像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置，涉及顯示驅(qū)動電路【技術(shù)領(lǐng)域】，像素電路包括：復(fù)位模塊、數(shù)據(jù)寫入模塊、輸出模塊以及預(yù)充電模塊；其中，所述預(yù)充電模塊分別連接第二信號端、所述控制節(jié)點以及所述輸出模塊，用于在復(fù)位結(jié)束之后，所述柵線輸入行驅(qū)動信號之前對所述控制節(jié)點預(yù)充電。該結(jié)構(gòu)可以在保證信號不失真的前提下，提高數(shù)據(jù)寫入基點，確保數(shù)據(jù)寫入時間。
【專利說明】像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示驅(qū)動電路【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,0LED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。OLED按驅(qū)動方式可分為PMOLED (Passive Matrix Driving0LED，無源矩陣驅(qū)動有機發(fā)光二極管)和AM0LED(Active Matrix Driving 0LED，有源矩陣驅(qū)動有機發(fā)光二極管)兩種。傳統(tǒng)的PMOLED隨著顯示裝置尺寸的增大，通常需要降低單個像素的驅(qū)動時間，因而需要增大瞬態(tài)電流，從而導(dǎo)致功耗的大幅上升。而在AMOLED技術(shù)中，每個OLED均通過TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)開關(guān)電路逐行掃描輸入電流，可以很好地解決這些問題。
[0003]在現(xiàn)有AMOLED產(chǎn)品中，為了降低制作驅(qū)動集成電路IC的成本，通常將驅(qū)動IC上的線路分配器(DUMAX)制作在玻璃基板上，這樣在進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸時，數(shù)據(jù)信號通過DUMAX后分別將紅綠藍(lán)(RGB)信號傳送到背板的R、G、B數(shù)據(jù)線上，通過R、G、B數(shù)據(jù)線電容進(jìn)行保存，以便當(dāng)柵極掃描信號來臨時，將RGB信號傳送到相應(yīng)RGB像素電極上。
[0004]具體的，目前市場上常采用的一種AMOLED像素電路結(jié)構(gòu)可以如圖1所示，驅(qū)動改像素電路的時序圖如圖2所示。其工作原理簡要描述如下:該像素分成三個部分進(jìn)行工作，第I階段是復(fù)位階段，第2階段是數(shù)據(jù)寫入階段，第3階段是發(fā)光階段。像素電路中均以PMOS晶體管為例，第I階段中Vref為開啟信號，使晶體管Ml開啟，將電容Cl端與晶體管M6柵極相連處節(jié)點進(jìn)行復(fù)位放電。在復(fù)位信號Vref開啟結(jié)束后，掃描信號Gate開啟之前是DUMAX開啟時間段，該時間內(nèi)DUMAX將RGB信號輸入到相應(yīng)的RGB數(shù)據(jù)線上，并且通過RGB數(shù)據(jù)線上的電容進(jìn)行保持;第2階段時，掃描信號Gate開啟，將晶體管M3和M2打開，將RGB數(shù)據(jù)線上的信號輸入到晶體管M6的源極，之后通過M6將Data+Vth信號寫入到M6柵極；第3階段時，發(fā)射信號Em開啟，使得晶體管M4和M5開啟，同時晶體管M6柵極上的信號(Data+Vth)通過電容Cl進(jìn)行保持，以便在發(fā)光階段一直保持M6開啟，實現(xiàn)補償發(fā)光?？梢钥吹?，當(dāng)應(yīng)用這樣一種Dumax設(shè)計時，其會占用柵極掃描線的信號時間，從而使得信號掃描時間變短，像素充電時間變小，導(dǎo)致像素充電率變差，從而嚴(yán)重影響AMOLED產(chǎn)品的顯示質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實施例提供一種像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置，可以在保證信號不失真的前提下，提高數(shù)據(jù)寫入基點，確保數(shù)據(jù)寫入時間。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明實施例的一方面，提供一種像素電路，包括:復(fù)位模塊、數(shù)據(jù)寫入模塊、輸出模塊以及預(yù)充電模塊；
[0008]所述復(fù)位模塊連接第一信號端、復(fù)位電壓和控制節(jié)點，用于根據(jù)所述第一信號端輸入的信號復(fù)位所述控制節(jié)點的電位；
[0009]所述數(shù)據(jù)寫入模塊連接?xùn)啪€、數(shù)據(jù)輸入端、所述控制節(jié)點以及所述輸出模塊，用于當(dāng)所述柵線輸入行驅(qū)動信號時向所述控制節(jié)點存入所述數(shù)據(jù)輸入端輸入的數(shù)據(jù)信號，所述控制節(jié)點存儲的電壓用于打開所述輸出模塊；
[0010]所述輸出模塊還連接發(fā)射信號端、所述控制節(jié)點以及發(fā)光器件，用于當(dāng)所述發(fā)射信號端輸入信號時向所述發(fā)光器件供電；
[0011]所述預(yù)充電模塊分別連接第二信號端、所述控制節(jié)點以及所述輸出模塊，用于在復(fù)位結(jié)束之后，所述柵線輸入行驅(qū)動信號之前對所述控制節(jié)點預(yù)充電。
[0012]本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的像素電路。
[0013]此外，本發(fā)明實施例還提供一種用于驅(qū)動如上所述像素電路的像素電路驅(qū)動方法，包括:
[0014]復(fù)位模塊根據(jù)第一信號端輸入的信號復(fù)位控制節(jié)點的電位；
[0015]預(yù)充電模塊對所述控制節(jié)點預(yù)充電；
[0016]當(dāng)柵線輸入行驅(qū)動信號時，數(shù)據(jù)寫入模塊向所述控制節(jié)點存入數(shù)據(jù)輸入端輸入的數(shù)據(jù)信號，所述控制節(jié)點存儲的電壓用于打開輸出模塊；
[0017]當(dāng)發(fā)射信號端輸入信號時，所述輸出模塊向發(fā)光器件供電。
[0018]本發(fā)明實施例提供的像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置，通過設(shè)置預(yù)充電模塊，從而可以在復(fù)位階段結(jié)束之后和掃描階段開始之間的DUMAX開啟時間段內(nèi)，預(yù)先對輸出模塊進(jìn)行信號的寫入，以便掃描開始后，數(shù)據(jù)信號寫入時，電位可以直接以預(yù)充電電平為基礎(chǔ)開始進(jìn)行數(shù)據(jù)信號的寫入，從而可以快速充電。這樣一來，可以在保證信號不失真的前提下，提聞數(shù)據(jù)與入基點，確保數(shù)據(jù)與入時間，有效提聞了像素的充電率，大大提聞了顯不裝置的質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種像素電路的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中驅(qū)動像素電路的信號時序示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種像素電路的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖5為本發(fā)明實施例提供的驅(qū)動像素電路的信號時序示意圖；
[0025]圖6為本發(fā)明實施例提供的像素電路與現(xiàn)有技術(shù)中的像素電路充電情況的比較示意圖；
[0026]圖7本發(fā)明實施例提供的一種像素電路驅(qū)動方法的流程示意圖。【具體實施方式】
[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]本發(fā)明實施例中采用的晶體管可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件，由于這里采用的晶體管的源極、漏極是對稱的，所以其源極、漏極是沒有區(qū)別的。在本發(fā)明實施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將源極稱為第一極，漏極稱為第二極。按附圖中的形態(tài)規(guī)定晶體管的中間端為柵極、信號輸入端為源極、信號輸出端為漏極。此外，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為N型和P型，本發(fā)明實施例結(jié)構(gòu)中的晶體管均以P型晶體管為例進(jìn)行說明，它的特點是當(dāng)柵極電極輸入低壓時，晶體管開啟，可以想到的是在采用N型晶體管實現(xiàn)時是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下輕易想到的，因此也是在本發(fā)明的實施例保護(hù)范圍內(nèi)的。
[0029]本發(fā)明實施例提供的像素電路，如圖3所示，包括:復(fù)位模塊1、數(shù)據(jù)寫入模塊2、輸出模塊3以及預(yù)充電模塊4。
[0030]其中，復(fù)位模塊I連接第一信號端Vref_l、復(fù)位電壓Vin和控制節(jié)點Pc，用于根據(jù)第一信號端Vref_l輸入的信號復(fù)位控制節(jié)點Pc的電位。
[0031]數(shù)據(jù)寫入模塊2連接?xùn)啪€Gate、數(shù)據(jù)輸入端Data、控制節(jié)點Pc以及輸出模塊3，用于當(dāng)柵線Gate輸入行驅(qū)動信號時向控制節(jié)點Pc存入數(shù)據(jù)輸入端Data輸入的數(shù)據(jù)信號，控制節(jié)點Pc存儲的電壓用于打開輸出模塊3。
[0032]輸出模塊3還連接發(fā)射信號端Em、控制節(jié)點Pc以及發(fā)光器件D，用于當(dāng)發(fā)射信號端Em輸入信號時向發(fā)光器件D供電。
[0033]預(yù)充電模塊4分別連接第二信號端Vref_2、控制節(jié)點Pc以及輸出模塊3，用于復(fù)位結(jié)束之后，在柵線Gate輸入行驅(qū)動信號之前對控制節(jié)點Pc預(yù)充電。
[0034]本發(fā)明實施例提供的像素電路，通過設(shè)置預(yù)充電模塊，從而可以在復(fù)位階段結(jié)束之后和掃描階段開始之間的DUMAX開啟時間段內(nèi)，預(yù)先對輸出模塊進(jìn)行信號的寫入，以便掃描開始后，數(shù)據(jù)信號寫入時，電位可以直接以預(yù)充電電平為基礎(chǔ)開始進(jìn)行數(shù)據(jù)信號的寫入，從而可以快速充電。這樣一來，可以在保證信號不失真的前提下，提高數(shù)據(jù)寫入基點，確保數(shù)據(jù)寫入時間，有效提高了像素的充電率，大大提高了顯示裝置的質(zhì)量。
[0035]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，復(fù)位電壓Vin可以持續(xù)輸入低電壓信號，用于當(dāng)復(fù)位模塊I開啟時拉低控制節(jié)點Pc的電平。數(shù)據(jù)輸入端Data輸入來自DUMAX的R、G、B信號。本發(fā)明實施例中的發(fā)光器件可以是現(xiàn)有技術(shù)中包括LED或OLED在內(nèi)的多種電流驅(qū)動發(fā)光器件。
[0036]進(jìn)一步地，如圖4所示，復(fù)位模塊I可以包括:
[0037]第一晶體管Ml，其第一極連接復(fù)位電壓Vin，其柵極連接第一信號端Vref_l，其第二極連接控制節(jié)點Pc。
[0038]這樣一來，在第一信號端Vref_l的控制下，第一晶體管Ml開啟，從而使得復(fù)位電壓Vin輸出至控制節(jié)點Pc，從而拉低控制節(jié)點Pc的電平，實現(xiàn)復(fù)位功能。
[0039]進(jìn)一步地，如圖4所示，數(shù)據(jù)寫入模塊2包括:[0040]第二晶體管M2，其第一極連接控制節(jié)點Pc，其柵極連接?xùn)啪€Gate，其第二極連接輸出模塊3。
[0041]第三晶體管M3，其第一極連接輸出模塊3，其柵極連接?xùn)啪€Gate，其第二極連接數(shù)據(jù)輸入端Data。
[0042]當(dāng)柵線Gate輸入開啟信號時，將晶體管M2和M3打開，從而可以將數(shù)據(jù)輸入端Data上的R/G/B信號輸入到輸出模塊3。
[0043]進(jìn)一步地，如圖4所示，輸出模塊3包括:
[0044]第四晶體管M4，其第一極連接第一電壓端Vl，其柵極連接發(fā)射信號端Em，其第二極連接第三晶體管M3的第一極。
[0045]在本發(fā)明實施例中，晶體管均以P型晶體管為例，此時第一電壓端Vl可以輸入高電壓VDD。
[0046]第五晶體管M5，其第一極連接發(fā)光器件D，其柵極連接發(fā)射信號端Em，其第二極連接第二晶體管M2的第二極。
[0047]第六晶體管M6，其第一極連接第四晶體管M4的第二極，其柵極連接控制節(jié)點Pc，其第二極連接第五晶體管M5的第二極。
[0048]電容C，該電容C的一端連接第四晶體管M4的第一極，其另一端連接控制節(jié)點Pc。
[0049]具體的，當(dāng)柵線Gate輸入開啟信號時，數(shù)據(jù)輸入端Data上的R/G/B信號輸入到晶體管M6的第一極，之后通過M6將Data+Vth信號寫入到M6柵極，其中電壓Vth為晶體管M6的閾值電壓。當(dāng)發(fā)射信號端Em輸入開啟信號時，使得晶體管M4和M5開啟，同時M6柵極上信號(Data+Vth)通過電容C進(jìn)行保持，以便在發(fā)光階段一直保持M6的開啟，實現(xiàn)補償發(fā)光。
[0050]更進(jìn)一步地,如圖4所示,預(yù)充電模塊4包括:
[0051]第七晶體管M7，其第一極連接第四晶體管M4的第二極，其柵極連接第二信號端Vref_2，其第二極接地。
[0052]第八晶體管M8，其第一極連接第五晶體管M5的第二極，其柵極連接第二信號端Vref_2，其第二極連接控制節(jié)點Pc。
[0053]這樣一來，在復(fù)位結(jié)束和掃描開始之間的DUMAX開啟時間段內(nèi)，先對晶體管M6的柵極進(jìn)行Vth的信號寫入，以便掃描開始時，數(shù)據(jù)信號Data+Vth寫入時，電位可以直接從Vth開始進(jìn)行Data信號寫入，從而使得Data+Vth可以快速充電。
[0054]該結(jié)構(gòu)是通過在原有補償像素結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，使得晶體管M6的柵極和漏極通過晶體管M8進(jìn)行連接，晶體管M6的源極通過晶體管M7進(jìn)行連接，M7的另外一端連接GND，因為此電位為數(shù)據(jù)線最低信號電位，從而可以保證Data+Vth寫入不失真，真實反應(yīng)Data信號從小至大的輸入。
[0055]在如圖4所示的像素電路中，發(fā)光器件D的一端連接第五晶體管M5的第一極，另一端連接第二電壓端V2。其中，同樣以P型晶體管為例，第二電壓端V2可以相應(yīng)的輸入低電壓VSS。
[0056]這樣一種結(jié)構(gòu)的像素電路可以在保證信號不失真的前提下，提高數(shù)據(jù)寫入基點，確保數(shù)據(jù)寫入時間，有效提高了像素的充電率，大大提高了顯示裝置的質(zhì)量。
[0057]在如圖4所示的像素電路內(nèi)，包括8個P型晶體管和I個電容C(8T1C)，這樣一種結(jié)構(gòu)的像素電路使用的元器件數(shù)量較少，便于設(shè)計和制造。驅(qū)動這樣一種像素電路的信號時序可以如圖5所示，以下可以分四個階段對本發(fā)明實施例提供的像素電路的驅(qū)動原理進(jìn)行詳細(xì)說明。在本發(fā)明實施例中，第一電壓信號端Vl可以輸入高電平VDD，第二電壓信號端V2可以輸入低電平VSS。
[0058]第I階段為復(fù)位階段，其中第I和第II階段實質(zhì)就是將驅(qū)動如圖1所示的像素電路結(jié)構(gòu)的第一階段(圖2所示的第I階段)分成兩部分，一部分保持原復(fù)位特性不變，作為本發(fā)明驅(qū)動方法的第I階段。
[0059]第II階段為預(yù)充電階段，具體是在原像素電路結(jié)構(gòu)復(fù)位結(jié)束和柵線Gate開啟之間的DUMAX階段，該階段原像素電路結(jié)構(gòu)內(nèi)不發(fā)生信號變化，因此本發(fā)明在此進(jìn)行了一個Vth寫入功能設(shè)計，即第二信號端Vref_2開啟，將晶體管M7和M8打開，晶體管M7打開將GND信號寫入到M6的源極，M8開啟時M6柵極與漏極連接，M6形成二極管連接，根據(jù)二極管連接特性，M6的柵漏極電位變成GND+Vth，由于GND是Data信號的最小電壓值，因此它不會造成當(dāng)Data輸入下信號電壓時，出現(xiàn)信號寫入到M6柵極的失真。這樣在此階段M6柵極變成GND+Vth，即對M6進(jìn)行Vth的預(yù)充電。
[0060]第III階段為數(shù)據(jù)寫入階段，數(shù)據(jù)輸入端Data上的R/G/B數(shù)據(jù)信號再次寫入Data+Vth時，晶體管M6的柵極就會在GND+Vth基礎(chǔ)上進(jìn)行寫入，因為GND是Data最小信號電位，因此Data+Vth寫入不會失真。
[0061]第IV階段為輸出階段，在本發(fā)明實施例中，第III階段和第IV階段的工作原理與如圖2所示的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的第2階段和第3階段原理類似，此處不再贅述。
[0062]采用本發(fā)明實施例所提供的這樣一種結(jié)構(gòu)的像素電路，在復(fù)位結(jié)束和柵線開啟之間的DUMAX階段可以對控制節(jié)點Pc實現(xiàn)有效地預(yù)充電，從而使得柵線開啟階段信號的快速寫入，其效果如圖6所示，可以看到，本發(fā)明實施例所提供的像素電路由于采用預(yù)充電設(shè)計，充電速度較現(xiàn)有結(jié)構(gòu)有很大的提高。
[0063]需要說明的是，在本發(fā)明實施例所提供的像素電路中，是以第一至第八晶體管均采用P型晶體管為例進(jìn)行的說明。這樣一種像素電路驅(qū)動信號時序可以如圖5所示。
[0064]當(dāng)?shù)谝恢恋诎司w管均采用N型晶體管時，通過將各驅(qū)動信號分別進(jìn)行反相處理，同樣可以實現(xiàn)上述功能，具體的驅(qū)動原理可以參照上述各個階段的描述，此處不再贅述。
[0065]本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括有機發(fā)光顯示器，其他顯示器等。所述顯示裝置包括如上所述的任意一種像素電路。所述顯示裝置可以包括多個像素單元陣列，每一個像素單元包括如上所述的任意一個像素電路。
[0066]具體的，本發(fā)明實施例所提供的顯示裝置可以是包括LED顯示器或OLED顯示器在內(nèi)的具有電流驅(qū)動發(fā)光器件的顯示裝置。
[0067]本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，包括像素電路，該像素電路通過設(shè)置預(yù)充電模塊，從而可以在復(fù)位階段結(jié)束之后和掃描階段開始之間的DUMAX開啟時間段內(nèi)，預(yù)先對輸出模塊進(jìn)行信號的寫入，以便掃描開始后，數(shù)據(jù)信號寫入時，電位可以直接以預(yù)充電電平為基礎(chǔ)開始進(jìn)行數(shù)據(jù)信號的寫入，從而可以快速充電。這樣一來，可以在保證信號不失真的前提下，提聞數(shù)據(jù)與入基點，確保數(shù)據(jù)與入時間，有效提聞了像素的充電率，大大提聞了顯不裝置的質(zhì)量。
[0068]本發(fā)明實施例提供的像素電路驅(qū)動方法，可以應(yīng)用于前述實施例中所提供的像素電路，如圖7所示，包括:
[0069]S701、復(fù)位模塊根據(jù)第一信號端輸入的信號復(fù)位控制節(jié)點的電位。
[0070]S702、預(yù)充電模塊對控制節(jié)點預(yù)充電。
[0071]S703、當(dāng)柵線輸入行驅(qū)動信號時，數(shù)據(jù)寫入模塊向控制節(jié)點存入數(shù)據(jù)輸入端輸入的數(shù)據(jù)信號，該控制節(jié)點存儲的電壓用于打開輸出模塊。
[0072]S704、當(dāng)發(fā)射信號端輸入信號時，輸出模塊向發(fā)光器件供電。
[0073]本發(fā)明實施例提供的像素電路驅(qū)動方法，通過設(shè)置預(yù)充電模塊，從而可以在復(fù)位階段結(jié)束之后和掃描階段開始之間的DUMAX開啟時間段內(nèi)，預(yù)先對輸出模塊進(jìn)行信號的寫入，以便掃描開始后，數(shù)據(jù)信號寫入時，電位可以直接以預(yù)充電電平為基礎(chǔ)開始進(jìn)行數(shù)據(jù)信號的寫入，從而可以快速充電。這樣一來，可以在保證信號不失真的前提下，提高數(shù)據(jù)寫入基點，確保數(shù)據(jù)寫入時間，有效提高了像素的充電率，大大提高了顯示裝置的質(zhì)量。
[0074]需要說明的是，本發(fā)明實施例中的發(fā)光器件可以是現(xiàn)有技術(shù)中包括LED或OLED在內(nèi)的多種電流驅(qū)動發(fā)光器件。
[0075]在本發(fā)明實施例中，晶體管均可以為P型晶體管，或晶體管也均可以為N型晶體管。
[0076]當(dāng)晶體管均為P型晶體管時，每一個晶體管的第一極均為源極，每一個晶體管的第二極均為漏極。
[0077]進(jìn)一步地，當(dāng)晶體管均為P型晶體管時，如圖5所示，控制信號的時序包括:
[0078]第一階段:數(shù)據(jù)輸入端Data和第一信號端Vref_l均輸入低電平，柵線Gate、第二信號端Vref_2以及發(fā)射信號端Em均輸入高電平。
[0079]第二階段:第二信號端Vref_2輸入低電平，數(shù)據(jù)輸入端Data、第一信號端Vref_l、柵線Gate以及發(fā)射信號端Em均輸入高電平。
[0080]第三階段:數(shù)據(jù)輸入端Data和柵線Gate均輸入低電平，第一信號端Vref_l、第二信號端Vref_2以及發(fā)射信號端Em均輸入高電平。
[0081 ] 第四階段:數(shù)據(jù)輸入端Data和發(fā)射信號端Em均輸入低電平，第一信號端Vref_l、第二信號端Vref_2以及柵線Gate均輸入高電平。
[0082]采用本發(fā)明實施例所提供的這樣一種結(jié)構(gòu)的像素電路，在復(fù)位結(jié)束和柵線開啟之間的DUMAX階段可以對控制節(jié)點Pc實現(xiàn)有效地預(yù)充電，從而使得柵線開啟階段信號的快速寫入，其效果如圖6所示，可以看到，本發(fā)明實施例所提供的像素電路由于采用預(yù)充電設(shè)計，充電速度較現(xiàn)有結(jié)構(gòu)有很大的提高。
[0083]需要說明的是，在本發(fā)明實施例所提供的像素電路中，是以第一至第八晶體管均采用P型晶體管為例進(jìn)行的說明。這樣一種像素電路驅(qū)動信號時序可以如圖5所示。
[0084]當(dāng)?shù)谝恢恋诎司w管均采用N型晶體管時，通過將各驅(qū)動信號分別進(jìn)行反相處理，同樣可以實現(xiàn)上述功能，具體的驅(qū)動原理可以參照上述各個階段的描述，此處不再贅述。
[0085]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分流程可以通過計算機程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。[0086]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素電路，其特征在于，包括:復(fù)位模塊、數(shù)據(jù)寫入模塊、輸出模塊以及預(yù)充電模塊； 所述復(fù)位模塊連接第一信號端、復(fù)位電壓和控制節(jié)點，用于根據(jù)所述第一信號端輸入的信號復(fù)位所述控制節(jié)點的電位； 所述數(shù)據(jù)寫入模塊連接?xùn)啪€、數(shù)據(jù)輸入端、所述控制節(jié)點以及所述輸出模塊，用于當(dāng)所述柵線輸入行驅(qū)動信號時向所述控制節(jié)點存入所述數(shù)據(jù)輸入端輸入的數(shù)據(jù)信號，所述控制節(jié)點存儲的電壓用于打開所述輸出模塊； 所述輸出模塊還連接發(fā)射信號端、所述控制節(jié)點以及發(fā)光器件，用于當(dāng)所述發(fā)射信號端輸入信號時向所述發(fā)光器件供電； 所述預(yù)充電模塊分別連接第二信號端、所述控制節(jié)點以及所述輸出模塊，用于在復(fù)位結(jié)束之后，所述柵線輸 入行驅(qū)動信號之前對所述控制節(jié)點預(yù)充電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述復(fù)位模塊包括: 第一晶體管，其第一極連接所述復(fù)位電壓，其柵極連接所述第一信號端，其第二極連接所述控制節(jié)點。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入模塊包括: 第二晶體管，其第一極連接所述控制節(jié)點，其柵極連接所述柵線，其第二極連接所述輸出豐吳塊； 第三晶體管，其第一極連接所述輸出模塊，其柵極連接所述柵線，其第二極連接所述數(shù)據(jù)輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述輸出模塊包括: 第四晶體管，其第一極連接第一電壓端，其柵極連接所述發(fā)射信號端，其第二極連接所述第三晶體管的第一極； 第五晶體管，其第一極連接所述發(fā)光器件，其柵極連接所述發(fā)射信號端，其第二極連接所述第二晶體管的第二極； 第六晶體管，其第一極連接所述第四晶體管的第二極，其柵極連接所述控制節(jié)點，其第二極連接所述第五晶體管的第二極； 電容，所述電容的一端連接所述第四晶體管的第一極，其另一端連接所述控制節(jié)點。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，所述預(yù)充電模塊包括: 第七晶體管，其第一極連接所述第四晶體管的第二極，其柵極連接所述第二信號端，其第二極接地； 第八晶體管，其第一極連接所述第五晶體管的第二極，其柵極連接所述第二信號端，其第二極連接所述控制節(jié)點。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光器件的一端連接所述第五晶體管的第一極，另一端連接第二電壓端。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，所述晶體管均為P型晶體管，或所述晶體管均為N型晶體管； 當(dāng)所述晶體管均為P型晶體管時，每一個所述晶體管的第一極均為源極，每一個所述晶體管的第二極均為漏極。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7中任一所述的像素電路。
9.一種用于驅(qū)動如權(quán)利要求1-7任一所述像素電路的像素電路驅(qū)動方法，其特征在于，包括: 復(fù)位模塊根據(jù)第一信號端輸入的信號復(fù)位控制節(jié)點的電位； 預(yù)充電模塊對所述控制節(jié)點預(yù)充電； 當(dāng)柵線輸入行驅(qū)動信號時，數(shù)據(jù)寫入模塊向所述控制節(jié)點存入數(shù)據(jù)輸入端輸入的數(shù)據(jù)信號，所述控制節(jié)點存儲的電壓用于打開輸出模塊； 當(dāng)發(fā)射信號端輸入信號時，所述輸出模塊向發(fā)光器件供電。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電路驅(qū)動方法，其特征在于，所述晶體管均為P型晶體管，或所述晶體管均為N型晶體管； 當(dāng)所述晶體管均為P型晶體管時，每一個所述晶體管的第一極均為源極，每一個所述晶體管的第二極均為漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素電路驅(qū)動方法，其特征在于，當(dāng)所述晶體管均為P型晶體管時，控制信號的時序包括: 第一階段:所述數(shù)據(jù)輸入端和所述第一信號端均輸入低電平，所述柵線、所述第二信號端以及所述發(fā)射信號端均輸入高電平； 第二階段:所述第二信號端輸入低電平，所述數(shù)據(jù)輸入端、所述第一信號端、所述柵線以及所述發(fā)射信號端均輸入高電平； 第三階段:所述數(shù)據(jù)輸入端和所述柵線均輸入低電平，所述第一信號端、所述第二信號端以及所述發(fā)射信號端均輸入高電平； 第四階段:所述數(shù)據(jù)輸入端和所述發(fā)射信號端均輸入低電平，所述第一信號端、所述第二信號端以及所述柵線均輸入高電平。
【文檔編號】G09G3/32GK103927982SQ201410110858
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年3月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月24日
【發(fā)明者】馬占潔 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司