電光裝置和電子設備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電光裝置和電子設備等，其與現(xiàn)有技術相比能夠更有效地釋放靜電。電光裝置（100）包括：襯墊（300）；多個有機發(fā)光二極管（215）；與各有機發(fā)光二極管（215）的陰極共通地電連接的VCT電極（260）；以及一端與襯墊（300）電連接，另一端與VCT電極（260）電連接的保護元件（312）。襯墊（300）既可以沿著形成有電光裝置（100）的基板的外周邊之中的至少三條邊中的每一條邊而配置，也可以作為沿著該基板的外周邊而配置的多個襯墊中的一個而配置。
【專利說明】電光裝置和電子設備
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電光裝置和電子設備，并且涉及例如作為電光元件而使用了有機發(fā)光二極管的電光裝置和包括該電光裝置的電子設備等。
【背景技術】
[0002]近年來，關于作為電光元件使用了有機發(fā)光二極管(Organic Light EmittingD1de:以下，稱為“0LED”)等的發(fā)光元件的電光裝置，提出了各種技術。在這種電光裝置中，多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線被交叉配置，并且與掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉相對應，以矩陣狀而配置有多個像素電路。各像素電路至少具有驅動晶體管和發(fā)光元件，當與圖像的灰度等級相對應的數(shù)據(jù)信號被供給至驅動晶體管的柵時，該驅動晶體管將向發(fā)光元件供給與其柵極-源極間電壓相對應的電流。發(fā)光元件以與來自驅動晶體管的電流相對應的亮度而發(fā)光。
[0003]這樣的電光裝置是一種適合應用于例如電子取景器(Electronic View Finder:以下，稱為“EVF”)及頭戴式顯示器(Head Mounted Display:以下，稱為“HMD”)等的超小型顯示器的裝置。在這種情況下，在電光裝置中，要求在盡可能地減小每一像素的尺寸的同時使像素數(shù)目增多，從而用有限的畫面尺寸來顯示較高品質的圖像。因此，形成電光裝置的半導體基板(芯片)的尺寸具有增大的趨勢。
[0004]另一方面，即使在這種電光裝置中，防止因靜電放電(Electro StaticDischarge:以下，稱為“ESD”)而造成的損傷及誤動作發(fā)生等的靜電擊穿防護措施較為重要，關于電光裝置中的靜電擊穿防護措施，提出了各種技術。例如，在專利文獻I中，公開了包括如下的半導體裝置的電光裝置，所述半導體裝置在半導體電路與用于以信號來向該半導體電路進行供給的輸入端子之間配置了保護該半導體電路免受ESD傷害的保護電路。
[0005]例如，如專利文獻I中所公開的那樣，保護半導體電路免受ESD傷害的保護電路被構成為，將從端子侵入的靜電釋放到供給半導體電路等的高電位側電源電壓的電源線、或供給該半導體電路的接地電壓的電源線中。
[0006]然而，在這種方法中，當形成電光裝置的半導體基板的尺寸增大時，根據(jù)沿著基板的外周邊而配置的端子(襯墊)，將會使得與供給上述的高電位側電源電壓或接地電壓的端子的距離變遠。
[0007]在圖16中，圖示了一般的電光裝置中的靜電擊穿防護措施的說明圖。圖16為，模式化地圖示了電光裝置端子的配置的俯視圖。
[0008]電光裝置10被形成在半導體基板上，在該半導體基板上，設置將多個像素電路配置成矩陣狀的顯示部12和沿基板的外周邊配置的多個襯墊14。經(jīng)由多個襯墊14中的任意一個而從外部向構成顯示部12的像素電路供給控制信號及電源電壓。
[0009]另外，在電光裝置10具備向構成顯示部12的像素電路供給驅動信號的驅動電路的情況下，該驅動電路被配置在顯示部12與多個襯墊14之間，從外部向多個襯墊14供給用于控制驅動電路的各種信號及電源電壓。
[0010]在多個襯墊14之中，襯墊14a距離被配置在隔著顯示部12而對置的位置上的襯墊14b最遠。例如，當將襯墊14b設為從外部被供給高電位側電源電壓或接地電壓的電源襯墊時，被配置在襯墊14a附近的靜電保護電路16a將在與襯墊14b之間經(jīng)由較長的配線18而被連接。此時，存在如下的可能性，即，配線18的阻抗增高，從而無法將從襯墊14a侵入的靜電高效地釋放到電源襯墊14b處。雖然也考慮到將配線18配置在顯示部12的厚度方向上的上部或下部，但在任何情況下配線18的阻抗均會增高，從而可能會出現(xiàn)同樣的情況。
[0011]專利文獻1:特開2008-211223號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0012]本發(fā)明是鑒于以上這種技術課題而進行的。按照本發(fā)明的幾種形態(tài)，與現(xiàn)有技術相比，能夠提供可更有效地將靜電釋放的電光裝置和電子設備等。
[0013]本發(fā)明的第一形態(tài)的電光裝置包括:襯墊；多個有機發(fā)光二極管；第一電極，其與構成所述多個有機發(fā)光二極管的各有機發(fā)光二極管的陰極共通地電連接；第一保護元件，其一端與所述襯墊電連接，另一端與所述第一電極電連接。
[0014]在本形態(tài)中，具備多個有機發(fā)光二極管的電光裝置被構成為，包括與各有機發(fā)光二極管的陰極共通地連接的第一電極和被連接在第一電極與襯墊之間的第一保護元件。因此，即使在電光裝置的尺寸(或形成電光裝置的基板的尺寸)增大的情況下，也能夠在利用與現(xiàn)有技術相比而較短的連接配線來連接第一保護元件與第一電極的狀態(tài)下，將靜電釋放到具有較低阻抗的第一電極上。其結果為，根據(jù)本形態(tài)，與現(xiàn)有技術相比，能夠提供可更有效地釋放靜電的電光裝置。
[0015]本發(fā)明的第二形態(tài)所涉及的電光裝置為，在第一形態(tài)中，上述第一保護元件為，保護極管、關斷晶體管和閘流晶體管之中的任意一種。
[0016]根據(jù)本形態(tài)，由于作為第一保護元件而采用了保護二極管、關斷晶體管和閘流晶體管之中的任意一種，因而僅通過變更與第一保護元件連接的電極，就能夠與現(xiàn)有情形相比而更有效地釋放靜電。
[0017]本發(fā)明的第3形態(tài)的電光裝置為，在第一形態(tài)或第二形態(tài)中，包括:多個驅動晶體管，其各自向各個所述有機發(fā)光二極管供給電流；第二電極，其與構成所述多個驅動晶體管的各驅動晶體管的源極共通地電連接；第二保護元件，其一端與所述襯墊電連接，另一端與所述第二電極電連接。
[0018]在本形態(tài)中，電光裝置被構成為，還包括與向各有機發(fā)光二極管供給電流的各驅動晶體管的源極共通地連接的第二電極和連接在第二電極與襯墊之間的第二保護元件。因此，即使在電光裝置的尺寸(或形成電光裝置的基板尺寸)增大的情況下，也能夠經(jīng)由第二保護元件而向具有較低阻抗的第二電極釋放靜電。其結果為，根據(jù)本形態(tài)，能夠提供與現(xiàn)有技術相比可更有效地釋放靜電的電光裝置。
[0019](4)本發(fā)明的第4形態(tài)的電光裝置為，在第3形態(tài)中，上述第二保護元件為保護二極管或關斷晶體管。
[0020]根據(jù)本形態(tài)，由于作為第二保護元件而采用保護二極管或關斷晶體管，因而只要變更與第二保護元件連接的電極，即可與現(xiàn)有技術相比而更有效地釋放靜電。
[0021](5)本發(fā)明的第5形態(tài)的電光裝置為，在第3形態(tài)或第4形態(tài)中，所述第二電極以俯視觀察時與形成有所述多個有機發(fā)光二極管的顯示區(qū)域重疊的方式而配置，所述第一電極由以繞所述第二電極一周的方式而配置的一個或多個電極構成。
[0022]按照本形態(tài)，由于以有效利用顯示區(qū)域的方式而配置，因而第一電極和第二電極各自的阻抗進一步降低，從而能夠更高效地釋放從襯墊侵入的靜電。
[0023](6)本發(fā)明的第6形態(tài)的電光裝置為，在第3形態(tài)或第4形態(tài)中，所述第二電極以俯視觀察時與形成有所述多個有機發(fā)光二極管的顯示區(qū)域重疊的方式而配置，所述第一電極具有，沿著所述第二電極的外周邊中相互交叉的兩條邊的外周邊。
[0024]此處，在第二電極具有矩形形狀的情況下，第一電極也可以具有沿著第二電極的外周邊中的三條邊的外周邊。根據(jù)本形態(tài)，由于以有效地利用顯示區(qū)域的方式而配置，因而第一電極和第二電極各自的阻抗進一步降低，從而能夠進一步高效地釋放從襯墊侵入的靜電。
[0025](7)本發(fā)明的第7形態(tài)的電光裝置為，在第3形態(tài)至第6形態(tài)中的任意一種中，包括對所述第二電極與所述第二保護元件的另一端進行電連接的連接配線，所述連接配線以俯視觀察時與所述第一電極重疊的方式而配置。
[0026]在本形態(tài)中，由于在第二電極的外側配置有第一電極，因而第一電極與第一保護元件之間能夠通過最短距離來進行連接。而且，還通過以俯視觀察時與第一電極重疊的方式來配置對在其內(nèi)部所配置的第二電極與第二保護元件進行連接的連接配線，以使第二電極與第二保護元件之間通過最短距離而連接，從而能夠更高效地釋放靜電。
[0027](8)本發(fā)明的第8形態(tài)的電光裝置為，在第一形態(tài)至第7形態(tài)的任意一種中，包括被供給接地電壓的電源襯墊，連接所述第一電極與所述第一保護元件的配線的阻抗與所述第一電極的阻抗的合成阻抗，低于與所述電源襯墊電連接的配線的阻抗。
[0028]按照本形態(tài)，由于連接第一電極和第二電極的配線的阻抗與第一電極的阻抗的合成阻抗低于與供給電源電壓的電源襯墊連接的配線的阻抗，因而能夠提供與現(xiàn)有技術相比可更有效地釋放靜電的電光裝置。
[0029]( 9 )本發(fā)明的第9形態(tài)的電光裝置為，在第一形態(tài)至第8形態(tài)的任意一種中，所述襯墊為，沿著形成有所述電光裝置的基板的外周邊而配置的多個襯墊中的一個。
[0030]按照本形態(tài)，在沿著基板的外周邊而配置多個襯墊的情況下，即使基板的尺寸增大，但也能夠提供與現(xiàn)有技術相比可更有效地釋放靜電的電光裝置。
[0031](10)本發(fā)明的第10形態(tài)的電光裝置為，在第一形態(tài)至第8形態(tài)的任意一種中，沿著形成有所述電光裝置的基板的外周邊之中的至少三條邊中的每一條邊而配置有所述襯墊。
[0032]根據(jù)本形態(tài)，在沿著基板的外周邊之中的至少三條邊中的每一條邊而配置有多個襯墊的情況下，即使基板的尺寸增大，也能夠提供與現(xiàn)有技術相比可更有效地釋放靜電的電光裝置。
[0033](11)本發(fā)明的第11形態(tài)的電光裝置為，在第一形態(tài)至第10形態(tài)的任意一種中，所述襯墊為所述電光裝置的安裝用襯墊。
[0034]根據(jù)本形態(tài)，由于是安裝在顯示模塊等之內(nèi)，因而能夠提供與現(xiàn)有技術相比可更高效地釋放從安裝用襯墊侵入的靜電的電光裝置。
[0035](12)本發(fā)明的第12形態(tài)的電子設備包括，第一形態(tài)至第11形態(tài)中的任意一種電光裝置。
[0036]根據(jù)本形態(tài)，能夠提供一種電子設備，其應用了與現(xiàn)有技術相比能夠更高效地釋放從襯墊侵入的靜電的電光裝置的電子設備。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0037][圖1]為表示本實施方式的電光裝置的構成概要的圖。
[0038][圖2]為表示圖1的電光裝置的電路平面配置的一例的圖。
[0039][圖3]為表示圖1的像素電路的構成例的圖。
[0040][圖4]為表示圖3的VEL電極和VCT電極的平面配置的一例的圖。
[0041][圖5]為本實施方式中的保護電路的說明圖。
[0042][圖6]為圖5的保護電路的構成例的電路圖。
[0043][圖7]為對VEL電極與保護電路進行連接的連接配線的說明圖。
[0044][圖8]為模式化地表示圖2的沿A-A線的電光裝置的剖面結構的一例的圖。
[0045][圖9]為表示本實施方式的第一改變例中的電光裝置的VEL電極和VCT電極的平面配置的一例的圖。
[0046][圖10]為表示本實施方式的第二改變例中的電光裝置的VEL電極和VCT電極的平面配置的一例的圖。
[0047][圖11]為表示本實施方式的第3改變例中的電光裝置的VEL電極和VCT電極的平面配置的一例的圖。
[0048][圖12]為表示本實施方式的第4改變例中的電光裝置的VEL電極和VCT電極的平面配置的一例的圖。
[0049][圖13]為表示應用了本實施方式中的電光裝置的顯示模塊的構成例的圖。
[0050][圖14]為表示本實施方式中的作為電子設備的HMD的外觀的圖。
[0051][圖15]為表示圖14所示的HMD的光學構成概要的圖。
[0052][圖16]為一般的電光裝置中的靜電擊穿防護措施的說明圖。
【具體實施方式】
[0053]以下，利用附圖來詳細說明本發(fā)明的實施方式。并且，以下說明的實施方式并不是對權利要求書所述的本發(fā)明的內(nèi)容進行不當限定的方式。另外，為了解決本發(fā)明的課題，以下所說明的全部結構不一定都是必需的構成要素。
[0054][電光裝置]
[0055]在圖1中，圖示了本發(fā)明的一種實施方式的電光裝置的構成概要。
[0056]本實施方式中的電光裝置100為,例如在娃基板上形成有使用OLED來作為發(fā)光兀件的多個像素電路、及向各像素電路供給驅動信號等的驅動電路等的有機EL裝置。
[0057]電光裝置100包括掃描線驅動電路110、數(shù)據(jù)線驅動電路120和顯示部200。在電光裝置100的外部，設置有控制電路150和電源電路160。
[0058]電光裝置100也可以具有在外部設置掃描線驅動電路110和數(shù)據(jù)線驅動電路120之中的至少一個的結構。另外，電光裝置100也可以具有內(nèi)置了控制電路150和電源電路160中的至少一個的結構。
[0059]顯示部200包括被排列成矩陣狀的多個像素電路210。多個像素電路210各自具有相同結構。在顯示部200中，各掃描線以沿著圖1的X方向延伸的方式而排列有m(m為2以上的整數(shù))條掃描線112。另外，在顯示部200中，各數(shù)據(jù)線以沿著圖1的Y方向延伸的方式而排列有η (η為2以上的整數(shù))列的數(shù)據(jù)線122。而且,與m行的掃描線112和η列的數(shù)據(jù)線122的交叉相對應，而設置有像素電路210。與I條掃描線112和沿X方向相鄰的3條數(shù)據(jù)線122的交叉相對應的3個像素電路210分別對應于R (紅)、G (綠)和B (藍)的像素，并表現(xiàn)構成彩色圖像的像素的I個點。
[0060]控制電路150對掃描線驅動電路110和數(shù)據(jù)線驅動電路120供給控制信號Ctrl、Ctr2，并且對數(shù)據(jù)線驅動電路120供給與各行的像素相對應的圖像數(shù)據(jù)。另外，控制電路150能夠對由電源電路160所實施的各種電源電壓的生成進行控制。
[0061]控制信號C t r I為，作為用于對掃描線驅動電路110進行控制的脈沖信號的垂直同步信號、水平同步信號、時鐘信號及使能信號。
[0062]控制信號C t r 2為，作為用于對數(shù)據(jù)線驅動電路120進行控制的水平同步信號、點時鐘信號DCLK、閂鎖脈沖信號LP及使能信號。
[0063]圖像數(shù)據(jù)為，與根據(jù)來自掃描線驅動電路110的掃描信號而選擇的行的每個像素的灰度等級相對應的數(shù)據(jù)。
[0064]掃描線驅動電路110在由垂直同步信號所規(guī)定的各幀期間中，基于控制信號Ct r 1，而生成用于按照每I行而依次對掃描線112進行掃描的掃描信號Gwr (I)~Gwr(m)0在圖1中，將供給第1、第2、第3、…、第(m-Ι)、第m的掃描線112的掃描信號分別標記為 Gwr (I)、Gwr (2)、Gwr (3)、...> Gwr (m-1 )> Gwr (m)。
[0065]另外，掃描線驅動電路110除了掃描信號Gwr (I)~Gwr (m)之外，還按每行而生成供給各像素電路的控制信號，但在圖1中省略了圖示。
[0066]數(shù)據(jù)線驅動電路120在每個水平掃描期間，將與由掃描線驅動電路110所選擇的行的各像素的灰度等級相對應的數(shù)據(jù)信號Vd (I)~Vd (η)供給至各數(shù)據(jù)線122。
[0067]電源電路160生成并供給掃描線驅動電路110、數(shù)據(jù)線驅動電路120和控制電路I~50中的各個電路所需的各種電源電壓。
[0068]具體而言，電源電路160對掃描線驅動電路110供給用于使掃描線驅動電路110工作的電源電壓、及用于生成掃描信號Gwr (I)~Gwr (m)及供給各像素電路的控制信號的各種電源電壓。
[0069]另外，電源電路160對數(shù)據(jù)線驅動電路120供給用于使數(shù)據(jù)線驅動電路120工作的電源電壓、及與灰度等級相對應的多個灰度電壓。
[0070]而且，電源電路160對構成顯示部200的各像素電路供給用于使各像素電路工作的電源電壓。
[0071]在圖2中，圖示了圖1的電光裝置100的電路平面配置的一例。在圖2中，對與圖1相同的部分標記相同符號并適當省略其說明。
[0072]在形成電光裝置100的半導體基板(以下，適當?shù)睾喎Q為“基板”)中，沿著矩形形狀的顯示部200的外周邊而配置有掃描線驅動電路110a、110b、數(shù)據(jù)線驅動電路120和圖中未圖示的測試電路130。
[0073]掃描線驅動電路IlOaUlOb沿著顯示部200的外周邊之中的對置的兩條邊SD1、SD2中的每一條而配置。沿著顯示部200的外周邊之中與邊SD1、SD2交叉的邊SD3而配置有數(shù)據(jù)線驅動電路120，沿著顯示部200的外周邊之中與邊SD3對置的邊SD4而配置有測試電路130。
[0074]另外，沿著形成有電光裝置100的基板的外周邊之中的對置的邊SD10、SDll和與邊SD10、SD11交叉的邊SD12而配置有多個襯墊300，以作為測試用襯墊。與各襯墊300相對應地設置有各保護電路310，各保護電路310在對應的襯墊300的附近位置處，被配置在比該襯墊300更靠基板的內(nèi)部側。
[0075]而且，沿著形成有電光裝置100的基板的外周邊之中與邊SD12相向的邊SD13而配置有多個安裝用襯墊320。與各安裝用襯墊320相對應地設置有各保護電路330，各保護電路330在對應的安裝用襯墊320的附近位置處，被配置在比該安裝用襯墊320更靠基板的端部側。并且，保護電路330的構成與保護電路310的構成相同。
[0076]掃描線驅動電路IlOaUlOb各自具有圖1的掃描線驅動電路110的功能，對于相同的掃描線以互為相同的時序而供給掃描信號及控制信號。由此，能夠減少因掃描信號等由于構成顯示部200的像素電路210的位置而發(fā)生訛誤所導致的顯示不均勻。
[0077]測試電路130進行用于驗證構成顯示部200的多個像素電路210的工作的控制。具體而言，在測試模式工作時，測試電路130對I條或多條數(shù)據(jù)線122中的每一條，經(jīng)由對應的襯墊300而進行輸出數(shù)據(jù)信號的控制。因此，使構成顯示部200的多個像素電路210及與它們連接的數(shù)據(jù)線122等的驗證成為可能。
[0078]在具有以上這種構成的電光裝置100中，與襯墊300對應地設置的保護電路310具有，使靜電釋放到共通地連接于構成顯示部200的多個像素電路210的VEL電極和VCT電極中的至少一方上的構成。
[0079]以下，為了對本實施方式的VEL電極和VCT電極進行說明，從而對連接VEL電極和VCT電極的像素電路210進行說明。
[0080]在圖3中，圖示了圖1的像素電路210的構成例。圖3表示位于第i(i為自然數(shù))行的第j (j為自然數(shù))列的像素電路。在圖3中，對與圖1相同的部分標記相同符號而適當省略其說明。
[0081]像素電路210包括P型金屬氧化膜半導體(Metal-Oxide Semiconductor:以下，稱為“M0S”)晶體管211?214、0LED215和保持電容216。成為晶體管212?214的各自的柵信號的掃描信號Gwr (i)、控制信號Gcmp (i)、Gel (i)供給像素電路210。掃描信號Gwr (i)、控制信號Gcmp (i)、Gel (i)是與第i行相對應地，由掃描線驅動電路110 (110a、110b)供給的信號，也共通地供給到第i行的j列以外的其它列的像素電路。
[0082]晶體管211作為驅動晶體管,其源極與VEL電極250 (第二電極)電連接，其漏極與晶體管213的漏極、和晶體管214的源極電連接。另外，晶體管211的柵極與晶體管212的漏極、晶體管213的源極、以及保持電容216的一端電連接。在像素電路210中，成為電源的高電位側的電壓Vel被供給至VEL電極250。電壓Vel是由電源電路160所供給的電壓。
[0083]晶體管212作為寫入晶體管，其源極與數(shù)據(jù)線122電連接，其柵極與掃描線112連接。晶體管212的柵極通過作為柵極信號的掃描信號Gwr (i)而被控制。
[0084]晶體管213作為閾值補償晶體管，其柵極被供給控制信號Gcmp(i)。晶體管213的柵極通過作為柵極信號的控制信號Gcmp (i)而被控制。
[0085]晶體管214作為電流供給控制晶體管，其漏極與0LED215的陽極電連接，其柵極被供給控制信號Gel (i)0晶體管214的柵極通過作為柵極信號的控制信號Gel (i)而被控制。通過設置晶體管214，能夠避免例如在剛接通電源后電流被供給至0LED215而導致顯示了預想之外的圖像的事態(tài)。
[0086]另外，如圖3所示，作為晶體管211?214的基板電位而供給有電壓Vel。
[0087]而且，在像素電路210中可以設置P型MOS晶體管，該P型MOS晶體管的漏極與0LED215的陽極電連接，而源極被供給所給予的初始電壓。通過以規(guī)定的時序，經(jīng)由該晶體管而向0LED215的陽極施加初始電壓，從而能夠使蓄積于0LED215的寄生電容內(nèi)的電荷初始化，進而能夠防止因0LED215的寄生電容而導致的顯示劣化。
[0088]0LED215的陰極與VCT電極260 (第一電極)電連接，該陰極中被供給像素電路210中作為電源的低電位側的電壓Vet。0LED215是通過在基板上由陽極與具有透光性的陰極夾持白色有機EL層而構成的發(fā)光元件，在作為出射側的陰極上重疊配置R、G、B中的某一濾色器。在0LED215中，當電流從陽極流入陰極時，從陽極注入的空穴將與從陰極注入的電子在有機EL層中復合而生成激子，并發(fā)出白色光。該白色光在透射過陰極后被濾色器著色，并被觀察者目視確認到。
[0089]保持電容216的另一端與VEL電極250電連接，并對晶體管211的柵極-源極間電壓進行保持。
[0090]保持電容216使用晶體管211的柵極的寄生電、或通過導電層來夾持絕緣層而形成的電容來形成。
[0091]若簡單地對圖3所示的像素電路210的工作進行說明，則在由掃描信號所選擇的I個水平掃描期間內(nèi)，經(jīng)由晶體管212而被寫入與灰度等級相對應的數(shù)據(jù)信號。于是，晶體管213成為導通，在晶體管211的閾值被補償?shù)臓顟B(tài)下，數(shù)據(jù)信號被保持在保持電容216內(nèi)。其后，晶體管214成為導通，從而在0LED215中被供給有與晶體管211的柵極-源極間電壓相對應的電流。因此，0LED215能夠在對晶體管211的閾值進行了補償?shù)臓顟B(tài)下，以與灰度等級相對應的亮度而發(fā)光。
[0092]在圖4中，圖示了圖3的VEL電極250和VCT電極260的平面配置的一例。在圖4中，對與圖2或圖3相同的部分標記相同符號而適當省略其說明。
[0093]VEL電極250以俯視觀察時與形成多個OLED的顯示區(qū)域、即顯示部200重疊的方式而配置。VEL電極250與多個安裝用襯墊320的任意一個電連接，且經(jīng)由該安裝用襯墊320而使電壓Vel被供給至VEL電極250。
[0094]與此相對，VCT電極260在與VEL電極250電隔離的狀態(tài)下，以圍繞VEL電極250一周的方式而配置。VCT電極260與多個安裝用襯墊320中的任意一個電連接，經(jīng)該安裝用襯墊320而使電壓Vct被供給至VCT電極260。由此，由于構成顯示部200的多個像素電路210中的每一個電路在同一條件下與VEL電極250連接，因此能夠實現(xiàn)顯示不均勻的降低。
[0095]此外，電壓Vct能夠設為與接地電壓Vss相同電位的電壓。然而，在本實施方式中，多個安裝用襯墊320在用于供給接地電壓Nss的電源襯墊之外，包含用于供給電壓Vct的襯墊。因此，能夠使對保護電路310 (具體而言為，構成保護電路310的保護元件)和VCT電極260進行連接的配線的阻抗與VCT電極260的阻抗的合成阻抗，低于與用于供給接地電壓Vss的電源襯墊電連接的配線的阻抗。
[0096]而且，沿著基板的外周邊而配置的襯墊300附近的保護電路310 (在圖4中未圖示)，經(jīng)由與現(xiàn)有技術相比而較短的配線與VEL電極250或VCT電極260電連接。因此，根據(jù)本實施方式，能夠與現(xiàn)有情形相比而更高效地使靜電釋放到較低阻抗的電極上。
[0097]在圖5中，圖示了本實施方式中的保護電路310的說明圖。在圖5中，對與圖1?圖4相同的部分標記相同符號并適當省略其說明。
[0098]在圖6中，圖示了圖5的保護電路310的構成例的電路圖。在圖6中，對與圖5相同的部分標記相同符號并適當省略其說明。
[0099]在本實施方式中，與襯墊300連接并被配置在其附近的圖2的保護電路310與上述的VEL電極250和VCT電極260連接。從襯墊300侵入的靜電被釋放到與現(xiàn)有技術相比而阻抗較低的VEL電極250或VCT電極260上，從而對與保護電路310連接的內(nèi)部電路進行保護。
[0100]如圖6所示，保護電路310包括保護元件312、314和保護電阻316。保護元件312(第一保護元件)的一端與襯墊300電連接，另一端與VCT電極260電連接。保護元件314(第二保護元件)的一端與襯墊300電連接，另一端與VEL電極250電連接。
[0101]g卩，電光裝置100能夠包括襯墊300、多個0LED215、與各0LED215的陰極共同地電連接的VCT電極260、和一端與襯墊300電連接而另一端與VCT電極260電連接的保護元件312。在圖6中，保護元件312由保護二極管構成，該保護二極管的陽極與VCT電極260電連接，該保護二極管的陰極與襯墊300電連接。
[0102]另外，保護元件312也可以由關斷晶體管或閘流晶體管構成。
[0103]而且，電光裝置100可以包括多個晶體管211、與各晶體管211的源極共通地電連接的VEL電極250、一端與襯墊300電連接而另一端與VEL電極250連接的保護元件314。在圖6中，保護元件314由保護二極管構成，該保護二極管的陽極與襯墊300電連接，該保護二極管的陰極與VEL電極250電連接。
[0104]而且，保護元件314也可以由關斷晶體管構成。
[0105]此時，由于VCT電極260以圍繞VEL電極250—周的方式而配置，因而如圖7所示，優(yōu)選構成保護電路310的保護元件312的另一端與VCT電極260之間通過最短路徑的連接配線410而被連接。另外，如圖7所示，電光裝置100包括對VEL電極250與構成保護電路310的保護元件314的另一端進行連接的連接配線400，且連接配線400優(yōu)選以俯視觀察時與VCT電極260重疊的方式而配置。通過采用這種方式，不僅能夠用最短路徑來對保護元件312的另一端與VCT電極260之間進行連接，還能夠用最短路徑來對連接保護元件314的另一端與VEL電極250之間進行連接。
[0106]在圖8中，模式化地圖示了圖2的沿A-A線的電光裝置100的剖面結構的一例。在圖8中，對與圖1?圖3相同的部分標記相同符號并適當省略其說明。此外，雖然在圖8中圖示了沿著從掃描線驅動電路IlOb穿過的A-A線的剖面結構的一例，但沿著從掃描線驅動電路IlOa穿過的線的剖面結構也是同樣的。另外，在圖8中，對于0LED215的剖面結構的詳細情況省略了圖示。
[0107]電光裝置100被形成在P型半導體基板500上。在P型半導體基板500上，形成有N型雜質區(qū)(阱)502、504及P型雜質區(qū)506、508、510。在N型雜質區(qū)502上，形成有像素電路210。在N型雜質區(qū)504和P型雜質區(qū)506、508上，形成有構成掃描線驅動電路IlOb的電路的一部分。在P型雜質區(qū)510上，形成有構成圖6所示的保護電路310的保護元件312。
[0108]被形成在P型半導體基板500的上層上的襯墊300，經(jīng)由通過通孔而電連接的多個配線層，而與被形成在P型雜質區(qū)510上的N型高濃度雜質區(qū)512連接。在該P型雜質區(qū)510上，進一步形成有P型高濃度雜質區(qū)514，P型高濃度雜質區(qū)514經(jīng)由通過通孔而電連接的多個配線層，而與VCT電極260電連接。N型高濃度雜質區(qū)512側成為保護二極管的陰極側，P型高濃度雜質區(qū)514側成為保護二極管的陽極側。通過N型高濃度雜質區(qū)512和P型高濃度雜質區(qū)514而形成了保護元件312。此外，雖然圖8中未圖示，但同樣地也形成了保護元件314。
[0109]VCT電極260被形成在構成掃描線驅動電路IlOb的晶體管的上層上。
[0110]在VEL電極250的下層上，形成有堆疊了由夾持絕緣膜的導電層所構成的電容的保持電容216。該保持電容216的一端與上層的VEL電極250電連接，另一端與未圖示的晶體管的柵極等連接。
[0111]VEL電極250經(jīng)由通過通孔而電連接的多個配線層，而與被形成在N型雜質區(qū)502上的N型高濃度雜質區(qū)516電連接。在N型雜質區(qū)502上，隔著在上層經(jīng)由柵極氧化膜而形成有柵電極的溝道區(qū)，而形成有P型有源區(qū)518、520。P型有源區(qū)518成為P型晶體管的源極，P型有源區(qū)520成為P型晶體管的漏極。P型有源區(qū)520經(jīng)由通過通孔而電連接的多個配線層，而與被形成在VEL電極250的上層上的0LED215電連接。
[0112]此外，在本實施方式中，構成被配置在安裝用襯墊320附近的保護電路330的保護元件不與VEL電極250或VCT電極260連接。這是因為，與VEL電極250或VCT電極260相比，能夠通過最短距離而連接到安裝用襯墊320中的被供給電壓Vel或電壓Vct的襯墊的電源線上的緣故。然而，關于安裝用襯墊320，也與襯墊300同樣地，也可以使構成被配置在其附近的保護電路330的保護元件連接于VEL電極250或VCT電極260。
[0113]S卩，雖然本發(fā)明所涉及的襯墊沿著形成電光裝置100的基板的外周邊之中的至少三條邊中的每條邊而配置，但也可以是為，沿著該基板的外周邊而配置的多個襯墊300中的一個、或者為電光裝置100的安裝用襯墊320。
[0114]如以上所說明的那樣，在本實施方式中，將被共通地連接在顯示部200上所形成的多個OLED上的VEL電極250或VCT電極260，與構成保護電路310的保護元件連接。因此，即使在形成電光裝置100的基板的尺寸增大了的情況下，也能夠在不繞設配線的情況下，與現(xiàn)有技術相比而更高效地使從襯墊侵入的靜電釋放到較低阻抗的電極上。
[0115][改變例]
[0116]雖然在圖4中，VCT電極260以圍繞VEL電極250 —周的方式而配置，但本實施方式中的VCT電極260的平面形狀并不限定于此。VCT電極既可以由以圍繞VEL電極一周的方式而配置的多個電極構成，也可以以具有沿著VEL電極的外周邊之中的至少兩條邊的、外周邊的方式而配置。
[0117]第一改變例
[0118]在圖9中，示出本實施方式的第一改變例中的電光裝置的VEL電極和VCT電極的平面配置的一例。在圖9中，對與圖4相同的部分標記相同符號并適當省略其說明。
[0119]在第一改變例的電光裝置10a中所配置的VEL電極和VCT電極與圖4的電光裝置100中所配置的VEL電極250和VCT電極260不同之點是俯視觀察時的VCT電極的形狀。在電光裝置10a中，VCT電極260a具有，沿著矩形形狀的VEL電極250的外周邊之中的三條邊的外周邊，并具有-字或U字的形狀。
[0120]具體而言，VCT電極260a具有，沿著VEL電極250的外周邊之中對置的邊SD20、SD21和與邊SD20、SD21交叉的邊SD22的外周邊。在圖9中，邊SD22是沿著安裝用襯墊320的排列方向的邊。VCT電極260a與多個安裝用襯墊320中的任意一個電連接，經(jīng)由該安裝用襯墊320而向VCT電極260a供給電壓Vet。
[0121]另外，雖然在圖9中，VCT電極260a的開口側被設置于與邊SD22對置的邊SD23偵牝但該開口側也可被設置于邊SD20、SD21、邊SD22中的任意一邊側。
[0122]根據(jù)第一改變例，由于能夠進一步縮短連接襯墊300與VCT電極260a的配線，并且能夠進一步降低VCT電極260a的阻抗，從而與本實施方式同樣地，能夠實現(xiàn)顯示不均勻性的降低。
[0123]2.第二改變例
[0124]在圖10中，圖示了本實施方式的第二改變例中的電光裝置的VEL電極和VCT電極的平面配置的一例。在圖10中，對與圖4或圖9相同的部分標記相同符號并適當省略其說明。
[0125]在第二改變例的電光裝置10b中所配置的VEL電極和VCT電極與圖4的電光裝置100中所配置的VEL電極250和VCT電極260不同點在于，VCT電極被分割配置這一點。在電光裝置10b中，形成有VCT電極260bl、260b2，VCT電極260bI與圖9的VCT電極260a同樣地，具有沿著圖10的矩形形狀的VEL電極250的外周邊之中的三條邊的外周邊，并具有2字或U字的形狀。VCT電極260b2具有沿著VEL電極250的外周邊之中的剩余的一條邊的外周邊。
[0126]具體而言，VCT電極260bl具有，沿著VEL電極250的外周邊之中對置的邊SD20、SD21和與邊SD20、SD21交叉的邊SD22的外周邊。VCT電極260b2具有，沿著VEL電極250的外周邊之中與邊SD22對置的邊SD23的外周邊。S卩，VCT電極260bl被設置在VCT電極260b2的開口側，VCT電極260bl、260b2通過被對置配置，從而以圍繞VEL電極250 —周的方式而配置。VCT電極260b1、260b2與多個安裝用襯墊320中的任意一個電連接，且經(jīng)由該安裝用襯墊320而向VCT電極260bl、260b2供給電壓Vet。
[0127]另外，雖然在圖10中，VCT電極260bl的開口側被設置于邊SD23側，但該開口側也可以被設置于邊SD20、SD21、邊SD22中的任意一邊側。
[0128]根據(jù)第二改變例，由于能夠進一步縮短連接襯墊300與VCT電極260bl、260b2中的任意一個電極的配線，并且能夠進一步降低VCT電極260bl、260b2的阻抗，因而與本實施方式同樣地，能夠實現(xiàn)顯示不均勻的降低。
[0129]3.第3改變例
[0130]在圖11中，圖示了本實施方式的第3改變例中的電光裝置的VEL電極和VCT電極的平面配置的一例。在圖11中，對與圖4或圖9相同的部分標記相同符號并適當省略其說明。
[0131]在第3改變例的電光裝置10c中所配置的VEL電極和VCT電極與圖4的電光裝置100中所配置的VEL電極250和VCT電極260的不同點在于，俯視觀察時的VCT電極的形狀。在電光裝置10c中，VCT電極260c具有沿著矩形形狀的VEL電極250的外周邊之中相互交叉的兩條邊的外周邊，并具有L字的形狀。
[0132]具體而言，VCT電極260c具有沿著VEL電極250的外周邊之中相互交叉的邊SD20、SD22的外周邊。VCT電極260c與多個安裝用襯墊320中的任意一個電連接，且經(jīng)由該安裝用襯墊320而向VCT電極260c供給電壓Vet。
[0133]另外，雖然在圖11中，VCT電極260c具有沿著邊SD20、SD22的外周邊，但也可以具有沿著邊SD20、SD23及邊SD23、SD21、或邊SD21、SD22的外周邊。
[0134]根據(jù)第3改變例，由于能夠進一步縮短連接襯墊300與VCT電極260c的配線，并且能夠進一步降低VCT電極260c的阻抗，因而與本實施方式同樣地，能夠實現(xiàn)顯示不均勻的降低。
[0135]4.第4改變例
[0136]在圖12中，圖示了本實施方式的第4改變例中的電光裝置的VEL電極和VCT電極的平面配置的一例。在圖12中，對與圖4或圖9相同的部分標記相同符號并適當省略其說明。
[0137]在第4改變例的電光裝置10d中所配置的VEL電極和VCT電極與圖4的電光裝置100中所配置的VEL電極250和VCT電極260的不同點在于，VCT電極被分割配置這一點。在電光裝置10d中，形成有VCT電極260dl、260d2，VCT電極260dl與圖11的VCT電極260c同樣地，具有沿著矩形形狀的VEL電極250的外周邊之中相互交叉的兩條邊的外周邊，并具有L字的形狀。VCT電極260d2也具有沿著VEL電極250的外周邊之中相互交叉的剩余的兩條邊的外周邊，并具有L字的形狀。
[0138]具體而言，VCT電極260dl具有沿著VEL電極250的外周邊之中相互交叉的邊SD20、SD22的外周邊，VCT電極260d2具有沿著VEL電極250的外周邊之中相互對置(應為交叉)的邊SD23、SD21的外周邊。即，VCT電極260dl、260d2通過對置配置，從而以圍繞VEL電極250 —周的方式而配置。VCT電極260dl、260d2與多個安裝用襯墊320中的任意一個電連接，并經(jīng)由該安裝用襯墊320而向VCT電極260dl、260d2供給電壓Vet。
[0139]此外，雖然在圖12中，VCT電極260dl具有沿著邊SD20、SD22的外周邊，VCT電極260d2具有沿著邊SD23、SD21的外周邊，但也可以設為VCT電極260dl具有沿著邊SD20、SD23的外周邊，而VCT電極260d2具有沿著邊SD21、SD22的外周邊。
[0140]根據(jù)第4改變例，由于能夠進一步縮短連接襯墊300與VCT電極260dl、260d2中的任意一個電極的配線，并且能夠進一步降低VCT電極260dl、260d2的阻抗，從而與本實施方式同樣地，能夠實現(xiàn)顯示不均勻的降低。
[0141][電子設備]
[0142]通過構成使用了本實施方式中的電光裝置100和柔性印刷電路(FlexiblePrinted Circuits:以下，稱為“FPC”)基板的顯示模塊，從而使得向電光裝置100的電子設備的安裝更加簡便化。
[0143]在圖13中，圖示了應用本實施方式中的電光裝置100的顯示模塊的構成例。
[0144]顯示模塊600包括電光裝置100和FPC基板610。在FPC基板610上，包括與電光裝置100的安裝用襯墊320連接的多個安裝端子(未圖示)、利用COF (Chip On Film，即“薄膜上貼裝芯片”)技術所安裝的集成電路裝置620和與外部電路連接的多個端子622。在FPC基板610上，形成有將多個安裝端子與集成電路裝置620的端子電連接的配線、以及將集成電路裝置620的端子與多個端子622電連接的配線。
[0145]集成電路裝置620具有圖1的控制電路150和電源電路160的功能，并實施電光裝置100的顯示控制。
[0146]本實施方式中的電光裝置100或使用了它的顯示模塊600能夠應用于以下的這種電子設備中。
[0147]在圖14中，圖示了本實施方式中的作為電子設備的HMD的外觀。
[0148]在圖15中，圖示了圖14所示的HMD的光學構成概要。在圖15中，對與圖14相同的部分標記相同符號并適當省略其說明。
[0149]本實施方式中的HMD700包括鏡腿710L、710R、鼻梁架720和鏡片701L、701R。如圖15所示，該HMD700在鏡腿710L和鏡片701L附近，備有左眼用的電光裝置730L(或具備電光裝置730L的顯示模塊)和光學透鏡702L。另外，如圖15所示，HMD700在鏡腿710R和鏡片701R附近，備有右眼用的電光裝置730R (或具備電光裝置730R的顯示模塊)和光學透鏡702R。
[0150]而且，如圖15所示，HMD700包括，被配置在來自鏡片701L的光到達左眼的光路上的半透明反射鏡703L和被配置在來自鏡片701R的光到達右眼的光路上的半透明反射鏡703R。作為電光裝置730L、730R，各自能夠應用本實施方式的電光裝置100。
[0151]電光裝置730L的圖像顯示面在圖15中朝向右側而配置，與電光裝置730L所形成的顯示圖像相對應的光經(jīng)由光學透鏡702L而被照射到半透明反射鏡703L上。半透明反射鏡703L將來自光學透鏡702L的光向左眼所處的方向上反射，同時使來自鏡片70IL的光向左眼所處的方向透射。
[0152]電光裝置730R的圖像顯示面在圖15中朝向左側而配置，與電光裝置730R所形成的顯示圖像相對應的光經(jīng)由光學透鏡702R而被照射到半透明反射鏡703R上。半透明反射鏡703R將來自光學透鏡702R的光向右眼所處的方向上反射，同時使來自鏡片701R的光向右眼所處的方向透射。
[0153]因此，HMD700的佩戴者能夠在與經(jīng)由鏡片701L、702R而進入的外部情況重合的透視狀態(tài)下，觀察電光裝置730L、730R的顯示圖像。
[0154]此時，在HMD700中，通過在伴隨有視差的兩眼圖像之中使左眼用圖像在電光裝置730L上顯示，并在該兩眼圖像之中使右眼用圖像在電光裝置730R上顯示，從而使佩戴者能夠識別到具有立體感的圖像。
[0155]通過將本實施方式中的電光裝置100應用于以上這種HMD700中，從而一方面充分地實施了靜電擊穿防護措施，而且使高品質的圖像顯示成為可能。
[0156]以上，基于上述實施方式對本發(fā)明的電光裝置和電子設備等進行了說明，但本發(fā)明并不限定于上述實施方式。例如，在不脫離其要旨的范圍內(nèi)，能夠在各種狀態(tài)下進行實施，也能夠進行以下這種改變。
[0157](I)雖然在本實施方式中，以圖1所示的結構為例對電光裝置100進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此。
[0158](2)雖然在本實施方式中，將電光裝置100的電路配置及電極配置作為圖2及圖4所示的配置而進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此。
[0159](3)雖然在本實施方式中，以圖3所示的結構為例對像素電路210的結構進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此。
[0160](4)雖然在本實施方式中，作為構成像素電路內(nèi)的晶體管為P型MOS晶體管的情況而進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，至少其中I個為N型MOS晶體管也可以。
[0161](5)雖然在本實施方式中，作為應用了電光裝置100的電子設備，以HMD為例進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此。例如，作為本發(fā)明的電子設備，也可以為作為超小型顯示器而應用了 EVF等直視型的顯示面板的設備。
[0162]另外，作為本發(fā)明的電子設備，可列舉出信息便攜式終端(PDA:Personal DigitalAssistants (個人數(shù)字助理))、數(shù)碼照相機、電視、攝像機、汽車導航裝置、傳呼機、電子記事本、電子書、臺式計算器、文字處理器、工作站、可視電話、POS (Point of sale system (銷售系統(tǒng)網(wǎng)點))終端、打印機、掃描儀、復印機、視頻游戲機、以及具備觸摸屏的設備等。
[0163]雖然在本實施方式中，作為電光裝置和電子設備等而對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此。例如，也可以為本發(fā)明所涉及的電光裝置的元件保護方法等。
[0164]符號說明
[0165]10、100、100a、100b、100c、100d、730L、730R …電光裝置、
[0166]12、200 …顯示部、14、14a、14b、300...襯墊、
[0167]16a…靜電保護電路、18...配線、
[0168]110、110a、I 1b…掃描線驅動電路、120…數(shù)據(jù)線驅動電路、
[0169]130…測試電路、150…控制電路、160…電源電路、210…像素電路、
[0170]211~214…晶體管、215…0LED、216…保持電容、
[0171]250…VEL電極(第二電極)、
[0172]260,26(^,2601^2601^260(^260(^260(^..7(^ 電極(第一電極)、
[0173]310、330…保護電路、312…保護元件(第一保護元件)、
[0174]314…保護元件(第二保護元件)、316...保護電阻、320…安裝用襯墊、
[0175]400、410…連接配線、500…P型半導體基板、
[0176]502、504…N型雜質區(qū)、506、508、510…P型雜質區(qū)、
[0177]512、516…N型高濃度雜質區(qū)、514…P型高濃度雜質區(qū)、
[0178]518、520…P型有源區(qū)、600…顯示模塊、
[0179]610…FPC基板、620…集成電路裝置、622…端子、
[0180]700 …HND、701L、701R …鏡片、702L、702R …光學透鏡、
[0181] 703L、703R…半透明反射鏡、710L、710R…鏡腿、720…鼻梁架。
【權利要求】
1.一種電光裝置,其特征在于,包括: 襯墊； 多個有機發(fā)光二極管； 第一電極，其與構成所述多個有機發(fā)光二極管的各有機發(fā)光二極管的陰極共通地電連接； 第一保護元件，其一端與所述襯墊電連接，另一端與所述第一電極電連接。
2.如權利要求1所述的電光裝置，其特征在于， 所述第一保護元件為，保護二極管、關斷晶體管、以及閘流晶體管之中的任意一種。
3.如權利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于， 包括: 多個驅動晶體管，其各自向各個所述有機發(fā)光二極管供給電流； 第二電極，其與構成所述多個驅動晶體管的各驅動晶體管的源極共通地電連接； 第二保護元件，其一端與所述襯墊電連接，另一端與所述第二電極電連接。
4.如權利要求3所述的電光裝置，其特征在于， 所述第二保護元件為保護二極管或關斷晶體管。
5.如權利要求3或4所述的電光裝置，其特征在于， 所述第二電極以俯視觀察時與形成有所述多個有機發(fā)光二極管的顯示區(qū)域重疊的方式而配置， 所述第一電極由以繞所述第二電極一周的方式而配置的一個或多個電極構成。
6.如權利要求3或4所述的電光裝置，其特征在于， 所述第二電極以俯視觀察時與形成有所述多個有機發(fā)光二極管的顯示區(qū)域重疊的方式而配置， 所述第一電極具有，沿著所述第二電極的外周邊中相互交叉的兩條邊的外周邊。
7.如權利要求3至6的任一項中所述的電光裝置，其特征在于， 包括對所述第二電極與所述第二保護元件的另一端進行電連接的連接配線， 所述連接配線以俯視觀察時與所述第一電極重疊的方式而配置。
8.如權利要求1至7的任一項中所述的電光裝置，其特征在于， 包括被供給接地電壓的電源襯墊， 連接所述第一電極與所述第一保護元件的配線的阻抗與所述第一電極的阻抗的合成阻抗，低于與所述電源襯墊電連接的配線的阻抗。
9.如權利要求1至8的任一項中所述的電光裝置，其特征在于， 所述襯墊為，沿著形成有所述電光裝置的基板的外周邊而配置的多個襯墊中的一個。
10.如權利要求1至8的任一項中所述的電光裝置，其特征在于， 沿著形成有所述電光裝置的基板的外周邊之中的至少三條邊中的每一條邊而配置有所述襯墊。
11.如權利要求1至10的任一項中所述的電光裝置，其特征在于，所述襯墊為所述電光裝置的安裝用襯墊。
12.—種電子設備,其特征在于， 包括權利要求1至11的任一項中所述的電光裝置。
【文檔編號】G09G3/32GK104078002SQ201410111722
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年3月24日 優(yōu)先權日:2013年3月25日
【發(fā)明者】野村猛 申請人:精工愛普生株式會社