專利名稱：一種電晶體陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電晶體陣列基板，尤其是包含可用于薄膜晶體管液晶顯示器電性量測的電晶體陣列基板。
背景技術(shù)：
在低溫多晶硅技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器的結(jié)構(gòu)中，一般包括配置有色阻和基底膜的彩色濾光片基板，配置有薄膜晶體管的電晶體陣列基板，液晶元件，偏光片等，當(dāng)液晶垂直于彩色濾光片與薄膜晶體管夾層內(nèi)側(cè)表面是，背光光線無法透過液晶穿透出來而呈現(xiàn)黑色，當(dāng)液晶傾斜于夾層內(nèi)側(cè)表面時，部分背光光線可透過液晶穿透出來而呈現(xiàn)灰色顯示， 當(dāng)液晶平行于夾層內(nèi)側(cè)表面時，背光光線可完全透過液晶穿透出來而呈白色呈現(xiàn)。VA型顯示面板屬于廣視角面板，其可視角度大、黑色表現(xiàn)也更為純凈對比度高、 色彩還原準(zhǔn)確，需要更高的像素設(shè)計。一般的像素設(shè)計是將一個像素劃分為兩個區(qū)塊分別引導(dǎo)液晶排列，為了避免兩個區(qū)塊交界處的液晶排列因相互影響而出現(xiàn)漏光的情況，會在交界處特別設(shè)計無像素電極的平坦區(qū)，以使液晶持續(xù)垂直站立于平坦面上而避免漏光，兩區(qū)塊間僅有一段非常窄的像素電極作為橋接將訊號在兩區(qū)塊之間傳遞，從而使整個像素顯示，這個窄的像素電極被稱為電極橋接在低溫多晶硅技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器電晶體陣列基板的構(gòu)成結(jié)構(gòu)中，灰階電壓訊號透過平坦層的穿孔傳遞至像素電極，由于像素電極的電極橋接容易在下層平坦層的膨脹作用產(chǎn)生的應(yīng)力拉扯下發(fā)生斷裂或剝落，從而造成訊號無法寫入像素電極而無法正常顯示，因此，像素正常顯示與否跟平坦層及像素電極的狀態(tài)密切相關(guān)。了在低溫多晶硅技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器的生產(chǎn)中，需要及時確認(rèn)薄膜晶體管元件的電性，以了解生產(chǎn)狀況是否正常，當(dāng)發(fā)現(xiàn)異常時能及時找出原因并下達(dá)改善對策，快速導(dǎo)正生產(chǎn)狀況，為了能確認(rèn)薄膜晶體管的電性狀況，特別在電晶體陣列基板上配置能夠量測薄膜晶體管電性的測量元件，藉由不同電性量測元件的量測結(jié)果的，從而清楚確定各段制程狀態(tài)是否正常，特別是在薄膜晶體管液晶顯示器的組成結(jié)構(gòu)中平坦層與上方像素電極的組成狀況就顯得十分重要。電性元件一般設(shè)計為材質(zhì)同像素電極，固定寬度且長條狀的圖形，利用給電壓測量電流的方式計算該元件的阻值，確認(rèn)阻值是否符合規(guī)格來判定產(chǎn)品是否異常，但由于現(xiàn)有技術(shù)中，電極橋接的寬度比電性元件的寬度小很多，因此，當(dāng)顯示區(qū)電極橋接發(fā)生斷裂時，該電性元件不一定同時發(fā)生斷裂，因此會有漏篩的情況。有鑒于此，設(shè)計一種能夠及時反映薄膜晶體管元件的電性的電晶體陣列基板勢在必行。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)不能及時反映薄膜晶體管元件的電性狀況的問題，本發(fā)明提供一種電晶體陣列基板。根據(jù)本發(fā)明，提供一種電晶體陣列基板，包括薄膜晶體管，絕緣層，平坦層，電測結(jié)腳，電性測量元件，像素電極。其中，薄膜晶體管位于電晶體陣列基板上；絕緣層，位于電晶體陣列基板最下層；平坦層，位于絕緣層的上方；像素電極，位于平坦層的上方，包括上像素電極，下像素電極，以及電極橋接，用來連接上像素電極和下像素電極；電性測量元件，電晶體陣列基板的周緣，部分電性測量元件寬度與電極橋接寬度相同；二電測結(jié)腳，設(shè)置于平坦層上，分別連接所述電性測量元件的兩端。優(yōu)選地，電晶體陣列基板的電測結(jié)腳為具有導(dǎo)電特性的金屬或非金屬材料構(gòu)成；優(yōu)選地，電晶體陣列基板的平坦層為有機或無機材料構(gòu)成；優(yōu)選地，電晶體陣列基板的電性測量元件材質(zhì)與所述像素電極相同，均為具有導(dǎo)電特性的金屬或透明材料構(gòu)成；優(yōu)選地，電晶體陣列基板的電性測量元件與所述像素電極圖形相同；優(yōu)選地，電晶體陣列基板的電性測量元件由至少一組像素電極圖形串聯(lián)而成；優(yōu)選地，電晶體陣列基板的每組像素電極至少由兩個像素電極中間以電極橋接連接的方式構(gòu)成。采用本發(fā)明的電晶體陣列基板，可以及時準(zhǔn)確的確認(rèn)薄膜晶體管元件的電性，了解生產(chǎn)狀況是否正常。


讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的具體實施方式
之后，將會更清楚地了解本發(fā)明的各個方面。其中，圖1示出了像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2示出了電極橋接處斷裂發(fā)生機制；圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)中的電性測量元件；圖4示出了依據(jù)本發(fā)明一實施例所揭示的電性測量元件示意圖；圖5示出了依據(jù)本發(fā)明另一實施例所揭示的電性測量元件示意圖；圖6示出了依據(jù)本發(fā)明再一實施例所揭示電性測量元件放大后的示意圖示意圖； 以及圖7示出了依據(jù)圖6所示電性測量元件部分放大后的示意圖。
具體實施例方式下面參照附圖，對本發(fā)明的實施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖1示出了像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，像素電極100包括上像素電極 101，下像素電極102，電極橋接103。在此，上像素電極101和下像素電極102分別導(dǎo)引液晶排列，而電極橋接103作為連接上像素電極101和下像素電極102的工具，將訊號在兩區(qū)塊間傳遞而使整個像素作顯
7J\ ο圖2示出了電極橋接處斷裂發(fā)生機制。如圖2(a)所示，平坦層200位于絕緣層 202的上方，像素電極204位于平坦層200的上方，當(dāng)平坦層200發(fā)生如圖2 (b)所示的膨脹作用時，如圖2(c)所示，在平坦層200膨脹作用產(chǎn)生的應(yīng)力拉扯下，像素電極100最脆弱的地方電極橋接103發(fā)生斷裂。
圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)中的電性測量元件。為了在制程過程中能盡快改善異常狀況，也能減少異常管控批數(shù)量，建立電性量測組件可以作為實時發(fā)現(xiàn)異常的一個重要先期指標(biāo)。如圖3所示，電性測量元件300的兩端304分別與電測結(jié)腳302電性連接。但是，由于目前電性測量元件300的線306寬度遠(yuǎn)大于像素電極100中的電極橋接103的寬度，所以，即使當(dāng)顯示區(qū)電極橋接103發(fā)生斷裂時，該電性測量元件700不一定同時發(fā)生斷裂，因此，就可能發(fā)生漏篩的情況，從而導(dǎo)致薄膜晶體管電性測量不準(zhǔn)確。為解決此一問題，本發(fā)明提出一解決方案使得電性測量元件能同步反應(yīng)出顯示區(qū)電極橋接的狀況。圖4示出了依據(jù)本發(fā)明一實施例所揭示的電性測量元件示意圖。如圖4所示，電性測量元件400的兩端404分別與電測結(jié)腳402電性連接。電性測量元件400的量測線406 的寬度與圖1中顯示區(qū)電極橋接103的寬度相同。電性測量元件400是在圖1中像素電極 100的制程中同時完成，所以電性測量元件400與圖1像素電極100具有相同的材質(zhì)且也是位在平坦層(未繪示)之上。由于本實施例所提供的電性測量元件400與圖1中顯示區(qū)電極橋接103具有相同的結(jié)構(gòu)和膜層堆疊特征，量測電性測量元件400所得到的阻值能夠確實的反應(yīng)出顯示區(qū)電極橋接的狀況。圖5示出了依據(jù)本發(fā)明另一實施例所揭示的電性測量元件示意圖。如圖5所示， 電性測量元件500的兩端504分別與電測結(jié)腳502電性連接。電性測量元件500的量測線 506的寬度與圖1中顯示區(qū)電極橋接103的寬度相同。和圖4所示實施例的差異在于，圖5 的量測線506中具有較寬的部分508，這樣在結(jié)構(gòu)上將更接近圖1所示的像素電極100，也更能反應(yīng)出圖1像素電極100的電極橋接103的真實狀況。圖6示出了依據(jù)本發(fā)明再一實施例所揭示電性測量元件放大后的示意圖示意圖。 如圖6所示，電性測量元件600的兩端604分別與電測結(jié)腳502電性連接。電性測量元件 600具有如圖1所示上像素電極101或下像素電極102的結(jié)構(gòu)608?，F(xiàn)將圖6中圓圈610 所標(biāo)示之處放大繪示于圖7。圖7示出了依據(jù)圖6所示電性測量元件部分放大后的示意圖。 如圖7所示，結(jié)構(gòu)608間是以量測線606連接，而量測線606的寬度與圖1中顯示區(qū)電極橋接103的寬度相同。在本實施例中，電性測量元件600的結(jié)構(gòu)與圖1所示的像素電極100 的結(jié)構(gòu)更為接近，也更能反應(yīng)出圖1像素電極100的電極橋接103的真實狀況。由本發(fā)明以上所揭露的實施例可知，選用圖1像素電極100的結(jié)構(gòu)案，并以與圖1 中電極橋接103寬度相同的量測線串接或并接這些結(jié)構(gòu)亦可以作為電性測量元件之用。本發(fā)明在于提供一電性測量元件，具有與像素電極的電極橋接相同的寬度，當(dāng)顯示區(qū)像素電極的電極橋接發(fā)生斷裂的時候，該電性測量元件的量測線也會同時發(fā)生斷裂，由此可以及時準(zhǔn)確的確認(rèn)薄膜晶體管的電性，以了解各個制程狀態(tài)是否正常上文中，參照附圖描述了本發(fā)明的具體實施方式
。但是，在本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員能夠理解，不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以對本發(fā)明的具體實施方式
作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本發(fā)明權(quán)利要求書限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電晶體陣列基板，其特征在于，包括薄膜晶體管，位于所述電晶體陣列基板上；絕緣層，位于所述電晶體陣列基板最下層；平坦層，位于所述絕緣層的上方；像素電極，位于所述平坦層的上方，包括上像素電極；下像素電極；以及電極橋接，連接所述上像素電極和所述下像素電極；電性測量元件，位于所述電晶體陣列基板的周緣，部分所述電性測量元件寬度與所述電極橋接寬度相同；以及二電測結(jié)腳，設(shè)置于所述平坦層上，分別連接所述電性測量元件的兩端。
2.如權(quán)利要求1所述的電晶體陣列基板，其特征在于，所述電測結(jié)腳為具有導(dǎo)電特性的金屬或非金屬材料構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的電晶體陣列基板，其特征在于，所述平坦層為有機或無機材料構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1所述的電晶體陣列基板，其特征在于，所述電性測量元件材質(zhì)與所述像素電極相同，均為具有導(dǎo)電特性的金屬或透明材料構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的電晶體陣列基板，其特征在于，所述電性測量元件與所述像素電極圖形相同。
6.如權(quán)利要求1所述的電晶體陣列基板，其特征在于，所述電性測量元件由至少一組像素電極圖形串聯(lián)而成。
7.如權(quán)利要求1所述的電晶體陣列基板，其特征在于，每組所述像素電極至少由兩個所述像素電極中間以所述電極橋接連接的方式構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電晶體陣列基板，包括薄膜晶體管，絕緣層，平坦層，電測結(jié)腳，電性測量元件，像素電極。其中，薄膜晶體管位于電晶體陣列基板上；絕緣層，位于電晶體陣列基板最下層；平坦層，在絕緣層的上方；像素電極分布于平坦層的上方，包括上像素電極，下像素電極，以及用來連接二者的電極橋接；電性測量元件，位于電晶體陣列基板的周緣，部分電性測量元件寬度與電極橋接寬度相同；二電測結(jié)腳，設(shè)置于平坦層上，分別連接電性測量元件的兩端。采用本發(fā)明的電晶體陣列基板，可以及時準(zhǔn)確的確認(rèn)薄膜晶體管元件的電性，在發(fā)現(xiàn)異常時能夠迅速導(dǎo)正生產(chǎn)狀況。
文檔編號H01L23/544GK102226992SQ20111007566
公開日2011年10月26日 申請日期2011年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月23日
發(fā)明者段繼賢, 許晏華, 賴志彥, 賴駿凱 申請人:友達(dá)光電股份有限公司