專利名稱：保護(hù)帶剝離方法以及保護(hù)帶剝離裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種剝離貼附在晶片上的保護(hù)帶的保護(hù)帶剝離方法以及保護(hù)帶剝離
直O(jiān)
背景技術(shù)：
在對(duì)半導(dǎo)體電子器件要求高性能化以及節(jié)能化的同時(shí)也要求小型化。為了半導(dǎo)體電子器件的小型化，有時(shí)將晶片磨削得較薄。在將晶片磨削得較薄之際，為了保護(hù)晶片表面而在晶片表面上貼附保護(hù)帶。為了在磨削了晶片后也將晶片的強(qiáng)度維持得較高，在晶片上貼附了保護(hù)帶的狀態(tài)下進(jìn)行處理。也就是說(shuō)，晶片強(qiáng)度因保護(hù)帶而提高，能夠安全地進(jìn)行晶片操作。該保護(hù)帶最終使用保護(hù)帶剝離裝置而剝離。具體地說(shuō)，在保護(hù)帶上貼附剝離用粘接帶。然后將剝離用粘接帶向晶片外部方向拉拽。這樣一來(lái)，將剝離用粘接帶和被其貼附的保護(hù)帶從晶片上剝下。在晶片表面上圖案的高低差小的情況下或沒(méi)有圖案的高低差的情況下，晶片表面與保護(hù)帶的密接性高。因此，剝離用粘接帶和保護(hù)帶之間的粘接力將小于晶片表面和保護(hù)帶之間的粘接力，存在剝離用粘接帶從保護(hù)帶上剝下的情況。其結(jié)果，不能夠?qū)⒈Ｗo(hù)帶從晶片表面上剝離。為了解決這種問(wèn)題，提出了在晶片的缺口處，通過(guò)應(yīng)力附加機(jī)構(gòu)將保護(hù)帶上推到離開(kāi)晶片表面的狀態(tài)下剝離保護(hù)帶的技術(shù)的方案(例如參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1特開(kāi)2003-338478號(hào)公報(bào)保護(hù)帶并不限于一定沿著晶片的外緣貼附。也存在保護(hù)帶貼附在晶片外緣的內(nèi)側(cè)的情況。在這種情況下，由于保護(hù)帶與缺口重合的部分的面積非常小，所以即便使用應(yīng)力附加機(jī)構(gòu)也不能夠?qū)⒃摬糠謴木砻嫔贤啤６?，也存在保護(hù)帶貼附成伸出到晶片的外緣更外側(cè)的情況。在這種情況下，僅通過(guò)應(yīng)力附加機(jī)構(gòu)推動(dòng)保護(hù)帶與缺口重合的部分并不能夠充分地上推保護(hù)帶。這樣，在保護(hù)帶未沿著晶片的外緣貼附的情況下，存在不能夠?qū)⒈Ｗo(hù)帶從晶片上剝離的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種保護(hù)帶剝離方法以及保護(hù)帶剝離裝置，即便是在保護(hù)帶未沿著晶片的外緣貼附的情況下，也能夠容易地將保護(hù)帶從晶片上剝離。本發(fā)明所涉及的保護(hù)帶剝離方法的特征在于，具備下述工序?qū)⒁詢H與缺口的一部分重合的方式貼附了保護(hù)帶的晶片放置在載臺(tái)上的工序；將剝離用粘接帶貼附在該保護(hù)帶上的工序；使提升銷從該載臺(tái)上突出，通過(guò)該提升銷的上表面上推該缺口處的該保護(hù)帶的工序；以及在通過(guò)該提升銷上推了該保護(hù)帶的狀態(tài)下拉拽該剝離用粘接帶，將該保護(hù)帶從該晶片上剝離的工序。而且，該提升銷的上表面形狀是該提升銷的上表面能夠上推該缺口處的該保護(hù)帶的形狀。本發(fā)明所涉及的另一種保護(hù)帶剝離方法的特征在于，具備下述工序?qū)①N附了保
3護(hù)帶的晶片放置在載臺(tái)上的工序，上述保護(hù)帶具有覆蓋該晶片的缺口的第1部分和從該晶片的外緣向外側(cè)伸出的第2部分；將剝離用粘接帶貼附在該保護(hù)帶上的工序；使提升銷從該載臺(tái)上突出，通過(guò)該提升銷的上表面上推該第1部分以及該第2部分的工序；以及在通過(guò)該提升銷上推了該保護(hù)帶的狀態(tài)下拉拽該剝離用粘接帶，將該保護(hù)帶從該晶片上剝離的工序。而且，該提升銷的上表面形狀是具有窄幅部和寬幅部，該窄幅部上推該第1部分，該寬幅部上推該第2部分。本發(fā)明所涉及的保護(hù)帶剝離裝置的特征在于，具備放置以僅與缺口的一部分重合的方式貼附了保護(hù)帶的晶片的載臺(tái)；將剝離用粘接帶貼附在該保護(hù)帶上的機(jī)構(gòu)；剝離該剝離用粘接帶的機(jī)構(gòu)；以及以能夠從該載臺(tái)上突出的方式安裝在該載臺(tái)上的提升銷。而且， 該提升銷的上表面形狀是該提升銷的上表面能夠上推該缺口處的該保護(hù)帶的形狀。本發(fā)明所涉及的另一種保護(hù)帶剝離裝置的特征在于，具備放置貼附了保護(hù)帶的晶片的載臺(tái)，上述保護(hù)帶具有覆蓋該晶片的缺口的第1部分和從該晶片的外緣向外側(cè)伸出的第2部分；將剝離用粘接帶貼附在該保護(hù)帶上的機(jī)構(gòu)；剝離該剝離用粘接帶的機(jī)構(gòu)；以及以能夠從該載臺(tái)上突出的方式安裝在該載臺(tái)上的提升銷。而且，該提升銷的上表面形狀是具有窄幅部和寬幅部，該窄幅部能夠上推該第1部分，該寬幅部能夠上推該第2部分的形狀。根據(jù)本發(fā)明，即便是在保護(hù)帶未沿著晶片的外緣貼附的情況下，也能夠容易地將保護(hù)帶從晶片上剝離。


圖1是表示實(shí)施方式1所涉及的晶片的俯視圖。圖2是表示實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶與晶片的位置關(guān)系的俯視圖。圖3是表示實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶剝離裝置的剖視圖。圖4是表示實(shí)施方式1所涉及的提升銷的立體圖。圖5是說(shuō)明實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶剝離方法的流程圖。圖6是說(shuō)明實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶剝離方法的剖視圖。圖7是表示實(shí)施方式1所涉及的提升銷、晶片以及保護(hù)帶的位置關(guān)系的俯視圖。圖8是說(shuō)明實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶剝離方法的剖視圖。圖9是說(shuō)明實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶剝離方法的剖視圖。圖10是說(shuō)明實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶剝離方法的剖視圖。圖11是說(shuō)明實(shí)施方式1所涉及的提升銷突出前的狀態(tài)的剖視圖。圖12是說(shuō)明實(shí)施方式1所涉及的提升銷突出后的狀態(tài)的剖視圖。圖13是說(shuō)明實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶剝離方法的剖視圖。圖14是表示實(shí)施方式2所涉及的保護(hù)帶與晶片的位置關(guān)系的俯視圖。圖15是表示實(shí)施方式2所涉及的提升銷的立體圖。圖16是表示實(shí)施方式2所涉及的提升銷、晶片以及保護(hù)帶的位置關(guān)系的俯視圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明10 晶片，12 缺口，14、70 保護(hù)帶，18 載臺(tái)，20、72 提升銷，22 剝離用粘接帶， 24 輥，26 涂刷器。
具體實(shí)施例方式實(shí)施方式1參照?qǐng)D1至圖13對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶剝離方法以及保護(hù)帶剝離裝置進(jìn)行說(shuō)明。另外，存在對(duì)于相同或者相對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)要素賦予相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)說(shuō)明的情況。在其它的實(shí)施方式中也同樣。圖1是表示實(shí)施方式1所涉及的晶片10的俯視圖。在晶片10的外緣部形成有缺口 12。缺口 12是進(jìn)行晶片10的結(jié)晶方向的判別或者進(jìn)行定位的切口。圖2是表示實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶14與晶片10的位置關(guān)系的俯視圖。晶片 10的端面由研磨機(jī)等進(jìn)行倒角加工。這樣一來(lái)，晶片10的強(qiáng)度提高，能夠抑制對(duì)晶片10的端面的物理沖擊而產(chǎn)生的破裂或缺損。為了進(jìn)行這種倒角加工，保護(hù)帶14貼附在從距晶片 10的外緣向內(nèi)側(cè)例如0. 5mm至1. Omm程度的位置(以下，將這種保護(hù)帶貼附方法成為“內(nèi)貼”)。保護(hù)帶14在晶片10上貼附成僅與缺口 12的一部分重合而不與缺口 12的全部重
I=I O圖3是表示實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶剝離裝置16的剖視圖。保護(hù)帶剝離裝置 16具備搭載晶片10的載臺(tái)18，以及能夠從載臺(tái)18突出地安裝在載臺(tái)18上的提升銷20。 提升銷20是上推保護(hù)帶14的部件。而且，提升銷20如圖3所示能夠收納在載臺(tái)18內(nèi)。圖 4是表示實(shí)施方式1所涉及的提升銷20的立體圖。提升銷20的上表面為長(zhǎng)方形。保護(hù)帶剝離裝置16還具備貼附剝離用粘接帶22的機(jī)構(gòu)。該機(jī)構(gòu)具備支撐剝離用粘接帶22的輥M和涂刷器沈。另外，這種貼附剝離用粘接帶22的機(jī)構(gòu)也是將剝離用粘接帶22剝離的機(jī)構(gòu)。圖5是說(shuō)明實(shí)施方式1所涉及的保護(hù)帶剝離方法的流程圖。以后，沿著該流程圖對(duì)實(shí)施方式1的保護(hù)帶剝離方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖6所示，將貼附了保護(hù)帶14的晶片10放置在載臺(tái)18上(步驟50)。晶片10的與貼附了保護(hù)帶14的面相反的面與載臺(tái)18相接觸。而且，通過(guò)真空吸附將晶片10 固定在載臺(tái)18上。圖7是表示實(shí)施方式1所涉及的提升銷20、晶片10以及保護(hù)帶14的位置關(guān)系的俯視圖。提升銷20的上表面為長(zhǎng)方形。將晶片10在載臺(tái)18上配置成該提升銷20的上表面的一部分與缺口 12重合。在此，提升銷20的上表面的寬度優(yōu)選地是小于缺口 12的開(kāi)口寬度Wl且在缺口 12的最小寬度W2以下。這樣，當(dāng)使提升銷20的上表面的寬度狹窄時(shí)，能夠?qū)⑻嵘N20配置到缺口 12的里側(cè)。另外，圖7中的nl表示保護(hù)帶14的外緣與晶片10 的外緣的差。nl例如為0.5mm至1.0mm的程度。在步驟50中，這樣將貼附了保護(hù)帶14的晶片10在載臺(tái)18上放置成僅與缺口 12的一部分重合。具體地說(shuō)，將晶片10在載臺(tái)18上放置成提升銷20位于缺口 12處的保護(hù)帶14的正下方。當(dāng)結(jié)束步驟50時(shí)則進(jìn)入步驟51進(jìn)行處理。在步驟51中，將剝離用粘接帶22貼附在保護(hù)帶14上。如圖8所示，使涂刷器沈與保護(hù)帶14的高度相配合地移動(dòng)，將剝離用粘接帶22貼附在保護(hù)帶14上。該動(dòng)作如圖9所示持續(xù)到剝離用粘接帶22貼附成橫貫保護(hù)帶14。當(dāng)剝離用粘接帶22的貼附結(jié)束時(shí)，暫時(shí)停止輥M以及涂刷器沈的動(dòng)作。當(dāng)結(jié)束步驟51時(shí)則進(jìn)入步驟52進(jìn)行處理。在步驟52中，如圖10所示，使提升銷
520從載臺(tái)18上突出，通過(guò)提升銷20的上表面上推缺口 12處的保護(hù)帶14。此時(shí)，形成為長(zhǎng)方形的提升銷20的上表面與保護(hù)帶14相接觸。圖11是表示實(shí)施方式1所涉及的提升銷 20突出前的狀態(tài)的剖視圖。圖12是表示實(shí)施方式1所涉及的提升銷20突出后的狀態(tài)的剖視圖。當(dāng)結(jié)束步驟52時(shí)則進(jìn)入步驟53進(jìn)行處理。在步驟53中，在通過(guò)提升銷上推了保護(hù)帶14的狀態(tài)下拉拽剝離用粘接帶22，將保護(hù)帶14從晶片10上剝離。具體地說(shuō)，將剝離用粘接帶22向與貼附了剝離用粘接帶的方向相反的方向拉拽。也就是說(shuō)，將剝離用粘接帶 22向圖10中的左側(cè)方向拉拽。當(dāng)拉拽剝離用粘接帶22時(shí)，與剝離用粘接帶22密接的保護(hù)帶14也被拉拽。從而能夠?qū)冸x用粘接帶22和保護(hù)帶14 一起從晶片10上剝離。在步驟53中，以被提升銷20上推的部分為基點(diǎn)進(jìn)行保護(hù)帶14的剝離。最終如圖 13所示，將所有的保護(hù)帶14從晶片10上剝離，結(jié)束步驟53。實(shí)施方式1的保護(hù)帶剝離方法以及保護(hù)帶剝離裝置如上所述。在如實(shí)施方式1那樣保護(hù)帶14被“內(nèi)貼”的情況下，僅在缺口 12的一部分配置保護(hù)帶14。即便是在這種情況下，由于提升銷20配置到缺口 12的里側(cè)，所以也能夠增大保護(hù)帶14與提升銷20的接觸面積。從而能夠可靠地通過(guò)提升銷20提升缺口 12部分的保護(hù)帶 14。除此之外，即便是在晶片10的表面與保護(hù)帶14的密接性高的情況下，也能夠可靠地剝離保護(hù)帶14。另外，大多的情況是缺口 12是由SEMI標(biāo)準(zhǔn)(SEMI規(guī)格)所限定的形狀。這種情況是使提升銷20的上表面的形狀為3mmXl. 2cm。也就是說(shuō)，為了提升銷20的寬度為圖7 中的缺口的最小寬度W2以下而選擇3mm作為其寬度。當(dāng)然，提升銷20的寬度也可以在3mm 以下。另一方面，提升銷20的長(zhǎng)度并不限于1. 2cm,也可以適當(dāng)設(shè)定。雖然在實(shí)施方式1中是使提升銷20從載臺(tái)18上突出后開(kāi)始剝離用粘接帶20的拉拽，但本發(fā)明并不僅限于此，也可以在提升銷20突出的同時(shí)開(kāi)始剝離用粘接帶22的拉拽。 而且，還可以在開(kāi)始了剝離用粘接帶22的拉拽后使提升銷20上升。雖然在實(shí)施方式1中提升銷20的上表面形狀為長(zhǎng)方形，但本發(fā)明并不僅限于此。 提升銷20的上表面形狀只要是提升銷20的上表面能夠上推缺口 12處的保護(hù)帶14的形狀即可。從而提升銷20的上表面形狀例如也可以是三角形或圓形。實(shí)施方式2參照?qǐng)D14至圖16對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的保護(hù)帶剝離方法以及保護(hù)帶剝離裝置進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于與實(shí)施方式1同樣的結(jié)構(gòu)因素使用相同的附圖標(biāo)記。以下，以與實(shí)施方式1的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明。圖14是表示實(shí)施方式2所涉及的保護(hù)帶70與晶片10的位置關(guān)系的俯視圖。晶片10與實(shí)施方式1同樣地具有缺口 12。保護(hù)帶70貼附成從晶片10的外緣向外側(cè)伸出。 因此，保護(hù)帶70具有覆蓋缺口 12的第1部分、以及從晶片10的外緣向外側(cè)伸出的第2部分。保護(hù)帶70從晶片10的外緣向外側(cè)伸出是為了防止對(duì)晶片10端面的物理沖擊而產(chǎn)生的破裂或缺損。將保護(hù)帶10這樣貼附在晶片10上稱為“外貼”。圖15是表示實(shí)施方式2所涉及的提升銷72的立體圖。提升銷72的上表面形狀是具有寬幅部74和窄幅部76。窄幅部76為半圓形，其直徑R小于3mm。對(duì)實(shí)施方式2所涉及的保護(hù)帶剝離方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，將外貼了保護(hù)帶70的晶
6片10放置在載臺(tái)18上。圖16是表示實(shí)施方式2所涉及的提升銷72、晶片10以及保護(hù)帶 70的位置關(guān)系的附圖。如圖16中所示，提升銷72的窄幅部76與第1部分重合。而且，寬幅部74與第2部分重合。接著，將剝離用粘接帶22貼附在保護(hù)帶70上。之后，使提升銷72從載臺(tái)18上突出，通過(guò)提升銷72的上表面上推第1部分以及第2部分。當(dāng)提升銷72突出時(shí)，保護(hù)帶70 和提升銷72以大面積接觸。也就是說(shuō)，提升銷72的上表面上推第1部分和第2部分。更詳細(xì)地說(shuō)，窄幅部76上推第1部分，寬幅部74上推第2部分。這樣，在通過(guò)提升銷72上推了保護(hù)帶70的狀態(tài)下拉拽剝離用粘接帶22，將保護(hù)帶70從晶片10上剝離。另外，提升銷72的上表面形狀只要是具有寬幅部74和窄幅部76即可，沒(méi)有特別的限制。也就是說(shuō)，只要是窄幅部76上推保護(hù)帶70的覆蓋缺口 12的部分(第1部分)，寬幅部74上推保護(hù)帶70從晶片10的外緣向外側(cè)伸出的部分(第2部分)，均能夠獲得本發(fā)明的效果。從而即便是例如窄幅部76為長(zhǎng)方形地形成也能夠獲得本發(fā)明的效果。除此之外，也能夠進(jìn)行與實(shí)施方式1相當(dāng)?shù)淖冃巍?br> 權(quán)利要求
1.一種保護(hù)帶剝離方法，其特征在于，具備下述工序?qū)⒁詢H與缺口的一部分重合的方式貼附了保護(hù)帶的晶片放置在載臺(tái)上的工序； 將剝離用粘接帶貼附在上述保護(hù)帶上的工序；使提升銷從上述載臺(tái)上突出，通過(guò)上述提升銷的上表面上推上述缺口處的上述保護(hù)帶的工序；以及在通過(guò)上述提升銷上推了上述保護(hù)帶的狀態(tài)下拉拽上述剝離用粘接帶，將上述保護(hù)帶從上述晶片上剝離的工序；上述提升銷的上表面形狀是上述提升銷的上表面能夠上推上述缺口處的上述保護(hù)帶的形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)帶剝離方法，其特征在于，上述提升銷的上表面的寬度為上述缺口的最小寬度以下。
3.一種保護(hù)帶剝離方法，其特征在于，具備下述工序?qū)①N附了保護(hù)帶的晶片放置在載臺(tái)上的工序，上述保護(hù)帶具有覆蓋上述晶片的缺口的第1部分和從上述晶片的外緣向外側(cè)伸出的第2部分； 將剝離用粘接帶貼附在上述保護(hù)帶上的工序；使提升銷從上述載臺(tái)上突出，通過(guò)上述提升銷的上表面上推上述第1部分以及上述第 2部分的工序；以及在通過(guò)上述提升銷上推了上述保護(hù)帶的狀態(tài)下拉拽上述剝離用粘接帶，將上述保護(hù)帶從上述晶片上剝離的工序；上述提升銷的上表面形狀是具有窄幅部和寬幅部，上述窄幅部上推上述第1部分，上述寬幅部上推上述第2部分。
4.一種保護(hù)帶剝離裝置，其特征在于，具備放置以僅與缺口的一部分重合的方式貼附了保護(hù)帶的晶片的載臺(tái)； 將剝離用粘接帶貼附在上述保護(hù)帶上的機(jī)構(gòu)； 剝離上述剝離用粘接帶的機(jī)構(gòu)；以及以能夠從上述載臺(tái)上突出的方式安裝在上述載臺(tái)上的提升銷； 上述提升銷的上表面形狀是上述提升銷的上表面能夠上推上述缺口處的上述保護(hù)帶的形狀。
5.如權(quán)利要求4所述的保護(hù)帶剝離裝置，其特征在于，上述提升銷的上表面的寬度為上述缺口的最小寬度以下。
6.一種保護(hù)帶剝離裝置，其特征在于，具備放置貼附了保護(hù)帶的晶片的載臺(tái)，上述保護(hù)帶具有覆蓋上述晶片的缺口的第1部分和從上述晶片的外緣向外側(cè)伸出的第2部分；將剝離用粘接帶貼附在上述保護(hù)帶上的機(jī)構(gòu)； 剝離上述剝離用粘接帶的機(jī)構(gòu)；以及以能夠從上述載臺(tái)上突出的方式安裝在上述載臺(tái)上的提升銷； 上述提升銷的上表面形狀是具有窄幅部和寬幅部，上述窄幅部能夠上推上述第1部分，上述寬幅部能夠上推上述第2部分的形狀。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種保護(hù)帶剝離方法以及保護(hù)帶剝離裝置，即便是在保護(hù)帶未沿著晶片的外緣貼附的情況下，也能夠容易地將保護(hù)帶從晶片上剝離。保護(hù)帶剝離方法具備將以僅與缺口的一部分重合的方式貼附了保護(hù)帶的晶片放置在載臺(tái)上的工序；將剝離用粘接帶貼附在該保護(hù)帶上的工序；使提升銷從該載臺(tái)上突出，通過(guò)該提升銷的上表面上推該缺口處的該保護(hù)帶的工序；以及在通過(guò)該提升銷上推了該保護(hù)帶的狀態(tài)下拉拽該剝離用粘接帶，將該保護(hù)帶從該晶片上剝離的工序。而且，該提升銷的上表面形狀是該提升銷的上表面能夠上推該缺口處的該保護(hù)帶的形狀。
文檔編號(hào)B32B38/10GK102205687SQ201110059688
公開(kāi)日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月10日
發(fā)明者久我正一 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社