專利名稱：等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示裝置，更特別地，涉及一種具有基架(chassis base)的等離子體顯示裝置，該基架具有改善的結(jié)構(gòu)以用于有效減小等離子 體顯示面板(PDP)引起的電磁干擾(EMI)。
背景技術(shù)：
等離子體顯示裝置是一種平面顯示裝置，當(dāng)預(yù)定電壓施加到置于基板的 相對面上的電極時，其通過注入在面對的基板之間的放電氣體產(chǎn)生的紫外線 發(fā)射的光來形成圖像。與其他顯示器相比，等離子體顯示裝置可制造為具有 比若干厘米更小的小厚度，大屏幕以及寬視角。因此，它們作為下一代顯示 裝置已經(jīng)引起關(guān)注。
常規(guī)等離子體顯示裝置包括用于利用氣體放電產(chǎn)生的等離子體顯示圖 像的等離子體顯示面板(PDP)、用于支承PDP的基架、以及用于提供信號 到PDP的電極的電路板組件。電路板組件安裝于基架的一面，與安裝PDP 的面相反。
基架由金屬性材料形成，例如具有大的機(jī)械剛性的鋁，且設(shè)置在PDP 后面以固定電路板組件且加固PDP。
基架還用作散發(fā)PDP和電路板組件中產(chǎn)生的熱的熱沉(heat sink),且用 作電磁輻射接地以減小電磁干擾(EMI )。
PDP被高頻和高壓電信號驅(qū)動，從而產(chǎn)生強(qiáng)電磁干擾。PDP和電路板組 件產(chǎn)生低帶寬(約30-200 MHz)噪聲，PDP的操作性能被100MHz頻率的 噪聲影響。PDP產(chǎn)生的電磁干擾影響PDP附近的人體或其他電子器件，且 因此必須一皮控制到比標(biāo)準(zhǔn)水平更4氐的水平。
基架提供等離子體顯示裝置中最大的接地區(qū)域。因此，當(dāng)驅(qū)動PDP期 間產(chǎn)生的電磁干擾到達(dá)基架時，存在基架用作天線進(jìn)一步傳播電磁千擾的問 題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種等離子體顯示裝置，其包括具有改善的結(jié)構(gòu)的基架，該 基架不用作傳播等離子體顯示面板運(yùn)行期間產(chǎn)生的電磁干擾的天線。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種等離子體顯示裝置，包括PDP(等 離子體顯示面板)；以及基架，包括設(shè)置于PDP后面的同一平面上的多個金 屬性板，以及連接所述金屬性板的側(cè)面且具有電絕緣屬性的連接構(gòu)件。
所述金屬性板的寬度和長度可小于一帶寬的波長人的1/4,在所述帶寬中 等離子體顯示裝置中的電磁場為最大。
所述波長人可通過下面的等式荻得，
其中C是光速，s是介質(zhì)的介電常數(shù)，iu是介質(zhì)的磁導(dǎo)率(permeability), f是帶寬的頻率，該帶寬中電磁場最大。
凹陷可沿所述連接構(gòu)件的朝向所述金屬性板的側(cè)面形成，所述金屬性板 可插入在該凹陷中。
突出可形成在所述金屬性板的朝向所述連接構(gòu)件的側(cè)面，該突出可以插 入在所述凹陷中。
凹陷可沿所述金屬性板的側(cè)面形成，所述連接構(gòu)件可插入該凹陷中。
所述連接構(gòu)件可包括與金屬性板之一 的側(cè)面接合的第 一連接部分以及 與另 一金屬性板的側(cè)面接合且連接到該第 一連接部分的第二連接部分。
凹陷可形成在該第一連接部分中，具有與所述凹陷對應(yīng)的形狀的突出可 形成在該第二連接部分中，從而該凹陷和該突出^^此嚙合，該第一連接部分 和該第二連接部分彼此連接。
該第一連接部分和該第二連接部分可通過螺栓與所述金屬性板的側(cè)面 接合。
凹陷可沿所述第 一和第二連接部分的朝向所述金屬性板的側(cè)面形成，所 述金屬性板可插入該凹陷中。
本發(fā)明的上述和其他方面和優(yōu)點(diǎn)將通過參照附圖詳細(xì)描述其示例性實(shí) 施例而變得更加顯然，附圖中


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的分解透視圖2是圖1的等離子體顯示裝置的部分基架的分解透視圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的基架的透視圖4是#4居本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的基架的局部透視
圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的基架的局部截面
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的基架的局部截面
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的基架的分解透視
圖8是圖7的基架的截面圖9是示出常規(guī)等離子體顯示裝置中測量的噪聲的圖；以及
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的等離子體顯示裝置中測量的噪聲的圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示范性實(shí)施例。
圖l是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的分解透視圖。圖l所 示的等離子體顯示裝置包括通過氣體放電實(shí)現(xiàn)圖像的等離子體顯示面板 (PDP) IO以及設(shè)置在PDP 10背側(cè)的基架30。另外，驅(qū)動PDP IO的電路 板組件22設(shè)置于基架30上。
PDP 10包括前基板11和背基板12，其彼此面對。由阻擋肋定義的多個 放電空間形成在前基板11和背基板12之間，地址電極和顯示電極(維持電 極和掃描電極的對)彼此交叉于放電空間中。當(dāng)驅(qū)動信號施加于地址電極和 顯示電極之間時，氣體放電發(fā)生在放電空間中，通過氣體放電/A^丈電空間沿 朝向前基板ll的方向發(fā)射可見光，從而圖像顯示在PDP10上。
基架30安裝在PDP 10的背基板12后面?；?0由具有大機(jī)械剛性的 材料形成以支承PDP 10和電路板組件22。
散熱片13和雙面帶14置于PDP10的背面和基架30的前面之間。散熱
片13沿平面方向(x-z平面方向)傳導(dǎo)且發(fā)散PDP IO中由于氣體放電產(chǎn)生 的熱。散熱片13可由具有高熱導(dǎo)率的壓克力(acryl)基散熱材料、石墨基 散熱材料、金屬基散熱材料、或碳納米管基散熱材料形成。
此外，由于雙面帶14用于將PDP 10和基架30彼此貼附，所以散熱片 13可緊密附著到PDP 10背面和基架30前面。
電路板組件22利用固定螺絲19安裝于基架30的凸出部(boss ) 18中。 電路板組件22包括圖像處理/控制板組件24、地址緩沖板組件25、掃描驅(qū)動 板組件26、維持驅(qū)動板組件27和開關(guān)模式電源(SMPS)板組件28。
圖像處理/控制板組件24接收外部圖像信號以產(chǎn)生用于驅(qū)動地址電極、 掃描電極或維持電極的控制信號?？刂菩盘柺┘拥降刂肪彌_板組件25、掃描 驅(qū)動板組件26或維持驅(qū)動板組件27。地址緩沖板組件25產(chǎn)生地址脈沖信號， 其施加到PDP10的地址電極。掃描驅(qū)動板組件26產(chǎn)生掃描脈沖信號，其施 加到PDP10的掃描電極。維持驅(qū)動板組件27產(chǎn)生維持脈沖信號，其施加到 PDP 10的維持電極。SMPS板組件28提供用于驅(qū)動PDP 10的電源。
圖2是圖1的等離子體顯示裝置的部分基架30的分解透視圖?；?0 包括設(shè)置于PDP 10后面的同一平面上的多個金屬性板31和32，以及具有電 絕緣屬性的連接構(gòu)件40。金屬性板31和32的側(cè)面通過連接構(gòu)件40彼此連 接。
如圖2所示，凹陷45形成在連接構(gòu)件40的朝向金屬性板31和32的側(cè) 面中。金屬性板31和32插在連接構(gòu)件40的凹陷45中從而相鄰的金屬性板 31和32可〗皮此連4妻。
金屬性板31和32包括插在凹陷45中的突出31a和32a，從而金屬性板 31和32以及連接構(gòu)件40能穩(wěn)固地彼此結(jié)合。
如圖1和2所示，由于基架30包括多個金屬性板31和32, PDP 10中 產(chǎn)生的且通過基架30傳播的電磁場能被最小化。金屬性板31和32的寬度 "和長度L2小于一帶寬的波長人的1/4,在該帶寬中PDP10中產(chǎn)生的電^f茲場 為最大。
已知當(dāng)天線的長度是產(chǎn)生電^t場的帶寬的波長X的1/4時天線具有最大 效率。在現(xiàn)有技術(shù)中，由于基架的長度大于產(chǎn)生電磁場的帶寬的波長X的1/4， 所以基架用作天線且等離子體顯示裝置對低帶寬中的EMI高度敏感。然而， 在本發(fā)明中，由于基架30包括具有比產(chǎn)生電磁場的帶寬的波長X的1/4小的
寬度L)和長度L2的多個金屬性板31和32,所以基架30不用作天線，且因 此EMI能被減小。
通過測量當(dāng)維持驅(qū)動板組件27提供維持脈沖信號時產(chǎn)生的維持噪聲的 強(qiáng)度，PDP 10中產(chǎn)生的電磁場基本在80 MHz的頻率處最大。
當(dāng)電磁場最大處的帶寬的頻率是f (Hz)且電J茲場的波長是X (m)時， 根據(jù)方程式1獲得電磁場的速度v (m/s)。<formula>formula see original document page 7</formula> (1)
另外，當(dāng)光速是C(m/s)，介質(zhì)的介電常數(shù)是s，且介質(zhì)的磁導(dǎo)率
(permeability )是(i時，通過方程式2獲得EMI的速度v。
<formula>formula see original document page 7</formula>
(2)
因此，通過結(jié)合方程式1和2，電磁場最大處的波長X (m)由方程式3 給出。
<formula>formula see original document page 7</formula>(3)
當(dāng)光速C-3 x 108m/s,叫=4，且f-80MHz代入方程式3時，通過方 程式4獲得波長X (m)。
<formula>formula see original document page 7</formula>
<formula>formula see original document page 7</formula> (5 )
因此，金屬性板31和32的寬度L,和長度L2應(yīng)小于468.75mm。
如果基架30的總寬度W和總長度L分別為1155 mm和671 mm,則金 屬性板31和32的寬度L可小于385 mm,即總寬度W除以三部分獲得的 值，金屬性板31和32的長度L2可小于335.5 mm，即總長度L除以2所獲 得的值。因此，基架30的金屬性板的數(shù)量為6,如圖1所示，且金屬性板 31和32每個的寬度"和長度L2小于電磁場最大處的帶寬的波長人的1/4。
在常規(guī)等離子體顯示裝置中，僅使用根據(jù)PDP尺寸的一個基架。因此， 基架用作天線且強(qiáng)的電磁場產(chǎn)生在PDP中。
然而，在本發(fā)明中，圖1所示的基架30的金屬性板31和32通過連接
構(gòu)件40彼此絕緣。因此，通過分成多個金屬性板31和32的基架30， PDP 10 產(chǎn)生的電^f茲場沿垂直方向減小到一半且沿水平方向減小到1/3。
此外，由于金屬性板31和32不用作傳播電磁場的天線，因此EMI能 顯著減小。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的基架的透視圖。圖 3的基架130包括設(shè)置于PDP后面同一平面上的多個金屬性板131和132， 以及連接金屬性板131和132的側(cè)面且具有電絕緣屬性的連接構(gòu)件140。
凹陷145形成在連接構(gòu)件140的朝向金屬性板131和132的側(cè)面中，金 屬性板131和132的側(cè)面直接插入到凹陷145中。在圖2中，突出設(shè)置在金 屬性板的側(cè)面且插入在凹陷中。在本實(shí)施例中，凹陷145的寬度對應(yīng)于金屬 性板131和132的厚度且金屬性板131和132的側(cè)面插入在凹陷145中，從 而金屬性板131和132以及連4妻構(gòu)件140能彼此連接。
圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的基架的局部透視 圖。圖4的基架230包括設(shè)置于PDP后面的同一平面上的多個金屬性板231 和232，以及連接金屬性板231和232的側(cè)面且具有電絕緣屬性的連接構(gòu)件 240。
凹陷245形成在連接構(gòu)件240的朝向金屬性4反231和232的側(cè)面中，突 出246形成在凹陷245中且沿連"l妻構(gòu)件240的側(cè)面延伸。
金屬性板231和232的邊緣插入在連接構(gòu)件240的凹陷245中。具有與 突起246對應(yīng)的形狀的槽236a和236b形成在金屬性板231和232的插入于 凹陷245中的邊緣的前和背面。
當(dāng)金屬性板231和232的邊緣與凹陷245以上述構(gòu)造結(jié)合時，槽236a 和236b以及突起246嚙合且彼此結(jié)合從而金屬性板231和232以及連接構(gòu) 件240能穩(wěn)固地組裝，且基架230的整體剛性能得到提高。
圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的基架的局部截面 圖。圖5所示的設(shè)置于PDP (未示出)后面的基架330包括設(shè)置于同一平面 上的多個金屬性板331和332，以及連接金屬性^反331和332的側(cè)面且具有 電絕緣屬性的連接構(gòu)件340。
凹陷335形成在金屬性板331和332的朝向連接構(gòu)件340的側(cè)面中且沿 金屬性板331和332延伸。連4妄構(gòu)件340的側(cè)邊緣插入在凹陷335中從而金 屬性板331和332以及連接構(gòu)件340能彼此連接。
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的基架的局部截面
圖。圖6所示的設(shè)置于PDP (未示出)后面的基架430包括設(shè)置于PDP后 面的同一平面上的多個金屬性板431和432,以及連接金屬性板431和432 的側(cè)面且具有電絕緣屬性的連接構(gòu)件440。
凹陷435形成在金屬性板431和432的朝向連4妄構(gòu)件440的側(cè)面中且沿 金屬性板431和432延伸。突起445形成在連接構(gòu)件440的朝向金屬性板431 和432的側(cè)面中且沿連接構(gòu)件440的側(cè)面延伸。連接構(gòu)件440的突起445與 金屬性板431和432的凹陷435結(jié)合從而連接構(gòu)件440和金屬性板431 、432 能穩(wěn)定地組裝。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的基架的分解透視 圖，圖8是圖7的基架的截面圖。
圖7和8所示的基架530包括設(shè)置于PDP(未示出)后面的同一平面上 的多個金屬性板531和532,以及連接金屬性板531和532的側(cè)面且具有電 絕緣屬性的連接構(gòu)件540。
本實(shí)施例的連接構(gòu)件540包括與一側(cè)面金屬性板531結(jié)合的第一連接部 分541和與另一側(cè)面金屬性板532結(jié)合的第二連接部分542，與上述實(shí)施例 中一個連接構(gòu)件連接兩個金屬性板不同。第一連接部分541與一側(cè)面金屬性 板531的側(cè)面531a接合，第二連接部分542與另一側(cè)面金屬性板532的與 所述一側(cè)面金屬性板531相對的側(cè)面532a接合。
第一連接部分541和第二連接部分542可通過螺栓53與金屬性板531 和532接合。此外，凹陷544形成在連接部分541中，具有與凹陷5"對應(yīng) 的形狀的突出545形成在第二連接部分542中。由于上述構(gòu)造，凹陷544和 突出545彼此嚙合從而第一連接部分541和第二連接部分542能彼此連接， 穩(wěn)固的組裝狀態(tài)能被維持。
第一連接部分541和第二連接部分542利用螺栓53與金屬性板531和 532接合，但是本發(fā)明不限于此。第一連接部分541和第二連接部分542可 通過在金屬性板531和532以及第一和第二連^^妻部分541和542的側(cè)面形成 凹陷和突起且將它們結(jié)合而彼此連接，如圖2-6那樣。另外，第一連接部分 541和第二連接部分542可利用粘合劑而與金屬性板531和532結(jié)合。
圖9是示出常規(guī)等離子體顯示裝置中測量的噪聲的圖，圖IO是示出根 據(jù)本發(fā)明 一 實(shí)施例的等離子體顯示裝置中測量的噪聲的圖。
參照圖9，常規(guī)等離子體顯示裝置的基架的寬度和長度分別是1155 mm 和671 mm。
如圖9所示，在36.1 MHz頻率處在部分A中噪聲具有最大值63.9 dB。
圖10示出在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有基架的等離子體顯示裝置中測 量的噪聲，該基架被分成通過連接構(gòu)件電絕緣的多個金屬性板。金屬性板的 寬度和長度分別是385 mm和223 mm。
如圖10所示，在32.7MHz頻率處在部分B中噪聲具有最大值59.31 dB。 因此，可以斷定由于不用作天線的改善的基架結(jié)構(gòu)，最大電磁輻射被減小。
雖然已經(jīng)參照其示范性實(shí)施例特別顯示和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員將理解，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變而不偏離所附權(quán)利要 求定義的本發(fā)明的思想和范圍。
本申請要求2007年9月6日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請 No.l0-2007-00卯591的優(yōu)先權(quán)，在此以引用方式并入其全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1. 一種等離子體顯示裝置，包括:等離子體顯示面板；以及基架，包括設(shè)置于該等離子體顯示面板后面的同一平面上的多個金屬性板，以及連接所述金屬性板的側(cè)面且具有電絕緣屬性的連接構(gòu)件。
2. 如權(quán)利要求1的等離子體顯示裝置，其中該金屬性板的寬度和長度小 于一帶寬的波長人的1/4，在該帶寬中該等離子體顯示裝置的電磁場最大。
3. 如權(quán)利要求2的等離子體顯示裝置，其中所述波長人通過下面的方程其中C是光速，s是介質(zhì)的介電常數(shù)，p是介質(zhì)的磁導(dǎo)率，f是其中電磁場最 大的帶寬的頻率。
4. 如權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)的等離子體顯示裝置，其中沿所述連接構(gòu) 件的朝向所述金屬性板的側(cè)面形成凹陷，且所述金屬性板插入所述凹陷中。
5. 如權(quán)利要求4的等離子體顯示裝置，其中突出形成在所述金屬性板的 朝向所述連接構(gòu)件的側(cè)面，所述突出插入所述凹陷中。
6. 如權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)的等離子體顯示裝置，其中沿所述金屬性 ^!的側(cè)面形成凹陷，所述連接構(gòu)件插入該凹陷中。
7. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示裝置，其中所述連接構(gòu)件包括與所述金 屬性板之一接合的第一連接部分和與另一金屬性板的側(cè)面接合且連接到所 述第 一連接部分的第二連接部分。
8. 如權(quán)利要求7的等離子體顯示裝置，其中凹陷形成在所述第一連接部 分中，具有與所述凹陷對應(yīng)的形狀的突出形成在該第二連接部分中，從而所 述凹陷和所述突出彼此嚙合且該第 一連接部分和該第二連接部分彼此連接。
9. 如權(quán)利要求7或8的等離子體顯示裝置，其中該第一連接部分和該第 二連接部分通過螺栓與所述金屬性板的側(cè)面接合。
10. 如權(quán)利要求7或8的等離子體顯示裝置，其中沿所述第一和第二連 接部分的朝向所述金屬性板的側(cè)面形成凹陷，所述金屬性板插入所述凹陷 中。式得到,
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體顯示裝置，其包括等離子體顯示面板和基架，該基架包括設(shè)置于該等離子體顯示面板后面的同一平面上的多個金屬性板，以及連接所述金屬性板的側(cè)面且具有電絕緣屬性的連接構(gòu)件。因此，該基架不能用作天線，從而電磁干擾能被減少。
文檔編號G09F9/00GK101383110SQ20081021282
公開日2009年3月11日 申請日期2008年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月6日
發(fā)明者呂宰英 申請人:三星Sdi株式會社