專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器及其顯示單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種有機(jī)發(fā)光顯示器，且特別是有關(guān)一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其顯示單元。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參照?qǐng)D1，其是傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示單元的電路圖。有機(jī)發(fā)光顯示單元100包括N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS晶體管)T1，P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS晶體管)T2，電容C1及有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)O1。NMOS晶體管T1的漏極接收數(shù)據(jù)信號(hào)Data，其柵極接收掃描信號(hào)Scan。電容C1具有第一端及第二端，其第一端耦接至NMOS晶體管T1的源極，其第二端接收主電壓Vdd。PMOS晶體管T2的源極與電容C1的第二端耦接，其柵極是與電容C1的第一端耦接，其漏極是與有機(jī)發(fā)光二極管O1的正端耦接。有機(jī)發(fā)光二極管O1的負(fù)端偏壓于低主電壓Vss。
有機(jī)發(fā)光顯示單元100的發(fā)光亮度主要是由通過有機(jī)發(fā)光二極管O1的驅(qū)動(dòng)電流I決定。而驅(qū)動(dòng)電流I由PMOS晶體管T2產(chǎn)生，且驅(qū)動(dòng)電流I與PMOS晶體管T2的柵極電壓及源極電壓的差值Vgs有相對(duì)應(yīng)的關(guān)系。PMOS晶體管T2的源極電壓是為主電壓Vdd，PMOS晶體管T2的柵極電壓是為NMOS晶體管T1導(dǎo)通時(shí)的數(shù)據(jù)信號(hào)Data。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，其是表示傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light EmittingDisplay)。有機(jī)發(fā)光顯示器200包括顯示單元100(1，1)-100(m，n)，掃描線SL(1)-SL(m)，數(shù)據(jù)線DL(1)-DL(n)及主電壓線VL(1)-VL(n)。掃描線SL(1)-SL(m)用以分別傳送掃描信號(hào)Scan(1)-Scan(m)至對(duì)應(yīng)的顯示單元100中的NMOS晶體管T1的柵極。數(shù)據(jù)線DL(1)-DL(n)用以傳送數(shù)據(jù)信號(hào)Data(1)-Data(n)至顯示單元100中的對(duì)應(yīng)的NMOS晶體管T1的漏極。主電壓線VL(1)-VL(n)用以輸出主電壓Vdd至顯示單元100中的電容C1的第二端，主電壓Vdd為定值。然而實(shí)際狀況下，因?yàn)橹麟妷壕€VL(1)-VL(n)本身的阻抗會(huì)對(duì)主電壓Vdd形成壓降。以圖2中的A點(diǎn)及B點(diǎn)為例，A點(diǎn)及B點(diǎn)皆由主電壓線VL(2)以提供相同的主電壓Vdd，但因主電壓線VL(2)上的電流及其阻抗的緣故，而導(dǎo)致在B點(diǎn)的主電壓Vdd因壓降而較A點(diǎn)的主電壓Vdd低，即對(duì)于不同位置的顯示單元100，實(shí)際上是接收了各個(gè)位準(zhǔn)不同的主電壓Vdd，因此導(dǎo)致顯示單元100的亮度不均及與預(yù)期亮度的差別。
而且，主電壓線的壓降更導(dǎo)致另一問題，即為負(fù)載效應(yīng)(Loading effect)。請(qǐng)參照?qǐng)D3，其是傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器顯示全白畫面及顯示上半黑下半白畫面的示意圖。有機(jī)發(fā)光顯示器200(1)用以顯示全白畫面，為白色區(qū)域D。有機(jī)發(fā)光顯示器200(2)用以顯示上半黑下半白畫面，分為黑色區(qū)域E及白色區(qū)域F。傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器200(1)顯示白色區(qū)域D，若假設(shè)其對(duì)于主電壓線VL上的電流量要求為I。則傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器200(2)顯示黑色區(qū)域E及白色區(qū)域F，因只需提供白色區(qū)域F的顯示單元的電壓，主電壓線VL上的電流量要求只需0.5I。而理想的是，白色區(qū)域D與白色區(qū)域F，亮度應(yīng)相同。但因白色區(qū)域D要求的電流量較大，也造成主電壓Vdd的壓降較大，反而使白色區(qū)域D的亮度較??；反觀白色區(qū)域F要求的電流量較小，白色區(qū)域F的主電壓Vdd的壓降較小，使白色區(qū)域F的亮度較接近理想且較白色區(qū)域D的亮度大。此負(fù)載效應(yīng)會(huì)使得有機(jī)發(fā)光顯示器顯示畫面時(shí)，不僅無(wú)法達(dá)到預(yù)期的亮度，且反而使上半黑下半白畫面的白色區(qū)域F的亮度大于全白畫面的白色區(qū)域D的亮度，使顯示效果不盡理想。
當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示器應(yīng)用于不同的電子產(chǎn)品中時(shí)，不同的電子產(chǎn)品所提供的主電壓Vdd可能有所不同，為了達(dá)到需求的像素亮度，則需額外的調(diào)整電路，或增加外部電路來(lái)調(diào)整電壓，不合經(jīng)濟(jì)效益且增加成本。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器，其顯示單元不受主電壓的降壓影響，而無(wú)發(fā)光亮度不均的問題，亦不受到主電壓的限制而需增加額外的電路。
本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器，包括顯示單元、掃描線、數(shù)據(jù)線、參考線、及主電壓線。顯示單元包括電容、第一PMOS晶體管、及有機(jī)發(fā)光二極管。電容具第一端及第二端，第一端及第二端根據(jù)掃描信號(hào)，選擇性地分別接收數(shù)據(jù)信號(hào)與參考電壓。第一PMOS晶體管其柵極與電容的第一端耦接。有機(jī)發(fā)光二極管耦接至第一PMOS晶體管。當(dāng)掃描信號(hào)致能時(shí)，電容的第一端及第二端分別接收數(shù)據(jù)信號(hào)與參考電壓。而當(dāng)掃描信號(hào)非致能時(shí)，第一PMOS晶體管的源極偏壓于主電壓，且第一PMOS晶體管的源極耦接至電容的第二端，使第一PMOS晶體管的源極與柵極的電壓差等于電容的跨壓，第一PMOS晶體管輸出對(duì)應(yīng)至數(shù)據(jù)信號(hào)與參考電壓的差值的驅(qū)動(dòng)電流至有機(jī)發(fā)光二極管。掃描線用以傳送掃描信號(hào)。數(shù)據(jù)線用以傳送數(shù)據(jù)信號(hào)。參考線用以輸出參考電壓。主電壓線用以輸出主電壓。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下面特舉一較佳實(shí)施例并配合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。


圖1是傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示單元的電路圖。
圖2是傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖。
圖3是傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器顯示全白畫面及顯示上半黑下半白畫面的示意圖。
圖4是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示單元的電路圖。
圖5是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參照?qǐng)D4，其是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示單元的電路圖。有機(jī)發(fā)光顯示單元400包括PMOS晶體管Q4、有機(jī)發(fā)光二極管O2、電容C2、第一開關(guān)Q1、第二開關(guān)Q2及第三開關(guān)Q3。PMOS晶體管Q4用以產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流Id，其源極是與該第三開關(guān)Q3耦接，其漏極與有機(jī)發(fā)光二極管O2的正端耦接。有機(jī)發(fā)光二極管O2根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流Id發(fā)光，其負(fù)端耦接至一低主電壓Vss。電容C2具第一端及第二端，第一端與第一開關(guān)Q1耦接及與PMOS晶體管Q4的柵極耦接，第二端與第二開關(guān)Q2耦接，且第三開關(guān)Q3耦接于電容C2與PMOS晶體管Q4之間，例如第三開關(guān)Q3連接電容C2的第二端與PMOS晶體管Q4的源極。
第一開關(guān)Q1是由掃描信號(hào)Scan所控制，在本實(shí)施例中為NMOS晶體管，其漏極接收數(shù)據(jù)信號(hào)Data，其柵極接收掃描信號(hào)Scan，其源極是與電容C2的第一端耦接。第二開關(guān)Q2是由掃描信號(hào)Scan所控制，在本實(shí)施例中為NMOS晶體管，其漏極接收參考電壓Vref，其柵極接收掃描信號(hào)Scan，其源極是與電容C2的第二端耦接。第三開關(guān)Q3是由掃描信號(hào)Scan所控制，在本實(shí)施例中為PMOS晶體管，其漏極是與電容C2的第二端耦接，其柵極接收掃描信號(hào)Scan，其源極與該P(yáng)MOS晶體管Q4的源極耦接。
當(dāng)掃描信號(hào)Scan致能時(shí)，第一開關(guān)Q1及第二開關(guān)Q2導(dǎo)通，第三開關(guān)Q3不導(dǎo)通，數(shù)據(jù)信號(hào)Data經(jīng)第一開關(guān)Q1傳送至電容C2的第一端，參考電壓Vref經(jīng)第二開關(guān)Q2輸入至電容C2的第二端，此時(shí)電容C2的跨壓Vc為參考電壓Vref及數(shù)據(jù)信號(hào)Data的差值Va。且此時(shí)參考電壓Vref的作用僅對(duì)電容C2做充電的動(dòng)作，充電動(dòng)作完成后，就不再有電流流向電容C2，所以參考電壓Vref不會(huì)有壓降的問題，而能保持固定位準(zhǔn)。當(dāng)掃描信號(hào)Scan非致能時(shí)，第一開關(guān)Q1及第二開關(guān)Q2不導(dǎo)通，第三開關(guān)Q3導(dǎo)通，使得電容C2與PMOS晶體管Q4電性連接，PMOS晶體管Q4的源極是偏壓于主電壓Vdd且PMOS晶體管Q4的源極與柵極的電壓差Vgs是等于電容C2的跨壓Vc即差值Va，PMOS晶體管Q4是產(chǎn)生對(duì)應(yīng)至差值Va的驅(qū)動(dòng)電流Id。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，其是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic LightEmitting Display)。有機(jī)發(fā)光顯示器500包括顯示單元400(1，1)-400(m，n)，掃描線SL(1)-SL(m)，數(shù)據(jù)線DL(1)-DL(n)，主電壓線VL(1)-VL(n)，及參考線RL(1)-RL(m)。掃描線SL(1)-SL(m)用以分別傳送掃描信號(hào)Scan(1)-Scan(m)至對(duì)應(yīng)的顯示單元400。數(shù)據(jù)線DL(1)-DL(n)用以傳送數(shù)據(jù)信號(hào)Data(1)-Data(n)至顯示單元400。參考線RL(1)-RL(m)用以輸出參考電壓Vref至顯示單元400。主電壓線VL(1)-VL(n)用以輸出主電壓Vdd至顯示單元400。
于本實(shí)例中，顯示單元400中的第一開關(guān)Q1以NMOS晶體管達(dá)成時(shí)，其漏極與數(shù)據(jù)線DL耦接以接收數(shù)據(jù)信號(hào)Data，其柵極耦接至掃描線SL接收掃描信號(hào)Scan，其源極耦接至電容C2的第一端。顯示單元400中的第二開關(guān)Q2以NMOS晶體管達(dá)成時(shí)，其漏極與參考線RL耦接以接收參考電壓Vref，其柵極耦接至掃描線SL以接收掃描信號(hào)Scan，其源極耦接至電容C2的第二端。顯示單元400中的第三開關(guān)Q3以PMOS晶體管達(dá)成時(shí)，其柵極耦接至掃描線SL以接收掃描信號(hào)Scan，其源極與主電壓線Vd耦接以接收主電壓Vdd，其漏極耦接至電容C2的第二端。
本發(fā)明上述實(shí)施例所揭示的有機(jī)發(fā)光顯示器及其顯示單元，因顯示單元的亮度是由參考電壓及數(shù)據(jù)信號(hào)的差值決定，而參考電壓的位準(zhǔn)已為固定，即使主電壓有壓降的現(xiàn)象，也不會(huì)對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管產(chǎn)生亮度影響。因此更不會(huì)因?yàn)樨?fù)載效應(yīng)，使亮度跟預(yù)期有所差異。而使其亮度均勻且不會(huì)跟預(yù)期亮度有所差異。若供應(yīng)不同的主電壓，亦不用再增加額外的電路配置，直接可適用不同產(chǎn)品的需求，故本發(fā)明更具有降低成本的優(yōu)點(diǎn)。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本技術(shù)的人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的等效的改變或替換，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的本申請(qǐng)權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示單元，包括一電容，具一第一端及一第二端，該第一端及該第二端根據(jù)一掃描信號(hào)選擇性地分別接收一數(shù)據(jù)信號(hào)與一參考電壓；一第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS晶體管)，其柵極是與該電容的該第一端耦接；以及一有機(jī)發(fā)光二極管，是耦接至該第一PMOS晶體管；其中，當(dāng)該掃描信號(hào)致能時(shí)，該電容的該第一端及該第二端分別接收該數(shù)據(jù)信號(hào)與該參考電壓；及當(dāng)該掃描信號(hào)非致能時(shí)，該第一PMOS晶體管的源極偏壓于一主電壓，且該第一PMOS晶體管的源極是耦接至該電容的該第二端，使得該第一PMOS晶體管的源極與柵極的電壓差等于該電容的跨壓，該第一PMOS晶體管輸出對(duì)應(yīng)至該數(shù)據(jù)信號(hào)與該參考電壓的差值的一驅(qū)動(dòng)電流至該有機(jī)發(fā)光二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的單元，其特征在于該單元還包括一第一開關(guān)，由該掃描信號(hào)所控制，與該電容的該第一端耦接，用以選擇性地傳送該數(shù)據(jù)信號(hào)；一第二開關(guān)，由該掃描信號(hào)所控制，與該電容的該第二端耦接，用以選擇性地輸出該參考電壓；以及一第三開關(guān)，由該掃描信號(hào)所控制，與該第一PMOS的源極耦接，用以選擇性地輸出該主電壓；其中，當(dāng)該掃描信號(hào)致能時(shí)，該第一開關(guān)及該第二開關(guān)導(dǎo)通，該第三開關(guān)不導(dǎo)通，該第一開關(guān)傳送該數(shù)據(jù)信號(hào)，該第二開關(guān)輸出該參考電壓；及當(dāng)該掃描信號(hào)非致能時(shí)，該第一開關(guān)及該第二開關(guān)不導(dǎo)通，該第三開關(guān)導(dǎo)通并輸出該主電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的單元，其特征在于該第一開關(guān)為一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS晶體管)，該NMOS晶體管的漏極接收該數(shù)據(jù)信號(hào)，該NMOS晶體管的柵極接收該掃描信號(hào)，該NMOS晶體管的源極與該電容的該第一端耦接。
4.如權(quán)利要求2所述的單元，其特征在于該第二開關(guān)為一NMOS晶體管，該NMOS晶體管的漏極接收該參考電壓，該NMOS晶體管的柵極接收該掃描信號(hào)，該NMOS晶體管的源極與該電容的該第二端耦接。
5.如權(quán)利要求2所述的單元，其特征在于該第三開關(guān)為一第二PMOS晶體管，該第二PMOS晶體管的漏極與該電容的該第二端耦接，該第二PMOS晶體管的柵極接收該掃描信號(hào)，該第二PMOS晶體管的源極與該第一PMOS晶體管的源極耦接。
6.如權(quán)利要求2所述的單元，其特征在于該第三開關(guān)連接該電容的該第二端與該第一PMOS晶體管的源極。
7.一種有機(jī)發(fā)光顯示單元，包括一第一開關(guān)，由一掃描信號(hào)所控制；一第二開關(guān)，由該掃描信號(hào)所控制；一第三開關(guān)，由該掃描信號(hào)所控制；一第一PMOS晶體管，用以產(chǎn)生一驅(qū)動(dòng)電流，該第一PMOS晶體管的源極與該第三開關(guān)耦接；一有機(jī)發(fā)光二極管，根據(jù)該驅(qū)動(dòng)電流發(fā)光；以及一電容，具一第一端及一第二端，該第一端與該第一開關(guān)耦接，該第二端與該第二開關(guān)耦接，該第三開關(guān)耦接于該電容與該P(yáng)MOS晶體管之間；其中，當(dāng)該掃描信號(hào)致能時(shí)，該第一開關(guān)及該第二開關(guān)導(dǎo)通，該第三開關(guān)不導(dǎo)通，一數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)該第一開關(guān)輸入至該電容的該第一端，一參考電壓經(jīng)該第二開關(guān)輸入至該電容的該第二端，此時(shí)該電容的跨壓為該參考電壓及該數(shù)據(jù)信號(hào)的差值；及當(dāng)該掃描信號(hào)非致能時(shí)，該第一開關(guān)及該第二開關(guān)不導(dǎo)通，該第三開關(guān)導(dǎo)通，使得該電容與該第一PMOS晶體管電性連接，該第一PMOS晶體管的源極偏壓于一主電壓且該第一PMOS晶體管的源極與柵極的電壓差等于該電容的跨壓，該第一PMOS晶體管產(chǎn)生對(duì)應(yīng)至該差值的該驅(qū)動(dòng)電流。
8.如權(quán)利要求7所述的單元，其特征在于該第一開關(guān)為一NMOS晶體管，該NMOS晶體管的漏極接收該數(shù)據(jù)信號(hào)，該NMOS晶體管的柵極接收該掃描信號(hào)，該NMOS晶體管的源極與該電容的該第一端耦接。
9.如權(quán)利要求7所述的單元，其特征在于該第二開關(guān)為一NMOS晶體管，該NMOS晶體管的漏極接收該參考電壓，該NMOS晶體管的柵極接收該掃描信號(hào)，該NMOS晶體管的源極與該電容的該第二端耦接。
10.如權(quán)利要求7所述的單元，其特征在于該第三開關(guān)為一第二PMOS晶體管，該第二PMOS晶體管的漏極與該電容的該第二端耦接，該第二PMOS晶體管的柵極接收該掃描信號(hào)，該第二PMOS晶體管的源極與該第一PMOS晶體管的源極耦接。
11.如權(quán)利要求7所述的單元，其特征在于該第三開關(guān)連接該電容的該第二端與該第一PMOS晶體管的源極。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括顯示單元、掃描線、數(shù)據(jù)線、參考線及主電壓線。顯示單元包括第一PMOS晶體管、有機(jī)發(fā)光二極管及電容。第一PMOS晶體管產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流。有機(jī)發(fā)光二極管根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流發(fā)光。電容具第一端及第二端，第一端及第二端根據(jù)控制信號(hào)選擇性地分別接收數(shù)據(jù)信號(hào)與參考電壓。掃描線用以傳送掃描信號(hào)。數(shù)據(jù)線用以傳送數(shù)據(jù)信號(hào)。參考線用以輸出參考電壓。主電壓線用以輸出主電壓至第一PMOS晶體管。
文檔編號(hào)G09F9/33GK1588521SQ2004100791
公開日2005年3月2日 申請(qǐng)日期2004年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月8日
發(fā)明者李國(guó)勝, 胡碩修 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司