專利名稱：驅(qū)動有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法和顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及驅(qū)動有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法和顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
具有發(fā)光部的顯示元件以及具有顯示元件的顯示設(shè)備是公知的。例如，具有利用 有機材料的電致發(fā)光現(xiàn)象的有機電致發(fā)光(下文也縮寫為"EL")發(fā)光部的顯示元件(下文 中也成為"有機EL顯示元件")作為能夠以低電壓DC驅(qū)動、以高亮度發(fā)光的顯示元件受到 了人們的關(guān)注。 在諸如液晶顯示設(shè)備等的具有有機EL顯示元件的有機EL顯示設(shè)備，簡單矩陣驅(qū) 動方法和有源矩陣驅(qū)動方法作為驅(qū)動方法是公知的。有源矩陣驅(qū)動方法具有結(jié)構(gòu)復(fù)雜的缺 點，但具有能夠提高圖像的亮度的優(yōu)點。除了以包括發(fā)光層的有機層形成的發(fā)光部之外，以 有源矩陣驅(qū)動方法驅(qū)動的有機EL顯示元件還應(yīng)具有用于驅(qū)動發(fā)光部的驅(qū)動電路。
例如，日本未經(jīng)審查的公開號為2007-310311的專利申請公開了一種包括兩個晶 體管和一個電容器的驅(qū)動電路(也稱為"2Tr/lC驅(qū)動電路")，作為驅(qū)動有機EL發(fā)光部(下 文也稱為"發(fā)光部")的電路。如圖2所示，該2Tr/lC驅(qū)動電路包括兩個晶體管和一個電容 器Q，這兩個晶體管即寫入晶體管TRw和驅(qū)動晶體管TRD。這里，驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏 區(qū)中的一個形成第二節(jié)點柳2，而驅(qū)動晶體管TRD的柵極形成第一節(jié)點NDlt)
如圖4的時序圖所示，在時段TP(2)/中進(jìn)行閾值電壓取消處理的預(yù)處理過程。也 就是說，通過由來自掃描線SCL的信號而接通的寫入晶體管TRW從數(shù)據(jù)線DTL將第一節(jié)點 初始化電壓V。fs(如0V)施加到第一節(jié)點ND^因此，第一節(jié)點NDj勺電位為V。fs。通過驅(qū)動 晶體管TR。從電源單元100將第二節(jié)點初始化電壓Vc^(如-10V)施加到第二節(jié)點ND2。因 此，第二節(jié)點ND2的電位為V^。驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓用Vth(如3V)來表示。驅(qū)動晶 體管TR。的柵極與其源區(qū)和漏區(qū)中的另一個(為了方便，下文中也稱為源區(qū))之間的電位 差等于或大于Vth，因而驅(qū)動晶體管TRD被接通。發(fā)光部ELP的陰極連接到電源線PS2，通過 該電源線來施加電壓VCat (例如OV)。 然后，在時段TP(2h'中，進(jìn)行閾值電壓取消處理。也就是說，在寫入晶體管TRw保 持于接通(ON)狀態(tài)的情況下，將電源單元100的電壓從第二節(jié)點初始化電壓Vc^切換到驅(qū) 動電壓Vrc—H(如20V)。結(jié)果，第二節(jié)點ND2的電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點ND工的電位中減去驅(qū) 動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位。也就是說，處于浮動狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電 位增大。當(dāng)驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)之間的電位差達(dá)到Vth時，驅(qū)動晶體管TRD被關(guān)斷。 在這種狀態(tài)中，第二節(jié)點ND2的電位為約(V。fs-Vth)。 之后，在時段TP(2)/中，寫入晶體管TRw被關(guān)斷。數(shù)據(jù)線DTL的電壓變?yōu)榕c圖像 信號對應(yīng)的電壓(用于控制發(fā)光部ELP的亮度的圖像信號(驅(qū)動信號、亮度信號)U。
然后，在時段TP(2)/中，進(jìn)行寫入處理。具體地，通過將掃描線SCL設(shè)置為高電 平而將寫入晶體管TRw接通。這樣，第一節(jié)點ND工的電位增加至圖像信號VSigm。
這里，電容器d的值被設(shè)置為Cl，而發(fā)光部ELP的電容器Q的值被設(shè)置為驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的另一個之間的寄生電容值被設(shè)置為c^。當(dāng)驅(qū)動晶體 管TRD的柵極的電位從V。fs變?yōu)閂Sig m( > V。fs)時，電容器Q的兩個電極之間的電位(即第 一節(jié)點ND工與第二節(jié)點ND2之間的電位)原則上也會變化。也就是說，基于驅(qū)動晶體管TRD 的柵極的電位(二第一節(jié)點ND工的電位)的變化(VSig m-V。fs)的電荷被分散到電容器Q、發(fā) 光部ELP的電容器C^以及驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的另一個之間的寄生電容 器。當(dāng)(^的值遠(yuǎn)大于q的值和(^的值時，基于驅(qū)動晶體管TRD的柵極的電位的變化(VSig m-V。fs)的驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個(第二節(jié)點ND》的電位的變化是小的。 一般而言，發(fā)光部ELP的電容器的值大于電容器Q的值Cl和驅(qū)動晶體管TRD的寄生 電容器的值c-因此，為了簡化說明，下文的描述中不考慮由于第一節(jié)點NDJ勺電位的變化 而導(dǎo)致的第二節(jié)點柳2的電位的變化。在圖4所示的驅(qū)動時序圖中，不考慮由于第一節(jié)點 ND工的電位的變化而導(dǎo)致的第二節(jié)點ND2的電位的變化。在上述操作中，在從電源單元100將電壓Vcc—H施加到驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏 區(qū)中的一個的狀態(tài)下，圖像信號VSig m被施加到驅(qū)動晶體管TRD的柵極。因此，如圖4所示， 在時段TP(2)/中第二節(jié)點柳2的電位增大。下文將描述增加的電位的量AV(電位校正 值)。當(dāng)驅(qū)動晶體管TR。的柵極(第一ND》的電位為Vg而源區(qū)和漏區(qū)中的另一個(第二節(jié) 點ND2)的電位為Vs時，在不考慮第二節(jié)點ND2的增加的電位量A V的情況下，Vg的值和Vs 的值如下。第一節(jié)點叫和第二節(jié)點ND2之間的電位差，即驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)和 漏區(qū)中的用作源區(qū)的另一個之間的電位差V^可以用表達(dá)式A來表示。
表達(dá)式A
<formula>formula see original document page 8</formula>
也就是說，在驅(qū)動晶體管TRD上的寫入過程中獲得的Vgs僅依賴于用于控制發(fā)光部 ELP的亮度的圖像信號VSig m、驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth和用于初始化驅(qū)動晶體管TRD 的柵極的電位的電壓V。fs。值Vgs不依賴于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi。
現(xiàn)在簡要介紹遷移率(Mobility)校正處理。在上述操作中，依賴于驅(qū)動晶體管 TR。的特性(如遷移率P的幅度)來改變驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個的電位 (即第二節(jié)點ND2的電位)的遷移率校正處理是與寫入處理一起執(zhí)行的。
如上所述，在從電源單元100將電壓Vcc—H施加到驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中 的一個的狀態(tài)下，圖像信號VSig m被施加到驅(qū)動晶體管TRD的柵極。這里，如圖4所示，在時 段TP(2)/中第二節(jié)點柳2的電位增大。結(jié)果，當(dāng)驅(qū)動晶體管TR。的遷移率的值大時，驅(qū) 動晶體管TR。的源區(qū)中的增加的電位的量AV(電位校正值)增大，而當(dāng)驅(qū)動晶體管TR。的 遷移率P的值小時，驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)中的增加的電位的量AV(電位校正值)減小。 驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)之間的電位差V^從表達(dá)式A變?yōu)楸磉_(dá)式B。時段TP(2)/的 總時間(t。)可以作為設(shè)計有機EL顯示設(shè)備時的設(shè)計值而預(yù)先確定。
表達(dá)式B <formula>formula see original document page 8</formula>
通過上述操作完成閾值電壓取消處理、寫入處理和遷移率校正處理。在時段 TP (2) 5'的開始時間，通過基于來自掃描線SCL的信號來關(guān)斷寫入晶體管TRW，第一節(jié)點ND工變?yōu)楦訝顟B(tài)。從電源單元100將電壓Vrc—H施加到驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個
(下文中為了方便也稱為源區(qū))。這樣，第二節(jié)點柳2的電位增大，與所謂的自舉電路中相
同的現(xiàn)象發(fā)生于驅(qū)動晶體管TRD的柵極，并且因此第一節(jié)點ND工的電位也增大。驅(qū)動晶體管
TRD的柵極與源區(qū)之間的電位差U呆持表達(dá)式B的值。在發(fā)光部ELP中流動的電流是從驅(qū)
動晶體管TRD的漏區(qū)流到柵極的漏電流Ids。當(dāng)驅(qū)動晶體管理想地工作于飽和區(qū)域中時，漏
電流L可以用表達(dá)式C來表示。發(fā)光部ELP以與漏電流Ids的值對應(yīng)的亮度來發(fā)光。下文
中會描述系數(shù)k。 表達(dá)式C Ids = k. (Vgs_Vth)2<formula>formula see original document page 9</formula> 圖4所示的時段TP(2)s'被稱為發(fā)光時段，而從時段TP(2)e'的開始到下一發(fā)光 時段的時段被稱為不發(fā)光狀態(tài)的時段(下文中為了簡化也稱為不發(fā)光時段)。具體地，在時 段TP(2、'的開始時間，電源單元100的電壓Vrc—H被切換為電壓Vcd，該電壓V^j皮保持 直到下一時段TP(2)/的結(jié)束時間(圖4中示為時段TP(2)V )。因此，從時段TP(2)6' 的開始到下一時段TP(2)+5'的時間段為不發(fā)光時段。 下文中將詳細(xì)描述上文已示意性說明了其配置的2Tr/lC驅(qū)動電路的操作。

發(fā)明內(nèi)容
在上述驅(qū)動方法中，通過提供不發(fā)光時段，能夠降低有源矩陣驅(qū)動方法所導(dǎo)致的 余象模糊，從而改善活動圖像的質(zhì)量。然而，在不發(fā)光時段中，|VCC—fVCat|的值的反向電壓 基本上被施加到發(fā)光部ELP。為了降低對發(fā)光部ELP的損害，優(yōu)選的是使得施加具有大的絕 對值的反向電壓的時段與不發(fā)光時段的比率小。還優(yōu)選的是，使得在不發(fā)光時段而不是在 執(zhí)行預(yù)處理過程的時段中施加到發(fā)光部ELP的反向電壓的絕對值小。例如，在不發(fā)光時段 而不是在執(zhí)行預(yù)處理過程的時段中可以從電源單元施加滿足條件表達(dá)式< Vrc—m < Vcc—H 的中間電壓Vee—m，但是在這種情況下會引起有機EL顯示設(shè)備的配置或控制復(fù)雜的問題。
期望的是提供一種驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法，該方法能夠在不使有機EL顯示 設(shè)備的配置復(fù)雜化的情況下降低由于在不發(fā)光時段中施加反向電壓而導(dǎo)致的對發(fā)光部ELP 的損害。 根據(jù)本發(fā)明的第一實施例和第二實施例，提供了一種驅(qū)動有機電致發(fā)光(EL)顯 示設(shè)備的方法，該有機電致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備具有(l)掃描電路；(2)信號輸出電路；(3)
有機EL顯示元件，所述有機EL顯示元件被排列成NXM 二維矩陣，其中N沿第一方向而M 沿與所述第一方向不同的第二方向，每個有機EL顯示元件具有有機EL發(fā)光部以及驅(qū)動所 述有機EL發(fā)光部的驅(qū)動電路；(4)連接到所述驅(qū)動電路以沿所述第一方向延伸的M個掃描 線；(5)連接到所述信號輸出電路以沿所述第二方向延伸的N個數(shù)據(jù)線；以及(6)電源單 元，其中，所述驅(qū)動電路包括寫入晶體管、驅(qū)動晶體管和電容器。這里，(A-1)所述驅(qū)動晶體 管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個連接到所述電源單元，(A-2)所述源區(qū)和漏區(qū)中的另一個連接到 所述有機EL發(fā)光部的陽極以及所述電容器的一個電極，以形成第二節(jié)點，以及(A-3)其柵 極連接到所述寫入晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個以及所述電容器的另一電極，以形成第 一節(jié)點。(B-l)所述寫入晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個連接到對應(yīng)的數(shù)據(jù)線，以及(B-2)其柵極連接到對應(yīng)的掃描線。當(dāng)按行順序掃描第一行至第M行中的有機EL顯示元件并且用 水平掃描時段來表示分配用于掃描各行中的有機EL顯示元件的時段時，每個水平掃描時 段包括初始化時段，在所述初始化時段中，所述信號輸出電路向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線施加第一節(jié) 點初始化電壓；以及圖像信號時段，在所述圖像信號時段中，所述信號輸出電路向?qū)?yīng)的數(shù) 據(jù)線施加圖像信號。 在第m(其中m二 1，2，3， ... ，M)行以及第n(其中n = 1，2，3， ... ， N)列的有機 EL顯示元件中，包括對應(yīng)于第m行中的有機EL顯示元件的圖像信號時段的水平掃描時段 用水平掃描時段Hm來表示，而在水平掃描時段Hm之前P個(其中P滿足1 < P < M且為 有機EL顯示設(shè)備中的預(yù)定值)水平掃描時段的水平掃描時段用水平掃描時段p來表 示，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法包括以下步驟(a)在位于水 平掃描時段Hm, p的結(jié)束之前的初始化時段中通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線經(jīng)由通過所述掃描電 路的操作而被接通的寫入晶體管向所述第一節(jié)點施加第一節(jié)點初始化電壓以初始化第一 節(jié)點的電位、并從所述電源單元向驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加第二節(jié)點初始化 電壓以初始化所述第二節(jié)點的電位，來執(zhí)行對所述第一節(jié)點的電位和所述第二節(jié)點的電位 進(jìn)行初始化的預(yù)處理過程，使得第一節(jié)點和第二節(jié)點之間的電位差大于所述驅(qū)動晶體管的 閾值電壓，并且使得第二節(jié)點與有機EL發(fā)光部的陰極之間的電位差不大于有機EL發(fā)光部 的閾值電壓；(b)將電源單元的電壓從第二節(jié)點初始化電壓切換到驅(qū)動電壓，并保持從所 述電源單元向所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加所述驅(qū)動電壓的狀態(tài)；(c)通過 在初始化時段中利用所述掃描電路的操作來接通所述寫入晶體管并且在從所述數(shù)據(jù)線經(jīng) 由被接通的寫入晶體管將所述第一節(jié)點初始化電壓施加到所述第一節(jié)點的狀態(tài)中從所述 電源單元向所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加所述驅(qū)動電壓，來執(zhí)行將所述第二 節(jié)點的電位改變?yōu)橥ㄟ^從所述第一節(jié)點初始化電壓中減去所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓而 得到的電位的閾值電壓取消處理，以在水平掃描時段Hm,p的初始化時段中關(guān)斷所述驅(qū)動 晶體管；(d)通過利用所述掃描電路的操作來關(guān)斷所述寫入晶體管，將所述第一節(jié)點變?yōu)?浮動狀態(tài)，并保持所述驅(qū)動晶體管的關(guān)斷狀態(tài)；(e)執(zhí)行在水平掃描時段Hm的圖像信號時 段中經(jīng)由通過所述掃描電路的操作而被接通的寫入晶體管從所述數(shù)據(jù)線向所述第一節(jié)點 施加所述圖像信號的寫入處理；以及(f)通過利用所述掃描電路的操作來關(guān)斷所述寫入晶 體管，將所述第一節(jié)點變?yōu)楦訝顟B(tài)，并允許對應(yīng)于所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間的 電位差的電流從所述電源單元經(jīng)由所述驅(qū)動晶體管流到所述有機EL發(fā)光部。
根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，所述驅(qū)動電路還包括第一晶體管，其中(C-l)所述第 一晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個連接到所述第二節(jié)點，(C-2)所述源區(qū)和漏區(qū)中的一個 被提供以用于初始化所述第二節(jié)點的電位的第二節(jié)點初始化電壓，并且(C-3)其柵極連接 到第一晶體管控制線。在第m(其中m二 1，2，3， ...， M)行和第n(其中n二 1，2，3，...， N)列中的有機EL顯示元件中，包括對應(yīng)于第m行中的有機EL顯示元件的圖像信號時段的 水平掃描時段用水平掃描時段Hm來表示，并且在該水平掃描時段Hm之前P個水平掃描時段 (其中P滿足1 < P < M且為所述有機EL顯示設(shè)備中的預(yù)定值)的水平掃描時段用水平 掃描時段Hm,w來表示，用于驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法包括以下步驟(a)在位于水平 掃描時段Hm,p的結(jié)束之前的初始化時段中通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線經(jīng)由通過所述掃描電路 的操作而被接通的寫入晶體管向所述第一節(jié)點施加第一節(jié)點初始化電壓以初始化所述第
10一節(jié)點的電位并經(jīng)由通過來自所述第一晶體管控制線的信號而被接通的第一晶體管向所 述第二節(jié)點施加第二節(jié)點初始化電壓以初始化所述第二節(jié)點的電位，執(zhí)行對所述第一節(jié)點 的電位和所述第二節(jié)點的電位進(jìn)行初始化的預(yù)處理過程，使得第一節(jié)點和第二節(jié)點之間的 電位差大于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并且使得第二節(jié)點與有機EL發(fā)光部的陰極之間 的電位差不大于所述有機EL發(fā)光部的閾值電壓；(b)通過來自所述第一晶體管控制線的信 號將所述第一晶體管從接通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)；(c)通過在初始化時段中利用所述掃描 電路的操作來接通所述寫入晶體管并且從所述數(shù)據(jù)線經(jīng)由被接通的寫入晶體管將所述第 一節(jié)點初始化電壓施加到所述第一節(jié)點的狀態(tài)中從所述電源單元向所述驅(qū)動晶體管的源 區(qū)和漏區(qū)中的一個施加所述驅(qū)動電壓，來執(zhí)行將所述第二節(jié)點的電位改變?yōu)橥ㄟ^從所述第 一節(jié)點初始化電壓中減去所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓而得到的電位的閾值電壓取消處理， 以在水平掃描時段Hm,^的初始化時段中關(guān)斷所述驅(qū)動晶體管；(d)通過利用所述掃描電 路的操作來關(guān)斷所述寫入晶體管，而將所述第一節(jié)點變?yōu)楦訝顟B(tài)并保持所述驅(qū)動晶體管 的關(guān)斷狀態(tài)；(e)執(zhí)行在水平掃描時段Hm的圖像信號時段中經(jīng)由通過所述掃描電路的操作 而被接通的寫入晶體管從所述數(shù)據(jù)線向所述第一節(jié)點施加所述圖像信號的寫入處理；以及 (f)通過利用所述掃描電路的操作來關(guān)斷所述寫入晶體管，將所述第一節(jié)點變?yōu)楦訝顟B(tài)， 并允許對應(yīng)于所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間的電位差的電流從所述電源單元經(jīng)由所 述驅(qū)動晶體管流到所述有機EL發(fā)光部。 在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例和第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法中，通 過反復(fù)執(zhí)行步驟(a)至步驟(f)的處理來顯示圖像?；旧?，步驟(a)中的從位于水平掃 描時段Hm—PM—p的結(jié)束之前的初始化時段到水平掃描時段Hm的結(jié)束的時間段為不發(fā)光狀態(tài) 的時段(下文中也簡稱為不發(fā)光時段)。第二節(jié)點初始化電壓被施加到發(fā)光部ELP的陽極 的時間段被限定于執(zhí)行預(yù)處理過程的初始化時段的開始時間附近。在不發(fā)光時段的大部分 時間中，具有通過從第一節(jié)點初始化電壓中減去所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓而得到的值的 電壓被施加到發(fā)光部ELP的陽極。因此，能夠降低施加具有大的絕對值的反向電壓的時間 段與不發(fā)光時段的比率，并能夠在不發(fā)光時段的大部分時間中降低施加到發(fā)光部ELP的反 向電壓的絕對值。因此，能夠抑制對發(fā)光部ELP的損害。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例1的有機EL顯示設(shè)備的原理圖。
圖2是包括驅(qū)動電路的有機EL顯示元件的等效電路圖。
圖3是示意性示出有機EL顯示設(shè)備的部分截面圖。 圖4是示意性示出根據(jù)一個參考示例的有機EL發(fā)光部的驅(qū)動操作的時序圖。
圖5A至圖5F是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/斷 (ON/OFF)狀態(tài)的圖。 圖6A和圖6B是在圖5F之后示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體 管的通/斷(ON/OFF)狀態(tài)的圖。 圖7是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的示例1的有機E發(fā)光部的驅(qū)動操作的時序圖。
圖8A至圖8F是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/斷 (ON/OFF)狀態(tài)的圖。
圖9A至圖9F是在圖8F之后示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體 管的通/斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。 圖10是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的示例2的有機EL發(fā)光部的驅(qū)動操作的時序圖。
圖IIA至圖11E是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/ 斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。 圖12是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的示例3的有機EL發(fā)光部的驅(qū)動操作的時序圖。
圖13A至圖13F是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/ 斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。 圖14是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的示例4的有機EL發(fā)光部的驅(qū)動操作的時序圖。
圖15A至圖15E是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/ 斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。 圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的示例5的有機EL顯示設(shè)備的原理圖。
圖17是包括驅(qū)動電路的有機EL顯示元件的等效電路圖。 圖18是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的示例5的有機EL發(fā)光部的驅(qū)動操作的時序圖。
圖19A至圖19F是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/ 斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。 圖20A至圖20F是在圖19F之后示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的 晶體管的通/斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。 圖21是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的示例6的有機EL發(fā)光部的驅(qū)動操作的時序圖。
圖22A至圖22E是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/ 斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。 圖23是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的示例7的有機EL發(fā)光部的驅(qū)動操作的時序圖。
圖24A至圖24F是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/ 斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。 圖25是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的示例8的有機EL發(fā)光部的驅(qū)動操作的時序圖。
圖26A至圖26E是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/ 斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。 圖27是示出根據(jù)本發(fā)明的示例9的有機EL顯示設(shè)備的原理圖。
圖28是包括驅(qū)動電路的有機EL顯示元件的等效電路圖。 圖29A至圖29D是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/ 斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。 圖30是包括驅(qū)動電路的有機EL顯示元件的等效電路圖。 圖31A至圖31D是示意性示出構(gòu)成有機EL顯示元件的驅(qū)動電路的晶體管的通/ 斷(0N/0FF)狀態(tài)的圖。
具體實施例方式下文中，將參考附圖來描述本發(fā)明的各個示例。描述的順序如下
1.對驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法的詳細(xì)描述
2.對示例中使用的有機EL顯示設(shè)備的示意性說明
3.示例1 (2Tr/lC驅(qū)動電路)4.示例2 (2Tr/lC驅(qū)動電路) 5.示例3 (2Tr/lC驅(qū)動電路)6.示例4(2Tr/lC驅(qū)動電路) 7.示例5 (3Tr/lC驅(qū)動電路) 8.示例6(3Tr/lC驅(qū)動電路)9.示例7 (3Tr/lC驅(qū)動電路) 10.示例8(3Tr/lC驅(qū)動電路) 11.示例9(4Tr/lC驅(qū)動電路) 12.示例10 (4Tr/lC驅(qū)動電路) 對驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法的詳細(xì)描述 在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法中，在步驟(d)和步驟 (e)之間可以執(zhí)行如下步驟(g)在初始化時段中通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線經(jīng)由通過掃描電路 的操作而被接通的寫入晶體管向第一節(jié)點施加第一節(jié)點初始化電壓以初始化第一節(jié)點的 電位并從電源單元向驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加第二節(jié)點初始化電壓以初始 化第二節(jié)點的電位，來執(zhí)行對第一節(jié)點的電位和第二節(jié)點的電位進(jìn)行初始化的第二預(yù)處理 過程，使得第一節(jié)點與第二節(jié)點之間的電位差大于驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并使得第二節(jié) 點與有機EL發(fā)光部的陰極之間的電位差不大于有機EL發(fā)光部的閾值電壓；(h)將電源單
元的電壓從第二節(jié)點初始化電壓切換到驅(qū)動電壓，并保持從電源單元向驅(qū)動晶體管的源區(qū) 和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓的狀態(tài)；以及(i)通過在初始化時段中通過掃描電路的操作 而接通寫入晶體管且經(jīng)由被接通的寫入晶體管從數(shù)據(jù)線向第一節(jié)點施加第一節(jié)點初始化 電壓的狀態(tài)中從電源單元向驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓，來執(zhí)行將第 二節(jié)點的電位改變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點初始化電壓中減去驅(qū)動晶體管的閾值電壓而得到的 電位的第二閾值電壓取消處理，以在位于水平掃描時段Hm的結(jié)束之前的初始化時段中關(guān)斷 驅(qū)動晶體管。 在根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法中，在步驟(d)和步驟 (e)之間可以執(zhí)行如下步驟(g)在初始化時段中通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線經(jīng)由通過掃描電路 的操作而被接通的寫入晶體管向第一節(jié)點施加第一節(jié)點初始化電壓以初始化第一節(jié)點的 電位、并經(jīng)由被來自第一晶體管控制線的信號接通的第一晶體管向第二節(jié)點施加第二節(jié)點 初始化電壓以初始化第二節(jié)點的電位，來執(zhí)行對第一節(jié)點的電位和第二節(jié)點的電位進(jìn)行初 始化的第二預(yù)處理過程，使得第一節(jié)點與第二節(jié)點之間的電位差大于驅(qū)動晶體管的閾值電 壓，并使得第二節(jié)點與有機EL發(fā)光部的陰極之間的電位差不大于有機EL發(fā)光部的閾值電 壓；(h)通過來自第一晶體管控制線的信號將第一晶體管從接通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)；以 及(i)通過在初始化時段中通過掃描電路的操作而接通寫入晶體管且經(jīng)由被接通的寫入 晶體管從數(shù)據(jù)線向第一節(jié)點施加第一節(jié)點初始化電壓的狀態(tài)中從電源單元向驅(qū)動晶體管 的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓，來執(zhí)行將第二節(jié)點的電位改變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點初 始化電壓中減去驅(qū)動晶體管的閾值電壓而得到的電位的第二閾值電壓取消處理，以在位于 水平掃描時段Hm的結(jié)束之前的初始化時段中關(guān)斷驅(qū)動晶體管。 在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例和第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法中，優(yōu)
13選的是在水平掃描時段Hm的初始化時段中執(zhí)行，然而本發(fā)明并不局限于這種配置。步驟(i)可以在水平掃描時段Hm之前的水平掃描時段的初始化時段中執(zhí)行。 在包括上述優(yōu)選配置的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例和第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法中，信號輸出電路可以在初始化時段中將第一初始化電壓作為第一節(jié)點初始化電壓施加到數(shù)據(jù)線，并可以然后以低于第一初始化電壓的第二初始化電壓替代所述第一初始化電壓作為第一節(jié)點初始化電壓而施加到數(shù)據(jù)線。 在包括上述優(yōu)選配置的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例和第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法中，步驟(a)可以在水平掃描時段Hm,p的初始化時段中執(zhí)行。替選地，步驟(a)可以在水平掃描時段Hm,w前的水平掃描時段的初始化時段中執(zhí)行?？梢愿鶕?jù)有機EL顯示設(shè)備的設(shè)計規(guī)則來適當(dāng)?shù)卮_定選擇什么配置。具體地，當(dāng)步驟(c)(即閾值電壓取消處理)僅能夠在一個水平掃描時段的初始化時段中完成時，可以選擇前者。否則，可以選擇后者。在后者中，可以通過基于掃描電路的操作來控制寫入晶體管的接通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)直到水平掃描時段p的結(jié)束，使得寫入晶體管在初始化時段中被接通而在圖像信號時段被關(guān)斷，從而毫無問題地執(zhí)行閾值電壓取消處理。 根據(jù)本發(fā)明的第一實施例和第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法的步驟(g)和步驟(i)如上所述基本上相同。例如，在水平掃描時段4的初始化時段中執(zhí)行步驟(i)的配置中，當(dāng)步驟(g)(即第二閾值電壓取消處理)僅能夠在一個水平掃描時段的初始化時段中完成時，步驟(g)可以在水平掃描時段Hm的初始化時段中執(zhí)行。否則步驟(g)可以在水平掃描時段Hm之前的水平掃描時段的初始化時段中執(zhí)行。 在包括上述優(yōu)選配置的根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法中，驅(qū)動電路還可以包括第二晶體管，電源單元可以經(jīng)由該第二晶體管而連接到驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個，并且該第二晶體管可以在第一晶體管處于接通狀態(tài)時被關(guān)斷。在這種情況下，第二晶體管可以是傳導(dǎo)類型與第一晶體管不同的晶體管，并且第二晶體管的柵極可以連接到第一晶體管控制線。根據(jù)該配置，當(dāng)經(jīng)由處于接通狀態(tài)的第一晶體管向第二節(jié)點施加第二節(jié)點初始化電壓時，能夠防止電流從電源單元流到第一晶體管，從而降低功耗。 在包括上述優(yōu)選配置的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例和第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法(下文也簡稱為"根據(jù)本發(fā)明的實施例的驅(qū)動方法")中，在步驟(e)中向驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓的狀態(tài)中從數(shù)據(jù)線施加圖像信號。因此，依賴于驅(qū)動晶體管的特性來提升第二節(jié)點的電位的遷移率校正處理是與寫入處理同時進(jìn)行的。下面將描述遷移率校正處理的細(xì)節(jié)。 在本發(fā)明中使用的有機EL顯示設(shè)備可以具有單色顯示配置或者彩色顯示配置。可以采用一個像素包括多個子像素的配置，例如一個像素包括三個子像素(發(fā)紅色光的子像素、發(fā)綠色光的子像素和發(fā)藍(lán)色光的子像素)的彩色顯示配置。另外，還可以采用一種類型的子像素或者多種類型的子像素被添加到所述三種類型的子像素的設(shè)置(例如添加發(fā)射白色光的子像素以增加亮度的設(shè)置、添加發(fā)射互補色光的子像素以增大色彩再現(xiàn)范圍的設(shè)置、添加發(fā)射黃色光的子像素以增大色彩再現(xiàn)范圍的設(shè)置、添加發(fā)射黃色和青色光的子像素以增大色彩再現(xiàn)范圍的設(shè)置)。用于顯示圖像的幾組分辨率值，如(1920,1035)、 (720,480)和(1280， 960)，以及VGA (640， 480) 、 S-VGA (800， 600) 、 XGA (1024， 768) 、 APRC (1152， 900) 、 S_XGA(1280， 1024)、U-XGA(1600， 1200) 、HD_TV(1920， 1080)和Q-XGA(2048， 1536)，可以作為有機EL顯示設(shè)備的像素值的例示，但本發(fā)明并不局限于這些值。 現(xiàn)有的配置或結(jié)構(gòu)可以用作有機EL顯示設(shè)備中諸如掃描電路和信號輸出電路、如掃描線和數(shù)據(jù)線等各種線、電源單元、有機EL發(fā)光部(下文中也簡稱為發(fā)光部)等各種電路的配置或結(jié)構(gòu)。具體地，每個發(fā)光部可包括例如陽極、空穴傳輸層(hole transportlayer)、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。 n溝道薄膜晶體管(TFT)可以用作驅(qū)動電路的晶體管。驅(qū)動電路的晶體管可以為增強型或者抑制型(expression type)。在n溝道晶體管中，可以形成LDD(輕摻雜的漏)結(jié)構(gòu)。在某些情況下，LDD結(jié)構(gòu)可以是非對稱的。例如，由于允許有機EL顯示元件發(fā)光時在驅(qū)動晶體管中流動大的電流，因此，LDD結(jié)構(gòu)可以僅形成于在發(fā)光時源區(qū)和漏區(qū)中的用作源區(qū)的一個中。例如，可將P溝道薄膜晶體管用作寫入晶體管等。 驅(qū)動電路的電容器可以包括一個電極、另一電極以及間置于所述電極之間的電介質(zhì)層(絕緣層)。驅(qū)動電路的晶體管和電容器形成于一個層面中(例如在支撐元件上)，而發(fā)光部形成于驅(qū)動電路的晶體管和電容器之上，其之間間置有層間絕緣層。驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個通過例如接觸孔而連接到發(fā)光部的陽極。晶體管可形成于半導(dǎo)體基板等中。 下文中，將參考附圖來描述本發(fā)明的各個示例，并且將首先描述這些示例中使用
的有機EL顯示設(shè)備的大體配置。 示例中使用的有機EL顯示設(shè)備的配置 適用于示例中的有機EL顯示設(shè)備為具有多個像素的有機EL顯示設(shè)備。 一個像素包括多個子像素(在示例中包括發(fā)紅色光的子像素、發(fā)綠色光的子像素和發(fā)藍(lán)色光的子像素這三個子像素。每個子像素包括具有其中堆疊有驅(qū)動電路11和連接到驅(qū)動電路11的發(fā)光部(發(fā)光部ELP)的結(jié)構(gòu)的有機EL顯示元件IO。 圖1示出了根據(jù)示例1、示例2、示例3、示例4的有機EL顯示設(shè)備的原理圖。圖16示出了根據(jù)示例5、示例6、示例7、示例8和示例10的有機EL顯示設(shè)備的原理圖。圖27示出了根據(jù)示例9的有機EL顯示設(shè)備的原理圖。 圖2示出了主要包括兩個晶體管和一個電容器的驅(qū)動電路(也稱為2Tr/lC驅(qū)動電路)。圖17示出了主要包括三個晶體管和一個電容器的驅(qū)動電路(也稱為3Tr/lC驅(qū)動電路)。圖28和30示出了主要包括四個晶體管和一個電容器的驅(qū)動電路(也稱為4Tr/lC驅(qū)動電路)。 根據(jù)示例的有機EL顯示設(shè)備包括(1)掃描電路101 ; (2)信號輸出電路102 ; (3)有機EL顯示元件10，排列成NXM的二位矩陣，其中N沿第一方向，而M沿與第一方向不同的第二方向，每個有機EL顯示元件具有發(fā)光部ELP以及驅(qū)動發(fā)光部ELP的驅(qū)動電路11 ; (4)M個掃描線SCL，連接到掃描電路101以沿著第一方向延伸；(5)N個數(shù)據(jù)DTL，連接到信號輸出電路102以沿第二方向延伸；以及(6)電源單元100。在圖1、16和27中，示出了 3X3的有機EL顯示元件10，但這僅為示例。為了簡化說明，圖1、16和27中未示出圖2中示出的電源線PS2。 發(fā)光部ELP具有現(xiàn)有的配置或結(jié)構(gòu)，包括例如陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極?，F(xiàn)有的配置或者結(jié)構(gòu)可以用作掃描電路101、信號輸出電路102、掃描線SCL、數(shù)據(jù)線DTL和電源單元100的配置或結(jié)構(gòu)。 現(xiàn)在將描述驅(qū)動電路11的最小量的元件。驅(qū)動電路11至少包括驅(qū)動晶體管TRD、寫入晶體管TRw和具有一對電極的電容器Q。驅(qū)動晶體管TR。由包括源區(qū)和漏區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的n溝道TFT形成。寫入晶體管TRW由包括源區(qū)和漏區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的n溝道TFT。寫入晶體管TRw可以由p溝道的TFT形成。 這里，在驅(qū)動晶體管TR。中，(A-l)源區(qū)和漏區(qū)中的一個連接到電源單元100，(A-2)源區(qū)和漏區(qū)中另一個連接到發(fā)光部ELP的陽極以及電容器&的一個電極，以形成第二節(jié)點柳2，并且(A-3)其柵極連接到寫入晶體管TRw的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個以及電容器Q的另一電極，以形成第一節(jié)點NDlt) 在寫入晶體管TRW中，(B-l)源區(qū)和漏區(qū)中的一個連接到對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DTL，并且(B-2)柵極連接到對應(yīng)的掃描線SCL。 圖3是示意性地示出了有機EL顯示設(shè)備的部分的部分截面圖。驅(qū)動電路ll的晶體管TR。和TRW以及電容器Q形成在支撐部件20上，而發(fā)光部ELP形成在驅(qū)動電路11的晶體管TRD和TRW以及電容器Q至少，例如其之間間置有層間絕緣層40。驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個通過接觸孔連接到發(fā)光部ELP的陽極。圖3中僅示出了驅(qū)動晶體管TRd，未示出其他晶體管。 更具體地，驅(qū)動晶體管TR。包括柵極31、柵絕緣層32、形成在半導(dǎo)體層33中的源區(qū)和漏區(qū)35和35以及與半導(dǎo)體層33的在源區(qū)和漏區(qū)35和35之間的部分對應(yīng)的溝道形成區(qū)34。另一方面，電容器Q包括另一電極36、由柵絕緣層32的延伸形成的電介質(zhì)層以及一個電極37 (對應(yīng)于第二節(jié)點ND2)。柵極31、柵絕緣層32的部分以及電容器Q的另一電極36形成于支撐部件20上。驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)35中的一個連接到線38，而源區(qū)和漏區(qū)35中的另一個連接到一個電極37。驅(qū)動晶體管TR。和電容器Q由層間絕緣層40所覆蓋，并且包括陽極51、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極53的發(fā)光部ELP形成在層間絕緣層40上。在圖中，空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層被示為一個層52。在層間絕緣層40的未形成發(fā)光部ELP的部分上形成第二層間絕緣層54，并且在第二層間絕緣層54和陰極53之上放置透明21。從發(fā)光層發(fā)射的光透過基板21被輸出到外部。 一個電極37(第二節(jié)點ND2)和陽極51通過形成在層間絕緣層40中的接觸孔而彼此連接。陰極53通過形成在第二層間絕緣層54和層間絕緣層40中的接觸孔56和55而連接到形成在柵絕緣層32的延伸上的線39。 現(xiàn)在將描述用于制造圖3所示的有機EL顯示設(shè)備的方法。首先，通過現(xiàn)有的方法在支撐部件20上適當(dāng)?shù)匦纬芍T如掃描線SCL等的各種線、電容器Q的電極、包括半導(dǎo)體層、層間絕緣層、接觸孔等的晶體管。然后，理由現(xiàn)有的方法來執(zhí)行膜形成工藝和圖案化工藝，以形成排列成矩陣的發(fā)光部ELP。將經(jīng)歷過上述工藝的支撐部件20對置于基板21，將得到的結(jié)構(gòu)周圍密封，并且例如執(zhí)行到外部電路的布線，從而獲得有機EL顯示設(shè)備。
所述示例中的有機EL顯示設(shè)備為具有多個有機EL顯示元件IO(例如NXM =1920X480個)的彩色顯示設(shè)備。各個有機EL顯示元件10形成子像素，一個像素通過包括多個子像素的一組來配置，這些像素沿第一方向以及與第一方向不同的第二方向而被排列成二維矩陣。每個像素包括沿掃描線SCL的延伸方向排列的三種類型的子像素發(fā)射紅光
16的發(fā)紅光子像素、發(fā)射綠光的發(fā)綠光子像素以及發(fā)射藍(lán)光的發(fā)藍(lán)光子像素。
有機EL顯示設(shè)備包括排列成二維矩陣的(N/3) XM個像素。構(gòu)成像素的有機EL顯示元件10被按行順序掃描，并且其顯示幀速率為FR(次數(shù)/秒)。也就是說，構(gòu)成排列在第m行的N/3像素(N個子像素)的有機EL顯示元件10被同時驅(qū)動。換言之，在一行中的有機EL顯示元件IO中，發(fā)光/不發(fā)光時間是以其所屬的行為單位來控制的。將圖像信號寫到構(gòu)成一行的像素的處理可以是將圖像信號同時寫到所有像素的處理(下文中也簡稱為同時寫入處理)，或者是將圖像信號按順序?qū)懙较袼氐奶幚?下文中也簡稱為順序?qū)懭胩幚?。可以根據(jù)有機EL顯示設(shè)備的配置來適當(dāng)選擇寫入處理。 在下面將要描述的示例中，為了便于說明，假設(shè)向掃描第(m-1)行中的有機EL顯示元件IO，然后再掃描第m行中的有機EL顯示元件10。在與第m行中的有機EL顯示元件lO對應(yīng)的水平掃描時段Hm之前P個水平掃描時段的水平掃描時段為用于掃描第(m-P)行的有機EL顯示元件10的水平掃描時段。也就是說，在示例中，包括與第m行中的有機EL顯示元件10對應(yīng)的圖像信號時段的水平掃描時段Hm是第m個水平掃描時段。當(dāng)在水平掃描時段Hm之前P個水平掃描時段的水平掃描時段表示為水平掃描時段Hm, p時，水平掃描時段Hm,tp用第(m-P)個水平掃描時段Hm—p來表示。 在下面將要描述的示例中，將描述對位于第m行和第n列的有機EL顯示元件10的驅(qū)動操作。該有機EL顯示元件10在下文中被稱為第(n，m)個有機EL顯示元件10或第(n， m)個子像素。執(zhí)行各個處理(閾值電壓取消處理、寫入處理和遷移率校正處理)，直到排列在第m行中的有機EL顯示元件10的水平掃描時段(即第m個水平掃描時段Hm)結(jié)束。
在完成了上述各個處理之后，使得第m行中的有機EL顯示元件10的發(fā)光部發(fā)光。例如，在水平掃描時段Hm,p的初始化時段中執(zhí)行步驟(a)的配置中，正好在下一水平掃描時段Hm—PM—p的初始化時段開始之前，保持第m行中的有機EL顯示元件10的發(fā)光部的發(fā)光狀態(tài)?？梢愿鶕?jù)有機EL顯示設(shè)備的設(shè)計規(guī)范來適當(dāng)?shù)卮_定〃 P〃的值。例如，在步驟(a)于水平掃描時段p的初始化時段中被執(zhí)行的配置中，在某個顯示幀中第m行中的有機EL顯示元件10的發(fā)光部的發(fā)光正好在第(m-P)個水平掃描時段的初始化時段的開始之前被保持。另一方面，通過保持發(fā)光部ELP的不發(fā)光狀態(tài)以設(shè)置從第(m-P)個水平掃描時段的初始化時段到第m個水平掃描時段的結(jié)束的不發(fā)光時段，能夠降低伴隨著有源矩陣驅(qū)動方法的余象模糊。 一個顯示幀周期的時間長度為1/FR，而水平掃描時段的時間長度小于(1/FR) X (1/M)秒。當(dāng)(m-P)等的值為負(fù)值時，根據(jù)操作，可以在前一顯示幀或后一顯示幀中適當(dāng)?shù)靥幚韺?yīng)于該負(fù)值的水平掃描時段。 在一個晶體管的兩個源區(qū)和漏區(qū)中，用語"源區(qū)和漏區(qū)中的一個"可以被用作連接到電源單元的源區(qū)或者漏區(qū)。晶體管的接通(ON)狀態(tài)表示在源區(qū)和漏區(qū)之間形成溝道。不考慮是否有電流從晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個流到源區(qū)和漏區(qū)中的另一個。另一方面，晶體管的關(guān)斷(OFF)狀態(tài)表示在源區(qū)和漏區(qū)之間未形成溝道。當(dāng)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)連接到另一晶體管的源區(qū)或漏區(qū)時，其涵蓋一個晶體管的源區(qū)或者漏區(qū)與另一晶體管的源區(qū)或者漏區(qū)占據(jù)相同的區(qū)域。另外，源區(qū)和漏區(qū)可以由諸如包含雜質(zhì)的多晶硅或非晶硅等傳導(dǎo)材料形成，并且可以形成為包含金屬、合金、傳導(dǎo)粒子、其堆疊結(jié)構(gòu)、有機材料(傳導(dǎo)聚合體)的層。在下文描述的時序圖中，表示時段的水平軸的長度(時間長度)是示意性的，并不代表時段的長度的比例。垂直軸亦是如此。時序圖中的波形的形狀也是示意性的。
下文中，通過示例來描述驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。
示例1 示例1涉及根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。在示例1
中，驅(qū)動電路11包括兩個晶體管和一個電容器。圖2示出了包括驅(qū)動電路11的有機EL顯
示元件10的等效電路圖。 首先描述驅(qū)動電路和發(fā)光部的細(xì)節(jié)。 驅(qū)動電路11包括兩個晶體管和電容器Q (2Tr/lC驅(qū)動電路)，這兩個晶體管即寫入晶體管TRW和驅(qū)動晶體管TRD。
驅(qū)動晶體管TR。 驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的一個通過電源線PS1連接到電源單元100。另一方面，驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個連接到(1)發(fā)光部ELP的陽極以及(2)電容器Q的一個電極，以形成第二節(jié)點ND2。驅(qū)動晶體管TRD的柵極連接到(1)寫入晶體管TRw的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個以及(2)電容器CJ勺另一電極，并形成第一節(jié)點ND"如下文描述的，從電源單元100提供電壓Vcc—H和電壓Vcc—p 這里，驅(qū)動晶體管TRD被驅(qū)動以允許通過表達(dá)式1的漏電流Ids在有機EL顯示元件10的發(fā)光狀態(tài)中流動。在有機EL顯示元件10的發(fā)光狀態(tài)中，驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個用作漏區(qū)，而源區(qū)和漏區(qū)中的另一個用作源區(qū)。為了便于說明，在下文的描述中，驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的一個被簡稱為漏區(qū)，而源區(qū)和漏區(qū)中的另一個被簡稱為源區(qū)。這里使用的附圖標(biāo)記如下[O117] ii :有效遷移率[cms] L:溝道長度 W:溝道寬度 Vgs :柵極和源區(qū)之間的電位差 Vth:閾值電壓 C。x :(柵絕緣層的具體介電常數(shù))X (真空的介電常數(shù))/(柵絕緣層的厚度) k三(1/2) (W/L) Cox 表達(dá)式l Ids = k, " (Vgs_Vth)2 通過允許漏電流Ids在有機EL顯示元件10的發(fā)光部ELP中流動，有機EL顯示元件10的發(fā)光部ELP發(fā)光。另外，有機EL顯示元件10的發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)(亮度)依
賴于漏電流Ids的幅度而被控制。
寫入晶體管TRw 寫入晶體管TRW的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個如下所述地連接到驅(qū)動晶體管TRD的柵極。另一方面，寫入晶體管TRw的源區(qū)和漏區(qū)中的一個連接到數(shù)據(jù)線DTL。下文中將描述的用于控制發(fā)光部ELP的亮度的圖像信號(驅(qū)動信號或者亮度信號)VSig或者第一節(jié)點初始化電壓通過數(shù)據(jù)線DTL從信號輸出電路102而被提供給源區(qū)和漏區(qū)中的一個。數(shù)據(jù)線DTL可以將各種信號和電壓(例如用于預(yù)充電驅(qū)動操作的信號或者各種參考電壓)提供給源區(qū)和漏區(qū)中的一個?；趤碜赃B接到寫入晶體管TRW的柵極的掃描線SCL的信號，即來自的掃描電路101的信號，來控制寫入晶體管TRW的通/斷(ON/OFF)操作。
發(fā)光部ELP 發(fā)光部ELP的陽極如上所述地連接到驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)。另一方面，發(fā)光部ELP的陰極連接到電源線PS2，通過該電源線PS2來提供電壓VCat。發(fā)光部ELP的寄生電容器用附圖標(biāo)記C^來表示。用于發(fā)光部ELP的發(fā)光的閾值電壓用附圖標(biāo)記Vthi來表示。也就是說，當(dāng)?shù)扔诨虼笥赩thi的電壓被施加到發(fā)光部ELP的陽極和陰極之上時，發(fā)光部ELP發(fā)光。 現(xiàn)在將描述根據(jù)示例1的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。 在下文的描述中，如下所述地定義電壓或電位的值，但所述值是示例性的，僅用于說明，本發(fā)明并不局限于這些值。下文中將描述的其他示例亦是如此。
VSig :用于控制發(fā)光部ELP的亮度的圖像信號，OV到10V
Vcc—H :用于允許電流在發(fā)光部ELP中流動的驅(qū)動電壓，20V
Vcc—。第二節(jié)點初始化電壓，-10V V。fs :用于初始化驅(qū)動晶體管TRD的柵極的電位(第一節(jié)點ND工的電位)的第一節(jié)點初始化電壓，OV Vth :驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓，3V
VCat :施加到發(fā)光部ELP的陰極的電壓，OV
Vthi :發(fā)光部ELP的閾值電壓，3V 按行、順序地對第1行至第M行中的有機EL顯示元件IO進(jìn)行掃描。當(dāng)被分配用于掃描各行中的有機EL顯示元件10的時段被稱為水平掃描時段時，如圖7等所示，每個水平掃描時段包括初始化時段，在該初始化時段中，從信號輸出電路102向數(shù)據(jù)線DTL施加第一節(jié)點初始化電壓；以及圖像信號時段，在該圖像信號時段中，從信號輸出電路102向數(shù)據(jù)線DTL施加圖像信號V^。 包括與第m行中的有機EL顯示元件10對應(yīng)的圖像信號時段的水平掃描時段用第m個水平掃描時段Hm來表示。水平掃描時段Hm之前P個水平掃描時段的水平掃描時段用水平掃描時段Hm,p或第(m-P)個水平掃描時段Hm—p來表示。對于其他水平掃描時段亦是如此。 在根據(jù)示例1的有機EL顯示設(shè)備中，從電源單元100選擇性地向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個提供用于允許電流經(jīng)由驅(qū)動晶體管TRD流到發(fā)光部ELP的驅(qū)動電壓Vcc—H以及用于初始化第二節(jié)點ND2的電位的第二節(jié)點初始化電壓Vcc—p
為了易于理解本發(fā)明，現(xiàn)在將描述使用根據(jù)示例1的有機EL顯示設(shè)備的參考示例中的驅(qū)動操作和問題。圖4示意性示出了根據(jù)該參考示例的發(fā)光部ELP的驅(qū)動操作的時序圖，而圖5A至圖5F以及圖6A和圖6B中示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)。
根據(jù)該參考示例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法包括以下步驟在第(n， m)個有機EL顯示元件10中，(a')執(zhí)行初始化第一節(jié)點的電位和第二節(jié)點ND2的電位的預(yù)處理過程，使得第一節(jié)點ND工與第二節(jié)點ND2之間的電位差大于驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓，并使得第二節(jié)點ND2與發(fā)光部ELP的陰極之間的電位差不大于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi， (b')執(zhí)行在保持第一節(jié)點ND工的電位的狀態(tài)中將第二節(jié)點ND2的電位改變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點叫的電位中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓而得到的電位的閾值電壓取消處理，(c')執(zhí)行從數(shù)據(jù)線DTL、經(jīng)由通過來自掃描線SCL的信號而被接通的寫入晶體管TRw將圖
19像信號V^施加到第一節(jié)點ND工的寫入處理，(d')通過利用來自掃描線SCL的信號關(guān)斷寫入晶體管TRw，來將第一節(jié)點ND/變?yōu)楦訝顟B(tài)，(e')通過允許與第一節(jié)點ND^P第二節(jié)點ND2之間的電位差對應(yīng)的電流從電源單元100、經(jīng)由驅(qū)動晶體管TRD而在發(fā)光部ELP中流動，來驅(qū)動發(fā)光部ELP，及(f')從電源單元100經(jīng)由驅(qū)動晶體管TRD將第二節(jié)點初始化電壓施加到第二節(jié)點ND2，以將發(fā)光部ELP變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。 圖4所示的時段TP(2)。'至?xí)r段TP(2h'為正好在執(zhí)行寫入處理的時段TP(2)4'前的工作時段。在時段TP(2)。'至?xí)r段TP(2)/中，第(n，m)個有機EL顯示元件10基本上處于不發(fā)光狀態(tài)。如圖4所示，除了時段TP(2)/之外，第m個水平掃描時段Ii還包括時段TP(2)/至?xí)r段TP(2)3'。為了便于說明，假設(shè)時段TP(2)/的開始和時段TP(2)/的結(jié)束對應(yīng)于第m個水平掃描時段Hm的開始和結(jié)束。 另外，假設(shè)時段TP(2)/的開始和時段TP(2h'的結(jié)束對應(yīng)于水平掃描時段Hm的初始化時段的開始和結(jié)束。假設(shè)時段TP(2)3'的開始和時段TP(2)/的結(jié)束對應(yīng)于水平掃描時段Hm的圖像信號時段的開始和結(jié)束。 現(xiàn)在將描述時段TP(2)。'至?xí)r段TP(2h'?？梢愿鶕?jù)有機EL顯示設(shè)備的設(shè)計規(guī)則來適當(dāng)?shù)卦O(shè)置時段TP (2)。'至?xí)r段TP (2) 3的相應(yīng)長度。
時段TP(2)。'(參見圖4和圖5A) 時段TP(2)。'中的操作例如為當(dāng)前顯示幀的前一顯示幀中的操作。也就是說，時段TP(2)。'是從前一顯示幀中的第(m+m')個水平掃描時段的開始到當(dāng)前顯示幀中的第(m-l)個水平掃描時段的時段。在時段TP(2)。'中，第(n， m)個有機EL顯示元件10處于不發(fā)光狀態(tài)。在時段TP(2)。'的開始(未示出)，從電源單元100提供的電壓從驅(qū)動電壓Vcc—h切換到第二節(jié)點初始化電壓Vc^。這樣，第二節(jié)點柳2的電位降低到Vc^，并且反向電壓被施加到發(fā)光部ELP的陽極和陰極之上，從而使得發(fā)光部ELP變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。處于浮動狀態(tài)的第一節(jié)點ND工(驅(qū)動晶體管TRD的柵極)的電位也隨著第二節(jié)點ND2的電位的下降而降低。 如上所述，在水平掃描時段中，從信號輸出電路102向數(shù)據(jù)線DTL施加第一節(jié)點初始化電壓V。fs，然后替代第一節(jié)點初始化電壓V。fs，施加圖像信號VSig。更具體地，在當(dāng)前顯示幀的第m個水平掃描時段Hm中，第一節(jié)點初始化電壓V。fs被施加到數(shù)據(jù)線DTL，然后，替代第一節(jié)點初始化電壓V。w施加與第(n，m)個子像素對應(yīng)的圖像信號(為了簡潔用V^m來表示，其他圖像信號也這樣表示)。相似地，在第(m+l)個水平掃描時段H^中，第一節(jié)點初始化電壓V。fs被施加到數(shù)據(jù)線DTL，然后，替代第一節(jié)點初始化電壓V。fs，施加與第(n， m+l)個子像素對應(yīng)的圖像信號VSig m+1。盡管圖4中未示出，第一節(jié)點初始化電壓V。fs和圖像信號VSig在除了水平掃描時段Hm、 Hm+1和Hm+D1，以外的水平掃描時段中也被施加到數(shù)據(jù)線DTL。
時段TP(2)/ (參見圖4和圖5B) 當(dāng)前顯示幀的第m個水平掃描時段Hm開始。在時段TP(2)/中，執(zhí)行步驟(a')。
具體地，在時段TP(2)/的開始時間，通過將掃描線SCL設(shè)置為高電平，寫入晶體管TRw被接通。從信號輸出電路102施加到數(shù)據(jù)線DTL的電壓為V。fs(初始化時段)。這樣，第一節(jié)點ND工的電位為V。fs (OV)。由于第二節(jié)點初始化電壓從電源單元100被施加到第二節(jié)點叫，第二節(jié)點ND2的電位保持于Vcc—l(-10V)。 由于第一節(jié)點ND工與第二節(jié)點ND2之間的電位差為10V而驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth為3V，因此，驅(qū)動晶體管TRD處于接通狀態(tài)。第二節(jié)點ND2與發(fā)光部ELP的陰極之間的電位差為-10V，并且不大于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi。因此，初始化第一節(jié)點NDJ勺電位和第二節(jié)點ND2的電位的預(yù)處理過程結(jié)束。
時段TP(2)2'(參見圖4和圖5C)
在時段TP(2)2'中執(zhí)行步驟(b')。 也就是說，在寫入晶體管TRw保持于接通狀態(tài)的情況下，從電源單元100提供的電壓從切換到Vcc—H。這樣，第一節(jié)點ND工的電位不變(保持V。fs = OV)，但第二節(jié)點ND2的電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點叫的電位中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位。也就是說，處于浮動狀態(tài)的第二節(jié)點柳2的電位增大。為了便于說明，時段TP(2h'的長度足以改變第二節(jié)點ND2的電位。 當(dāng)時段TP(2h'足夠長時，驅(qū)動晶體管TR。的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的另一個之間
的電位差達(dá)到Vth，因此驅(qū)動晶體管TRD被關(guān)斷。也就是說，處于浮動狀態(tài)的第二節(jié)點ND2接
近(V。fs_Vth = -3V)，并最終變?yōu)?V。fs-Vth)。當(dāng)保證表達(dá)式2時，換言之，當(dāng)選擇并確定電位
以滿足表達(dá)式2時，發(fā)光部ELP不發(fā)光。 表達(dá)式2 (V0fs_Vth) < (Vth_EL+VCat) 在時段TP(2h'中，第二節(jié)點柳2的電位最終變?yōu)?V。fs_Vth)。也就是說，第二節(jié)點ND2的電位是僅依賴于驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth和用于初始化驅(qū)動晶體管TRD的柵極的電壓V^來確定的。第二節(jié)點的電壓與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi無關(guān)。
時段TP(2)3'(參見圖4和圖5D) 在時段TP(2)Z的開始時間，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管TRw被關(guān)斷。施加到數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點初始化電壓V。fs切換到圖像信號VSig m(圖像信號時段)。當(dāng)在閾值電壓取消處理中關(guān)斷驅(qū)動晶體管TRD時，第一節(jié)點ND工和第二節(jié)點ND2的電位不變。當(dāng)在閾值電壓取消處理中未關(guān)斷驅(qū)動晶體管TR。時，在時段TP(2)3'中發(fā)生自舉操作(bootstr即operation)，因此第一節(jié)點ND!和第二節(jié)點ND2的電位略微增大。
時段TP(2)/ (參見圖4和圖5E) 在該時段中執(zhí)行步驟(c')。通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管TRw被接通。從數(shù)據(jù)線DTL經(jīng)由寫入晶體管TRw將圖像信號V^m施加到第一節(jié)點ND"這樣，第一節(jié)點NDj勺電位增大到V^m。驅(qū)動晶體管TR。處于接通狀態(tài)。在某些情況下，在時段TP(2)3'中可以保持寫入晶體管TRW的接通狀態(tài)。在這種配置中，當(dāng)在時段TP (2) 3'中數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點初始化電壓V。fs切換到圖像信號VSig m時，寫入處理被立即啟動。
這里，電容器Q的電容是Cl而發(fā)光部ELP的電容器Q的電容是cEp驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的另一個之間的寄生電容是cgs。當(dāng)驅(qū)動晶體管TRD的柵極的電位從V0fs變?yōu)閂Sig—m( > V0fs)時，電容器Q的兩端的電位(第一節(jié)點叫和第二節(jié)點ND2的電位)基本上發(fā)生變化。換言之，基于驅(qū)動晶體管TRD的柵極的電位(=第一節(jié)點ND工的電位)的變化(VSig m_V。fs)的電荷被分散到電容器Q、發(fā)光部ELP的電容器和驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的另一個之間的寄生電容器。當(dāng)?shù)闹党浞执笥贑l的值和cgs的值時，基于驅(qū)動晶體管TRD的柵極的電位的變化(VSig m-V。fs)的驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個(第二節(jié)點ND》的電位的變化是小的。 一般而言，發(fā)光部ELP的電容器容器Q的電容值Cl以及驅(qū)動晶體管TRD的寄生電容器的值cgs。因此，在下文的描述中，不考慮由于第一節(jié)點的電位的變化而導(dǎo)致的第二節(jié)點ND2的電位的變化。如果不是特別必要，則假設(shè)不考慮由于第一節(jié)點ND工的電位的變化而導(dǎo)致的第二節(jié)點柳2的電位的變化。其他示例中亦是如此。在用于驅(qū)動的時序圖中，不考慮由于第一節(jié)點的電位的變化而導(dǎo)致的第二節(jié)點ND2的電位的變化。 在上述寫入處理中，在從電源單元100向驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vcc—H的狀態(tài)中，將圖像信號VSig m施加到驅(qū)動晶體管TRD的柵極。因此，如圖4所示，第二節(jié)點ND2的電位在時段TP(2)/中增大。下文將描述電位的增加量(圖4中的A V)。當(dāng)驅(qū)動晶體管TRD的柵極(第一節(jié)點ND》的電位為Vg而驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個(第二節(jié)點ND2)的電位為Vs時，在不考慮第二節(jié)點ND2的電位增加的情況下，Vg的值和Vs的值如下。第一節(jié)點叫與第二節(jié)點ND2之間的電位差，即驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的用作源區(qū)的另一個之間的電位差V^，可以用表達(dá)式3來表示。
表達(dá)式3
Vg = VSig—m
VsSV0fs-Vth
VgsSVsig—m-(V0fs-Vth) 也就是說，在寫入處理中在驅(qū)動晶體管TRD上得到的U又依賴于用于控制發(fā)光部
ELP的亮度的圖像信號VSig m、驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth以及用于初始化驅(qū)動晶體管TRD
的柵極的電位的電壓V。fs。值Vgs與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi無關(guān)。 現(xiàn)在將描述在TP(2)4'時段中第二節(jié)點柳2的電位的增加。在上述參考示例的驅(qū)
動方法中，依賴于驅(qū)動晶體管TRD的特性(如遷移率的幅度)來提升驅(qū)動晶體管TRD的
源區(qū)和漏區(qū)中的另一個的電位(即第二節(jié)點柳2的電位)的遷移率校正處理與寫入處理一
起執(zhí)行。 當(dāng)驅(qū)動晶體管TR。由多晶硅薄膜晶體管形成時，難以避免各晶體管之間的遷移率P的偏差。因此，即使當(dāng)將相同值的圖像信號V^施加于在遷移率上有差別的多個驅(qū)動晶體管TRD的柵極時，在遷移率P大的驅(qū)動晶體管TRD中流動的漏電流Ids與遷移率P小的驅(qū)動晶體管TR。中流動的漏電流Ids之間仍存在差別。當(dāng)存在這種差別時，會有損于有機EL顯示設(shè)備的屏幕的均勻性。 在上述參考示例的驅(qū)動方法中，在從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vcc—H的狀態(tài)中，圖像信號VSig m被施加到驅(qū)動晶體管TRD的柵極。因此，如圖4所示，第二節(jié)點ND2的電位在時段TP(2)/中增大。當(dāng)驅(qū)動晶體管TR。的遷移率P的值大時，驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個的電位(即第二節(jié)點叫的電位)的電位增加量AV增大。反之，當(dāng)驅(qū)動晶體管TR。的遷移率i！的值小時，驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個的電位的電位增加量AV(電位校正值)減小。這里，驅(qū)動晶體管TR。的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的用作源區(qū)的另一個之間的電位差Vgs從表達(dá)式3變?yōu)楸磉_(dá)式4。
表達(dá)式4 VgssVSig_m-(V0fs-Vth)-AV 執(zhí)行寫入處理的預(yù)定時間(圖4中的時段TP(2)/的總時間(t。))可以作為設(shè)計有機EL顯示設(shè)備時的設(shè)計值而預(yù)先確定。確定時段TP(2)/的總時間，使得驅(qū)動晶體管TR。
22的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個的電位(V。fs_Vth+AV)滿足表達(dá)式2'。因此，在時段TP(2)/中，發(fā)光部ELP不發(fā)光。另外，在遷移率校正處理的同時，校正了系數(shù)k(E d/2) *(W/L) *C。X)
的偏差。 表達(dá)式2' (V0fs_Vth+AV) < (Vth—EL+VCat)
時段TP(2)s'(參見圖4和5F) 通過上述操作，完成了步驟(a')至步驟(c')。之后，在時段TP(2h'中，執(zhí)行步驟(d')和步驟(e')。也就是說，在從電源單元100將驅(qū)動電壓V^H施加到驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個的狀態(tài)中，通過掃描電路101的操作，掃描線SCL被設(shè)置為低電平，寫入晶體管TRW被關(guān)斷，并且第一節(jié)點ND工(即驅(qū)動晶體管TRD的柵極)被設(shè)置為浮動狀態(tài)。這樣，第二節(jié)點ND2的電位增大。 如上所述，由于驅(qū)動晶體管TRD的柵極處于幅度狀態(tài)并且存在電容器Q，在驅(qū)動晶體管TRD的柵極中發(fā)生與所謂的自舉電路中相同的現(xiàn)象，因此，第一節(jié)點叫的電位也會增大。這樣，驅(qū)動晶體管TR。的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的用作源區(qū)的另一個之間的電位差U呆持于表達(dá)式4中的值。 由于第二節(jié)點NDJ勺電位增大且大于(Vth—EL+VJ，發(fā)光部ELP開始發(fā)光。此時，由于發(fā)光部ELP中流動的電流為從驅(qū)動晶體管TRD的漏區(qū)流到源區(qū)的漏電流Ids，該電流可以用表達(dá)式1來表示。這里，利用表達(dá)式1和4，表達(dá)式1可以修改為表達(dá)式5。
表達(dá)式5 Ids = k, i！ (VSigm_V0fs-AV)2 因此，例如，當(dāng)V。fs被設(shè)置為OV時，發(fā)光部ELP中流動的電流Ids與通過從用于控制發(fā)光部ELP的亮度的圖像信號V^m的值中減去基于驅(qū)動晶體管TR。的遷移率y的電位校正值A(chǔ)V而得到的值的平方成比例。換言之，發(fā)光部ELP中流動的電流L與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth無關(guān)。也就是說，發(fā)光部ELP的光強度(亮度)與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth無關(guān)。第(n， m)個有機EL顯示元件10的亮度是與漏電流Ids對應(yīng)的值。 當(dāng)驅(qū)動晶體管TR。的遷移率增大時，電位校正值A(chǔ)V增大。因此，表達(dá)式4左邊的值l減小。因此，即使當(dāng)表達(dá)式5中的遷移率的值增大時，值(V^m-V。^AV)2也會減小，從而校正漏電流Ids。也就是說，當(dāng)驅(qū)動晶體管TR。的遷移率的值不同但圖像信號VSig的值相等時，漏電流Ids幾乎是一致的。因此，使得在發(fā)光部ELP中流動以控制發(fā)光部ELP的亮度的電流L為均勻的。因此，能夠校正由于遷移率P的偏差(另外，偏差k)而導(dǎo)致的各發(fā)光部ELP的亮度的偏差。 保持發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)，直到第(m+m' _1)個水平掃描時段。第(m+m' _1)個水平掃描時段的結(jié)束對應(yīng)于時段TP(2)5'的結(jié)束。這里，〃 m〃 '滿足關(guān)系式Km'〈M，并且是有機EL顯示設(shè)備中的預(yù)定值。換言之，從第(m+1)個水平掃描時段H^到正好在第(m+m')個水平掃描時段Hm+m前的時間，發(fā)光部ELP被驅(qū)動，并且該時段為發(fā)光時段。
時段TP(2V (參見圖4和6A) 然后，執(zhí)行步驟(f')，以將發(fā)光部ELP置于不發(fā)光時段中。 具體地，在保持寫入晶體管TRw的關(guān)斷狀態(tài)的狀態(tài)中，在時段TP(2)e'的開始(換言之第(m+m')個水平掃描時段Hm+m,的開始)，從電源單元100提供的電壓從電壓V^h切換到電壓Vc^。這樣，第二節(jié)點柳2的電位降低到Vc^，反向電壓被施加于發(fā)光部ELP的陽極和陰極之間，因此，發(fā)光部ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。隨著第二節(jié)點ND2的電位的降低，處于浮動狀態(tài)的第一節(jié)點ND工(驅(qū)動晶體管TRD的柵極)的電位也降低。 不發(fā)光狀態(tài)被保持到正好在下一幀的第m個水平掃描時段Hm前的時間。該時間對應(yīng)于正好在圖4所示的時段TP(2)V的開始之前的時間。這樣，通過提供不發(fā)光時段，能夠降低由于有源矩陣驅(qū)動方法而導(dǎo)致的余象模糊，從而改善活動圖像的質(zhì)量。例如，當(dāng)設(shè)置m' = M/2時，發(fā)光時段和不發(fā)光時段的時間長度各為一個顯示幀周期的幾乎一半。
在時段TP(2)V之后，重復(fù)執(zhí)行如時段TP(2)/至?xí)r段TP(2)e'中所述的相同處理(參見圖4和6B)。也就是說，圖4所示的時段TP(2)6'對應(yīng)于下一時段TP(2)。'。
在根據(jù)參考示例的驅(qū)動方法中，如圖4所示，時段TP(2)e'占不發(fā)光時段的大部分。在該時段中，值為|Vrc—fVCat|的反向電壓被施加到發(fā)光部ELP。也就是說，在上述示例中，從第(m+m')個水平掃描時段Hm+m,的開始到下一幀的第m個水平掃描時段Hm的開始附近，10V的反向電壓被持續(xù)施加到發(fā)光部ELP。 下面將描述根據(jù)示例1的驅(qū)動方法。圖7中示意性示出了根據(jù)示例1的發(fā)光部ELP的驅(qū)動操作的時序圖，而圖8A至圖8F以及圖9A至圖9F中示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)。 根據(jù)示例1的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法包括以下步驟在第(n， m)個有機EL顯示元件10中，(a)在位于水平掃描時段Hm,p的結(jié)束之前的初始化時段中，通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DTL經(jīng)由通過掃描電路101的操作而被接通的寫入晶體管TRW向第一節(jié)點ND工施加第一節(jié)點初始化電壓V。fs以初始化第一節(jié)點ND工的電位、并從電源單元100向驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加第二節(jié)點初始化電壓V^以初始化第二節(jié)點叫的電位，來執(zhí)行對第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的電位進(jìn)行初始化的預(yù)處理過程，使得第一節(jié)點與第二節(jié)點ND2之間的電位差大于驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth，并使得第二節(jié)點ND2與發(fā)光部ELP的陰極之間的電位差不大于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi， (b)將電源單元100的電壓從第二節(jié)點初始化電壓切換到驅(qū)動電壓Vcc—H，并保持從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vee—H的狀態(tài)，(c)通過在寫入晶體管TRw在初始化時段通過掃描電路101的操作而被接通并且經(jīng)由被接通的寫入晶體管T&從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點叫施加第一節(jié)點初始化電壓的狀態(tài)中從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vcc—H，來執(zhí)行將第二節(jié)點ND2的電位改變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點初始化電壓V。fs中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位以在水平掃描時段Hm—pre—P的初始化時段中關(guān)斷驅(qū)動晶體管TR。的閾值電壓取消處理，(d)通過利用掃描電路101的操作關(guān)斷寫入晶體管TRW，將第一節(jié)點ND工變?yōu)楦訝顟B(tài)，并保持驅(qū)動晶體管TRD的關(guān)斷狀態(tài)，(e)執(zhí)行經(jīng)由通過掃描電路IOI的操作而被接通的寫入晶體管TIV在水平掃描時段Hm的圖像信號時段中從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加圖像信號的寫入處理，以及(f)通過利用掃描電路IOI的操作關(guān)斷寫入晶體管TRw，將第一節(jié)點ND/變?yōu)楦訝顟B(tài)，并且允許與第一節(jié)點ND工與第二節(jié)點ND2之間的電位差對應(yīng)的電流從電源單元100經(jīng)由驅(qū)動晶體管TRD流到發(fā)光部ELP。在后面將描述的根據(jù)示例2、示例3和示例4的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法中亦是如此。
在示例1中，在水平掃描時段Hm,p的初始化時段中，執(zhí)行步驟(a)。如上所述，由于水平掃描時段4』nP即水平掃描時段Hm—p，為了簡便在下文中使用后一標(biāo)記。圖中亦是如此。如下文描述的，例如，當(dāng)設(shè)置P = M/2時，發(fā)光時段和不發(fā)光時段的時間長度各位一個顯示幀周期的幾乎一半。 圖7所示的時段TP(2)。至TP(2)5是到正好在執(zhí)行寫入處理的時段TP(2)6前的時間的工作時段。在時段TP(2)。至TP(2)e中，第(n，m)個有機EL顯示元件10處于不發(fā)光狀態(tài)。如圖7所示，除了時段TP (2)6，第m個水平掃描時段Hm還包括時段TP (2) 4至TP (2) 5。
為了簡化說明，時段TP(2、的開始對應(yīng)于第(m-P)個水平掃描時段Hm—P的初始化時段(其為在圖7中數(shù)據(jù)線DTL的電位為V。fs的時段，并且對于其他水平掃描時段亦如此)的開始。相似地，時段TP(2)2的結(jié)束對應(yīng)于水平掃描時段Hm—p的初始化時段的結(jié)束。時段TP(2)3的開始對應(yīng)于水平掃描時段Hm—p的圖像信號時段(其為的圖7中數(shù)據(jù)線DTL的電位為V^—m—p的時段)的開始。 時段TP(2)4的開始和結(jié)束對應(yīng)于第m個水平掃描時段的初始化時段的開始和結(jié)束。時段TP(2)s的開始對應(yīng)于第m個水平掃描時段Hm的圖像信號時段(其為圖7中數(shù)據(jù)線DTL的電位為V^m的時段)的開始。相似地，時段TP(2)e的結(jié)束對應(yīng)于水平掃描時段Hm的圖像信號時段的結(jié)束。 現(xiàn)在將描述時段TP (2) ^至TP (2) 3中的各個時段。
時段TP 1 (2) —!(參見圖7和8A) 時段TP (2) ^為在前一顯示幀中執(zhí)行操作并且第(n， m)個有機EL顯示元件10在之前的處理結(jié)束后處于發(fā)光狀態(tài)的時段。也就是說，基于表達(dá)式5的漏電流I' ds在構(gòu)成第(n， m)個子像素的有機EL顯示元件10的發(fā)光部ELP中流動，并且構(gòu)成第(n， m)個子像素的該有機EL顯示元件10的亮度的值對應(yīng)于漏電流I' ds。這里寫入晶體管TRw處于關(guān)斷狀態(tài)，并且驅(qū)動晶體管TRD處于接通狀態(tài)。
時段TP(2)。(參見圖7和8B) 在時段TP (2)。中，操作從前一顯示幀改變?yōu)楫?dāng)前顯示幀。也就是說，時段TP (2)。為正好在第(m-P)個水平掃描時段Hm—p的開始之前的時段。在時段TP(2)。中，第(n，m)個有機EL顯示元件10處于不發(fā)光狀態(tài)。也就是說，從電源單元100提供的電壓從驅(qū)動電壓Vcc—H切換到第二節(jié)點初始化電壓Vc^。結(jié)果，第二節(jié)點柳2的電位降低到Vc^，反向電壓被施加于發(fā)光部ELP的陽極和陰極之間，因此，發(fā)光部ELP變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。隨著第二節(jié)點ND的電位的降低，處于浮動狀態(tài)的第一節(jié)點ND工(驅(qū)動晶體管TR。的柵極)的電位也下降。
時段TP(2、(參見圖7和8C) 當(dāng)前顯示幀的第(m-P)個水平掃描時段Hm—p開始。在時段TP(2、中，執(zhí)行步驟(a)，即執(zhí)行預(yù)處理過程。 如上所述，水平掃描時段Hm—p的初始化時段的開始和結(jié)束為時段TP(2、的開始和時段TP (2) 2的結(jié)束。在時段TP (2)工的開始，寫入晶體管TRW通過來自掃描線SCL的信號而被接通，并且經(jīng)由處于接通狀態(tài)的寫入晶體管TRW從數(shù)據(jù)線DTL將第一節(jié)點初始化電壓V。fs施加到第一節(jié)點ND"從而初始化第一節(jié)點ND工的電位。電源單元100從向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加第二節(jié)點初始化電壓Vc^，從而初始化第二節(jié)點ND2的電位。
結(jié)果，第一節(jié)點ND工的電位變?yōu)閂。fs(0V)。由于從電源單元100向第二節(jié)點ND2施加第二節(jié)點初始化電壓V^，第二節(jié)點ND2的電位保持于U-10V)。 由于第一節(jié)點ND工與第二節(jié)點ND2之間的電位差為10V而的驅(qū)動晶體管TRD閾值 電壓Vth為3V，驅(qū)動晶體管TRD被接通。第二節(jié)點ND2與發(fā)光部ELP的陰極之間的電位差 為-IOV，該值不大于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi。由此，完成了對第一節(jié)點ND的電位工和 第二節(jié)點ND2的電位進(jìn)行初始化的預(yù)處理過程。 在時段TP(2、的結(jié)束，執(zhí)行步驟(b)。具體地，電源單元100的電壓從第二節(jié)點初 始化電壓切換到驅(qū)動電壓Vcc—H，并且保持從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和 漏區(qū)中一個的施加驅(qū)動電壓Vrc—H的狀態(tài)。
時段TP(2)2(參見圖7以及圖8D和8E) 在時段TP(2h中，執(zhí)行步驟(c)，即執(zhí)行上述閾值電壓取消處理。
在初始化時段中通過掃描電路101的操作寫入晶體管TRw被接通，并且在經(jīng)由被 接通寫入晶體管TRW的從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加第一節(jié)點初始化電壓V。fs的狀態(tài) 中從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vrc—H。在示例1 中，在時段TP (2) 2中保持寫入晶體管TRW的接通狀態(tài)。 在時段TP(2)2中，第一節(jié)點叫的電位不變(保持V0fs = OV)，但第二節(jié)點ND2的
電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點叫的電位中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位。
也就是說，處于浮動狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電位接近V。fs-Vth = -3V，并最終變?yōu)閂。fs-Vth。這
樣，執(zhí)行了使得第二節(jié)點叫的電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點初始化電壓Vs中減去驅(qū)動晶體管
TRD的閾值電壓Vth而得到的電位以關(guān)斷驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓取消處理。 在時段TP(2)3至TP(2)5中，執(zhí)行步驟(d)。也就是說，通過基于掃描電路IOI的
操作來關(guān)斷寫入晶體管TRW。第一節(jié)點ND工變?yōu)楦訝顟B(tài)，并且保持驅(qū)動晶體管TRD的關(guān)斷
狀態(tài)?，F(xiàn)在將描述這些時段。 時段TP(2)3(參見圖7和8F) 在時段TP (2) 3的開始，寫入晶體管TRW切換到關(guān)斷狀態(tài)，驅(qū)動晶體管TRD保持于關(guān) 斷狀態(tài)，并且第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的電位不變。
時段TP(2)4(參見圖7和9A) 在時段TP(2h中，第m個水平掃描時段開始。第一節(jié)點初始化電壓V。fs被施加到 數(shù)據(jù)線DTL。驅(qū)動晶體管TRD保持于關(guān)斷狀態(tài)，并且第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的 電位不變。 時段TP(2)5(參見圖7和9B) 在時段TP(2)5的開始，施加到數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點初始化電壓V。fs切換 到圖像信號VSig m。驅(qū)動晶體管TRD保持于關(guān)斷狀態(tài)，并且第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點 ND2的電位不變。 在時段TP(2)3至TP(2)s中，第(n，m)個有機EL顯示元件10處于不發(fā)光狀態(tài)。在 這些時段中，值為I (V。fs_Vth)-VCat|的反向電壓被施加到發(fā)光部ELP。換言之，在上述示例 中，3V的反向電壓被持續(xù)施加到發(fā)光部ELP。
時段TP(2)6(參見圖7和9C) 在該時段中，執(zhí)行步驟(e)，即執(zhí)行上述寫入處理。通過來自掃描線SCL的信號， 寫入晶體管TRw被接通。經(jīng)由寫入晶體管TRw從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加圖像信號
26VSigm。結(jié)果，第一節(jié)點NDj勺電位增大到V^m。驅(qū)動晶體管TR。處于接通狀態(tài)。在某些情況 下，在時段TP (2) 4和TP (2) 5中，寫入晶體管TRW可以處于接通狀態(tài)。在該配置中，當(dāng)在時段 TP(2)5中數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點初始化電壓V。fs切換到圖像信號VSig m時，立即開始 寫入處理。 執(zhí)行寫入處理的預(yù)定時間(圖7中時段TP(2)e的總時間(t。))可以在有機EL顯 示設(shè)備的設(shè)計時間作為設(shè)計值來預(yù)先確定。與根據(jù)參考示例的驅(qū)動方法相似，在根據(jù)示例1 的驅(qū)動方法中，依賴于驅(qū)動晶體管TRD的特性，增大驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的另一 個的電位(即第二節(jié)點ND2的電位)的遷移率校正處理與寫入處理一起執(zhí)行。圖7所示的 第二節(jié)點ND2的電位校正值A(chǔ) V與參考圖4所述的相同，因此，這里省略了對其的描述。
時段TP(2)7(參見圖7和9D) 通過上述操作，完成了閾值電壓取消處理、寫入處理和遷移率校正處理。之后，在 時段TP(2)7中，執(zhí)行步驟(f)。也就是說，在從電源單元100向驅(qū)動晶體管TR。的中源區(qū)和 漏區(qū)的一個施加驅(qū)動電壓Vcc—H的狀態(tài)中，通過掃描電路101的操作，掃描線SLC被設(shè)置為電 低電平，寫入晶體管TRW被關(guān)斷，第一節(jié)點ND工(即驅(qū)動晶體管TRD的柵極)被設(shè)置為浮動狀 態(tài)。這樣，第二節(jié)點ND2的電位增大。 如上所述，由于驅(qū)動晶體管TRD的柵極處于浮動狀態(tài)并且存在電容器Q，在驅(qū)動晶 體管TRD的柵極中發(fā)生與所謂的自舉電路相同的現(xiàn)象，因此第一節(jié)點叫的電位也會增大。 這樣，驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中用作源區(qū)的另一個之間電位U呆持為表達(dá)式 4的值。 由于第二節(jié)點柳2的電位增大并且變得大于(Vth—EL+U，發(fā)光部ELP開始發(fā)光。此 時在發(fā)光部ELP中流動的電流為從驅(qū)動晶體管TRD的漏區(qū)流到源區(qū)的漏電流Ids，該電流可 以用表達(dá)式5來表示。 發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)被保持到時段TP(2)7的結(jié)束。具體地，從電源單元100向 驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vrc—H的狀態(tài)被保持到時段TP (2) 7的結(jié) 束。 在時段TP (2) 8的開始時間，從電源單元100提供的電壓從驅(qū)動電壓Vrc—H切換為第 二節(jié)點初始化電壓V『p時段TP(2)s為正好在下一幀中的第(m-P)個水平掃描時段Hm—p的 開始之前的時段。時段TP(2)8對應(yīng)于下一幀中的時段TP(2)。。在時段TP(2)^之后，重復(fù) 執(zhí)行在時段TP(2、至TP(2)8中描述的相同的處理(參見圖7以及圖9E和9F)。
在參考圖7描述的根據(jù)示例1的驅(qū)動方法中，不發(fā)光時段為時段TP (2)。至TP (2) 6， 而發(fā)光時段為時段TP(2)7。在構(gòu)成不發(fā)光時段的大部分的時段TP(2)3至TP(2)5中，值為 (V。fs_Vth)-VCat|的反向電壓被施加到發(fā)光部ELP。也就是說，在上述示例中，3V的反向電壓 被持續(xù)施加到發(fā)光部ELP。在根據(jù)示例1的驅(qū)動方法中，僅在時段TP (2)。和TP (2)工中才施 加值為|VCC—fVCat|的反向電壓。 在根據(jù)示例1的驅(qū)動方法中，向發(fā)光部ELP施加具有大的絕對值的反向電壓的時 段與不發(fā)光時段的比率可以降低，并且在不發(fā)光時段的大部分中，施加到發(fā)光部ELP的反 向電壓的絕對值可以降低。因此，能夠抑制對發(fā)光部ELP的損害。
示例2 示例2涉及根據(jù)本發(fā)明的第一實施例驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。示例2為示例1的修改示例。根據(jù)示例2的有機EL顯示設(shè)備的原理圖與圖1中的相同，并且包括驅(qū)動電路11的有機EL顯示元件10的等效電路圖與圖2中示出的一樣。根據(jù)示例2的顯示設(shè)備的元件與示例1中描述的相同，因此這里省略了對其的描述。對于示例3和示例4也是如此。 根據(jù)示例2的驅(qū)動方法與根據(jù)示例1的驅(qū)動方法相同，不同之處在于在示例1中描述的步驟(d)和步驟(e)之間執(zhí)行以下步驟(g)在初始化時段中通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DTL經(jīng)由通過掃描電路101的操作而被接通的寫入晶體管TRW向第一節(jié)點ND工施加第一節(jié)點初始化電壓V。fs以初始化第一節(jié)點叫的電位、并從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加第二節(jié)點初始化電壓以初始化第二節(jié)點ND2的電位，來執(zhí)行對第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的電位進(jìn)行初始化的第二預(yù)處理過程，使得第一節(jié)點ND工與第二節(jié)點ND2之間的電位差大于驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓，并使得第二節(jié)點ND2與發(fā)光部ELP的陰極之間的電位差不大于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi， (h)將電源單元100的電壓從第二節(jié)點初始化電壓Vee《切換到驅(qū)動電壓Vee—H，并保持從電源單元100向驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓V^H的狀態(tài)，以及(i)通過在寫入晶體管TRw在初始化時段中通過掃描電路101的操作而被接通且經(jīng)由被接通的寫入晶體管TRw從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加第一節(jié)點初始化電壓V。fs的狀態(tài)中從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vcc—"來執(zhí)行將第二節(jié)點ND2的電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點初始化電壓V。fs中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位的第二閾值電壓取消處理，以在位于水平掃描時段Hm的結(jié)束之前的初始化時段中關(guān)斷驅(qū)動晶體管TRD。
現(xiàn)在將描述根據(jù)示例2的驅(qū)動方法。圖10示意性示出了根據(jù)示例2的發(fā)光部ELP的驅(qū)動操作的時序圖，而圖IIA至IIE示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)。
時段TP(2)—i至TP(2)2(參見圖10) 這些時段中的操作與示例1中參考圖7以及圖8A至8D描述的時段TP(2)—工至TP(2)2中的操作相同，因此這里省略了對其的描述。在時段TP(2h中，執(zhí)行步驟(c)，即執(zhí)行閾值電壓取消處理。處于浮動狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電位接近V。fs-Vth = -3V，并最終變
為v0fs-vth。 時段TP(2)^(參見圖IO和11A) 該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖8F描述的時段TP(2)3中的操作基本上相同。也就是說，在時段TP(2)^中，驅(qū)動晶體管TRD保持于關(guān)斷狀態(tài)(步驟(d))。
時段TP(2)3B(參見圖IO和11B) 時段TP(2)^是正好位于第m個水平掃描時段Hm的開始之前的時段。在時段
TP(2)3B的開始時間，從電源單元100提供的電壓從驅(qū)動電壓V『H切換到第二節(jié)點初始化電
壓V^。結(jié)果，第二節(jié)點ND2的電位降低到V^。第一節(jié)點叫的電位也會隨著第二節(jié)點ND2
的電位的變化而降低。 時段TP(2)紐(參見圖10和11C) 然后，開始當(dāng)前顯示幀的第m個水平掃描時段Hm。在時段TP(2)^中，執(zhí)行步驟(g)，即執(zhí)行第二預(yù)處理過程。 水平掃描時段Hm的初始化時段的開始和結(jié)束分別對應(yīng)于時段TP(2)4A的開始和TP(2)4B的結(jié)束。水平掃描時段Hm的圖像信號時段的開始和結(jié)束分別對應(yīng)于時段TP(2)s的開始和時段TP(2)e的結(jié)束。在時段TP(2)^的開始時間，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管TRW被接通，并且經(jīng)由被接通的寫入晶體管TRW從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加第一節(jié)點初始化電壓V。fs以初始化第一節(jié)點叫的電位。從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加第二節(jié)點初始化電壓Vc^，以初始化第二節(jié)點ND2的電位。
第一節(jié)點ND工的電位為V。fs(0V)。由于從電源單元100向第二節(jié)點ND2施加第二節(jié)點初始化電壓Vc^，第二節(jié)點ND2的電位保持在Vc^(-10V)。 與示例l中參考圖7描述的時段TP(2h相似，由于第一節(jié)點ND工與第二節(jié)點ND2之間的電位差為10V而驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth為3V，驅(qū)動晶體管TRD處于接通狀態(tài)。第二節(jié)點ND2與發(fā)光部ELP的陰極之間的電位差為-IOV，該值不大于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi。因此，完成了對第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點柳2的電位進(jìn)行初始化的第二預(yù)處理過程。 在時段TP(2)^的結(jié)束時間，執(zhí)行步驟(h)。具體地，電源單元100的電壓從第二節(jié)點初始化電壓Ve^切換到驅(qū)動電壓Vee—H，并保持從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vee—H的狀態(tài)。
時段TP(2)4B(參見圖10以及圖IID和11E) 在時段TP(2)^中，執(zhí)行步驟(i)，即執(zhí)行第二閾值電壓取消處理。在示例中，在時段TP(2)4B中保持寫入晶體管TRW的接通狀態(tài)。 在時段TP (2) 4B中，第一節(jié)點ND工的電位不變(保持V。fs = 0V)，但，第二節(jié)點ND2的電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點叫的電位中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位。也就是說，處于浮動狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電位接近V。fs-Vth = -3V，并最終變?yōu)閂。fs-Vth。這樣，執(zhí)行了使得第二節(jié)點叫的電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點初始化電壓Vs中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位的第二閾值電壓取消處理。
時段TP(2)5(參見圖10) 在時段TP(2)s的開始時間，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管TRw被關(guān)斷。該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖9B描述的時段TP(2)5中的操作基本上相同，因此這里省略了對其的描述。
時段TP(2)6(參見圖10) 在該時段中，執(zhí)行步驟(e)，即執(zhí)行寫入處理。該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖9C描述的時段TP(2)e中的操作基本上相同。也就是說，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管TRw被接通。經(jīng)由寫入晶體管TRw從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加圖像信號V^m。結(jié)果，第一節(jié)點NDj勺電位增大到V^m。驅(qū)動晶體管TR。處于接通狀態(tài)。在某些情況下，寫入晶體管TRw可在時段TP(2)5中被接通。在這種配置中，當(dāng)在時段TP(2)5中數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點初始化電壓V。fs切換為圖像信號VSig m時，立即開始寫入處理。
時段TP(2)7(參見圖10) 在時段TP(2h中，執(zhí)行步驟(f)。該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖9D描述的時段TP(2)7中的操作相同。 也就是說，在從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vcc—H的狀態(tài)中，通過掃描電路101的操作，掃描線SCL被設(shè)置為低電平，寫入晶體管TRW被關(guān)斷，且第一節(jié)點NDJ即驅(qū)動晶體管TR。的柵極)被設(shè)置為浮動狀態(tài)。結(jié)果，第二節(jié)點ND2的電位增大。 結(jié)果，驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的用作源區(qū)的另一個之間的電位差Vgs保持于通過表達(dá)式4表示的值。 由于第二節(jié)點ND2的電位增大且變得大于Vthi+VCat，發(fā)光部ELP開始發(fā)光。此時，由于發(fā)光部ELP中流動的電流為從驅(qū)動晶體管TR。的漏區(qū)流到源區(qū)的漏電流Ids，因此，可以從表達(dá)式5得到該電流值。 發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)繼續(xù)到時段TP(2)7的結(jié)束。具體地，從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vee—H的狀態(tài)保持到時段TP(2)7的結(jié)束。
在時段TP (2) 8的開始時間，從電源單元100提供的電壓從驅(qū)動電壓Vrc—H切換為第二節(jié)點初始化電壓V『p時段TP(2)s為例如正好在下一幀的第(m-P)個水平掃描時段Hm—p的開始之前的時段。時段TP(2)8對應(yīng)于例如下一幀的時段TP(2)。。在時段TP(2)a之后，重復(fù)執(zhí)行針對時段TP(2、至TP(2)8所描述的相同處理。 與示例1中所述的一樣，在參考圖10描述的根據(jù)示例2的驅(qū)動方法中，不發(fā)光時段包括時段TP(2)。至TP(2)e，而發(fā)光時段為時段TP(2)7。在占不發(fā)光時段的大部分的時段TP(2)^中，值為I (V。fs-Vth)-VCat|的反向電壓被施加到發(fā)光部ELP。也就是說，在上述example中，3V的反向電壓被持續(xù)施加到發(fā)光部ELP。在根據(jù)示例2的驅(qū)動方法中，僅在時段TP(力o、TP(。pTP(力3B和TP(力4A中施加值為|VCC—L-VCat|的反向電壓。
因此，與在示例1中描述的一樣，能夠降低向發(fā)光部ELP施加具有大的絕對值的反向電壓的時段與不發(fā)光時段的比率，并且在不發(fā)光時段的大部分中降低施加到發(fā)光部ELP的反向電壓的絕對值。因此，能夠抑制對發(fā)光部ELP的損害。 現(xiàn)在將描述根據(jù)示例2的驅(qū)動方法的具體優(yōu)點。在示例1中，第二節(jié)點ND2的電位在時段TP (2) 3的開始時間為V。fs_Vth = _3V，而向發(fā)光部ELP的兩端施加值為(V。fs-Vth)-VcJ(即絕對值為3V)的反向電壓。因此，當(dāng)發(fā)光部ELP中的反向電流足夠小時，第二節(jié)點ND2的電位保持于V。fs-Vth = -3V，直到時段TP(2)3的結(jié)束。
然而，當(dāng)發(fā)光部ELP中的反向電流不能忽略時，第二節(jié)點ND2的電位時段TP(2^中增大。在這種情況下，示例1中會發(fā)生在第二節(jié)點ND2的電位改變使得要顯示的圖像的亮度發(fā)生變化的狀態(tài)中執(zhí)行步驟(e)(即寫入處理)的問題。 在根據(jù)示例2的驅(qū)動方法中，恰好在執(zhí)行寫入處理之前執(zhí)行了第二閾值電壓取消處理。因此，例如，即使當(dāng)?shù)诙?jié)點ND2的電位在時段TP(2)^中發(fā)生改變時，正好在執(zhí)行寫入處理之前，第二節(jié)點ND2的電位也會被設(shè)置為接近V。fs-Vth = -3V。因此，即使當(dāng)?shù)诙?jié)點ND2的電位在時段TP(2)3A中發(fā)生改變時，其也不會對要顯示的圖像的亮度產(chǎn)生影響。
示例3 示例3設(shè)計根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。示例3是示例1的修改示例。 在根據(jù)示例3的驅(qū)動方法中，執(zhí)行在示例1中描述的步驟(a)至(f)。然而，根據(jù)示例3的驅(qū)動方法與根據(jù)示例1的驅(qū)動方法的不同在于信號輸出電路102將第一初始化電壓作為第一節(jié)點初始化電壓施加到數(shù)據(jù)線DTL，然后將低于第一初始化電壓的第二初始化電壓作為第一節(jié)點初始化電壓施加到數(shù)據(jù)線DTL，以替代第一初始化電壓。
在下文的描述中，下列電壓值用于說明，但本發(fā)明不限于這些電壓值
30[O275] V。fsl :第一初始化電壓，OV
V。fs2 :第二初始化電壓，-2V 現(xiàn)在描述根據(jù)示例3的驅(qū)動方法。圖12示意性示出了根據(jù)示例3的發(fā)光部ELP
的驅(qū)動操作的時序圖，而圖13A至13F示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)。 為了簡化說明，圖12示出的時段TP(2、的開始對應(yīng)于第(m-P)個水平掃描時段
Hm—p的初始化時段(圖12中的數(shù)據(jù)線DTL的電位為V。fsl或V。fs2的時段)的開始。相似地，
時段TP(2)M的結(jié)束對應(yīng)于水平掃描時段Hm—p的初始化時段的結(jié)束。時段TP(2h的開始對
應(yīng)于水平掃描時段Hm—p的圖像信號時段(圖12中的數(shù)據(jù)線DTL的電位為VSig m—p的時段)的開始。 在水平掃描時段Hm—p的初始化時段中，信號輸出電路102將第一初始化電壓V。fsl作為第一節(jié)點初始化電壓施加到數(shù)據(jù)線DTL的時段對應(yīng)于從時段TP(2、的開始到時段TP(2)^的結(jié)束的時段。相似地，信號輸出電路102將第二初始化電壓V。f《作為第一節(jié)點初始化電壓施加到數(shù)據(jù)線DTL的時段對應(yīng)于時段TP(2)2B。
時段TP(2)—J參見圖12) 該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖8A描述的時段TP(2)—工中的操作相同，
因此這里省略對其的描述。 時段TP(2)。(參見圖12和13A) 該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖8B描述的時段TP(2)。中的操作相同。時段TP(2)。是正好在第(m-P)個水平掃描時段Hm—p的開始之前的時段。在時段TP(2)。中，第(n，m)個有機EL顯示元件10處于不發(fā)光狀態(tài)。從電源單元100提供的電壓從驅(qū)動電壓Vcc—H切換為第二節(jié)點初始化電壓Vc^。結(jié)果，第二節(jié)點柳2的電位降低到Vc^，而反向電壓被施加于發(fā)光部ELP的陽極和陰極之間，從而使得發(fā)光部ELP變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。隨著第二節(jié)點ND2的電位的降低，處于浮動狀態(tài)的第一節(jié)點NDJ驅(qū)動晶體管TRD的柵極)的電位也降低。 時段TP(2、(參見圖12和13B) 當(dāng)前顯示幀的第(m-P)個水平掃描時段Hm—p開始。在時段TP(2、中，執(zhí)行步驟(a)，即執(zhí)行預(yù)處理過程。該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖8C描述的時段TP(2、中的操作基本上相同。 也就是說，在時段TP (2)工的開始時間，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管TRW被接通，并且經(jīng)由被接通的寫入晶體管TRW從數(shù)據(jù)線DTL將初始化電壓V。fsl作為第一節(jié)點初始化電壓施加到第一節(jié)點NDp從而初始化第一節(jié)點ND工的電位。從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加第二節(jié)點初始化電壓Vc^，從而初始化第二節(jié)點ND2的電位。由此，完成了對第一節(jié)點NDJ勺電位和第二節(jié)點ND2的電位進(jìn)行初始化的預(yù)處理過程。 在時段TP(2、的結(jié)束時間，執(zhí)行步驟(b)。具體地，電源單元100的電壓從第二節(jié)點初始化電壓Vrc《切換為驅(qū)動電壓Vrc—H，并保持從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vrc—H的狀態(tài)。
時段TP(2)^(參見圖12以及圖13C和13D) 在時段TP(2)^中，執(zhí)行步驟(c)，即執(zhí)行閾值電壓取消處理。該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖8D及8E描述的時段TP(2)2中的操作基本上相同。 在示例3中，在下面將描述的時段TP(2)^和時段TP(2)^中保持寫入晶體管TRw
的接通狀態(tài)。 在時段TP (2) 2A中，第一節(jié)點叫的電位不變(保持V。fsl = 0V)，但第二節(jié)點ND2的 電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點叫的電位中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位。 也就是說，處于浮動狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電位接近V。fsl-Vth = -3V并最終變?yōu)閂。fsl-Vth。這 樣，執(zhí)行了通過使得第二節(jié)點ND2的電位為通過從作為第一節(jié)點初始化電壓的第一初始化 電壓V。fsl中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位來關(guān)斷驅(qū)動晶體管TRD的閾 值電壓取消處理。 時段TP (2) 2B (參見圖12和13E) 在該時段的開始時間，信號輸出電路102以低于第一初始化電壓V。fsl的第二初始 化電壓V。fs2替代第一節(jié)點初始化電壓V。fsl作為第一節(jié)點初始化電壓施加到數(shù)據(jù)線DTL。第 一節(jié)點叫的電位從V。fsl = 0V變?yōu)閂。fs2 = _2V。如上所述，由于由第一節(jié)點叫的電位的 變化而導(dǎo)致的第二節(jié)點ND2的電位的變化小，第二節(jié)點ND2的電位保持于V。fs「Vth。驅(qū)動晶 體管TRD的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的作為源區(qū)的另一個之間的電位差Vgs用表達(dá)式6來表示。
表達(dá)式6
Vgs = V0fs2-(V0fs「Vth) 在時段TP(2)3至TP(2)5中，保持驅(qū)動晶體管TR。的關(guān)斷狀態(tài)(步驟(d))?，F(xiàn)在將 描述各個時段。 時段TP(2)3(參見圖12和13F) 該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖8F描述的時段TP(2)3中的操作基本上 相同。在時段TP(2)3中，寫入晶體管TRw被切換到關(guān)斷狀態(tài)。驅(qū)動晶體管TR。保持于關(guān)斷 狀態(tài)，并且第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的電位不變。
時段TP(2)4(參見圖12) 在時段TP(2h中開始第m個水平掃描時段。該時段中的操作與示例1中參考圖7 和圖9A描述的時段TP(2)4中的操作基本上相同。第一初始化電壓V。fsl作為第一節(jié)點初始 化電壓被施加到數(shù)據(jù)線DTL，然后第二初始化電壓V。fs2替代第一初始化電壓V。fsl而被施加。 驅(qū)動晶體管TRD保持于關(guān)斷狀態(tài)，并且第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的電位不變。
時段TP(2)5(參見圖12) 該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖9B描述的時段TP(2)5中的操作基本上 相同。在時段TP(2)5的開始時間，施加到數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第二初始化電壓V。fs2切換為 圖像信號VSig m。驅(qū)動晶體管TRD保持于關(guān)斷狀態(tài)，并且第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2 的電位不變。 與示例1中描述的一樣，在時段TP(2)3至TP(2)5中，第(n，m)個有機EL顯示元件 IO保持于不發(fā)光狀態(tài)。在這些時段中，值為I (v。fsl-vth)-vCat|的反向電壓被施加到發(fā)光部 ELP。也就是說，在上述示例中，3V的反向電壓被持續(xù)施加到發(fā)光部ELP。
時段TP(2)6(參見圖12) 該時段中，執(zhí)行步驟(e)，即執(zhí)行寫入處理。該時段中的操作與示例1中參考圖7 和圖9C描述的時段TP(2)e中的操作基本上相同。也就是說，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管TRw被接通。然后，經(jīng)由寫入晶體管TRw從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加圖像 信號V^m。結(jié)果，第一節(jié)點ND^勺電位增大到V^m。驅(qū)動晶體管TR。處于接通狀態(tài)。在某 些情況下，寫入晶體管TRw可以在時段TP(2)4和TP(2)5中被接通。在這種配置中，當(dāng)數(shù)據(jù) 線DTL的電壓在時段TP(2)5中從第二初始化電壓V。fs2切換為圖像信號VSig m時，立即開始 寫入處理。 與示例1中描述的一樣，在根據(jù)示例3的驅(qū)動方法中，依賴于驅(qū)動晶體管TRD的特 性來增大驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中另一個的電位(即第二節(jié)點ND2的電位)的遷移 率校正處理是一起執(zhí)行的。圖12所示的第二節(jié)點柳2的電位校正值A(chǔ)V與參考圖4所描 述的相同，因此這里省略對其的描述。
時段TP(2)7(參見圖12) 通過上述操作，完成了閾值電壓取消處理、寫入處理和遷移率校正處理。之后，在 時段TP(2)7中執(zhí)行步驟(f)。該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖9D描述的時段 TP(2)7中的操作基本上相同。也就是說，在從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏 區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vee—H的狀態(tài)中，通過掃描電路101的操作，掃描線SCL被設(shè)置為低 電平，寫入晶體管TRW被關(guān)斷，并且第一節(jié)點ND工(即驅(qū)動晶體管TRD的柵極)被設(shè)置為浮動 狀態(tài)。結(jié)果，第二節(jié)點ND2的電位增大。 如上所述，由于驅(qū)動晶體管TR。的柵極處于浮動狀態(tài)并且存在電容器Q，在驅(qū)動晶
體管TRD的柵極中會發(fā)生與所謂的自舉電路相同的現(xiàn)象，并且因此，第一節(jié)點叫的電位也
會增大。結(jié)果，驅(qū)動晶體管TRD的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中作為源區(qū)的另一個之間的電位差Vgs
保持于表達(dá)式4'的值。 表達(dá)式4' Vg， VSig—m-(V0fs「Vth)-AV 由于第二節(jié)點ND2的電位增大并變得大于Vthi+VCat，發(fā)光部ELP開始發(fā)光。此時， 在發(fā)光部ELP中流動的電流為從驅(qū)動晶體管TRD的漏區(qū)流動源區(qū)的漏電流Ids，該電流可用 表達(dá)式5'來表示。
表達(dá)式5' Ids = k, " (VSigm_V0fsl-AV)2 發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)保持到時段TP(2)7的結(jié)束。具體地，從電源單元100向驅(qū) 動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vee—H的狀態(tài)保持到時段TP(2)7的結(jié)束。
在時段TP (2) 8的開始時間，從電源單元100提供的電壓從驅(qū)動電壓Vrc—H切換為第 二節(jié)點初始化電壓V『p時段TP(2)s為正好在第(m-P)個水平掃描時段Hm—p的開始之前的 時段。時段TP(2)8對應(yīng)于例如下一幀的時段TP(2)。。在時段TP(2)a之后，重復(fù)執(zhí)行針對 時段TP(2、至TP(2)8描述的相同處理(參見圖12)。 與示例1中描述的一樣，在參考圖12描述的根據(jù)示例3的驅(qū)動方法中，不發(fā)光時 段包括時段TP (2)。至TP (2) 6，而發(fā)光時段包括時段TP (2) 7。在構(gòu)成不發(fā)光時段的大部分的 時段TP(2)3至TP(2)s中，值為I (V。fsl-Vth)-VCat|的反向電壓被施加到發(fā)光部ELP。也就是 說，在上述示例中，3V的反向電壓被持續(xù)施加到發(fā)光部ELP。在根據(jù)示例3的驅(qū)動方法中， 僅在時段TP(2)。和TP(2、中施加值為|VCC—fVCat|的反向電壓。 因此，與示例1中描述的一樣，能夠降低向發(fā)光部ELP施加具有大的絕對值的反向電壓的時段與不發(fā)光時段的比率，并且降低在不發(fā)光時段的大部分中施加到發(fā)光部ELP的 反向電壓的絕對值。因此，能夠抑制對發(fā)光部ELP的損害。 現(xiàn)在將描述根據(jù)示例3的驅(qū)動方法的具體優(yōu)點。在示例1的驅(qū)動方法中，在圖7 所示的時段TP(2)3中驅(qū)動晶體管TRD的柵極的電位為V。fs = 0V。相反地，在根據(jù)示例3的 驅(qū)動方法中，在圖12示出時段TP(2)3的中驅(qū)動晶體管TR。的柵極的電位為V。fs2 = -2V。因 此，在時段TP(2)3中驅(qū)動晶體管TR。的關(guān)斷電阻值高于示例1中的值。因此，具有能夠降低 在時段TP(2)3中由于驅(qū)動晶體管TRD的泄露等而導(dǎo)致的第一節(jié)點ND工和第二節(jié)點ND2的電 位的變化的優(yōu)點。
示例4 示例4設(shè)計根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。示例4是 示例1的修改示例。 在根據(jù)示例4的驅(qū)動方法中，執(zhí)行在示例1中描述的步驟(a)至(f)。然而，根據(jù) 示例4的驅(qū)動方法與根據(jù)示例1的驅(qū)動方法的不同在于在水平掃描時段4—p前的水平掃 描時段的初始化時段中執(zhí)行步驟(a)。 通常來說，當(dāng)有機EL顯示設(shè)備的像素數(shù)量增加時，分配給每行的水平掃描時段的 長度降低。因此，在有機EL顯示設(shè)備的一些規(guī)范中，可能不能僅在一個水平掃描時段的初 始化時段中完成步驟(c)，即閾值電壓取消處理。在這種情況下，可以通過在水平掃描時段 Hm—p前的水平掃描時段的初始化時段中執(zhí)行步驟(a)并相繼地在多個水平掃描時段中執(zhí)行 預(yù)定的操作來完成閾值電壓取消處理。 在下文的描述中，假設(shè)步驟(a)是在比水平掃描時段Hm—p早一個水平掃描時段的 水平掃描時段中執(zhí)行的。具體地，步驟(a)是在第(m-P-1)個水平掃描時段Hm—P—工的初始化 時段中執(zhí)行的。 現(xiàn)在描述根據(jù)示例4的驅(qū)動方法。圖14示意性示出了根據(jù)示例4的發(fā)光部ELP 的驅(qū)動操作的時序圖，而圖15A至15E示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)。
時段TP(2)—J參見圖14) 該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖8A描述的時段TP(2)—工中的操作相同，
不同之處僅在于其結(jié)束早一個水平掃描時段，因此這里省略對其的描述。 時段TP(2)。(參見圖14) 該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖8B描述的時段TP(2)。中的操作相同，
不同之處在于該時段是正好在第(m-P-l)個水平掃描時段4—p—J勺開始之前的時段，因此這
里省略對其的描述。 時段TP(2、(參見圖14) 當(dāng)前顯示幀的第(m-P-l)個水平掃描時段Hm—p—工開始。在時段TP(2、中，執(zhí)行步驟 (a)，即執(zhí)行預(yù)處理過程。該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖8C描述的時段TP(2、 中的操作相同，不同之處在于，所述操作為第(m-P-l)個水平掃描時段的初始化中的操作。
也就是說，在時段TP (2)工的開始時間，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管TRW 被接通，并且經(jīng)由被接通寫入晶體管TRW的從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加第一節(jié)點初始 化電壓V,從而初始化第一節(jié)點叫的電位。從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和 漏區(qū)中的一個施加第二節(jié)點初始化電壓Vc^，從而初始化第二節(jié)點ND2的電位。這樣，完成了對第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的電位進(jìn)行初始化的預(yù)處理過程。 在下面將描述的時段TP(2)2至TP(2)^中執(zhí)行閾值電壓取消處理。 具體地，基于掃描電路101的操作來控制寫入晶體管TRW的接通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)，
直到水平掃描時段Hm—p的結(jié)束，使得在初始化時段中寫入晶體管TRw被接通而在圖像信號時
段中寫入晶體管TRw被關(guān)斷。在示例4中，寫入晶體管T&在時段TP(2)2中保持接通狀態(tài)。 然后，在時段TP(2)^中寫入晶體管TRw切換到關(guān)斷狀態(tài)。之后，在時段TP(2)^中寫入晶體 管TRw切換到接通狀態(tài)并保持該狀態(tài)。然后，在時段TP(2)^中寫入晶體管TRw切換到關(guān)斷 狀態(tài)。將描述上述時段的操作。
時段TP(2)2(參見圖14和15A) 當(dāng)時段TP(2)2足夠長時，驅(qū)動晶體管TR。的柵極與源區(qū)和漏區(qū)中的另一個之間的 電位差達(dá)到Vth，因此驅(qū)動晶體管TR。被關(guān)斷。也就是說，處于浮動狀態(tài)的第二節(jié)點柳2的電 位接近V。fs_Vth = -3V并最終變?yōu)閂。fs_Vth。然而，示例4中時段TP(2)2的長度不足以改變 第二節(jié)點ND2的電位，并且第二節(jié)點ND2的電位在時段TP(2)2的結(jié)束達(dá)到滿足關(guān)系式
<vA< (v0fs-vth)的某個電位VA。 時段TP(2)3A(參見圖14和圖15B) 在時段TP (2) 3A的開始時間，數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點初始化電壓V。fs切換為 圖像信號VSig m—P—lt)為了避免圖像信號VSig m—P—:被施加到第一節(jié)點ND"在時段TP(2)3A的開 始時間，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管TRw被關(guān)斷。結(jié)果，驅(qū)動晶體管TR。的柵極 (即第一節(jié)點ND》變?yōu)楦訝顟B(tài)。 由于從電源單元100向驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vcc—H， 第二節(jié)點ND2的電位從電位VA提升到某個電位VB。另一方面，由于驅(qū)動晶體管TRD的柵極 處于浮動狀態(tài)并且存在電容器Q，在驅(qū)動晶體管TRD的柵極中發(fā)生自舉操作。因此，第一節(jié) 點ND工的電位隨著第二節(jié)點ND2的電位的變化而提升。
時段TP(2)3B(參見圖14以及圖15C和15D) 在時段TP(2)3B的開始時間，數(shù)據(jù)線DTL的電壓從圖像信號VSig m—P—工切換為第一節(jié) 點初始化電壓V。fs。在時段TP(2)^的開始時間，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管 TRw被接通。結(jié)果，驅(qū)動晶體管TR。的柵極(即第一節(jié)點ND》的電位降低到V。w第二節(jié)點 ND2的電位降低到上述電位VA，而第二節(jié)點ND2的電位然后變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點叫的電位 中減去驅(qū)動晶體管TR。的閾值電壓Vth而得到的電位。也就是說，處于浮動狀態(tài)的第二節(jié)點 ND2的電位增大并最終變?yōu)閂。fs-Vth。這樣，完成了通過使得第二節(jié)點ND2的電位變?yōu)橥ㄟ^從 第一節(jié)點初始化電壓V。fs中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位來關(guān)斷驅(qū)動晶 體管TRD的閾值電壓取消處理。 在時段TP(2)3c至TP(2)5中，驅(qū)動晶體管TR。保持于關(guān)斷狀態(tài)(步驟(d))?，F(xiàn)在 將描述各個時段。 時段TP(2)3c(參見圖14和15E) 該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖8F描述的時段TP(2)3中的操作相同。 在時段TP (2) 3C中，寫入晶體管TRW被切換為關(guān)斷狀態(tài)。驅(qū)動晶體管TRD保持于關(guān)斷狀態(tài)，而 第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的電位不變。
時段TP(2)4(參見圖14)
在時段TP (2)4中，第m個水平掃描時段開始。該時段中的操作與示例1中參考圖7 和圖9A描述的時段TP(2)4中的操作相同。第一節(jié)點初始化電壓V。fs被施加到數(shù)據(jù)線DTL。 驅(qū)動晶體管TRD保持于關(guān)斷狀態(tài)，而第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的電位不變。
時段TP(2)5(參見圖14) 該時段中的操作與示例1中參考圖7和圖9B描述的時段TP(2)s中的操作相同。 在時段TP(2)5的開始時間，施加到數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點初始化電壓V。fs切換為圖 像信號VSig m。驅(qū)動晶體管TRD保持于關(guān)斷狀態(tài)，而第一節(jié)點ND!的電位和第二節(jié)點ND2的電 位不變。 時段TP(2)e之后的操作與示例1中描述的相同，不同之處在于，比時段TP(2)7的 結(jié)束早一個水平掃描時段，因此這里省略對其的描述。根據(jù)示例4的驅(qū)動方法的優(yōu)點于示 例1中描述的相同，因此這里省略對其的描述。
示例5 示例5涉及根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。在示例5 中，驅(qū)動電路ll包括三個晶體管和一個電容器(3Tr/lC驅(qū)動電路)。圖16中示出了根據(jù)示 例5的有機EL顯示設(shè)備的原理圖，而圖17中示出了包括驅(qū)動電路11的有機EL顯示元件 IO的等效電路圖。 現(xiàn)在將描述驅(qū)動電路和發(fā)光部的細(xì)節(jié)。 與上述2Tr/lC驅(qū)動電路相似，3Tr/lC驅(qū)動電路包括兩個晶體管(即寫入晶體管 TRw和驅(qū)動晶體管TR。)和一個電容器Q。 3Tr/lC驅(qū)動電路還包括第一晶體管TR"
驅(qū)動晶體管TR。 驅(qū)動晶體管TR。的配置與示例1中描述的驅(qū)動晶體管TR。相同，因此這里省略對其 的描述。在示例1中，通過從電源單元100向驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加 電壓Vc^來初始化第二節(jié)點ND2的電位。另一方面，在示例5中，如下文所述，利用第一晶 體管來初始化第二節(jié)點ND2的電位。因此，在示例5中，不必從電源單元100施加電壓 Vcd來初始化第二節(jié)點ND2的電位。由于這個原因，示例5中的電源單元100施加恒定的電 壓V『 寫入晶體管TRw 寫入晶體管TRW的配置與示例1中描述的寫入晶體管TRw相同，因此這里省略對其 的描述。與示例1相似，用于控制發(fā)光部ELP的亮度的圖像信號(驅(qū)動信號、亮度信號)V^ 以及第一節(jié)點初始化電壓V。fs從信號輸出電路102經(jīng)由數(shù)據(jù)線DTL被施加到源區(qū)和漏區(qū)中 的一個。 第一晶體管TRi 在第一晶體管中，(C-l)源區(qū)和漏區(qū)中的另一個連接到第二節(jié)點ND2， (C_2)源 區(qū)和漏區(qū)中的一個被提供以第二節(jié)點初始化電壓V^，并且(C-3)柵極連接到第一晶體管控 制線AZ1。后面將描述電壓V^。 對于第一晶體管的傳導(dǎo)類型沒有具體的限制。在示例5中，第一晶體管是 由例如n溝道晶體管形成的。通過來自第一晶體管控制線AZl的信號來控制第一晶體管TI^ 的接通和關(guān)斷狀態(tài)。更具體地，第一晶體管控制線AZ1連接到第一晶體管控制電路10。基 于第一晶體管控制電路103的操作，第一晶體管控制線AZ1被設(shè)置為低電平或者高電平，以將第一晶體管切換為接通狀態(tài)或者關(guān)斷狀態(tài)。
發(fā)光部ELP 發(fā)光部ELP的配置與示例1中描述的發(fā)光部ELP的配置相同，因此這里省略對其 的描述。 現(xiàn)在將描述根據(jù)示例5的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。 在下文的描述中，電壓Vcc的值和電壓、的值如下限定，但這些值僅為說明性的示 例，本發(fā)明并不局限于這些值。 Vrc :用于允許電流在發(fā)光部ELP中流動的驅(qū)動電壓，20V Vss :用于初始化第二節(jié)點ND2的電位的第二節(jié)點初始化電壓，-10V 圖18中示意性示出了根據(jù)示例5的發(fā)光部ELP的驅(qū)動操作的時序圖，而圖19A以
及圖20A至20F中示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)。 根據(jù)示例5的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法包括以下步驟在第(n， m)個有機EL 顯示元件10中，(a在位于水平掃描時段Hm, p的結(jié)束之前的初始化時段中通過從對應(yīng)的 數(shù)據(jù)線DTL經(jīng)由通過掃描電路101的操作而被接通的寫入晶體管TRW向第一節(jié)點ND工施加 第一節(jié)點初始化電壓V^以初始化第一節(jié)點ND工的電位、并經(jīng)由通過來自第一晶體管控制線 AZ1的信號而被接通的第一晶體管向第二節(jié)點柳2施加第二節(jié)點初始化電壓、5以初始 化第二節(jié)點ND2的電位，來執(zhí)行對第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的電位進(jìn)行初始化的 預(yù)處理過程，使得第一節(jié)點ND工與第二節(jié)點ND2之間的電位差大于驅(qū)動晶體管TRD的閾值電 壓Vth并使得第二節(jié)點ND2與發(fā)光部ELP的陰極之間的電位差不大于發(fā)光部ELP的閾值電 壓Vthi， (b)通過來自第一晶體管控制線AZ1的信號，將第一晶體管T&從接通狀態(tài)切換為 關(guān)斷狀態(tài)，(c)通過在寫入晶體管TRw在初始化時段中通過掃描電路101的操作而被接通并 且經(jīng)由被接通的寫入晶體管TRW從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點叫施加第一節(jié)點初始化電壓V。fs 的狀態(tài)中從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓V①，來執(zhí) 行在水平掃描時段Hm,e p的初始化時段中將第二節(jié)點ND2的電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點初始 化電壓V^中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth而得到的電位以關(guān)斷驅(qū)動晶體管TRD的閾 值電壓取消處理，(d)通過利用掃描電路101的操作來關(guān)斷寫入晶體管TRw，將第一節(jié)點ND工 變?yōu)楦訝顟B(tài)，并保持驅(qū)動晶體管TR。的關(guān)斷狀態(tài)，(e)執(zhí)行經(jīng)由通過掃描電路101的操作 而被接通的寫入晶體管TIV在水平掃描時段Hm的圖像信號時段中從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點 ND工施加圖像信號VSig的寫入處理，以及(f)通過利用掃描電路101的操作來關(guān)斷寫入晶體 管TRw，將第一節(jié)點ND工變?yōu)楦訝顟B(tài)，并允許與第一節(jié)點ND工和第二節(jié)點ND2之間的電位差 對應(yīng)的電流從電源單元100經(jīng)由驅(qū)動晶體管TRD流動發(fā)光部ELP。對于根據(jù)下面將描述的 示例6、示例7、示例8、示例9和示例10的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法亦是如此。
根據(jù)示例5的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法與根據(jù)示例1的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備 的不同之處在于，電源單元100施加恒定的電壓Vcc，并利用第一晶體管來初始化第二節(jié) 點柳2的電位。圖18示出的時段TP(3)—工至TP(3)+3分別對應(yīng)于示例1中圖7所示的時段 TP(2)—jTP(2)+3。 在根據(jù)示例5的有機EL顯示設(shè)備中，在各個水平掃描時段中，從信號輸出電路102 向數(shù)據(jù)線DTL施加第一節(jié)點初始化電壓V。fs，然后替代第一節(jié)點初始化電壓V。fs地施加圖像 信號V^。其細(xì)節(jié)與示例l中描述的相同。圖18中示出的每個水平掃描時段的初始化時段和圖像信號時段與時段TP(3)—工至TP(3)+3之間的關(guān)系與示例1中針對圖7所示的時段 TP (2)—至TP (2) +3而描述的相同，因此這里省略對其的說明。
時段TP (3) —!(參見圖18和19A) 時段TP(3)—工的操作是前一顯示幀的操作，并且該時段是第(n， m)個有機EL顯示 元件10在之前的處理完成后處于發(fā)光狀態(tài)的時段。除了第一晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)之 外，該時段中的操作與示例1中描述的時段TP(2)—工中的操作基本上相同。
時段TP(3)。(參見圖18和19B) 在時段TP(3)。中，執(zhí)行從前一顯示幀到當(dāng)前顯示幀的切換操作也就是說，時段 TP(3)。是正好在第(m-P)個水平掃描時段Hm—p的開始之前的時段。在時段TP(3)。中，第(n， m)個有機EL顯示元件10變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。在時段TP(3)。的開始時間，通過來自第一晶體 管控制線AZ1的信號，第一晶體管TRJ皮接通。經(jīng)由被接通的第一晶體管TR"第二節(jié)點初 始化電壓Vss被施加到第二節(jié)點ND2。 經(jīng)由驅(qū)動晶體管TR。，驅(qū)動電壓Vcc也被施加到第二節(jié)點ND2。因此，第二節(jié)點ND2 的電位基于電壓V^、電壓V^第一晶體管TI^的接通電阻值以及驅(qū)動晶體管TRD的接通電 阻值來確定。這里，當(dāng)?shù)谝痪w管的接通電阻值足夠低時，第二節(jié)點ND2的電位降低到 大約Vss，并且反向電壓被施加到發(fā)光部ELP的陽極和陰極之間，從而使得發(fā)光部ELP變?yōu)?不發(fā)光狀態(tài)。隨著第二節(jié)點ND2的電位的降低，處于浮動狀態(tài)的第一節(jié)點ND工(即驅(qū)動晶體 管TR。的柵極)的電位也會下降。下文中，為了簡便，描述的是當(dāng)?shù)谝痪w管T&處于接通 狀態(tài)時，第二節(jié)點ND2的電位為Vss。在圖18示出了當(dāng)?shù)谝痪w管處于接通狀態(tài)時第二 節(jié)點ND2的電位為Vs。對于下文將描述的其他示例所引用的圖21、23和25亦是如此。
時段TP (3) i (參見圖18和19C) 當(dāng)前顯示幀的第(m-P)個水平掃描時段Hm—p開始。在時段TP(3、中，執(zhí)行步驟(a)， 即執(zhí)行預(yù)處理過程。在時段TP(3、的開始時間，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體管 TRW被接通，并且經(jīng)由被接通的寫入晶體管TRW從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加第一節(jié)點 初始化電壓V^，從而初始化第一節(jié)點ND工的電位。經(jīng)由通過來自第一晶體管控制線AZ1的 信號而被接通的第一晶體管向第二節(jié)點ND2施加第二節(jié)點初始化電壓Vss，從而初始化 第二節(jié)點ND2的電位。這樣，執(zhí)行了對第一節(jié)點ND工和第二節(jié)點ND2的電位進(jìn)行初始化、使 得第一節(jié)點ND工與第二節(jié)點ND2之間的電位差大于驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth、并使得第 二節(jié)點ND2與發(fā)光部ELP的陰極之間的電位差不大于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vthi的預(yù)處理 過程。 時段TP (3) 2 (參見圖18以及圖19D和19E)) 在時段TP(3h的開始時間，通過來自第一晶體管控制線AZ1的信號，第一晶體管 從接通狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)(步驟(b))。第一晶體管的關(guān)斷狀態(tài)保持到下文將描述 的時段TP(3)7的結(jié)束。 在時段TP(3h中，執(zhí)行步驟(c)，即執(zhí)行閾值電壓取消處理。在初始化時段中通過 掃描電路101的操作，寫入晶體管TRw被接通，并且在經(jīng)過被接通的寫入晶體管TRw從數(shù)據(jù) 線DTL向第一節(jié)點叫施加第一節(jié)點初始化電壓V。fs的狀態(tài)中，從電源單元100向驅(qū)動晶體 管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓Vee。在示例5中，寫入晶體管 在時段TP (3) 2 中保持接通狀態(tài)。該時段中的操作與示例1中描述的時段TP(2h中的操作基本上相同。處于浮動狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電位接近V。fs_Vth = -3V并最終變?yōu)閂。fs_Vth。這樣，使得第二 節(jié)點ND2的電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點初始化電壓V。fs中減去驅(qū)動晶體管TRD的閾值電壓Vth 而得到的電位。驅(qū)動晶體管TR。處于關(guān)斷狀態(tài)。 在時段TP(3)3至TP(3)5中，執(zhí)行步驟(d)。這些時段中的操作與示例l中描述的時 段時段TP (2) 3至TP (2) 5中的操作基本上相同。圖19F以及圖20A和20B對應(yīng)于圖Fig. 8F 以及圖9A和9B。 在時段TP(3)3至TP(3)s中，第(n， m)個有機EL顯示元件10保持于不發(fā)光狀態(tài)。 在這些時段中，值為I (V。fs_Vth)-VCat|的反向電壓被施加到發(fā)光部ELP。也就是說，與示例l 相似，3V的反向電壓被持續(xù)施加于發(fā)光部ELP。
時段TP (3) 6 (參見圖18和20C) 在該時段中，執(zhí)行步驟(e)，即執(zhí)行寫入處理。該時段中的操作與示例1中描述的 時段TP (2) 6中的操作基本上相同，因此這里省略對其的描述。
時段TP (3) 7 (參見圖18和20D) 在該時段中，執(zhí)行步驟(f)。該時段中的操作與示例1中描述的時段TP(2)7中的 操作基本上相同，因此這里省略對其的描述 在根據(jù)示例5的驅(qū)動方法中，與根據(jù)示例1的驅(qū)動方法相似的是，能夠降低具有大 的絕對值的反向電壓被施加到發(fā)光部ELP的時段與不發(fā)光時段的比率，并在降低不發(fā)光時 段的大部分中施加到發(fā)光部ELP的反向電壓的絕對值。因此，能夠抑制對發(fā)光部ELP的損害。 示仔l(wèi)j 6 示例6涉及根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。示例6是
示例5的修改示例。示例6相對示例5的關(guān)系對應(yīng)于示例2相對示例1的關(guān)系。 根據(jù)示例6的有機EL顯示設(shè)備的原理圖與圖16中示出的相同，并且包括驅(qū)動電
路11的有機EL顯示元件10的等效電路圖與圖17中示出的相同。根據(jù)示例6的顯示設(shè)備
的元件與示例5中描述的相同，因此這里省略對其的描述。對于下文將描述的示例7和8
亦是如此。 圖21示意性示出了根據(jù)示例6的發(fā)光部ELP的驅(qū)動操作的時序圖，而圖22A至 22E示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)。 根據(jù)示例6的驅(qū)動方法相當(dāng)于根據(jù)示例5的驅(qū)動方法，不同之處在于在示例5中 描述的步驟(d)和步驟(e)之間執(zhí)行以下步驟(g)在初始化時段中通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線 DTL經(jīng)由通過掃描電路101的操作而被接通寫入晶體管TRW的向第一節(jié)點ND工施加第一節(jié) 點初始化電壓V^以初始化第一節(jié)點ND工的電位、并經(jīng)由通過來自第一晶體管控制線AZ1的 信號而被接通的第一晶體管向第二節(jié)點ND2施加第二節(jié)點初始化電壓Vss以初始化第 二節(jié)點ND2的電位，來執(zhí)行對第一節(jié)點ND工的電位和第二節(jié)點ND2的電位進(jìn)行初始化的第二 預(yù)處理過程，使得第一節(jié)點ND工與第二節(jié)點ND2之間的電位差大于驅(qū)動晶體管TRD的閾值電 壓Vth，并使得第二節(jié)點ND2與發(fā)光部ELP的陰極之間的電位差不大于發(fā)光部ELP的閾值電 壓Vthi， (h)通過來自第一晶體管控制線AZ1的信號，將第一晶體管T&從接通狀態(tài)切換為 關(guān)斷狀態(tài)，以及(i)通過在寫入晶體管TRw在初始化時段中通過掃描電路101的操作而被 接通、并且經(jīng)由被接通的寫入晶體管TRw從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加第一節(jié)點初始化電壓V。fs的狀態(tài)中從電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓 Vcc，來執(zhí)行將第二節(jié)點ND2的電位變?yōu)橥ㄟ^從第一節(jié)點初始化電壓V。fs中減去驅(qū)動晶體管 TRD的閾值電壓Vth而得到的電位、以在位于水平掃描時段Hm之前的初始化時段中關(guān)斷驅(qū)動 晶體管TRD的第二閾值電壓取消處理。 根據(jù)示例6的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法與根據(jù)示例2的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備 的方法不同之處在于，電源單元100施加恒定電壓V^并在步驟(g)中利用第一晶體管TI^ 來初始化第二節(jié)點ND2的電位。圖21示出的時段TP(3)—工至TP(3)+3分別對應(yīng)于示例2中 參考的圖10中示出的時段TP(2)—工至TP(2)w。每個水平掃描時段的初始化時段和圖像信 號時段與圖21示出的時段TP(3)^至TP(3)+3的關(guān)系與示例2中圖10示出的時段TP(2)—工 至TP (2) +3中描述的相同，因此這里省略對其的描述。
時段TP(3)—J參見圖21) 該時段中的操作與示例5中參考圖18和19A描述的時段TP(3)—工中的操作相同，
因此這里省略對其的描述。 時段TP(3)。(參見圖21) 該時段中的操作與示例5中參考圖18和19B描述的時段TP(3)。中的操作相同，
因此這里省略對其的描述。 時段TP(3、(參見圖21) 當(dāng)前顯示幀的第(m-P)個水平掃描時段Hm—p開始，在時段TP(3、中，執(zhí)行步驟(a)， 即執(zhí)行上述預(yù)處理過程。該時段中的操作與示例5中參考圖18和19C描述的時段TP(3、 中的操作相同，因此這里省略對其的描述。
時段TP(3)2(參見圖21) 在時段TP(3h的開始時間，通過來自第一晶體管控制線AZ1的信號，第一晶體管 從接通狀態(tài)切換為關(guān)斷狀態(tài)(步驟(b))。第一晶體管的關(guān)斷狀態(tài)保持到下面將描 述的時段TP(3)^的結(jié)束。在時段TP(3h中，執(zhí)行步驟(c)，即執(zhí)行閾值電壓取消處理。該 時段中的操作與示例5中參考圖18和19E描述的時段TP(3h中的操作相同，因此這里省 略對其的描述。 時段TP(3)3A(參見圖21和22A) 該時段中的操作與示例1中參考圖7和8F描述的時段TP(2)3中的操作基本上相 同。在時段TP(3)3A中，保持驅(qū)動晶體管TR。的關(guān)斷狀態(tài)(步驟(d))。
時段TP(3)3B(參見圖21和22B) 時段TP (3) 3B是正好在第m個水平掃描時段Hm的開始之前的時段。在時段TP (3) 3B
的開始時間，通過來自第一晶體管控制線AZ1的信號，第一晶體管TRJ皮接通。結(jié)果，第二
節(jié)點N^的電位降低到V^。 時段TP(3)紐(參見圖21和22C) 當(dāng)前顯示幀的第m個水平掃描時段Hm開始。在時段TP(3)^中，執(zhí)行步驟(g)，即 執(zhí)行第二預(yù)處理過程。在時段TP(3)^的開始時間，通過來自掃描線SCL的信號，寫入晶體 管TRW被接通，并且經(jīng)由被接通的寫入晶體管TRW從數(shù)據(jù)線DTL向第一節(jié)點ND工施加第一節(jié) 點初始化電壓V。w從而初始化第一節(jié)點ND工的電位。保持第一晶體管TI^的接通狀態(tài)，并且 第二節(jié)點ND2的電位保持于Vss。
結(jié)果，第一節(jié)點ND工的電位變?yōu)閂。fs (0V)。第二節(jié)點ND2的電位保持于Vss (_10V)。
在時段TP(3)^的結(jié)束時間，執(zhí)行步驟(h)。具體地，通過來自第一晶體管控制線 AZ1的信號，第一晶體管從接通狀態(tài)切換為關(guān)斷狀態(tài)。第一晶體管的關(guān)斷狀態(tài)保持 到時段TP(3)7的結(jié)束。 時段TP(3)4B(參見圖21以及圖22D和22E) 在時段TP(3)^中，執(zhí)行步驟(i)，即執(zhí)行第二閾值電壓取消處理。該時段中的操 作與示例2中參考圖10以及圖IID和11E描述的時段TP(2)^中的操作相同，因此這里省 略對其的描述。 時段TP(3)5(參見圖21) 在時段TP(3)5中，執(zhí)行步驟(e)。該時段中的操作與示例1中參考圖7和9B描述 的時段TP(2)5中的操作相同，因此這里省略對其的描述。在時段TP(3)e之后的時段中的操 作與示例5中描述的相同，因此這里省略對其的描述。 在根據(jù)示例6的驅(qū)動方法中，與示例2相似，正好在執(zhí)行寫入處理之前來執(zhí)行第二 閾值電壓取消處理。因此，即使在第二節(jié)點ND2的電位在時段TP(3)^中發(fā)生了變化時，正 好在寫入處理之前，第二節(jié)點ND2的電位也會再次被設(shè)置為V。fs-Vth = -3V。因此，即使在第
二節(jié)點柳2的電位在時段TP(3)3A中發(fā)生了變化時，也不會影響要顯示的圖像的亮度。 示例7 示例7涉及根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。示例7是
示例5的修改示例。示例7相對示例5的關(guān)系對應(yīng)于示例3相對示例1的關(guān)系。 在根據(jù)示例7的驅(qū)動方法中，執(zhí)行示例5中描述的步驟(a)至(f)。然而，根據(jù)示
例7的驅(qū)動方法與根據(jù)示例5的驅(qū)動方法的不同之處在于，信號輸出電路102將第一初始
化電壓作為第一節(jié)點初始化電壓施加到數(shù)據(jù)線DTL，并且然后以比第一初始化電壓低的第
二初始化電壓替代第一初始化電壓作為第一節(jié)點初始化電壓而施加到數(shù)據(jù)線DTL。 圖23示意性示出了根據(jù)示例7的發(fā)光部ELP的驅(qū)動操作的時序圖，而圖24A至
24F示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)。 圖23中所示的時段TP(3)—工至TP(3)+3分別對應(yīng)于示例3所參考的圖12中示出的 時段TP(2)—工至TP(2)w。每個水平掃描時段的初始化時段和圖像信號時段與圖23中示出 的時段TP (3) ^至TP (3) +3之間的關(guān)系與示例3中圖12所示的時段TP (2)—工至TP (2) +3中描 述的相同，因此這里省略了對其的描述。 在根據(jù)示例7的驅(qū)動方法中，圖23中示出的時段TP (3)。和TP (3)工中的操作與示例 5中參考圖18所描述的時段TP(3)。和TP(3、中的操作相同，因此這里省略了對其的描述。 圖23中示出的時段TP (3) 2A至TP (3) 7中的操作與示例3中參考圖12所描述的時段TP (2) 2A 至TP(2)7中的操作相同，因此這里省略了對其的描述。 根據(jù)示例7的驅(qū)動方法的具體優(yōu)點與根據(jù)示例3的驅(qū)動方法的具體優(yōu)點相同。其 能夠使時段TP(3)3中驅(qū)動晶體管TRD的關(guān)斷電阻值高于示例5中的值。因此，能夠抑制在 時段TP(3)3中由于驅(qū)動晶體管TRD的泄露導(dǎo)致的第一節(jié)點ND工和第二節(jié)點ND2的電位的變 化。 示例8 示例8涉及根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。示例8是示例5的修改示例。示例8相對示例5的關(guān)系對應(yīng)于示例4相對示例1的關(guān)系。 在根據(jù)示例8的驅(qū)動方法中，執(zhí)行示例5中描述的步驟(a)至(f)。然而根據(jù)示例
8的驅(qū)動方法與根據(jù)示例5的驅(qū)動方法的不同之處在于，步驟(a)是在水平掃描時段Hm—p之
前的水平掃描時段的初始化時段中執(zhí)行的。 圖25中示意性示出了根據(jù)示例8的發(fā)光部ELP的驅(qū)動操作的時序圖，而圖26A至 26E示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)。 圖25示出的時段TP(3)—工至TP(3)+3分別對應(yīng)于示例4參考的圖14中示出的時段 TP(2)—工至TP(2)w。每個水平掃描時段的初始化時段和圖像信號時段與圖25中示出的時段 TP(3)—i至TP(3)w之間的關(guān)系與示例4中圖14中示出的時段TP(2)—i至TP(2)w中描述的 相同，因此這里省略對其的描述。 在根據(jù)示例8的驅(qū)動方法中，圖25中所示的時段TP(3)。和TP(3、的操作與示例5 中參考圖18描述的時段TP(3)。和TP(3、中的操作相同，因此這里省略對其的描述。圖25 中所示的時段TP(3)^至TP(3)7的操作與示例3中參考圖12描述的時段TP(2)^至TP(2)7
中的操作相同，因此這里省略對其的描述。
示例9 示例9涉及根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。示例9是 示例5至8的修改示例。在示例9中，驅(qū)動電路11包括4個晶體管和一個電容器(4Tr/lC 驅(qū)動電路)。圖27中示出了根據(jù)示例9的有機EL顯示設(shè)備的原理圖，而圖28中示出了包 括驅(qū)動電路11的有機EL顯示元件10的等效電路圖。
現(xiàn)在將描述驅(qū)動電路的細(xì)節(jié)。 與上述3Tr/lC驅(qū)動電路相似，4Tr/lC驅(qū)動電路包括三個晶體管(即寫入晶體管 TRw、驅(qū)動晶體管TR。和第一晶體管TR》和一個電容器Q。 4Tr/lC驅(qū)動電路還包括第二晶體 管TR2。 驅(qū)動晶體管TR。 驅(qū)動晶體管TRD的配置與示例5中描述的驅(qū)動晶體管TRD的配置相同，因此這里省 略對其的描述。與示例5中示出的一樣，電源單元100向驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中 的一個施加恒定的電壓Vcc。
寫入晶體管TRw 寫入晶體管TRW的配置與示例1中描述的寫入晶體管TRW的配置相同，因此這里省
略對其的描述。 第一晶體管TRi 第一晶體管的配置與示例5中描述的第一晶體管的配置相同，因此這里省 略對其的描述。 示例9中的驅(qū)動電路11還包括第二晶體管TR2，并且電源單元100經(jīng)由第二晶體 管TR2連接到驅(qū)動晶體管TRD的源區(qū)和漏區(qū)中的一個。該驅(qū)動電路與示例5至8中的不同 之處在于，當(dāng)?shù)谝痪w管處于接通狀態(tài)時，第二晶體管TR2被關(guān)斷。
具體地，在第二晶體管TI^中，(D-l)源區(qū)和漏區(qū)中的一個連接到電源單元100， (D-2)源區(qū)和漏區(qū)中的另一個連接到驅(qū)動晶體管TR。的源區(qū)和漏區(qū)中的一個，并且(D-3)柵 極連接到第二晶體管控制線CL。第二晶體管控制線CL的一端連接到第二晶體管控制電路104。 示例5中描述了當(dāng)?shù)诙?jié)點初始化電壓Vss經(jīng)由被接通的第一晶體管施加到 第二節(jié)點ND2時經(jīng)由驅(qū)動晶體管TRD向第二節(jié)點ND2施加驅(qū)動電壓Vcc。在這種情況下，存在 直通電流流過驅(qū)動晶體管TRD和第一晶體管的問題。 因此，在示例9中，當(dāng)?shù)谝痪w管在示例5至8中描述的操作中被接通時，通 過來自第二晶體管控制電路104的信號，第二晶體管T&被關(guān)斷。 例如，圖29A至29D中示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)，其中，在示例9中執(zhí)行示 例5中參考的圖18中示出的時段TP (3)^至TP(3)2中的操作。 如圖29A所示，在時段TP (3)—工中，通過來自第二晶體管控制電路104的信號，第二 晶體管TRJ皮接通。 如圖29B和29C所示，在時段TP (3)。和TP (3)工中，通過來自第二晶體管控制電路 104的信號，第二晶體管TR2被關(guān)斷。因此，在這些時段中，直通電流不流過驅(qū)動晶體管TRD 和第一晶體管TRlt) 如圖29D所示，在時段TP(3h中，通過來自第二晶體管控制電路104的信號，第二 晶體管TR2被關(guān)斷。在時段TP(3)2的結(jié)束之后，保持第二晶體管TR2的關(guān)斷狀態(tài)。
盡管已與示例5的操作對比的方式描述了示例9的操作，本發(fā)明并不局限于這些 操作。與示例6至8中的操作相比，通過在第一晶體管T&處于接通狀態(tài)時關(guān)斷第二晶體 管TR2，能夠防止直通電流流動。
示例10 示例10涉及根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的驅(qū)動有機EL顯示設(shè)備的方法。示例10 是示例9的修改示例。在示例10中，驅(qū)動電路11包括4個晶體管和一個電容器(4Tr/lC 驅(qū)動電路)。圖30中市場了根據(jù)示例10的構(gòu)成有機EL顯示設(shè)備的、包括驅(qū)動電路11的有 機EL顯示元件10的等效電路圖。根據(jù)示例10的有機EL顯示設(shè)備的示意圖與圖16中示 出的一樣，因此這里省略對其的描述。 現(xiàn)在將描述驅(qū)動電路的細(xì)節(jié)。在示例10中，第二晶體管TR2是由具有不同于第一 晶體管TI^的傳導(dǎo)類型的晶體管形成的，并且第二晶體管TR2的柵極連接到第一晶體管控制 線AZl。 具體地，在示例10中，與示例9相似，第一晶體管是由n溝道晶體管形成的， 并且第二晶體管TR2是由p溝道晶體管形成的。 根據(jù)該配置，當(dāng)?shù)谝痪w管控制線AZl處于高電平時，第一晶體管處于接通狀 態(tài)而第二晶體管T&處于關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝痪w管控制線AZ1處于低電平時，第一晶體管
處于關(guān)斷狀態(tài)而第二晶體管TR2處于接通狀態(tài)。
圖31A至31D中示出了晶體管的接通和關(guān)斷狀態(tài)，其中，在示例10中執(zhí)行示例5 所參考的圖18中示出的時段TP (3) ^至TP (3) 2中的操作。 如圖31A所示，在時段TP (3)—工中，通過來自第一晶體管控制電路103的信號，第一 晶體管TRJ皮關(guān)斷。此時第二晶體管T&處于接通狀態(tài)。 如圖31B和31C所示，在時段TP (3)。和TP (3)工中，通過來自第一晶體管控制電路 103的信號，第一晶體管T&被接通。此時，第二晶體管T&處于關(guān)斷狀態(tài)。因此，在這些時 段中，直通電流不會流過驅(qū)動晶體管TRD和第一晶體管TRlt)
如圖31D所示，在時段TP(3)2中，通過來自第一晶體管控制電路103的信號，第一 晶體管T&被關(guān)斷。此時，第二晶體管T&處于接通狀態(tài)。在時段TP(3h的結(jié)束之后，當(dāng)?shù)?一晶體管保持于關(guān)斷狀態(tài)時，第二晶體管TR2保持于接通狀態(tài)。 因此，與示例9中示出的一樣，通過在第一晶體管處于接通狀態(tài)時關(guān)斷第二晶 體管T&，能夠防止直通電流流動。另外，示例10具有不必有示例9的第二晶體管控制電路 104和第二晶體管控制線CL的優(yōu)點。 本申請包含與2008年12月8日提交于日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP 2008-311805中披露的主題相關(guān)的主題，該優(yōu)先權(quán)申請的全部內(nèi)容通過引用合并于此。
雖然已描述了本發(fā)明的優(yōu)選示例，但本發(fā)明并不限于這些示例。所述示例中描述 的有機EL顯示設(shè)備、有機EL顯示元件和驅(qū)動電路的各個部件的配置和結(jié)構(gòu)以及發(fā)光部驅(qū) 動方法的步驟僅僅是示例，并且可以適當(dāng)?shù)丶右孕薷摹?br> 權(quán)利要求
一種顯示設(shè)備，包括沿行方向和列方向排列的多個發(fā)光元件；設(shè)置于所述多個發(fā)光元件中的每一個中的驅(qū)動電路；掃描線，沿所述行方向連接所述驅(qū)動電路，并通過選擇信號的施加來選擇所述驅(qū)動電路；發(fā)光控制線，沿所述行方向連接所述驅(qū)動電路，并通過發(fā)光控制信號的施加來允許所述發(fā)光元件發(fā)光；以及數(shù)據(jù)線，沿所述列方向連接所述驅(qū)動電路，并為所選擇的驅(qū)動電路提供與所述發(fā)光元件的亮度對應(yīng)的信號，其中，每個驅(qū)動電路包括向?qū)?yīng)的發(fā)光元件提供電流的驅(qū)動晶體管，將所述發(fā)光控制信號從第一電壓值改變?yōu)榈诙妷褐?，以使所述發(fā)光元件處于不發(fā)光狀態(tài)，并將所述發(fā)光控制信號從所述第二電壓值改變?yōu)樗龅谝浑妷褐?，以校正所述?qū)動晶體管的閾值電壓，并且其中，所述發(fā)光控制信號在后面的不發(fā)光時段中在除了所述第二電壓值的時段以外的時段中具有所述第一電壓值，以便校正所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓。
2. —種驅(qū)動有機電致發(fā)光EL顯示設(shè)備的方法，該有機電致發(fā)光顯示設(shè)備具有(1) 掃描電路，(2) 信號輸出電路，(3) 有機EL顯示元件，所述有機EL顯示元件被排列成NXM 二維矩陣，其中N沿第一方 向而M沿與所述第一方向不同的第二方向，每個有機EL顯示元件具有有機EL發(fā)光部以及 驅(qū)動所述有機EL發(fā)光部的驅(qū)動電路，(4) 連接到所述驅(qū)動電路以沿所述第一方向延伸的M個掃描線，(5) 連接到所述信號輸出電路以沿所述第二方向延伸的N個數(shù)據(jù)線，及(6) 電源單元，其中，所述驅(qū)動電路包括寫入晶體管、驅(qū)動晶體管和電容器，其中，(A-l)所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個連接到所述電源單元，(A-2)所述源區(qū)和漏區(qū)中的另一個連接到所述有機EL發(fā)光部的陽極以及所述電容器的一個電極，以形成第二節(jié)點，并且(A-3)其柵極連接到所述寫入晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個以及所述電容器的另一電極，以形成第一節(jié)點，以及(B-l)所述寫入晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個連接到對應(yīng)的數(shù)據(jù)線，并且 (B-2)其柵極連接到對應(yīng)的掃描線，其中，當(dāng)按行順序掃描第一行至第M行中的有機EL顯示元件并且用水平掃描時段來表 示被分配用于掃描各行中的有機EL顯示元件的時段時，每個水平掃描時段包括初始化時 段，在所述初始化時段中，所述信號輸出電路向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線施加第一節(jié)點初始化電壓；以 及圖像信號時段，在所述圖像信號時段中，所述信號輸出電路向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線施加圖像信 號，所述方法包括以下步驟在第m(其中m二 1，2，3，...，M)行以及第n(其中n二 1，2，3，...，N)列的有機EL顯示元件中，其中，包括對應(yīng)于第m行中的有機EL顯示元件的圖像信號時段的水平掃描時段 用水平掃描時段Hm來表示，而在該水平掃描時段Hm之前P個水平掃描時段(其中P滿足1 < P < M且為所述有機EL顯示設(shè)備中的預(yù)定值)的水平掃描時段用水平掃描時段Hmjm p 來表示，(a) 在位于所述水平掃描時段Hm,e p的結(jié)束之前的初始化時段中，通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù) 線經(jīng)由通過所述掃描電路的操作而被接通的寫入晶體管向所述第一節(jié)點施加第一節(jié)點初 始化電壓以初始化所述第一節(jié)點的電位、并從所述電源單元向所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏 區(qū)中的一個施加第二節(jié)點初始化電壓以初始化所述第二節(jié)點的電位，來執(zhí)行對所述第一節(jié) 點的電位和所述第二節(jié)點的電位進(jìn)行初始化的預(yù)處理過程，使得所述第一節(jié)點和所述第二 節(jié)點之間的電位差大于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并且使得所述第二節(jié)點與所述有機EL 發(fā)光部的陰極之間的電位差不大于所述有機EL發(fā)光部的閾值電壓；(b) 將所述電源單元的電壓從所述第二節(jié)點初始化電壓切換到驅(qū)動電壓，并保持從所 述電源單元向所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加所述驅(qū)動電壓的狀態(tài)；(c) 通過在初始化時段中利用所述掃描電路的操作來接通所述寫入晶體管并且在從所 述數(shù)據(jù)線經(jīng)由被接通的寫入晶體管將所述第一節(jié)點初始化電壓施加到所述第一節(jié)點的狀 態(tài)中從所述電源單元向所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加所述驅(qū)動電壓，來執(zhí)行 將所述第二節(jié)點的電位改變?yōu)橥ㄟ^從所述第一節(jié)點初始化電壓中減去所述驅(qū)動晶體管的 閾值電壓而得到的電位的閾值電壓取消處理，以在所述水平掃描時段Hm,e p的初始化時段 中關(guān)斷所述驅(qū)動晶體管；(d) 通過利用所述掃描電路的操作來關(guān)斷所述寫入晶體管，將所述第一節(jié)點變?yōu)楦?狀態(tài)，并保持所述驅(qū)動晶體管的關(guān)斷狀態(tài)；(e) 執(zhí)行在所述水平掃描時段Hm的圖像信號時段中經(jīng)由通過所述掃描電路的操作而被 接通的寫入晶體管從所述數(shù)據(jù)線向所述第一節(jié)點施加所述圖像信號的寫入處理；以及(f) 通過利用所述掃描電路的操作來關(guān)斷所述寫入晶體管，將所述第一節(jié)點變?yōu)楦?狀態(tài)，并允許對應(yīng)于所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間的電位差的電流從所述電源單元經(jīng) 由所述驅(qū)動晶體管流到所述有機EL發(fā)光部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在步驟(d)和步驟(e)之間執(zhí)行如下步驟(g) 在初始化時段中通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線經(jīng)由通過所述掃描電路的操作而被接通的寫 入晶體管向所述第一節(jié)點施加所述第一節(jié)點初始化電壓以初始化所述第一節(jié)點的電位、并 從所述電源單元向所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加所述第二節(jié)點初始化電壓 以初始化所述第二節(jié)點的電位，來執(zhí)行對所述第一節(jié)點的電位和所述第二節(jié)點的電位進(jìn)行 初始化的第二預(yù)處理過程，使得所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間的電位差大于所述驅(qū)動 晶體管的閾值電壓，并使得所述第二節(jié)點與所述有機EL發(fā)光部的陰極之間的電位差不大 于所述有機EL發(fā)光部的閾值電壓；(h) 將所述電源單元的電壓從所述第二節(jié)點初始化電壓切換到驅(qū)動電壓，并保持從所 述電源單元向所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加所述驅(qū)動電壓的狀態(tài)；以及(i) 通過在初始化時段中通過所述掃描電路的操作而接通寫入晶體管且經(jīng)由被接通的 寫入晶體管從所述數(shù)據(jù)線向所述第一節(jié)點施加所述第一節(jié)點初始化電壓的狀態(tài)中從所述 電源單元向所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加所述驅(qū)動電壓，來執(zhí)行將所述第二節(jié)點的電位改變?yōu)橥ㄟ^從所述第一節(jié)點初始化電壓中減去所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓而得到的電位的第二閾值電壓取消處理，以在位于所述水平掃描時段Hm的結(jié)束之前的初始化 時段中關(guān)斷所述驅(qū)動晶體管。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述信號輸出電路在初始化時段中將第一初始 化電壓作為所述第一節(jié)點初始化電壓施加到所述數(shù)據(jù)線，并且然后以低于所述第一初始化 電壓的第二初始化電壓替代所述第一初始化電壓作為所述第一節(jié)點初始化電壓而施加到 所述數(shù)據(jù)線。
5. —種驅(qū)動有機電致發(fā)光EL顯示設(shè)備的方法，該有機電致發(fā)光顯示設(shè)備具有(1) 掃描電路，(2) 信號輸出電路，(3) 有機EL顯示元件，所述有機EL顯示元件被排列成NXM 二維矩陣，其中N沿第一方 向而M沿與所述第一方向不同的第二方向，每個有機EL顯示元件具有有機EL發(fā)光部以及 驅(qū)動所述有機EL發(fā)光部的驅(qū)動電路，(4) 連接到所述驅(qū)動電路以沿所述第一方向延伸的M個掃描線，(5) 連接到所述信號輸出電路以沿所述第二方向延伸的N個數(shù)據(jù)線，及(6) 電源單元，其中，所述驅(qū)動電路包括寫入晶體管、驅(qū)動晶體管和電容器，其中，(A-l)所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個連接到所述電源單元，(A-2)所述源區(qū)和漏區(qū)中的另一個連接到所述有機EL發(fā)光部的陽極以及所述電容器的一個電極，以形成第二節(jié)點，并且(A-3)其柵極連接到所述寫入晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個以及所述電容器的另一電極，以形成第一節(jié)點，以及(B-l)所述寫入晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個連接到對應(yīng)的數(shù)據(jù)線，并且 (B-2)其柵極連接到對應(yīng)的掃描線，其中，當(dāng)按行順序掃描第一行至第M行中的有機EL顯示元件并且用水平掃描時段來 表示分配用于掃描各行中的有機EL顯示元件的時段時，每個水平掃描時段包括初始化時 段，在所述初始化時段中，所述信號輸出電路向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線施加第一節(jié)點初始化電壓；以 及圖像信號時段，在所述圖像信號時段中，所述信號輸出電路向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線施加圖像信 號，其中，所述驅(qū)動電路還包括第一晶體管，并且其中，(C-l)所述第一晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個連接到所述第二節(jié)點， (C-2)所述源區(qū)和漏區(qū)中的一個被提供以用于初始化所述第二節(jié)點的電位的第二節(jié)點 初始化電壓，并且(C-3)其柵極連接到第一晶體管控制線， 所述方法包括以下步驟在第m(其中m二 1，2，3，... ，M)行和第n(其中n = 1，2，3，... ，N)列中的有機EL顯 示元件中，其中包括對應(yīng)于第m行中的有機EL顯示元件的圖像信號時段的水平掃描時段用 水平掃描時段&來表示，并且在該水平掃描時段Hm之前P個水平掃描時段(其中P滿足1 < P < M且為所述有機EL顯示設(shè)備中的預(yù)定值)的水平掃描時段用水平掃描時段Hm DM p來表示，(a) 在位于所述水平掃描時段Hm, p的結(jié)束之前的初始化時段中通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線 經(jīng)由通過所述掃描電路的操作而被接通的寫入晶體管向所述第一節(jié)點施加第一節(jié)點初始 化電壓以初始化所述第一節(jié)點的電位、并經(jīng)由通過來自所述第一晶體管控制線的信號而被 接通的第一晶體管向所述第二節(jié)點施加第二節(jié)點初始化電壓以初始化所述第二節(jié)點的電 位，來執(zhí)行對所述第一節(jié)點的電位和所述第二節(jié)點的電位進(jìn)行初始化的預(yù)處理過程，使得 所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間的電位差大于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并且使得所 述第二節(jié)點與所述有機EL發(fā)光部的陰極之間的電位差不大于所述有機EL發(fā)光部的閾值電 壓；(b) 通過來自所述第一晶體管控制線的信號將所述第一晶體管從接通狀態(tài)切換到關(guān)斷 狀態(tài)；(c) 通過在初始化時段中利用所述掃描電路的操作來接通所述寫入晶體管并且經(jīng)由被 接通的寫入晶體管從所述數(shù)據(jù)線將所述第一節(jié)點初始化電壓施加到所述第一節(jié)點的狀態(tài) 中從所述電源單元向所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加驅(qū)動電壓，來執(zhí)行將所述 第二節(jié)點的電位改變?yōu)橥ㄟ^從所述第一節(jié)點初始化電壓中減去所述驅(qū)動晶體管的閾值電 壓而得到的電位的閾值電壓取消處理，以在所述水平掃描時段Hm,e p的初始化時段中關(guān)斷 所述驅(qū)動晶體管；(d) 通過利用所述掃描電路的操作來關(guān)斷所述寫入晶體管，而將所述第一節(jié)點變?yōu)楦?動狀態(tài)，并保持所述驅(qū)動晶體管的關(guān)斷狀態(tài)；(e) 執(zhí)行在所述水平掃描時段Hm的圖像信號時段中從所述數(shù)據(jù)線經(jīng)由通過所述掃描電路的操作而被接通的寫入晶體管向所述第一節(jié)點施加圖像信號的寫入處理；以及(f) 通過利用所述掃描電路的操作來關(guān)斷所述寫入晶體管，將所述第一節(jié)點變?yōu)楦?狀態(tài)，并允許對應(yīng)于所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間的電位差的電流從所述電源單元經(jīng) 由所述驅(qū)動晶體管流到所述有機EL發(fā)光部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在步驟(d)和步驟(e)之間執(zhí)行如下步驟(g) 在初始化時段中通過從對應(yīng)的數(shù)據(jù)線經(jīng)由通過所述掃描電路的操作而被接通的寫 入晶體管向所述第一節(jié)點施加所述第一節(jié)點初始化電壓以初始化所述第一節(jié)點的電位、并 經(jīng)由通過來自所述第一晶體管控制線的信號而被接通的第一晶體管向所述第二節(jié)點施加 第二節(jié)點初始化電壓以初始化所述第二節(jié)點的電位，來執(zhí)行對所述第一節(jié)點的電位和所述 第二節(jié)點的電位進(jìn)行初始化的第二預(yù)處理過程，使得所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間的 電位差大于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并使得所述第二節(jié)點與所述有機EL發(fā)光部的陰 極之間的電位差不大于所述有機EL發(fā)光部的閾值電壓；(h) 通過來自所述第一晶體管控制線的信號將所述第一晶體管從接通狀態(tài)切換到關(guān)斷 狀態(tài)；以及(i) 通過在初始化時段中通過掃描電路的操作而接通寫入晶體管且經(jīng)由被接通的寫入 晶體管從所述數(shù)據(jù)線向所述第一節(jié)點施加所述第一節(jié)點初始化電壓的狀態(tài)中從所述電源 單元向所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個施加所述驅(qū)動電壓，來執(zhí)行將所述第二節(jié)點 的電位改變?yōu)橥ㄟ^從所述第一節(jié)點初始化電壓中減去所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓而得到 的電位的第二閾值電壓取消處理，以在位于所述水平掃描時段Hm的結(jié)束之前的初始化時段中關(guān)斷所述驅(qū)動晶體管。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述信號輸出電路在初始化時段中將第一初始 化電壓作為所述第一節(jié)點初始化電壓施加到所述數(shù)據(jù)線，并且然后以低于所述第一初始化 電壓的第二初始化電壓替代所述第一初始化電壓作為所述第一節(jié)點初始化電壓而施加到 所述數(shù)據(jù)線。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述驅(qū)動電路還包括第二晶體管， 其中，所述電源單元經(jīng)由所述第二晶體管而連接到所述驅(qū)動晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個，并且其中，所述第二晶體管在所述第一晶體管處于接通狀態(tài)時被關(guān)斷。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第二晶體管是傳導(dǎo)類型與所述第一晶體管 不同的晶體管，并且所述第二晶體管的柵極連接到所述第一晶體管控制線。
全文摘要
提供了驅(qū)動有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法和顯示設(shè)備。顯示設(shè)備包括多個發(fā)光元件；設(shè)置于多個發(fā)光元件中的每個中的驅(qū)動電路；掃描線；發(fā)光控制線；以及數(shù)據(jù)線。每個驅(qū)動電路包括向?qū)?yīng)的發(fā)光元件提供電流的驅(qū)動晶體管，將發(fā)光控制信號從第一電壓值改變?yōu)榈诙妷褐?，以使發(fā)光元件處于不發(fā)光狀態(tài)，并將發(fā)光控制信號從第二電壓值改變?yōu)榈谝浑妷褐?，以校正?qū)動晶體管的閾值電壓，并且發(fā)光控制信號在除了第二電壓值的時段以外的時段中具有第一電壓值，以便在后來的不發(fā)光時段中校正驅(qū)動晶體管的閾值電壓。
文檔編號G09G3/32GK101751856SQ20091025354
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月8日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山下淳一 申請人:索尼株式會社