專利名稱：等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法。
技術(shù)背景

圖16是表示等離子體顯示裝置的第1構(gòu)成例的電路示意圖，圖17 是表示其驅(qū)動方法的時序圖(參照后述的專利文獻(xiàn)l)。電壓VXi是電 極Xi的電壓，電流IL1是在線圈(coil) Ll中流通的電流，電壓VY1 是電極Yi的電壓，電流IL2是在線圈L2中流動的電流。電壓Vxy是 電極Xi和Yi間的兩端電壓，以電壓VXi-VYi表示。電極Xi以及Yi是用于進(jìn)行放電的電極。容量Cp為電極Xi和Yi 間的電容。驅(qū)動電路4向電極Xi供給電壓VXi。驅(qū)動電路5向電極 Yi供給電壓VYi。在時刻tl，僅使電壓LU1和CD2為高電平。這樣，如圖18所示， 只有晶體管Slul和Ssd2閉合，通過接地電位GND的端子流通電流II。 線圈電流IL1流通，利用電容Cp和線圈Ll的LC共振，電壓VXi從 0V向正的電壓Vs上升。接著，在時刻t2，使電壓LU1為低電平，使電壓CU1為高電平。 這樣，如圖19所示，只有晶體管Ssul和Ssd2閉合，電流I2流通。電 壓VXi被固定在電壓Vs。之后，電壓CU1成為低電平，晶體管Ssul 的狀態(tài)變化為斷開。接著，在時刻t3，使電壓LD1為高電平。這樣，如圖20所示， 只有晶體管Sldl和Ssd2閉合，通過接地電位GND的端子流通電流13。 線圈電流IL1流通，利用電容Cp和線圈Ll的LC共振，電壓VXi從 電壓Vs向0V下降。接著，在時刻t4,使電壓LD1為低電平，使電壓CD1和CD2為 高電平。這樣，如圖21所示，晶體管Ssdl閉合，電流I4流通。電壓 VXi被固定在0V。之后，使電壓LU2為髙電平。這樣，如圖22所示，只有晶體管Ssdl和Slu2閉合，通過接地電位GND的端子流通電流15。線圈電流 IL2流通，利用電容Cp和線圈L2的LC共振，電壓VYi從0V向電壓 Vs上升。接著，在時刻t5,使電壓LU2為低電平，使電壓CU2為高電平。 這樣，如圖23所示，晶體管Ssu2閉合，電流I6流通。電壓VYi被固 定在Vs。之后，使電壓CU2為低電平，將晶體管Ssu2斷開。接著，在時刻t6，使電壓LD2為高電平。這樣，如圖24所示， 只有晶體管Ssdl和Sld2閉合，通過接地電位GND的端子流通電流I7。 線圈電流IL2流通，利用電容Cp和線圈L2的LC共振，電壓VYi從 電壓Vs向0V下降。之后，使電壓CD1和LD2為低電平，使電壓CD2為高電平。這 樣，如圖25所示，晶體管Ssd2閉合，電流I8流通。電壓VYi被同定 在0V。之后，返回到時刻tl，重復(fù)周期TT的動作。如上所述，LC共振電路是電容Cp和線圈Ll、 L2的串聯(lián)共振電 路。該等離子體顯示裝置需要用于開始串聯(lián)共振的晶體管Slul、 Sldl、 Slu2、 Sld2以及用于傳送電容Cp的電荷的電容C1、 C2，因此存在電路元件增多的缺點。另外，在電壓VXi的LC共振和電壓VYi的LC共振之間，需要 電壓Vxy成為OV的休止期間，因此存在周期TT變長的缺點。另外，在1個周期TT內(nèi)，存在用于LC共振的開關(guān)次數(shù)增多至4 次的缺點。圖26是表示等離子體顯示裝置的第2構(gòu)成例的電路圖。圖27是 表示其驅(qū)動方法的時序圖(參照后述的專利文獻(xiàn)2)。電壓VXi是電極 Xi的電壓，電壓VYi是電極Yi的電壓，電流IL是在線圈中流通的電 流。電壓Vxy是電極Xi和Yi間的兩端電壓，用電壓VXi-VYi表示。電極Xi和Yi是用于進(jìn)行放電的電極。電容Cp是電極Xi和Yi間 的電容。驅(qū)動電路4向電極Xi供給電壓VXi，驅(qū)動電路5向電極Yi 供給電壓VYi。充放電電路部2601具有線圈L和晶體管Slu、 Sld。在時刻tl之前，電壓VXi為OV，電壓VYi成為電壓Vs。在時刻 tl，僅使電壓LD為髙電平。這樣，只有晶體管Sld閉合，線圈電流IL 流通，利用電容Cp和線圈L的LC共振，電壓VXi從OV向電壓Vs上升，電壓VYi從電壓Vs向OV下降。接著，在時刻仏使電壓CU1和CD2為高電平。這樣，晶體管 Ssul和Ssd2閉合，電壓VXi被固定在電壓Vs，電壓VYi被固定在0V。 之后，使電壓LD為低電平，使晶體管Sld斷開。之后，使電壓CU1 和CD2為低電平，使晶體管Ssul和Ssd2斷開。接著，在時刻t3，使電壓LU為髙電平，使晶體管Slu閉合。線圈 電流IL流通，利用電容Cp和線圈L的LC共振，電壓VXi從電壓Vs 向OV下降，電壓VYi從OV向電壓Vs上升。接著，在時刻t4，使電壓CU2和CD1為高電平，使晶體管Ssu2 和Ssdl閉合。電壓VXi被固定在OV，電壓VYi被固定在電壓Vs。之 后，使電壓LU為低電平，使晶體管Slu斷開。之后，使電壓CU2和 CD1為低電平，使晶體管Ssu2和Ssdl斷開。然后，返回到時刻tl， 重復(fù)周期TT的動作。如上所述，LC共振電路成為電容Cp和線圈L的并聯(lián)共振電路。 該等離子體顯示裝置需要用于開始并聯(lián)共振的晶體管Slu和Sld，因此 存在電路元件增多的缺點。另外，還存在在驅(qū)動電路4和5之間，需要具備包含流通共振電 流的路徑的充放電電路部2601的缺點。另外，后述的專利文獻(xiàn)3中揭示了具有用于平板顯示器(Flat Panel Display)的能量回復(fù)部的驅(qū)動電路。專利文獻(xiàn)l:日本特開昭63-101897號公報專利文獻(xiàn)2:日本特開平8-152865號公報專利文獻(xiàn)3:日本特表2003-533722號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種電路元件少，電壓周期短，控制簡單的 等離子體顯示裝置及其控制方法。本發(fā)明的等離子體顯示裝的驅(qū)動方法，其特征在于上述等離子 體顯示裝置，具有用于進(jìn)行放電的第1和第2電極，與上述第1電 極連接的第1線圈，與上述第2電極連接的第2線圈，被供給有第1 電位的第1電位端子，被供給有與上述第1電位不同的第2電位的第2電位端子，連接在上述第1電極和上述第1電位端子之間的第1開關(guān)單元，連接在上述第1電極和上述第2電位端子之間的第2開關(guān)單元， 連接在上述第2電極和上述第1電位端子之間的第3開關(guān)單元，連接 在上述第2電極和上述第2電位端子之間的第4開關(guān)單元，通過上述 第1線圈連接在上述第1電極和上述第1電位端子之間的第1二極管， 通過上述第1線圈連接在上述第1電極和上述第2電位端子之間的第2 二極管，通過上述第2線圈連接在上述第2電極和上述第1電位端子 之間的第3 二極管，通過上述第2線圈連接在上述第2電極和上述第2 電位端子之間的第4二極管；并具有如下步驟第1步驟，使上述第1 和第4開關(guān)單元斷開，并使上述第2和第3開關(guān)單元閉合，第2步驟， 在上述第1步驟之后，使上述第1開關(guān)單元閉合，并使上述第2 第4 開關(guān)單元斷開，和第3步驟，在上述第2步驟之后，使上述第1和第4 開關(guān)單元閉合，并使上述第2和第3開關(guān)單元斷開。另外，本發(fā)明的等離子體顯^裝置，其特征在于，具有用于進(jìn) 行放電的第1和第2電極，與上述第1電極連接的第1線圈，與上述 第2電極連接的第2線圈，被供給有第1電位的第1電位端子，被供 給有與上述第i電位不同的第2電位的第2電位端子，連接在上述第1 電極和上述第1電位端子之間的第1開關(guān)單元，連接在上述第1電極 和上述第2電位端子之間的第2開關(guān)單元，連接在上述第2電極和上 述第1電位端子之間的第3開關(guān)單元，連接在上述第2電極和上述第2 電位端子之間的第4開關(guān)單元，通過上述第1線圈連接在上述第1電 極和上述第1電位端子之間的第1二極管，通過上述第1線圈連接在 上述第1電極和上述第2電位端子之間的第2 二極管，通過上述第2 線圈連接在上述第2電極和上述第1電位端子之間的第3 二極管，通 過上述第2線圈連接在上述第2電極和上述第2電位端子之間的第4 二極管；和進(jìn)行如下步驟的驅(qū)動電路，第1步驟，使上述第1和第4 開關(guān)單元斷開，并使上述第2和第3開關(guān)單元閉合；第2步驟，在上 述第1步驟之后，使上述第1開關(guān)單元閉合，并使上述第2 第4開關(guān) 單元斷開；和第3步驟，在上述第2步驟之后，使上述第1和第4開 關(guān)單元閉合，并使上述第2和第3開關(guān)單元斷開。件，從而降低成本。另外，由于可以減少LC共振的次數(shù)，因此，第l 第4開關(guān)單元的控制變得簡單，從而能夠使第1和第2電極的電壓周 期變短。由此，每單位時間的放電次數(shù)增加，提高了亮度。圖1為表示本.發(fā)明的第1實施方式的等離子體顯示裝置的構(gòu)成例 的示意圖。圖2為表示等離子體顯示面板的構(gòu)造的分解立體圖。圖3為表示圖像的1幀的構(gòu)成例的示意圖。圖4為表示第1實施方式的X電極驅(qū)動電路、Y電極驅(qū)動電路和 地址電極驅(qū)動電路的構(gòu)成例的電路圖。圖5為表示圖4的X電極驅(qū)動電路和Y電極驅(qū)動電路的驅(qū)動方法 的時序圖。圖6為表示在圖4的電路中流通的電流的示意圖。 圖7為表示在圖4的電路中流通的電流的示意圖。 圖8為表示在圖4的電路中流通的電流的示意圖。 圖9為表示在圖4的電路中流通的電流的示意圖。 圖10為表示本發(fā)明的第2實施方式的X電極驅(qū)動電路、Y電極驅(qū)動電路和地址電極驅(qū)動電路的構(gòu)成例的電路圖。圖11為表示圖10的X電極驅(qū)動電路和Y電極驅(qū)動電路的驅(qū)動方法的時序圖。圖12為表示在圖10的電路中流通的電流的示意圖。 圖13為表示在圖10的電路中流通的電流的示意圖。 圖14為表示在圖10的電路中流通的電流的示意圖。 圖15為表示在圖10的電路中流通的電流的示意圖。 圖16為表示等離子體顯示裝置的第1構(gòu)成例的電路圖。 圖17為表示圖16的電路的驅(qū)動方法的時序圖。 圖18為表示在圖16的電路中流通的電流的示意圖。 圖19為表示在圖16的電路中流通的電流的示意圖。 圖20為表示在圖16的電路中流通的電流的示意圖。 圖21為表示在圖16的電路中流通的電流的示意圖。圖22為表示在圖16的電路中流通的電流的示意圖。圖23為表示在圖16的電路中流通的電流的示意圖。圖24為表示在圖16的電路中流通的電流的示意圖。圖25為表示在圖16的電路中流通的電流的示意圖。圖26為表示等離子體顯示裝置的第2構(gòu)成例的電路圖。圖27為表示圖26的電路的驅(qū)動方法的時序圖。符號說明1前面玻璃基板2背面玻璃基板3等離子體顯示面板4 X電極驅(qū)動電路5 Y電極驅(qū)動電路 6地址電極驅(qū)動電路 7控制電路13、 16電介質(zhì)層 14保護(hù)層 17隔壁 18 20熒光體具體實施方式
(第1實施方式)圖1是表示本發(fā)明的第1實施方式的等離子體顯示裝置的構(gòu)成例 的示意圖?？刂齐娐?對X電極驅(qū)動電路4、 Y電極驅(qū)動電路5以及 地址電極驅(qū)動電路6進(jìn)行控制。X電極驅(qū)動電路4向多個X電極XI 、 X2、……供給規(guī)定的電壓。以下，稱各個X電極X1、 X2、……或它 們的總稱為X電極Xi, i為附加字符。Y電極驅(qū)動電路5向多個Y (掃 描(scan))電極Y1、 Y2、……供給規(guī)定的電壓。以下，稱各個Y電 極Y1、 Y2、……或它們的總稱為Y電極Yi， i為附加字符。地址電極 驅(qū)動電路6給多個地址電極A1、 A2、……供給規(guī)定的電壓。以下，稱 各個地址電極A1、 A2、……或它們的總稱為地址電極Aj， j為附加字 符。在等離子體顯示面板3中，Y電極Yi以及X電極Xi形成在水平 方向上并列延伸的行，地址電極Aj形成在垂直方向上延伸的列。Y電 極Yi和X電極Xi在垂直方向上交替地配置。Y電極Yi和地址電極 Aj形成i行j列的二維行列。由Y電極Yi和地址電極Aj的交點以及 與其相對應(yīng)的相鄰的X電極Xi形成顯示單元Cij。該顯示單元Cij與 像素相對應(yīng)，從而等離子體顯示面板3可以顯示出二維圖像。圖2是表示等離子體顯示面板3的構(gòu)造例的分解立體圖。X電極 Xi和Y電極Yi形成在前面玻璃基板1上。并且在其上面覆蓋有相對 放電空間絕緣的電介質(zhì)層13。在其上還覆蓋有MgO (氧化鎂)保護(hù)層 14。另一方面，在與前面玻璃基板1相對配置的背面玻璃基板2上形 成有地址電極Aj。在其上覆蓋有電介質(zhì)層16。在其上還覆蓋有熒光體 層18 20。在隔壁17的內(nèi)面，以條紋狀(stripe)按照各色排列涂敷 由紅、藍(lán)、綠色的熒光體18 20。通過X電極Xi以及Y電極Yi之間 的放電激發(fā)熒光體18 20從而使各種顏色的熒光體發(fā)光。在前面玻璃 基板1和背面玻璃基板2之間的放電空間中封入有Ne+Xe潘寧氣體 (Penning Gas)等。圖3是表示圖像的一幀F(xiàn)R的構(gòu)成例的示意圖。例如圖像是60幀/ 秒形成。1幀F(xiàn)R是由第1子幀SF1、第2子幀SF2、……、第n子幀 SFri構(gòu)成。該n例如為10，相當(dāng)于灰度等級位(bit)數(shù)。以下稱各個 子幀SF1、 SF2等或它們的總稱為子幀SF。各子幀SF是由復(fù)位期間Tr、地址期間Ta以及持續(xù)(維持放電) 期間Ts構(gòu)成。在復(fù)位期間Tr，對X電極Xi以及Y電極Yi施加規(guī)定 的電壓，進(jìn)行顯示單元Cij的初始化。在地址期間Ta中，利用地址電極Aj和Y電極Yi間的地址放電可 以進(jìn)行各顯示單元Cij的發(fā)光或非發(fā)光的選擇。具體的說，在地址期間 Ta中，對Y電極Yl、 Y2、……順次掃描并施加掃描脈沖(scanpulse)， 對應(yīng)于該掃描脈沖通過對地址電極Aj施加地址脈沖來選擇顯示像素。 如果對應(yīng)于Y電極Yi的掃描脈沖生成了地址電極Aj的地址脈沖，則 其Y電極Yi以及X電極Xi的顯示單元Cij被選擇。如果對應(yīng)于Y電 極Yi的掃描脈沖而沒有生成地址電極Aj的地址脈沖，則其Y電極Yi 以及X電極Xi的顯示單元Cij不被選擇。在對應(yīng)于掃描脈沖生成了地址脈沖時，引起地址電極Aj以及Y電極Yi之間的地址放電，以其為 火種而引起X電極Xi以及Y電極Yi之間的放電，并在X電極Xi上 積蓄負(fù)電荷，在Y電極Yi上積蓄正電荷。在持續(xù)期間Ts中，在X電極Xi以及Y電極Yi之間施加持續(xù)脈沖， 在被選擇的顯示單元Cij的X電極Xi以及Y電極Yi之間進(jìn)行持續(xù)放 電，進(jìn)行發(fā)光。在各SF中，由X電極Xi以及Y電極Yi之間的持續(xù) 脈沖引發(fā)的發(fā)光次數(shù)(持續(xù)期間Ts的長度)不同。由此可以決定灰度 等級值。圖4是表示本實施方式的X電極驅(qū)動電路4、 Y電極驅(qū)動電路5 以及地址電極驅(qū)動電路6的構(gòu)成例的電路示意圖。X電極Xi以及Y電 極Yi是用于進(jìn)行放電的電極。容量Cp是設(shè)置在X電極Xi以及Y電 極Yi之間的面板(panel)容量。容量Cxa是設(shè)置在X電極Xi以及地 址電極Aj之間的面板容量。容量Cya是設(shè)置在Y電極Yi以及地址電 極Aj之間的面板容量。接地(ground)端子是被供給接地電位GND 的端子。電源電壓端子是被供給電源電壓Vs的端子。電源電壓Vs是 比接地電位GND高的正電壓。首先對X電極驅(qū)動電路4的構(gòu)成進(jìn)行說明。線圈Ll與X電極Xi 連接。二極管(diode) Dul通過線圈Ll連接在X電極Xi和電源電壓 Vs端子之間。具體的說，二極管Dul的正極通過線圈Ll與X電極 Xi連接，負(fù)極與電源電壓Vs的端子連接。二極管Ddl通過線圈Ll連 接在: C電極Xi和接地電位GND的端子之間。具體的說，二極管Ddl 的正塊通過線圈Ll與X電極Xi連接，負(fù)極與接地電位GND的端子 連接。開關(guān)(switching)元件Ssul和二極管Dsul的串聯(lián)電路構(gòu)成開關(guān) 單元，連接在X電極Xi和電源電壓Vs的端子之間。開關(guān)元件Ssul 例如是n通道場效應(yīng)晶體管(n-Channel field-effect transistor)。晶體管 Ssul具有寄生二極管，柵極與電壓CU1連接，源極與X電極Xi側(cè)連 接，漏極與電源電壓Vs的端子側(cè)連接。其寄生二極管的正極與晶體管 Ssul的源極連接，負(fù)極與晶體管Ssul的漏極連接。二極管Dsul的正 極與電源電壓Vs的端子側(cè)連接，負(fù)極與X電極Xi側(cè)連接。開關(guān)元件Ssdl構(gòu)成開關(guān)單元，連接在X電極Xi和接地電位GND的端子之間。開關(guān)元件Ssdl例如是n通道場效應(yīng)晶體管。晶體管Ssdl 具有寄生二極管，柵極與電壓CD1連接，漏極與X電極Xi連接，源 極與接地電位GND的端子連接。其寄生二極管的正極與晶體管Ssdl 的源極連接，負(fù)極與晶體管Ssdl的漏極連接。接著，對Y電極驅(qū)動電路5的構(gòu)成進(jìn)行說明。線圈L2與Y電極 Yi連接。二極管Du2通過線圈L2連接在Y電極Yi和電源電壓Vs的 端子之間。具體的說是，二極管Du2的正極通過線圈L2與Y電極Yi 連接，負(fù)極與電源電壓Vs的端子連接。二極管Dd2通過線圈L2連接 在Y電極Yi和接地電位GND的端子之間，具體的說是，二極管Dd2 的負(fù)極通過線圈L2與Y電極Yi連接，正極與接地電位GND的端子 連接。開關(guān)元件Ssu2和二極管Dsu2的串聯(lián)電路構(gòu)成開關(guān)單元，連接在 Y電極Yi和電源電壓Vs的端子之間。幵關(guān)元件Ssu2例如是n通道場 效應(yīng)晶體管。晶體管Ssu2具有寄生二極管，柵極與電壓CU2連接，源 極與Y電極Yi側(cè)連接，漏極與電源電壓Vs的端子側(cè)連接。其寄生二 極管的正極與晶體管Ssu2的源極連接，負(fù)極與晶體管Ssu2的漏極連 接。二極管Dsu2的正極與電源電壓Vs的端子側(cè)連接，負(fù)極與Y電極 Yi側(cè)連接。開關(guān)元件Ssd2構(gòu)成開關(guān)單元，連接在Y電極Yi和接地電位GND 的端子之間。開關(guān)元件Ssd2例如是n通道場效應(yīng)晶體管。晶體管Ssd2 具有寄生二極管，柵極與電壓CD2連接，漏極與Y電極Yi連接，源 極與接地電位GND的端子連接。其寄生二極管的正極與晶體管Ssd2 的源極連接，負(fù)極與晶體管Ssd2的漏極連接。圖5是表示圖4的X電極驅(qū)動電路4和Y電極驅(qū)動電路5的驅(qū)動 方法的時序圖，表示圖3的持續(xù)期間Ts的動作。電壓VXi是X電極 Xi的電壓。電流IL1是在線圈Ll中流通的電流。電壓VYi是Y電極 Yi的電壓。電流IL2是在線圈L2中流通的電流。電壓Vxy是X電極 Xi和Y電極Yi之間的電壓，由電壓VXi-VYi表示。在時刻tl之前，后文中會詳細(xì)說明，電壓VXi為0V，電壓VYi 為電源電壓Vs[V]。在時刻tl，使電壓CU1禾HCU2為高電平，使電壓CD1和CD2為低電平。這樣，晶體管Ssul和Ssu2閉合，晶體管Ssdl和Ssd2斷開。 其結(jié)果是，電壓VXi成為Vs[V]，電壓VYi成為2xVs[V]。之后，使電壓CU2為低電平。這樣，如圖6所示，晶體管Ssul 閉合，晶體管Ssu2、 Ssdl以及Ssd2斷開，通過電源電壓Vs的端子流 通電流Il。線圈電流IL2流通，利用容量Cp和線圈L2的LC共振， 電壓VYi從2xVs[V]向OV下降。接著，在時刻t2,使電壓CD2為高電平。這樣，如圖7所示，晶 體管Ssul和Ssd2閉合，晶體管Ssu2和Ssdl斷開，電流12流通。電 壓VYi被固定在OV。之后，使電壓CD2成為低電平，晶體管Ssd2斷 開。接下來，在時刻t3，使電壓CU2為高電平。這樣，晶體管Ssul 和Ssu2閉合，晶體管Ssdl和Ssd2斷開。其結(jié)果是，電壓VXi成為 2xVs[V]，電壓VYi成為Vs[V〗。之后，使電壓CU1為低電平。這樣，如圖8所示，晶體管Ssu2 閉合，晶體管Ssul、 Ssdl以及Ssd2斷開，通過電源電壓Vs的端子流 通電流I3。線圈電流IL1流通，利用容量Cp和線圈Ll的LC共振， 電壓VXi從2xVs[V]向OV下降。接著，在時刻t4，使電壓CD1為高電平。這樣，如圖9所示，晶 體管Ssu2和Ssdl閉合，晶體管Ssul和Ssd2斷開，電流14流通。電 壓VXi被固定在OV。之后，使電壓CD1成為低電平，晶體管Ssdl斷 開。之后，返回到時刻tl，重復(fù)周期TT的動作。當(dāng)電壓Vxy從OV上 升到Vs[V]附近的時刻以及從OV下降到-Vs[V]附近的時刻，在X電極 Xi和Y電極Yi之間發(fā)生放電。接著，對地址電極驅(qū)動電路6進(jìn)行說明。地址電極驅(qū)動電路6具 有開關(guān)(切換單元)401和脈沖生成電路402。如上所述，在圖3的地 址期間Ta中，當(dāng)選擇地址時，使開關(guān)401閉合，脈沖生成電路402向 地址電極Aj供給地址脈沖。這樣，引起地址電極Aj和Y電極Yi之間 的地址放電，以其為火種引發(fā)X電極Xi和Y電極Yi之間的放電，并 在X電極Xi上積蓄負(fù)電荷，在Y電極Yi上積蓄正電荷。地址電極Aj 是用于對Y電極Yi和X電極Xi進(jìn)行放電的電極。另外，在持續(xù)期間Ts，使開關(guān)401斷開。即，開關(guān)401使地址電極Aj相對于電源電阻呈 高電阻化(開路化(open))。由此，可以防止，在一方的X電極Xi 或Y電極Yi從OV向電壓Vs的電位變動而進(jìn)行傳遞的在另一方的Y 電極Yi或X電極Xi上的電位變動，因電容Cxa、 Cya的電容分壓而 減少。如上所述，第1開關(guān)單元(晶體管)Ssul連接在第1電極(X電 極)Xi和第1電位(電源電壓)Vs的端子之間。第2開關(guān)單元(晶體 管)Ssdl連接在第1電極Xi和第2電位(接地電位)GND的端子之 間。第3開關(guān)單元(晶體管)Ssu2連接在第2電極(Y電極)Yi和第 1電位Vs的端子之間。第4開關(guān)單元(晶體管)Ssd2連接在第2電極 Yi和第2電位GND的端子之間。在時刻t4的第1步驟中，使第1開關(guān)單元(晶體管)Ssul以及第 4開關(guān)單元(晶體管)Ssd2斷開，并使第2開關(guān)單元(晶體管)Ssdl 和第3開關(guān)單元(晶體管)Ssu2閉合。在上述第1步驟中，第1電極 (X電極)Xi的電壓VXi成為第2電位(接地電位)GND，第2電極 (Y電極)Yi的電壓VYi成為第1電位(電源電壓)Vs。接著，上述第1步驟之后，在時刻t2之前的第2步驟中，使第1 開關(guān)單元Ssul閉合，并使第2開關(guān)單元Ssdl、第3開關(guān)單元Ssu2以 及第4開關(guān)單元Ssd2斷開。在上述第2步驟中，第1電極Xi的電壓 VXi成為第1電位Vs，第2電極Yi的電壓VYi變化為第1電位Vs和 第2電位GND的差分電位Vs，之后，利用LC共振向第2電位GND 變化。接著，上述第2步驟之后，在時刻t2的第3步驟中，使第l開關(guān) 單元Ssul和第4開關(guān)單元Ssd2閉合，并使第2開關(guān)單元Ssdl和第3 開關(guān)單元Ssu2斷開。在上述第3步驟中，第1電極Xi的電壓VXi成 為第l電位Vs，第2電極Yi的電壓VYi成為第2電位GND。并且，場效應(yīng)晶體管Ssul、 Ssu2、 Ssdl以及Ssd2由于構(gòu)造上的原 因，具有寄生二極管。而與此相對的，IGBT (絕緣柵雙極型晶體管 Insulated Gate Bipolar Transistor)不具有寄生二極管。晶體管Ssul以及 Ssu2 '總是從晶體管的漏極流向源極流通電流。因此，晶體管Ssul和 Ssu2不需要寄生二極管。晶體管Ssul和Ssu2可以使用IGBT代替場效應(yīng)晶體管。另外，晶體管Ssdl和Ssd2，也總是從漏極流向源極流通電流，因 此不具備寄生二極管。晶體管Ssdl和Ssd2也可以使用IGBT代替場效 應(yīng)晶體管。(第2實施方式)圖10是表示本發(fā)明的第2實施方式中的X電極驅(qū)動電路4、 Y電 極驅(qū)動電路5以及地址電極驅(qū)動電路6的構(gòu)成例的電路圖。以下，對 本實施方式與第l實施方式的不同點進(jìn)行說明。圖10與圖4相比，取 消了二極管Dsul和Dsu2，追加了二極管Dsdl和Dsd2。開關(guān)元件Ssdl和二極管Dsdl的串聯(lián)電路構(gòu)成開關(guān)單元，連接在 X電極Xi和接地電位GND的端子之間。開關(guān)元件Ssdl例如是n通道 場效應(yīng)晶體管。晶體管Ssdl具有寄生二極管，柵極與到電壓CD1連接， 漏極與x電極Xi側(cè)連接，源極與接地電位GND的端子側(cè)連接。其寄 生二極管的正極與晶體管Ssdl的源極連接，負(fù)極與晶體管Ssdl的漏 極連接。二極管Dsdl的負(fù)極與接地電位GND的端子側(cè)連接，正極與 X電極Xi側(cè)連接。開關(guān)元件Ssul構(gòu)成開關(guān)單元，連接在X電極Xi和電源電壓Vs 的端子之間。開關(guān)元件Ssul例如是n通道場效應(yīng)晶體管。晶體管Ssul 具有寄生二極管，柵極與電壓CU1連接，源極與X電極Xi連接，漏 極與電源電壓Vs的端子連接。其寄生二極管的正極與晶體管Ssul的 源極連接，負(fù)極與晶體管Ssul的漏極連接。開關(guān)元件Ssd2和二極管Dsd2的串聯(lián)電路構(gòu)成開關(guān)單元，連接在 Y電極Yi和接地電位GND的端子之間。開關(guān)元件Ssd2例如是n通道 場效應(yīng)晶體管。晶體管Ssd2具有寄生二極管，柵極與電壓CD2連接， 漏極與Y電極Yi側(cè)連接，源極與接地電位GND的端子連接。其寄生 二極管的正極與晶體管Ssd2的源極連接，負(fù)極與晶體管Ssd2的漏極 連接。二極管Dsd2的負(fù)極與接地電位GND的端子側(cè)連接，正極與Y 電極Yi側(cè)連接。開關(guān)元件Ssu2構(gòu)成開關(guān)單元，連接在Y電極Yi和電源電壓Vs 的端子之間。開關(guān)元件Ssu2例如是n通道場效應(yīng)晶體管。晶體管Ssu2 具有寄生二極管，柵極與電壓CU2連接，源極與Y電極Yi連接，漏極與電源電壓Vs的端子連接。其寄生二極管的正極與晶體管Ssu2的 源極連接，負(fù)極與晶體管Ssu2的漏極連接。圖11是表示圖10的X電極驅(qū)動電路4和Y電極驅(qū)動電路5的驅(qū) 動方法的時序圖，表示圖3的持續(xù)期間Ts的動作。電壓VXi是X電 極Xi的電壓。電流IL1是在線圈L1中流通的電流。電壓VYi是Y電 極Yi的電壓。電流IL2是在線圈L2中流通的電流。電壓Vxy是X電 極Xi和Y電極Yi之間的電壓，以電壓VXi-VYi表示。在時刻tl之前，如下文所述，電壓VXi為0V，電壓VYi為電源 電壓Vs[V]。在時刻tl，使電壓CD1和CD2為高電平，使電壓CU1和CU2為 低電平。這樣，晶體管Ssdl和Ssd2的狀態(tài)為閉合，晶體管Ssul和Ssu2 的狀態(tài)為斷開。其結(jié)果是，電壓VYi成為O[V]，電壓VXi成為-Vs[V]。之后，使電壓CD1為低電平，這樣，如圖12所示，晶體管Ssd2 閉合，晶體管Ssul、 Ssdl以及Ssu2斷開，通過接地電位GND流通電 流Il。線圈電流IL1流通，利用容量Cp以及線圈Ll的LC共振，電 壓VXi從-Vs[V]向+Vs[V]上升。接著，在時刻t2,使電壓CU1為高電平。這樣，如圖13所示， 晶體管Ssul和Ssd2閉合，晶體管Ssu2和Ssdl斷開，電流12流通。 電壓VXi被固定在Vs[V]。之后，使電壓CU1成為低電平，晶體管Ssul 斷開。接著，在t3時刻，使電壓CD1為低電平。這樣，晶體管Ssdl和 Ssd2閉合，晶體管Ssul和Ssu2斷開。其結(jié)果是，電壓VXi成為OV， 電壓VYi成為-Vs[V]。之后，使電壓CD2為低電平。這樣，如圖14所示，晶體管Ssdl 閉合，晶體管Ssul、 Ssu2以及Ssd2斷開，通過接地電位GND的端子 流通電流I3。線圈電流IL2流通，利用容暈Cp和線圈L2的LC共振， 電壓VYi從-Vs[V]向+Vs[V]上升。接著，在時刻t4，使電壓CU2為高電平。這樣，如圖15所示， 晶體管Ssu2和Ssdl閉合，晶體管Ssul和Ssd2斷開，電流I4流通。 電壓VYi被固定在Vs[V]。之后，使電壓CU2成為低電平，晶體管Ssu2 斷開。之后，返回到時刻tl，重復(fù)周期TT的動作。當(dāng)電壓Vxy從OV上 升到Vs[V]附近的時刻以及從0V下降到-Vs[V]附近的時刻，在X電極 Xi和Y電極Yi之間發(fā)生放電。
如上所述，第1開關(guān)單元(晶體管)Ssdl連接在第1電極(X電 極)Xi和第1電位(接地電位)GND的端子之間。第2開關(guān)單元(晶 體管)Ssul連接在第1電極Xi和第2電位(電源電壓)Vs的端子之 間。第3開關(guān)單元(晶體管)Ssd2連接在第2電極(Y電極)Yi和第 1電位GND的端子之間。第4開關(guān)單元(晶體管)Ssu2連接在第2電 極Yi和第2電位Vs的端子之間。
在時刻t2的第1步驟中，使第1開關(guān)單元(晶體管)Ssdl和第4 開關(guān)單元(晶體管)Ssu2斷開，并使第2開關(guān)單元(晶體管)Ssul和 第3開關(guān)單元(晶體管)Ssd2閉合。在上述第1步驟中，第1電極(X 電極)Xi的電壓VXi成為第2電位(電源電壓)Vs，第2電極(Y電 極)Yi的電壓VYi成為第l電位(接地電位)GND。
接著，上述第1步驟之后，在時刻t4之前的第2步驟中，使第1 開關(guān)單元Ssdl閉合，并使第2開關(guān)單元Ssul、第3開關(guān)單元Ssd2以 及第4開關(guān)單元Ssu2斷開。在上述第2步驟中，第1電極Xi的電壓 VXi成為第l電位GND,第2電極Yi的電壓VYi變化為第l電位GND 和第2電位Vs的差分電位-Vs，之后，利用LC共振向第2電位Vs變 化。
接著，上述第2步驟之后，在時刻t4的第3步驟中，使第l開關(guān) 單元Ssdl和第4開關(guān)單元Ssu2閉合，并使第2開關(guān)單元Ssul和第3 開關(guān)單元Ssd2斷開。在上述第3步驟中，第1電極Xi的電壓VXi成 為第1電位GND,第2電極Yi的電壓VYi成為第2電位Vs。
并且，與第1實施方式相同，晶體管Ssdl和Ssd2總是從漏極流 向源極流通電流。因此，晶體管Ssdl和Ssd2不需要寄生二極管。晶 體管Ssdl和Ssd2可以使用IGBT代替場效應(yīng)晶體管。
另外，晶體管Ssul和Ssu2，也總是從漏極流向源極流通電流，因 而也不需要寄生二極管。晶體管Ssul和Ssu2也可以使用IGBT來代替 場效應(yīng)晶體管。
圖16的等離子體顯示裝置，需要用于開始串聯(lián)共振的晶體管Slul、Sldl、 Slu2、 Sld2以及用于轉(zhuǎn)移電容Cp的電荷的電容C1、 C2，存在 電路元件增多的缺點。與此相對，本發(fā)明的第1和第2實施方式的等 離子體顯示裝置中，將晶體管Ssul、 Ssu2、 Ssdl或Ssd2兼用作電壓鉗 位(damp)用開關(guān)元件和LC共振電路用開關(guān)元件，所以成為不需要 上述電路元件，可以減少電路元件。其結(jié)果是可以降低成本。
另外，圖16的等離子體顯示裝置，由于在電壓VXi的LC共振和 電壓VYi的LC共振之間，需要有電壓Vxy成為0V的休止期間，所 以存在周期TT變長的缺點。與此相對，本發(fā)明的第l和第2實施方式 的等離子體顯示裝置不需要電壓Vxy成為OV的休止期間，因而可以 縮短周期TT。其結(jié)果是，可以增加持續(xù)脈沖數(shù)，提高等離子體顯示裝 置的亮度。
另外，圖16所示的等離子體顯示裝置，存在在一個周期TT內(nèi)用 于LC共振的開關(guān)次數(shù)多至4次的缺點。與此相對，本發(fā)明的第l和第 2實施方式的等離子體顯示裝置，可以使在一個周期TT內(nèi)的用于LC 共振的開關(guān)次數(shù)減少為2次。其結(jié)果是，轉(zhuǎn)化的控制變得簡單，緩解 了時間的制約，從而能夠穩(wěn)定的進(jìn)行持續(xù)放電。
另外，圖26的等離子顯示裝置，需要用于開始并聯(lián)共振的晶體管 Slu和Sld,存在電路元件增多的缺點。與此相對，本發(fā)明的第l和第 2實施方式的等離子體顯示裝置，成為不需要這些電路元件，從而減少 了電路元件。其結(jié)果是，可以降低成本。
另外，圖26的等離子顯示裝置中，存在需要包含在驅(qū)動電路4和 5之間流通共振電流的路徑的充放電電路部2601的缺點。與此相對， 本發(fā)明的第1和第2實施方式的等離子體顯示裝置，由于可以通過電 源電壓Vs的端子和接地電位GND的端子流通流通并聯(lián)共振電流，所 以成為不需要包含流通共振電流的路徑的充放電電路部2601。其結(jié)果 是，可以不需要特殊的共振電流路徑的配線，從而降低了成本。
并且，上述實施方式均是在實施本發(fā)明時的具體示例，并不能由 此對本發(fā)明的技術(shù)范圍做限定的解釋。即，在不偏離本發(fā)明的技術(shù)思 想，或其主要特征的條件下，可以有各種各樣的實施方式。
權(quán)利要求
1. 一種等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法，其特征在于所述等離子體顯示裝置，具有用于進(jìn)行放電的第1和第2電極，與所述第1電極連接的第1線圈，與所述第2電極連接的第2線圈，被供給有第1電位的第1電位端子，被供給有與所述第1電位不同的第2電位的第2電位端子，連接在所述第1電極和所述第1電位端子之間的第1開關(guān)單元，連接在所述第1電極和所述第2電位端子之間的第2開關(guān)單元，連接在所述第2電極和所述第1電位端子之間的第3開關(guān)單元，連接在所述第2電極和所述第2電位端子之間的第4開關(guān)單元，通過所述第1線圈連接在所述第1電極和所述第1電位端子之間的第1二極管，通過所述第1線圈連接在所述第1電極和所述第2電位端子之間的第2二極管，通過所述第2線圈連接在所述第2電極和所述第1電位端子之間的第3二極管，通過所述第2線圈連接在所述第2電極和所述第2電位端子之間的第4二極管；并具有如下步驟第1步驟，使所述第1和第4開關(guān)單元斷開，并使所述第2和第3開關(guān)單元閉合，第2步驟，在所述第1步驟之后，使所述第1開關(guān)單元閉合，并使所述第2～第4開關(guān)單元斷開，和第3步驟，在所述第2步驟之后，使所述第1和第4開關(guān)單元閉合，并使所述第2和第3開關(guān)單元斷開。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在所述第1歩驟中，所述第1電極成為所述第2電位，所述第2 電極成為所述第1電位，在所述第2步驟中，所述第1電極成為所述第1電位，所述第2 電極變化為所述第1和第2電位的差分電位，之后通過LC共振向所述 第2電位變化，在所述第3步驟中，所述第1電極成為所述第1電位，所述第2 電極成為所述第2電位。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法，其特 征在于所述第1開關(guān)單元具有第1開關(guān)元件和第5 二極管的串聯(lián)電路， 所述第3開關(guān)單元具有第2開關(guān)元件和第6 二極管的串聯(lián)電路。
4. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法，其特征在于所述第1和第2開關(guān)元件是IGBT。
5. 如權(quán)利要求3或4所述的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法，其特 征在于所述第1電位比所述第2電位高，所述第1二極管，正極通過所述第1線圈與所述第1電極相連接， 負(fù)極與所述第1電位端子連接，所述第2 二極管，負(fù)極通過所述第1線圈與所述第1電極相連接， 正極與所述第2電位端子連接，所述第3 二極管，正極通過所述第2線圈與所述第2電極相連接， 負(fù)極與所述第1電位端子連接，所述第4 二極管，負(fù)極通過所述第2線圈與所述第2電極相連接， 正極與所述第2電位端子連接，所述第5 二極管，正極與所述第1電位端子側(cè)連接，負(fù)極與所述 第1電極側(cè)連接，所述第6 二極管，正極與所述第1電位端子側(cè)連接，負(fù)極與所述第2電極側(cè)連接。
6. 如權(quán)利要求3或4所述的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法，其特 征在于所述第1電位比所述第2電位低，所述第1二極管，負(fù)極通過所述第1線圈與所述第1電極連接， 正極與所述第1電位端子連接，所述第2 二極管，正極通過所述第1線圈與所述第1電極連接， 負(fù)極與所述第2電位端子連接，所述第3 二極管，負(fù)極通過所述第2線圈與所述第2電極連接， 正極與所述第1電位端子連接，所述第4 二極管，正極通過所述第2線圈與所述第2電極連接， 負(fù)極與所述第2電位端子連接，所述第5 二極管，負(fù)極與所述第1電位端子側(cè)連接，正極與所述 第1電極側(cè)連接，所述第6 二極管，負(fù)極與所述第1電位端子側(cè)連接，正極與所述 第2電極側(cè)連接。
7. 如權(quán)利要求1 6中的任何一項所述的等離子體顯示裝置的驅(qū) 動方法，其特征在于所述等離子體顯示裝置具有，用于對所述第1或第2電極進(jìn)行放 電的第3電極，和在第1 第3步驟中使所述第3電極相對于電源呈高 電阻化的切換單元。
8. —種等離子體顯示裝置，其特征在于，具有 用于進(jìn)行放電的第1和第2電極，與所述第1電極連接的第1線圈，與所述第2電極連接的第2線圈，被供給有第1電位的第1電位端子，被供給有與所述第1電位不同的第2電位的第2電位端子，連接在所述第1電極和所述第1電位端子之間的第1開關(guān)單元，連接在所述第1電極和所述第2電位端子之間的第2開關(guān)單元， 連接在所述第2電極和所述第1電位端子之間的第3開關(guān)單元， 連接在所述第2電極和所述第2電位端子之間的第4開關(guān)單元， 通過所述第1線圈連接在所述第1電極和所述第1電位端子之間 的第1 二極管，通過所述第1線圈連接在所述第1電極和所述第2電位端子之間 的第2二極管，通過所述第2線圈連接在所述第2電極和所述第1電位端子之間 的第3二極管，通過所述第2線圈連接在所述第2電極和所述第2電位端子之間 的第4二極管；和進(jìn)行如下步驟的驅(qū)動電路，第1步驟，使所述第1和第4開關(guān)單 元斷開，并使所述第2和第3開關(guān)單元閉合；第2步驟，在所述第1 步驟之后，使所述第1開關(guān)單元閉合，并使所述第2 第4開關(guān)單元斷 開；和第3步驟，在所述第2步驟之后，使所述第1和第4開關(guān)單元 閉合，并使所述第2和第3開關(guān)單元斷開。
9. 如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示裝置，其特征在于 在所述第1步驟中，所述第1電極成為所述第2電位，所述第2電極成為所述第1電位，在所述第2步驟中，所述第1電極成為所述第1電位，所述第2 電極變化為所述第1和第2電位的差分電位，之后通過LC共振向所述 第2電位變化，在所述第3步驟中，所述第1電極成為所述第1電位，所述第2 電極成為所述第2電位。
10. 如權(quán)利要求8或9所述的等離子體顯示裝置，其特征在于 所述第1開關(guān)單元具有第1開關(guān)元件和第5 二極管的串聯(lián)電路， 所述第3開關(guān)單元具有第2開關(guān)元件和第6 二極管的串聯(lián)電路。
11. 如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述第1和第2開關(guān)元件是IGBT。
12. 如權(quán)利要求10或11所述的等離子體顯示裝置，其特征在于 所述第1電位比所述第2電位高，所述第1 二極管，正極通過所述第1線圈與所述第1電極連接， 負(fù)極與所述第1電位端子連接，所述第2 二極管，負(fù)極通過所述第1線陶與所述第1電極連接， 正極與所述第2電位端子連接，所述第3 二極管，正極通過所述第2線圈與所述第2電極連接， 負(fù)極與所述第1電位端子連接，所述第4 二極管，負(fù)極通過所述第2線圈與所述第2電極連接， 正極與所述第2電位端子連接，所述第5 二極管，正極與所述第1電位端子側(cè)連接，負(fù)極與所述 第1電極側(cè)連接，所述第6 二極管，正極與所述第1電位端子側(cè)連接，負(fù)極與所述 第2電極側(cè)連接。
13. 如權(quán)利要求10或11所述的等離子體顯示裝置，其特征在于 所述第1電位比所述第2電位低，所述第1二極管，負(fù)極通過所述第1線圈與所述第1電極連接， 正極與所述第1電位端子連接，所述第2 二極管，正極通過所述第1線圈與所述第1電極連接， 負(fù)極與所述第2電位端子連接，所述第3 二極管，負(fù)極通過所述第2線圈與所述第2電極連接， 正極與所述第1電位端子連接，所述第4 二極管，正極通過所述第2線圈與所述第2電極連接， 負(fù)極與所述第2電位端子連接，所述第5 二極管，負(fù)極與所述第1電位端子側(cè)連接，正極與所述 第1電極側(cè)連接，所述第6 二極管，負(fù)極與所述第1電位端子側(cè)連接，正極與所述 第2電極側(cè)連接。
14.如權(quán)利要求8 13中的任何一項所述的等離子體顯示裝置，其 特征在于所述等離子體顯示裝置還具有，用于對所述第1或第2電極進(jìn)行 放電的第3電極，和在所述驅(qū)動電路的第1 第3步驟中使所述第3 電極相對于電源呈髙電阻化的切換單元。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法，其電路元件少，電壓周期短，控制簡單。本發(fā)明的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法的特征在于，具有使第1開關(guān)單元(CU1)和第4開關(guān)單元(CD2)斷開，并使第2開關(guān)單元(CD1)和第3開關(guān)單元(CU2)閉合的第1步驟(t4)；在上述第1步驟之后，使上述第1開關(guān)單元閉合，并使上述第2～第4開關(guān)單元為斷開的第2步驟；和在上述第2步驟之后，使上述第1和第4開關(guān)單元閉合，并使上述第2和第3開關(guān)單元斷開的第3步驟(t2)。
文檔編號G09G3/296GK101231812SQ20071013979
公開日2008年7月30日 申請日期2007年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月26日
發(fā)明者井村久文, 塚原正久, 小野澤誠, 黃木英明 申請人:株式會社日立制作所