] 圖4示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元的俯視圖。圖5 是沿圖4的線V-V截取的剖視圖。
[0037] 參照?qǐng)D4和圖5,根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元可以包 括顯示基底10、封裝基底20和密封部分15'。在這種情況下，由于顯示基底10和封裝基底 20與如上所述的第一示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同，相同的附圖標(biāo)記被使用，重復(fù)描述被省略。
[0038] 不同于第一示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的密封部分15'將被主要描述。第二示例性實(shí)施 例的密封部分15'可以包括密封框架11和增強(qiáng)密封框架11的增強(qiáng)的密封材料13。
[0039] 具體地說(shuō)，密封框架11和第一示例性實(shí)施例中相同。在圖4中，從位于下側(cè)的密封 框架部分以逆時(shí)針（CCW)方向定位的密封框架部分被分別示為第一至第四密封框架11a、 llb、llc和lid。在一實(shí)施方式中，第一密封框架部分11a的寬度比除第一密封框架部分 11a以外的密封框架11的寬度寬。
[0040] 同時(shí)，如圖4和圖5所示，在第一至第四密封框架部分lla、llb、llc和lid中，增 強(qiáng)的密封材料13被形成在第一密封框架部分11a的下側(cè)。
[0041] 更具體地說(shuō)，GATE/SD線被集中在焊盤區(qū)中（例如，在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的與 第一密封框架部分11a重疊的區(qū)域中)，所以臺(tái)階被不均勻地形成在焊盤區(qū)中。結(jié)果，單元 密封結(jié)構(gòu)在焊盤區(qū)中可能相對(duì)不穩(wěn)定，并且可能容易發(fā)生松脫或破裂。
[0042] 然而，根據(jù)實(shí)施例，增強(qiáng)的密封材料13被增加在位于下側(cè)的焊盤區(qū)中。例如，如圖 4和圖5所示，增強(qiáng)的密封材料13可接觸(例如，直接接觸）第一密封框架部11a，并且沿第 一密封框架部11a (例如，沿其整個(gè)長(zhǎng)度)延伸。結(jié)果，第一密封框架部分11a和增強(qiáng)的密封 材料13的組合寬度PA比第二至第四密封框架部分llb、llc和lid的每一個(gè)的寬度L大。 例如，第一密封框架部分11a和增強(qiáng)的密封材料13的組合寬度PA比第二至第四密封框架 部分lib、11c和lid的每一個(gè)的寬度L大大約10%或更多。
[0043] 注意，圖4和圖5中密封材料13的尺寸不是按比例繪制的。也就是，為了強(qiáng)調(diào)增 強(qiáng)的密封材料13,增強(qiáng)的密封材料13的寬度被夸大。
[0044] 圖6是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元的俯視圖。
[0045] 參照?qǐng)D6,根據(jù)第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元可以包括顯示 基底、封裝基底和密封部分15' '。密封部分15' '可包括密封框架11和增強(qiáng)密封框架11的 增強(qiáng)的密封材料12和13。密封框架11可包括第一至第四密封框架部分lla、llb、llc和 lid。
[0046] 在這種情況下，由于顯示基底、封裝基底和密封框架11與上面關(guān)于圖1-5的在前 描述的那些相同，其重復(fù)描述將被省略。
[0047] 圖6中的增強(qiáng)的密封材料12和13包括第一示例性實(shí)施例的增強(qiáng)的密封材料12 和第二示例性實(shí)施例的增強(qiáng)的密封材料13。例如，如圖6所示，在密封框架11的上側(cè)，根據(jù) 第一示例性實(shí)施例的增強(qiáng)的密封材料12可以被緊密地安裝在每一個(gè)上拐角，以分散集中 在該拐角處的應(yīng)力。例如，進(jìn)一步如圖6所示，在密封框架11的下側(cè)，根據(jù)第二示例性實(shí)施 例的增強(qiáng)的密封材料13可以被形成在焊盤區(qū)中。
[0048] 在該示例性實(shí)施例中，增強(qiáng)的密封材料12具有直角三角形形狀，并僅被安裝在上 偵牝但是實(shí)施例不限于此。此外，增強(qiáng)的密封材料12也可以和密封框架11 一體地配置，或 者可以和密封框架11分別配置以被緊固到密封框架11。
[0049] 在該示例性實(shí)施例中，增強(qiáng)的密封材料13加到其上的第一密封框架部分11a的寬 度大于其它第二至第四密封框架部分llb、llc和lid的對(duì)應(yīng)寬度。結(jié)果，可以防止單元松 脫或破裂。如上所述，第一密封框架部分11a和增強(qiáng)的密封材料13的組合寬度可以比第二 至第四密封框架部分lib、11c和lid的寬度大大約10%或更多。
[0050] 圖7是根據(jù)第四示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元的俯視圖。
[0051] 參照?qǐng)D7,根據(jù)第四示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的單元可以包括顯示 基底、封裝基底、密封部分15' '和突出部分14。另外，密封部分15' '可包括密封框架11和 增強(qiáng)密封框架11的增強(qiáng)的密封材料12和13,密封框架11可包括第一至第四密封框架部分 lla、llb、llc 和 lid。
[0052] 在這種情況下，由于顯示基底、封裝基底、密封框架11和增強(qiáng)的密封材料12和13 和上述第一至第三示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同，因此重復(fù)描述被省略。
[0053] 如圖7所示，突出部分14可以被安裝在密封框架11的密封框架部分中沒有形成 增強(qiáng)的密封材料13的至少一個(gè)密封框架部分上(例如，在第二至第四密封框架部分lib至 lid上)。突出部分14可從密封框架11沿向外方向突出，并且可以具有比密封框架11的 寬度大的寬度。結(jié)果，由于增強(qiáng)的密封材料12和13以及突出部分14有選擇地(例如，局部 地)增加密封框架11的寬度，因此應(yīng)力被集中的地方可被增強(qiáng)。在一種實(shí)施方式中，突出部 分14在相對(duì)的密封框架部分處。
[0054] 在圖7中，突出部分14僅被形成在第二密封框架部分lib和第四密封框架部分 lid處，但并不限于此。此外，在圖7中，突出部分14被示為半圓形狀，但是，只要突出部分 14的寬度沿向外方向延伸(例如，凸形)，突出部分的形狀不限于此。此外，示例性實(shí)施例可 以包括顯示基底、封裝基底和突出部分14,而不配置密封部分15' '。
[0055] 根據(jù)示例性實(shí)施例，密封部分的寬度可以是不均勻的，S卩，可以被設(shè)計(jì)為在許多應(yīng) 力被施加的部分區(qū)域中更大。結(jié)果，可以防止密封部分松脫或破裂。
[0056] 與此相反，常規(guī)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以包括具有沿顯示基底的整個(gè)周邊的 均勻?qū)挾鹊拿芊獠糠郑芊獠糠值乃膫€(gè)拐角可以被彎曲以具有半徑R和寬度L，S卩，四個(gè) 側(cè)部和寬度L彼此相同。然而，由于應(yīng)力可能被集中在焊盤區(qū)，即臺(tái)階不均勻的地方，或在 拐角處，即包括拐角的彎曲部分R，因此常規(guī)的密封部分可能破裂。此外，當(dāng)實(shí)現(xiàn)大尺寸時(shí)， 這個(gè)問(wèn)題被進(jìn)一步放大。
[0057] 這里已經(jīng)公開示例性實(shí)施例，盡管采用特定術(shù)語(yǔ)，但這些術(shù)語(yǔ)應(yīng)該僅以一般性的 和描述性的含義被使用和將被解釋，而不是用于限制的目的。在一些情況下，正如自遞交本 申請(qǐng)時(shí)起對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得明顯的那樣，結(jié)合特定實(shí)施例描述的特征、特性和/ 或元件可以單獨(dú)使用，也可以和結(jié)合其它實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件組合使用，除 非有相反的明確表示。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不背離如所附權(quán)利要求所限定的本 發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器，包括： 包括有機(jī)發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng)電路部分的顯示基底； 密封所述顯不基底的封裝基底；和 在所述顯示基底和所述封裝基底之間的密封部分，所述密封部分包括圍繞所述顯示基 底的多個(gè)密封框架部分，并且所述多個(gè)密封框架部分中的第一密封框架部分與焊盤部分相 鄰， 其中所述密封部分的拐角的寬度和所述第一密封框架部分的寬度中的至少一個(gè)比除 所述第一密封框架部分以外的密封框架部分的寬度寬。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括至少在所述密封部分的一 個(gè)內(nèi)拐角處的密封材料，所述密封材料具有三角形形狀。
3. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述密封材料在所述密封部分的 內(nèi)拐角中的兩個(gè)或更多拐角處被增強(qiáng)。
4. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述密封材料具有直角三角形形 狀，所述密封材料裝配到所述密封部分的直角的所述內(nèi)拐角。
5. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中在所述密封部分的所有部分中， 所述密封材料只在所述密封部分的拐角處，所述密封材料與所述密封部分的所述內(nèi)拐角直 接接觸。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一密封框架部分的寬度比 除所述第一密封框架部分之外的密封框架部分的寬度寬10%或更多。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括在所述多個(gè)密封框架部 分中的至少一個(gè)上并向外突出的突出部分，所述突出部分的寬度比所述多個(gè)密封框架部分 寬。
8. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述突出部分具有半圓形狀。
9. 如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述突出部分在相對(duì)的密封框架 部分處。
10. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述密封部分的所述拐角的寬 度沿相對(duì)于任何相鄰的密封框架部分的寬度的方向傾斜的方向測(cè)量。
【文檔編號(hào)】G09F9/33GK104112401SQ201410112652
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月19日
【發(fā)明者】鄭倉(cāng)龍, 韓明錫 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司