專利名稱：：制作平版印刷印版載體的方法制作平版印刷印版載體的方法發(fā)明領域本發(fā)明涉及一種制作平版印刷印版載體的方法和一種制作包括所述載體的熱敏性和/或光敏性平版印刷印版的方法。
背景技術：
：平版印刷機使用所謂的印刷底版，如安裝在印刷機滾筒上的印版。底版的表面上帶有平版印刷圖像，通過將油墨施用到該圖像，隨后使油墨從底版轉(zhuǎn)移到承印材料上而得到印刷品，承印材料通常為紙張。在常規(guī)所謂的"濕法，，平版印刷中，將油墨以及潤版水溶液(也稱為潤版液體)供應給由親油(或疏水，即接受油墨而排斥水的)區(qū)域以及親水(或疏油，即接受水而排斥油墨的)區(qū)域組成的平版印刷圖像。在所謂的無水平版膠印中，平版印刷圖像由接受油墨和阻隔油墨(ink-abhesive)(排斥油墨的)區(qū)域組成，在無水平版膠印期間中，向底版只供應油墨。印刷底版通常通過按圖像暴露和將稱作印版前體的成像材料顯影而得到。在二十世紀九十年代末，除公知的適于通過膜狀掩模用于UV接觸曝光的光敏性版(所謂的預制感光版)以外，熱敏性印版前體也非常普遍。這種熱敏性材料提供日光穩(wěn)定性的優(yōu)點且特別用于所謂的計算機直接制版(computer-to-plate)法，其中將印版前體直接暴露，即不使用膜狀掩才莫。使材料暴露于熱或暴露于紅外光并且產(chǎn)生的熱觸發(fā)(物理)化學過程，如燒蝕、聚合、因聚合物交聯(lián)的不溶解作用、熱引發(fā)的增溶作用或因熱塑性聚合物膠乳的顆粒凝結(jié)的不溶解作用。使印版能夠在無需濕加工的情況下制作的熱過程例如基于對一層或多層涂層的燒蝕。在暴露區(qū)域，露出底層表面，其對于油墨或潤4版液具有與非暴露涂層表面不同的親和力；得到圖像(印刷)區(qū)域和非圖像或背景(非印刷)區(qū)域。另一類基于熱過程而無需濕加工步驟的印版例如為基于轉(zhuǎn)換的印版，即在暴露于熱和/或光時，印版表面由親水性表面不可逆地變所謂的"可轉(zhuǎn)換聚合物體系"基于如極性基團的掩蔽/解蔽或電荷的破壞/生成的不同工作機制。最普遍的熱敏印版通過堿性顯影劑在涂層的暴露區(qū)域和非暴露區(qū)域之間的熱引發(fā)的溶解度差異來形成圖像。該涂層通常包含親油性連接料，例如酚醛樹脂，通過按圖像暴露，它在顯影劑中的溶解速率不是降低(負性)便是提高(正性)。在顯影期間，溶解度差異導致涂層的非圖像(非印刷)區(qū)域除去，從而露出親水性載體，而涂層的圖像(印刷)區(qū)域保留在載體上。這類印版的典型實例描述于例如EP-A625728、EP誦A823327、EP-A825927、EP-A864420、EP-A894622和EP-A901902中。如在例如EP-A625,728中所述，這類熱敏材料的負性實施方案經(jīng)常需要在暴露和顯影之間的預熱步驟。如在例如EP-A770494、EP-A770495、EP-A770496和EP-A770497中所述，不需要預熱步驟的負性印版前體可含有通過熱塑性聚合物膠乳的熱引發(fā)顆粒聚結(jié)工作的圖像記錄層。這些專利公開了一種制作平版印刷印版的方法，該方法包括以下步驟(1)按圖像暴露包含分散在親水性連接料中的疏水性熱塑性聚合物顆粒和能夠使光轉(zhuǎn)變?yōu)闊岬幕衔锏某上裨?，?2)通過施用潤版液和/或油墨使按圖像暴露的元件顯影。US5,728,503提供了一種用于具有大體均勻形態(tài)的光敏性印版的糙化且陽極化的鋁載體，該形態(tài)包括峰和谷和表面粗糙度參數(shù)Ra(0.10-0.5pm)、Rt(0陽6(xm)、Rp(0陽4pm)和Rz(0-5nm)。EP1,400,351公開了一種平版印刷印版前體，其包括鋁載體和含有堿溶性樹脂和紅外吸收劑的光敏性層，其中該光敏性層的涂布量為0.5-3g/n^且厚度分布最大相對標準偏差為20%。WO02/01291公開了一種平版印刷印版，其包括在粗糙底材上的大體共形的輻射敏感性層；即輻射敏感性層的表面的峰和谷大體與粗糙底材的微觀表面的主要鋒和谷對應。印版的粘著性、抗粘著性和耐印刷性有所改善。US6,912,956公開了一種印版材料，其包括中心線平均表面粗糙度Ra為0.2-l.(Him且保油量A2為1-10的底材和提供于該底材上的組分層，圖像能夠通過用紅外激光器按圖像暴露來記錄于該組分層上。US4,721,552公開了一種平版印刷載體的兩步電化學糙化處理。該載體在脫脂和剝黑膜預處理之后通過在包含鹽酸的含水酸性溶液中對栽體施加15-100A/dn^的電流密度來糙化，隨后將載體蝕刻并剝黑膜，最后在15-80A/dm2的電流密度下在包含硝酸的酸性溶液中糙化。在EP536531中，公開了一種使鋁載體變粗糙的方法，該方法包括兩個連續(xù)的電化學糙化步驟，后面是所謂的浸酸步驟。當浸酸步驟在兩個糙化步驟中間進行時，得到劣質(zhì)的載體。US2005/0153242公開了鋁載體的處理，包括電化學表面粗糙化步驟，該電化學表面粗糙化步驟包括兩個階段，其中第一階段施加的電流密度Dl為40-100A/dm2,所施加的總電荷密度Ql+Q2為600國1500C/dm2。EP437761提供了使鋁印版載體變粗糙的方法，該方法包括包括將該載體浸入包含硫酸根離子和氯離子的酸性電解液的第一粗糙化階段和在包含鋁離子的酸性溶液中的第二粗糙化階段。US2006/0032760描述了平版印刷栽體的表面處理，包括兩個電解糙化步驟，它們優(yōu)選通過施加10-300C/dm2的電流密度進行以得到優(yōu)良的耐糊版性。在US2006/0040212中，7>開了兩步電化學糙化方法，其中第一糙化步驟在10-100A/dn^的電流密度和l-1000C/dn^的電荷密度下進行；且第二步驟通過施加20-100C/dm2的電荷密度進行。US5,141,605描述了鋁載體的表面處理，包括以下步驟(i)電化學糙化步驟，(ii)選自將該載體在高溫下長時間浸入^e危酸溶液、將該載體浸入苛性鈉中或電化學拋光該載體的蝕刻步驟，(iii)再次糙化得到的載體。EP1157854公開了一種具有平版印刷栽體的預制感光版，該平版印刷栽體進行了糙化、堿蝕刻和陽極化處理。所公開的糙化處理可包括兩個步驟在基于鹽酸或硝酸的水溶液中通過使用20-200A/dm2的電流密度和10-1000C/dm2的電荷量進行的第一電化學糙化步驟；和第二電化學糙化步驟。在兩個糙化步驟之間進行蝕刻和剝黑膜步驟。一般說來，使用鋁底材作為平版印刷印版的載體要求它們經(jīng)受若干處理，如糙化和陽極化。使平版印刷載體變粗糙或糙化以改善圖像區(qū)域的粘著和非圖像區(qū)域的潤濕特性而不降低載體的清除行為，即非圖像區(qū)域的涂層殘余物的除去。在糙化步驟之后得到的凹坑的類型(尤其是它們在表面上的大小和分布)高度影響相關印版的平版印刷行為。認為深和/或大的凹坑導致涂層殘余物在非圖像區(qū)域上存在(不良間減少)。另一方面，太小的凹坑會妨礙保水性質(zhì)并且會不利于涂層的適當粘著。另外，未糙化區(qū)域或所謂的平臺(plateaux)的量應該受到限制，因為這樣的區(qū)域可引起涂層和/或底材磨損增加和保水性質(zhì)降低。總之，用于印版的鋁載體應該具有以均一分布在表面之上的均勻且小的凹坑為特征的表面，以在圖像區(qū)域的涂層的粘著性(即耐印刷性)和非圖像區(qū)域的保水性和清除行為之間提供優(yōu)良平衡。發(fā)明概述本發(fā)明的一個目標在于提供一種制作平版印刷鋁印版載體的方法，所迷平版印刷鋁印版栽體具有包括均一分布在表面之上且大小均7勻且小的凹坑的表面。這個目標通過權利要求1的方法，即制作鋁平版印刷印版載體的方法實現(xiàn)，所述方法包括以下步驟(i)通過施加電荷密度x糙化所述載體；(ii)使所述糙化的栽體剝黑膜；(m)通過施加電荷密度y糙化所述剝黑膜的載體；(iv)使所述載體陽極化；所述方法的特征在于在各糙化步驟期間施加在80A/dm2與250A/dn^之間的電流密度且比率x/x+y在0.3與0.7之間。對于根據(jù)本發(fā)明的方法得到的鋁載體的微觀結(jié)構(gòu)的詳細研究令人驚訝地表明所述載體的表面包括均一分布的大小均勻且小的凹坑。所述詳細研究使用如下所述的新近發(fā)展的閥值方法進行。另一目標在于提供一種制作平版印刷印版的方法，在施加熱和/或光敏性涂層、使所述印版暴露且任選顯影之后，所述平版印刷印版沒有表現(xiàn)出涂層殘余物的存在，在非圖像區(qū)域具有優(yōu)良保水性且具有高印刷耐久性。這個目標通過權利要求10的方法，即一種制作平版印刷印版的方法實現(xiàn)，所迷方法包括以下步驟(i)提供包括如上所述的載體和施用在其上的熱敏性涂層的印版前體；(ii)將所述印版前體暴露于熱和/或光；和(iii)任選用水性液體使所述經(jīng)暴露的前體顯影。本發(fā)明的其他特征、元件、步驟、特性和優(yōu)勢從本發(fā)明的優(yōu)選實施方案的以下詳細說明中將變得更加顯而易見。附圖簡述圖1表示二維表面輪廓。圖2表示表面輪廓的承載比(bearingratio)曲線。圖3表示根據(jù)承載比曲線的Rk-構(gòu)造。圖4表示在Rk構(gòu)造中規(guī)定的高度D處取閥值的干涉儀圖像，且8其中灰階與整個橫截面上凹坑的深度和凹坑分布有關。圖5表示說明新近發(fā)展的用于測定凹坑大小分布的閾值方法的曲線。發(fā)明詳述本發(fā)明的方法的平版印刷印版載體為鋁載體。所述鋁載體的表面為糙化且陽極化的鋁。所述載體可為片狀材料，如板，或者可為圓柱形元件，如可繞著印刷機的印刷滾筒滑動的套筒。鋁載體的糙化包括陽極極化循環(huán)，其中形成凹坑；后面是陰極極化循環(huán)，其中建立所謂的黑膜層(Al(OH)3層)。認為黑膜在其生長期間降低糙化效率，導致形成均勻性較差的凹坑；即具有較深凹坑和較多平臺的表面。最后的表面形態(tài)因此可能由糙化步驟期間在凹坑形成與黑膜形成之間的平衡決定。若干糙化工藝參數(shù)可決定此平衡；例如電解液組成、電解液溫度、電解液的流量和/或濃度；電荷密度(C/dm2);電流密度(A/dm2》電壓(V)和/或AC-信號頻率。需要最低水平的電荷密度以制得充分糙化的表面。在印版栽體的工業(yè)生產(chǎn)中，當前的需求是較短時期內(nèi)制備印版載體。當鋁載體在較短時間內(nèi)糙化時，如工業(yè)中所需要，必須施加較高的電流密度以在表面上得到相同的電荷密度，因此得到相同的表面形態(tài)。實際上，時間t下的電荷密度Q(C/dm"為時間t下的局部電流密度J(A/dm^的絕對值的積分值等式l。然而，如本領域中已知，對載體施加較高電流密度產(chǎn)生較糟的表面形態(tài)；即較深凹坑和較多平臺(未糙化區(qū)域)的出現(xiàn)。對于根據(jù)本發(fā)明的方法得到的鋁載體微觀結(jié)構(gòu)的詳細研究令人驚訝地表明所述載體的表面包括均一分布的大小均勻且小的凹坑。即使在高電流密度和高線速度下也得到了此改善的表面形態(tài)。本發(fā)明的方法包括至少兩個糙化步驟和一個在所述糙化步驟之間的剝黑膜步驟；且第一糙化步驟通過施加電荷密度x進行，電荷密度x表示在兩個步驟中所施加的總電荷密度的30-70%。因此，第一糙化步驟通過施加電荷密度x進行，第二糙化步驟通過施加電荷密度y進行，比率x/x+y在0.3與0.7之間。各糙化步驟中的電流密度獨立地為80A/dm2到250A/dm2，更優(yōu)選各糙化步驟中的電流密度獨立地為90A/dm2到220A/dm2。根據(jù)本發(fā)明的方法處理的印版表面具有均一分布的小凹坑，所述凹坑的特征為平均凹坑深度等于或小于1.6pm，更優(yōu)選等于或低于1.55)xm,最優(yōu)選等于或低于1.5pm。這些凹坑的大小變化小，即最大0.45pm，表明所述凹坑大小均勻。這是工業(yè)生產(chǎn)線中最有意義的，因為較短的糙化時間得到較高的線速度。平均凹坑深度和表面與Ra值(算術平均中心線粗糙度，參見ISO4287/1或DIN4762)相比，平均凹坑深度給出表面粗糙度的改善的指示，Ra值一般在現(xiàn)有技術中采用以指示表面粗糙度，因為Ra值給出載體表面上存在的峰和谷的平均值且深和/或大凹坑的存在基本不影響Ra值。表面上凹坑深度的變化給出表面上凹坑分布程度的指示。電荷密度x優(yōu)選在80C/dm2與2000C/dm2之間、更優(yōu)選在100C/dm2與1500C/dm2之間、最優(yōu)選在150C/dm2與1250C/dm2之間。各糙化步驟優(yōu)選獨立地進行1-15秒、更優(yōu)選1.5-13秒、最優(yōu)選2-10秒的時間。糙化步驟可在獨立地包含優(yōu)選下列化學品中的至少一種的水性電解質(zhì)溶液中進行HN03、CH3COOH、HC1和/或H3P04。各糙化步驟中施用的電解質(zhì)溶液的組成可具有相同或不同的化學組成。在一個優(yōu)選的實施方案中，兩個糙化步驟各自在含有HC1的電解質(zhì)溶液中進行。電解質(zhì)溶液可含有其他化學品如表面活性劑或鹽(例如A產(chǎn)或SO-鹽)。還可將如在2006年2月28日提交的未公布的專利申請EP06110469.1中所公開的添加劑如苯曱酸衍生物或磺酸衍生物加到電解質(zhì)溶液中。HC1、HN03、CH3COOH和/或H3P04在電解質(zhì)溶液中的濃度優(yōu)選在lg/1與50g/l之間、更優(yōu)選在5g/l與30g/l之間、最優(yōu)選在7g/l與20g/l變化。電解液的溫度可為任何合適的溫度，但優(yōu)選為20°C-55°C,更優(yōu)選為30°C-45°C。糙化可使用在優(yōu)選10-200Hz、更優(yōu)選20-150Hz、最優(yōu)選30-120Hz的頻率下的交流電如正弦波電流、梯形波電流或矩形波電流進行。所施加的電壓例如為5V到50V，優(yōu)選為20V到40V。在第一糙化步驟之后，在所述糙化步驟期間累積的黑膜層借助于剝黑膜步驟除去大部分。在一個優(yōu)選的實施方案中，黑膜層在剝黑膜步驟期間被完全除去。剝黑膜步驟可在包含例如濃度在lg/1與15g/l之間、優(yōu)選在2g/l與10g/l之間、最優(yōu)選在3g/l與8g/l之間的NaOH的堿性剝黑膜水溶液中；或在包含例如濃度在10g/l與600g/l之間、優(yōu)選在20g/l與400g/l之間、最優(yōu)選在40g/l與300g/l之間的H3P04和/或H2S04的酸性剝黑膜水溶液中進行。除了剝黑膜溶液的化學組成和濃度之外，它的溫度和反應時間也影響剝黑膜步驟。反應時間優(yōu)選在0.5秒與30秒之間、更優(yōu)選在1秒與15秒之間、最優(yōu)選在1.5秒與10秒之間，且所述溫度優(yōu)選在20。C與95。C之間、更優(yōu)選在25°C與85。C之間。在一個特別優(yōu)選的實施方案中，剝黑膜步驟在包含濃度在80g/l與200g/l之間的H2SO4的酸性溶液中在于25。C與85。C之間的溫度下進行1.5-10秒的時間。剝黑膜步驟通常通過用剝黑膜溶液浸泡載體或在栽體上噴霧進行。在根據(jù)本發(fā)明的方法的糙化步驟和剝黑膜步驟之后，可進行最后剝黑膜步驟。剝黑膜溶液的組成和溫度和此剝黑膜步驟的反應條件如上所述。利用陽極化技術使用硫酸和/或硫酸/磷酸混合物將鋁陽極化。通過使鋁載體陽極化來改善其耐磨性和親水性。A1203層的樣丈觀結(jié)構(gòu)以及厚度由陽極化步驟決定；陽極化重量(anodicweight)(每平方米鋁表面上形成的八1203的克數(shù))通常在lg/m248g/n^之間。陽極化的方法ii在本領域中已知且例如在GB2，088,901中公開。本發(fā)明的糙化且陽極化的鋁底材可經(jīng)后處理以進一步改善其表面的親水性。例如，氧化鋁表面可通過在高溫(例如95。C)下用硅酸鈉溶液處理而硅酸鹽化?；蛘?，可施用磷酸鹽處理，該處理包括用還可含有無機氟化物的磷酸鹽溶液處理氧化鋁表面。另外，氧化鋁表面可用有機酸和/或其鹽(例如羧酸、鞋基羧酸、磺酸或膦酸或其鹽，例如琥珀酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽、硫酸鹽和磺酸鹽)漂洗。優(yōu)選檸檬酸或檸檬酸鹽溶液。這種處理可在室溫下進行或可在約30。C-50。C的稍微升高的溫度下進行。其他相關的處理包括用碳酸氫鹽溶液漂洗氧化鋁表面。更進一步，氧化鋁表面可用聚乙烯基膦酸、聚乙烯基甲基膦酸、聚乙烯醇的磷酸酯、聚乙烯基磺酸、聚乙烯基苯磺酸、聚乙烯醇的硫酸酯以及聚乙烯醇與磺化脂族醛反應形成的縮醛處理。另外，顯然這些后處理中的一種或多種可單獨或組合進行。這些處理的更詳細說明參見GB1084070、DE4423140、DE4417907、EP659909、EP537633、DE4001466、EPA292801、EPA291760和US4458005。就平均凹坑深度而言的表面糙化形態(tài)根據(jù)下列新近發(fā)展的閾值方法測定。首先，記錄底材的三維圖像，該圖像表征所述底材的糙化形態(tài)表面或其表面的粗糙性質(zhì)。從這些圖像可計算描述表面形態(tài)的各方面的許多參數(shù)。承載比分析技術(參見例如WykoSurfaceProfilersTechnicalReferenceManual(Wyko表面廓線儀技術參考手冊)，1999年9月，Veeko,MetrologyGroup(3-3到3-11頁)或US2004/0103805)已用來計算這些參數(shù)。三維圖像或表面輪廓可通過使用得自Veeco的白光干涉儀(NT3300,自VeecoMetologyGroup,Arizona,USA購得)得到。由所得表面輪廓可得出兩條曲線表面輪廓的直方圖(圖l)和承載比曲線(圖2)。表面輪廓的直方圖(也稱為幅度分布函數(shù)(ADF))給出表面輪廓在任何xy位置處具有某一高度z的概率。換句話說，ADF函數(shù)給出表面輪廓上隨機選擇的位置xy處的點具有約z的高度的概率。承載比曲線為ADF的數(shù)學積分且承載比曲線上的各點具有表示占多少分數(shù)的輪廓高于某一高度的物理意義。換句話說，承載比曲線表示由平行于表面平面的平面截取的材料的百分數(shù)與相對于該平面距離表面的深度的關系。自承載比曲線來看，描述表面形態(tài)的參數(shù)使用所謂的Rk構(gòu)造(圖3)定義。這些參數(shù)為中心粗糙度深度(Rk)、降低的峰高(Rpk)、降低的谷深(Rvk)和谷材料分量(valleymaterialcomponent)(100。/。-Mr2)且在ISO標準13565-1996中如下定義中心粗糙度深度(Rk):為穿過最低高度40%窗的末端的線的左側(cè)截取點與右側(cè)截取點之間的垂直高度。降低的峰高(Rpk):為在表面的主要平臺之上的小峰的估算值。降低的谷深(Rvk):為谷深的估算值。峰材料分量(Mn):為由小峰組成的表面的分數(shù)。谷材料分量(100。/o-Mr2):為由較深谷組成的表面的分數(shù)。表面輪廓上的高度C和D在Rk構(gòu)造中通過確定最小割線斜率來測定。最小割線斜率通過滑動(圖3中的0-100%軸)的40%窗穿過承載比曲線(6)得到。這個窗在兩個點(即點A和B)處與曲線交叉，目的是為了發(fā)現(xiàn)兩點之間斜率最小的位置。當?shù)玫阶钚⌒甭蕰r，畫出穿過點A和B的線(7)且在承載比為0%和100%處的縱座標上截取分別得到點C和D。根據(jù)本發(fā)明，已確定基于Rk構(gòu)造中定義的參數(shù)的新閾值方法，它能夠評估凹坑大小分布。對于評價凹坑大小分布來說，首先三維干涉儀圖像在高度D處取閥值(圖4)。圖4事實上為鋁表面高度D處的橫截面且表示在此高度的凹坑。圖4的灰階與凹坑深度和它們在橫截面的分布有關。各像素具有能夠產(chǎn)生灰階圖像的深度值。這個閾值能夠確定并區(qū)分目標，即凹坑。凹坑使用凸分量分析彼此加以區(qū)分。因此各單一凹坑的面積、深度和體積可使用適當軟件如MatLab計算。例如，在閥值化圖像上凹坑的面積通過使凹坑像素數(shù)目與一個像素的物理面積相乘來計算。根據(jù)這些值，可計算閥值高度下凹坑面積、深度和體積的平均和標準偏差。由這種閥值方法得到的凹坑深度通過加上Rk而校正為實際深度(圖5)。同樣，凹坑體積也通過加上具有凹坑的計算面積(在水平D處)的面積和高度Rk的圓柱的體積校正(圖5)。具有比Rk+Rpk低的深度的凹坑(在圖5中以箭頭指示)根據(jù)這種圖像分析不確定為凹坑。然而，這種閾值方法能夠比較不同底材的深凹坑的大小分布。根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種制作平版印刷印版前體的方法，所述方法包括以下步驟提供如上文詳細論述的載體，施用包含至少一個熱敏性或光敏性成像層的涂布溶液到所述載體上且隨后千燥得到的前體。所述前體可為負性前體或正性前體，即其分別可在暴露區(qū)域或非暴露區(qū)域形成油墨接受區(qū)域。下文詳細論述熱和光敏性涂層的合適實例。熱敏性印版前體熱敏性印版前體的成像機制可通過直接暴露于熱(例如通過熱頭)或通過涂層中的一種或多種能夠使光(更優(yōu)選紅外光)轉(zhuǎn)變?yōu)闊岬幕衔锏墓馕諄碛|發(fā)。熱敏性印版前體的第一合適實例為基于優(yōu)選分散在親水性連接料中的疏水性熱塑性聚合物顆粒的熱引發(fā)聚結(jié)的前體，如在例如EP770494、EP770495、EP770497、EP773112、EP774364、EP849090、EP1614538、EP1614539、EP1614540和未公開的歐洲專利申請EP05105378.3、EP05109781.4、EP05109782.2、EP05108920.9和未公布的專利申請PCT/EP2005/054585中所述。在第二個合適的實施方案中，所述熱敏性印版前體包括包含具有親水性且在暴露于熱或紫外光和疏水化處理之前可溶于顯影液中且在所述暴露后溶解性減小的芳基重氮磺酸鹽均聚物或共聚物的涂層。14這類芳基重氮磺酸鹽聚合物的優(yōu)選實例為可通過使芳基重氮磺酸鹽單體與其他芳基重氮磺酸鹽單體和/或與乙烯系單體如(甲基)丙烯酸或其酯、(甲基)丙烯酰胺、丙烯腈、乙酸乙烯酯、氯乙烯、偏二氯乙烯、苯乙烯、a-曱基苯乙烯等均聚或共聚制備的化合物。合適的芳基重氮磺酸鹽單體公開在EP-A339393、EP-A507008和EP-A771645中，合適的芳基重氮磺酸鹽聚合物公開在EP507,008、EP960,729、EP960,730和EP1,267,211中。其他合適的熱敏印版為正性印版且依靠親油性樹脂的熱引發(fā)溶解。所述親油性樹脂優(yōu)選為可溶于水性顯影劑的聚合物，更優(yōu)選為pH在7.5與14之間的水性堿性顯影液。優(yōu)選的聚合物為酚醛樹脂，例如線形酚醛樹脂、可熔酚醛樹脂、聚乙烯基苯酚和氣基取代的聚合物。這些聚合物的典型實例描述在DE-A-4007428、DE-A-4027301和DE-A-4445820中。相對于第一層中存在的所有組分的總重量來說，第一層中酚醛樹脂的存在量優(yōu)選為至少50%重量，優(yōu)選為至少80%重量。在一個優(yōu)選的實施方案中，所述親油性樹脂優(yōu)選為酚醛樹脂，其中苯基或羥基用有機取代基化學改性。用有機取代基化學改性的酚醛樹脂對于印刷化學品如潤版溶液或印機用化學品如潔版液可展現(xiàn)增加的耐化學品性。這類化學改性的酚醛樹脂的實例描述在EP-AO934822、EP-A1072432、US5641608、EP-AO982123、WO99/01795、EP-A02102446、EP-A02102444、EP畫A02102445、EP-A02102443、EP-A03102522中。優(yōu)選EP-A02102446中所述的改性樹脂,尤其是所述酚醛樹脂中的苯基用結(jié)構(gòu)為-N二N-Q的基團取代的改性樹脂，其中-N-N-基團共價鍵合到苯基的碳原子上且其中Q為芳基。在后一實施方案中，所述涂層可包括第二層，所述第二層包含包括至少一種包含至少一個磺酰胺基團的單體單元的聚合物或共聚物(即(共)聚合物)。所述層位于上文所述包含親油性樹脂的層與所述親水性載體之間。在下文中，"包括至少一種包含至少一個磺酰胺基團的單體單元的(共)聚合物"也被稱為"碌酰胺(共)聚合物"。所述磺酰胺(共)聚合物優(yōu)選為堿溶性的。所述磺酰胺基團優(yōu)選由-NR-S02-、-SOrNR-或-SOrNRR'表示，其中R和R'各自獨立地表示氬或有機取代基。磺酰胺(共)聚合物優(yōu)選為通過使含有至少一個磺酰胺基團的單I外的高分子量化合物。含有至少一個磺酰胺基團的單體單元的實例包括還含有至少一個可聚合不飽和一建的單體單元，如丙烯酰基、烯丙基或乙烯氧基。合適的實例公開在US5，141,838、EP1545878、EP909，657、EP0894622和EP1,120,246中。與含有至少一個磺酰胺基團的單體單元共聚合的單體單元的實例包括如EP1,262,318、EP1,275,498、EP909,657、EP1,120,246、EP0894622和EP1,400,351中所公開的單體單元?；酋０?共)聚合物和/或它們的制備方法的合適實例公開在EP-A933682、EP國A982123、EP國A1072432、WO99/63407和EP畫A1,400,351中?；酋０?共)聚合物的高度優(yōu)選的實例為包含由以下通式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元的均聚物或共聚物_Jl丄(I)其中R1表示氫或具有至多12個碳原子的烴基;R1優(yōu)選表示氫或甲基；^表示單鍵或二價連接基團。所述二價連接基團可k有至多2016個碳原子且可含有至少一個選自C、H、N、O和S的原子。優(yōu)選的二價連接基團為具有1-18個碳原子的直鏈亞烷基、具有3-18個碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀基團、具有2-18個碳原子的亞炔基和具有6-20個原子的亞芳基、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-CS-、-NRhRi-、-CO-NRh-、-NRh-CO-、-NRh-CO-0-、-0-CO-NRh-、-NRh-CO-NRi-、-NRh-CS-NR'-、亞苯基、亞萘基、亞蒽基、雜環(huán)基或其組合，其中Rh和Ri各自獨立地表示氫或任選被取代的烷基、烯基、炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、芳基、雜芳基、芳烷基或雜芳烷基。后述基團上的優(yōu)選取代基為具有至多12個碳原子的烷氧基、鹵素或羥基。XW尤選為亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞異丙基、亞環(huán)己基、亞苯基、亞曱苯基或亞聯(lián)苯基；Y1為由-NRJ-SOr或-S02-NRk-表示的二價磺酰胺基團，其中Rj和Rk各自獨立地表示氫、任選被取代的烷基、烷?；?、烯基、炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、芳基、雜芳基、芳烷基或雜芳烷基或式-C—N)-NH-R2的基團，其中112表示氫或任選#:取代的烷基或芳基；^表示二價、三價或四價連接基團或端基。當^為二價、三價或四價連接基團時，z^々剩余l(xiāng)-3個鍵與V連接形成交聯(lián)的結(jié)構(gòu)單元。當Z'為端基時，它優(yōu)選表示氫或具有l(wèi)-18個碳原子的任選被取代的直鏈、支鏈或環(huán)狀亞烷基或烷基，如曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、仲丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基、辛基；具有6-20個碳原子的任選被取代的亞芳基或芳基；任選被取代的亞雜芳基或雜芳基；具有2-18個碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀亞烯基或烯基；具有2-18個碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀亞炔基或炔基；或烷氧基。當Z為二價、三價或四價連接基團時，它優(yōu)選為其中與價鍵數(shù)目對應的氫原子^皮除去的上述端基。任選在表示Z1的基團上的優(yōu)選取代基的實例有具有至多12個碳17原子的烷基、具有至多12個碳原子的烷氧基、卣素原子或羥基。由通式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為以下基團X!表示亞烷基、亞環(huán)己基、亞苯基或亞甲苯基、-O畫、-S-、畫CO-、-CO-O國、-O國CO-、-CS-、-NRhRi-、-CO-NRh-、-NRh-CO-、-NRh-CO-0-、-0-CO-NRh-、-NRh-CO-NRi-、-NRh-CS-NRi-或其組合，且其中Rh和Ri各自獨立地表示氬或任選被取代的烷基、烯基、炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、芳基、雜芳基、芳烷基或雜芳烷基。后述基團上的優(yōu)選取代基為具有至多12個碳原子的烷氧基、面素或羥基；Y1為由-NRJ-S02-、-502-順、表示的二價磺酰胺基團，其中Rj和Rk各自獨立地表示氬、任選被取代的烷基、烷酰基、烯基、炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、芳基、雜芳基、芳烷基或雜芳烷基；力為由如下基團表示的端基氫；烷基，如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、仲丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基或辛基；芐基；任選被取代的芳基或雜芳基；萘基；蒽基；吡啶基；烯丙基；或乙烯基?；酋０?共)聚合物的具體優(yōu)選實例為包含N-(對氨基磺?；交?(甲基)丙烯酰胺、N-(間氨基磺?；交?(曱基)丙烯酰胺和/或N-(鄰M磺?；交?(甲基)丙烯酰胺的聚合物。特別優(yōu)選的磺酰胺(共)聚合物為包含N-(對M磺?；交?曱基丙烯酰胺的聚合物，其中所述磺酰胺基團包含任選被取代的直鏈、支鏈、環(huán)狀或雜環(huán)烷基、任選被取代的芳基或任選^皮取代的雜芳基。所述包含磺酰胺(共)聚合物的層還可包含其他疏水性連接料，如酚醛樹脂(例如線形酚醛樹脂、可熔酚醛樹脂或聚乙烯基苯酚)、化學改性的酚醛樹脂或含有羧基、腈基或順丁烯二酰亞胺基的聚合物。后一實施方案的涂層在顯影劑中的溶解行為可通過任選的溶解性調(diào)節(jié)組分來準確調(diào)諧。更詳細地講，可使用顯影促進劑和顯影抑制劑。在涂層包含多于一層的層的實施方案中，這些成分可加到第一層中，加到第二層中和/或加到涂層的任選其他層中。顯影促進劑為充當溶解助劑的化合物，因為它們能夠提高涂層的溶解速率。例如，可使用環(huán)狀酸酐、苯酚或有機酸以改善水性可顯影性。如美國專利第4,115,128號中所述，環(huán)狀酸酐的實例包括鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、3,6-橋氧-4-四氬-鄰苯二曱酸酐、四氯鄰苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、氯順丁烯二酸酐、a-苯基順丁烯二酸酐、琥珀酸酐和均苯四酸酐。苯酚的實例包括雙酚A、對硝基苯酚、對乙氧基苯酚、2,4,4'-三羥基二苯曱酮、2,3,4-三羥基二苯甲酮、4-羥基二苯甲酮、4,4',4"-三羥基三苯基甲烷和4,4',3"，4"-四羥基-3,5,3',5'-四甲基三苯基-甲烷等。如例如JP-A第60-88,942號和JP-A第2-96,755號中所述，有機酸的實例包括磺酸、亞磺酸、烷基硫酸、膦酸、磷酸鹽和羧酸。這些有機酸的具體實例包括對曱苯磺酸、十二烷基苯磺酸、對曱苯亞磺酸、乙基硫酸、苯基膦酸、苯基次膦酸、磷酸苯酯、磷酸二苯酯、苯曱酸、間苯二甲酸、己二酸、對甲基苯甲酸、3,4-二曱氧基苯甲酸、3,4,5-三曱氧基苯曱酸、3,4,5-三曱氧基肉桂酸、鄰苯二甲酸、對苯二甲酸、4-環(huán)己烯-l，2-二甲酸、芥酸、月桂酸、正十一烷酸和抗壞血酸。相對于整個涂層來說，涂層中所含的環(huán)狀酸酐、苯酚或有機酸的量優(yōu)選為0.05-20%重量。聚合物顯影促進劑如包含至少70%摩爾間甲酚作為重復單體單元的苯酚-甲醛樹脂也是合適的顯影促進劑。在一個優(yōu)選的實施方案中，涂層還含有耐顯影劑物質(zhì)，也稱為顯影抑制劑，即一種或多種能夠在顯影期間延遲非暴露區(qū)域溶解的成分。溶解抑制作用優(yōu)選通過加熱逆轉(zhuǎn)，因此暴露區(qū)域的溶解沒有明顯延遲且因此可得到暴露區(qū)域與非暴露區(qū)域之間的大溶解差異。認為例如EP-A823327和W097/39894中所述的化合物由于與涂層中的堿溶性樹脂相互作用(例如形成氫橋)而充當溶解抑制劑。這類抑制劑通常包含至少一個氫橋形成基團，如氮原子、基、^tt(-CO-)、亞磺?；?-SO-)或磺?；?S02-);和大疏水性部分，如一個或多個芳族環(huán)。以下提及化合物中的一些(例如紅外染料如花青和對比染料如季銨化三芳基甲烷染料)也可充當溶解抑制劑。其他合適的抑制劑改善耐顯影劑性，因為它們延遲水性堿性顯影劑向涂層中的滲透。這類化合物可存在于第一層和/或第二層中(如果存在)，例如EP-A950518中所述；和/或這類化合物可存在于所述層之上的顯影阻擋層中，例如EP-A864420、EP-A950517、WO99/21725和WO01/45958中所述。在后一實施方案中，阻擋層在顯影劑中的溶解性或阻擋層中顯影劑的滲透性可通過暴露于熱或紅外光而提高。延遲水性堿性顯影劑向涂層中滲透的抑制劑的優(yōu)選實例包括下列(a)不可溶于顯影劑中或不可^皮顯影劑滲透的聚合物材料，例如疏水性或斥水性聚合物或共聚物，如丙烯酸類聚合物、聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯酸類共聚物、聚酯、聚酰胺、聚脲、聚氨酯、硝基纖維素和環(huán)氧樹脂；或包含硅氧烷(聚硅氧烷)和/或全氟烷基單元的聚合物。(b)包含極性基團和疏水性基團如長鏈烴基、聚硅氧烷或低聚硅氧烷和/或全氟烴基的雙官能化合物如表面活性劑。典型實例為得自DainipponInk&Chemicals,Inc.的全氟4b表面活性劑MegafacF-177。這類化合物的合適量為10-100mg/m2,更優(yōu)選為50-90mg/m2。(c)包含極性嵌段如聚(環(huán)氧烷)或低聚(環(huán)氧烷)和疏水性嵌段如長鏈烴基、聚硅氧烷或低聚硅氧烷和/或全氟烴基的雙官能嵌段共聚物。這類化合物的合適量為0.5-25mg/m2，優(yōu)選為0.5-15mg/m2,最優(yōu)選為0.5-10mg/m2。合適的共聚物包含約15-25個硅氧烷單元和50-70個環(huán)氧烷基團。優(yōu)選的實例包括包含苯基曱基硅氧烷和/或二甲基硅氧烷以及環(huán)氧乙烷和/或環(huán)氧丙烷的共聚物，如TegoGlide410、TegoWet265、TegoProtect5001或SilikophenP50/X，均得自TegoChemie,Essen,Germany。所述聚硅氧烷或低聚硅氧烷可為直鏈、環(huán)狀或復雜交聯(lián)聚合物或共聚物。術語聚硅氧烷化合物應包括含有多于一20個硅氧烷基團-Si(R,R，)-O-的任何化合物，其中R和R，為任選被取代的烷基或芳基。優(yōu)選的硅氧烷為苯基烷基硅氧烷和二烷基硅氧烷。聚合物或低聚物中硅氧烷基團的數(shù)目至少為2，優(yōu)選至少為10,更優(yōu)選至少為20。其可小于IOO，優(yōu)選小于60。認為在涂覆和干燥期間，上述類型(b)和(c)的抑制劑由于其雙官能結(jié)構(gòu)而傾向于本身定位于涂層與空氣之間的界面處，因此即使作為第一層和/或任選第二層的涂布溶液的成分施用亦形成單獨頂層。同時，表面活性劑還充當改善涂層質(zhì)量的鋪展劑。由此形成的單獨頂層似乎能夠充當上述阻擋層，它延遲顯影劑向涂層中的滲透?；蛘?，類型(a)-(c)的抑制劑可以單獨溶液施用涂覆在涂層的第一層、任選的第二層和/或其他層之上。在此實施方案中，可有利地使用不能溶解其他層中所存在的成分的單獨溶液中的溶劑，因此在涂層頂部得到能夠充當上述顯影阻擋層的高度濃縮的斥水性或疏水性相。另外，第一層或任選的第二層和/或其他層可包含進一步改善印版的運轉(zhuǎn)時間和/或耐化學品性的聚合物。它的實例有包含酰亞胺基(-CO-NR-CO)側(cè)基的聚合物，其中R為氫、任選被取代的烷基或任選被取代的芳基，如EP-A894622、EP-A901902、EP-A933682和WO99/63407中所述的聚合物。如上所述的熱敏性印版前體的涂層優(yōu)選還含有紅外光吸收染料或顏料，在所述涂層包括多于一層的層的實施方案中，所述染料或顏料可存在于第一層和/或第二層和/或任選的其他層中。優(yōu)選的IR吸收染料有花青染料、部花青染料、靛苯胺(indoaniline)染料、氧雜菁染料、吡啶染料和方酸染料。合適IR染料的實例描迷于例如EP-A823327、EP-A978376、EP畫A1029667、EP畫A1053868、EP-A1093934、WO97/39894和WO00/29214中。優(yōu)選的化合物有下列花青染料IR-2相對于整個涂層來說，IR染料在涂層中的濃度優(yōu)選為0.25-15.0%重量，更優(yōu)選為0.5-10.0%重量,最優(yōu)選為1.0-7.5%重量。所述涂層還可包含一種或多種著色劑如染料或顏料，它提供給涂層可見顏色且它保留在涂層的非暴露區(qū)域中，使得在暴露并顯影后得到可見圖像。這類染料經(jīng)常被稱為對比染料或指示劑染料。所述染料優(yōu)選具有藍色且在600nm-750nm的波長范圍內(nèi)具有最大吸收。雖然染料吸收可見光，但它在暴露于可見光時優(yōu)選不使印版前體敏化，即涂層沒有變得更易溶于顯影劑。此類對比染料的典型實例有氨基取代的三-或二芳基曱烷染料，例如結(jié)晶紫、甲基紫、維多利亞純藍、flexoblau630、basonylblau640、堿性槐黃和孔雀綠。在EP-A400,706中深入論述的染料也是合適的對比染料。對比染料可存在于第一層和/或任選的第二層和/或其他層中。熱敏性印版前體可例如通過熱頭直接按圖像暴露于熱或通過紅外光(優(yōu)選近紅外光)間接按圖像暴露。所述紅外光優(yōu)選通過如上文所22論述的紅外光吸收化合物轉(zhuǎn)變?yōu)闊?。所述熱敏性平版印刷印版前體優(yōu)選對可見光不靈敏，即暴露于可見光不會對涂層在顯影劑中的溶解速率引起顯著影響。所述涂層最優(yōu)選對環(huán)境日光不靈敏。所述印版前體可通過例如LED或激光器暴露于紅外光。曝光所用的光最優(yōu)選為發(fā)射波長為約750nm到約1500nm、更優(yōu)選750nm到llOOnm的近紅外光的激光器(例如半導體激光二極管、Nd:YAG激光器或Nd:YLF激光器)。所需的激光器功率取決于印版前體的靈敏度、由斑點直徑(現(xiàn)代印版記錄機(plate-setter)在1/e2的最大強度時的典型值5-25pm)決定的激光束的像素駐留時間、掃描速度和曝光裝置的分辨率(即每單位直線距離的可尋址的像素數(shù)，常以每英寸的點數(shù)或dpi表示；典型值1000-4000dpi)。常用兩類激光曝光裝置內(nèi)滾筒式(ITD)印版記錄機和外滾筒式(XTD)印版記錄機。用于熱敏性印版的ITD印版記錄機的典型特征為掃描速度很高，高達500m/s,可能需要幾瓦特的激光功率。典型激光功率為約200mW到約1W的用于熱敏性印版的XTD印版記錄機以較低掃描速度工作，其掃描速度例如為0.1-10m/s。裝備有一個或多個在波長范圍750-850nm下發(fā)射的激光二極管的XTD印版記錄機是本發(fā)明方法的特別優(yōu)選的實施方案。已知印版記錄機可用作離機曝光裝置，它提供減少的停機時間的好處。XTD印版記錄機配置也可用于在機曝光，提供在多色印刷機上直接記錄的益處。在機曝光裝置的更多技術細節(jié)描述在例如US5,174,205和US5,163,368中。暴露后，所述前體可通過合適顯影液體如水性堿性溶液顯影，由此移除涂層的非圖像區(qū)域；顯影步驟可與機械式擦拭(例如通過使用旋轉(zhuǎn)刷)相結(jié)合。在顯影期間，還移除存在的任何水溶性保護層?；谀z乳聚結(jié)的熱敏性印版前體還可使用普通水或水性溶液例如上膠溶液來顯影。膠溶液通常為包含一種或多種表面保護性化合物的水性液體，所述表面保護性化合物能夠保護印版的平版印刷圖像免受污染或損壞。這類化合物的合適實例為成膜的親水性聚合物或表面活性劑。所述膠溶液的pH值優(yōu)選為4-10,更優(yōu)選為5-8。優(yōu)選的膠溶液描述在EP1,342,568中。或者，這類印版前體可在暴露后直接安裝于印刷機上且通過供應油墨和/或潤版液給前體而在機顯影。涉及顯影步驟的更多細節(jié)可見于例如EP1614538、EP1614539、EP1614540和WO/2004071767中。光敏性印版前體除上述熱敏性材料之外，在本發(fā)明方法中還可使用光敏性涂層。這類印版的典型實例有UV敏感性"PS"印版和含有在曝光后硬化的光可聚合組合物的所謂的感光聚合物印版。在本發(fā)明的一個特定實施方案中，使用常規(guī)的UV敏感性"PS"印版。這類印版(在300-450nm(近紫外光和藍光)范圍敏感)的合適實例已在EP1,029,668A2中論述。正性和負性組合物通常用于"PS"印版中。正性成像層優(yōu)選包含鄰萘醌二疊氮化合物(NQD)和堿溶性樹脂。特別優(yōu)選的是各種羥基化合物的鄰萘醌二疊氮磺酸酯或鄰萘醌二疊氮羧酸酯和各種芳烴胺化合物的鄰萘醌二疊氮磺酰胺或鄰萘醌二疊氮羧酰胺?？墒褂肗QD體系的兩個變體單組分體系和雙組分體系。這類光敏性印版已廣泛公開在現(xiàn)有技術中，例如公開在US3,635,709、特開第55-76346號、特開昭第50-117503號、特開昭第50-113305號、US3,859,099、US3,759,711、GB-A739654、US4,266,001和特開第55-57841號中。"PS"印版的負性層優(yōu)選包含重氮鹽、重氮樹脂或芳基重氮磺酸鹽均聚物或共聚物。低分子量重氮鹽的合適實例包括氯化聯(lián)苯胺四唑、氯化3,3'-二甲基聯(lián)苯胺四唑、氯化3,3'-二甲氧基聯(lián)苯胺四唑、氯化4,4'-二氨基聯(lián)苯基胺四唑、硫酸3,3'-二乙基聯(lián)苯胺四唑、硫酸4-氨基聯(lián)苯基胺重氮鹽、氯化4-氛基聯(lián)苯基胺重氮鹽、硫酸4-哌。定基苯胺重氮鹽、硫酸4-二乙基氨基苯胺重氮鹽和重氮聯(lián)苯基胺與甲24醛的低聚縮合產(chǎn)物。重氮樹脂的實例包括作為光敏性物質(zhì)的芳族重氮鹽的縮合產(chǎn)物。這類縮合產(chǎn)物例如描述在DE-P-1214086中。光敏性或熱敏性層優(yōu)選還含有連接料，例如聚乙烯醇。在暴露時，重氮樹脂或重氮鹽由水溶性轉(zhuǎn)變?yōu)樗蝗苄?由于重氮基受到破壞)且重氮的光解產(chǎn)物又可提高聚合連接料或重氮樹脂的交聯(lián)程度，因此選擇性地在圖像圖形中使涂層由水溶性轉(zhuǎn)變?yōu)樗蝗苄浴７潜┞秴^(qū)域保持不變，即為水溶性的。這類印版前體可使用如上所述的水性堿性溶液顯影。在第二合適的實施方案中，所述光敏性印版以光聚合反應為基礎且含有包含光可固化組合物的涂層，所述光可固化組合物包含自由基引發(fā)劑(如例如US5,955,238、US6,037,098、US5,629,354、US6,232,038、US6,218,076、US5,955,238、US6,037,098、US6,010,824、US5,629,354、DE1,470,154、EP024,629、EP107,792、US4,410,621、EP215,453、DE3,211,312和EPA1,091,247中所公開)、可聚合化合物(如EP1,161,4541、EP1349006、WO2005/109103和未公布的歐洲專利申請EP5,111,012.0、EP5,111,025.2、EP5110918.9和EP5,110,961.9中所公開)和聚合物連接料(如例如US2004/0260050、US2005/0003285、US2005/0123853、EP1,369,232、EP1,369,231、EP1,341,040、US2003/0124460、EP1241002、EP1288720、US6,027,857、US6,171,735、US6,420,089、EP152,819、EP1,043,627、US6,899,994、US2004/0260050、US2005/0003285、US2005/0170286、US2005/0123853、US2004/0260050、US2005/0003285、US2004/0260050、US2005/0003285、US2005/0123853和US2005/0123853中所公開)。任選可加入其他成分，如增敏劑、共引發(fā)劑、粘著促進化合物、著色劑、表面活性劑和/或印出劑(printingoutagent)。這些印版可用藍光、綠光或紅光(即波長范圍在450nm與750nm之間)、紫光(即波長范圍在350nm與450nm之間)或紅外光(即波長范圍在750nm與1500nm之間)使用例如Ar激光器(488nm)或FD-YAG激光器(532nm)、半導體激光器InGaN(350-450nm)、紅外激光二極管(830nm)或Nd-YAG激光器(1060nm)來敏化。感光聚合物印版通常在pH>10的水性堿性顯影劑中顯影(參見上文)且隨后上膠?；蛘?，暴露的感光聚合物印版還可通過施用膠溶液到涂層上由此移除非暴露區(qū)域來顯影。合適的上膠溶液描述在WO/2005/111727中。在暴露步驟之后，成像的前體還可直接安裝于印刷機上且通過施用油墨和/或潤版液在機顯影。制作這類印版的方法公開在WO93/05446、US6,027,857、US6,171,735、US6,420,089、US6,071,675、US6,245,481、US6,387,595、US6,482,571、US6,576,401、US6,548,222、WO03/087939、US2003/16577和US2004/13968中。為了保護熱和/或光敏性印版前體的涂層的表面，尤其是免受機械損害，還可任選地施用保護層。所述保護層通常包含至少一種水溶性連接料，如聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、部分水解的聚乙酸乙烯酯、明膠、碳水化合物或羥乙基纖維素，并且可用任何已知的方式產(chǎn)生，如可由水性溶液或分散體產(chǎn)生，如果需要，所述水性溶液或分散體可含有少量(即，基于保護層所用涂布溶劑的總重量計算，小于5%重量)的有機溶劑。保護層的厚度可合適地為任何量，有利地為至多5.0pm,優(yōu)選為0.1-3.0nm,特別優(yōu)選為0.15-1.O拜。所述涂層任選還可含有其他成分，如表面活性劑，尤其是全氟表面活性劑；二氧化硅或二氧化鈦顆?；蚓酆衔镱w粒，如消光劑和間隔物(spacer)?？墒褂萌魏瓮坎挤▽煞N或更多種涂布溶液施用到載體的親水性表面上。多層涂層可通過連續(xù)涂布/干燥各層或同時涂布數(shù)種涂布溶液來施用。在干燥步驟中，揮發(fā)性溶劑被除去直到涂層具有自撐性且摸起來干燥。然而，沒有必要(且即使可能也可不)在干燥步驟中除去全部溶劑。實際上，剩余溶劑含量可認為是可使組合物最優(yōu)化的額外組成變量。干燥通常通過吹熱空氣到涂層上通常在至少70°C、合適地在80-150。C、尤其在90-140。C的溫度下進行。還可使用紅外燈。千燥時間通常可為15-600秒。如WO99/21715、EP-A1074386、EP-A1074889、WO00/29214和WO/04030923、WO/04030924、WO/04030925中所述，在涂布與干燥之間或在干燥步驟之后，熱處理和隨后的冷卻可提供額外益處。這樣得到的印版可用于常規(guī)的所謂濕式平版印刷(wetoffsetprinting)中，其中將油墨和水性潤版液供應給印版。另一合適的印刷方法使用所謂的單一流體油墨(不用潤版液)。合適的單一流體油墨已描述于US4,045,232、US4,981,517和US6,140,392中。在一個最優(yōu)選的實施方案中，如WO00/32705所述，單一流體油墨包含油墨相(也稱為疏水或親油相)和多元醇相。本文所述的涂層還可用作耐熱層以便通過直接成像技術例如在如US2003/0003406Al中所述的PCB(印刷電路板)應用中在底材上形成圖案。實施例實施例1平版印刷底材AS01-17的制備1.第一糙化步驟0.30mm厚的鋁載體(AA1050)通過在75。C下在含有34g/lNaOH的水溶液中浸泡5秒來脫脂(無需移動該箔片或攪拌該溶液)且在室溫下用去離子水漂洗5秒(同時不斷移動該箔片)。隨后在37。C溫度下，在含有I2.5g/1HC1的水溶液中使用交流電在120A/dn^的密度下，用電化學方法使該栽體糙化，產(chǎn)生總電荷密度xC/dm、見表1)。在糙化之前，將該箔片在糙化電解液中預蝕刻3秒。2.剝黑膜步-驟在此第一糙化步驟之后，該載體通過在75。C下在含有145g/l27H2S04的水溶液中浸泡4秒來剝黑膜。3.表面形態(tài)表征就中間表面形態(tài)(intermediatesurfacemorphology)表征的目的而言，隨后將此載體的部分在室溫下在去離子水中漂洗5秒(同時不斷移動該箔片)且隨后通過在35。C下在含有6.5g/lNaOH的水溶液中浸泡5秒來剝黑膜?；谧允褂们鎯xNT3300(自VeecoMetologyGro叩Arizona,USA購得)得到的底材的干涉儀圖像的圖像分析中得到的信息，計算機程序(例如MatLAb程序)計算第一糙化步驟之后表面上存在的凹坑的深度和面積的平均值。結(jié)果匯總于表l中。4.第二糙化步驟將其余載體送到第二糙化步驟，使用與第一糙化步驟所用糙化條件相同的糙化條件(見以上實施例1,第1項糙化電解液，糙化電流)，產(chǎn)生總電荷密度yC/dm2。整個糙化處理的總電荷密度總計900C/dm2。表l:糙化條件和表面形態(tài)參數(shù)<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>5.最后剝黑膜歩驟隨后得到的栽體A-I通過在80°C下在含有145g/lH2S04的水溶液中分別浸泡2秒(得到鋁底材AS-01到09)和6秒"尋到鋁底材AS-10到n)而進行最后剝黑膜步驟。最后，將它們在室溫下在去離子水中漂洗5秒(同時不斷移動該箔片)。平版印刷載體AS-01到AS-17的凹坑深度和凹坑面積的測定基于自使用干涉儀NT3300(自VeecoMetologyGroup,Arizona,USA購得)得到的底材的干涉儀圖像的圖像分析中得到的信息，計算機程序(例如MatLAb程序)計算糙化的鋁載體AS-01到AS-17表面上存在的凹坑的深度和面積的平均值。結(jié)果匯總于表2(平版印刷栽體AS-01到AS-09,最后剝黑膜步驟進行2秒)和表3(平版印刷載體AS-10到AS-17,最后剝黑膜步驟進行6秒)。表2:平版印刷載體AS-01到AS-09的凹坑深度和凹坑面積載體鋁底材Ra平均凹坑深度nm凹坑深度的變化*|nm平均EJ坑面積凹坑面積的變化*AAS-01比較實施例0.461.970.4020.5132.88BAS-02比津交實施例0.481.700.3822.3533.89CAS-03本發(fā)明實施例0.411.460.2714.5820.86DAS-04本發(fā)明實施例0.421.500.3316.7124.30EAS-05本發(fā)明實施例0.441.500.3316.8221.39FAS-06本發(fā)明實施例0.401.490.3516.6721.90GAS-07比豐i實施例0.471.740.3718.1525.42HAS-08比專交實施例0.522.040.3718.0526.1729<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>明制備的載體的表面上得到的凹坑為大小均勻的小凹坑。平均凹坑面積值和這些面積的標準偏差值都較小。實施例2平版印刷底材AS18-35的制備1.第一糙化步驟0.30mm厚的鋁載體(AA1050)通過在75。C下在含有34g/lNaOH的水溶液中浸泡5秒來脫脂(無需移動該載體或攪拌該溶液)且在室溫下用去離子水漂洗5秒(同時不斷移動該載體)。隨后在37。C溫度下，在含有12.5g/lHC1的水溶液中使用交流電在180A/dm2的密度下(沖莫擬生產(chǎn)中在較高線速度下的條件=較高電流密度+較短駐留時間)，用電化學方法使該載體糙化，產(chǎn)生總電荷密度xC/dm、表4)。在糙化之前，將該載體在糙化電解液中預蝕刻3秒。2.剝黑膜步驟在第一剝黑膜步驟之后，該載體通過在75。C下在含有145g/lH2S04的水溶液中浸泡4秒來剝黑膜。3.表面形態(tài)表征就中間表面形態(tài)表征的目的而言，隨后將此載體的部分在室溫下在去離子水中漂洗5秒(同時不斷移動該載體)且隨后通過在35。C下在含有6.5g/lNaOH的水溶液中浸泡5秒來剝黑膜?；谧允褂酶缮鎯xNT3300(自VeecoMetologyGroup,Arizona,USA購得)得到的底材的干涉儀圖像的圖像分析中得到的信息，計算機程序(例如MatLAb程序)計算第一糙化步驟之后表面上存在的凹坑的深度和面積的平均值。結(jié)果匯總于表4中。4.第二糙化步驟將其余載體送到第二糙化步驟，使用與第一糙化步驟所用糙化條件相同的糙化條件(見以上實施例2，第1項糙化電解液，糙化電流)，產(chǎn)生總電荷密度yC/dm2。整個糙化處理的總電荷密度總計900C/dm2。表4:糙化條件和表面形態(tài)參數(shù)<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>5.最后剝黑膜步驟隨后得到的載體J-R通過在80°C下在含有145g/lH2S04的水溶液中分別浸泡2秒(表5，鋁底材AS-18到26)和6秒(表6，鋁底材AS-27到35)而進行最后剝黑膜步驟。最后，將該載體在室溫下在去離子水中漂洗5秒(同時不斷移動該載體)。平版印刷載體AS-18到AS-35的凹坑深度和凹坑面積的測定基于自使用千涉儀NT3300(自VeecoMetologyGroup,Arizona,USA購得)得到的底材的干涉儀圖像的圖像分析中得到的信息，計算機程序(例如MatLAb程序)計算糙化的鋁載體AS-18到AS-35的表面上存在的凹坑的深度和面積的平均值。結(jié)果匯總于表5中(平版印刷載體AS-18到AS-26,2秒的最后剝黑膜步驟)和表6中(平版印刷栽體AS-27到AS-35,6秒的最后剝黑膜步驟)。表5:平版印刷載體AS-18到AS-26的凹坑深度和凹坑面積<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>*:凹坑深度和凹坑面積的變化通過在所述凹坑的許多測量結(jié)果之間的標準偏差確定。表6:平版印刷栽體AS-27到AS-35的凹坑深度和凹坑面積<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>*:凹坑深度和凹坑面積的變化通過在所述凹坑的許多測量結(jié)果之間的標準偏差確定。才艮據(jù)這些結(jié)果的分析，4艮明顯鋁底材AS-20到AS-23和AS-29到AS-32(其中糙化電荷x和y滿足所述等式，其中x/x+y在0.3與0.7之間)產(chǎn)生平均凹坑深度等于或低于1.6|tim且這些平均凹坑深度的標準偏差等于或低于0.45pm的底材。這些結(jié)果表明在根據(jù)本發(fā)明制備的載體的表面上得到的凹坑為大小均勻的小凹坑。平均凹坑面積值和這些面積的標準偏差值都較小。實施例3對于按照實施例1和2(第一糙化步驟、剝黑膜步驟和第二糙化步驟)制備但在35。C下在含有6.5g/lNaOH的水溶液中浸泡作為最后剝黑膜步驟的鋁底材得到類似的平均凹坑深度和平均凹坑深度標準偏差結(jié)果。即使省去最后剝黑膜步驟，也得到類似結(jié)果。權利要求1.一種制作平版印刷鋁印版載體的方法，所述方法包括以下步驟(i)通過施加電荷密度x糙化所述載體；(ii)使所述糙化的載體剝黑膜；(iii)通過施加電荷密度y糙化所述經(jīng)處理的載體；所述方法的特征在于在各糙化步驟期間施加在80A/dm2與250A/dm2之間的電流密度且比率x/x+y在0.3與0.7之間。2.權利要求1的方法，其中所述電流密度在90A/dm2與220A/dm2之間。3.權利要求1或2的方法，其中各糙化步驟在包含氫氯酸的水溶液中進行。4.權利要求1、2或3的方法，其中所述電荷密度x在100C/dm2與1500C/dm2之間。5.前述權利要求中任一項的方法，其中所述電荷密度x在150C/dm2與1250C/dm2之間。6.前述權利要求中任一項的方法，其中所述剝黑膜步驟通過使所述載體與含水酸性溶液接觸1-15秒的時間進行。7.—種制作平版印刷印版前體的方法，所述方法包括以下步驟(i)根據(jù)前述權利要求中任一項的方法提供載體；(ii)在所述載體上施用包含至少一個熱敏性或光敏性成像層的涂層；(iii)干燥得到的前體。8.權利要求7的方法，其中所述涂層包含紅外吸收劑和兩個熱敏性成像層(i)包含熱敏性親油性樹脂的第一層，和(ii)位于所述第一層與所述親水性載體之間的第二層，所述第二層包含包括至少一種包含至少一個磺酰胺基團的單體單元的聚合物。9.權利要求7的方法，其中所述涂層含有包含紅外吸收劑、疏水性熱塑性聚合物顆粒和親水性連接料的成像層。10.—種制作平版印刷印版的方法，所述方法包括以下步驟(i)根據(jù)前述權利要求7-9的方法提供的印版前體；(ii)將所述印版前體暴露于熱和/或光；(iii)任選用水性液體使所述經(jīng)暴露的前體顯影。全文摘要一種制作平版印刷鋁印版載體的方法，所述方法包括以下步驟(i)通過施加電荷密度x糙化所述載體；(ii)使所述糙化的載體剝黑膜；(iii)通過施加電荷密度y糙化所述剝黑膜的載體；(iv)使所述載體陽極化；所述方法的特征在于在各糙化步驟期間施加在80A/dm²與250A/dm²之間的電流密度且比率x/x+y在0.3與0.7之間。文檔編號B41N3/03GK101636279SQ200880008751公開日2010年1月27日申請日期2008年3月7日優(yōu)先權日2007年3月19日發(fā)明者D·費斯,P·坎佩斯特里尼申請人:愛克發(fā)印藝公司