專利名稱:交流型等離子體顯示板的激勵方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種交流型等離子體顯示板的激勵方法。
圖8A示出了傳統(tǒng)的交流型表面放電等離子體顯示板1的截面示意圖(此后稱為“傳統(tǒng)的板”),圖8B示出了另外的一個沿圖8A的線A-A的截面示意圖。
如圖8A和8B中所示,傳統(tǒng)的板1通常包含前基板3和后基板4,二者都由玻璃構(gòu)成,并通過放電空間2彼此相對。
前基板3包含多個掃描電極7和保持電極8,在其下表面上彼此平行設(shè)置。介電層5覆蓋住下表面和掃描及保持電極7,8。在介電層5上覆蓋保護層6。掃描電極7和保持電極8由透明的電極7a,8a及用于增強電極導(dǎo)電性的金屬總線7b,8b構(gòu)成。
后基板4包含多個在其上表面上的數(shù)據(jù)電極9,和多個對每個數(shù)據(jù)電極9進行隔離的隔離壁。后基板4還包含設(shè)置在其上表面上的熒光層、數(shù)據(jù)電極9和隔離壁10的邊。通過設(shè)置前和后基板3、4,從而掃描電極7和保持電極8與數(shù)據(jù)電極9正交相對。因此,通過前和后基板3、4及多個隔離壁10限定出多個線性放電空間2。
在放電空間2中填充諸如氖、氙或其混合物的氣體,其可保證根據(jù)電子放電而發(fā)射紫外線(在此后僅指“放電”)。
在此板1中,在每個掃描電極7和相應(yīng)的保持電極上輪流的施加外-保持電壓Vsus,從而使得放電空間2中的氣體在產(chǎn)生放電時發(fā)出紫外線,由此激發(fā)熒光層將紫外線轉(zhuǎn)換為可視的光線。
這是傳統(tǒng)的用于顯示的作為等離子體顯示板的機理,此種的放電被稱為“顯示放電”。顯示放電同樣指在掃描電極7和保持電極8之間產(chǎn)生的“表面放電”。通過確定掃面電極7和保持電極8之間的距離,從而可使保持其間放電的外保持電壓為最小。此距離被稱為“放電保持間隙dp”。
根據(jù)當(dāng)前所獲得的傳統(tǒng)的板,在放電空間2內(nèi)的氣體的壓力范圍為50到60kpa的情況下,且放電保持間隙dp的范圍為80到100微米的情況下,外-保持電壓Vsus被最小化到180到200伏。在此情況下,所公知的可獲得最大的發(fā)射效率,且氙氣的分壓為總壓的5%到10%。
然而,傳統(tǒng)的板與其他的諸如CRTs等顯示裝置相比其發(fā)射效率不足。例如,上述的板的最大的發(fā)射效率為11m/W,其是CRTs的1/5。
另外所公知的是,較大的放電保持間隙dp可增強發(fā)射效率,但會增大外-保持電壓Vsus。最終,很難用高的發(fā)射效率激勵此板。
本發(fā)明正是針對此問題,其目的在于提供一種即使在放電保持間隙dp增大且不增加外保持電壓Vsus的情況下也具有高發(fā)射效率的交流型等離子體顯示板,以及對其進行激勵的方法。
在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的交流型等離子體顯示板的激勵方法中,交流型等離子體顯示板包含第一基板,其包含多對在第一基板上彼此平行延伸的第一和第二電極,和用于交叉覆蓋第一基板及覆蓋第一和第二電極的介電層;和第二基板,其包含多個在與第一和第二電極交叉的方向上在第二表面上延伸的第三電極,和多個將每個第三電極彼此隔離開的隔離壁;其中所述第一和第二基板被設(shè)置成使得第一和第二表面彼此相對;所述激勵方法包含激勵所述交流型等離子體顯示板,從而在第一和第三電極之間的第一相對放電空間中產(chǎn)生的放電移向第二和第三電極之間的第二相對放電空間,并沿第三電極延伸。因此,可獲得正列放電,從而可獲得高發(fā)射效率。
在AC型等離子體顯示板的激勵方法中,所述的AC型等離子體顯示板還包含一個設(shè)置在相鄰的隔離壁之間的第三電極上的藍、綠和紅熒光層,根據(jù)放電產(chǎn)生的紫外線分別產(chǎn)生藍、綠和紅的可見光線;被提供有藍、綠和紅熒光層的相鄰隔離壁之間的至少一個寬度彼此不同。因此,可獲得任何所需的彩色光。
在AC型等離子體顯示板的激勵方法中,設(shè)置有藍熒光層的相鄰的隔離壁具有大于提供有綠和紅熒光層的的寬度。因此,通過選擇相鄰的隔離壁之間的寬度可調(diào)節(jié)白光的顏色溫度。
在根據(jù)本發(fā)明的第二方面的激勵方法中,AC型等離子體顯示板包含一個第一基板,其包含多對彼此在第一基板上平行延伸的第一和第二電極,以及覆蓋第一表面和位于第一和第二電極上的介電層;第二基板包含多個第三電極,其在與第一和第二電極交叉的方向上的第二表面上延伸;和多個隔離壁,其將第三電極彼此隔離開;其中所述第一和第二表面彼此相對;所述激勵方法包含如下的步驟a)在第一和第二電極之間施加預(yù)定的電壓,從而第二電極相對于第一電極被正向偏壓,并在尋址期間向第三電極提供數(shù)據(jù)脈沖電壓;及b)在保持期間提供電壓,從而當(dāng)在第二和第三電極之間的第二相對放電空間中開始放電后,其移向第一和第三電極之間的第一相對放電空間,并沿第三電極延伸。因此,以穩(wěn)定的方式通過較低的放電電壓可激勵A(yù)C型等離子體顯示板。
AC型等離子體顯示板的激勵方法還包含如下的步驟c)提供電壓,從而在第一相對放電空間中開始放電后,其移向第二相對放電空間,并沿第三電極延伸。
在AC型等離子體顯示板的激勵方法中,所述步驟b)和所述步驟c)被重復(fù)和交替的進行,從而保持放電。
在AC型等離子體顯示板的激勵方法中,在保持期間所提供的電壓低于用于在第一和第二電極之間產(chǎn)生表面放電所需的最小電壓。
AC型等離子體顯示板的激勵方法還包含如下的步驟d)在尋址期間之前的起始期間向第一、第二或第三電極提供具有逐漸變化的傾斜部分的信號電壓。
在AC型等離子體顯示板的激勵方法中,傾斜部分的變化率為10V/μs或更小。
通過下面的詳細描述會對本發(fā)明的其他的應(yīng)用范圍有更清楚的了解。然而,需明確的是,針對本發(fā)明的具體實施例的詳細描述,只是一種描述,由于在本發(fā)明的實質(zhì)和范圍內(nèi)可做各種的變化和修改,因此對本領(lǐng)域中的技術(shù)人員而言所做的各種的變化和修改都在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
通過下面結(jié)合并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制的附圖對本發(fā)明的詳細描述會對本發(fā)明有更全面的了解。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的實施例的板的局部俯視圖2為沿圖1中線B-B的板的截面示意圖;圖3為沿圖1中線C-C的板的截面示意圖;圖4A,4B和4C為分別提供到第一、第二和第三電極的信號電壓的特性示意圖,而圖4D為根據(jù)本發(fā)明的的流過的信號電流的特性示意圖;圖5A、5B和5C為與圖2中所示的相類似的截面示意圖,示出了根據(jù)本發(fā)明的壁電荷的狀態(tài);圖6A、6B和6C為與圖2類似的另外的一個截面示意圖,示出了根據(jù)本發(fā)明的壁電荷的狀態(tài);圖7為放電間隙和放電電壓之間關(guān)系的示意圖;及圖8A和8B為傳統(tǒng)板的局部俯視圖。
下面將參考所附的附圖對根據(jù)本發(fā)明的實施例的AC型等離子體顯示板進行詳細描述。圖1示出了AC型等離子體顯示板(以后簡稱為板)的局部分解俯視圖。圖2示出了沿圖1中的線B-B的截面示意圖,而圖3示出了沿圖1的線C-C的截面示意圖。
如圖1到圖3中所示,根據(jù)本發(fā)明的實施例的板12包含前基板3和后基板4,二者都由玻璃構(gòu)成,彼此相對,并在其間存在一個放電空間2a。
前基板3包含多對條狀的第一和第二電極13和14,在其底面上彼此平行設(shè)置。用介電層5交叉覆蓋下表面及第一電極13和第二電極14。同時,由諸如氧化鎂等材料構(gòu)成的并具有次級電子發(fā)射系數(shù)的保護層6被設(shè)置在介電層5之上。次級電子發(fā)射表示這樣的一種現(xiàn)象,即已經(jīng)被初級電子撞擊的固體材料從其發(fā)射出另外的次級電子。諸如氧化鎂等的材料可產(chǎn)生比初級電子更多的次級電子。
后基板4在上表面上包含多個條狀的第三電極15,其與第一和第二電極13及14相對并與其相交叉,和多個形成在第三電極15之間的隔離壁10。因此,由前和后基板3,4及多個隔離壁可圍繞并限定出多個線性的放電空間2a。后基板4還包含設(shè)置在其上表面上的熒光層、第三電極15和隔離壁10的邊。
用包含氙和從由氦、氖、氬所構(gòu)成的組中選出的一種氣體的混合氣體填充在放電空間2a中,其可允許根據(jù)電子放電(此后稱為放電)而發(fā)射紫外線。
板12顯示從前基板3的一側(cè)可看到的圖象。放電使得放電空間2a中的混合氣體發(fā)射紫外線,所發(fā)射的紫外線是通過熒光層11被轉(zhuǎn)化為可視光線。
至此,雖然已經(jīng)對由單一的材料構(gòu)成的熒光層11進行了描述,在此情況下可使用發(fā)射諸如紅、綠和藍三種不同顏色光的不同的熒光層。如圖1中所示,設(shè)置了藍、綠和紅的熒光層11b、11g和11r,其沿隔離壁10并在其間延伸。同樣,如圖3中所示,藍、綠和紅放電單元16b、16g和16r分別設(shè)置有熒光層11b、11g和11r。每個放電單元16具有由預(yù)定的寬度和長度限定的區(qū)域。沿第一和第二電極13和14在兩個相鄰的隔離壁10之間限定放電單元的寬度。在兩個相鄰的中間部分之間限定長度,每個相鄰的中間部分被限定在下一個放電單元的第一電極13和第二電極14之間。如圖1中的虛線所示,通過藍、綠和紅的放電單元16b、16g和16r可構(gòu)成像素17。作為一個實例,在下面的表1中示出了用于設(shè)計每個放電單元16和像素17的幾個直徑和其他的參數(shù)。
表1
通常,藍、綠和紅熒光層11b、11g和11r都具有不同的發(fā)射效率。更具體地說,藍熒光層11b具有比綠和紅熒光層11g和11r低的發(fā)射效率。為此,根據(jù)本發(fā)明的藍放電單元16b的寬度被設(shè)計成比綠和紅熒光層11g和11r的寬度要大,從而當(dāng)所有的放電單元都被激發(fā)時,可獲得作為白光的適宜的顏色溫度。
在根據(jù)本實施例的板12中,第一和第二電極13和14之間的距離是指“電極間隙dss”。同樣,在第三電極15的中間部分的上表面和其上的保護層6的下表面之間的高度是指“相對放電間隙dsa”。根據(jù)本實施例的板12具有小于電極間隙dss的相對放電間隙dsa,即dss>dsa。另外,第一電極13和第三電極15之間的放電空間是指“第一相對放電空間”,而第二電極14和第三電極15之間的放電空間是指“第二相對放電空間”。
通常,由于上述的兩個電極具有在其間開始產(chǎn)生放電(指“閾值放電電壓”)的放電電壓,下面對幾個閾值放電電壓進行定義。閾值放電電壓Vfss對應(yīng)第一和第二電極13和14之間的閾值放電電壓。當(dāng)?shù)谌姌O15具有大于第一電極13(或第二電極14)的電勢時,閾值放電電壓Vfsa對應(yīng)第一(或第二)相對放電空間中的閾值放電電壓。當(dāng)?shù)谌姌O15具有小于第一電極13(或第二電極14)的電勢時,閾值放電電壓Vfas對應(yīng)第一(或第二)相對放電空間中的閾值放電電壓。
因此,由閾值放電電壓Vfsa所產(chǎn)生的放電具有與由閾值放電電壓Vfas相反的極性。同時,當(dāng)提供閾值放電電壓Vfsa時,產(chǎn)生放電,然后從正偏壓熒光層11向負偏壓保護層6延伸。放電的負端,即負的偏壓端,與保護層6相鄰形成,保護層6具有比熒光層11高的次級電子發(fā)射系數(shù)。因此,保護層6在其上產(chǎn)生更多數(shù)量的次級電子。由于次級電子降低了閾值放電電壓,所以閾值放電電壓Vsa小于閾值放電電壓Vfas,即Vfsa<<Vfas。
根據(jù)本實施例,閾值放電電壓Vfss是在第一和第二電極13和14之間的距離dss(電極間隙)為430微米時的電壓。另一方面,根據(jù)傳統(tǒng)的表面放電等離子體顯示板1的用于保持放電的放電保持距離dp的范圍為80到100微米。因此,根據(jù)本發(fā)明的電極間隙dss大約為放電保持距離dp的五倍。因此,如果將激勵傳統(tǒng)的板1的激勵方法應(yīng)用到根據(jù)本發(fā)明的板12上,觸發(fā)放電的閾值放電電壓Vfss將會非常高。正如后面將要詳細描述的,本發(fā)明有效的利用第三電極15減低閾值放電電壓Vfss,從而保持放電。此被保持的放電并不是傳統(tǒng)的“表面放電”,更準(zhǔn)確的說是指第一電極13和第三電極15之間及第二電極14和第三電極15之間的“反放電”。在熒光層11的附近產(chǎn)生反放電,以使得其有效的激發(fā)并進而發(fā)射可見光。
現(xiàn)在,將參考圖4到圖6,對根據(jù)本發(fā)明的板12的激勵方法進行描述。在二進制計數(shù)權(quán)重的基礎(chǔ)上,通過將激勵場時段分解成多個子-場時段,而通過激勵板12分級的顯示圖象。每個子-場時段具有一個初始時段、一個尋址時段和一個保持時段。每個初始時段和尋址時段都具有類似的時間間隔,而每個保持時段通過諸如1,2,4,8,16,32,64和128的二進制計數(shù)的權(quán)重而具有不同的時間間隔。
為了顯示板12,在初始時段、地址時段、保持時段板的每個電極需施加預(yù)定的激勵信號。圖4示出了在上述的時段內(nèi)對每個電極所時間的激勵信號。
圖4A、4B和4C示出了信號電壓,其包含提供到第一電極13的第一信號電壓Vx、提供到第二電極14的第二信號電壓Vy和施加到第三電極15的第三信號電壓Va。圖4D示出了根據(jù)保護層6和熒光層11之間的放電流動的信號電流。圖4A和4B以點劃線的方式示出了在第一和第二電極下面的介電層5(或保護層6)上累積的壁電壓。
由于根據(jù)放電所累積的壁電荷,在介電層5(或保護層6)和熒光層11上產(chǎn)生壁電壓。圖4中所示的壁電壓的極性被限定,從而所施加的電壓和壁電壓之間的差表示在相對的放電空間中的有效電壓。在圖4A和4B中與點劃線相鄰的示出了在第一和第二電極13和14下面的介電層(或保護層6)上累積的壁電荷的極性。
現(xiàn)在,將參考圖4A、4B和4C,對在上述的每個時段中所施加的信號電壓引起的放電的狀態(tài)進行描述。
在初始時段期間的第一階段,第一和第二電極13和14被提供相對第三電極15降低的第一傾斜電壓,從而在第一和第二相對放電空間中產(chǎn)生弱放電,從而形成對于后面放電所需的初始的壁電荷。因此,在后續(xù)的階段中,在保護層6上初始壁電荷用相對高的次級電子發(fā)射系數(shù)增強了累積的負電荷,從而與保護層6相鄰可有效的產(chǎn)生負端放電。
在初始時段的中間階段,第一和第二電極13和14被提供有第二傾斜電壓,其相對于第三電極15增加了相對較大的幅度,從而再一次在第一和第二相對放電空間中產(chǎn)生放電。其結(jié)果,負電荷累積在保護層6上。
在初始時段的最后階段,第一電極13提供有第三傾斜電壓,該電壓相對第三電極15被降低。因此,在第一電極和第三電極15之間產(chǎn)生放電,從而可調(diào)節(jié)第一電極13下面的保護層6上面的負電荷的累積量。
在提供傾斜電壓時,保持放電電流流動,并在第一相對放電空間中連續(xù)的提供與放電保持電壓Vs類似的電壓。因此,在初始時段的最后階段,信號電壓和壁電壓之間的電壓差基本上等于放電空間中的放電保持電壓Vs。在圖4中用“Vsx-a”表示初始時段的末端第一相對放電空間中所施加的電壓。
在尋址時段中,第一電極13被提供有偏壓Vab,從而只在所選擇的放電單元中產(chǎn)生放電。通過向第一電極13順序的提供負脈沖電壓而選擇放電單元。在對第一電極13進行掃描時,對第三電極15提供正數(shù)據(jù)脈沖電壓Va。因此,在時間t1,在第一電極13和第三電極15之間的第一相對放電空間提供電壓(Vsx-a+Va),然后開始在第一相對放電空間放電。如上所述,由于Vsx-a基本上等于跨過第一相對放電空間的放電保持電壓,相對較小的電壓Va可引發(fā)開始放電。
在尋址期間,由于相對第一電極13向第二電極14提供正電壓,在第一相對放電空間中產(chǎn)生的放電移向第二相對放電空間并沿第三電極15延伸。最終,在時間t2,同樣在第二相對放電空間中產(chǎn)生放電。其結(jié)果,在第一電極13下面的保護層6上累積的電荷的極性與第二電極14下面的保護層6上面的極性相反。
在無顯示數(shù)據(jù)脈沖電壓提供的情況下,在第一相對放電空間中不產(chǎn)生放電,從而在第一和第二電極13和14下面的保護層6上累積的電荷被保持在初始時段期間的最后階段的水平。
在保持時段,輪流向第一和第二13和14提供具有幅度Vsus的保持脈沖電壓。在時間t3向第二電極14提供保持脈沖電壓,從而在第二相對空間中的與第二電極14相鄰的負端開始放電。此時,與第二電極14相反,向第一電極提供正電壓,從而在第二相對放電空間產(chǎn)生的上述的放電移向第一電極13并沿第三電極15延伸。最后,在時間t4,同樣在第一相對放電空間產(chǎn)生放電。其結(jié)果,在第一和第二電極13和14下面的保護層6上面累積的電荷的極性相反。
在保持時段中,如上所述,在用二進制數(shù)權(quán)重的保持時段的每個子時段中,向第一和第二電極13和14重復(fù)并輪流提供放電保持電壓。
接著,參考圖5和圖6,將對在其中的一個相對放電表面中所產(chǎn)生的放電如何向著另外的一個相對放電空間延伸進行描述。圖5和圖6與圖2相類似,為本實施例的板的簡化截面示意圖,其中去除了保護層6。這些圖示出了保持時段期間所施加的電壓、壁電壓和放電等離子體的狀態(tài)。
圖5A示出了在時間t3向電極13、14和15所提供的電壓和在介電層5及熒光層11上所累積的壁電荷(參見圖4A)。在時間t3,向第一電極13提供外-保持電壓Vsus(同樣指保持脈沖電壓Vsus),且第二電極14接地。在尋址期間,在第二電極14下面的介電層5上累積增長的負壁電荷。因此,第二相對放電空間具有由第二電極14下面的介電層5上的負壁電荷所產(chǎn)生的有效電壓。如上所述,產(chǎn)生放電,然后從正偏壓熒光層11向負偏壓介電層5延伸。因此,放電包含與正偏壓熒光層11相鄰的正端和與負偏壓介電層5相鄰的負端。在此情況下,在與介電層5相鄰的負端開始產(chǎn)生放電。第一相對放電空間同樣具有大約為Vsus的有效電壓。然而,如上所述,由于需要較高的電壓使得與熒光層11相鄰的負端產(chǎn)生放電,所以在第一相對放電空間中不開始放電。在第三電極15上的熒光層11上累積正壁電荷。這是因為對第二電極14提供有較高的正電壓,而具有較低電壓的第二電極15在熒光層11上獲取并累積正電荷。
圖5B示出了這樣的一種狀態(tài),其中在第二相對放電空間中剛剛開始放電。在第二和第三電極14和15之間所提供的電壓使得放電產(chǎn)生由累積在壁上的壁電荷所產(chǎn)生的壁電壓,直到壁電壓抵消所提供的電壓,由此中斷放電。在第三電極15上面的熒光層11的介電常數(shù)比第二電極14下面的介電層5的小。因此,與介電層5相比,正的壁電荷會更快的累積在熒光層11上。同時,對第一電極13提供相對于第三電極15的正外-保持電壓Vsus。其結(jié)果,放電的正端水平移向第一相對放電空間,從而在介電層5上具有與其上的負壁電荷相耦合的負電荷。
圖5C示出了正水平移動的放電的正端。因此,放電的正端向著第一電極13移動,從而抵消熒光層11上累積的正壁電荷。
圖6A示出了在時間t4到達第一相對放電空間的放電的正端(參見圖4)。在圖6A中所示的放電等離子體的放電狀態(tài)是指“正列放電”,其產(chǎn)生在第一和第二相對放電空間之間,并發(fā)射強的紫外線。
圖6B示出了在放電中斷之前的放電的狀態(tài)。上述的一系列放電同樣會分別累積在第一電極13下的介電層5上的增加的負壁電荷和在第二電極15下的介電層5上的正壁電荷。因此,上述的一系列放電造成在第一電極13下的介電層13上的累積的負壁電荷增多,其表示已經(jīng)保持了作為“電荷存儲”的正列放電。
圖6C示出了在放電中斷后的放電的狀態(tài),其中在介電層5和熒光層11上累積的電荷抵消了相對放電空間中的有效電壓。因此,在被提供由正外-保持電壓Vsus的第一電極13下面的介電層5上累積負壁電荷。同時在第三電極15上的熒光層11上和第二電極14下的介電層5上累積正壁電荷。如圖5A和6C中可看出,放電的狀態(tài)是相反的。換句話說,在第一和第二電極13和14下累積的壁電荷具有極性相反而量相等的電荷。
因此,當(dāng)圖6C所示的板具有提供有外-保持電壓Vsus的第二電極14時,第一電極13接地,因此,可以重復(fù)一系列的放電。
同時,隨著正列放電的一系列放電被記憶為介電層5上的增加的負壁電荷,其中在介電層5中斷了正端的放電。換句話說,當(dāng)在第二相對放電空間中中斷一系列放電時,在第二電極14下面的介電層5上累積增加的負壁電荷,然后在第二相對放電空間開始下一輪的系列放電,并在第一相對放電空間中終止。相反的,如圖5A和6C所示,當(dāng)系列放電終止時,基本上消除了在另一個開始放電的相對放電空間的壁電壓。由于前面的放電,所述的另外一個相對放電空間失去了放電的條件。
根據(jù)本發(fā)明的板具有與圖2中所示的第一和第二電極13和14之間的距離對應(yīng)的延伸的間隙dss,并產(chǎn)生正列放電,從而可獲得高的發(fā)射效率。然而,所不足的是,大的間隙dss需要較高的放電電壓。
通常,圖7示出了放電電壓和放電間隙d之間的關(guān)系。更具體的,符合帕森定律(Paschen’s law)的曲線P示出了在不使用第三電極15并以傳統(tǒng)方式產(chǎn)生放電時,放電電壓和放電間隙d之間的關(guān)系,其與第一和第二電極13和14之間的距離相對應(yīng)。因此,對于傳統(tǒng)的表面放電型板,放電電壓與放電保持電壓相對應(yīng)。相反的,曲線Q示出了當(dāng)使用第三電極15和其上的熒光層11,并在相對的放電空間之間延伸系列放電時,根據(jù)本發(fā)明的放電電壓和上述的放電距離(間隙dss)之間的關(guān)系。
同時,曲線P為帕森定律曲線,因此放電電壓具有最低點,且在距離d變大時其迅速增大。同時,曲線Q示出放電電壓被保持在與其中的一個相對放電空間中的相類似的水平,且即使在間隙d較大的情況下其增加的也很小。
雖然當(dāng)間隙d小于預(yù)定的間隙dc時,根據(jù)曲線P的放電電壓小于根據(jù)曲線Q的放電電壓,當(dāng)距離d大于距離dc時,前者更加大于后者。因此,第三電極15和熒光層11降低了放電電壓。間隙dc指特定的放電距離,其基本上等于相對放電間隙dsa。
因此,當(dāng)間隙dss大于特定的放電距離dc時,在憑借第三電極15和熒光層11可通過低的放電電壓維持放電,從而產(chǎn)生正的列放電,由此獲得大的發(fā)射效率。通常的,正的列放電表示在第一和第二相對放電空間之間的延伸的空間中產(chǎn)生的類似燈絲的放電。
下面將對根據(jù)本發(fā)明的實施例的實例進行描述。
在根據(jù)本實施例的板中每個像素,其中包含分別提供有由BaMgAl10O17;Eu,Zn2SiO4;Mn,和(Y2Gd)BO3;Eu構(gòu)成的藍、綠和紅熒光層11b、11g、11r的藍、綠和紅放電單元16b、16g和16r。同樣,如表1中所示,所設(shè)計的藍、綠和紅放電單元16b、16g和16r的寬度分別為440微米、320微米和320微米。然后,在色圖中由上述的三色光組合的白光在黑體輻射軌道中的彩色溫度為10,000K。因此,可產(chǎn)生高質(zhì)量的白光。
當(dāng)根據(jù)本實施例的板具有上述限定的閾值放電電壓時,諸如Vfss、Vfsa、Vfas、和VfssA分別為700V、250V、350V和450V,同時Vsus為270V,從時間t3到時間t5的時間為2.5微秒,則可容易地對板進行激勵。而傳統(tǒng)的板具有80到100微米的放電保持間隙,根據(jù)本發(fā)明的板的相應(yīng)的間隙dss為430微米,其是傳統(tǒng)間隙的四倍。如果將傳統(tǒng)的激勵方法應(yīng)用到根據(jù)本發(fā)明的板中,則需要大于400V的保持電壓,從而很難以穩(wěn)定的方式對板進行激勵。然而,根據(jù)本發(fā)明的板可在其中的一個相對放電空間中產(chǎn)生放電,并向著另外一個相對空間延伸放電,以產(chǎn)生正的列放電,由此可用低的電壓穩(wěn)定地對板進行激勵。
當(dāng)將初始時段的傾斜電壓的變化率調(diào)節(jié)到5V/μs時,且尋址脈沖電壓Va和保持脈沖電壓Vsus分別為80V和270V,可靠的對表1中所描述的板進行激勵。因此,如圖4中所示,通過在初始時段應(yīng)用具有逐漸變化的變化率的傾斜電壓的信號電壓,可將在第一相對放電空間中應(yīng)用的有效電壓調(diào)節(jié)到基本上與在初始時段的結(jié)束時刻的放電保持電壓相等的水平。因此,可充分保證在尋址時段的工作余量,從而以穩(wěn)定的方式對板進行激勵。
另外,對各種的板進行了多次測試,并顯示出,當(dāng)將初始時段的傾斜電壓的變化率調(diào)節(jié)到10V/μs時,可獲得與上述類似的效果。同時,除非在初始時段期間傾斜電壓的變化率為0,否則可獲得穩(wěn)定的尋址操作。然而,由于每個時段具有大約16ms的時間間隔,為了用256的灰度顯示圖象,傾斜電壓的實際的變化率被限定在0.5V/μs。
同時,根據(jù)本發(fā)明的板的發(fā)射效率為21m/W。同時,傳統(tǒng)的板可獲得11m/W的發(fā)射效率。因此,與傳統(tǒng)的方法相比,根據(jù)本發(fā)明的板可將發(fā)射效率提高一倍。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明的板在第一和第二電極13和14之間具有延伸的間隙dss,從而可大大的提高發(fā)射效率。通過藍放電單元的寬度大于綠和紅放電單元的寬度,從而AC型等離子體顯示板可發(fā)射高彩色溫度和高顯示性能的白光。
上面對根據(jù)本發(fā)明的在尋址時段和各個保持時段被激勵的作為板的AC型等離子體顯示板進行了描述。此為尋址-保持分離型激勵方法。另外,通過應(yīng)用另外的尋址方法的AC型等離子體顯示板可獲得相同的效果。在初始和尋址時段所提供的信號電壓可與上述的信號電壓不同,但應(yīng)根據(jù)輸入的數(shù)據(jù)脈沖(圖象信號數(shù)據(jù))選擇地產(chǎn)生壁電荷。例如,對第三電極15可提供信號電壓,其在初始時段具有逐漸變化的傾斜部分。
權(quán)利要求
1.一種交流型等離子體顯示板的激勵方法,交流型等離子體顯示板包含第一基板,其包含多對第一和第二在第一基板上彼此平行延伸的電極,和用于交叉覆蓋第一基板及覆蓋第一和第二電極的介電層;和第二基板,其包含多個在與第一和第二電極交叉的方向上在第二表面上延伸的第三電極,和多個將每個第三電極彼此隔離開的多個隔離壁;其中所述第一和第二基板被設(shè)置成使得第一和第二表面彼此相對;所述激勵方法包含激勵所述交流型等離子體顯示板,從而在第一和第三電極之間的第一相對放電空間中產(chǎn)生的放電移向第二和第三電極之間的第二相對放電空間,并沿第三電極延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激勵方法,其特征在于所述的AC型等離子體顯示板還包含一個設(shè)置在相鄰的隔離壁之間的第三電極上的藍、綠和紅熒光層,根據(jù)放電產(chǎn)生的紫外線分別產(chǎn)生藍、綠和紅的可見光線;被提供有藍、綠和紅熒光層的相鄰隔離壁之間的至少一個寬度彼此不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激勵方法,其特征在于設(shè)置有藍熒光層的相鄰的隔離壁具有大于提供有綠和紅熒光層的的寬度。
4.一種AC型等離子體顯示板的激勵方法,其特征在于AC型等離子體顯示板包含一個第一基板,其包含多對第一和第二彼此在第一基板上平行延伸的電極,和覆蓋第一表面和位于第一和第二電極上的介電層;第二基板包含多個第三電極,其在與第一和第二電極交叉的方向上的第二表面上延伸,和多個隔離壁,其將第三電極彼此隔離開;其中所述第一和第二表面彼此相對;所述激勵方法包含如下的步驟a)在第一和第二電極之間施加預(yù)定的電壓,從而第二電極相對于第一電極被正向偏壓,并在尋址期間向第三電極提供數(shù)據(jù)脈沖電壓;及b)在保持期間提供電壓,從而當(dāng)在第二和第三電極之間的第二相對放電空間中開始放電后,其移向第一和第三電極之間的第一相對放電空間,并沿第三電極延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的激勵方法,其特征在于AC型等離子體顯示板的激勵方法還包含如下的步驟c)提供電壓,從而在第一相對放電空間中開始放電后,其移向第二相對放電空間,并沿第三電極延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激勵方法,其特征在于所述步驟b)和所述步驟c)被重復(fù)和交替的進行,從而保持放電。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的激勵方法,其特征在于在保持期間所提供的電壓低于用于在第一和第二電極之間產(chǎn)生表面放電所需的最小電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激勵方法,其特征在于在保持時段所提供的電壓小于用于在第一和第二電極之間產(chǎn)生表面放電所需的最小電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激勵方法,其特征在于在保持時段所提供的電壓小于用于在第一和第二電極之間產(chǎn)生表面放電所需的最小電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的激勵方法,其特征在于還包含如下的步驟d)在尋址期間之前的啟始期間向第一、第二或第三電極提供具有逐漸變化的傾斜部分的信號電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激勵方法,其特征在于還包含如下的步驟d)在尋址期間之前的啟始期間向第一、第二或第三電極提供具有逐漸變化的傾斜部分的信號電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激勵方法,其特征在于還包含如下的步驟d)在尋址期間之前的啟始期間向第一、第二或第三電極提供具有逐漸變化的傾斜部分的信號電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于傾斜部分的變化率為10V/μs或更小。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于傾斜部分的變化率為10V/μs或更小。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于傾斜部分的變化率為10V/μs或更小。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種在不增大保持電壓且即使放電保持間隙被擴大的情況下高發(fā)射效率的激勵A(yù)C型等離子體顯示板,根據(jù)本發(fā)明的AC型等離子體顯示板包含第一和第二彼此相對設(shè)置的基片。第一基片包含多對第一和第二彼此平行延伸的電極和在其上覆蓋的介電層。第二基片包含多個在與第一和第二電極交叉的方向上延伸的第三電極,和多個設(shè)置在每個第三電極之間的隔離壁。同時還涉及對該顯示板的生產(chǎn)方法。
文檔編號G09G3/291GK1290001SQ00124638
公開日2001年4月4日 申請日期2000年9月28日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月28日
發(fā)明者和邇浩一, 平尾和則, 青砥宏治, 田原宣仁 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社