專利名稱：具有備用信號線的薄膜電晶體陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜電晶體陣列，尤其是一種具有備用信號線的薄膜電晶體陣列。
背景技術(shù)：
平面顯示器是利用薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)陣列，控制每一個畫素的顯示。而薄膜電晶體的運作，又必須藉由信號線(signal line)與閘極線(gate line)控制。因此，若是信號線或是閘極線出現(xiàn)斷路(open)，將影響薄膜電晶體的正常運作，而造成畫素不正常顯示。
請參照圖1，是一習(xí)知薄膜電晶體1陣列的俯視圖。其中，信號線2的寬度遠小于閘極線3的寬度。因此，制程環(huán)境的微粒污染與制程中熱處理，容易導(dǎo)致信號線2產(chǎn)生斷路。為了解決上述信號線2斷路所衍生的問題，一般是設(shè)置一備用信號線，提供信號傳遞一備用線路。藉此，即使信號線2產(chǎn)生斷路，薄膜電晶體1依然可以經(jīng)由備用信號線接收控制信號。因而可以維持顯示器正常運作，提升產(chǎn)品良率以及可靠度。
請參照圖2，是一習(xí)知薄膜電晶體1、主要信號線30與備用信號線40的示意圖，該薄膜電晶體包括一閘極12、一第一隔離層14、一源極16、一汲極18、一閘極通道20、一第二隔離層22與一畫素電極層24。
閘極12是制作于一玻璃基板10的上表面，而第一隔離層14是制作于玻璃基板10上方且覆蓋上述閘極12。閘極通道20是制作于第一隔離層14的上方，且位于閘極12的正上方，以定義此薄膜電晶體的主動區(qū)域。而源極16與汲極18是制作于第一隔離層14的上方，并且連接至上述閘極通道20的兩側(cè)。同時，主要信號線30亦是制作于第一隔離層14的上方，延伸連接源極16以輸入信號。
第二隔離層22是制作于源極16、汲極18、閘極通道20與主要信號線30的上方，藉以保護薄膜電晶體。而畫素電極層24是制作于第二隔離層22的上方，用以輸入一操作電壓，以控制畫素的顯示。
備用信號線40是制作于第二隔離層22的上方，并透過一貫穿第二隔離層22的內(nèi)連線32，連接至主要信號線30，藉此，備用信號線40可以充當(dāng)控制信號傳遞至源極16的一備用線路，以預(yù)防主要信號線30產(chǎn)生斷路。
雖然，藉由設(shè)置于第二隔離層22上方的備用信號線40，可以解決主要信號線30斷路所衍生的問題，但仍有下列缺點待克服一、一般而言，畫素電極層24是位于一發(fā)光層(未圖示)的下表面，且該發(fā)光層的上表面是制作有一上電極層(未圖示)，并藉由上下電極層的電位差，驅(qū)動發(fā)光層以為顯示。因此，備用信號線40亦是位于該發(fā)光層的下表面。由于備用信號線40與上電極層之間僅夾有一發(fā)光層以為分隔，因而，容易因制程的瑕疵，導(dǎo)致備用信號線40與上電極層接觸產(chǎn)生短路，進而導(dǎo)致上電極層與畫素電極層24的電位相同(上電極層經(jīng)由備用信號線40連接至主要信號線30，而主要信號線30是連接至源極16，同時，畫素電極層24是連接至汲極18，藉此，當(dāng)薄膜電晶體開啟(on)時，上述源極16與汲極18是等電位，因此，上電極層與畫素電極層24等電位)，而產(chǎn)生暗點(dead pixel)。
二、受限于薄膜電晶體1的結(jié)構(gòu)設(shè)計，請參照圖2，第二隔離層22上表面的平坦度不佳，因此，制作備用信號線40于第二隔離層22上方時，容易因第二隔離層22的起伏，而造成備用信號線40厚度不均，甚至產(chǎn)生斷路。
有鑒于此，本發(fā)明提出一種薄膜電晶體1陣列，利用不同的備用信號線40設(shè)計，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種具有備用信號線的薄膜電晶體陣列，至少包括一薄膜電晶體、一主要信號線與一備用信號線，該薄膜電晶體是制作于一玻璃基板上表面，且主要信號線是電性連接至該薄膜電晶體的源極，同時，備用信號線是電性連接至該主要信號線。
本發(fā)明所提供的一種具有備用信號線的薄膜電晶體陣列，至少包括一薄膜電晶體，是制作于一玻璃基板上表面；一主要信號線，是電性連接至該薄膜電晶體的源極；以及一備用信號線，是電性連接至該主要信號線，并且該備用信號線是與該薄膜電晶體的閘極同時形成。
所述的薄膜電晶體至少包括一閘極，是制作于一玻璃基板上方；一第一隔離層，是覆蓋該閘極；一源極與一汲極，是制作于該第一隔離層上方，且位于該閘極的兩側(cè)；以及一第二隔離層，是制作于該閘極、該源極、該汲極與該第一隔離層的上方。
所述的主要信號線是制作于該第一隔離層與該第二隔離層之間，且該備用信號線是制作于該玻璃基板與該第一隔離層之間。
所述的連接結(jié)構(gòu)包括一貫穿該第一隔離層的內(nèi)連線。
所述的連接結(jié)構(gòu)包括一第一插塞、一導(dǎo)電連線與一第二插塞，該第一插塞是垂直貫穿該第一隔離層與該第二隔離層，該導(dǎo)電連線是水平制作于該第二隔離層的上表面，該第二插塞是貫穿該第二隔離層，其中，該第一插塞是連接該備用信號線與該導(dǎo)電連線，該第二插塞是連接該主要信號線與該導(dǎo)電連線。
所述的薄膜電晶體陣列，還包括一閘極通道層，制作于該第一隔離層的上方，并且連接該源極與該汲極。
所述的源極包括一源極金屬層與一重摻雜非晶硅歐姆接觸層，且該源極金屬層是制作于該重摻雜非晶硅歐姆接觸層的上表面。
所述的汲極包括一汲極金屬層與一重摻雜非晶硅歐姆接觸層，且該汲極金屬層是制作于該重摻雜非晶硅歐姆接觸層的上表面。
所述的薄膜電晶體至少包括一源極與一汲極，是制作于一玻璃基板上方；一第一隔離層，是制作于該玻璃基板上方，且覆蓋該源極與該汲極；一閘極，是制作于該第一隔離層上方；以及一第二隔離層，是制作于該閘極與該第一隔離層的上方。
所述的主要信號線是制作于該第二隔離層上方，且該備用信號線是制作于該第一隔離層與該第二隔離層之間。
所述的備用信號線是透過一連接結(jié)構(gòu)連接至該主要信號線。
所述的連接結(jié)構(gòu)包括一貫穿該第二隔離層的內(nèi)連線。
所述的薄膜電晶體陣列，還包括一第三隔離層，制作于該第二隔離層上方，且覆蓋該主要信號線，同時，該連接結(jié)構(gòu)包括一第一插塞、一導(dǎo)電連線與一第二插塞，該第一插塞是垂直貫穿該第二隔離層與該第三隔離層，該導(dǎo)電連線是水平制作于該第三隔離層的上表面，該第二插塞是貫穿該第三隔離層，其中，該第一插塞是連接該備用信號線與該導(dǎo)電連線，該第二插塞是連接該主要信號線與該導(dǎo)電連線。
所述的薄膜電晶體陣列，還包括一閘極通道層，制作于該玻璃基板的上方，并且連接該源極與該汲極。
一種具有備用信號線的薄膜電晶體陣列，其中每一該薄膜電晶體至少包括一閘極，是制作于一玻璃基板上表面；一備用信號線，是制作于該玻璃基板上表面；一第一隔離層，是制作于該玻璃基板上方，同時覆蓋該閘極與該備用信號線；一閘極通道，是制作于該第一隔離層的上方，并且位于該閘極的正上方；一源極與一汲極，是制作該第一隔離層的上方，并且連接至上述閘極通道的兩側(cè)；
一主要信號線，是制作于該第一隔離層的上方，延伸連接該源極以輸入信號，同時，經(jīng)由一連接結(jié)構(gòu)，延伸連接該備用信號線；一第二隔離層，制作于該源極、該汲極、該閘極通道與該主要信號線的上方；以及一畫素電極層，制作于該第二隔離層的上方。
所述的薄膜電晶體陣列，其中該連接結(jié)構(gòu)包括一貫穿該第一隔離層的接觸窗。
所述的連接結(jié)構(gòu)包括一第一插塞、一導(dǎo)電連線與一第二插塞，該第一插塞是垂直貫穿該第一隔離層與該第二隔離層，該導(dǎo)電連線是水平制作于該第二隔離層的上表面，該第二插塞是貫穿該第二隔離層，其中，該第一插塞是連接該備用信號線與該導(dǎo)電連線，該第二插塞是連接該主要信號線與該導(dǎo)電連線。
所述的源極包括一源極金屬層與一重摻雜非晶硅歐姆接觸層，且該源極金屬層是制作于該重摻雜非晶硅歐姆接觸層的上表面。
所述的汲極包括一汲極金屬層與一重摻雜非晶硅歐姆接觸層，且該汲極金屬層是制作于該重摻雜非晶硅歐姆接觸層的上表面。
一種具有備用信號線的薄膜電晶體陣列的制作方法，其中該制作方法包括以下步驟提供一玻璃基板；制作一第一金屬層于該玻璃基板上表面；微影及蝕刻該第一金屬層，形成一閘極與一備用信號線于該玻璃基板上；制作一第一隔離層覆蓋該閘極與該備用信號線；依序制作一非晶硅層與一重摻雜非晶硅層于該第一隔離層的上方；微影及蝕刻該非晶硅層與該重摻雜非晶硅層，以定義該薄膜電晶體的主動區(qū)域；制作一金屬層于該第一隔離層與該重摻雜非晶硅層的上方；微影及蝕刻該金屬層，形成一源極、一汲極與一主要信號線；
制作一第二隔離層覆蓋該源極、該汲極與該主要信號線；以及制作一連接結(jié)構(gòu)，分別延伸連接至該主要信號線與該備用信號線。
所述的制作方法，其中制作該連接結(jié)構(gòu)的步驟包括微影與蝕刻該第一隔離層，形成一第一接觸窗以暴露該備用信號線；以及制作一內(nèi)連線于該第一接觸窗之內(nèi)，以連接該主要信號線與該備用信號線。
所述的制作方法，其中制作該連接結(jié)構(gòu)的步驟包括制作一第一插塞貫穿該第一隔離層與該第二隔離層，以連接該備用信號線；制作一第二插塞貫穿該第二隔離層，以連接該主要信號線；以及制作一導(dǎo)電連線于該第二隔離層的上表面，且分別連接該第一插塞與該第二插塞。
所述的導(dǎo)電連線是以氧化銦錫為材料。
所述的第一插塞與第二插塞是以氧化銦錫為材料。
所述的制作方法，其中在微影與蝕刻該金屬層的步驟中，是以該非晶硅層與該第一隔離層為蝕刻終止層。


圖1是一習(xí)知薄膜電晶體陣列的示意圖；圖2是一習(xí)知薄膜電晶體、主要信號線與備用信號線的剖面示意圖；圖3A是本發(fā)明第一實施例的示意圖，圖中顯示一薄膜電晶體、主要信號線與備用信號線；圖3B是本發(fā)明備用信號線連接至主要信號線的示意圖，且備用信號線是透過前后兩個連接結(jié)構(gòu)連接至主要信號線；圖4A至圖4E顯示圖3A中，本發(fā)明第一實施例中，薄膜電晶體、主要信號線與備用信號線，其制作流程的剖面示意圖；圖5是本發(fā)明第二實施例的示意圖，圖中顯示一薄膜電晶體、主要信號線與備用信號線；圖6是本發(fā)明第三實施例的示意圖，圖中顯示一薄膜電晶體、主要信號線與備用信號線；圖7是本發(fā)明第四實施例的示意圖，圖中顯示一薄膜電晶體、主要信號線與備用信號線。
圖號說明薄膜電晶體1 信號線2閘極線3 玻璃基板10閘極12 第一隔離層14非晶硅層15 重摻雜非晶硅層19源極16 汲極18源極金屬層161 源極歐姆接觸層162汲極金屬層181 汲極歐姆接觸層182閘極通道20 第二隔離層22畫素電極層24第三隔離層26主要信號線30備用信號線40連接結(jié)構(gòu)31 第一插塞311導(dǎo)電連線312 第二插塞313前連接結(jié)構(gòu)31a 后連接結(jié)構(gòu)31b內(nèi)連線32第一接觸窗141第二接觸窗222 汲極接觸窗具體實施方式

請參照圖3A，是本發(fā)明第一實施例的示意圖，圖中顯示一薄膜電晶體1、主要信號線30與備用信號線40，該薄膜電晶體包括一閘極12、一第一隔離層14、一源極16、一汲極18、一閘極通道20、一第二隔離層22與一畫素電極層24。
閘極12是制作于一玻璃基板10的上表面，而備用信號線40亦是制作于上述玻璃基板10的上表面，且與閘極12保持一預(yù)定距離，以避免相互干擾。
第一隔離層14是制作于該玻璃基板10上方，且覆蓋上述閘極12與備用信號線40，同時，第一隔離層14中包括一第一接觸窗141，藉以暴露部份上述備用信號線40的上表面。
閘極通道20，亦是制作于第一隔離層14的上方，且位于閘極的正上方。而源極16與汲極18，是制作于第一隔離層14的上方，并且連接至閘極通道20的兩側(cè)。上述源極16包括一源極金屬層161與一源極歐姆接觸層162，該源極金屬層161是覆蓋該源極歐姆接觸層162，并經(jīng)由源極歐姆接觸層162連接上述閘極通道20，而上述汲極18亦包括一汲極金屬層181與一汲極歐姆接觸層182，該汲極金屬層181是覆蓋該汲極歐姆接觸層182，并經(jīng)由汲極歐姆接觸層182連接上述閘極通道20。
主要信號線30是制作于第一隔離層14的上方，延伸連接至源極金屬層161以輸入信號。同時，透過一制作于該第一接觸窗141內(nèi)的內(nèi)連線32，連接至該備用信號線40。
第二隔離層22是制作于源極16、汲極18、閘極通道20與主要信號線30的上方，藉以保護薄膜電晶體1。同時，第二隔離層22中包括一汲極接觸窗221，以暴露部份上述汲極金屬層181。
畫素電極層24是制作于第二隔離層22的上方，且填入汲極接觸窗221以連接至汲極金屬層181，藉以輸入一操作電壓控制畫素的顯示。
值得注意的是，上述備用信號線40是與該閘極12同時形成。同時，為使備用信號線40發(fā)揮功能，請參照圖3B，在備用信號線40與其相對應(yīng)的主要信號線30之間必須具有至少前后兩個連接結(jié)構(gòu)31a與31b。前連接結(jié)構(gòu)31a是提供控制信號由主要信號線30傳遞至備用信號線40之用，而后連接結(jié)構(gòu)31b是提供控制信號由備用信號線40傳回至主要信號線30之用。藉此，當(dāng)主要信號線30在前后連接結(jié)構(gòu)31a與31b之間產(chǎn)生斷路，控制信號由主要信號線30的輸入端，經(jīng)由上述前連接結(jié)構(gòu)31a傳送至備用信號線40，再經(jīng)由上述后連接結(jié)構(gòu)31b傳回至主要信號線30，避開上述主要信號線30發(fā)生斷路的位置，藉以將控制信號順利傳遞至源極18。此連接結(jié)構(gòu)31a與31b可以是內(nèi)連線或是其他用以電性連接該二信號線30與40的結(jié)構(gòu)。
關(guān)于上述本發(fā)明第一實施例中，薄膜電晶體1、主要信號線30與備用信號線40的制作流程，請參照圖4所示。
首先，請參照圖4A，制作一金屬層于一玻璃基板10的上表面，隨后，微影及蝕刻此金屬層，以形成一閘極12與一備用信號線40于玻璃基板10的上表面。
請參照圖4B，制作一第一隔離層14于上述玻璃基板10上，并覆蓋閘極12與備用信號線40。隨后，微影及蝕刻第一隔離層14，形成一第一接觸窗141以曝露部分備用信號線40的上表面。
請參照圖4C，依序制作一非晶硅層15與一重摻雜非晶硅層19于第一隔離層14的上方，藉以定義出薄膜電晶體1的主動區(qū)域。
請參照圖4D，制作一金屬層于第一隔離層14與重摻雜非晶硅層19的上方，并且填入上述第一接觸窗141。隨后，微影及蝕刻上述金屬層，藉以形成一源極16、一汲極18與一主要信號線30，同時，一閘極通道20亦是形成于上述源極16與上述汲極18之間。此外，上述主要信號線30是延伸連接至源極16，同時透過位于第一接觸窗141內(nèi)的一內(nèi)連線32連接至備用信號線40。
請參照圖4E，制作一第二隔離層22于源極16、汲極18、第一隔離層14與主要信號線30的上方。并且，微影及蝕刻第二隔離層22，形成一汲極接觸窗221，以暴露部分汲極18的上表面。隨后，制作一導(dǎo)電層24于第二隔離層22的上表面，并填入汲極接觸窗221以連接至汲極18。
值得注意的是，為了形成上述內(nèi)連線32以連接主要信號線30與備用信號線40，必須特別對該第一隔離層14施以一道微影制程與一道蝕刻制程以形成上述第一接觸窗141。
請參照圖5所示，是本發(fā)明第二實施例的示意圖，圖中顯示一薄膜電晶體1、主要信號線30與備用信號線40，該薄膜電晶體1包括一閘極12、一第一隔離層14、一源極16、一汲極18、一閘極通道20、一第二隔離層22與一畫素電極層24，此外，一連接結(jié)構(gòu)31是用以連接上述主要信號線30與備用信號線40。
閘極12是制作于一玻璃基板10的上表面，而備用信號線40亦是制作于上述玻璃基板10的上表面，且與閘極12保持一預(yù)定距離，以避免相互干擾。而第一隔離層14是制作于該玻璃基板10上方，且覆蓋上述閘極12與備用信號線40。
閘極通道20，亦是制作于第一隔離層14的上方，且位于閘極12的正上方。而源極16與汲極18，是制作于第一隔離層14的上方，并且連接至閘極通道20的兩側(cè)。上述源極16包括一源極金屬層161與一源極歐姆接觸層162，該源極金屬層161是覆蓋該源極歐姆接觸層162，并經(jīng)由源極歐姆接觸層162連接上述閘極通道20，而上述汲極18亦包括一汲極金屬層181與一汲極歐姆接觸層182，該汲極金屬層181是覆蓋該汲極歐姆接觸層182，并經(jīng)由汲極歐姆接觸層182連接上述閘極通道20。同時，主要信號線30亦是制作于第一隔離層14的上方，延伸連接至源極金屬層161以輸入信號。
第二隔離層22是制作于源極16、汲極18、閘極通道20與主要信號線30的上方，藉以保護薄膜電晶體1。同時，第二隔離層22中包括一汲極接觸窗221，以暴露部份上述汲極金屬層181。
畫素電極層24是制作于第二隔離層22的上方，且透過汲極接觸窗221連接汲極金屬層181，藉以輸入一操作電壓控制畫素的顯示。
上述連接結(jié)構(gòu)31包括一第一插塞311、一導(dǎo)電連線312與一第二插塞313，其中，第一插塞311是垂直貫穿該第一隔離層14與第二隔離層22，而第二插塞313是垂直貫穿第二隔離層22。導(dǎo)電連線312是制作于第二隔離層22的上表面，并透過上述第一插塞311與第二插塞313，分別連接備用信號線40與主要信號線30。
值得注意的是，上述第一插塞311與第二插塞313，可藉由改變用于第二隔離層22的光罩圖案，于微影第二隔離層22時，同時定義其位置。并藉由后續(xù)制程，制作上述第一插塞311與第二插塞313。而在第一實施例中，請參照圖4B，在沉積第一隔離層14之后，必須對第一隔離層14施以微影與蝕刻制程以曝露備用信號線40，并藉由后續(xù)制程，制作內(nèi)連線32以連接主要信號線30與備用信號線40。因此，相較之下，本實施例可以省去一道微影制程與一道蝕刻制程。
在本發(fā)明中，備用信號線40與薄膜電晶體1的閘極12是同時形成，其優(yōu)點如下所述一、一般而言，畫素下電極層241是位于一發(fā)光層(未圖示)的下表面，且該發(fā)光層的上表面是制作有一上電極層(未圖示)，并藉由上下電極層的電位差，驅(qū)動發(fā)光層以為顯示。由于在備用信號線40的上方，至少有一第一隔離層14與一第二隔離層22以為保護，因此，可以避免備用信號線40與上電極層接觸造成短路，以防止產(chǎn)生暗點。
二、請參照圖2，在習(xí)知技術(shù)中，第二隔離層22上表面的平坦度不佳，因此，制作備用信號線40于第二隔離層22上方時，容易因第二隔離層22的起伏，而造成備用信號線40厚度不均，甚至產(chǎn)生斷路。相較之下，本發(fā)明的備用信號線40直接制作于平坦的玻璃基板10上表面，有助于改善備用信號線40厚度的均勻性，并防止斷路產(chǎn)生。
在第一實施例與第二實施例中，閘極12是直接制作于玻璃基板10的上表面。惟亦不限于此，請參照圖6，是本發(fā)明第三實施例的示意圖，圖中顯示一薄膜電晶體1、主要信號線30與備用信號線40。
該薄膜電晶體1包括一閘極通道20、一第一隔離層14、一閘極12、一第二隔離層22、一源極16與一汲極18。其中，源極16與汲極18，是制作于一玻璃基板10的上表面，且閘極通道20，亦是制作于玻璃基板10的上表面，并且連接源極16與汲極18。而第一隔離層14是制作于玻璃基板10上方，并覆蓋上述源極16、汲極18與閘極通道20。
閘極12是制作于第一隔離層14的上表面，且位于上述閘極通道20的正上方。而備用信號線40亦是制作于第一隔離層14上方，且與上述閘極12保持一預(yù)定距離，以避免相互干擾。第二隔離層22是制作于閘極12、備用信號線40與第一隔離層14的上方，且第二隔離層22中包括一第二接觸窗222，以暴露上述備用信號線40。
主要信號線30是制作于第二隔離層22上方，連接至上述源極16以輸入顯示信號，同時，透過一制作于上述第二接觸窗222內(nèi)的內(nèi)連線32連接至備用信號線40。
請參照圖7，是本發(fā)明第四實施例的示意圖，圖中顯示薄膜電晶體1、主要信號線30與備用信號線40。
該薄膜電晶體1包括一閘極通道20、一第一隔離層14、一閘極12、一第二隔離層22、一源極16、一汲極18與一第三隔離層26，此外，一連接結(jié)構(gòu)31是用以連接上述主要信號線30與備用信號線40。其中，源極16與汲極18，是制作于一玻璃基板10的上表面，且閘極通道20，亦是制作于玻璃基板10的上表面，并且連接源極16與汲極18。而第一隔離層14是制作于玻璃基板10上方，并覆蓋上述源極16、汲極18與閘極通道20。
閘極12是制作于第一隔離層14的上表面，且位于上述閘極通道20的正上方。而備用信號線40亦是制作于第一隔離層14上方，且與上述閘極12保持一預(yù)定距離，以避免相互干擾。第二隔離層22是制作于閘極12、備用信號線40與第一隔離層14的上方。主要信號線30是制作于第二隔離層22上方，連接至上述源極16以輸入顯示信號。而第三隔離層26是制作于該第二隔離層22的上方，且覆蓋該主要信號線30。
上述連接結(jié)構(gòu)31包括一第一插塞311、一導(dǎo)電連線312與一第二插塞313，其中，第一插塞311是垂直貫穿第二隔離層22與第三隔離層26，而第二插塞313是垂直貫穿第三隔離層26。導(dǎo)電連線312是制作于該第三隔離層26的上表面，并透過上述第一插塞311與第二插塞313，分別連接備用信號線40與主要信號線30。
以上所述是利用較佳實施例詳細說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明的范圍，而且熟知此類技藝人士皆能明了，適當(dāng)而作些微的改變及調(diào)整，仍將不失本發(fā)明的要義所在，亦不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有備用信號線的薄膜電晶體陣列，其特征在于至少包括一薄膜電晶體，是制作于一玻璃基板上表面；一主要信號線，是電性連接至該薄膜電晶體的源極；以及一備用信號線，是電性連接至該主要信號線，并且該備用信號線是與該薄膜電晶體的閘極同時形成。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該薄膜電晶體至少包括一閘極，是制作于一玻璃基板上方；一第一隔離層，是覆蓋該閘極；一源極與一汲極，是制作于該第一隔離層上方，且位于該閘極的兩側(cè)；以及一第二隔離層，是制作于該閘極、該源極、該汲極與該第一隔離層的上方。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該主要信號線是制作于該第一隔離層與該第二隔離層之間，且該備用信號線是制作于該玻璃基板與該第一隔離層之間。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該備用信號線是透過一連接結(jié)構(gòu)連接至該主要信號線。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該連接結(jié)構(gòu)包括一貫穿該第一隔離層的內(nèi)連線。
6.如權(quán)利要求4所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該連接結(jié)構(gòu)包括一第一插塞、一導(dǎo)電連線與一第二插塞，該第一插塞是垂直貫穿該第一隔離層與該第二隔離層，該導(dǎo)電連線是水平制作于該第二隔離層的上表面，該第二插塞是貫穿該第二隔離層，其中，該第一插塞是連接該備用信號線與該導(dǎo)電連線，該第二插塞是連接該主要信號線與該導(dǎo)電連線。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該導(dǎo)電連線是以氧化銦錫為材料。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該第一插塞與該第二插塞是以氧化銦錫為材料。
9.如權(quán)利要求2所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于還包括一閘極通道層，制作于該第一隔離層的上方，并且連接該源極與該汲極。
10.如權(quán)利要求2所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該源極包括一源極金屬層與一重摻雜非晶硅歐姆接觸層，且該源極金屬層是制作于該重摻雜非晶硅歐姆接觸層的上表面。
11.如權(quán)利要求2所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該汲極包括一汲極金屬層與一重摻雜非晶硅歐姆接觸層，且該汲極金屬層是制作于該重摻雜非晶硅歐姆接觸層的上表面。
12.如權(quán)利要求1所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該薄膜電晶體至少包括一源極與一汲極，是制作于一玻璃基板上方；一第一隔離層，是制作于該玻璃基板上方，且覆蓋該源極與該汲極；一閘極，是制作于該第一隔離層上方；以及一第二隔離層，是制作于該閘極與該第一隔離層的上方。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該主要信號線是制作于該第二隔離層上方，且該備用信號線是制作于該第一隔離層與該第二隔離層之間。
14.如權(quán)利要求13所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該備用信號線是透過一連接結(jié)構(gòu)連接至該主要信號線。
15.如權(quán)利要求14所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該連接結(jié)構(gòu)包括一貫穿該第二隔離層的內(nèi)連線。
16.如權(quán)利要求14所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于還包括一第三隔離層，制作于該第二隔離層上方，且覆蓋該主要信號線，同時，該連接結(jié)構(gòu)包括一第一插塞、一導(dǎo)電連線與一第二插塞，該第一插塞是垂直貫穿該第二隔離層與該第三隔離層，該導(dǎo)電連線是水平制作于該第三隔離層的上表面，該第二插塞是貫穿該第三隔離層，其中，該第一插塞是連接該備用信號線與該導(dǎo)電連線，該第二插塞是連接該主要信號線與該導(dǎo)電連線。
17.如權(quán)利要求16所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該導(dǎo)電連線是以氧化銦錫為材料。
18.如權(quán)利要求17所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該第一插塞與該第二插塞是以氧化銦錫為材料。
19.如權(quán)利要求12所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于還包括一閘極通道層，制作于該玻璃基板的上方，并且連接該源極與該汲極。
20.一種具有備用信號線的薄膜電晶體陣列，其特征在于每一該薄膜電晶體至少包括一閘極，是制作于一玻璃基板上表面；一備用信號線，是制作于該玻璃基板上表面；一第一隔離層，是制作于該玻璃基板上方，同時覆蓋該閘極與該備用信號線；一閘極通道，是制作于該第一隔離層的上方，并且位于該閘極的正上方；一源極與一汲極，是制作該第一隔離層的上方，并且連接至上述閘極通道的兩側(cè)；一主要信號線，是制作于該第一隔離層的上方，延伸連接該源極以輸入信號，同時，經(jīng)由一連接結(jié)構(gòu)，延伸連接該備用信號線；一第二隔離層，制作于該源極、該汲極、該閘極通道與該主要信號線的上方；以及一畫素電極層，制作于該第二隔離層的上方。
21.如權(quán)利要求20所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該連接結(jié)構(gòu)包括一貫穿該第一隔離層的接觸窗。
22.如權(quán)利要求20所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該連接結(jié)構(gòu)包括一第一插塞、一導(dǎo)電連線與一第二插塞，該第一插塞是垂直貫穿該第一隔離層與該第二隔離層，該導(dǎo)電連線是水平制作于該第二隔離層的上表面，該第二插塞是貫穿該第二隔離層，其中，該第一插塞是連接該備用信號線與該導(dǎo)電連線，該第二插塞是連接該主要信號線與該導(dǎo)電連線。
23.如權(quán)利要求22所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該導(dǎo)電連線是以氧化銦錫為材料。
24.如權(quán)利要求23所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該第一插塞與該第二插塞是以氧化銦錫為材料。
25.如權(quán)利要求20所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該源極包括一源極金屬層與一重摻雜非晶硅歐姆接觸層，且該源極金屬層是制作于該重摻雜非晶硅歐姆接觸層的上表面。
26.如權(quán)利要求20所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于該汲極包括一汲極金屬層與一重摻雜非晶硅歐姆接觸層，且該汲極金屬層是制作于該重摻雜非晶硅歐姆接觸層的上表面。
27.一種具有備用信號線的薄膜電晶體陣列的制作方法，其特征在于該制作方法包括以下步驟提供一玻璃基板；制作一第一金屬層于該玻璃基板上表面；微影及蝕刻該第一金屬層，形成一閘極與一備用信號線于該玻璃基板上；制作一第一隔離層覆蓋該閘極與該備用信號線；依序制作一非晶硅層與一重摻雜非晶硅層于該第一隔離層的上方；微影及蝕刻該非晶硅層與該重摻雜非晶硅層，以定義該薄膜電晶體的主動區(qū)域；制作一金屬層于該第一隔離層與該重摻雜非晶硅層的上方；微影及蝕刻該金屬層，形成一源極、一汲極與一主要信號線；制作一第二隔離層覆蓋該源極、該汲極與該主要信號線；以及制作一連接結(jié)構(gòu)，分別延伸連接至該主要信號線與該備用信號線。
28.如權(quán)利要求27所述的制作方法，其特征在于制作該連接結(jié)構(gòu)的步驟包括微影與蝕刻該第一隔離層，形成一第一接觸窗以暴露該備用信號線；以及制作一內(nèi)連線于該第一接觸窗之內(nèi)，以連接該主要信號線與該備用信號線。
29.如權(quán)利要求27所述的制作方法，其特征在于制作該連接結(jié)構(gòu)的步驟包括制作一第一插塞貫穿該第一隔離層與該第二隔離層，以連接該備用信號線；制作一第二插塞貫穿該第二隔離層，以連接該主要信號線；以及制作一導(dǎo)電連線于該第二隔離層的上表面，且分別連接該第一插塞與該第二插塞。
30.如權(quán)利要求29所述的制作方法，其特征在于該導(dǎo)電連線是以氧化銦錫為材料。
31.如權(quán)利要求30所述的制作方法，其特征在于該第一插塞與該第二插塞是以氧化銦錫為材料。
32.如權(quán)利要求27所述的制作方法，其特征在于在微影與蝕刻該金屬層的步驟中，是以該非晶硅層與該第一隔離層為蝕刻終止層。
全文摘要
一種具有備用信號線的薄膜電晶體陣列，包括一薄膜電晶體、一主要信號線與一備用信號線，其中薄膜電晶體是制作于一玻璃基板上表面，而主要信號線是電性連接至薄膜電晶體的源極，以輸入控制信號。備用信號線是電性連接至主要信號線，且備用信號線是與薄膜電晶體的閘極同時形成。
文檔編號G09G3/20GK1567404SQ031463
公開日2005年1月19日 申請日期2003年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月10日
發(fā)明者林志雄 申請人:友達光電股份有限公司