基于電磁兼容的印刷裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電子系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于電磁兼容的印刷裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，雖然許多研究工作者在電子系統(tǒng)領(lǐng)域中付出了艱辛的勞動(dòng)，為提高電子系統(tǒng)的性能，在許多方面做了細(xì)致的研究。但由于本身原理機(jī)制方面的問(wèn)題，仍然存在諸如電子干擾、電子輻射等影響，已不能滿足現(xiàn)有電子系統(tǒng)整機(jī)的工作環(huán)境要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種基于電磁兼容的印刷裝置，解決了或部分解決了現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題。
[0004]本發(fā)明提供了一種基于電磁兼容的印刷裝置，包括:機(jī)箱，所述機(jī)箱包括:屏蔽模塊;第一非屏蔽模塊;第二非屏蔽模塊;其中，所述屏蔽模塊分別與所述第一非屏蔽模塊和所述第二非屏蔽模塊連接，所述第一非屏蔽模塊和所述第二非屏蔽模塊連接;且所述屏蔽模塊在所述機(jī)箱中處于屏蔽狀態(tài)，所述第一非屏蔽模塊和所述第二非屏蔽模塊在所述機(jī)箱中處于非屏蔽狀態(tài);所述第一非屏蔽模塊和所述第二非屏蔽模塊在所述機(jī)箱中位于所述屏蔽模塊的同一側(cè)。
[0005]可選的，所述屏蔽模塊包括:光譜燈;微波倍頻器;射頻倍頻電路，所述射頻倍頻電路與所述微波倍頻器連接;其中，所述第一非屏蔽模塊與所述射頻倍頻電路連接;所述微波倍頻器與所述第二非屏蔽模塊連接。
[0006]可選的，所述第一非屏蔽模塊包括:綜合控制器;壓控石英晶體振蕩器；隔離放大器，所述隔離放大器分別與所述壓控石英晶體振蕩器、所述綜合控制器和所述射頻倍頻電路連接;伺服電路，所述伺服電路分別與所述壓控石英晶體振蕩器和所述第二非屏蔽模塊連接。
[0007]可選的，所述伺服電路將所輸出的量子鑒頻信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷骷m偏電壓，以控制所述壓控石英晶體振蕩器的輸出頻率，從而完成環(huán)路的鎖定。
[0008]可選的，所述第二非屏蔽模塊包括:集成濾光共振泡;微波腔，所述集成濾光共振泡置于所述微波腔中，且所述微波腔一方面為原子的微波共振提供合適的微波磁場(chǎng)，另一方面為所述集成濾光共振泡提供溫度恒定的工作環(huán)境;磁場(chǎng)線圈，所述磁場(chǎng)線圈設(shè)置在所述微波腔的外圍部分，以產(chǎn)生與所述微波磁場(chǎng)方向相平行的弱靜磁場(chǎng);光電探測(cè)器，所述光電探測(cè)器置于所述微波腔中；磁屏模塊，所述磁屏模塊設(shè)置在所述微波腔的外圍部分；其中，所述微波倍頻器通過(guò)耦合環(huán)連接于所述微波腔上。
[0009]可選的，所述光電探測(cè)器是在800nm處具有良好靈敏度的娃光電池。
[0010]可選的，還包括:磁場(chǎng)恒流源，所述磁場(chǎng)恒流源與所述磁場(chǎng)線圈連接。
[0011 ]可選的，還包括:恒溫控制模塊，所述恒溫控制模塊分別與所述光譜燈和所述微波腔連接。
[0012]有益效果:
[0013]本發(fā)明提供一種基于電磁兼容的印刷裝置，通過(guò)所述屏蔽模塊分別與所述第一非屏蔽模塊和所述第二非屏蔽模塊連接，所述第一非屏蔽模塊和所述第二非屏蔽模塊連接；且所述屏蔽模塊在所述機(jī)箱中處于屏蔽狀態(tài)，所述第一非屏蔽模塊和所述第二非屏蔽模塊在所述機(jī)箱中處于非屏蔽狀態(tài);所述第一非屏蔽模塊和所述第二非屏蔽模塊在所述機(jī)箱中位于所述屏蔽模塊的同一側(cè)。實(shí)現(xiàn)了機(jī)箱內(nèi)部的模塊合理布局，解決了由于本身原理機(jī)制方面的問(wèn)題使得印刷裝置存在電子干擾、電子輻射等影響，而不能滿足現(xiàn)有電子系統(tǒng)整機(jī)的工作環(huán)境要求。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、適用性廣的特點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0014]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的基于電磁兼容的印刷裝置中，機(jī)箱的內(nèi)部模塊分布示意圖；
[0016]圖2為圖1中機(jī)箱內(nèi)部的電路連接不意圖；
[0017]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的基于電磁兼容的印刷裝置中，印刷板的內(nèi)部模塊分布示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍；其中本實(shí)施中所涉及的“和/或”關(guān)鍵詞，表示和、或兩種情況，換句話說(shuō)，本發(fā)明實(shí)施例所提及的A和/SB，表示了 A和B、A或B兩種情況，描述了 A與B所存在的三種狀態(tài)，如A和/或B，表示:只包括A不包括B;只包括B不包括A;包括A與B。
[0019]同時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)組件被稱為“固定于”另一個(gè)組件，它可以直接在另一個(gè)組件上或者也可以存在居中組件。當(dāng)一個(gè)組件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)組件，它可以是直接連接到另一個(gè)組件或者可能同時(shí)存在居中組件。當(dāng)一個(gè)組件被認(rèn)為是“設(shè)置于”另一個(gè)組件，它可以是直接設(shè)置在另一個(gè)組件上或者可能同時(shí)存在居中組件。本發(fā)明實(shí)施例中所使用的術(shù)語(yǔ)“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說(shuō)明目的，并不是旨在限制本發(fā)明。
[0020]請(qǐng)參閱圖1-3，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于電磁兼容的印刷裝置，包括:機(jī)箱100和印刷板300。
[0021]其中，對(duì)于機(jī)箱100而言，可參閱圖1，所述機(jī)箱100至少包括:屏蔽模塊101;第一非屏蔽模塊102;第二非屏蔽模塊103。其中，所述屏蔽模塊101分別與所述第一非屏蔽模塊102和所述第二非屏蔽模塊103連接，所述第一非屏蔽模塊102和所述第二非屏蔽模塊103連接；且所述屏蔽模塊101在所述機(jī)箱中處于屏蔽狀態(tài)，所述第一非屏蔽模塊102和所述第二非屏蔽模塊103在所述機(jī)箱100中處于非屏蔽狀態(tài);所述第一非屏蔽模塊102和所述第二非屏蔽模塊103在所述機(jī)箱100中位于所述屏蔽模塊101的同一側(cè)。
[0022]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的印刷裝置，具備小型化的特點(diǎn)。具體而言，由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展器件增多，電磁輻射能量劇增，電子系統(tǒng)工作頻率不斷攀升，面對(duì)這一情況，對(duì)電子電氣系統(tǒng)自身的抗擾度要求必須提高。由于系統(tǒng)由許多電路部件組成，各種噪聲的干擾如果處理不當(dāng)，無(wú)疑將會(huì)對(duì)系統(tǒng)頻穩(wěn)定性造成致命性的影響。系統(tǒng)布局的好壞對(duì)電磁兼容性影響很大。一般來(lái)講，設(shè)計(jì)人員都會(huì)按系統(tǒng)的各部分功能不同而將其細(xì)化成相應(yīng)的功能模塊，如物理系統(tǒng)、電路、電源等。但如果機(jī)箱布置安排不合理，則相互間可能產(chǎn)生較大的串?dāng)_。各功能模塊的輸入輸出端相距不宜太遠(yuǎn)，因?yàn)樗鼈冎g是由線或電纜相連接的。若相距太遠(yuǎn)，各模塊的輸入輸出端的共模干擾電流不易減小，從而引入較高的對(duì)地干擾電壓。因此，對(duì)于EMC敏感的關(guān)鍵性功能塊與非關(guān)鍵性功能塊要分開(kāi)來(lái)處理。對(duì)于那些關(guān)鍵性部分(如電路中的高頻成分)，它們的輻射大，而自身又特別容易受到干擾，對(duì)其應(yīng)特殊處理。例如可對(duì)其全部或部分進(jìn)行屏蔽。其連接分布示意圖可參閱圖1所示，其中，屏蔽模塊和非屏蔽模塊在接口處通過(guò)濾波模塊104進(jìn)行濾波處理。
[0023]請(qǐng)繼續(xù)參閱本發(fā)明實(shí)施例所提供的圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例的所述屏蔽模塊101包括:光譜燈212;微波倍頻器204;射頻倍頻電路203，所述射頻倍頻電路203與所述微波倍頻器204連接;其中，所述第一非屏蔽模塊102分別與所述射頻倍頻電路203連接;所述微波倍頻器204與所述第二非屏蔽模塊103連接。所述第一非屏蔽模塊102包括:綜合控制器206;壓控石英晶體振蕩器201;隔離放大器202，所述隔離放大器202分別與所述壓控石英晶體振蕩器201、所述綜合控制器206和所述射頻倍頻電路203連接;伺服電路207，所述伺服電路207分別與所述壓控石英晶體振蕩器201和所述第二非屏蔽模塊103連接。所述伺服電路201將所輸出的量子鑒頻信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷骷m偏電壓，以控制所述壓控石英晶體振蕩器201的輸出頻率，從而完成環(huán)路的鎖定。所述第二非屏蔽模塊103包括:集成濾光共振泡208;微波腔205，所述集成濾光共振泡208置于所述微波腔205中，且所述微波腔205—方面為原子的微波共振提供合適的微波磁場(chǎng)，另一方面為所述集成濾光共振泡208提供溫度恒定的工作環(huán)境;磁場(chǎng)線圈，所述磁場(chǎng)線圈設(shè)置在所述微波腔205的外圍部分，以產(chǎn)生與所述微波磁場(chǎng)方向相平行的弱靜磁場(chǎng);光電探測(cè)器210，所述光電探測(cè)器210置于所述微波腔205中；磁屏模塊211，所述磁屏模塊211設(shè)置在所述微波腔205的外圍部分;其中，所述微波倍頻器204通過(guò)耦合環(huán)連接于所述微波腔205上。
[0024]具體而言，光譜燈212是一個(gè)無(wú)極放電的銣燈，燈泡內(nèi)除了充有銣外，還充有激發(fā)電位低的惰性啟輝氣體。常用的啟輝氣體為Kr或Ar ο整個(gè)燈由射頻源激勵(lì)發(fā)光。微波腔205的主要作用是為原子的微波共振提供合適的微波場(chǎng)，同時(shí)受恒溫控制，為集成濾光共振泡208提供溫度恒定的工作環(huán)境。磁場(chǎng)線圈的作用是產(chǎn)生一個(gè)和微波磁場(chǎng)方向相平行的弱靜磁場(chǎng)，使原子基態(tài)超精細(xì)結(jié)構(gòu)發(fā)生塞曼分裂，并為原子躍迀提供量子化軸，同時(shí)通過(guò)調(diào)節(jié)磁場(chǎng)電流的大小，改變磁場(chǎng)的強(qiáng)度，微調(diào)系統(tǒng)的輸出頻率。
[0025]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，集成濾光共振泡208是整個(gè)物理系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，在集成濾光共振泡208中為進(jìn)行濾光和原子共振，除需要充入適量的87Rb及85Rb外，還需充入適當(dāng)壓力的混合緩沖氣體，以進(jìn)行熒光悴滅、能級(jí)混雜和減小多譜勒頻移。集成濾光共振泡208中的87Rb原子的基態(tài)超精細(xì)躍迀頻率即是銣原子頻標(biāo)的量子鑒頻參考頻率。作為優(yōu)選，本發(fā)明實(shí)施例選擇在800nm處有較好靈敏度的硅光電池，作為集成濾光共振泡208透射光的光電探測(cè)器210。本發(fā)明實(shí)施例中電子線路的主要作用是產(chǎn)生源于壓控石英晶體振蕩器201的微波探詢信號(hào)，并將本振的輸出頻率鎖定在銣原子的基態(tài)超精細(xì)O — O躍迀頻率上。同時(shí)，為了本發(fā)明實(shí)施例的正常工作，還包括:磁場(chǎng)恒流源214，所述磁場(chǎng)恒流源214與所述磁場(chǎng)線圈連接;恒溫控制模塊213，所述恒溫控制模塊213分別與所述光譜燈212和所述微波腔2