專利名稱：有機el顯示器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示器，尤其涉及有機EL(電致發(fā)光)顯示器。
背景技術：
有機EL顯示器是一種自發(fā)光顯示器，因此它可以具有較寬的視角和較高的響應速度。由于不需要背光，這類顯示器可以具有更薄的結構以及在重量上變得更輕。正是這些原因，近來隨著有機EL顯示器可以很好地取代液晶顯示器而受到廣泛的關注。
在有機EL顯示器的制造工藝中，在制成緩沖層或發(fā)射層時，時常會使用含有有機材料溶液所制成的涂層薄膜的干燥方法。例如，在基片上制成一層具有與象素一一對應的通孔的絕緣隔離層。通過使用這些通孔作為液體容器，采用溶液涂覆方法將含有有機材料的溶液填充至這些通孔中如，噴墨淀積法。之后，通過干燥液體薄膜從液體薄膜中去除溶劑。
采用這一方式，制成緩沖層。也可以采用同樣的方法來制成發(fā)射層。
在該方法中，將用于制成發(fā)射層或緩沖層的涂層溶液(例如，墨水)只涂覆在一個通孔之內，有機材料可用于作為絕緣隔離層，并且可以在噴墨薄膜形成之前使用等離子體氣體或者類似方法將該絕緣隔離層制成為防墨水的。然而，在絕緣隔離層中所形成的各個通孔側壁都是防墨水的，從而在通孔中所放置的墨水減小了與側壁相接觸的面積。因此，當絕緣隔離層是由有機絕緣層單獨制成時，墨水就時常不會擴散到由通孔所定義的凹穴的整個底部。于是，當絕緣隔離層是由有機絕緣層單獨制成時，就較容易在陽極和陰極之間發(fā)生短路。
正是由于這一原因，通常在有機絕緣層的下面制成一層比有機絕緣層對墨水更具親和力的絕緣層。也就是說，該絕緣隔離層具有雙層結構，它包括這種絕緣層和有機絕緣層。
不幸的是，發(fā)射層的薄膜厚度均勻性經常會受到與溶液、溶液的表面張力和粘性以及溶劑的干燥特征有關的無機和有機絕緣層的可濕性的影響。因此，當采用雙層結構作為絕緣隔離層來使用時，發(fā)射層的中心部分經常會變得比該層的邊緣部分更薄。
如果發(fā)射層的薄膜厚度是不均勻的，則電流就會集中于較薄的部分。這種電流現(xiàn)象不僅會干擾象素中的均勻光發(fā)射，而且還會起發(fā)射層的薄的部分的早期劣化。這就會縮短顯示器的光發(fā)射壽命。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一個目的是提供一種有機EL顯示器，它可以具有較高發(fā)射層薄膜厚度均勻性。
根據本發(fā)明的第一方面，提供了一種有機EL顯示器，它包括一個基片，一個沉積在基片上的絕緣底層，一個局部覆蓋絕緣底層的第一電極，一個沉積在絕緣底層上并局部覆蓋第一電極的的局部絕緣層，一個包括發(fā)射層并沉積在沒有被絕緣隔離層所覆蓋的第一電極未覆蓋部分上的有機層，以及沉積在有機層上的第二電極；其中，有機層的表面面對著基片，它包括一個第一區(qū)域和一個插入在第一區(qū)域和絕緣隔離層的一邊表面之間的第二區(qū)域，并且基片和第二區(qū)域之間的距離比基片和第一區(qū)域之間的距離短。
根據本發(fā)明的第二方面，提供了一種有機EL顯示器，它包括一個基片，一個沉積在基片上的絕緣底層，一個局部覆蓋絕緣底層的第一電極，一個沉積在絕緣底層上并局部覆蓋第一電極的的局部絕緣層，一個包括發(fā)射層并沉積在沒有被絕緣隔離層所覆蓋的第一電極未覆蓋部分上的有機層，以及沉積在有機層上的第二電極；其中，絕緣隔離層包括一個覆蓋著第一電極邊緣和沒有被第一電極所覆蓋的部分基片的第一絕緣層，第一絕緣層在對應第一電極的中心部分的位置上設置一個第一通孔，以及一個沉積在第一絕緣層上并且在對應于第一電極的位置上提供一個第二通孔的第二絕緣層，其中，第二通孔的側壁環(huán)繞著夾在第一和第二電極之間的區(qū)域并且具有一個對應于第一電極外形的外形。
根據本發(fā)明的第三方面，提供了一種有機EL顯示器，它包括一個基片，一個沉積在基片上的絕緣底層，一個局部覆蓋絕緣底層的第一電極，一個沉積在絕緣底層上并局部覆蓋第一電極的的局部絕緣層，一個包括發(fā)射層并沉積在沒有被絕緣隔離層所覆蓋的第一電極未覆蓋部分上的有機層，以及沉積在有機層上的第二電極；其中，未覆蓋部分包括一個較高高度部分和一個較低高度部分，較低高度部分插入在較高高度部分和被絕緣隔離層所覆蓋的第一電極的覆蓋部分之間，較低高度部分的上表面在高度上低于較高高度部分的上表面。
在第一方面，絕緣隔離層可以包括覆蓋第一電極邊緣和沒有被第一電極所覆蓋的基片部分的第一絕緣層，第一絕緣層在對應于第一電極的中心部分的位置上提供一個第一通孔，以及一個沉積在第一絕緣層上并在對應于第一電極的位置上提供第二通孔的第二絕緣層。在該結構中，第二通孔的側壁環(huán)繞著夾在第一和第二電極之間的區(qū)域并具有對應于第一電極的外形的外形。絕緣隔離層還環(huán)繞著該區(qū)域形成了一個溝，溝的內壁和底部是由第一絕緣層的表面所組成的，而溝的外壁是由第二絕緣層的表面所組成的。
同樣，在第二方面，第一和第二絕緣層的重疊體可以形成環(huán)繞區(qū)域的溝，溝的內壁和底部是由第一絕緣層的表面所組成的，而溝的外壁是由第二絕緣層的表面所組成的。
在第一方面，未覆蓋部分可以包括一個較高高度部分和一個較低高度部分，較低高度部分插入在較高高度部分和被絕緣隔離層所覆蓋的第一電極的覆蓋部分之間。在該結構中，較低高度部分的上表面可以在高度上低于較高高度部分的上表面。
在第一和第三方面，第一電極和絕緣隔離層可以在較高高度部分和絕緣隔離層之間形成一個槽和一個溝，槽的底部是由較低高度部分的表面所組成，而溝的底部是由絕緣底層的表面所組成。
在第一和第三方面，第一電極可以包括一個電極主體和一個端點，該端點從電極主體向外延伸并且采用與電極主體相同的材料制成。絕緣隔離層可以在對應第一電極的位置上設有通孔。通孔的側壁可以環(huán)繞著電極主體，從而在第一電極和絕緣隔離層之間形成開放環(huán)狀溝，該環(huán)狀溝在端點的位置上開放。在該結構中，電極主體可以包括較高高度部分，而端點可以包括較低高度部分。
在第一方面，較低高度部分可以環(huán)繞著較高高度部分。
在第一和第三方面，絕緣底層可以在對應于較低高度部分的位置上提供凹槽。
在第一至第三方面，第一電極可以是一個陽極，第二電極可以是一個陰極。在該結構中，有機層還可以包括在陽極和發(fā)射層之間的緩沖層。
在第一方面，絕緣隔離層可以包括沉積在第一電極沒有覆蓋的部分基片上的無機絕緣層，無機絕緣層局部覆蓋著第一電極，并且有機絕緣層沉積在無機絕緣層上。另外，絕緣隔離層可以是一個有機絕緣層。
在第二方面，第一絕緣層可以是一個無機絕緣層，并且第二絕緣層可以是一個有機絕緣層。
附圖簡要描述

圖1是顯示根據本發(fā)明第一實施例的一個有機EL顯示器的剖面示意圖；圖2是顯示根據比較實例的一個有機EL顯示器的矩陣基片的剖面示意圖；圖3是以放大的尺寸顯示圖1所示的有機EL顯示器的部分矩陣基片的示意圖；圖4是顯示圖3所示部分基片的平面示意圖；圖5是顯示根據第二實施例的一個有機EL顯示器的平面示意圖；圖6是沿著圖5所示的有機EL顯示器的VI-VI線的剖面圖；圖7是顯示根據另一比較實例的一個有機EL顯示器的平面示意圖；圖8是沿著圖7所示的有機EL顯示器的VIII-VIII線的剖面圖；圖9是顯示根據本發(fā)明第三實施例的一個有機EL顯示器的平面示意圖；和，圖10是沿著圖7所示的有機EL顯示器的X-X線的剖面圖。
具體實施例方式
以下將參考附圖詳細討論本發(fā)明的實施例。在這些附圖中，相同的標號標注著能夠獲得相同或類似功能的組成元件，并且省略對其的重復討論。
圖1是顯示根據本發(fā)明第一實施例的一個有機EL顯示器的剖面示意圖。圖1所示的有機EL顯示器1的結構包括矩陣基片2和密封基片3，兩者采用一個密封層4相互面對著。密封層4可以沿著密封基片3的邊緣延伸，以便于在矩陣基片2和密封基片3之間形成一個封閉的空間。這一空間可以采用諸如Ar氣的稀有氣體或者諸如N2氣的惰性氣體來填充。
矩陣基片2具有一個基片11。在該實施例中，基片11是具有光透射性的透明絕緣基片，例如，玻璃基片。
在基片11上，依次層疊著底層，例如，SiNx層12和SiOx層13。
在底層13上，依次層疊著一層半導體層14，例如，具有溝道、源極和漏極的多晶硅層，一層采用諸如TEOS(原硅酸四乙酯)制成的柵極絕緣薄膜15，以及一層采用諸如MoW制成的柵極電極16，從而制成一個頂部柵極型薄膜晶體管(下文稱之為TFT)20。在柵極絕緣薄膜15上，可以配置如以形成柵極電極16的相同步驟所形成的掃描信號線(未顯示)。
柵極絕緣薄膜15和柵極電極16都采用諸如等離子體CVD制成的SiOx所制成的介質中間層21覆蓋。源/漏電極23可制成在介質中間層21上并采用諸如SiNx所制成的鈍化薄膜覆蓋。源/漏電極23具有，例如，Mo/Al/Mo的三層結構，并且通過在介質中間層21中所制成的接觸孔電連接TFT 20的源極和漏極。在介質中間層21上，可配置以在排列源/漏電極23的相同步驟所制成的視頻信號線(未顯示)。在該實施例中，鈍化薄膜24是一層絕緣底層。
在鈍化薄膜24上，以相互間隔的方式排列著多個第一電極25。在該實施例中，第一電極25是一個陽極，它是采用具有光透射性能和諸如ITO(氧化銦錫)透明導電氧化物所制成的透明電極。第一電極25通過在鈍化薄膜24中所制成的過孔電連接漏極電極23。
第一絕緣層26a也制成在鈍化薄膜24上。絕緣層26a在對應于第一電極25的中心位置上具有第一通孔，并且覆蓋著這些未暴露于第一電極25的鈍化薄膜24部分和第一電極25的邊緣部分。絕緣層26a是諸如無機絕緣層，它可以是親水的或者對墨水具有較強親和力的無機絕緣層。相互相鄰的第一電極25是采用絕緣層26a相互電絕緣的。
第二絕緣層26b制成在第一絕緣層26a上。第二絕緣層26b在對應于第一電極25的位置上具有第二通孔，并且所具有的直徑大于第一電極25的直徑。這些第二通孔的每一個都環(huán)繞著夾在第一電極25和第二電極28(以下將討論)之間的區(qū)域，并且具有對應于第一電極25的外形的外形。絕緣層26b是諸如有機絕緣層，它是一個防墨水的或者防水的。值得注意的是，第一絕緣層26a和第二絕緣層26b的層疊體形成了一個絕緣隔離層26且在對應于第一電極25的位置上具有所制成的通孔。
在第一電極25的未覆蓋部分上，這是絕緣隔離層26沒有覆蓋的部分，制成包括發(fā)射層27b的有機層27。在該實施例中，緩沖層27a和發(fā)射層27b一起形成了有機層27。緩沖層27a是從第一電極25的空穴注入到發(fā)射層27b的媒介。發(fā)射層27b是諸如包含能夠發(fā)射出紅、綠和藍色光的發(fā)光有機化合物的薄膜。
第二電極28制成在絕緣隔離層26和發(fā)射層27b上。第二電極28通過在鈍化薄膜24和絕緣隔離層26中所制成的接觸孔(未顯示)電連接電極線。各個有機EL元件29都由第一電極25，有機層27和第二電極28所構成。
有機EL顯示器1的緩沖層27a和發(fā)射層27b可以使用含有有機溶劑和有機化合物的溶液采用溶液涂層方法來制成。該溶液使用具有相對較高極性的溶劑。因此，如果在溶液中的溶劑成分是足夠高的，則親水性絕緣層26a的可濕性就很高，并且防墨水的絕緣層26b的可濕性就很低。接著，在涂覆之后，制成緩沖層27a的溶液就會增加與絕緣層26a的接觸面積，而降低與絕緣層26b的接觸面積。同樣，在涂覆之后，制成發(fā)射層27b的溶液就會降低與絕緣層26b的接觸面積。
同樣，如果在溶液中溶劑成分下降，就會降低溶液的極性。進而，在干燥的過程中，制成緩沖層27a的溶液和制成發(fā)射層27b的溶液就會粘結在絕緣層26b的側壁上。
圖2是顯示根據比較實例的一個有機EL顯示器的矩陣基片的剖面示意圖。
在圖2所示的矩陣基片2中，第二絕緣層26b成疊在第一電極25的邊緣上。同樣，在矩陣基片2中，第一絕緣層26a的這些部分，即未暴露于第二絕緣層26b的這些部分，基本上都是平坦的。在該結構中，溶液在第一絕緣層26a上橫向擴散，并且減小了與第二絕緣層26b接觸的面積。因此，緩沖層27a就在與第二絕緣層26b相接觸的表面附近抬高了，并且這也增加了在該接觸表面附近的薄膜厚度。隨之，不僅是在絕緣層26a上，而且在對應于絕緣層26a中的通孔位置上，緩沖層27a和發(fā)射層27b的薄膜厚度從邊緣向中心較快地減小。
在有機EL元件29中，緩沖層27a和發(fā)射層27b的這些部分，即在絕緣層26a上這些位置上，都難以有效地發(fā)光，并且只有對應于在絕緣層26a中通孔的部分是主要有效發(fā)光部分。正如圖2所示，如果在對應于絕緣層26a中通孔位置上的緩沖層27a和發(fā)射層27b的薄膜的非均勻性很大，就會由于電流集中現(xiàn)象產生非均勻的發(fā)光和早期劣化。
圖3是以放大的尺寸顯示圖1所示的有機EL顯示器的部分矩陣基片的示意圖。圖4是顯示圖3所示部分基片的平面示意圖。值得注意的是，在圖4中，省略了有機層27和第二電極28。同樣，值得注意的是，圖3所示的部分等效于圖4所示結構中沿著III-III線的部分。
在該實施例中，正如圖3和圖4所示，絕緣層26a在對應于第一電極25的中心部分的位置上具有通孔，它覆蓋著這些未暴露于第一電極25的鈍化薄膜24和第一電極25邊緣。當使用這種結構時，就在具有鈍化薄膜24和第一電極25所形成的非均勻表面結構的絕緣層26a的表面上制成了對應于第一電極25邊緣部分的環(huán)狀凸出部分41和對應于在第一電極25之間間隙的類似晶格凹槽。因此，在該實施例中，在絕緣層26b表面所形成的類似晶格凹槽并不能被絕緣層26b完全填補，并且在凹槽的側壁以外部分形成了比凹槽更窄的絕緣層26b。換句話說，在第一電極25相互相鄰之間的位置上形成了絕緣層26b，其中絕緣層26b不與第一電極25相重疊。隨后，正如圖3和圖4所示，就在絕緣層26a和26b相重疊體的表面上形成了環(huán)繞著在絕緣層26a表面上所形成的環(huán)狀凸出部分41的溝42。
在該結構中，形成緩沖層27a的底層表面的高度就會從絕緣層26b的較低端向第一電極25的中心增加并再減小。同樣，在該結構中，在溝42中由于凹槽的影響也會降低緩沖層的邊緣。這就防止了緩沖層27a邊緣的任何抬高。此外，在緩沖層27a和發(fā)射層27b形成時，可優(yōu)化作用于涂覆薄膜的作用力。其結果是，可以獲得具有較高平整度的緩沖層27a和具有較高薄膜厚度均勻性的發(fā)射層27b。這就有可能抑止由于電流集中所引起的非均勻光反射和早期劣化。
當使用圖3和圖4所示的結構時，在面對著基片11的有機層27的表面上形成對應于凸出部分41和溝42的凹槽和凸出部分。也就是說，在圖3和圖4所示的結構中，面對著晶片11的有機層27可以包括對應于凸出部分41上表面的第一區(qū)域，對應于溝42的底部以及夾在第一區(qū)域和絕緣隔離層26的側表面之間的第二區(qū)域，以及對應于第一和第二區(qū)域所環(huán)繞著的第三區(qū)域。在基片11和第二區(qū)域之間的距離短于在基片11和第一區(qū)域之間的距離。同樣，在基片11和第三區(qū)域之間的距離短于在基片11和第一區(qū)域之間的距離。
在該實施例中，溝41的寬度較佳的是1.0μm或大于1.0μm。如果溝41的寬度太窄，上述效應就難以正常明顯出現(xiàn)。同樣，溝42的寬度較佳的是4.0μm或小于4.0μm。如果溝42的寬度太大，側有機EL元件29部分的面積比率就不能有利于增加發(fā)光。
在該實施例中，溝42的深度較佳的是50nm或大于50nm。如果溝42的深度太淺，則上述效應就難以正常明顯出現(xiàn)。溝42的深度并沒有任何上限。然而，在該實施例中，溝42可以使用以上所討論的第一電極25的厚度來制成。因此，溝42的正常深度是150nm或小于150nm。
以下將討論本發(fā)明第二實施例。根據第二實施例的有機EL顯示器具有與根據第一實施例的有機EL顯示器基本相同的結構，除了其表面上制成的有機層27的底層表面的形狀和絕緣隔離層26的結構之外。
圖5是顯示根據本發(fā)明第二實施例的有機EL顯示器的平面示意圖。圖6是沿著圖5所示的有機EL顯示器的VI-VI線的剖面圖。值得注意的是，在圖5中省略了第二電極28。
圖5和圖6所示的有機EL顯示器1具有一個矩陣基片2。在該矩陣基片2中，第一電極25包括一個電極主體25a，和一個端點25b，它從電極主體25a的邊緣向外延伸并采用與電極主體25a相同的材料所制成。在該實施例中，電極主體25a具有一個八邊形的形狀，并且通過端點25b電連接漏極電極23。同樣，在矩陣基片2中，絕緣隔離層26具有制成在對應于電極主體25a位置上的通孔。在該實施例中，各個通孔都具有一個八邊形的形狀，并且通孔的側壁環(huán)繞著電極主體25a。
類似于圖1所示的有機EL顯示器，圖5所示的有機EL顯示器1一般還包括一個面對著第二電極28的密封基片3，以及一層面對著第二電極28并沿著密封基片3表面的邊緣所延伸的密封層4，從而在第二電極28和密封基片3之間形成封閉的空間。該空間可以采用諸如Ar氣的稀有氣體或者諸如N2氣的惰性氣體來充填。
如同在第一實施例中，有機EL顯示器1的緩沖層27a和發(fā)射層27b可以采用溶液涂層方法來形成，即采用含有有機溶劑和有機化合物的噴墨沉積方法。當溶劑的成分是足夠高時，該墨水對所制成的防墨水的絕緣隔離層26表面具有較低的親和力。因此，在涂覆之后墨水就會減小與絕緣隔離層26側壁的接觸面積。
圖7是顯示根據另一比較實例的一個有機EL顯示器的平面示意圖。圖8是沿著圖7所示的有機EL顯示器的VIII-VIII線的剖面圖。值得注意的是，在圖7中省略了第二電極28。
正如圖7和圖8所示，當在絕緣隔離層26中制成的通孔所確定的凹槽的底部是平坦的，則緩沖層27a和發(fā)射層27b的缺陷就容易產生在其邊緣。例如，如果缺陷產生于緩沖層27a和發(fā)射層27b的邊緣，則第一電極25和第二電極28就會發(fā)生短路。同樣，如果缺陷只發(fā)生在緩沖層27a的邊緣，則電流會集中與該缺陷部分。這就會損害有機EL顯示元件29或者縮短有機EL元件29的壽命。
相反，在該實施例中，正如圖5和圖6所示，連接著電極主體25a的電極端點端部分25b定位在絕緣隔離層26中所形成通孔的位置上，并且較低高度部分的上表面低于制成在端點端部分25b中的電極主體(較高高度部分)25a。采用這一方法，第一凹槽30a，它的底部是較低高度部分的表面，就能夠制成在電極主體25a和絕緣隔離層26之間。因此，在凹槽20a中利用毛細管現(xiàn)象或者其它類似現(xiàn)象，所形成有機層27的各層都能夠在沒有缺陷的條件下制成。這就有可能抑止在端點25b位置上的第一電極25和第二電極28之間的短路。
在該實施例中，所制成的在絕緣隔離層26中的通孔，使得環(huán)繞著電極主體25a的通孔側壁以一個預定的間隔與電極主體25a相分離。采用這一方法，開放在端點25b位置上的開放環(huán)狀溝30b就可以制成在電極主體25a和絕緣隔離層26之間。之外，在該實施例中，由凹槽30a和開放環(huán)狀溝30b形成了封閉環(huán)狀溝30。也就是說，在該實施例中，環(huán)繞著電極主體25a的溝30可以制成在絕緣隔離層26和電極主體25之間。
當制成了溝30時，由于重力作用或者其它影響，墨水就會擴散到通孔所確定凹槽的整個底部。因此，盡管采用單層結構作為絕緣隔離層26，但是仍有可能抑止在緩沖層27a和發(fā)射層27b的邊緣部分出現(xiàn)針孔。這就防止了在第一電極25和第二電極28之間容易產生的短路現(xiàn)象。
另外，在該實施例中，即使在絕緣隔離層26中制成的通孔底部的邊緣部分發(fā)生形成有機層27的層缺陷，但是由于電極主體25并沒有制成在其邊緣部分，所以就不容易在第一電極25和第二電極28之間發(fā)生短路現(xiàn)象。
值得注意的是，當采用圖5和圖6所示的結構時，就在面對著基片11的有機層27的表面上形成對應于溝30的凸出部分。即，在圖5和圖6所示的結構中，面對著基片11的有機層27的表面包括對應于電極主體25a上表面的第一區(qū)域，以及對應于溝30的底部并插入在第一區(qū)域和絕緣隔離層26之間的第二區(qū)域。在基片11和第二區(qū)域之間的距離短于在基片11和第一區(qū)域之間的距離。
以下將討論本發(fā)明的第三實施例。根據第三實施例的有機EL顯示器所具有的結構類同于根據第二實施例的有機EL顯示器的結構，除了第一電極的形狀之外。
圖9是顯示根據本發(fā)明第三實施例的一個有機EL顯示器的平面示意圖。圖10是沿著圖7所示的有機EL顯示器的X-X線的剖面圖。值得注意的是，在圖9中省略了第二電極28。
在第二實施例中，所制成的電極主體25a小于在絕緣隔離層26中所制成的通孔。這樣，在電極主體25a和絕緣隔離層26之間所制成的開放環(huán)狀溝30b可作為溝30的一部分來使用。相反，在圖9和圖10所示的第三實施例中，所制成的電極主體25a大于在絕緣隔離層26中所制成的通孔，并且在電極主體25a上形成一個臺階，使得它的邊緣部分低于它的中心部分，采用這一方法，就在電極主體25a的中間部分和絕緣隔離層26之間形成作為溝30的環(huán)狀凹槽30a。也就是說，第一電極25未覆蓋的部分，也就是絕緣隔離層26未覆蓋的部分，可以包括一個較高高度部分，以及一個上表面低于較高高度部分的較低高度部分，并且較高高度部分被較低高度部分所環(huán)繞。
第三實施例類同于第一實施例，除了采用以上所討論的結構之外。在該實施例中，可以獲得與第二實施例同樣的效應。
值得注意的是，當采用圖9和圖10所示的結構時，在面對著基片11的有機層27的表面上形成對應于溝30的凸出部分。也就是說，在圖9和圖10所示的結構中，面對著基片11的有機層27的表面包括對應于電極主體25a的第一區(qū)域，以及對應于溝30的底部并差價第一區(qū)域和絕緣隔離層26之間的第二區(qū)域。在基片11和第二區(qū)域之間的距離短于在基片11和第一區(qū)域之間的距離。
在第一和第三實施例中，溝30的寬度希望是，例如，大于2至10μm。同樣，溝30的深度希望能等于或大于第一電極25的厚度。
正如圖6和圖10所示，例如，可以通過提供形成第一電極25的底層表面，即，具有第二凹槽31的鈍化薄膜24的表面，來形成凹槽30a。
第二凹槽31可以采用腐蝕或者類似方法來形成。例如，具有所需深度的第二凹槽31可以采用半腐蝕鈍化薄膜24的方法來形成。值得注意的是，半腐蝕方法是一種通過處理所化的時間比正常腐蝕所需時間短或者通過暴露掩模的光透射密度在各個部分中各不相同的方法，僅去除表面區(qū)域，而腐蝕層并沒有穿透的技術。
也有可能腐蝕在鈍化薄膜24之下的介質中間層21，而不是腐蝕鈍化薄膜24。例如，有可能通過采用腐蝕的方法在介質中間層21中形成通孔，以在介質中間層21的表面上形成凹槽，并且使用該凹槽在鈍化薄膜24中形成第二凹槽31。另外，有可能采用半腐蝕的方法在介質中間層21的表面上形成凹槽，以及使用該凹槽在鈍化薄膜24的表面中形成第二凹槽31。
也可以采用薄膜形成方法來形成第二凹槽31。例如，可以采用多個步驟在第一電極25和基片11之間形成任何層。采用這一方法，第二凹槽31就可以在對應于第一凹槽31的區(qū)域中和在其它區(qū)域中通過適當?shù)谋∧そr間來形成第二凹槽31。
以下將討論作為根據第一至第三實施例的有機EL顯示器主要結構元件所適用的材料。
對基片11來說，可以使用任意基片，只要它能夠保持在基片上結構即可?；?1通常是硬基片，例如，玻璃基片。然而，也可以根據有機EL顯示器的應用，使用軟的基片，例如，塑料片。
當有機EL顯示器1是一種從基片11的邊上發(fā)射光的底部發(fā)光類型顯示器時，就可以使用具有光發(fā)射性能的透明電極來作為第一電極25。對于這一透明電極的材料來說，可以使用諸如ITO的透明導電材料。透明電極的薄膜厚度通常為大約10nm至150nm?？梢圆捎贸练e諸如ITO之類透明導電材料的方法，例如，蒸發(fā)和濺射的方法，來獲得透明電極，并且使用光刻技術圖形化所獲得的薄的薄膜。
對于絕緣層26a的材料來說，可以使用諸如氮化硅或者二氧化硅之類的無機絕緣材料。采用這些無機絕緣材料中的任意材料所制成的絕緣層26a都可以具有相對較高的親水性特性。
一例絕緣層26b材料是一種有機絕緣材料。適用于絕緣層26b的有機絕緣材料并沒有特別的限制。當使用光敏樹脂時，就可以較容易地制成具有通孔的絕緣層26b。一例適用于絕緣層26b形成的光敏樹脂材料是通過將諸如萘醌二疊氮基之類光敏化合物添加至諸如酚類樹脂、聚丙烯酰胺、聚酰胺樹脂、以及聚酰胺酸之類的堿性可溶解聚合體衍生物所制成的材料，并且它可以提供曝光和堿性顯影的正片圖形。一例提供負片圖形的光敏樹脂是通過光輻射作用將顯影液溶解速率降低的光敏化合物，例如，具有諸如可以通過光輻射進行交聯(lián)的環(huán)氧之類的功能類光敏樹脂。可以通過涂覆絕緣層11的表面來獲得絕緣層26b，可以使用上述光敏樹脂中任意樹脂以甩膠涂覆或者類似方法，在絕緣層是形成第一電極25以及其它等等，并且使用光刻方法圖形化所獲得的涂覆薄膜。
在第二和第三實施例中，有機絕緣材料或者其它等等都可以作為絕緣隔離層26的材料來使用。對于這種有機絕緣材料來說，有可能使用類似于絕緣層26b所例舉使用的材料。
絕緣隔離層26的薄膜厚度希望能等于或者大于緩沖層27a和發(fā)射層27b的薄膜厚度之和，正常的厚度大約為0.09至0.13μm。同樣，絕緣層26a的正常薄膜厚度大約為0.05至0.1μm。在緩沖層27a和發(fā)射層27b的形成過程中，絕緣層26b的表面希望預先采用諸如CF4/O2之類的等離子體氣體制成防墨水的，以便于采用噴墨沉積方法進行溶液涂覆過程中能夠提高位置的精度。
對于緩沖層27a的材料來說，有可能使用諸如施主聚合體有機化合物和受主聚合體有機化合物的混合物。對于施主聚合體的有機化合物來說，有可能采用諸如聚乙烯二氧化噻吩(下文中稱之為PEDOT)之類的聚噻吩衍生物和/或諸如聚苯胺之類的聚苯胺衍生物。對于受主有機化合物來說，可以采用聚苯乙烯磺酸基酸(下文稱之為PSS)或者其它等等。
可以采用溶液涂覆方法，利用在有機溶劑中所溶解的施主聚合體有機化合物和受主聚合體有機化合物的混合物制備而成的溶液，通過填充由絕緣隔離層26所形成的液體容器，并且通過干燥液體薄膜從液體容器中的液體薄膜中去除溶劑，來獲得緩沖層27a。一例適用于緩沖層27a形成的溶液涂覆方法的實例是浸漬、噴墨和甩膠涂覆。在這些方法中，噴墨沉積方法是特殊較佳的方法。同樣，液體薄膜可以在升溫和/或減壓的條件下進行干燥，也可以進行自然干燥。
對于發(fā)射層27b的材料來說，可以使用通常在有機EL顯示器中所使用的發(fā)光有機化合物。一例發(fā)射出紅色光的有機化合物的實例是含有在乙烯聚合苯乙烯衍生物的苯乙烯環(huán)中的烷基或烷基替代類聚合體化合物，和含有在乙烯聚合苯乙烯衍生物的次亞乙烯基類中的氰基類聚合體化合物。一例發(fā)射出綠色光的有機化合物的實例是乙烯聚合苯乙烯衍生物，在該衍生物中，將烷基、烷氧基或者芳基衍生物替代類引入到苯乙烯環(huán)中。一例發(fā)射出藍色光的有機化合物的實例是多氟化物衍生物，例如，二烴基芴和蒽。在發(fā)射層27b中，可以將低分子發(fā)光有機化合物或者其它等等化合物進一步添加至任意這些高分子發(fā)光有機化合物中。
正如以上所討論的，可以采用溶液涂覆方法，利用在有機溶劑中所溶解的發(fā)光有機化合物制備而成的溶液，通過填充由絕緣隔離層26所形成的液體容器，并且通過干燥液體薄膜從液體容器中的液體薄膜中去除溶劑，來獲得發(fā)射層27b。一例適用于發(fā)射層27b形成的溶液涂覆方法的實例是浸漬、噴墨和甩膠涂覆。在這些方法中，噴墨沉積方法是特殊較佳的方法。同樣，液體薄膜可以在升溫和/或減壓的條件下進行干燥，也可以進行自然干燥。
發(fā)射層27b的薄膜厚度可以根據所使用的材料來設置。通常，發(fā)射層27b的薄膜厚度為50nm至200nm。
當?shù)诙姌O28是陰極時，則第二電極28可以具有單層結構或者多層結構。如果作為陰極的第二電極28是以多層結構腐蝕給出的，則該多層結構可以是，例如，通過將含有鋇或鈣的主要導電層和含有銀或鋁的保護導電層依次層疊在發(fā)射層27b上的雙層結構。多層結構也可以是將含有鋇氟化物或者類似物質的非導電層和含有銀或鋁的導電層依次層疊在發(fā)射層27b上所獲得的雙層結構。此外，多層結構可以是將含有鋇氟化物或者類似物質的非導電層，含有鋇或鈣的主要導電層和含有銀或鋁的保護導電層依次層疊在發(fā)射層27b上的三層結構。
在第一至第三實施例中，第一電極25制成在鈍化薄膜24上。然而，第一電極25也可以制成在介質中間層21上。這就是說，第一電極25和視頻信號線都可以制成在相同的表面上。
同樣，在第一至第三實施例中，有機EL顯示器1是一種底部發(fā)射類型的顯示器。然而，有機EL顯示器1也可以是一種頂部發(fā)射類型的顯示器。在這種情況下，例如，有機絕緣層可以作為一個平坦層插在第一電極25和鈍化薄膜24之間。無機絕緣層通常是在高溫下制成的。因此，如果絕緣隔離層26包括一層無機絕緣層的話，則在上述的薄膜形成過程中就不能在基片11上制成有機層。然而，在第二和第三實施例中，絕緣隔離層26僅僅只包括有機絕緣層。因此，就能夠在絕緣隔離層26之下制成有機層。
在第二和第三實施例中，盡管采用單層結構作為絕緣隔離層26，但是它能夠抑止在緩沖層27a和發(fā)射層27b的邊緣部分中針孔等現(xiàn)象。當采用多層結構作為絕緣隔離層26使用時，也能夠獲得這一效應。例如，正如第一實施例，絕緣隔離層26可以包括一層有機絕緣層26b和一層制成在有機絕緣層上26b上的無機絕緣層26a的雙層結構，其中，有機絕緣層具有對墨水的較低親水性，而無機絕緣層具有對墨水的較高親水性。
同樣，在第二和第三實施例中，以一一對應與有機EL元件29，即，電極主體25a的方式在絕緣隔離層26中制成通孔。然而，絕緣隔離層26也可以具有另一種結構，該結構將有機絕緣層27分割成各種顏色的發(fā)光區(qū)域。例如，在將可以發(fā)射出紅、鋁和藍色光的有機EL元件29以一個顯示區(qū)域排列成條狀時，可以一一對應于這些條狀的方式在絕緣隔離層26中形成帶狀類的開孔，也就是說，這就有可能在絕緣隔離層26中形成帶狀開孔，以及在各個開孔中形成一個帶狀類有機層27，以便于多個有機EL元件可以發(fā)射出相同顏色的光。
此外，在第一至第三實施例中，當使用一個反向基片3進行密封時，就有可能通過將干燥劑放置在基片2和3之間的空間中或者通過將樹脂填充在該空間來提高熱輻射特性來延長元件29的壽命。
以下將解釋本發(fā)明的實例。
在該實例中，可以采用以下的方法來制造圖1所示的有機EL顯示器。
即，首先，采用與常規(guī)TFT制成工藝相同的方式，在以及制成底層12和13的玻璃基片11表面上重復進行薄膜形成和圖形化，從而制成TFT 20、介質中間層21、電極線(未顯示)、源極/漏極電極23，以及鈍化薄膜24。
在鈍化薄膜24上，采用濺射的方法制成一層50nm后的ITO薄膜。之后，采用光刻的方法進行ITO薄膜的圖形化，以獲得第一電極25。各個第一電極25都可以是對角線長度為55μm的八邊形。值得注意的是，第一電極25也可以采用掩模濺射的方法來制成。
在已經制成第一電極25的基片11的表面上，制成具有一一對應于象素的光發(fā)射部分孔的親水性無機絕緣層26a。絕緣層26a的厚度為0.1μm。正如圖4所示，在絕緣層26a中的各個孔都是對角線長度為50μm的八邊形。之后，在已經制成第一電極25的基片11的表面上涂覆光敏樹脂，并且所獲得的涂覆薄膜進行圖形化曝光和顯影，以形成具有一一對應于象素光發(fā)射部分的孔的防墨水的有機絕緣層26b。絕緣層26b的厚度為3μm，并且在絕緣層26a中的各個孔都是對角線長度為58μm的八邊形，正如圖4所示。
于是，通過層疊絕緣層26a和26b就能夠獲得絕緣隔離層26。值得注意的是，使用CF4/O2等離子體氣體對已經形成絕緣隔離層26的基片11進行表面處理，從而用氟化物處理絕緣層26b的表面。
隨后，采用噴墨沉積方法流出緩沖層形成墨水，以在絕緣隔離層26中形成的液體容器中形成液體薄膜。這些液體薄膜加溫至120攝氏度保持3分鐘，以獲得緩沖層27a。
在此之后，在對應于紅、綠和藍色象素的緩沖層27a上，采用噴墨沉積方法流出形成紅、綠和藍色發(fā)射層的墨水液體，以形成液體薄膜。這些液體薄膜加溫至90攝氏度保持1小時，以獲得發(fā)射層27b。
接著，在真空條件下在已經制成發(fā)射層27b的基片11的表面上蒸發(fā)鋇，隨后蒸發(fā)鋁，從而形成第二電極28。采用這一方式，就完成了TFT矩陣基片2。
在此之后，采用紫外固化樹脂通過涂覆在玻璃基片3的主要表面的邊緣形成密封層4。隨后，在惰性氣體的氛圍中，將玻璃基片3和矩陣基片2粘結起來，使得已經制成了密封層4的玻璃基片3的表面和已經制成了第二電極28的矩陣基片2的表面可相互面對著制成。此外，采用紫外輻射來固化密封層，從而就完成了圖1所示有機EL顯示器。
以下采用與實例1所解釋的相同步驟來制造有機EL顯示器，除了圖2所示的結構可應用于矩陣基片2。在該實例中，第一電極25是對角線長度為58μm的八邊形，在親水性層26a上的孔是對角線長度為50μm的八邊形，以及在絕緣層26b中的孔是對角線長度為55μm的八邊形。
采用剖面SEM來觀察根據實例1和比較實例1的有機EL顯示器1的緩沖層27a和發(fā)射層27b。
因此，在根據實例1的有機EL顯示器1中，在絕緣層26a中形成通孔的位置上，緩沖層26a和發(fā)射層26b的薄膜厚度基本上是均勻的。這就是說，根據實例1的有機EL顯示器1所具有的結構能夠抑止在發(fā)射層27b部分上的局部電流集中。其效果是，當有機EL顯示器1顯示圖像時，各個象素的亮度是均勻的。相反，在根據比較實例1的有機EL顯示器中，緩沖層26a和發(fā)射層26b薄膜厚度的不均勻性在絕緣層26a中形成通孔的位置上較大，使得各個象素的亮度是不均勻的。
在該實例中，采用以下方法制造圖5和圖6所示的有機EL顯示器。
這就是說，首先，采用類似于常規(guī)的TFT制造工藝的相同方法，在已經制成SiNx層12和SiO2層13作為底層的玻璃基片11的表面上重復進行薄膜形成和圖形化，從而形成TFT 20、介質中間層21、各種線(未顯示)、源極/漏極電極23，以及鈍化薄膜24。多晶硅層用于TFT 20的半導體層14來使用，使用TEOS形成TFT 20的柵極絕緣薄膜15，以及MoW可用于TFT 20的柵極電極16。另外，以介質中間層21的方式形成660nm厚的PEO層，以鈍化薄膜24的方式形成450nm厚的SiN層。此外，Mo/Al/Mo的三層結構可用于源極/漏極電極23。
隨后，可以使用光刻和腐蝕的方法在鈍化薄膜24中形成200nm深的第二凹槽31。接著，可以使用光刻和腐蝕的方法在鈍化薄膜24中形成大約10μm的接觸孔。
在鈍化薄膜24上，可以濺射方法形成50nm厚的ITO薄膜。該ITO薄膜可以使用光刻和腐蝕的方法進行圖形化，以獲得可作為陽極的第一電極25。各個第一電極25的電極主體25a都是一個80μm邊的正八邊形。另外，在第二凹槽31的位置中，形成200nm深和100μm寬的第一凹槽30a，它可以從電極主體25a延伸穿過帶狀類端點25b。值得注意的是，第一電極25也可以采用掩模濺射的方法來形成。
在已經制成了第一電極25的基片11的表面上涂覆正性紫外固化樹脂，并且將所獲得涂覆薄膜進行圖形曝光和顯影，并且在220攝氏度下烘焙30分鐘，從而形成具有一一對應于象素的光發(fā)射部分的通孔的絕緣隔離層26。分隔絕緣薄膜26的厚度為3μm，在基片11一邊上，絕緣隔離層26中的各個通孔是邊長為90μm的正八邊形。這樣，在電極主體25a和絕緣隔離層26之間就形成了深度50nm和寬度5μm的開放環(huán)狀溝30b。
在反應離子腐蝕裝置中，使用CF4/O2等離子體氣體對已經形成絕緣隔離層26的基片11進行表面處理，從而用氟化物處理絕緣隔離層26的表面。
接著，采用噴墨沉積方法使用壓電類噴墨噴頭噴出緩沖層形成墨水，以在絕緣隔離層26中形成的液體容器中形成液體薄膜。對于緩沖層形成墨水來說，使用在有機溶劑中含有PEDOT含量為1.0wt％的溶液。另外，墨水的供給速率為0.05mL/min。隨后，這些液體薄膜加熱至200攝氏度保持300秒，以獲得100nm厚的緩沖層27a。
在此之后，在對應于紅、綠和藍色象素的緩沖層27a上，采用噴墨沉積的方法噴出形成紅、綠和藍色發(fā)射層的墨水液體，以形成液體薄膜。對于各種發(fā)射層形成墨水來說，可以使用在有機溶劑中含有發(fā)光有機化合物含量為2.0wt％的溶液。另外，墨水的供給速率為0.05mL/min。隨后，這些液體薄膜加熱至100攝氏度保持15秒，以獲得150nm厚的發(fā)射層27b。
在10-7Pa的真空中，在已經制成發(fā)射層27b的基片11的表面上蒸發(fā)鋇，其厚度為6000nm。接著，在保持真空條件的同時，在該鋇層上蒸發(fā)鋁。采用這一方法，就制成了具有雙層結構的疊電極28，作為陰極。
在此之后，將紫外固化的樹脂涂覆在作為密封基片而分別制備的玻璃基片的一個主要表面的邊緣上(未顯示)，以形成一個密封層(未顯示)。隨后，在惰性氣體氛圍中將這一密封基片和基片11粘結在一起，使得已經制成密封層的密封基片的表面與已經制成第二電極28的基片11的表面相互面對著。另外，可采用紫外輻射來固化密封層。這樣，就完成了具有480×640×3(R、G、B)，即，在總共為920000象素的有機EL顯示器。
在該實例中，以下可采用實例2中所解釋的相同流程來制造圖5和圖6所示的有機EL顯示器1，除了采用以下的方法來形成第二凹槽31。這就是說，在該實例中，第二凹槽31不是采用腐蝕鈍化薄膜24的方法來制成的。而是，通過采用光刻和腐蝕的方法在介質中間層21中形成300nm厚的第三凹槽(未顯示)，從而在鈍化薄膜24中制成200nm厚的第二凹槽31，并且在帶狀類的端點25b中制成200nm深和10μm寬的第一凹槽30a。
在該實例中，采用以下方法制造圖9和圖10所示的有機EL顯示器1。
這就是說，首先，采用與實例2所解釋的相同流程來進行直至鈍化薄膜24的薄膜形成。
隨后，使用光刻和腐蝕方法，在鈍化薄膜24中形成200nm深的環(huán)狀第二凹槽31。接著，使用光刻和腐蝕方法，在鈍化薄膜24中形成大約10μm直徑的接觸孔。
在鈍化薄膜24的表面上，采用濺射方法形成50nm厚的ITO薄膜。隨后，可光刻和腐蝕方法對ITO薄膜進行圖形化，以獲得作為陽極的第一電極25。各個第一電極25的電極主體25a都是80μm邊長的正八邊形。同樣，在電極主體25a上形成對應于第二凹槽31的臺階。
隨后，采用與實例2所解釋的相同方法來形成絕緣隔離層26。在絕緣隔離層26和電極主體25a的中心部分之間，形成200nm深和10μm寬的環(huán)狀第一凹槽。
在此之后，依次進行在實例2中所解釋的相同步驟。這樣，就完成了具有480×640×3(R、G、B)，即，在總共為920000象素的有機EL顯示器。
在該實例中，以下可采用實例4中所解釋的相同流程來制造圖9和圖10所示的有機EL顯示器1，除了采用以下的方法來形成第二凹槽31。這就是說，在該實例中，第二凹槽31不是采用腐蝕鈍化薄膜24的方法制成的。而是，使用光刻和腐蝕的方法在介質中間層21中形成300nm厚的第三凹槽(未顯示)，從而在鈍化薄膜24中形成了200nm厚的第二凹槽31，以及在絕緣隔離層26和電極主體25a的中心部分之間形成200nm深和10μm寬的第一凹槽30a。
在該實例中，以下可采用實例4中所解釋的相同流程來制造圖7和圖8所示的有機EL顯示器1，除了沒有形成第一凹槽30a和第二凹槽31。
采用剖面SEM來觀察根據實例2至5和比較實例2的有機EL顯示器1的緩沖層27a和發(fā)射層27b。
從而，在根據實例2至5的有機EL顯示器1中，在絕緣隔離層26中所形成的各個通孔的位置上，緩沖層27a和發(fā)射層27b都具有基本均勻的厚度，并且沒有任何碎片等等。即，根據實例2至5的有機EL顯示器1所具有的機構能夠抑止在第一電極25和第二電極28之間的短路以及局部電流集中在發(fā)射層27b部分的現(xiàn)象。在效果上，當有機EL顯示器顯示圖像時，各個象素的亮度都是均勻的。
相比較，在根據比較實例2的有機EL顯示器1中，在絕緣隔離層26中所形成的各個通孔的位置上，緩沖層27a和發(fā)射層27b的薄膜厚度非均勻性較大，使得各個象素的亮度不均勻。
權利要求
1.一種有機EL顯示器，它包括基片，沉積在所述基片上的絕緣底層；局部覆蓋著所述絕緣底層上的第一電極；沉積在所述絕緣底層上并且局部覆蓋所述第一電極的分隔絕緣層；包括發(fā)射層并沉積在所述絕緣隔離層所未覆蓋的所述第一電極未覆蓋部分上的有機層；和，沉積在所述有機層上的第二電極；其特征在于，面對著所述基片的所述有機層表面包括第一區(qū)域和夾在第一區(qū)域和絕緣隔離層的一邊表面之間的第二區(qū)域，并且在所述基片和所述第二區(qū)域之間的距離短于在所述基片和所述第一區(qū)域之間的距離。
2.如權利要求1所述顯示器，其特征在于，所述絕緣隔離層包括覆蓋所述第一電極的邊緣部分和所述第一電極沒有覆蓋著的所述基片部分的第一絕緣層，所述第一絕緣層在對應于所述第一電極中心部分的位置上提供第一通孔；和，沉積在所述第一絕緣層上并在對應于所述第一電極的位置上提供第二通孔的第二絕緣層；和，其中，所述第二通孔的側壁環(huán)繞著夾在所述第一和第二電極之間的區(qū)域并且具有對應于所述第一電極外形的外形。
3.如權利要求2所述顯示器，其特征在于，所述絕緣隔離層形成環(huán)繞著所述區(qū)域的溝，所述溝的內側壁和底部包括第一絕緣層的表面，而所述溝的外側壁則包括第二絕緣層的表面。
4.如權利要求1所述顯示器，其特征在于，所述未覆蓋部分包括較高高度部分和較低高度部分，所述較低高度部分夾在所述較高高度部分和所述絕緣隔離層覆蓋的第一電極的覆蓋部分，而所述較低高度部分的上表面在高度上低于較高高度部分的上表面。
5.如權利要求4所述顯示器，其特征在于，所述第一電極和所述絕緣隔離層形成在所述較高高度部分和絕緣隔離層之間的凹槽和溝，所述凹槽的底部包括所述較低高度部分的表面，而所述溝的底部包括絕緣底層的表面。
6.如權利要求4所述顯示器，其特征在于，所述第一電極包括電極主體和端點，所述端點從電極主體的邊緣向外延伸并且是由與電極主體相同的材料制成，其中，所述絕緣隔離層在對應于所述第一電極的位置上提供通孔，其中，所述通孔的側壁環(huán)繞著所述電極主體，從而在所述第一電極和所述絕緣隔離層之間形成開放的環(huán)狀溝且開放在所述端點的位置上，和，其中，所述電極主體包括所述較高高度部分，而所述端點包括所述較低高度部分。
7.如權利要求4所述顯示器，其特征在于，所述較低高度部分環(huán)繞著所述較高高度部分。
8.如權利要求4所述顯示器，其特征在于，所述絕緣底層在對應于所述較低高度部分的位置上提供凹槽。
9.如權利要求1所述顯示器，其特征在于，所述第一電極是陽極，所述第二電極是陰極，并且所述有機層還包括在所述陽極和所述發(fā)射層之間的緩沖層。
10.如權利要求1所述顯示器，其特征在于，所述絕緣隔離層包括沉積在所述第一電極未覆蓋的所述基片部分上的無機絕緣層，所述無機絕緣層局部覆蓋著所述第一電極；和，沉積在所述無機絕緣層上的有機絕緣層。
11.如權利要求1所述顯示器，其特征在于，所述無機絕緣層是有機絕緣層。
12.一種有機EL顯示器，它包括基片，沉積在基片上的絕緣底層；局部覆蓋所述絕緣底層上的第一電極；沉積在所述絕緣底層上并且局部覆蓋所述第一電極的分隔絕緣層；包括發(fā)射層并沉積在所述絕緣隔離層所未覆蓋的所述第一電極未覆蓋部分上的有機層；和，沉積在所述有機層上的第二電極；其特征在于，所述絕緣隔離層包括覆蓋所述第一電極的邊緣部分和所述第一電極沒有覆蓋著的所述基片部分的第一絕緣層，所述第一絕緣層在對應于所述第一電極中心部分的位置上提供第一通孔；和，沉積在所述第一絕緣層上并在對應于所述第一電極的位置上提供第二通孔的第二絕緣層；和，其中，所述第二通孔的側壁環(huán)繞著夾在所述第一和第二電極之間的區(qū)域并且具有對應于所述第一電極外形的外形。
13.如權利要求12所述顯示器，其特征在于，所述絕緣隔離層形成環(huán)繞著所述區(qū)域的溝，所述溝的內側壁和底部包括第一絕緣層的表面，而所述溝的外側壁則包括第二絕緣層的表面。
14.如權利要求12所述顯示器，其特征在于，所述第一絕緣層是無機絕緣層，而所述第二絕緣層是有機絕緣層。
15.一種有機EL顯示器，它包括基片，沉積在基片上的絕緣底層；局部覆蓋所述絕緣底層上的第一電極；沉積在所述絕緣底層上并且局部覆蓋所述第一電極的分隔絕緣層；包括發(fā)射層并沉積在所述絕緣隔離層所未覆蓋的所述第一電極未覆蓋部分上的有機層；和，沉積在所述有機層上的第二電極；其特征在于，所述未覆蓋部分包括較高高度部分和較低高度部分，所述較低高度部分夾在所述較高高度部分和所述絕緣隔離層覆蓋的第一電極的覆蓋部分，而所述較低高度部分的上表面在高度上低于較高高度部分的上表面。
16.如權利要求15所述顯示器，其特征在于，所述第一電極和所述絕緣隔離層形成在所述較高高度部分和絕緣隔離層之間的凹槽和溝，所述凹槽的底部包括所述較低高度部分的表面，而所述溝的底部包括絕緣底層的表面。
17.如權利要求15所述顯示器，其特征在于，所述第一電極包括電極主體和端點，所述端點從電極主體的邊緣向外延伸并且是由與電極主體相同的材料制成，其中，所述絕緣隔離層在對應于所述第一電極的位置上提供通孔，其中，所述通孔的側壁環(huán)繞著所述電極主體，從而在所述第一電極和所述絕緣隔離層之間形成開放的環(huán)狀溝且開放在所述端點的位置上，和，其中，所述電極主體包括所述較高高度部分，而所述端點包括所述較低高度部分。
18.如權利要求15所述顯示器，其特征在于，所述較低高度部分環(huán)繞著所述較高高度部分。
19.如權利要求15所述顯示器，其特征在于，所述絕緣底層在對應于所述較低高度部分的位置上提供凹槽。
全文摘要
提供了一種有機EL顯示器(1)，它包括基片(11)、沉積在基片(11)上的絕緣底層(24)、局部覆蓋著絕緣底層(24)的第一電極(25)、沉積在絕緣底層(24)上并局部覆蓋著第一電極(25)的絕緣隔離層(26)、包括發(fā)射層并沉積在絕緣隔離層(26)未覆蓋的第一電極未覆蓋部分上的有機層(17)，以及沉積在有機層(27)上的第二電極(28)，其中，面對著基片(11)的有機層(27)表面包括第一區(qū)域和夾在第一區(qū)域和絕緣隔離層(26)一邊表面之間的第二區(qū)域，并且在基片(11)和第二區(qū)域之間的距離短于在基片(11)和第一區(qū)域之間的距離。
文檔編號G09F9/30GK1640203SQ03804929
公開日2005年7月13日 申請日期2003年9月5日 優(yōu)先權日2002年9月12日
發(fā)明者小俁一由, 山下禮子, 巖嵜剛 申請人:東芝松下顯示技術有限公司