本發(fā)明各實施例涉及有機發(fā)光二極管（OLED）顯示器。更具體地，本發(fā)明各實施例涉及具有穩(wěn)定發(fā)光特性的OLED顯示器。

背景技術(shù)：
與液晶顯示器（LCD）不同，有機發(fā)光二極管（OLED）顯示器不使用獨立的光源，從而使其可能被實現(xiàn)為重量輕且薄的顯示器。此外，由于有機發(fā)光二極管顯示器具有諸如低功耗、高亮度、短暫的響應(yīng)時間之類的高品質(zhì)特性，因此其被看作是下一代顯示設(shè)備。OLED包括多個發(fā)光二極管，每個發(fā)光二極管具有空穴注入電極、有機發(fā)射層和電子注入電極。電子和空穴在有機發(fā)射層中彼此結(jié)合，從而產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時，產(chǎn)生能量從而發(fā)射光，并且利用所發(fā)射的光顯示圖像。在這種情況下，有機發(fā)光元件（例如，有機發(fā)光二極管）從驅(qū)動薄膜晶體管接收驅(qū)動電流。然而，當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管處于截止狀態(tài)時，有機發(fā)光元件可能由于漏電流而引起發(fā)光。也就是說，有機發(fā)光元件在黑色模式下可能由于漏電流而引起發(fā)光，使得OLED顯示器的對比度可能劣化。另外，由于漏電流而導(dǎo)致的有機發(fā)光元件不期望的發(fā)光可能縮短有機發(fā)光元件的壽命。在該背景部分中公開的上述信息僅僅是為了增強對本發(fā)明背景的理解，因此其可包含不構(gòu)成在本國為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明各實施例致力于提供具有提高的亮度特性的有機發(fā)光二極管顯示器。根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光二極管（OLED）顯示器包括：開關(guān)晶體管，被配置為根據(jù)掃描信號執(zhí)行開關(guān)操作；驅(qū)動晶體管，被配置為根據(jù)按照所述開關(guān)晶體管的開關(guān)操作所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號供應(yīng)驅(qū)動電流；有機發(fā)光元件，與所述驅(qū)動晶體管電連接，并且被配置為根據(jù)所述驅(qū)動電流發(fā)光；電阻器，具有與所述有機發(fā)光元件的陽極連接的第一端；以及旁路線，與所述電阻器的第二端連接。所述電阻器可與所述開關(guān)晶體管和所述驅(qū)動晶體管中至少之一的半導(dǎo)體層形成在同一層中。所述OLED顯示器可進一步包括將所述有機發(fā)光元件的陽極與所述電阻器的第一端連接的連接部件。所述連接部件可與所述開關(guān)晶體管和所述驅(qū)動晶體管中至少之一的源電極和漏電極形成在同一層中。所述旁路線包括可被配置為初始化所述驅(qū)動晶體管的初始化電壓線。所述初始化電壓線可與所述開關(guān)晶體管和所述驅(qū)動晶體管中至少之一的柵電極形成在同一層中。所述OLED顯示器可進一步包括與所述驅(qū)動晶體管的源電極連接的第一電力線和與所述有機發(fā)光元件的陰極連接的第二電力線。另外，所述旁路線可與所述第二電力線電連接。所述旁路線可與所述開關(guān)晶體管和所述驅(qū)動晶體管中至少之一的柵電極形成在同一層中。所述OLED顯示器可進一步包括被配置為供應(yīng)所述掃描信號的掃描線，并且所述旁路線和所述掃描線可彼此基本平行地形成同一層中。所述有機發(fā)光元件可包括位于所述陽極上的有機發(fā)射層和位于所述有機發(fā)射層上的陰極，并且所述旁路線可與所述陰極連接。所述電阻器可與所述開關(guān)晶體管和所述驅(qū)動晶體管中至少之一的源電極和漏電極形成在同一層中。所述電阻器的第一端可與所述陽極直接連接。所述有機發(fā)射層可包括：主發(fā)射層，與所述陽極相對應(yīng)，并且被配置為發(fā)光；空穴遷移層，位于所述主發(fā)射層和所述陽極之間，并且與所述陰極相對應(yīng)；以及電子遷移層，布置在所述主發(fā)射層和所述陰極之間，并且與所述陰極相對應(yīng)；并且所述旁路線可包括：附屬線，與所述電阻器的第二端直接連接，并且與所述陽極形成在同一層中；與所述附屬線直接連接并且與所述附屬線相對應(yīng)的空穴遷移層；以及與所述附屬線相對應(yīng)的電子遷移層。所述電阻器層可被層壓在所述陽極上。所述電阻器的第一端可與所述陽極直接連接。所述有機發(fā)射層可包括：主發(fā)射層，與所述陽極相對應(yīng)，并且被配置為發(fā)光；空穴遷移層，位于所述主發(fā)射層和所述陽極之間，并且與所述陰極相對應(yīng)；以及電子遷移層，位于所述主發(fā)射層和所述陰極之間，并且與所述陰極相對應(yīng)；并且所述旁路線可包括：與所述電阻器直接連接并且與所述電阻器相對應(yīng)的空穴遷移層；和與所述電阻器相對應(yīng)的電子遷移層。根據(jù)本發(fā)明的各示例性實施例，可提高OLED顯示器的亮度特性。附圖說明圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的像素布局圖。圖2是沿線II-II截取的圖1的剖視圖。圖3是圖1的像素的示意電路圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的像素布局圖。圖5是沿線V-V截取的圖4的剖視圖。圖6是圖4的像素的示意電路圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的像素的示意電路圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的像素的示意電路圖。具體實施方式在下文中，將參照其中示出本發(fā)明示例性實施例的附圖更完整地描述本發(fā)明。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所認識到的，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的所有情況下，可以以各種不同的形式修改所描述的實施例。另外，在各示例性實施例中，關(guān)于在第一示例性實施例中說明的并且具有相同構(gòu)造的組成元件使用相同的附圖標記，并且在第二、第三和第四示例性實施例中，僅說明與第一示例性實施例不同的構(gòu)造。應(yīng)當(dāng)注意的是，附圖是示意性的，并未繪出精確的尺寸。在附圖中，為了清楚和方便起見，可放大或縮小附圖中元件尺寸的相對比例和比率，并且這種任意比例僅僅是說明性的，而不以任何方式進行限制。對于在兩個或更多個圖中示出的相似結(jié)構(gòu)、元件或部件使用相似的附圖標記，以示出類似的特性。當(dāng)一個部件被稱為位于另一部件“上方”或“上”時，這一個部件可直接位于另一部件上方，或者可在它們之間插入又一部件。具體示出了本發(fā)明的示例性實施例。因此，附圖的各種修改是可預(yù)期的。因此，示例性實施例不限于所圖示區(qū)域的特定形態(tài)，而可以包括例如通過制造而修改的形態(tài)。在下文中，將參照圖1至圖3描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的有機發(fā)光二極管（OLED）顯示器101。圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的OLED顯示器101的像素布局圖。在這里，單個像素是OLED顯示器101中用于顯示圖像的最小單元。圖1圖示出三個像素。圖2是沿線II-II截取的圖1的剖視圖。圖3是圖1的像素的示意電路圖。如圖1和圖2所示，根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的OLED顯示器101包括驅(qū)動薄膜晶體管T1、開關(guān)薄膜晶體管T2、電容器C1和C2中的至少一個、掃描線SCAN[n]、數(shù)據(jù)線DATA[m]、第一電力線ELVDD、第二電力線ELVSS（圖1中未示出）以及有機發(fā)光元件OLED，并且它們形成在每個像素中。另外，OLED顯示器101可進一步包括掃描線SCAN[n-1]、發(fā)光控制線EM[n]、初始化電壓線Vint以及薄膜晶體管T3、T4、T5和T6。在這里，薄膜晶體管T3是補償薄膜晶體管T3。通過初始化電壓線Vint傳輸?shù)某跏蓟妷篤IN可以初始化驅(qū)動薄膜晶體管T1。此外，根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的OLED顯示器101包括電阻器138，電阻器138的第一端連接至有機發(fā)光元件OLED的陽極710。電阻器138的第二端與旁路線連接。另外，在第一示例性實施例中，旁路線可以是初始化電壓線Vint。開關(guān)薄膜晶體管T2根據(jù)通過掃描線SCAN[n]傳輸?shù)膾呙栊盘杹韴?zhí)行開關(guān)操作。也就是說，開關(guān)薄膜晶體管T2的柵電極與掃描線SCAN[n]連接。開關(guān)薄膜晶體管T2的源電極與數(shù)據(jù)線DATA[m]連接。掃描線SCAN[n]和數(shù)據(jù)線DATA[m]可沿彼此交叉的方向分別形成。開關(guān)薄膜晶體管T2的漏電極與驅(qū)動薄膜晶體管T1的源電極和第一電力線ELVDD電連接。驅(qū)動薄膜晶體管T1根據(jù)開關(guān)薄膜晶體管T2的開關(guān)操作來接收數(shù)據(jù)信號，并向有機發(fā)光元件OLED供應(yīng)驅(qū)動電流。驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極與第一電容器C1的第一電極連接。另外，第一電容器C1的第二電極與第一電力線ELVDD連接。第一電力線ELVDD與數(shù)據(jù)線DATA[m]平行形成。驅(qū)動薄膜晶體管T1的漏電極與有機發(fā)光元件OLED的陽極710電連接。另外，有機發(fā)光元件OLED的陰極730與第二電力線ELVSS連接。因此，有機發(fā)光元件OLED從驅(qū)動薄膜晶體管T1接收驅(qū)動電流，從而發(fā)光。有機發(fā)光元件OLED包括用于注入空穴的陽極710、用于注入電子的陰極730以及位于陽極710和陰極730之間的有機發(fā)射層720。電子和空穴在有機發(fā)射層中彼此結(jié)合，從而產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時，產(chǎn)生能量從而發(fā)射光，并且利用所發(fā)射的光而顯示圖像。在本發(fā)明的第一示例性實施例中，電阻器138的第一端與有機發(fā)光元件OLED的陽極710連接，而電阻器138的第二端與作為旁路線的初始化電壓線Vint連接。電阻器138與開關(guān)薄膜晶體管T2和驅(qū)動薄膜晶體管T1中至少之一的半導(dǎo)體層形成在同一層中。另外，電阻器138可由與開關(guān)薄膜晶體管T2和驅(qū)動薄膜晶體管T1中至少之一的半導(dǎo)體層的材料相同的材料（例如半導(dǎo)體材料）形成。在這種情況下，開關(guān)薄膜晶體管T2和驅(qū)動薄膜晶體管T1的一個或多個具有頂柵結(jié)構(gòu)，并且半導(dǎo)體層被布置為低于柵電極、源電極以及漏電極。另外，OLED顯示器101可進一步包括將電阻器138的第一端和有機發(fā)光元件OLED的陽極710連接的連接部件176。連接部件176與開關(guān)薄膜晶體管T2和驅(qū)動薄膜晶體管T1中至少之一的源電極和漏電極形成在同一層中。另外，連接部件176可由與開關(guān)薄膜晶體管T2和驅(qū)動薄膜晶體管T1中至少之一的源電極和漏電極的材料相同的材料形成。如圖2所示，多個絕緣層140、160和180形成在電阻器138與有機發(fā)光元件OLED的陽極710之間，并且多個絕緣層140、160和180的厚度可以相對較大。當(dāng)電阻器138的第一端和有機發(fā)光元件OLED的陽極710彼此不能直接接觸時，電阻器138的第一端和有機發(fā)光元件OLED的陽極710通過連接部件176電連接。另外，作為與電阻器138的第二端連接的旁路線的初始化電壓線Vint，與開關(guān)薄膜晶體管T2和驅(qū)動薄膜晶體管T1中至少之一的柵電極形成在同一層中，并且可由與柵電極的材料相同的材料形成。因此，初始化電壓線Vint可與掃描線SCAN[n]平行形成。另外，OLED顯示器101進一步包括緩沖層120和形成有緩沖層120的基板110，緩沖層120布置在開關(guān)薄膜晶體管T2、驅(qū)動薄膜晶體管T1和由半導(dǎo)體材料形成的電阻器138中至少之一的下方。OLED顯示器101可進一步包括像素限定層190，像素限定層190具有限定有機發(fā)光元件OLED的發(fā)光區(qū)域的開口。在本發(fā)明第一示例性實施例的OLED顯示器101中，經(jīng)過驅(qū)動薄膜晶體管T1的驅(qū)動電流被分配到電阻器138和有機發(fā)光元件OLED中。有機發(fā)光元件OLED的電阻根據(jù)發(fā)射亮度而改變，并且隨亮度增強而減小。因此，流向電阻器138的電流根據(jù)有機發(fā)光元件OLED的發(fā)射亮度而改變。更具體地，當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管T1處于截止狀態(tài)時，在驅(qū)動薄膜晶體管T1中流動的漏電流的一部分通過電阻器138流向初始化電壓線Vint。因此，可降低OLED顯示器101的對比度由于有機發(fā)光元件OLED在黑色模式下通過漏電流發(fā)光而導(dǎo)致的劣化的程度。在下文中，將參照圖3更具體地描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的OLED顯示器的操作。首先，當(dāng)薄膜晶體管T4根據(jù)通過掃描線SCAN[n-1]傳輸?shù)膾呙栊盘柖幱趯?dǎo)通狀態(tài)時，將初始化電壓VIN供應(yīng)到電容器C1的第一端和驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極。之后，開關(guān)薄膜晶體管T2和補償薄膜晶體管T3根據(jù)通過掃描線SCAN[n]傳輸?shù)膾呙栊盘柖鴮?dǎo)通。當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管T2和補償薄膜晶體管T3處于導(dǎo)通狀態(tài)時，將通過數(shù)據(jù)線DATA[m]傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓傳輸至驅(qū)動薄膜晶體管T1的源電極，并且驅(qū)動薄膜晶體管T1以二極管形式連接。然后，通過從數(shù)據(jù)電壓減去驅(qū)動薄膜晶體管T1的閾值電壓而得到的電壓被施加給驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極和源電極。之后，薄膜晶體管T5和T6由通過發(fā)光控制線EM[n]傳輸?shù)陌l(fā)光控制信號導(dǎo)通，并且驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極的電壓由于通過掃描線SCAN[n]傳輸?shù)膾呙栊盘柕脑龃蠖?。?dāng)兩個薄膜晶體管T5和T6處于導(dǎo)通狀態(tài)時，將第一電力線ELVDD的電壓供應(yīng)給驅(qū)動薄膜晶體管T1的源電極，并且根據(jù)柵-源電壓差的驅(qū)動電流流向驅(qū)動薄膜晶體管T1。驅(qū)動電流通過導(dǎo)通的薄膜晶體管T6傳輸至有機發(fā)光元件OLED的陽極。當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管T1根據(jù)高亮度的數(shù)據(jù)電壓操作時，有機發(fā)光元件OLED具有低電阻。電阻器138的電阻可以設(shè)置為大于有機發(fā)光元件OLED的電阻。因此，大部分的驅(qū)動電流流向有機發(fā)光元件OLED。當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管T1根據(jù)低亮度的數(shù)據(jù)電壓操作時，有機發(fā)光元件OLED的電阻與高亮度的情況相比明顯偏高。因此，與高亮度的情況相比，驅(qū)動電流中流向電阻器138的部分增大。也就是說，在電阻器138的電阻低于有機發(fā)光二極管OLED的電阻的亮度區(qū)域中，更多的驅(qū)動電流流向電阻器138，而在電阻器138的電阻高于有機發(fā)光二極管OLED的電阻的亮度區(qū)域中，更多的驅(qū)動電流流向有機發(fā)光二極管OLED。電阻器138的電阻可以設(shè)置為從最低亮度的有機發(fā)光二極管OLED的電阻值到最高亮度的有機發(fā)光二極管OLED的電阻值的范圍內(nèi)的適當(dāng)值。當(dāng)電阻器138連接至有機發(fā)光元件OLED時，會有比未使用電阻器138的情況多的電流流動。驅(qū)動電流的增大程度在低亮度區(qū)域中相對較大。于是，在低亮度區(qū)域中，電流分散關(guān)于目標亮度的比率可降低。更具體地，由于有機發(fā)光元件（OLED）在小驅(qū)動電流的情況下發(fā)光，因此，當(dāng)由于驅(qū)動薄膜晶體管的特性差異而在驅(qū)動電流之間發(fā)生變化時，可識別出明顯的亮度變化。然而，當(dāng)使用電阻器時，使有機發(fā)光元件（OLED）以對應(yīng)的低亮度發(fā)光的驅(qū)動電流增大，使得驅(qū)動電流變化與驅(qū)動電流之間的比率降低。對于高亮度，驅(qū)動電流由于電阻器而導(dǎo)致的增大相對較小，并且有機發(fā)光元件的電阻低，使得在發(fā)光期間流向電阻器的電流的影響可以忽略不計。因此，對于與未提供電阻器的情況相同的亮度來說，流向驅(qū)動薄膜晶體管的電流量增大，以降低電流分散關(guān)于目標電流的比率，并且可改善斑點。在下文中，將參照圖4至圖6描述根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的OLED顯示器102。如圖4和圖5所示，根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的OLED顯示器102包括旁路線157，并且旁路線157是附加線，而不是初始化電壓線。在本發(fā)明的第二示例性實施例中，旁路線157與第二電力線ELVSS電連接。也就是說，旁路線157可被看作是輔助第二電力線。旁路線157與開關(guān)薄膜晶體管T2和驅(qū)動薄膜晶體管T1中至少之一的柵電極形成在同一層中，并且可由與柵電極相同的材料形成。另外，旁路線157可與掃描線SCAN[n]平行形成在同一層中。在這種配置下，根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的OLED顯示器102可具有提高的亮度特性。更具體地，當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管T1處于截止狀態(tài)時，從驅(qū)動薄膜晶體管T1產(chǎn)生的漏電流的一部分通過電阻器138和旁路線157流向第二電力線ELVSS。因此，可降低OLED顯示器102的對比度由于有機發(fā)光元件OLED在黑色模式下通過漏電流發(fā)光而導(dǎo)致的的劣化的程度。另外，可防止由于有機發(fā)光二極管OLED通過漏電流發(fā)光而縮短有機發(fā)光二極管OLED的壽命。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的OLED顯示器102的像素。除了電阻器138連接在有機發(fā)光元件OLED的陽極與旁路線157之間之外，圖6所示的像素與圖3所示的像素基本相同。圖6的像素的操作也與圖3所示的第一示例性實施例基本相同。不過，驅(qū)動電流中流向電阻器138的部分流過旁路線157。在下文中，將參照圖7和圖8描述根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的OLED顯示器。圖7是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的OLED顯示器的剖視圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的OLED顯示器的像素的示意電路圖。如圖7和圖8所示，根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的OLED顯示器103包括驅(qū)動薄膜晶體管T1、開關(guān)薄膜晶體管T2、電容器C1、掃描線SCAN[n]、數(shù)據(jù)線DATA[m]、第一電力線ELVDD、第二電力線ELVSS以及有機發(fā)光元件OLED，并且它們形成在每個像素中。另外，根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的OLED顯示器103包括電阻器178，電阻器178的第一端連接至陽極710。電阻器178的第二端與旁路線BP連接。另外，在第三示例性實施例中，旁路線BP包括附屬線705、空穴遷移層721和電子遷移層729，并且與陰極730連接。也就是說，電阻器178的第一端與陽極710連接，而其第二端與陰極730連接。有機發(fā)光元件OLED包括用于注入空穴的陽極710、用于注入電子并延伸過整個有機發(fā)光元件OLED的陰極730以及布置在陽極710和陰極730之間的有機發(fā)射層720。有機發(fā)射層720包括空穴遷移層721、主發(fā)射層725以及電子遷移層729?？昭ㄟw移層721包括空穴注入層（HIL）和空穴傳輸層（HTL），并且是從陽極710注入的空穴遷移經(jīng)過的通道。電子遷移層729包括電子注入層（EIL）和電子傳輸層（ETL），并且是從陰極730注入的電子遷移經(jīng)過的通道。分別從陽極710和陰極730注入的空穴和電子在主發(fā)射層725中結(jié)合，從而在主發(fā)射層725中實現(xiàn)發(fā)光。主發(fā)射層725僅僅布置在與陽極710相對應(yīng)的部分中，并且空穴遷移層721和電子遷移層729對應(yīng)于陰極730延伸過整個有機發(fā)射層720。在本發(fā)明的第三示例性實施例中，電阻器178的第一端與有機發(fā)光元件OLED的陽極710直接連接，而電阻器178的第二端連接至作為旁路線BP的附屬線705、空穴遷移層721和電子遷移層729。電阻器178與開關(guān)薄膜晶體管T2和驅(qū)動薄膜晶體管T1中至少之一的源電極和漏電極形成在同一層中。另外，電阻器178可由與開關(guān)薄膜晶體管T2和驅(qū)動薄膜晶體管T1中至少之一的源電極和漏電極174相同的材料形成。旁路線BP的附屬線705與電阻器178的第二端直接連接，因此與陽極710形成在同一層中，并且可以由與陽極710相同的材料形成。旁路線BP的空穴遷移層721和電子遷移層729通過形成在像素限定層190中的使附屬線705暴露的另一開口與附屬線705連接，并且空穴遷移層721與附屬線705直接連接。在根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的OLED顯示器103中，經(jīng)過驅(qū)動薄膜晶體管T1的驅(qū)動電流被分配到電阻器178和有機發(fā)光元件OLED中。有機發(fā)光元件OLED的電阻根據(jù)發(fā)射亮度而改變，并且電阻隨亮度變高而變小。因此，流向電阻器178的電流根據(jù)有機發(fā)光元件OLED的發(fā)射亮度而改變。更具體地，當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管T1處于截止狀態(tài)時，在薄膜晶體管T1中流動的漏電流部分地通過電阻器178和旁路線BP流向陰極730。因此，可降低OLED顯示器103的對比度由于有機發(fā)光元件OLED在黑色模式下通過漏電流發(fā)光而導(dǎo)致的劣化的程度。在下文中，將參照圖8更具體地描述根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的OLED顯示器的操作。首先，開關(guān)薄膜晶體管T2根據(jù)通過掃描線SCAN[n]傳輸?shù)膾呙栊盘柖鴮?dǎo)通。當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)時，將通過數(shù)據(jù)線DATA[m]傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓傳輸至驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極，第一電力線ELVDD的電壓被供應(yīng)給驅(qū)動薄膜晶體管T1的源電極，并且根據(jù)柵-源電壓差的驅(qū)動電流流向驅(qū)動薄膜晶體管T1。驅(qū)動電流被傳輸至有機發(fā)光元件OLED的陽極。當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管T1根據(jù)低亮度的數(shù)據(jù)電壓操作時，有機發(fā)光元件OLED的電阻與高亮度的情況相比明顯偏高。因此，與高亮度的情況相比，驅(qū)動電流中流向電阻器178的部分增大。也就是說，在有機發(fā)光元件OLED的電阻高于電阻器178的電阻的亮度區(qū)域中，更多的驅(qū)動電流流向電阻器178。當(dāng)電阻器178連接至有機發(fā)光元件OLED時，應(yīng)當(dāng)有比未使用電阻器178的情況多的電流流動。在低亮度區(qū)域中，驅(qū)動電流的增大程度相對較大。于是，在低亮度區(qū)域中可降低電流分散關(guān)于目標亮度的比率。更具體地，由于有機發(fā)光元件OLED在小驅(qū)動電流的情況下發(fā)光，因此，當(dāng)由于驅(qū)動薄膜晶體管的特性差異而在驅(qū)動電流之間發(fā)生變化時，可識別出明顯的亮度變化。然而，當(dāng)使用電阻器時，使有機發(fā)光二極管（OLED）以對應(yīng)的低亮度發(fā)光的驅(qū)動電流增大，使得驅(qū)動電流變化與驅(qū)動電流之間的比率降低。因此，對于與未提供電阻器的情況相同的亮度來說，流向驅(qū)動薄膜晶體管的電流量增大，以降低電流分散關(guān)于目標電流的比率，并且可改善斑點。在下文中，將參照圖9和圖10描述根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的OLED顯示器。圖9是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的OLED顯示器的剖視圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的OLED顯示器的像素的示意電路圖。如圖9和圖10所示，根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的OLED顯示器104包括驅(qū)動薄膜晶體管T1、開關(guān)薄膜晶體管T2、電容器C1、掃描線SCAN[n]、數(shù)據(jù)線DATA[m]、第一電力線ELVDD、第二電力線ELVSS以及有機發(fā)光元件OLED，并且它們形成在每個像素中。另外，在本發(fā)明的第四示例性實施例中，OLED顯示器104包括電阻器608，電阻器608的第一端連接至有機發(fā)光元件OLED的陽極710。電阻器608的第二端與旁路線BP連接。另外，在第四示例性實施例中，旁路線BP包括空穴遷移層721和電子遷移層729，并且與OLED的陰極730連接。也就是說，電阻器608的第一端與陽極710連接，而其第二端與陰極730連接。有機發(fā)光元件OLED包括用于注入空穴的陽極710、用于注入電子并延伸過整個有機發(fā)光元件OLED的陰極730以及提供在陽極710和陰極730之間的有機發(fā)射層720。有機發(fā)射層720包括空穴遷移層721、主發(fā)射層725以及電子遷移層729。空穴遷移層721包括空穴注入層（HIL）和空穴傳輸層（HTL），并且是從陽極710注入的空穴遷移經(jīng)過的通道。電子遷移層729包括電子注入層（EIL）和電子傳輸層（ETL），并且是從陰極730注入的電子遷移經(jīng)過的通道。分別從陽極710和陰極730注入的空穴和電子在主發(fā)射層725中結(jié)合，從而在主發(fā)射層725中實現(xiàn)發(fā)光。主發(fā)射層725布置在與陽極710相對應(yīng)的位置，并且空穴遷移層721和電子遷移層729對應(yīng)于陰極730延伸過整個有機發(fā)射層。在本發(fā)明的第四示例性實施例中，電阻器608的第一端與有機發(fā)光元件OLED的陽極710直接連接，而電阻器608的第二端與作為旁路線BP的空穴遷移層721和電子遷移層729連接。電阻器608層壓在陽極710上，并且可由與陽極710的材料相同或不同的材料形成。旁路線BP的空穴遷移層721和電子遷移層729通過形成在像素限定層190中的使電阻器608暴露的另一開口與電阻器608連接，并且空穴遷移層721與電阻器608直接連接。在根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的OLED顯示器104中，經(jīng)過驅(qū)動薄膜晶體管T1的驅(qū)動電流被分配到電阻器608和有機發(fā)光元件OLED中。有機發(fā)光元件OLED的電阻根據(jù)發(fā)射亮度而改變，并且電阻隨亮度增強而減小。因此，流向電阻器608的電流根據(jù)有機發(fā)光元件OLED的發(fā)射亮度而改變。更具體地，當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管T1處于截止狀態(tài)時，在驅(qū)動薄膜晶體管T1中流動的漏電流部分地通過電阻器608和旁路線BP流向陰極730。因此，可降低OLED顯示器104的對比度由于有機發(fā)光元件OLED在黑色模式下通過漏電流發(fā)光而導(dǎo)致的劣化的程度。在下文中，將參照圖10更具體地描述根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的OLED顯示器的操作。首先，開關(guān)薄膜晶體管T2根據(jù)通過掃描線SCAN[n]傳輸?shù)膾呙栊盘柖鴮?dǎo)通。當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)時，將通過數(shù)據(jù)線DATA[m]傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓傳輸至驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極，第一電力線ELVDD的電壓被供應(yīng)給驅(qū)動薄膜晶體管T1的源電極，并且根據(jù)柵-源電壓差的驅(qū)動電流流向驅(qū)動薄膜晶體管T1。驅(qū)動電流被傳輸至有機發(fā)光元件OLED的陽極。當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管T1根據(jù)低亮度的數(shù)據(jù)電壓操作時，有機發(fā)光元件OLED的電阻與高亮度的情況相比明顯偏高。因此，與高亮度的情況相比，驅(qū)動電流中流向電阻器608的部分增大。也就是說，在有機發(fā)光元件OLED的電阻高于電阻器608的電阻的亮度區(qū)域中，更多的驅(qū)動電流流向電阻器608。當(dāng)電阻器608連接至有機發(fā)光元件OLED時，應(yīng)當(dāng)有比未使用電阻器608的情況多的電流流動。在低亮度區(qū)域中，驅(qū)動電流的增大程度相對較大。于是，在低亮度區(qū)域中可降低電流分散關(guān)于目標亮度的比率。更具體地，由于有機發(fā)光元件OLED在小驅(qū)動電流的情況下發(fā)光，因此，當(dāng)由于驅(qū)動薄膜晶體管的特性差異而在驅(qū)動電流之間發(fā)生變化時，可識別出明顯的亮度變化。然而，當(dāng)使用電阻器時，使有機發(fā)光元件（OLED）以對應(yīng)的低亮度發(fā)光的驅(qū)動電流增大，使得驅(qū)動電流變化與驅(qū)動電流之間的比率降低。因此，對于與未提供電阻器的情況相同的亮度來說，流向驅(qū)動薄膜晶體管的電流量增大，以降低電流分散關(guān)于目標電流的比率，并且可改善斑點。雖然已結(jié)合目前被視為可實施的示例性實施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的實施例，而是相反，旨在覆蓋包含于所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置及其等同物。一些附圖標記的描述101:有機發(fā)光二極管（OLED）顯示器138、178、608:電阻器157、BP：旁路線176:連接部件710:陽極720:有機發(fā)射層730:陰極C1、C2：電容器DATA[m]：數(shù)據(jù)線ELVDD:第一電力線ELVSS:第二電力線OLED:有機發(fā)光元件SCAN[n]:掃描線T1:驅(qū)動薄膜晶體管T2:開關(guān)薄膜晶體管Vint:初始化電壓線