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一種用樹脂作為耐磨層的薄膜熱印頭及耐磨層的成膜工藝的制作方法

文檔序號:2505193閱讀:239來源:國知局
專利名稱:一種用樹脂作為耐磨層的薄膜熱印頭及耐磨層的成膜工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種薄膜熱印頭,尤其是薄膜熱印頭的耐磨層。
作為薄膜型熱印頭必不可少的耐磨層目前都是采用厚度為5~10μm的金屬氧化物,如Ta2O5。如果要想進(jìn)一步提高耐磨性能,延長薄膜熱印頭使用壽命,就只有增加耐磨層的厚度,這樣一來,勢必影響熱印頭的熱傳導(dǎo)效果,使印刷質(zhì)量下降;而且金屬氧化物價(jià)格較高,同時現(xiàn)有技術(shù)中由于耐磨層材料本身的局限,使得耐磨層成膜工藝及局部墊高發(fā)熱電阻體部位的方法都必須采用真空鍍膜工藝,所需設(shè)備價(jià)格高,工藝過程復(fù)雜,影響成膜質(zhì)量的因素多,尤其為保證發(fā)熱電阻體部位與紙面充分接觸,在解決電阻點(diǎn)部位凹陷的方法上,除成膜外,必須進(jìn)行一次或多次光刻腐蝕成形工藝,腐蝕工藝掌握略有不當(dāng),便會給其他膜層帶來損傷,從而影響產(chǎn)品質(zhì)量與成品率。
與本發(fā)明最接近的現(xiàn)有技術(shù)主要有兩篇日本專利文獻(xiàn)昭61-169261,
公開日昭和61年(1986)7月30日;昭57-22077,
公開日昭和57年(1982)2月4日。
本發(fā)明的目的在于提供一種已知樹脂,利用這種樹脂熱響應(yīng)速度高、價(jià)格低廉等特點(diǎn)來作為薄膜熱印頭的耐磨層,通過增加耐磨層的厚度來提高薄膜熱印頭的使用壽命而且不影響其印刷質(zhì)量,同時提供了樹脂的成膜工藝,在成膜過程中進(jìn)一步解決發(fā)熱電阻體的墊高問題。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的采用已知的COPNA縮合多環(huán)多核芳香烴樹脂(以下簡稱樹脂)作為薄膜熱印頭的耐磨層,厚度為10~15μm。
該發(fā)明的成膜工藝采用通用的勻膠技術(shù),絲網(wǎng)漏印技術(shù),噴涂技術(shù)就可實(shí)現(xiàn),主要步驟為將樹脂先制成一定濃度的膠體,然后均勻涂敷于薄膜熱印頭防氧化層表面,待其涼干后,通過一定時間的烘烤加熱使其固化,即可成膜。
在與發(fā)熱電阻體對應(yīng)的耐磨層處增加樹脂涂層厚度,使耐磨層局部凸起,以墊高發(fā)熱電阻體。


圖1是本發(fā)明薄膜熱印頭單點(diǎn)結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1—基板,2—釉層,3—發(fā)熱電阻體,4—電極引線,5—防氧化層,6—樹脂耐磨層,7—局部加厚的樹脂膜。
下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明的樹脂成膜實(shí)施例。(1)用有機(jī)溶劑(如四氫呋喃)將樹脂制成一定濃度的膠體;(2)采用勻膠工藝或絲網(wǎng)印刷技術(shù)噴涂將樹脂均勻涂敷于防氧化層5表面,涂層厚度為10~15μm,將涂層涼干后,置于120℃下烘烤20小時,再置于200℃環(huán)境下烘烤1小時,使其固化后,即可形成樹脂耐磨層6;(3)在樹脂涼干后,通過局部增加樹脂耐磨層7厚度,使耐磨層呈凸起狀,凸起高度為5~10μm,增加厚度部位與發(fā)熱電阻體3位置相對應(yīng),涂敷、烘干樹脂方法同前。
由于本發(fā)明采用COPNA縮合多環(huán)多核芳香烴樹脂作為薄膜熱印頭耐磨層,與現(xiàn)有金屬氧化物耐磨層相比,具有價(jià)格低廉,熱響應(yīng)速度高等特點(diǎn),因此增加樹脂厚度可以提高耐磨層的使用壽命而不影響印字質(zhì)量;同時樹脂涂敷工藝比現(xiàn)有耐磨層成膜技術(shù)簡單,固化樹脂溫度低于發(fā)熱電阻體工作時的局部溫升,不影響其他膜層質(zhì)量,另外由于所墊高發(fā)熱電阻體部位是在各膜層最上邊的耐磨層處,因此固化樹脂前若發(fā)現(xiàn)問題可及時清除,重新涂敷,可修復(fù)性能好。
權(quán)利要求
1.一種薄膜熱印頭由基板、釉層、發(fā)熱電阻體、電極、防氧化層,耐磨層組成,其特征在于其中的耐磨層是COPNA縮合多環(huán)多核芳香烴樹脂,厚度為10~15μm。
2.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜熱印頭耐磨層的成膜工藝,采用如下步驟(1)將COPNA縮合多環(huán)多核芳香烴樹脂用有機(jī)溶劑制成一定濃度的膠體;(2)將樹脂均勻涂敷于防氧化層表面,涂層厚度為10~15μm;(3)將樹脂涂層涼干后,置于120℃下烘烤20小時,再置于200℃下烘烤1小時。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述薄膜熱印頭及薄膜熱印頭耐磨層的成膜工藝,其特征在于通過局部增加耐磨層厚度使耐磨層呈凸起狀,凸起部分與發(fā)熱電阻體位置對應(yīng),凸起高度為5~10μm。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種增加薄膜熱印頭使用壽命并簡化薄膜熱印頭制造工藝的方法。其特點(diǎn)是采用COPNA縮合多環(huán)多核芳香烴樹脂為薄膜熱印頭的耐磨層,將樹脂制成一定濃度的膠體后,均勻地將樹脂涂敷于防氧化層表面,烘干后即可成膜,薄膜熱印頭其它膜層不會受到影響,在解決電阻發(fā)熱體部位凹陷問題上,只需在電阻點(diǎn)對應(yīng)的耐磨層部位增加樹脂厚度即可。
文檔編號B41J2/335GK1117920SQ95105989
公開日1996年3月6日 申請日期1995年6月8日 優(yōu)先權(quán)日1995年6月8日
發(fā)明者張生才, 申云琴, 陳德里, 牛秀文, 孫錫蘭, 齊建華 申請人:天津大學(xué)
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