專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及一種有機發(fā)光顯示裝置，更具體地講，涉及一種具有發(fā)光測 試電路的有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
近來，已經(jīng)開發(fā)了與陰極射線管相比重量更輕且體積更小的多種平板顯示器。平 板顯示器可分類為液晶顯示(LCD)裝置、場發(fā)射顯示(FED)裝置、等離子體顯示面板(PDP) 和有機發(fā)光顯示(OLED)裝置等。有機發(fā)光顯示(OLED)裝置是利用通過電子和空穴的復(fù)合而發(fā)光的有機發(fā)光二極 管來顯示圖像的平板顯示器，有機發(fā)光顯示裝置具有相對快的響應(yīng)速度和低的功耗，因此， 有機發(fā)光顯示裝置作為下一代顯示器已成為公眾注意的中心。這種有機發(fā)光顯示裝置包括像素單元，包括多個像素；掃描驅(qū)動電路，提供掃描 信號給像素單元；數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，提供數(shù)據(jù)信號給像素單元。這里，可通過利用低溫多晶硅(LTPS)工藝在平板上將像素單元和掃描驅(qū)動電路 一起形成。在LTPS等工藝完成之后，可以以驅(qū)動IC芯片的形式在面板上安裝數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。然而，在安裝具有內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的驅(qū)動集成電路(IC)之前，應(yīng)執(zhí)行用于確認 像素能否正常地(適當(dāng)?shù)?發(fā)光的發(fā)光測試。為執(zhí)行這樣的發(fā)光測試，可在面板上形成獨 立的發(fā)光測試電路。發(fā)光測試電路包括多個開關(guān)器件，所述多個開關(guān)器件根據(jù)從外部提供的測試控制 信號將發(fā)光測試信號提供給數(shù)據(jù)線。這里，開關(guān)器件可由在用于形成設(shè)置在像素電路和掃 描驅(qū)動電路等中的晶體管的LTPS工藝過程中形成的晶體管構(gòu)成。為提高制造效率，開關(guān)器 件的晶體管具有與像素電路和掃描驅(qū)動電路等的晶體管的結(jié)構(gòu)相同(或基本相同)的結(jié) 構(gòu)。然而，設(shè)置在發(fā)光測試電路中的晶體管可能暴露于從外部流動的靜電(ESD)，從而 設(shè)置在發(fā)光測試電路中的晶體管可能在LTPS工藝期間或者甚至在LTPS工藝完成之后的模 塊狀態(tài)中由于靜電而損壞。如果發(fā)光測試電路中的晶體管被靜電損壞，則會導(dǎo)致有機發(fā)光顯示裝置的驅(qū)動錯 誤和/或不能有效地執(zhí)行發(fā)光測試。因此，在安裝驅(qū)動IC之前用發(fā)光測試電路執(zhí)行發(fā)光測試的有機發(fā)光顯示裝置中， 在LTPS工藝或者甚至在完成LTPS工藝之后的模塊狀態(tài)，應(yīng)保護發(fā)光測試電路，防止其被靜 電損壞。為此，需要以能夠保護自身免于靜電的結(jié)構(gòu)來設(shè)計發(fā)光測試電路的晶體管。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的一方面提供一種具有發(fā)光測試電路的有機發(fā)光顯示裝置，所述發(fā) 光測試電路以能夠保護自身免受靜電損壞的結(jié)構(gòu)設(shè)計。本發(fā)明的實施例提供一種有機發(fā)光顯示裝置。所述有機發(fā)光顯示裝置包括像素 單元，包括在掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域的像素；掃描驅(qū)動電路，構(gòu)造為將掃描信號提供給 掃描線；發(fā)光測試電路，構(gòu)造為將發(fā)光測試信號提供給數(shù)據(jù)線，發(fā)光測試電路包括多個晶體 管，所述多個晶體管包括源極、漏極和柵極，源極公共結(jié)合到輸入線，發(fā)光測試信號輸入到 輸入線，漏極結(jié)合到數(shù)據(jù)線，柵極公共結(jié)合到測試控制信號的輸入線，柵極和源極通過由半 導(dǎo)體材料組成的電阻器結(jié)合。電阻器可利用高阻值的多晶硅半導(dǎo)體實現(xiàn)。電阻器可設(shè)計為具有大約IOOkQ至大約IMΩ或IOOkQ至IMΩ的阻值。此外，電阻器與晶體管的溝道層可一體地設(shè)置。這里，電阻器可利用包括雜質(zhì)的多 晶硅半導(dǎo)體來實現(xiàn)，所述雜質(zhì)不包括在晶體管的溝道層中，或者電阻器可利用包括雜質(zhì)的 多晶硅半導(dǎo)體來實現(xiàn)，所述雜質(zhì)與包括在晶體管的溝道層中的雜質(zhì)相同，但是電阻器中摻 雜的雜質(zhì)的濃度與摻雜在晶體管的溝道層中的雜質(zhì)的濃度不同。此外，所述有機發(fā)光顯示裝置還可包括數(shù)據(jù)分布電路，結(jié)合在發(fā)光測試電路和要 分布的數(shù)據(jù)線之間，并在發(fā)光測試時間段期間，將從發(fā)光測試電路提供的發(fā)光測試信號輸 出至數(shù)據(jù)線。此外，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括驅(qū)動集成電路(IC)，以芯片形式安裝并與 發(fā)光測試電路疊置，驅(qū)動集成電路具有內(nèi)置的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。如上所述的實施例，設(shè)置在發(fā)光測試電路中的晶體管的柵極和源極通過電阻器連 接，使得能夠保護這些組件不被靜電損壞。


附圖和說明書一起闡述了本發(fā)明的示例性實施例，并和說明書一起用于解釋本發(fā) 明的原理。圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示裝置的透視平面圖；圖2是示出圖1中的發(fā)光測試電路的構(gòu)造的透視電路圖；圖3是圖2中的區(qū)域A的布置的透視示意平面圖；圖4是僅示出圖3中的半導(dǎo)體層的透視平面圖；圖5是安裝有驅(qū)動IC的圖1中的有機發(fā)光顯示裝置的透視平面圖。
具體實施例方式在下面的詳細描述中，僅簡單地以示出的方式示出并描述了本發(fā)明的特定的示例 性實施例。如本 領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到的，在全部不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可 以以各種不同的方式修改所描述的實施例。因而，附圖和說明書應(yīng)認為在本質(zhì)上是示出性 的而不是限制性的。此外，當(dāng)元件被稱為“在”另一元件“上”時，該元件可直接“在”所述 另一元件“上”，或者間接“在”所述另一元件“上”，即在它們之間存在一個或更多的中間元件。此外，當(dāng)元件被稱為“連接到”另一元件時，該元件可直接“連接到”所述另一元件，或 者間接“連接到”所述另一元件，即在它們之間存在一個或更多的中間元件。以下，相同的 標(biāo)號表示相同的元件。以下，將參照附圖更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示裝置的透視平面圖。為解釋方便，在將 驅(qū)動IC安裝在IC安裝區(qū)域150上之前的有機發(fā)光顯示裝置的面板100將示出在圖1中。參照圖1，有機發(fā)光顯示裝置包括形成在面板100上的像素單元(顯示區(qū) 域)110、掃描驅(qū)動電路130、數(shù)據(jù)分布電路140、發(fā)光測試電路160和焊盤單元170。像素單元110具有位于掃描線Sl至Sn和數(shù)據(jù)線Dl至D3m的交叉區(qū)域的多個像 素120。當(dāng)從掃描線Sl至Sn提供掃描信號時，像素120存儲從數(shù)據(jù)線Dl至D3m提供的數(shù) 據(jù)信號，從而以響應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的亮度發(fā)光。掃描驅(qū)動電路130通過經(jīng)由焊盤單元170接收掃描驅(qū)動控制信號SCS來產(chǎn)生掃描 信號，并將產(chǎn)生的掃描信號順序提供給掃描線Sl至Sn。這里，開始脈沖和時鐘信號可包括 在掃描驅(qū)動控制信號SCS中，掃描驅(qū)動電路130可通過包括移位寄存器而構(gòu)成，所述移位寄 存器根據(jù)開始脈沖和時鐘信號來順序產(chǎn)生掃描信號。數(shù)據(jù)分布電路140結(jié)合在發(fā)光測試電路160和數(shù)據(jù)線Dl至D3m之間，并在發(fā)光測 試時間段期間將從發(fā)光測試電路160提供的發(fā)光測試信號分布并輸出至紅、綠和藍像素的 數(shù)據(jù)線Dl至D3m。然而，在將驅(qū)動IC安裝在IC安裝區(qū)域150上之后的實際驅(qū)動時間段期間，通過IC 焊盤ICP結(jié)合到發(fā)光測試電路160的數(shù)據(jù)分布電路140將來自驅(qū)動IC的信號分布并輸出 至數(shù)據(jù)線Dl至D3m。這里，在實際驅(qū)動時間段期間，發(fā)光測試電路160保持在截止?fàn)顟B(tài)。在發(fā)光測試時間段期間，發(fā)光測試電路160通過焊盤單元170接收測試控制信號 和發(fā)光測試信號，并根據(jù)測試控制信號輸出發(fā)光測試信號。為此，發(fā)光測試電路160由結(jié)合 在輸入線(發(fā)光測試信號輸入至輸入線)和數(shù)據(jù)線Dl至D3m之間的多個晶體管組成。從 發(fā)光測試電路160輸出的發(fā)光測試信號經(jīng)數(shù)據(jù)分布電路140提供給數(shù)據(jù)線Dl至D3m。在發(fā)光測試完成后的實際驅(qū)動時間段期間，如上所述的發(fā)光測試電路160通過從 焊盤單元170提供的偏壓信號(bias signal)而保持截止?fàn)顟B(tài)。此外，本發(fā)明不限于設(shè)置數(shù)據(jù)分布電路140的情況，而是，在不設(shè)置數(shù)據(jù)分布電路 140的情況下，發(fā)光測試電路160也可直接結(jié)合到數(shù)據(jù)線Dl至D3m。焊盤單元170具有多個焊盤P，所述多個焊盤P將從外部提供的各種驅(qū)動功率和驅(qū) 動信號傳輸?shù)矫姘?00的內(nèi)部。如上所述的實施例，設(shè)置將發(fā)光測試信號提供給數(shù)據(jù)線Dl至D3m的發(fā)光測試電路 160，來代替數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，可在安裝驅(qū)動IC之前執(zhí)行發(fā)光測試。從而，可在安裝驅(qū)動IC之 前檢測壞的面板，使得可以防止不必要的材料損耗。圖2是示出圖1中的發(fā)光測試電路的構(gòu)造的透視電路圖，圖3是圖2中的區(qū)域A 的布置的透視示意平面圖，圖4是僅示出圖3中的半導(dǎo)體層的透視平面圖。首先，參照圖2，發(fā)光測試電路160具有結(jié)合在發(fā)光測試信號TD的輸入線和IC焊 盤的輸出焊盤ICPl至ICPm之間的多個晶體管Ml至Mm。更具體地講，晶體管Ml至Mm的源極公共結(jié)合到輸入線，發(fā)光測試信號TD輸入到輸入線，晶體管Ml至Mm的漏極結(jié)合到相應(yīng)的IC輸出焊盤ICPl至ICPm。
這里，所述相應(yīng)的IC輸出焊盤ICPl至ICPm通過圖1中的數(shù)據(jù)分布電路140結(jié)合 到數(shù)據(jù)線Dl至D3m，即，所述漏極經(jīng)數(shù)據(jù)分布電路140結(jié)合到數(shù)據(jù)線Dl至D3m。此外，在有 機發(fā)光顯示裝置不具有數(shù)據(jù)分布電路140的情況下，晶體管Ml至Mm可不經(jīng)數(shù)據(jù)分布電路 140而直接結(jié)合到數(shù)據(jù)線Dl至D3m。此外，晶體管Ml至Mm的柵極公共結(jié)合到測試控制信號TG的輸入線。在發(fā)光測試時間段期間，如上所述的晶體管Ml至Mm由提供以導(dǎo)通晶體管Ml至Mm 的測試控制信號TG同時導(dǎo)通，從而輸出發(fā)光測試信號TD。然而，在本發(fā)明的實施例中，晶體管Ml至Mm的柵極和源極通過電阻器R而結(jié)合， 電阻器R利用半導(dǎo)體材料實現(xiàn)(由半導(dǎo)體材料組成)。在一個實施例中，電阻器R可用高阻值的多晶硅半導(dǎo)體等來實現(xiàn)；具體地，為提高 工藝方面的效率，電阻器R可與如圖3和圖4中示出的晶體管Ml至Mm的溝道層一體地形 成。在圖3和圖4中，標(biāo)號162表示集成的晶體管Ml至Mm的溝道層，標(biāo)號164表示晶 體管Ml至Mm的柵極，標(biāo)號166表示晶體管Ml至Mm的源極和漏極。這里，電阻器R也可與發(fā)光測試電路160的晶體管Ml至Mm —起地通過LTPS工藝 與設(shè)置在像素電路或掃描驅(qū)動電路130中的晶體管一體地設(shè)置(同時形成)。電阻器R的阻值示例性地設(shè)置在一個范圍內(nèi)以保護晶體管Ml至Mm免受強靜電損 壞，不影響發(fā)光測試或?qū)嶋H驅(qū)動。例如，電阻器R可設(shè)計為具有IOOkQ至1ΜΩ的阻值。根據(jù)面板100的設(shè)計條件，電阻器R的阻值可以改變，其中，根據(jù)本發(fā)明實施例的 電阻值可通過模擬等計算并應(yīng)用。這里，為了容易地控制電阻器R的阻值，可使用用雜質(zhì)摻雜多晶硅半導(dǎo)體的方法。例如，與晶體管Ml至Mm的溝道層一體地設(shè)置電阻器R，但用雜質(zhì)僅摻雜電阻器R 區(qū)域中的半導(dǎo)體，或者用相同的雜質(zhì)摻雜晶體管Ml至Mm的溝道層和電阻器R，但摻雜在電 阻器R中的半導(dǎo)體中的雜質(zhì)的濃度控制為與晶體管Ml至Mm的溝道層中的雜質(zhì)的濃度不 同，從而使可以容易地控制電阻器R的阻值。此外，晶體管Ml至Mm的溝道層和電阻器R中 的雜質(zhì)濃度可以設(shè)置為相同，或者根據(jù)設(shè)計條件它們?nèi)靠梢圆挥秒s質(zhì)摻雜。如上所述的實施例，設(shè)置在發(fā)光測試電路160中的晶體管Ml至Mm的柵極和源極 通過電阻器R結(jié)合，使得可以保護發(fā)光測試電路160不被靜電損壞。這里，電阻器R的阻值設(shè)置在能夠保護晶體管不被強靜電損壞的范圍，不影響發(fā) 光測試或?qū)嶋H驅(qū)動，從而不產(chǎn)生有機發(fā)光顯示裝置的驅(qū)動錯誤。圖5是安裝有驅(qū)動IC的圖1中的有機發(fā)光顯示裝置的透視平面圖。這里，圖5示 出了驅(qū)動IC 180安裝在圖1中的IC安裝區(qū)域150上的結(jié)構(gòu)，從而將不再詳細提供與圖1 重疊的部分的詳細描述。參照圖5，在完成發(fā)光測試之后，驅(qū)動IC 180可以以芯片形式安裝在發(fā)光測試電 路160上，以與圖1中的發(fā)光測試電路160疊置。如上所述的具有內(nèi)置的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的驅(qū)動IC 180，產(chǎn)生與數(shù)據(jù)Data和數(shù)據(jù)控 制信號DCS對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號，并將產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號輸出至數(shù)據(jù)分布電路140。然后，所述數(shù) 據(jù)信號經(jīng)數(shù)據(jù)分布電路140傳輸至數(shù)據(jù)線Dl至D3m。
此外，在模塊狀態(tài)中，通過驅(qū)動IC 180將數(shù)據(jù)信號提供給數(shù)據(jù)線Dl至D3m，發(fā)光測 試電路160通過來自焊盤單元170的偏壓信號而保持在截止?fàn)顟B(tài)。盡管已經(jīng)結(jié)合特定示例性實施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不限于 公開的實施例，而是相反，意圖覆蓋包括在權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍內(nèi)的各種修 改和等 同布置。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括像素單元，包括在掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域的像素； 掃描驅(qū)動電路，被構(gòu)造為將掃描信號提供給掃描線；發(fā)光測試電路，被構(gòu)造為將發(fā)光測試信號提供給數(shù)據(jù)線，發(fā)光測試電路包括多個晶體 管，所述多個晶體管包括源極、漏極和柵極，源極公共結(jié)合到輸入線，發(fā)光測試信號輸入到 輸入線，漏極結(jié)合到數(shù)據(jù)線，柵極公共結(jié)合到測試控制信號的輸入線，柵極和源極通過由半 導(dǎo)體材料組成的電阻器結(jié)合。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，電阻器由多晶硅半導(dǎo)體組成。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，電阻器具有100kQ至1MQ的阻值。
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，電阻器與晶體管的溝道層一體地設(shè)置。
5.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，電阻器由包括雜質(zhì)的多晶硅半導(dǎo)體 組成，所述雜質(zhì)不包括在晶體管的溝道層中。
6.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，電阻器由包括雜質(zhì)的多晶硅半導(dǎo)體 組成，所述雜質(zhì)與包括在晶體管的溝道層中的雜質(zhì)相同，但是電阻器中摻雜的雜質(zhì)的濃度 與摻雜在晶體管的溝道層中的雜質(zhì)的濃度不同。
7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括數(shù)據(jù)分布電路，結(jié)合在發(fā)光測試電路和要分布的數(shù)據(jù)線之間，并被構(gòu)造為在發(fā)光測試 時間段期間，將從發(fā)光測試電路提供的發(fā)光測試信號分布并輸出至數(shù)據(jù)線。
8.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括驅(qū)動集成 電路，以芯片形式安裝并與發(fā)光測試電路重疊，驅(qū)動集成電路具有內(nèi)置的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有發(fā)光測試電路的有機發(fā)光顯示裝置。所述有機發(fā)光顯示裝置包括像素單元，包括在掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域的像素；掃描驅(qū)動電路，被構(gòu)造為將掃描信號提供給掃描線；發(fā)光測試電路，被構(gòu)造為將發(fā)光測試信號提供給數(shù)據(jù)線，發(fā)光測試電路包括多個晶體管，所述多個晶體管包括源極、漏極和柵極，源極公共結(jié)合到輸入線，發(fā)光測試信號輸入到輸入線，漏極結(jié)合到數(shù)據(jù)線，柵極公共結(jié)合到測試控制信號的輸入線，柵極和源極通過由半導(dǎo)體材料組成的電阻器結(jié)合。
文檔編號G09G3/00GK102005166SQ20101021055
公開日2011年4月6日 申請日期2010年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月2日
發(fā)明者郭源奎, 金光民 申請人:三星移動顯示器株式會社