專利名稱：顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
近來，隨著多媒體技術(shù)的發(fā)展，平板顯示器(FPD)的重要性更加突出。響應(yīng)于這種 趨勢，例如液晶顯示器(IXD)、等離子體顯示面板(PDP)和場發(fā)射顯示器(FED)的各種平板 型顯示設(shè)備已經(jīng)在實際應(yīng)用中使用。在這些顯示設(shè)備中，例如液晶顯示設(shè)備和有機發(fā)光顯示設(shè)備的一些顯示設(shè)備具有 通過沉積、刻蝕等在基板上以薄膜形狀形成的器件和布線。通常，在制造這樣的顯示設(shè)備 時，對于每個單元來說，作為顯示元件的多個元件(cell)形成在大基板上，隨后在元件切 割(cell cutting)工序中被分別地切割下來。當(dāng)用上述方法制造顯示設(shè)備時，采用沿著基板上的子像素形成用于檢查子像素的 導(dǎo)通(turn-on)狀態(tài)的導(dǎo)通電路的方法。然而，在通過使用這種方法在基板上形成例如子 像素和導(dǎo)通電路等元件的情況下，靜電可能會通過提供導(dǎo)通信號至導(dǎo)通電路的信號線引 入。注意到靜電的引入大部分發(fā)生在元件切割工序中。在這種方式下，如果通過信號線從 外部引入靜電，會損壞連接至信號線的導(dǎo)通電路。此后，即使在顯示設(shè)備的制造之后通過信 號線提供導(dǎo)通信號以確定子像素的導(dǎo)通狀態(tài)，仍將無法確定位于面板的某些區(qū)域內(nèi)的子像 素的導(dǎo)通狀態(tài)。因此，需要解決此問題的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供一種顯示設(shè)備，包括基板；顯示單元，具有位于基板上的子 像素；信號線，布置在基板上；導(dǎo)通電路，連接到信號線，并響應(yīng)于通過信號線提供的導(dǎo)通 信號使子像素導(dǎo)通；以及偽電路，連接到信號線，并早于導(dǎo)通電路感應(yīng)經(jīng)由信號線引入的外 來的電。本發(fā)明的另一方面提供一種顯示設(shè)備，包括基板；顯示單元，具有位于基板上的 子像素；信號線，布置在基板上；導(dǎo)通電路，連接到信號線，并響應(yīng)于通過信號線提供的導(dǎo) 通信號使子像素導(dǎo)通；以及偽電路，按照比導(dǎo)通電路高的優(yōu)先級連接到信號線。


所包含的附圖用于提供對公開的進一步的理解，并引入組成說明書的一部分，附 解了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例的顯示設(shè)備的示意性簡圖。圖2是圖1中子像素的電路結(jié)構(gòu)的示圖。
圖3是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例的顯示設(shè)備的平面圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例的包括有機發(fā)光顯示器件的電路圖。圖5是解釋被引入的靜電的消散路徑的圖。圖6和圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例實施的顯示設(shè)備的電路圖。
具體實施例方式下面將詳細描述本發(fā)明的實施例，附圖中示出了這些實施例的一些例子。在下文中，將參考附圖描述本發(fā)明的特定示范性實施例。參見圖1，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的顯示設(shè)備包括面板PNL、掃描驅(qū)動器 SDRV、數(shù)據(jù)驅(qū)動器DDRV和導(dǎo)通驅(qū)動器SDSW與DDSW。面板PNL包括以矩陣排列的子像素SP。子像素SP可以在包括開關(guān)晶體管、電容器 和液晶層的液晶顯示面板中實施，或者在包括開關(guān)晶體管、電容器和有機發(fā)光二極管的有 機發(fā)光顯示面板中實施。掃描驅(qū)動器SDRV通過連接到子像素SP的掃描線SLl至SLm提供掃描信號。數(shù)據(jù)驅(qū)動器DDRV通過連接到子像素SP的數(shù)據(jù)線DLl至DLn提供數(shù)據(jù)信號。導(dǎo)通驅(qū)動器SDSW和DDSW包括導(dǎo)通電路和偽電路(dummy circuit)。導(dǎo)通電路通 過掃描線SLl至SLm和數(shù)據(jù)線DLl至DLn確定子像素SP的導(dǎo)通狀態(tài)。偽電路一旦接收到 外來的電(external electricity)，則早于導(dǎo)通電路感應(yīng)該外來的電。在下文中，將描述子像素SP的電路結(jié)構(gòu)。參見圖2，子像素SP具有2T(晶體管)IC (電容器)的結(jié)構(gòu)，并且可在有機發(fā)光顯 示器中實施。每個子像素SP包括第一晶體管Tl、第二晶體管Τ2、電容器C和有機發(fā)光二極管D。 對于第一晶體管Tl來說，柵電極連接至掃描線SCAN，第一電極連接至數(shù)據(jù)線DATA，第二電 極連接至第一節(jié)點nl。對于第二晶體管T2來說，柵電極連接至第一節(jié)點nl，第一電極連接 至與高電勢電源線VDD連接的第二節(jié)點π2，第二電極連接至第三節(jié)點π3。對于電容器C來 說，一端連接至第一節(jié)點nl，另一端連接至第二節(jié)點π2。對于有機發(fā)光二極管D來說，陽極 連接至第三節(jié)點π3，陰極連接至低電勢電源線VSS。上述的子像素SP操作如下。當(dāng)將掃描信號通過掃描線SCAN提供到子像素SP時，第一晶體管Tl導(dǎo)通。隨后， 當(dāng)將通過數(shù)據(jù)線DATA提供的數(shù)據(jù)信號通過導(dǎo)通的第一晶體管Tl提供到第一節(jié)點nl時，電 容器C將數(shù)據(jù)作為數(shù)據(jù)電壓存儲在其中。隨后，當(dāng)掃描信號中止而第一晶體管Tl截止時， 第二晶體管T2被存儲在電容器C中的數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動。隨后，當(dāng)通過高電勢電源線VDD提供 的高電勢電源流經(jīng)低電勢電源線VSS時，有機發(fā)光二極管D導(dǎo)通。然而，這些只不過是驅(qū)動 方式的一種例子，而本發(fā)明的示范性實施方式并不限于此。參見圖3，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的顯示設(shè)備包括位于基板110上的顯示單 元130、信號線140、偽電路151和155以及導(dǎo)通電路161和165。顯示單元130包括位于基板110上并以矩陣排列的子像素120。根據(jù)導(dǎo)通電路161和165以及偽電路151和155的位置，從顯示單元130的外側(cè) 到顯示單元130的內(nèi)側(cè)或鄰近區(qū)域布線信號線140，信號線140在基板上彼此分隔地排列。
導(dǎo)通電路161和165連接到信號線140，并響應(yīng)于通過信號線140提供的導(dǎo)通信號 使子像素120導(dǎo)通。偽電路151和155連接至信號線140，并早于導(dǎo)通電路感應(yīng)經(jīng)由信號線140引入的 外來的電(以下稱為靜電)。為此，偽電路151和155位于比導(dǎo)通電路161和165所在的區(qū) 域高的優(yōu)先級區(qū)域，從而靜電依照信號線140、偽電路151和155以及導(dǎo)通電路161和165 的次序被引入。偽電路151和155包括并聯(lián)連接至導(dǎo)通電路161和165所包括的開關(guān)晶體管的柵 電極及第一電極的偽晶體管。偽晶體管中的至少一個按照與導(dǎo)通電路161和165所包括的 開關(guān)晶體管相同的結(jié)構(gòu)形成。即，偽電路151和155可以按照與導(dǎo)通電路161和165所包 括的開關(guān)晶體管相同的工藝在相同的條件下形成，以使負載條件相匹配。然而，偽電路151 和155的尺寸可以比導(dǎo)通電路161和165所包括的開關(guān)晶體管的尺寸大或者小。在下文中，將針對顯示設(shè)備為有機發(fā)光顯示設(shè)備的例子來描述示范性實施例。參見圖4，排列在顯示單元130中的每個子像素120包括第一晶體管Tl、第二晶體 管T2、電容器C和有機發(fā)光二極管D。信號線141至145包括連接到第一偽晶體管組的柵電極的第一信號線141，連接到 第一偽晶體管組的第一電極的第二信號線142，連接到第二偽晶體管組的柵電極的第三信 號線143，連接到第二偽晶體管組的第一電極的第四信號線144，以及連接到子像素120的 高電勢電源線的第五信號線145。信號線141至145分別連接到信號焊盤171至175。導(dǎo)通電路161和165分別包括第一開關(guān)晶體管組和第二晶體管組。第一開關(guān)晶體 管組提供第一驅(qū)動信號到子像素120所包括的第一晶體管Tl的柵電極。第二開關(guān)晶體管 組提供第二驅(qū)動信號到第一晶體管Tl的第一電極。當(dāng)提供第一驅(qū)動信號時，子像素120所包括的第一晶體管Tl導(dǎo)通。隨后，當(dāng)提供 第二驅(qū)動信號時，數(shù)據(jù)電壓存儲到子像素120所包括的電容器C內(nèi)。即，第一開關(guān)晶體管組 是傳送信號以驅(qū)動子像素120所包括的第一晶體管Tl的晶體管組，而第二開關(guān)晶體管組是 傳送信號以將數(shù)據(jù)電壓存儲在子像素120所包括的電容器內(nèi)的晶體管組。具有上述結(jié)構(gòu)的 導(dǎo)通電路161和165形成在基板110上，分別位于顯示單元130的左外側(cè)區(qū)域AA和下外側(cè) 區(qū)域BB。偽電路151和155分別包括第一偽晶體管組和第二偽晶體管組。第一偽晶體管組 并聯(lián)連接到第一開關(guān)晶體管組的柵電極和第一電極，并設(shè)置在左外側(cè)區(qū)域AA內(nèi)。第二偽晶 體管組并聯(lián)連接到第二開關(guān)晶體管組的柵電極和第一電極，并設(shè)置在下外側(cè)區(qū)域BB內(nèi)。在比第一開關(guān)晶體管組所在的低優(yōu)先級的區(qū)域優(yōu)先的區(qū)域內(nèi)，第一偽晶體管組連 接到信號線141至145中的第一信號線141和第二信號線142。在比第二開關(guān)晶體管組所 在的低優(yōu)先級的區(qū)域優(yōu)先的區(qū)域內(nèi)，第二偽晶體管組連接到信號線141至145中的第三信 號線143和第四信號線144。因此，偽電路151和155形成得比導(dǎo)通電路161和165更鄰近 于信號焊盤171至175中的第一至第四信號焊盤171至174。在第一偽晶體管組和第二偽晶體管組的電極中，未連接到第一開關(guān)晶體管組和第 二開關(guān)晶體管組的柵電極和第一電極的第二電極可為電浮置。為了建立與第一開關(guān)晶體管 組和第二開關(guān)晶體管組相同的負載條件，可以將浮置的第二電極連接到電浮置的線147和 148。
在下文中，將參考圖5描述靜電的引入路徑和被引入靜電的消散原理。參見圖5，靜電Ee可以通過位于顯示單元130最外側(cè)的信號線141至145引入。 例如，若靜電Ee被引入至信號線141至145的第二信號線142和第三信號線143，被引入 至第二信號線142和第三信號線143的靜電Ee沿著其首先被引入的信號線的路徑流動，隨 后被引入至第一偽晶體管組和第二偽晶體管組，從而被減小，由此被引入的靜電Ee變得比 在最初級中的靜電更弱。因此，將位于此路徑中的第一偽晶體管組和第二偽晶體管組的晶 體管個數(shù)記為N(N是大于等于1的整數(shù))，如果它們是互相并聯(lián)連接的，則所引入的靜電Ee 的量與第一偽晶體管組和第二偽晶體管組的晶體管個數(shù)成比例地變小。于是，偽電路151 和155可以安全地保護分別位于第一偽晶體管組和第二偽晶體管組之后的導(dǎo)通電路161和 165。在下文中，將描述根據(jù)另一個示范性實施例的顯示設(shè)備。參見圖6，設(shè)置包括以矩陣排列的子像素120的顯示單元130。子像素120可以在 包括開關(guān)晶體管、電容器和液晶層的液晶顯示單元中實施，或者在包括開關(guān)晶體管、電容器 和有機發(fā)光二極管的有機發(fā)光單元中實施。信號線141至144包括連接到偽電路151的第一偽晶體管組的柵電極的第一信號 線141，連接到第一偽晶體管組的第一電極的第二信號線142，連接到偽電路155的第二偽 晶體管組的柵電極的第三信號線143，以及連接到第二偽晶體管組的第一電極的第四信號 線144。信號線141至144分別連接到信號焊盤171至174。導(dǎo)通電路161和165分別包括提供第一驅(qū)動信號到子像素120的第一開關(guān)晶體管 組和提供第二驅(qū)動信號子像素120的第二晶體管組。具有上述結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通電路161和165 分別位于顯示單元130的左外側(cè)區(qū)域AA和下外側(cè)區(qū)域BB。偽電路151和155分別包括第一偽晶體管組和第二偽晶體管組。第一偽晶體管組 并聯(lián)連接到第一開關(guān)晶體管組的柵電極和第一電極，并設(shè)置在左外側(cè)區(qū)域AA內(nèi)。第二偽晶 體管組并聯(lián)連接到第二開關(guān)晶體管組的柵電極和第一電極，并設(shè)置在下外側(cè)區(qū)域BB內(nèi)。在比第一開關(guān)晶體管組所在的低優(yōu)先級的區(qū)域優(yōu)先的區(qū)域內(nèi)，第一偽晶體管組連 接到第一信號線141和第二信號線142。在比第二開關(guān)晶體管組所在的低優(yōu)先級的區(qū)域優(yōu) 先的區(qū)域內(nèi)，第二偽晶體管組連接到第三信號線143和第四信號線144。因此，偽電路151 和155形成得比導(dǎo)通電路161和165更鄰近于第一至第四信號焊盤171至174。在第一偽晶體管組和第二偽晶體管組的電極中，未連接到第一開關(guān)晶體管組和第 二開關(guān)晶體管組的柵電極和第一電極的第二電極可為電浮置。為了與第一開關(guān)晶體管組 和第二開關(guān)晶體管組的負載條件相匹配，可以將浮置的第二電極連接到電浮置的線147和 148。圖6示出了與圖4不同的將第一至第四信號線141至144在顯示單元130的上外 側(cè)布線的一個例子。如圖6所示，偽電路151和155鄰近于容易引入靜電的第一至第四信 號焊盤171至174形成。因此，即使靜電通過第一至第四信號焊盤171至174引入，靜電的 相當(dāng)一部分被感應(yīng)而釋放掉，從而對導(dǎo)通電路161和165的損壞程度很小。參見圖7，圖7示出了與圖6的電路結(jié)構(gòu)相似的顯示設(shè)備，與圖6不同的只是在圖 7中，在第一至第四信號線141至144與偽電路151和155之間的路徑是縱向布線的。在此 結(jié)構(gòu)中，如果靜電通過第一至第四信號焊盤171至174被引入，該靜電沿著縱向布線的第一至第四信號焊盤171至174流過，從而該靜電的一部分可以被釋放掉。隨后，當(dāng)靜電通過偽 電路151和155時，靜電的相當(dāng)一部分被感應(yīng)而釋放掉。如上可見，本發(fā)明提供了一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備能夠在具有導(dǎo)通電路以確定 形成在面板上的子像素的導(dǎo)通狀態(tài)的顯示設(shè)備的制造過程中，防止包括在子像素中的導(dǎo)通 電路或電路被從外部弓丨入的靜電損壞。前述示范性的實施例應(yīng)用于在顯示設(shè)備的制造過程中在基板上形成子像素和用 于確定子像素的導(dǎo)通狀態(tài)的導(dǎo)通電路的方法。根據(jù)該示范性的實施例，對每個單元來說，作 為顯示器件的多個元件形成在很大的母基板上，即使在分別切割多個元件的工序中引入了 靜電，偽電路都可以釋放掉靜電。其次，由于能夠按照防止導(dǎo)通電路被在制造顯示設(shè)備的過 程中引入的靜電損壞的方式完成電路設(shè)計，所以本發(fā)明能夠提高制造顯示設(shè)備的產(chǎn)量，并 獲得價格競爭力。前述的實施例和優(yōu)點僅僅是示范性的而并不作為本發(fā)明的限制。此處的教導(dǎo)可以 很容易地實施于其它類型的設(shè)備中。本發(fā)明的公開意在于解釋本發(fā)明，而并不限制權(quán)利要 求的范圍。對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，多種更改、變化和變型是顯而易見的。
權(quán)利要求
一種顯示設(shè)備，包括基板；顯示單元，具有位于所述基板上的子像素；信號線，布置在所述基板上；導(dǎo)通電路，連接到所述信號線，并響應(yīng)于通過所述信號線提供的導(dǎo)通信號使所述子像素導(dǎo)通；以及偽電路，連接到所述信號線，早于所述導(dǎo)通電路感應(yīng)經(jīng)由所述信號線引入的外來的電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述偽電路在比所述導(dǎo)通電路所在的低優(yōu)先 級的區(qū)域優(yōu)先的區(qū)域內(nèi)連接到所述信號線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述偽電路包括并聯(lián)連接到所述導(dǎo)通電路所 包括的開關(guān)晶體管的柵電極和第一電極的多個偽晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，其中在所述偽晶體管的電極中，未連接到所述開 關(guān)晶體管的柵電極和第一電極的第二電極是電浮置的。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，其中所述偽晶體管的至少一個按照與所述開關(guān)晶 體管相同的結(jié)構(gòu)形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中所述浮置的第二電極連接到電浮置的線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其中所述導(dǎo)通電路包括第一開關(guān)晶體管組，提供第一驅(qū)動信號到所述子像素所包括的第一晶體管的柵電極；以及第二開關(guān)晶體管組，提供第二驅(qū)動信號到所述第一晶體管的第一電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其中所述偽電路包括第一偽晶體管組，并聯(lián)連接到所述第一開關(guān)晶體管組的柵電極和第一電極；以及 第二偽晶體管組，并聯(lián)連接到所述第二開關(guān)晶體管組的柵電極和第一電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述信號線包括第一信號線，連接到所述偽電路所包括的所述第一偽晶體管組的柵電極； 第二信號線，連接到所述第一偽晶體管組的第一電極； 第三信號線，連接到所述第二偽晶體管組的柵電極； 第四信號線，連接到所述第二偽晶體管組的第一電極；以及 第五信號線，連接到所述子像素的高電勢電源線。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述信號線分別連接到信號焊盤，所述偽電 路比所述導(dǎo)通電路更鄰近于所述信號焊盤。
11.一種顯示設(shè)備，包括 基板； 顯示單元，具有位于所述基板上的子像素； 信號線，布置在所述基板上；導(dǎo)通電路，連接到所述信號線，并響應(yīng)于通過所述信號線提供的導(dǎo)通信號使所述子像 素導(dǎo)通；以及偽電路，按照比所述導(dǎo)通電路高的優(yōu)先級連接到所述信號線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，其中所述偽電路包括并聯(lián)連接到所述導(dǎo)通電路所包括的開關(guān)晶體管的柵電極和第一電極的多個偽晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示設(shè)備，其中在所述偽晶體管的電極中，未連接到所述 開關(guān)晶體管的柵電極和第一電極的第二電極是電浮置的。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示設(shè)備，其中所述偽晶體管的至少一個按照與所述開關(guān) 晶體管相同的結(jié)構(gòu)形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示設(shè)備，其中所述浮置的第二電極連接到電浮置的線。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，其中所述導(dǎo)通電路包括第一開關(guān)晶體管組，提供第一驅(qū)動信號到所述子像素所包括的第一晶體管的柵電極;以及第二開關(guān)晶體管組，提供第二驅(qū)動信號到所述第一晶體管的第一電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中所述偽電路包括第一偽晶體管組，并聯(lián)連接到所述第一開關(guān)晶體管組的柵電極和第一電極；以及 第二偽晶體管組，并聯(lián)連接到所述第二開關(guān)晶體管組的柵電極和第一電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，其中所述信號線包括第一信號線，連接到所述偽電路所包括的所述第一偽晶體管組的柵電極； 第二信號線，連接到所述第一偽晶體管組的第一電極； 第三信號線，連接到所述第二偽晶體管組的柵電極； 第四信號線，連接到所述第二偽晶體管組的第一電極；以及 第五信號線，連接到所述子像素的高電勢電源線。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，所述信號線分別連接到信號焊盤，所述偽電路 比所述導(dǎo)通電路更鄰近于所述信號焊盤。
全文摘要
一種顯示設(shè)備，包括基板；顯示單元，具有位于基板上的子像素；信號線，布置在基板上；導(dǎo)通電路，連接到信號線，并響應(yīng)于通過信號線提供的導(dǎo)通信號使子像素導(dǎo)通；以及偽電路，連接到信號線，早于導(dǎo)通電路中感應(yīng)經(jīng)由信號線引入的外來的電。
文檔編號G09G5/00GK101930697SQ200910253429
公開日2010年12月29日 申請日期2009年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月22日
發(fā)明者尹盛煜, 李浩榮, 金重鐵 申請人:樂金顯示有限公司