專利名稱：電光裝置及電光裝置的驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明特別地涉及適于降低功耗的顯示裝置及其驅(qū)動方法，電光裝置及其驅(qū)動方法，進(jìn)而還涉及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
對于顯示裝置所要求的重要功能之一，有色調(diào)顯示功能，作為色調(diào)方式采用多種方式。作為主要的色調(diào)方式，可以舉出(I)通過模擬控制提供給像素的電阻值或者電壓值，進(jìn)行色調(diào)顯示的方法，(II)把構(gòu)成像素的副像素的顯示狀態(tài)控制為接通狀態(tài)或者斷開狀態(tài)的某一種狀態(tài)，改變像素內(nèi)的處于接通狀態(tài)的副像素與處于斷開狀態(tài)的副像素的比例進(jìn)行色調(diào)顯示的所謂像素密度色調(diào)方式，(III)通過改變像素處于導(dǎo)通期間與處于斷開期間，進(jìn)行色調(diào)顯示的時間色調(diào)方式等。
當(dāng)前，在便捷電話機(jī)等便攜用設(shè)備中搭載著液晶顯示裝置或者有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置等顯示裝置，除去色調(diào)顯示功能以外，還進(jìn)一步要求顯示裝置的低功耗和長壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗以及長壽命的顯示裝置，另外，還提供與低功耗以及長壽命相對應(yīng)的液晶顯示的驅(qū)動方法。
本發(fā)明的電光裝置，對應(yīng)于多根掃描線與多根信號線的交叉部，配置有多個像素，其特征在于所述多個像素的每一個都包括電光元件，對應(yīng)于所述多個像素的每一個形成有晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，對應(yīng)于所述電光元件形成有像素電極，所述晶體管的柵極連接于所述多根掃描線中的一根掃描線上，所述像素電極連接于所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器上。
本發(fā)明的液晶顯示裝置是矩陣形地配置像素，上述像素包括多個副像素的顯示裝置，特征在于上述副像素包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。由于該顯示裝置像素包含多個副像素，因此通過控制各個副像素的顯示狀態(tài)，能夠進(jìn)行色調(diào)顯示。另外，該顯示裝置由于在副像素中包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，因此在顯示數(shù)據(jù)的改寫時以外，不需要特別地向副像素提供掃描信號，因此能夠降低掃描頻率或者進(jìn)行掃描抽值，具有對于顯示裝置的低功耗或者長壽命有效的結(jié)構(gòu)。另外，作為顯示裝置的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，除去通常靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器以外還能夠使用偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器或者同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器等。
在上述的顯示裝置中，能夠進(jìn)行設(shè)定使得上述副像素采取接通狀態(tài)或者斷開狀態(tài)的某一種狀態(tài)。通過這樣做，控制基于電信號的顯示狀態(tài)將很容易。另外，在使用薄膜晶體管(以下，稱為TFT)控制各副像素時，能夠極其降低TFT的特性分散對于顯示狀態(tài)的影響。
在上述的顯示裝置中，還可以把色調(diào)設(shè)定為上述像素的最大輝度與處于接通狀態(tài)的上述副像素的副像素的總計(jì)輝度之比的函數(shù)。在接通狀態(tài)時把具有預(yù)定輝度的各個副像素控制為接通狀態(tài)以及斷開狀態(tài)這兩種狀態(tài)的某一種，由于使處于接通狀態(tài)的副像素的總計(jì)輝度根據(jù)圖像信號變化，進(jìn)行色調(diào)顯示，因此即使在各個副像素中存在光電特性的分散性也能夠進(jìn)行色調(diào)顯示。另外，這里所謂最大輝度是包含在像素中的副像素全部為接通狀態(tài)時的總計(jì)輝度。
在上述的顯示裝置中，也可以把色調(diào)設(shè)定為上述像素占有的總面積與處于接通狀態(tài)的上述副像素占有的面積之比的函數(shù)。這樣的顯示裝置即使在各個副像素中存在光電特性的分散也能夠進(jìn)行色調(diào)顯示。
在上述的顯示裝置中，還能夠在上述副像素中配置液晶顯示元件。這種情況下，由于把液晶顯示元件用作為顯示元件，因此能夠?qū)?yīng)于薄型化或者輕量化這樣的對于顯示裝置的要求。
作為液晶顯示元件，能夠使用透射型以及反射型的任一種。在反射型的情況下，由于能夠在與光的取出一側(cè)相反的反射型液晶顯示元件的下方空間中匯集配置晶體管等有源元件或者布線等，因此適于確?？讖街怠?br> 在上述的顯示裝置中，還能夠在上述副像素中配置有機(jī)場致發(fā)光顯示元件。這種情況下，由于作為顯示元件使用有機(jī)場致發(fā)光顯示元件，因此能夠?qū)?yīng)薄型化或者輕量化，除此以外，還具有廣視角的特性。
本發(fā)明的顯示裝置的第1驅(qū)動方法是矩陣形地配置像素，并且上述像素包括具有靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的多個副像素的顯示裝置的驅(qū)動方法，特征在于把上述副像素控制為接通狀態(tài)或者斷開狀態(tài)的某一種，利用上述像素的總占有面積與處于接通狀態(tài)的上述副像素占有的面積之比獲得色調(diào)。
本發(fā)明的顯示裝置的第2驅(qū)動方法是矩陣形地配置像素，并且上述像素包括具有靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的多個副像素的顯示裝置的驅(qū)動方法，特征在于把上述副像素控制為接通狀態(tài)或者斷開狀態(tài)的某一種，利用上述像素的最大輝度與處于接通狀態(tài)的副像素的總計(jì)輝度之比獲得色調(diào)。
在上述的顯示裝置的驅(qū)動方法中，即使進(jìn)行中間色調(diào)的顯示時，由于僅利用副像素的接通狀態(tài)或者斷開狀態(tài)的某一種狀態(tài)，因此即使在各個副像素中存在光電特性的分散，也能夠進(jìn)行色調(diào)顯示。
本發(fā)明的第1電光裝置是包括在多條信號線與多條掃描線的交叉部分矩陣形地配置的像素的電光裝置，特征在于上述像素包括具備了靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器和電光元件的副像素。
在上述的電光裝置中，上述各個電光元件的輝度最好設(shè)定為使得采取高輝度和低輝度的2值。這里，所謂2值，例如指的是進(jìn)行設(shè)定使得采取輝度0的狀態(tài)以及最大輝度的某一種。如果這樣做，則能夠使經(jīng)過信號線提供給像素的數(shù)據(jù)信號簡單。另外，與此相伴隨，還能夠?qū)崿F(xiàn)簡化信號線驅(qū)動電路的電路結(jié)構(gòu)或者減少信號線驅(qū)動電路的占有面積。
在上述的電光裝置中，還能夠把色調(diào)設(shè)定為包含在上述像素中的上述電光元件的總計(jì)輝度的函數(shù)。
在上述的顯示裝置中，還能夠把色調(diào)設(shè)定為包含在上述像素中的上述電光元件占有的總面積與處以高輝度狀態(tài)的上述副像素占有的總計(jì)面積之比的函數(shù)。
在上述的電光裝置中，還能夠把上述電光裝置采用為液晶裝置。作為液晶裝置能夠采用透射型以及反射型的任一種。為了實(shí)現(xiàn)低功耗，有時最好是不需要特別光源的反射型。另外，由于在與光的取出一側(cè)相反的反射型液晶元件的下方空間中匯集配置晶體管的有源元件或者布線等，因此適于確保孔徑值。
在上述的電光裝置中，還能夠把上述電光元件采用為有機(jī)場致發(fā)光顯示元件。
本發(fā)明的電光裝置的驅(qū)動方法，在該電光裝置中，對應(yīng)于掃描線與信號線的交叉部配置有包含電光元件的像素，對應(yīng)于所述像素形成有晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，對應(yīng)于所述電光元件形成有像素電極，該方法其特征在于通過經(jīng)由所述掃描線向所述晶體管的柵極供給使所述晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)的信號，來從所述信號線經(jīng)由所述晶體管向所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器供給數(shù)據(jù)信號，向所述像素電極供給與保持在所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器中的所述數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓。
本發(fā)明的電光裝置的驅(qū)動方法是包含在多條信號線與多條掃描線的交叉部分矩陣形地配置的像素，并且在上述像素內(nèi)配置著具備了電光元件的副像素的電光裝置的驅(qū)動方法，特征在于包括經(jīng)過上述多條信號線提供把上述電光元件的輝度控制為低輝度以及高輝度的某一種的數(shù)據(jù)信號的步驟，把上述數(shù)據(jù)信號保持在配置于上述副像素內(nèi)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器中的步驟。
在上述的電光裝置的驅(qū)動方法中，可以把電光元件的低輝度與高輝度的狀態(tài)設(shè)定為例如輝度0與最大輝度。
本發(fā)明的電子設(shè)備具備上述的顯示裝置或者上述的電光裝置。


圖1是本發(fā)明第1實(shí)施例的像素等效電路圖。
圖2示出本發(fā)明第1實(shí)施例的薄膜晶體管的制造工藝。
圖3示出本發(fā)明第2實(shí)施例的像素等效電路圖。
圖4示出本發(fā)明第2實(shí)施例的有機(jī)場致發(fā)光顯示元件的制造工藝。
圖5示出適用于安裝了本發(fā)明的電光裝置的筆記本型個人計(jì)算機(jī)時的一例。
圖6示出安裝了本發(fā)明的電光裝置的便捷電話機(jī)的一例。
圖7示出把本發(fā)明的電光裝置適用在取景器部分中的數(shù)字靜止圖像照相機(jī)的一例。
具體實(shí)施例方式
以下，說明本發(fā)明的典型的實(shí)施形態(tài)。
第1實(shí)施形態(tài)作為本發(fā)明的一個實(shí)施形態(tài)，敘述在一個像素內(nèi)配置了具備作為電光元件的液晶元件和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的多個副像素的顯示裝置。圖1是該顯示裝置的像素等效電路圖。這里，雖然只圖示1個像素，但是實(shí)際上，對應(yīng)于向像素送出掃描信號的掃描線與送出數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線的交叉部分，矩陣形地配置多個像素。在一個像素內(nèi)相對應(yīng)，形成晶體管3，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4，液晶元件5。作為晶體管3，能夠采用薄膜晶體管(TFT)，或者硅基底的晶體管，還有把具有芳香族或者相配耦合的有機(jī)半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體層的所謂有機(jī)晶體管等。作為薄膜晶體管，例如可以舉出非晶質(zhì)硅薄膜晶體管，多晶硅薄膜晶體管及單晶硅薄膜晶體管。在使用硅基底晶體管時，最好使用把在硅襯底上形成的晶體管分割在各包含一個或者多個的芯片上，然后再配置在玻璃等絕緣基板上的預(yù)定位置的結(jié)構(gòu)。
作為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4，能夠使用CMOS反相器型的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，或者耗盡負(fù)荷型，高電阻多晶硅負(fù)荷型等。作為構(gòu)成靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的晶體管，能夠使用與晶體管3相同的器件，而為了發(fā)揮作為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的功能，最好是多晶硅薄膜晶體管，單晶硅薄膜晶體管，硅基底的晶體管。作為液晶元件5，能夠使用透射型或者反射型的任一種。其中，在需要降低功耗時，作為液晶元件5最好是不需要背景光等光源的反射型液晶元件。
信號線最好根據(jù)數(shù)據(jù)信號的各位設(shè)置。例如，在供給2位的數(shù)據(jù)信號時，如圖1的等效電路圖所示那樣，作為信號線2，設(shè)置低位的信號線21以及高位的信號線22。
與這些信號線相對應(yīng)，作為晶體管3，配置低位的晶體管31和高位的晶體管32。同樣，作為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4，配置低位的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器41和高位的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器42，作為液晶元件5配置低位的液晶元件51和高位的液晶元件52。
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器41以及42既可以直接與字線(或者掃描線)以及數(shù)據(jù)線連接，也可以像圖1所示那樣，配置成使得柵極經(jīng)過與掃描線1連接的晶體管3與信號線2連接。通過進(jìn)行這樣配置，不需要根據(jù)各副像素的數(shù)目設(shè)置掃描線(或者字線)。這樣通過減少在布線之間產(chǎn)生的不必要的布線電容，起到抑制數(shù)據(jù)改寫時的延遲等的效果。
最好根據(jù)從信號線21以及22的每一個供給的數(shù)據(jù)信號，把液晶元件51以及52的每一個的輝度設(shè)定為高電平和低電平的2值(例如輝度0和最大輝度)。例如，如果使液晶元件51以及52的低電平的輝度相等(例如取為輝度0)，高電平的輝度成為1∶2，則在2位的數(shù)據(jù)信號下能夠得到4色調(diào)。在液晶元件51的低電平以及高電平的平均輝度(每單位面積的輝度)與液晶元件52的低電平以及高電平的平均輝度(每單位面積的輝度)分別實(shí)質(zhì)上相等時，通過使液晶元件51以及52的占有面積不同，對于所供給的數(shù)據(jù)信號可以得到最大限度的色調(diào)數(shù)。例如，通過使液晶元件52的占有面積成為51的占有面積的2倍，在2位的數(shù)據(jù)信號下能夠得到4色調(diào)。
在不使用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的情況下，必須始終以一定的周期經(jīng)過掃描線向像素電路供給選擇脈沖，而像本實(shí)施形態(tài)這樣，在把靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4利用為存儲元件的情況下，可以只在進(jìn)行數(shù)據(jù)的改寫動作時向像素電路供給選擇脈沖。即，在掃描線1上加入選擇脈沖期間，在信號線2上加入數(shù)據(jù)信號，通過晶體管3，供給到靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4，保持到進(jìn)行下一個數(shù)據(jù)的改寫時為止。根據(jù)保持在靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4中的數(shù)據(jù)控制液晶元件5的光反射或者光透射。
另外，作為液晶元件5，為了降低功耗，適于使用不需要具有背景光等光源的反射型。圖1所示的等效電路說明了供給2位的數(shù)據(jù)信號的情況，而在供給3位以上的數(shù)據(jù)信號的情況下，本發(fā)明的思想也是有效的。
第2實(shí)施形態(tài)作為本發(fā)明的一個實(shí)施形態(tài)，敘述在一個像素內(nèi)配置了具備作為電光元件的有機(jī)場致發(fā)光元件6和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的多個副像素的顯示裝置。圖3是該顯示裝置的像素等效電路圖。這里，雖然只圖示1個像素，但是實(shí)際上，對應(yīng)于向像素送出掃描信號的掃描線與送出數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線的交叉部分，矩陣形地配置多個像素。在一個像素內(nèi)相對應(yīng)，形成晶體管3，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4，有機(jī)場致發(fā)光元件6。作為晶體管3，能夠采用薄膜晶體管(TFT)，或者硅基底的晶體管，還有把具有芳香族或者相配耦合的有機(jī)半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體層的所謂有機(jī)晶體管等。作為薄膜晶體管，例如可以舉出非晶質(zhì)硅薄膜晶體管，多晶硅薄膜晶體管及單晶硅薄膜晶體管。在使用硅基底晶體管時，最好使用把在硅襯底上形成的晶體管分割在各包含一個或者多個的芯片上，然后再配置在玻璃等絕緣基板上的預(yù)定位置的結(jié)構(gòu)。
作為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4，能夠使用CMOS反相器型的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，或者耗盡負(fù)荷型，高電阻多晶硅負(fù)荷型等。作為構(gòu)成靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的晶體管，能夠使用與晶體管3相同的器件，而為了發(fā)揮作為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的功能，最好是多晶硅薄膜晶體管，單晶硅薄膜晶體管，硅基底的晶體管。
作為有機(jī)場致發(fā)光元件6的發(fā)光材料，能夠使用聚芴類或者聚亞苯-1，2-亞乙烯類等高分子材料，香豆素、若丹明等低分子材料。
信號線最好根據(jù)數(shù)據(jù)信號的各位設(shè)置。例如，在供給2位的數(shù)據(jù)信號時，如圖1的等效電路圖所示那樣，作為信號線2，設(shè)置低位的信號線21以及高位的信號線22。(*解碼的情況將如何？請參照上述的問題事項(xiàng)。)與這些信號線相對應(yīng)，作為晶體管3，配置低位的晶體管31和高位的晶體管32。同樣，作為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4，配置低位的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器41和高位的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器42，作為有機(jī)場致發(fā)光元件6配置低位的有機(jī)場致發(fā)光元件61和高位的有機(jī)場致發(fā)光元件62。
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器41以及42既可以直接與字線(或者掃描線)以及數(shù)據(jù)線連接，也可以像圖3所示那樣，配置成使得柵極經(jīng)過與掃描線1連接的晶體管3與信號線2連接。通過進(jìn)行這樣配置，不需要根據(jù)各副像素的數(shù)目設(shè)置掃描線(或者字線)。這樣，例如通過減少在布線之間產(chǎn)生的不必要的布線電容，起到抑制數(shù)據(jù)改寫時的延遲等的效果。另外，特別是由于在從設(shè)置了晶體管或者布線的電路基板一側(cè)取出光的所謂反向發(fā)射型中，由于布線或者晶體管越少，光的取出效率越高，因此將非常有利。
最好根據(jù)從信號線21以及22的每一個供給的數(shù)據(jù)信號，把有機(jī)場致發(fā)光元件61以及62的每一個的輝度設(shè)定為高電平和低電平的2值(例如輝度0和最大輝度)。例如，如果使有機(jī)場致發(fā)光元件61以及62的低電平的輝度相等(例如取為輝度0)，高電平的輝度成為1∶2，則在2位的數(shù)據(jù)信號下能夠得到4色調(diào)。在有機(jī)場致發(fā)光元件61的低電平以及高電平的平均輝度(每單位面積的輝度)與有機(jī)場致發(fā)光元件62的低電平以及高電平的平均輝度(每單位面積的輝度)分別實(shí)質(zhì)上相等時，通過使有機(jī)場致發(fā)光元件61以及62的占有面積不同，對于所供給的數(shù)據(jù)信號可以得到最大限度的色調(diào)數(shù)。例如，通過使有機(jī)場致發(fā)光元件62的占有面積成為61的占有面積的2倍，在2位的數(shù)據(jù)信號下能夠得到4色調(diào)。
在不使用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的情況下，必須始終以一定的周期經(jīng)過掃描線向像素電路供給選擇脈沖，而像本實(shí)施形態(tài)這樣，在把靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4利用為存儲元件的情況下，可以只在進(jìn)行數(shù)據(jù)的改寫動作時向像素電路供給選擇脈沖。即，在掃描線1上加入選擇脈沖期間，在信號線2上加入數(shù)據(jù)信號，通過晶體管3，供給到靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4，保持到進(jìn)行下一個數(shù)據(jù)的改寫時為止。根據(jù)保持在靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器4中的數(shù)據(jù)控制有機(jī)場致發(fā)光元件6的發(fā)光強(qiáng)度。
一般利用了高分子材料的有機(jī)場致發(fā)光顯示元件與利用了低分子材料的元件相比較，由于用低電壓驅(qū)動因此能夠減少供給到有機(jī)場致發(fā)光顯示元件中的電流量，但是另一方面，為了得到更多的色調(diào)，必須精確地控制供給到有機(jī)場致發(fā)光顯示元件中的電流量。如果像本實(shí)施形態(tài)這樣進(jìn)行設(shè)定使得有機(jī)場致發(fā)光顯示元件輝度采取2值，則即使不進(jìn)行電流量的精密控制，也能夠得到多色調(diào)。
圖3所示的等效電路說明了供給2位的數(shù)據(jù)信號的情況，而在供給3位以上的數(shù)據(jù)信號的情況下，本發(fā)明的思想也是有效的。
參照圖2，以下，說明本發(fā)明的典型的光電裝置的制造工藝。
首先，在玻璃基板71上，通過使用了SiH4的PECVD或者使用了Si2H6的LPCVD，成膜非晶硅。通過受激準(zhǔn)分子激光器等的激光照射或者固相生長，非晶硅再結(jié)晶，成為多晶硅72(圖2(a))。把多晶硅72圖形化以后，成膜柵極絕緣膜73，成膜以及圖形化柵極電極74(圖2(b))。使用柵極電極74自匹配地在多晶硅72中摻入磷或者硼等雜質(zhì)，激活后，形成CMOS結(jié)構(gòu)的源極區(qū)以及漏極區(qū)75。成膜第1層間絕緣膜76，開設(shè)連接孔，成膜以及圖形化源極電極以及漏極電極77(圖2(c))。進(jìn)而，成膜第2層間絕緣膜78，開設(shè)連接孔，成膜以及圖形化像素電極79(圖2(d))。在像素電極79的背面，配置薄膜晶體管。然后，根據(jù)通常的工藝，形成反射型液晶顯示元件。
如果依據(jù)本結(jié)構(gòu)，則對于像素密度色調(diào)方式的顯示裝置，通過僅在圖像變化時進(jìn)行掃描，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低功耗以及驅(qū)動電路的長壽命。另外，如果依據(jù)本結(jié)構(gòu)，則由于能夠在反射型液晶顯示元件的背面一側(cè)配置靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，因此將不發(fā)生孔徑值減少等問題。
圖4示出本發(fā)明第2實(shí)施例的有機(jī)場致發(fā)光元件的制造工藝。關(guān)于薄膜晶體管的制作工藝與第1實(shí)施例相同，如圖2所示。首先，成膜粘接層81，在成為發(fā)光區(qū)的部分形成開口部分(圖4(a)。接著，通過氧等離子或者CF4等離子等的等離子處理，控制基板表面的濕潤性。然后，通過旋轉(zhuǎn)涂層，橡皮滾涂敷，噴墨工藝(T.Shimoda，S.Seki，et al，Dig.SID’99(1999)376，S.Kanbe，et al，Proc.Euro Display’99 Late-News Papers(1999)85)的液相工藝或者濺射、蒸鍍等的真空工藝，成膜空穴注入層83以及發(fā)光層84。為了減小功函數(shù)，成膜包含堿性金屬的陰極85，用密封劑86密封，完成制造(圖4(b))。粘接層81的作用在于提高基板與層間層82的粘接性，另外，得到正確的發(fā)光面積。層間層82的作用在于使柵極電極74或者源極電極以及漏極電極77遠(yuǎn)離陰極85，降低寄生電容，在用液相工藝形成空穴注入層83或者發(fā)光層84時，控制表面的濕潤性，實(shí)現(xiàn)正確的圖形(T.Shimoda，M.Kimura，et al，Proc.Asia Display’98，217(1998))。
如果依據(jù)本結(jié)構(gòu)，則對于像素密度色調(diào)方式的顯示裝置，僅在像素變化時進(jìn)行掃描，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低功耗以及驅(qū)動電路的長壽命。另外，如果依據(jù)本結(jié)構(gòu)，則由于能夠在有機(jī)場致發(fā)光顯示元件的背面一側(cè)配置靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，因此將不發(fā)生孔徑值減少等問題。
下面，說明適用了上述電光裝置的電子設(shè)備的若干例子。圖5示出適用了上述的電光裝置的便攜型個人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)。該圖中，個人計(jì)算機(jī)1100由具有鍵盤1102的本體部分1104和顯示單元1106構(gòu)成，該顯示單元1106具備上述的電光裝置100。
圖6是示出把上述電光裝置100適用在其顯示部分的便捷電話機(jī)的結(jié)構(gòu)的透視圖。該圖中，便捷電話機(jī)1200除去多個操作按鈕1202以外，具備受話口1204，送話口1206的同時，還具備上述的電光裝置100。
圖7是示出把上述的電光裝置100適用在其取景器中數(shù)字靜止照相機(jī)的結(jié)構(gòu)。另外，該圖中還簡單地示出與外部設(shè)備的連接。通常的照相機(jī)通過被拍攝物體的光像在膠片上感光，而這里與其不同，數(shù)字靜止圖像照相機(jī)1300把被拍攝物體的光像通過CCD(電荷耦合元件)等拍攝元件進(jìn)行光電變換生成攝影信號。在數(shù)字靜止圖像照相機(jī)1300中的外殼1302的背面，設(shè)置上述的電光裝置100，成為根據(jù)CCD的攝影信號進(jìn)行顯示的結(jié)構(gòu)。電光裝置100起到顯示被拍攝物體的取景器的作用。另外，在外殼1302的觀察一側(cè)(圖中是背面一側(cè))，設(shè)置著包括光學(xué)透鏡或者CCD的感光單元1304。
如果拍攝者確認(rèn)在電光裝置100上顯示的被拍攝物體圖像，按下快門按鈕1306，則該時刻的CCD的攝影信號傳送并存儲在電路基板1308的存儲器中。另外，在該數(shù)字靜止圖像照相機(jī)1300中，在外殼1302的側(cè)面設(shè)置著視頻信號輸出端子1312和數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314。而且，如圖所示，在前者的視頻信號輸出端子1312上根據(jù)需要連接著電視監(jiān)視器1430，另外，在后者的數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子上根據(jù)需要連接著個人計(jì)算機(jī)1440。成為通過預(yù)定的操作，存儲在電路基板1308的存儲器中的攝影信號輸出到電視監(jiān)視器1340或者個人計(jì)算機(jī)1440中的結(jié)構(gòu)。
另外，作為適用本發(fā)明的電光裝置100的電子設(shè)備，除去圖5的個人計(jì)算機(jī)或者圖6的便捷電話機(jī)，圖7的數(shù)字靜止圖像照相機(jī)以外，還可以舉出電視機(jī)，取景器型、監(jiān)視器直視型的錄像機(jī)，汽車導(dǎo)航裝置，尋呼機(jī)，電子筆記本，臺式電子計(jì)算機(jī)，文字處理器，工作站，電視電話，POS終端，具備觸摸屏的設(shè)備等。而且，作為這些各種電子設(shè)備的顯示部分，當(dāng)然也能夠使用上述的電光裝置100。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，對應(yīng)于多根掃描線與多根信號線的交叉部，配置有多個像素，其特征在于所述多個像素的每一個都包括電光元件，對應(yīng)于所述多個像素的每一個形成有晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，對應(yīng)于所述電光元件形成有像素電極，所述晶體管的柵極連接于所述多根掃描線中的一根掃描線上，所述像素電極連接于所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器上。
2.如權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器包括p溝道型晶體管和n溝道型晶體管，所述像素電極連接于所述p溝道型晶體管的漏極和所述n溝道型晶體管的漏極上。
3.如權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器包括CMOS反相器，所述像素電極連接于所述CMOS反相器的輸出上。
4.如權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于所述多個像素的每一個都包括多個副像素，所述多個副像素的每一個都包括電光元件，對應(yīng)于所述多個像素的每一個形成有晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，對應(yīng)于所述電光元件形成有像素電極，所述晶體管的柵極連接于所述多根掃描線中的一根掃描線上，所述像素電極連接于所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器上。
5.如權(quán)利要求4所述的電光裝置，其特征在于所述副像素取導(dǎo)通或斷開的某一狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于把色調(diào)設(shè)定為包含在所述像素中的所有所述副像素的電光元件所占的面積的合計(jì)與包含在所述像素中的處于所述導(dǎo)通狀態(tài)的所述副像素的電光元件所占的面積的合計(jì)之比的函數(shù)。
7.如權(quán)利要求4所述的電光裝置，其特征在于所述電光元件被設(shè)定成取低輝度和高輝度的2個值的某一個。
8.如權(quán)利要求7所述的電光裝置，其特征在于把色調(diào)設(shè)定為包含在所述像素中的所有所述副像素的電光元件所占的面積的合計(jì)與包含在所述像素中的處于所述高輝度狀態(tài)的所述副像素的電光元件所占的面積的合計(jì)之比的函數(shù)。
9.如權(quán)利要求4所述的電光裝置，其特征在于把色調(diào)設(shè)定為包含在所述像素中的所有所述副像素的電光元件的最大輝度的合計(jì)與包含在所述副像素中的所述副像素的電光元件的輝度的合計(jì)之比的函數(shù)。
10.如權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于所述像素電極連接于液晶顯示元件上。
11.如權(quán)利要求10所述的電光裝置，其特征在于所述液晶顯示元件是反射型液晶顯示元件。
12.如權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于所述像素電極連接于有機(jī)場致發(fā)光元件上。
13.如權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于所述有機(jī)場致發(fā)光元件從所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器供給電流。
14.一種電子設(shè)備，其特征在于具備權(quán)利要求1至13中的任一項(xiàng)所述的電光裝置。
15.一種電光裝置的驅(qū)動方法，在該電光裝置中，對應(yīng)于掃描線與信號線的交叉部配置有包含電光元件的像素，對應(yīng)于所述像素形成有晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，對應(yīng)于所述電光元件形成有像素電極，其特征在于通過經(jīng)由所述掃描線向所述晶體管的柵極供給使所述晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)的信號，來從所述信號線經(jīng)由所述晶體管向所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器供給數(shù)據(jù)信號，向所述像素電極供給與保持在所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器中的所述數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于實(shí)現(xiàn)顯示裝置中的低功耗以及長壽命。通過在顯示裝置的像素內(nèi)配置具有液晶顯示元件或者有機(jī)場致發(fā)光顯示元件等顯示元件以及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的副像素，除去進(jìn)行色調(diào)顯示以外，還能夠?qū)?yīng)低功耗以及長壽命的要求。
文檔編號G09G3/20GK1716058SQ20051006878
公開日2006年1月4日 申請日期2002年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月9日
發(fā)明者木村睦 申請人:精工愛普生株式會社