專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，尤其是涉及一種能夠改善發(fā)光效率并減少永久余像的等離子體顯示面板(PDP)。
背景技術：
本申請要求在韓國知識產權局于2004年6月30日提交的韓國專利申請No.10-2004-0050801和于2004年6月30日提交的韓國專利申請No.10-2004-0050803的利益，上述申請的公開內容在此全部引入作為參考。
具有等離子體顯示面板(PDP)的等離子體顯示裝置具有帶有寬視角的大屏幕，薄且輕，并且顯示高質量的圖片。而且，同其它平板顯示器(FPD)相比，PDP可以容易地制造并能夠按比例增大。針對這些原因，PDP被認為是下一代FPD之一。
根據(jù)放電電壓PDP可以被分為DC型、AC型和混合型，而根據(jù)放電結構PDP還可以分為對向放電型和表面放電型。
通常，已經積極研究了雙電極對向放電PDP。然而，在雙電極對向放電PDP中，由于放電是在其上形成熒光體層的第一基板和第二基板之間產生，所以由于離子濺射引起的熒光體層的磨損是非常顯著的。為了解決這個問題，已經開發(fā)了并正廣泛地應用三電極表面放電ACPDP。
圖1是傳統(tǒng)的三電極表面放電PDP1的透視圖。圖2是包括圖1中所示的PDP1的等離子體顯示裝置100的框圖。參照圖1和圖2，公共尋址電極線AR1、…、ABm、介電層11和15、Y電極線Y1、…、Yn、X電極線X1、…、Xn、熒光體層16、障肋17、和作為保護層的MgO層12被提供在傳統(tǒng)的三電極表面放電PDP1的第一和第二基板10和13之間。
在第二基板13的上表面上以預定圖案形成公共尋址電極線AR1、…、ABm。形成下介電層15以覆蓋尋址電極線AR1、…、ABm和第二基板13的整個上表面。障肋17平行于尋址電極線AR1、…、ABm形成在第一介電層15的表面上。障肋17分割各自的顯示單元的放電空間并防止這些顯示單元之間的串擾。熒光體層16分別形成在障肋17之間。
以預定圖案在由例如玻璃制成的第一基板10的后表面上以與尋址電極線AR1、…、ABm相交的形式形成X電極線X1、…、Xn和Y電極線Y1、…、Yn。放電單元形成在X電極線X1、…、Xn和Y電極線Y1、…、Yn與尋址電極線AR1、…、ABm的交點處。形成第二介電層11來覆蓋X電極線X1、…、Xn和Y電極線Y1、…、Yn以及第一基板10的整個下表面。形成用于保護PDP1免受強電場影響的保護層(例如MgO層12)來覆蓋第二介電層11的整個后表面。放電空間14充滿了等離子體形成氣體。
參照圖2，等離子體顯示裝置100包括圖象處理器56、邏輯控制器62、尋址驅動器3、X驅動器4和Y驅動器5。根據(jù)從圖象處理器56接收到的內部圖象信號，邏輯控制器62產生驅動控制信號SA、SY和SX。尋址驅動器3、X驅動器4和Y驅動器5分別處理從邏輯控制器62接收到的尋址信號SA、X驅動信號SX和Y驅動信號SY并將這些處理過的信號施加到Y電極線。
圖3示出了子場中施加到PDP的電極上的PDP驅動信號的波形。包括在圖3中所示的驅動方法中的傳統(tǒng)復位方法在2000年公布的日本專利公布No.214,823和242,224中已經公開。
參照圖3，在子場SFn的復位周期PR中，將第二電壓VT1首先施加到Y電極Y1、…、Yn上，然后將逐漸上升到比第二電壓VT1大了第五電壓VSET的第一電壓VT1+VSET的電壓施加到Y電極線Y1、…、Yn上。此時，將X電極X1、…、Xn和尋址電極A1、…、Am維持在地電壓VG處。因此，在Y電極Y1、…、Yn和X電極X1、…、Xn之間產生弱放電，并且在Y電極Y1、…、Yn和尋址電極A1、…、Am之間產生更弱的放電。因此，大量負的壁電荷形成在Y電極Y1、…、Yn附近，正的壁電荷形成在X電極X1、…、Xn附近，并且少量正的壁電荷形成在尋址電極A1、…、Am附近。
接著，將偏置電壓Ve施加到X電極X1、…、Xn上。當施加偏置電壓Ve時，施加到Y電極Y1、…、Yn上的電壓VT1+VSET下降到第三電壓VT2，并且將逐漸下降到第四電壓Vnf的電壓施加到Y電極線Y1、…、Yn上。此時，尋址電極A1、…、Am維持在地電壓VG處。因此，在X電極X1、…、Xn和Y電極Y1、…、Yn之間產生弱放電，由于該弱放電在Y電極Y1、…、Yn附近形成的負壁電荷的一部分被移到X電極X1、…、Xn附近。因此，X電極X1、…、Xn的壁電壓變得小于尋址電極A1、…、Am的壁電壓而大于Y電極Y1、…、Yn的壁電壓。
因此，可能降低在隨后的尋址周期PA中選擇的尋址電極和Y電極之間對向放電所需的尋址電壓VA-VSC-L。同時，由于所有尋址電極A1、…、Am都維持在地電壓VG處，所以尋址電極A1、…、Am相對于X電極X1、…、Xn和Y電極Y1、…、Yn放電，而形成在尋址電極A1、…、Am附近的正壁電荷被擦除放電。
接著，在尋址周期PA中，當將偏置電壓Ve施加到X電極X1、…、Xn上時，將顯示數(shù)據(jù)信號施加到尋址電極A1、…、Am上，并且將掃描低電壓VSC-L的掃描脈沖順序地施加到Y電極上，該Y電極被偏置至小于第二電壓VT1的第六電壓VSC-H，以便執(zhí)行穩(wěn)定尋址。此時，將具有正極性的顯示數(shù)據(jù)信號VA施加到尋址電極A1、…、Am上以選擇顯示單元，而不選擇維持在地電壓VG處的剩余的顯示單元。因此，如果將正尋址電壓VA的顯示數(shù)據(jù)信號施加到施加有掃描低電壓VSC-L的掃描脈沖的Y電極上，那么就由于尋址放電而在相應的顯示單元中形成壁電荷，并在剩余的顯示單元中不形成壁電荷。
此后，在維持放電周期PS中，將具有維持電壓Vs的維持脈沖交替地施加到所有Y電極Y1、…、Yn和所有X電極X1、…、Xn上，以便在尋址周期PA期間在其中已經形成壁電荷的顯示單元中產生顯示維持放電。
然而，在具有其中電極線、第二介電層11和保護層12順序形成在第一基板10的后表面上的結構的PDP1中，熒光體層16發(fā)射出的大約40％的可見光被吸收，這會有損發(fā)光效率。如果長時間顯示相同的圖象，那么由于電場放電氣體中的帶電粒子就會引起熒光體層16的離子濺射，導致留下永久的余像并縮短PDP的壽命。同樣，由于需要三個驅動器(即，X驅動器4、Y驅動器5和尋址驅動器3)來驅動PDP1，所以PDP1的結構被復雜化并且這些驅動器及其電源電路的制造成本也升高。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一個方面提供一種能夠改善發(fā)光效率并減少永久余像的等離子體顯示面板(PDP)及其驅動方法。
本發(fā)明的另一個方面提供一種等離子體顯示面板(PDP)，其包括第一基板和與第一基板相對的第二基板；障肋，其連同第一基板和第二基板分割放電單元，并由介電材料制成；公共尋址電極線，其被嵌入障肋中來圍繞放電單元，并被延伸來橫穿放電單元；掃描電極線，其被嵌入障肋中來圍繞放電單元，與公共尋址電極線分離，并被延伸來在各自的放電單元處與公共尋址電極線相交；在放電單元中形成的熒光體層；以及其中PDP由包括復位周期、尋址周期和維持放電周期的驅動波形驅動，在復位周期，向掃描電極線施加上升斜坡脈沖以執(zhí)行第一初始放電并向掃描電極線施加下降斜坡脈沖以執(zhí)行第二初始放電；在尋址周期，順序地向多條維持在掃描高電壓VSC-H的掃描電極線施加掃描脈沖的掃描低電壓VSC-L并選擇性地向與掃描電極線相交的公共尋址電極線施加顯示數(shù)據(jù)信號，該掃描電極線施加有掃描脈沖的掃描低電壓VSC-L；而在維持放電周期，向掃描電極線施加交替維持脈沖，其中在復位周期施加的下降斜坡脈沖的最低電壓Vnf不同于在維持放電周期施加的交替維持脈沖的電壓Vs。
在一個實施方式中，在復位周期施加的最低電壓Vnf的幅值大于在維持放電周期施加的交替維持脈沖的電壓Vs。
在一個實施方式中，在復位周期，當將下降斜坡脈沖施加到掃描電極線上時，將具有與顯示數(shù)據(jù)信號的電壓相等的電壓的偏置電壓Va施加到公共尋址電極線上。在一個實施方式中，下降斜坡脈沖的最低電壓Vnf的幅值小于在尋址周期順序施加到掃描電極線上的掃描脈沖的掃描低電壓VSC-L的幅值。
在一個實施方式中，當障肋上累積的壁電荷產生的壁電壓和施加到公共尋址電極上的信號與施加到掃描電極上的信號之間的電壓差之和超過放電單元的特征放電啟動電壓Vf時，放電單元中就產生強放電，且復位周期的特征放電啟動電壓、尋址周期的特征放電啟動電壓和維持放電周期的特征放電啟動電壓全部相同。在一個實施方式中，在維持放電周期，施加到掃描電極線上的交替維持脈沖的電壓Vs大于特征放電啟動電壓Vf的一半。
在一個實施方式中，當比下降斜坡脈沖的電壓大了特征放電啟動電壓Vf的壁電壓維持不變時，在復位周期施加到掃描電極上的下降斜坡脈沖具有產生第二初始放電的斜率。
在一個實施方式中，在下降斜坡脈沖終止之后，放電單元被維持在比下降斜坡脈沖的最低電壓Vnf大了特征放電啟動電壓Vf的復位后的壁電壓Vw。
在一個實施方式中，復位后的壁電壓Vw小于特征放電啟動電壓Vf的一半。
在一個實施方式中，復位后的壁電壓Vw和交替維持脈沖的電壓Vs之和小于特征放電啟動電壓Vf。
在一個實施方式中，PDP的公共尋址電極線和掃描電極線由導電材料制成并以階梯形狀形成。


將參照附圖描述本發(fā)明的實施方式。
圖1是傳統(tǒng)的三電極表面放電等離子體顯示面板(PDP)的透視圖。
圖2是包括圖1中所示的PDP的等離子體顯示裝置的框圖。
圖3示出了用于驅動圖1中所示的PDP的驅動信號的波形。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實施方式的PDP的部分分解透視圖。
圖5是沿圖4中的線IV-IV的PDP的橫截面圖。
圖6是沿圖5中的線V-V的公共尋址電極線A1-An的結構的示意圖。
圖7是沿圖5中的線VI-VI的掃描電極線S1-Sm的結構的示意圖。
圖8是包括圖4中所示的PDP的等離子體顯示裝置的框圖。
圖9是用于說明圖4中所示的PDP的驅動方法的實施方式的時序圖。
圖10示出了在圖9的子場中施加到圖4中所示的PDP的電極線上的信號的波形。
圖11是根據(jù)圖4中所示的PDP的驅動方法的實施方式用于說明施加到子場中圖4中所示的PDP的電極線上的信號的波形以及導通單元和關閉單元的壁電壓分布的視圖。
圖12是根據(jù)圖4中所示的PDP的驅動方法的另一實施方式用于說明施加到子場中電極線上的信號的波形以及導通單元和關閉單元的壁電壓分布的視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更全面地描述本發(fā)明的實施方式，在附圖中示出了本發(fā)明的示范性實施方式。
下文將參照圖4到12詳細描述本發(fā)明的實施方式。
如圖4到7中所示，根據(jù)本發(fā)明實施方式的等離子體顯示面板(PDP)200包括第一基板201、與第一基板201相對的第二基板202、放置在第一和第二基板201和202之間、分割與第一和第二基板201和202結合形成的放電單元220并且由介電材料制成的第一障肋205、被嵌入第一障肋205中來圍繞放電單元220并延伸來橫穿放電單元220的公共尋址電極線A1、…、An、被嵌入第一障肋205中并在放電單元220的交點處與公共尋址電極線A1、…、An分離的掃描電極線S1、…、Sm，其中在掃描電極線S1、…、Sm與公共尋址電極線A1、…、An相交處形成各自的放電單元220，熒光體層210形成在放電單元220中，并且在放電單元220中填充放電氣體。
在一個實施方式中，第一基板201由具有高透光性的材料(諸如玻璃)制成。由于不同于其上存在電極線X1到Xn和Y1到Yn的傳統(tǒng)的第一基板，第一基板201上不存在電極線，所以大大地改善了向前方的可見光的透光性。因此，當圖象具有與傳統(tǒng)技術中相同的亮度時，以相對低的電壓驅動電極線X1到Xn和Y1到Yn，從而與傳統(tǒng)技術相比改善了發(fā)光效率。
第二基板202平行于第一基板201設置。在一個實施方式中，第二基板202通常由具有玻璃作為其主要成分的材料制成。
第一障肋205形成在第一和第二基板201和202之間，以便分割多個放電單元220。第一障肋205將放電單元220分割成每個都是紅色發(fā)光子像素、綠色發(fā)光子像素和藍色發(fā)光子像素之一，并且防止在放電單元220之間產生錯誤放電。
在一個實施方式中，第一障肋205由介電材料制成，當發(fā)生放電時，該介電材料防止公共尋址電極線A1到An和掃描電極線S1到Sm之間的直接導通，防止帶電粒子直接碰撞并損傷電極，并累積帶電粒子作為壁電荷。在一個實施方式中，這種介電材料包括PbO、B2O3和SiO2。
圍繞放電單元220的公共尋址電極線A1到An和掃描電極線S1到Sm被嵌入第一障肋205中。公共尋址電極線A1到An與掃描電極線S1到Sm彼此以預定間隔相交。在一個實施方式中，電極線A1到An和S1到Sm由諸如Al或Cu的導電材料制成。這里，公共尋址電極線A1、…、An用作公共尋址電極，掃描電極線S1、…、Sm用作掃描電極。
在一個實施方式中，公共尋址電極線A1、…、An和掃描電極線S1、…、Sm被布置成階梯形狀。
在一個實施方式中，作為保護膜的MgO膜209覆蓋第一障肋205的側面。當執(zhí)行放電時，MgO膜209防止帶電粒子碰撞并損傷由例如介電材料制成的第一障肋205，并加速次級電子。
根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的PDP200可以進一步包括放置在第一障肋205和后(第二)基板202之間來與第一障肋205一起分割放電單元220的第二障肋208。在圖4中，第二障肋208被形成為矩陣圖案，但卻并不局限于此。第二障肋208可以形成為開放形狀(諸如條紋圖案)、或者閉合形狀(諸如華夫餅干圖案、矩陣圖案或Δ圖案)。同樣，可以形成閉合型障肋以便使每個放電空間的橫截面除了本實施方式中所示的矩形以外還可以是多邊形(諸如三角形或五邊形)、圓形、橢圓形等等。如圖4中所示，在一個實施方式中，第一和第二障肋205和208可以以同樣的圖案形成。然而，在另一個實施方式中，也可能以不同的圖案形成第一和第二障肋205和208。
參照圖5，形成熒光體層210來覆蓋第二障肋208的側面和第二基板202的上表面。
熒光體層210具有用于接收紫外線及發(fā)射可見光的成分，其中形成在紅色發(fā)光子像素上的熒光體層包括諸如Y(V，P)O4:Eu的熒光體，形成在綠色發(fā)光子像素上的熒光體層包括諸如Zn2SiO4:Mn、YBO3:Tb等的熒光體，而形成在藍色發(fā)光子像素上的熒光體層包括諸如BAM:Eu的熒光體。
諸如Ne、Xe、Ne混合氣、或Xe混合氣的放電氣體被填充在放電單元220中。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，由于整個放電面積增加且產生了更多的等離子體，所以可以實現(xiàn)低壓驅動。同樣根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，由于即使利用高密度Xe氣作為放電氣體也可以獲得低壓驅動，所以可以有效地改善發(fā)光效率。因此，本發(fā)明的一個實施方式就可以克服傳統(tǒng)PDP在利用高密度Xe氣作為放電氣體時難于實現(xiàn)低壓驅動的問題。
在一個實施方式中，公共尋址電極線A1到An和掃描電極線S1到Sm由導電材料制成并形成階梯形狀。圖6是沿圖5中所示的線V-V的公共尋址電極線A1到An的示范性結構的示意圖。參照圖6，電極線A1到An形成階梯形狀。同樣，圖7是沿圖5中所示的線VI-VI的掃描電極線S1到Sm的示范性結構的示意圖。參照圖7，電極S1到Sm具有階梯形狀。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的實施方式包括圖4中所示的PDP的等離子體顯示裝置300的框圖。
參照圖8，等離子體顯示裝置300包括PDP200、圖象處理器156、邏輯控制器162、A驅動器154和S驅動器155。
等離子體顯示裝置300可以進一步包括圖象處理器156。在一個實施方式中，圖象處理器156將外部模擬圖象信號轉換成數(shù)字信號，并生成例如每個都具有8位的紅(R)、綠(G)和藍(B)圖象數(shù)據(jù)的內部圖象信號、時鐘信號以及垂直和水平同步信號。邏輯控制器162基于從圖象處理器156接收到的內部圖象信號產生驅動控制信號SA和SS。
A驅動器154處理從邏輯控制器162接收到的A驅動控制信號SA，以便產生顯示數(shù)據(jù)信號，并將所生成的顯示數(shù)據(jù)信號施加到公共尋址電極線A1到An。S驅動器155處理從邏輯控制器162接收到的S驅動控制信號SS以將S驅動信號施加到掃描電極線S1到Sm。
在等離子體顯示裝置300中，由于僅利用兩個驅動器(即，S驅動器155和A驅動器154)來驅動PDP200，所以PDP結構與需要三個驅動器的傳統(tǒng)結構相比得到了簡化。
圖9是用于說明圖4中所示的PDP的驅動方法的實施方式的時序圖。參照圖9，為了獲得時分灰度顯示，每個單位幀都被分為8個子場SF1到SF8。同樣，每個子場SF1到SF8都分別被分為復位周期PR1到PR8、尋址周期PA1到PA8、以及維持放電周期PS1到PS8。
在復位周期PR1到PR8，為了穩(wěn)定地執(zhí)行隨后的尋址，所有顯示單元的放電狀態(tài)都變成相同的。
在尋址周期PA1到PA8，顯示數(shù)據(jù)信號被施加到公共尋址電極線A1到An并且同時將相應的掃描脈沖順序地施加到相應的掃描電極線S1到Sm。這樣，當正在施加掃描脈沖時，在施加有具有高電平的顯示數(shù)據(jù)信號的放電單元中產生尋址放電，使得在相應的放電單元中形成壁電荷，而在剩余的放電單元中不形成壁電荷。
在維持放電周期PS1到PS8，在所有公共尋址電極線A1到An都維持在地電壓VG的狀態(tài)下，維持放電脈沖被交替地施加到所有掃描電極線S1到Sm上，使得在相應的尋址周期PA1到PA8期間已經形成壁電荷的放電單元中產生維持放電。結果，PDP的亮度就與單位幀中維持放電周期PS1到PS8的整個長度成比例。單位幀中維持放電周期PS1到PS8的整個長度是255T(T是單位時間)。因此就可以實現(xiàn)不在屏幕上顯示的包括零灰度級的256個灰度級。
這里，第一子場SF1的維持放電周期PS1設定為對應于0的時間1T，第二子場SF2的維持放電周期PS2設定為對應于1的時間2T，第三子場SF3的維持放電周期PS3設定為對應于2的時間4T，以及第八子場SF8的維持放電周期PS8設定為對應于7的時間128T。因此，通過在8個子場SF1到SF8中適當?shù)剡x擇將要顯示的子場，可以顯示包括零灰度級的256個灰度級。
圖10示出了在圖9的單位子場SFn中施加到PDP200的電極線上的信號。在圖10中，參考符號[A1An]表示施加到公共尋址電極線上的驅動信號，參考符號Sm表示施加到掃描電極線S1到Sm上的驅動信號。
當執(zhí)行放電時，在復位周期PR中，復位信號被施加到掃描電極線S1到Sm，以便可以強制性地執(zhí)行寫放電，因此初始化所有單元中壁電荷的狀態(tài)。由于在進入下面的尋址周期PA之前復位周期PR在整個屏幕上不必執(zhí)行，所以可以在所有單元中均勻地分布壁電荷。在復位周期PR期間被初始化的單元將具有類似的壁電荷狀況。在復位周期PR，向掃描電極線S1到Sm施加上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)并因此產生一次弱放電，使得大量負電荷累積在掃描電極線S1到Sm上，而使得正電荷累積在尋址電極線和X電極線上。
接著，向掃描電極線S1到Sm施加下降斜坡脈沖(在t3和t4之間)并因此產生兩次弱放電，使得掃描電極線S1到Sm的電壓逐漸下降，累積在掃描電極線S1到Sm上的負電荷向著放電空間逐漸消失。由于放電空間中的弱放電，放電單元被初始化。
在一個實施方式中，當向掃描電極線S1到Sm施加下降斜坡脈沖時，如果公共尋址電極線A1到An上沒有被施加正偏置電壓，那么掃描電極線S1到Sm的電壓就下降到非常低的、用于X電極線和掃描電極線S1到Sm的初始放電的電壓Vnf。因此，在隨后的尋址周期PA中，小于地電壓VG的電壓被施加到掃描電極線S1到Sm上。然而，當施加下降斜坡脈沖時，也可能向公共尋址電極線A1到An施加正偏置電壓Vb。
根據(jù)比參考電壓大了預定電壓VT1的電壓，將產生一次弱放電的上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)施加到掃描電極S1到Sm上。如果根據(jù)比參考電壓大了掃描脈沖的電壓Vs的電壓施加上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)，那么由于除了電源和用于產生掃描脈沖的切換電路之外不需要斜坡上升脈沖產生電路，所以可以降低制造成本。根據(jù)比參考電壓大了預定電壓VT2的電壓，將下降斜坡脈沖(在t3和t4之間)施加到掃描電極線S1到Sm上。同樣地，如果根據(jù)比參考電壓大了掃描脈沖的電壓VS的電壓施加下降斜坡脈沖，那么由于除了電源和用于產生掃描脈沖的切換電路之外不需要斜坡下降脈沖產生電路，所以可以降低制造成本。
在隨后的尋址周期PA中，具有掃描高電壓VSC-H的掃描脈沖施加到多個掃描電極上。如果具有小于掃描高電壓VSC-H的掃描低電壓VSC-L的掃描脈沖被順序地施加到已經施加有具有掃描高電壓VSC-H的掃描脈沖的相應掃描電極上，那么相應的尋址電極就同時導通以選擇顯示單元，在所選的顯示單元的Y電極附近大量負電荷放電，而在所選的顯示單元的尋址電極附近大量正電荷放電，從而產生尋址放電。因此，大量正電荷累積在掃描電極附近以準備維持放電。
在執(zhí)行了尋址周期PA之后，在隨后的維持放電周期PS中，在正維持電壓+VS和負維持電壓-VS之間切換的交替維持脈沖被交替地施加到掃描電極線S1到Sm上。
在正電荷累積在掃描電極線S1到Sm上而負電荷累積在公共尋址電極線A1到An上之后施加維持脈沖。在維持放電周期PS中，向正維持電壓+VS上升的電壓被施加到掃描電極線S1到Sm上，使得累積在掃描電極線S1到Sm上的正電荷放電和累積在公共尋址電極線A1到An上的負電荷作為空間電荷放電，并且由于這些空間電荷而產生弱放電。接著，當上升的電壓達到正維持電壓+VS時，從掃描電極線S1到Sm中更多的正電荷作為空間電荷放電，并且從公共尋址電極線A1到An中更多的負電荷作為空間電荷放電，使得執(zhí)行快速并強烈的維持放電。當電壓+VS和在掃描電極線S1到Sm附近累積的正電荷產生的電壓之和與公共尋址電極線A1到An附近累積的負電荷產生的電壓之間的差(即，所有電壓的絕對值之和)超過放電啟動電壓時，產生這樣的快速并強烈的維持放電(在下文稱為第一維持放電)。
在產生了第一維持放電之后，負電荷累積在掃描電極線S1到Sm附近，而正電荷累積在X電極線附近。
接著，向負維持電壓-VS下降的電壓被施加到掃描電極線S1到Sm上。這樣，就從公共尋址電極線A1到An中正電荷作為空間電荷放電，從掃描電極線S1到Sm中負電荷作為空間電荷放電。當下降電壓達到負維持電壓-VS時，執(zhí)行第二維持放電。當從累積在公共尋址電極線A1到An附近的正電荷產生的電壓中減去電壓-VS與累積在掃描電極線S1到Sm附近的負電荷產生的電壓之和獲得的電壓(即，所有電壓的絕對值之和)超過放電啟動電壓時，產生這樣的第二維持放電。在產生第二維持放電之后，產生類似于第一維持放電之前的狀態(tài)，正電荷累積在掃描電極線S1到Sm附近，負電荷累積在X電極線附近。此后，通過與第一維持放電相同的過程產生第三維持放電，然后通過與第二維持放電相同的過程產生第四維持放電。在向各自的子場分配的周期期間施加交替維持脈沖來維持維持放電。
圖11根據(jù)圖4中所示的PDP的驅動方法的實施方式圖示了施加到子場中電極線上的信號的波形和導通單元及關閉單元的壁電壓分布。
在下面的說明中，考慮壁電荷產生的壁電壓來定義驅動信號波形的斜率和振幅。
圖11的最上部分中所示的波形圖(下文中稱為第一波形圖)示出了當將具有數(shù)據(jù)電壓Va的顯示數(shù)據(jù)信號施加到公共尋址電極線A1到An上時的電壓波形。圖11的第一波形圖之下所示的波形圖(下文稱為第二波形圖)示出了施加到第m條掃描電極線Sm上的S驅動信號的波形。圖11中的參考符號V(S-A)指示的波形圖示出了表示施加到掃描電極的驅動信號和施加到公共尋址電極的驅動信號之間的電壓差的波形。圖11中的參考符號V(ON)指示的波形圖示出了表示當將放電單元導通時的壁電壓的波形。參考符號V(OFF)指示的波形圖示出了表示當將放電單元關閉時的壁電壓的波形。
參照圖11，在復位周期PR中，上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)被施加到掃描電極線S1到Sm上以執(zhí)行第一初始放電，然后下降斜坡脈沖(在t3和t4之間)被施加到掃描電極線S1到Sm上以執(zhí)行第二初始放電。通過將具有漸變斜率的上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)施加到掃描電極線S1到Sm上來執(zhí)行第一初始放電。因此，產生弱放電，并且負電荷累積在掃描電極S1到Sm附近(即，掃描電極線S1到Sm上的介電層附近)。在一個實施方式中，為了縮短第一初始放電的時間t2-t3，上升斜坡脈沖根據(jù)第二電壓VT1被施加并且上升到第一電壓VSET+VT1。
通過將下降斜坡脈沖施加到掃描電極線S1到Sm上來執(zhí)行第二初始放電，使得累積在掃描電極線S1到Sm附近(即，掃描電極線S1到Sm上的介電層附近)的負電荷放電并產生弱放電。這時，施加到掃描電極線S1到Sm上的下降斜坡脈沖應該具有漸變的斜率而不允許強放電。
當維持比下降斜坡脈沖電壓大了特征放電啟動電壓Vf(將在下面描述)的壁電壓時，下降斜坡脈沖可以具有產生第二初始放電的斜率。為了縮短第二初始放電的時間t3和t4，可以在第一電壓VSET+VT1下降到第三電壓VT2之后施加下降斜坡脈沖。
在隨后的尋址周期PA中，掃描低電壓VSC-L的掃描脈沖被順序地施加到多條維持在掃描高電壓VSC-H處的掃描電極線S1到Sm上，具有數(shù)據(jù)電壓Va的顯示數(shù)據(jù)信號被選擇性地施加到與施加有掃描脈沖的掃描電極線S1到Sm相交的公共尋址電極線A1到An上。這樣，在施加了具有數(shù)據(jù)電壓Va的顯示數(shù)據(jù)信號的放電單元中產生尋址放電，而在沒有施加顯示數(shù)據(jù)信號的剩余的放電單元中不產生尋址放電。
然后，在隨后的維持放電周期PS中，交替維持脈沖被施加到掃描電極線S1到Sm上。因此，在尋址周期PA期間已經施加了具有數(shù)據(jù)電壓Va的顯示數(shù)據(jù)信號的放電單元是尋址放電的，并因此被導通，且維持放電。然而，在尋址周期PA期間沒有施加顯示數(shù)據(jù)信號的剩余的放電單元不是尋址放電的，并因此被關閉，且不維持放電。
其間，在PDP200的放電單元中，當放電單元的電極之間產生預定閾值電壓時發(fā)生強放電，其中該預定閾值電壓被稱為特征放電啟動電壓Vf。詳細地，當累積在障肋上的壁電荷產生的壁電壓V(ON)與施加到公共尋址電極上的信號和施加到掃描電極上的信號之間的電壓差之和超過特征放電啟動電壓Vf時，在放電單元中產生強放電。
然而，由于根據(jù)本發(fā)明一個實施方式一個掃描信號和一個尋址信號被施加到PDP200的每個放電單元上，所以考慮了只在兩個電極之間的電壓差。因此，根據(jù)本發(fā)明一個實施方式，在包括兩個電極的等離子體顯示面板中，復位周期的特征放電啟動電壓、尋址放電周期的特征放電啟動電壓和維持放電周期的特征放電啟動電壓都是相同的。
其間，參考圖11中的參考符號V(ON)指示的壁電壓波形，在維持放電周期PS中，為了穩(wěn)定地產生維持放電，施加到所選放電單元的掃描電極線S1到Sm上的交替維持脈沖電壓Vs大于特征放電啟動電壓的一半(即，Vf/2)。
Vs＞Vf/2 (1)如上所述，由于施加到掃描電極線S1到Sm上的下降斜坡脈沖具有漸變斜率，且不產生強放電，所以當正在施加下降斜坡脈沖時，在維持比最低電壓Vnf大了特征放電啟動電壓Vf的壁電壓的狀態(tài)下，放電單元的電壓隨著該漸變斜率下降。
在施加下降斜坡脈沖之后，放電單元被維持在比下降斜坡脈沖的最低電壓Vnf的幅值大了特征放電啟動電壓Vf的復位后的壁電壓Vw處。如果沒有選擇相應的放電單元(即，如果不產生尋址放電)，則復位后的壁電壓Vw在維持放電周期PS中持續(xù)維持。
這里，復位后的壁電壓Vw可以用等式2表示。
Vw＝Vf-Vnf(2)在一個實施方式中，為了防止由于復位后的壁電壓Vw在維持放電周期PS期間在非選擇放電單元中產生錯誤放電，該復位后的壁電壓Vw有利地小于特征放電啟動電壓Vf的一半。
|Vw|＜Vf/2 (3)在一個實施方式中，在非選擇放電單元中，復位后的壁電壓Vw和交替維持脈沖電壓Vs之和有利地小于特征放電啟動電壓Vf。
|Vs|+Vw＜Vf(4)例如，當?shù)诙S持脈沖被施加到非選擇放電單元上時，如果Vs+Vw＜Vf那么就不會發(fā)生錯誤放電。因為Vw＝Vf-Vnf(等式2)，所以可以獲得下面的不等式5。
VS+(Vf-Vnf)＜Vf，所以Vn＞Vs(5)在一個實施方式中，在復位周期PR期間施加的下降斜坡脈沖的最小電壓Vnf大于在維持放電周期PS期間施加的交替維持脈沖的電壓Vs。
圖12圖示了用于說明根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的PDP驅動方法的波形。參照圖12，當下降斜坡脈沖被施加到掃描電極線S1到Sm上時，等于在尋址周期PA期間施加的顯示數(shù)據(jù)信號的電壓Va的偏置電壓Vx(未示出)被施加到公共尋址電極線A1到An上以促進第二初始放電。
Vx＝Va(6)同樣地，如果當執(zhí)行第二初始放電時將等于顯示數(shù)據(jù)信號的電壓Va的偏置電壓Vx施加到公共尋址電極線A1到An上，那么由于用來制造用于驅動公共尋址電極線A1到An的驅動器電路的電源電路被簡化，所以可以降低尋址驅動器的制造成本。
因此，Vnf＝Vnf2-Vx＝Vnf2-Va，而Vnf可以通過下面的等式7重寫。
|Vnf|＝|Vnf2|-|Va| (7)其間，在尋址周期PA中，當掃描脈沖的電壓VSC-L、顯示數(shù)據(jù)信號的電壓Va和累積的壁電荷產生的壁電壓Vw之和超過特征放電啟動電壓Vf時就產生尋址放電。于是可以獲得下面的不等式8。
|VSC-L|+Va+Vw＞Vf(8)同樣，利用Vw＝Vf-Vnf(等式2)可以將不等式(8)重新排列成不等式9。
|VSC-L|+Va+Vf-Vnf＞Vf，因此，|VSC-L|+Va＞Vnf(9)利用|Vnf|＝|Vnf2|-|Va|(等式7)可以將不等式9重新排列成不等式10。
|VSC-L|+Va＞|Vnf2|+Va，因此，|VSC-L|＞|Vnf2|(10)在一個實施方式中，如果當通過在復位周期PR期間施加的下降斜坡脈沖來執(zhí)行第二初始放電時將等于顯示數(shù)據(jù)信號的電壓Va的偏置電壓Vx施加到公共尋址電極線A1到An上，那么下降斜坡脈沖的最低電壓Vnf的幅值|Vnf2|有利地小于用于在尋址周期PA期間選擇放電單元而施加的尋址脈沖的電壓VSC-L的幅值|VSC-L|。同樣，在復位周期PR期間施加的下降斜坡脈沖的最低電壓Vnf2的幅值|Vnf2|變得小于將在后面的維持放電周期PS期間施加的交替維持脈沖的電壓Vs。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，在PDP中可以獲得下面的效果。
第一，由于僅在由障肋分割的放電單元中產生維持放電，所以即使長時間顯示相同圖象時也可能防止由于帶電粒子導致的熒光體層的離子濺射而不留下永久余像。
第二，由于從放電單元的所有側都產生表面放電，所以可以擴大放電面積。
第三，由于將從每個放電單元的所有側產生的放電擴散到放電單元的中心，所以與傳統(tǒng)PDP相比放電面積大大地加寬了，并且可以有效地利用整個放電單元。因此，可以實現(xiàn)低壓驅動并可以大大地增強發(fā)光效率。
第四，由于驅動器僅僅包括用于驅動掃描電極線的掃描驅動器和用于驅動公共尋址電極線的尋址驅動器而不用X驅動器，所以可以大大地降低驅動器的制造成本。
第五，由于當下降斜坡脈沖被施加到掃描電極線上以產生第二初始放電時施加到公共尋址電極線上的偏置電壓等于用于在尋址周期尋址的顯示數(shù)據(jù)信號的電壓Va，所以可以減少將要施加到PDP上的電壓電平的數(shù)量，這可以節(jié)省PDP驅動電路的制造成本。
第六，由于在復位周期中施加的下降斜坡脈沖的最低電壓(Vnf)不同于在維持放電周期中施加的交替維持脈沖的電壓(Vs)，也就是說，最低電壓(Vnf)的幅值大于維持電壓Vs的幅值，所以在維持放電周期期間非選擇放電單元中的錯誤放電不會發(fā)生。
盡管上面的說明已經指出了如應用到各種實施方式的本發(fā)明的新穎特征，但技術人員將能夠理解在不偏離本發(fā)明范圍的情況下可以在所示的裝置或過程的形式和細節(jié)上進行各種省略、置換和變化。因此，本發(fā)明的范圍由所附權利要求定義而不由上述說明定義。權利要求等價物的意義和范圍內的所有變化都包含在它們的范圍內。
權利要求
1.等離子體顯示面板(PDP)，其包括第一基板和與第一基板相對的第二基板；障肋，其與第一基板和第二基板一起分割放電單元；多條公共尋址電極線，其被嵌入障肋中以便圍繞放電單元，并延伸來橫穿放電單元；多個掃描電極線，其被嵌入障肋中以便圍繞放電單元，與公共尋址電極線分離，并延伸以在各自的放電單元處與公共尋址電極線相交；在每個放電單元中形成的熒光體層；及其中PDP被配置成由包括復位周期、尋址周期和維持放電周期的驅動波形驅動；其中，在復位周期中，PDP被配置成向掃描電極線施加上升斜坡脈沖以執(zhí)行第一初始放電，并向掃描電極線施加下降斜坡脈沖以執(zhí)行第二初始放電；其中，在尋址周期中，PDP被配置成向維持在掃描高電壓(VSC-H)處的多條掃描電極線施加掃描脈沖的掃描低電壓(VSC-L)并選擇性地向公共尋址電極線施加顯示數(shù)據(jù)信號，該公共尋址電極線與施加了掃描脈沖的掃描低電壓(VSC-L)的掃描電極線相交；其中，在維持放電周期中，PDP被配置成向掃描電極線施加交替維持脈沖；以及其中在復位周期中施加的下降斜坡脈沖的最低電壓(Vnf)不同于在維持放電周期中施加的交替維持脈沖的電壓(Vs)。
2.權利要求1的PDP，其中在復位周期中施加的最低電壓(Vnf)的幅值大于在維持放電周期中施加的交替維持脈沖的電壓(Vs)。
3.權利要求1的PDP，其中，在復位周期中，當下降斜坡脈沖被施加到掃描電極線上時，把具有與顯示數(shù)據(jù)信號的電壓相同的電壓的偏置電壓(Va)施加到公共尋址電極線上。
4.權利要求3的PDP，其中下降斜坡脈沖的最低電壓(Vnf)的幅值小于在尋址周期中順序施加到掃描電極線上的掃描脈沖的掃描低電壓(VSC-L)的幅值。
5.權利要求1的PDP，其中當累積在障肋上的壁電荷產生的壁電壓與施加到公共尋址電極的信號和施加到掃描電極的信號之間的電壓差之和超過放電單元的特征放電啟動電壓(Vf)時，在放電單元中產生第一放電，及復位周期的特征放電啟動電壓、尋址周期的特征放電啟動電壓和維持放電周期的特征放電啟動電壓都是相同的。
6.權利要求5的PDP，其中，在維持放電周期中，施加到掃描電極線上的交替維持脈沖電壓(Vs)大于特征放電啟動電壓(Vf)的一半。
7.權利要求5的PDP，其中，當維持比下降斜坡脈沖的電壓大了特征放電啟動電壓(Vf)的壁電壓時，在復位周期中施加到掃描電極的下降斜坡脈沖具有產生第二初始放電的斜率。
8.權利要求5的PDP，其中，在終止下降斜坡脈沖之后，放電單元被維持在比下降斜坡脈沖的最低電壓(Vnf)的幅值大了特征放電啟動電壓(Vf)的復位后的壁電壓(Vw)處。
9.權利要求8的PDP，其中復位后的壁電壓(Vw)小于特征放電啟動電壓(Vf)的一半。
10.權利要求8的PDP，其中復位后的壁電壓(Vw)和交替維持脈沖的電壓(Vs)之和小于特征放電啟動電壓(Vf)。
11.權利要求1的PDP，其中障肋由介電材料制成。
全文摘要
公開了一種等離子體顯示面板(PDP)。該PDP包括第一基板和與第一基板相對的第二基板、分割放電單元的障肋、被嵌入障肋并相互相交的公共尋址電極線和掃描電極線、在放電單元中形成的熒光體層以及在放電單元中填充的放電氣體。PDP由包括復位周期、尋址周期和維持放電周期的驅動波形來驅動。在復位周期中，通過分別將上升斜坡脈沖和下降斜坡脈沖施加到掃描電極線上來分別執(zhí)行第一初始化和第二初始化。在尋址周期中，掃描脈沖被順序施加到掃描電極線上，并且將顯示數(shù)據(jù)信號選擇性地施加到公共尋址電極線上；以及在維持放電周期中，交替維持脈沖被施加到掃描電極線上，其中下降斜坡脈沖的最低電壓(V
文檔編號G09G3/288GK1737890SQ20051008969
公開日2006年2月22日 申請日期2005年6月30日 優(yōu)先權日2004年6月30日
發(fā)明者姜景斗, 李源周 申請人:三星Sdi株式會社