陣列基板、顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置,陣列基板包括第一修復(fù)線和第二修復(fù)線,第一修復(fù)線與數(shù)據(jù)線平行設(shè)置,且設(shè)置于像素單元的與數(shù)據(jù)線所在側(cè)相反的一側(cè),第二修復(fù)線至少設(shè)置于奇數(shù)列或者偶數(shù)列上每一個像素單元另外兩側(cè)設(shè)有的兩條平行分布的柵極線之間,且每一條第二修復(fù)線的一端與第一修復(fù)線連接;連接線,連接線至少設(shè)置于奇數(shù)列或者偶數(shù)列上每一個像素單元另外兩側(cè)設(shè)有的兩條平行分布的柵極線之間,連接線與像素單元同層設(shè)置,且連接線的一端通過接觸孔與第二修復(fù)線的另一端連接,連接線的另一端與數(shù)據(jù)線分別在陣列基板上的投影交疊。上述陣列基板,可實現(xiàn)多條數(shù)據(jù)線斷裂進行修復(fù)的目的,可減小顯示裝置的邊框。
【專利說明】陣列基板、顯示面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示器【技術(shù)領(lǐng)域】,特別涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置?!颈尘凹夹g(shù)】
[0002]雖然目前陣列基板的制造技術(shù)已經(jīng)趨于成熟,但在制造過程中仍難免會產(chǎn)生一些不良,而這些不良會影響使用此基板的顯示裝置的顯示品質(zhì)。若直接報廢這些有不良的陣列基板,將會使得制造成本大幅增加。通常,只依賴改善工藝技術(shù)來實現(xiàn)零不良率是非常困難的,因此陣列基板的不良修補技術(shù)變得相當?shù)闹匾?br>
[0003]圖1a和圖1b分別為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板進行修補前后的電路示意圖。圖1a中,陣列基板上設(shè)有多條交叉分布的數(shù)據(jù)線01和柵極線02,陣列基板會在外圍區(qū)域預(yù)先保留多條修補線R0,當數(shù)據(jù)線01有一斷線處03時,數(shù)據(jù)信號將只能從圖1a的上方傳遞至斷線處03為止(如箭頭所示),斷線處03下方的像素單元就無法接收到數(shù)據(jù)信號而不能顯示。此時,可將原本彼此絕緣的修補線RO與數(shù)據(jù)線01的上下兩端都連接在一起,如圖1b中連接點04和05所示。如此一來,數(shù)據(jù)信號將可由修補線RO傳遞至斷線處03下方的像素單元,以便斷線處03下方的像素單元能夠正常顯示。
[0004]然而,為了避免因為修補線RO的數(shù)量不足而導(dǎo)致斷線處03過多時無法進行修補,必須提供相當數(shù)量的修補線RO在陣列基板的外圍區(qū)域。這樣一來,會導(dǎo)致陣列基板的外圍區(qū)域的面積增大,且外圍區(qū)域的線路復(fù)雜度也增加許多。另外,修補后的陣列基板利用繞在外圍的修補線RO傳遞數(shù)據(jù)信號,會因為走線長度較長而面臨阻抗過高的問題,需連接預(yù)留的功率放大器或更換功率較大的驅(qū)動芯片,這樣均會使陣列基板的成本大幅提高。而且,走線長度較長也增加信號受干擾的機會,導(dǎo)致修補后的陣列基板的品質(zhì)較差。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型提供了一種陣列基板,可實現(xiàn)多條數(shù)據(jù)線斷裂進行修復(fù)的目的,可減小顯示裝置的邊框。
[0006]另外,本實用新型還提供了一種顯示面板和顯示裝置,具有較長的使用壽命和較好的使用性能。
[0007]為達到上述目的,本實用新型提供以下技術(shù)方案:
[0008]本實用新型提供了一種陣列基板,包括:多條相互交叉分布的數(shù)據(jù)線和柵極線、陣列分布的多個像素單元,相鄰的兩行所述像素單元之間設(shè)有兩條平行分布的柵極線,每條所述數(shù)據(jù)線由其左右相鄰的兩列像素單元所共用,還包括:
[0009]第一修復(fù)線和第二修復(fù)線,所述第一修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線平行設(shè)置,且設(shè)置于所述像素單元的與所述數(shù)據(jù)線所在側(cè)相反的一側(cè),所述第二修復(fù)線至少設(shè)置于奇數(shù)列或者偶數(shù)列上每一個所述像素單元另外兩側(cè)設(shè)有的所述兩條平行分布的柵極線之間,且每一條所述第二修復(fù)線的一端與所述第一修復(fù)線連接;
[0010]連接線,所述連接線至少設(shè)置于奇數(shù)列或者偶數(shù)列上每一個所述像素單元另外兩側(cè)設(shè)有的所述兩條平行分布的柵極線之間,所述連接線與所述像素單元同層設(shè)置,且所述連接線的一端通過接觸孔與所述第二修復(fù)線的另一端連接,所述連接線的另一端和所述數(shù)據(jù)線分別在所述陣列基板上的投影交疊。
[0011]本實用新型提供的陣列基板,當陣列基板上的某條數(shù)據(jù)線斷裂時,將與該條數(shù)據(jù)線相鄰的那條第一修復(fù)線剪斷,并將該數(shù)據(jù)線斷點處對應(yīng)的像素單元另外兩側(cè)分別設(shè)有的連接線的另一端與該條斷裂的數(shù)據(jù)線焊接,焊接時,采用激光焊接技術(shù)將連接線的另一端和數(shù)據(jù)線的交疊位置處焊在一起,實現(xiàn)電連接,使得連接線、第二修復(fù)線、第一修復(fù)線和該斷裂的數(shù)據(jù)線形成新的信號傳輸路徑,由于該第一修復(fù)線和第二修復(fù)線設(shè)置于每一個像素單元的與數(shù)據(jù)線所在側(cè)相反的一側(cè),第一修復(fù)線與數(shù)據(jù)線平行設(shè)置,也就是說第一修復(fù)線的數(shù)目與數(shù)據(jù)線的數(shù)目相同,無論幾條數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷裂,都可以進行修補,避免了現(xiàn)有技術(shù)中因為修補線的數(shù)量不足而導(dǎo)致斷線處的數(shù)據(jù)線過多時無法修補的現(xiàn)象的發(fā)生,且與現(xiàn)有技術(shù)中的修補線設(shè)置在陣列基板的外圍區(qū)域相比,減少了修復(fù)線的走線長度,也就減少了阻抗過高和信號受干擾的現(xiàn)象的發(fā)生。
[0012]所以,本實用新型提供的陣列基板,可實現(xiàn)多條數(shù)據(jù)線斷裂進行修復(fù)的目的,可減小顯示裝置的邊框。
[0013]在一些可選的實施方式中,所述第二修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
[0014]在一些可選的實施方式中,所述第一修復(fù)線為與所述數(shù)據(jù)線材料相同的修復(fù)線,所述第二修復(fù)線為與所述數(shù)據(jù)線材料相同的修復(fù)線。
[0015]在一些可選的實施方式中,所述連接線為透明導(dǎo)電金屬氧化物材料的連接線。
[0016]在一些可選的實施方式中,所述第一修復(fù)線、所述第二修復(fù)線和所述連接線的線寬相等。
[0017]在一些可選的實施方式中,所述第一修復(fù)線、所述第二修復(fù)線和所述連接線的線寬均為4微米。一般來說,在目前的工藝條件下,兩行同層的柵極線之間的間距為10微米左右,將第二修復(fù)線設(shè)置為4微米,這樣,第二修復(fù)線與上下兩柵極線之間的間距均為3微米左右,不會使非同層的第二修復(fù)線與柵極線之間出現(xiàn)重疊而產(chǎn)生寄生電容。
[0018]在一些可選的實施方式中,所述第一修復(fù)線的兩端均連接到陣列基板的公共電極端。當陣列基板上沒有數(shù)據(jù)線發(fā)生斷裂時,整條第一修復(fù)線容易浮置在像素單元中間,容易產(chǎn)生一些靜電,為了防止這種現(xiàn)象的發(fā)生,可以將第一修復(fù)線的兩端均連接到陣列基板的公共電極端。
[0019]在一些可選的實施方式中,所述第一修復(fù)線的兩端均連接到陣列基板的接地端。當陣列基板上沒有數(shù)據(jù)線發(fā)生斷裂時,整條第一修復(fù)線容易浮置在像素單元中間,容易產(chǎn)生一些靜電,為了防止這種現(xiàn)象的發(fā)生,可以將第一修復(fù)線的兩端均連接到陣列基板的接地端。
[0020]另外,本實用新型還提供了一種顯示面板,包括上述任一項所述的陣列基板。由于上述陣列基板可實現(xiàn)多條數(shù)據(jù)線斷裂進行修復(fù)的目的,可減小顯示裝置的邊框。所以,本實用新型提供的顯示面板也具有較長的使用壽命和較好的使用性能。
[0021]本實用新型還提供了一種顯示裝置,包括上述顯示面板。由于上述顯示面板具有較長的使用壽命和較好的使用性能,所以,本實用新型提供的顯示裝置,也具有較長的使用壽命和較好的使用性能?!緦@綀D】
【附圖說明】
[0022]圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板進行修補前的電路示意圖;
[0023]圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板進行修補后的電路示意圖;
[0024]圖2為本實用新型提供的陣列基板的電路示意圖。
[0025]圖中:
[0026]01-數(shù)據(jù)線02-柵極線03-斷線處RO-修補線04-連接點05-連接點1-數(shù)據(jù)線2-柵極線3-像素單元41-第一修復(fù)線42-第二修復(fù)線5-連接線6-接觸孔71-薄膜晶體管源極72-薄膜晶體管漏極
【具體實施方式】
[0027]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
[0028]實施例一
[0029]圖2為本實用新型提供的陣列基板的電路示意圖,如圖2所示,本實用新型實施例提供的陣列基板,包括:多條相互交叉分布的數(shù)據(jù)線I和柵極線2、陣列分布的多個像素單元3,相鄰的兩行像素單元3之間設(shè)有兩條平行分布的柵極線2,每條數(shù)據(jù)線I由其左右相鄰的兩列像素單元所共用,還包括:
[0030]第一修復(fù)線41和第二修復(fù)線42,第一修復(fù)線41與數(shù)據(jù)線I平行設(shè)置,且設(shè)置于像素單元3的與數(shù)據(jù)線I所在側(cè)相反的一側(cè),第二修復(fù)線42至少設(shè)置于奇數(shù)列或者偶數(shù)列上每一個像素單元3另外兩側(cè)設(shè)有的兩條平行分布的柵極線2之間,且每一條第二修復(fù)線42的一端與第一修復(fù)線41連接;
[0031 ] 連接線5,連接線5至少設(shè)置于奇數(shù)列或者偶數(shù)列上每一個像素單元3另外兩側(cè)設(shè)有的兩條平行分布的柵極線2之間,連接線5與像素單元3同層設(shè)置,且連接線5的一端通過接觸孔6與第二修復(fù)線42的另一端連接,連接線5的另一端與數(shù)據(jù)線I分別在陣列基板上的投影交疊。
[0032]本實用新型提供的陣列基板,每一個像素單元3具有的薄膜晶體管源極71連接數(shù)據(jù)線I,薄膜晶體管柵極連接?xùn)艠O線2,薄膜晶體管漏極72通過接觸孔6與像素單元3連接,當陣列基板上的某條數(shù)據(jù)線I斷裂時(如圖2所示的叉號“ X ”位置),優(yōu)選地可將與該條數(shù)據(jù)線相鄰的那條第一修復(fù)線41剪斷(圖2所示的Al和A2處),并將該數(shù)據(jù)線I斷點處對應(yīng)的像素單元3另外兩側(cè)分別設(shè)有的連接線5的另一端與該條斷裂的數(shù)據(jù)線I在圖2中所示的BI和B2處(即連接線的另一端與數(shù)據(jù)線交疊處)通過激光焊接技術(shù)焊接在一起實現(xiàn)電連接,使得連接線5、第二修復(fù)線42、第一修復(fù)線41和該斷裂的數(shù)據(jù)線I形成新的信號傳輸路徑(如圖2中所示的箭頭方向),由于該第一修復(fù)線41和第二修復(fù)線42設(shè)置于每一個像素單元3的非數(shù)據(jù)線包圍側(cè),第一修復(fù)線41與數(shù)據(jù)線I平行設(shè)置,也就是說第一修復(fù)線41的數(shù)目與數(shù)據(jù)線I的數(shù)目相同,無論幾條數(shù)據(jù)線I出現(xiàn)斷裂,都可以進行修補,避免了現(xiàn)有技術(shù)中因為修補線的數(shù)量不足而導(dǎo)致斷線處的數(shù)據(jù)線過多時無法修補的現(xiàn)象的發(fā)生,且與現(xiàn)有技術(shù)中的修補線設(shè)置在陣列基板的外圍區(qū)域相比,減少了修復(fù)線的走線長度,也就減少了阻抗過高和信號受干擾的現(xiàn)象的發(fā)生。需要說明的是,上述實施例中,將Al和A2處切斷,這樣可以避免由于修復(fù)線固有的電氣特性而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)信號的延遲或干擾;然而,本實用新型不限于此,也可以不切斷Al和A2處。
[0033]所以,本實用新型提供的陣列基板,可實現(xiàn)多條數(shù)據(jù)線斷裂進行修復(fù)的目的,可減小顯示裝置的邊框。
[0034]將圖2中的Al和A2處切斷,可以采用激光切割方法,將數(shù)據(jù)線I斷點處對應(yīng)的像素單元3另外兩側(cè)分別設(shè)有的連接線5的另一端與該條斷裂的數(shù)據(jù)線I焊接在一起,也可以采用激光焊接的方法,當然上述切割和焊接方法不限于列舉的激光方法。
[0035]激光深熔焊接一般采用連續(xù)激光光束完成材料的連接,其冶金物理過程與電子束焊接極為相似,即能量轉(zhuǎn)換機制是通過“小孔”(Key-hole)結(jié)構(gòu)來完成的。在足夠高的功率密度激光照射下,材料產(chǎn)生蒸發(fā)并形成小孔。這個充滿蒸氣的小孔猶如一個黑體,幾乎吸收全部的入射光束能量,孔腔內(nèi)平衡溫度達25000C左右,熱量從這個高溫孔腔外壁傳遞出來,使包圍著這個孔腔四周的金屬熔化。小孔內(nèi)充滿在光束照射下壁體材料連續(xù)蒸發(fā)產(chǎn)生的高溫蒸汽,小孔四壁包圍著熔融金屬,液態(tài)金屬四周包圍著固體材料(而在大多數(shù)常規(guī)焊接過程和激光傳導(dǎo)焊接中,能量首先沉積于工件表面,然后靠傳遞輸送到內(nèi)部)??妆谕庖后w流動和壁層表面張力與孔腔內(nèi)連續(xù)產(chǎn)生的蒸汽壓力相持并保持著動態(tài)平衡。光束不斷進入小孔,小孔外的材料在連續(xù)流動,隨著光束移動,小孔始終處于流動的穩(wěn)定狀態(tài)。就是說,小孔和圍著孔壁的熔融金屬隨著前導(dǎo)光束前進速度向前移動,熔融金屬充填著小孔移開后留下的空隙并隨之冷凝,焊縫于是形成。
[0036]本實用新型較優(yōu)選的實施方式中,第二修復(fù)線42與數(shù)據(jù)線I同層設(shè)置。
[0037]一種【具體實施方式】中,第一修復(fù)線41的材料與數(shù)據(jù)線I材料相同,第二修復(fù)線42的材料與數(shù)據(jù)線I材料相同,連接線5由透明導(dǎo)電金屬氧化物材料制成。
[0038]優(yōu)選地,第一修復(fù)線41、第二修復(fù)線42和連接線5的線寬相同,進一步的,第一修復(fù)線41、第二修復(fù)線42和連接線5的線寬均為4微米。一般來說,在目前的工藝條件下,兩行同層的柵極線2之間的間距為10微米左右,將第二修復(fù)線42設(shè)置為4微米,這樣,第二修復(fù)線42與上下兩柵極線2之間的間距均為3微米左右,不會使非同層的第二修復(fù)線42與柵極線2之間出現(xiàn)重疊而產(chǎn)生較大的寄生電容。
[0039]由于,現(xiàn)有技術(shù)中,為了避免在像素區(qū)域內(nèi)沒有被電場覆蓋的區(qū)域出現(xiàn)漏光,以及考慮陣列基板與彩膜基板的貼合偏差等因素,在圖2中虛線框C,D,E等區(qū)域均會有黑色不透光的材料(又稱黑矩陣,Black Matrix,圖中未表示)覆蓋,而且在設(shè)計中,為了使數(shù)據(jù)線兩側(cè)的像素透光面積近似相等,避免兩側(cè)像素的亮度差別明顯而出現(xiàn)顯示不良的現(xiàn)象,虛線框C,D內(nèi)黑色不透光材料的寬度一般滿足經(jīng)驗公式:
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板,包括:多條相互交叉分布的數(shù)據(jù)線和柵極線、陣列分布的多個像素單元,相鄰的兩行所述像素單元之間設(shè)有兩條平行分布的柵極線,每條所述數(shù)據(jù)線由其左右相鄰的兩列像素單元所共用,其特征在于,還包括: 第一修復(fù)線和第二修復(fù)線,所述第一修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線平行設(shè)置,且設(shè)置于所述像素單元的與所述數(shù)據(jù)線所在側(cè)相反的一側(cè),所述第二修復(fù)線至少設(shè)置于奇數(shù)列或者偶數(shù)列上每一個所述像素單元另外兩側(cè)設(shè)有的所述兩條平行分布的柵極線之間,且每一條所述第二修復(fù)線的一端與所述第一修復(fù)線連接; 連接線,所述連接線至少設(shè)置于奇數(shù)列或者偶數(shù)列上每一個所述像素單元另外兩側(cè)設(shè)有的所述兩條平行分布的柵極線之間,所述連接線與所述像素單元同層設(shè)置,且所述連接線的一端通過接觸孔與所述第二修復(fù)線的另一端連接,所述連接線的另一端與所述數(shù)據(jù)線分別在所述陣列基板上的投影交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第二修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一修復(fù)線為與所述數(shù)據(jù)線材料相同的修復(fù)線,所述第二修復(fù)線為與所述數(shù)據(jù)線材料相同的修復(fù)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述連接線為透明導(dǎo)電金屬氧化物材料的連接線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述第一修復(fù)線、所述第二修復(fù)線和所述連接線的線寬相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述第一修復(fù)線、所述第二修復(fù)線和所述連接線的線寬均為4微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第一修復(fù)線的兩端均連接到陣列基板的公共電極端。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第一修復(fù)線的兩端均連接到陣列基板的接地端。
9.一種顯示面板,其特征在于,包括如權(quán)利要求1?8任一項所述的陣列基板。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求9所述的顯示面板。
【文檔編號】G09F9/30GK203480777SQ201320607422
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】姜清華, 秦鋒, 李小和, 李紅敏, 張曉潔 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司