專利名稱：用于制造基板的載體以及使用該載體制造基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造基板的載體以及使用該載體制造基板的方法。
背景技術(shù)：
一般來說，印刷電路板(PCB)是通過如下方法制得的使用銅箔在由各種熱固性 樹脂構(gòu)成的基板的一側(cè)或兩側(cè)圖形化，在該基板上布置并固定IC或電子元件以形成電路， 然后用絕緣體涂覆該基板。近來，隨著電子工業(yè)的進(jìn)步，日益需要電子元件成為很高的功能化、輕、薄、短和 小。因此，裝載有這種電子元件的印刷電路板也需要高度密集和薄。特別是，為了跟上印刷電路板的薄型化，通過除去核心能夠降低厚度以及能縮短 信號處理時(shí)間的無芯基板(coreless substrate)受到很大關(guān)注。然而，無芯基板需要在生 產(chǎn)過程中用作支持物的載體，因?yàn)樵摕o芯基板沒有核心。下文中，將參考圖IA至IE來說明 制造無芯基板的常規(guī)方法。圖IA至IE為順序顯示使用載體制造基板的常規(guī)方法的截面圖。將參考圖IA至 IE來說明常規(guī)技術(shù)的問題。首先，如圖IA所示，提供了載體10。該載體10通過在覆銅板(CCL) 11的兩側(cè)上順 序形成粘合膜12、第一金屬層13和第二金屬層14而制得。在這種情況下，對所述載體進(jìn)行 加熱并通過壓力進(jìn)行壓制，因此使所述覆銅板11和所述第二金屬層14在它們的外圍通過 粘合膜12互相貼附。同時(shí)，為了使所述覆銅板11與所述第二金屬層14相互穩(wěn)定地貼附， 它們之間的接觸面必須具有IOmm的厚度，并且所述第一金屬層13和所述第二金屬層真空 吸附。下面，如圖IB所示，積層層(build up layer) 15形成于所述載體10的兩側(cè)。此 處，每個(gè)所述積層層15以通常的方式形成，并額外設(shè)有第三金屬層16用于防止所述積層層 15在其最外層翹曲。接著，如圖IC所示，使所述積層層15從所述載體10中分離。此處，通過除去所述 粘合膜的邊緣來使所述積層層15從所述載體10中分離，通過該粘合膜，所述覆銅板11與 所述第二金屬層14通過布線過程(routingprocess)互相貼附。接著，如圖ID所示，通過蝕刻除去形成于所述積層層15的最外層的所述第二金屬 層14和所述第三金屬層16。接著，如圖IE所示，用于暴露焊墊19的開口 17形成于所述積層層15的最外絕緣 層中，然后在所述焊墊19上形成焊球18。
在這種常規(guī)的基板制造方法中，所述積層層15最終必須從所述載體10中分離。然 而，由于在這種分離過程中所述載體10的兩邊都通過布線過程而除去，使所述載體10的尺 寸減小，因此難于再利用所述載體10。因此，該常規(guī)的基板制造方法的問題在于，所述載體 10必須在制造印刷電路板的任何時(shí)候額外提供，因此增加了該印刷電路板的制造成本。此 外，該常規(guī)的基板制造方法的問題在于，難于保持基板與制造設(shè)施之間的相容性，因?yàn)榛?的尺寸根據(jù)布線過程而改變。此外，該常規(guī)的基板制造方法的問題在于，所述積層層15能夠任意地從所述載體 10中分離，因?yàn)樗龇e層層15實(shí)際上僅僅通過所述粘合膜12邊緣的粘合力而固定在所述 載體10上。

發(fā)明內(nèi)容
因此，提出本發(fā)明以解決上述問題，并且本發(fā)明提供了一種用于制造基板的載體 以及使用該載體制造基板的方法，該載體能夠通過加熱具有相對較低熔點(diǎn)的金屬層而容易 地分離，而不需要進(jìn)行布線過程，并且該載體能夠用作最終制成印刷電路板的絕緣層或電路層。本發(fā)明的一方面提供了用于制造基板的載體，該載體包括兩層絕緣層，每層絕緣 層的一側(cè)都設(shè)有第一金屬層，并且另一側(cè)都設(shè)有第二金屬層；以及第三金屬層，該第三金屬 層具有比所述第一金屬層低的熔點(diǎn)，并在分別形成于所述兩層絕緣層上的兩層所述第一金 屬層之間形成，使得兩層所述第一金屬層互相貼附。此處，所述第三金屬層可以由錫或錫合金制成。此外，所述第三金屬層可以由選自由錫、鎘、鉛、鉍、鋅以及它們的合金或組合所組 成的組中的任一種而制成。此外，所述第一金屬層可以由銅、鎳或鋁制成。此外，所述絕緣層可以由預(yù)浸料坯(pr印reg)或ABF (味之素積層膜(Ajinomoto Build up Film))形成。 此外，可以在所述第三金屬層和所述第一金屬層之間形成金屬間化合物層。本發(fā)明的另一方面提供了使用載體制造基板的方法，該方法包括提供兩層絕緣 層，每層絕緣層的一側(cè)都設(shè)置有第一金屬層，并且另一側(cè)都設(shè)置有第二金屬層；在分別形成 于所述兩層絕緣層上的兩層所述第一金屬層之間形成第三金屬層，使得兩層所述第一金屬 層互相貼附，該第三金屬層具有比所述第一金屬層低的熔點(diǎn)，由此提供載體；在所述第二金 屬層的暴露表面上形成積層層；并將所述第三金屬層加熱至熔點(diǎn)以上以分離所述載體。此處，在形成所述第三金屬層時(shí)，所述第三金屬層可以由錫或錫合金制成。此外，在形成所述第三金屬層時(shí)，所述第三金屬層可以由選自由錫、鎘、鉛、鉍、鋅 以及它們的合金或組合所組成的組中的任一種制成。使用載體制造基板的方法還可以包括在分離所述載體之后，除去殘留在所述第 一金屬層上的所述第三金屬層。使用載體制造基板的方法還可以包括在分離所述載體之后，將所述第一金屬層 圖形化以形成第一電路圖形。使用載體制造基板的方法還可以包括在分離所述載體之后，除去所述第一金屬層，然后通過鍍覆方法形成第一電路圖形。使用載體制造基板的方法還可以包括在形成所述第三金屬層之后，將所述第二 金屬層圖形化以形成第二電路圖形。此外，所述第三金屬層的形成過程可以包括在分別形成于所述兩層絕緣層上的 兩層所述第一金屬層上鍍覆所述第三金屬層；并加熱和壓制鍍覆于兩層所述第一金屬層上 的所述第三金屬層以使它們互相貼附，由此提供所述載體。此外，所述第三金屬層的形成過程可以包括在形成于所述兩層絕緣層上的兩層 所述第一金屬層的任一層上鍍覆所述第三金屬層；加熱并壓制鍍覆在一層第一金屬層上的 第三金屬層和另一層第一金屬層，以使它們互相貼附，由此提供載體。此外，所述第三金屬層的形成過程可以包括加熱并壓制箔形的第三金屬層以使 該第三金屬層疊置在形成于所述兩層絕緣層上的兩層所述第一金屬層上；以及加熱并壓制 疊置在兩層所述第一金屬層上的所述第三金屬層以使它們互相貼附，由此提供載體。此外，所述第三金屬層的形成過程可以包括加熱并壓制箔形的第三金屬層以使 該第三金屬層疊置在形成于所述兩層絕緣層上的兩層所述第一金屬層的任一層上；以及 加熱并壓制疊置在一層第一金屬層上的第三金屬層和另一層第一金屬層，以使它們互相貼 附，由此提供載體。此外，在設(shè)置所述兩層絕緣層時(shí)，所述第一金屬層可以由銅、鎳或鋁制成。此外，在設(shè)置所述兩層絕緣層時(shí)，所述第一金屬層可以由預(yù)浸料坯或ABF形成。此外，在形成所述第三金屬層時(shí)，可以在所述第三金屬層和所述第一金屬層之間 形成金屬間化合物層。參考附圖從下列實(shí)施方式的描述將使本發(fā)明的各種目的、優(yōu)點(diǎn)和特征變得顯然。用于本申請和權(quán)利要求書中的術(shù)語和用詞不應(yīng)當(dāng)解釋為限定于典型含義或詞典 定義，而應(yīng)當(dāng)基于根據(jù)發(fā)明人能夠適當(dāng)定義術(shù)語的概念以描述他或她知道實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最 好方法的規(guī)則，解釋為具有相關(guān)于本發(fā)明技術(shù)范圍的含義和概念。


結(jié)合附圖從下列詳細(xì)描述將更清楚地理解本發(fā)明的上述或其它目的、特征和優(yōu)
；^^，I .圖1A-1E為順序顯示使用載體制造基板的常規(guī)方法的截面圖；圖2為顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于制造基板的載體的截面圖；圖3-10為順序顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用載體制造基板的方法的截面 圖。
具體實(shí)施例方式結(jié)合附圖從下面的詳細(xì)描述以及優(yōu)選實(shí)施方式將更清楚地理解本發(fā)明的目的、特 征和優(yōu)點(diǎn)。在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用于標(biāo)明相同或相似的部件，并省去其多余的描 述。此外，在下列描述中，術(shù)語“一側(cè)”、“另一側(cè)”、“第一”、“第二”、“第三”等用于將某個(gè)部 件與其它部件區(qū)分開，但該部件的構(gòu)造不應(yīng)當(dāng)理解為被該術(shù)語限制。此外，在本發(fā)明的描述 中，當(dāng)確定相關(guān)領(lǐng)域的詳細(xì)描述會使本發(fā)明的要點(diǎn)不清楚時(shí)，將省去該描述。
下文中，將參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。圖2為顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于制造基板的載體的截面圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于制造基板的載體100包括兩層絕緣層 120，每層所述絕緣層的一側(cè)都設(shè)置有第一金屬層110，且另一側(cè)都設(shè)置有第二金屬層130 ； 以及第三金屬層140，該第三金屬層140具有比所述第一金屬層110低的熔點(diǎn)，并在分別形 成于所述兩層絕緣層120上的兩層所述第一金屬層110之間形成，使得兩層所述第一金屬 層110互相貼附。因?yàn)槊繉铀龅谝唤饘賹?10用作所述載體110的支持物，所以每層所述第一金 屬層110必須具有預(yù)定強(qiáng)度以上的承載力(bearing resistance)以防止所述載體100的 翹曲，且必須具有比所述第三金屬層140高的熔點(diǎn)，所述第三金屬層在分離所述載體100 時(shí)熔化?？紤]到上述承載力和熔點(diǎn)，每層所述第一金屬層110可以由銅、鎳或鋁制成。供 參考，構(gòu)成所述第三金屬層140的金屬(如錫、鎘、鉛、鉍、鋅等)具有熔點(diǎn)范圍為約232°C 至約 4190C (錫約 232 °C，鎘約 320. 9°C，鉛約 327 °C，鉍約 271. 3°C，鋅約 419 °C )， 同時(shí)，構(gòu)成每層所述第一絕緣層110的金屬(如銅、鎳或鋁)具有熔點(diǎn)范圍為約660°C至約 14550C (銅約1083°C，鎳約1455°C，鋁約660°C )。因此，在分離所述載體110時(shí)，當(dāng)將 所述載體100加熱至預(yù)定的溫度(例如從419°C以上至低于660°C的溫度范圍)時(shí)，只有所 述第三金屬層140能夠選擇性地熔化而每層所述第一金屬層110沒有相變。同時(shí)，因?yàn)槊?層所述第一金屬層110能夠被圖形化以形成第一電路圖形115(參見圖8A)，所以更優(yōu)選每 層所述第一金屬層110由銅制成。類似于每層所述第一金屬層110，每層所述第二金屬層130必須具有預(yù)定強(qiáng)度以 上的承載力，因?yàn)樵摰诙饘賹佑米魉鲚d體100的支撐體，并且該第二金屬層能夠圖形 化以形成第二電路圖形135(參見圖幻。因此，每層所述第二金屬層130也可以由銅制成。所述兩層絕緣層120通過所述第三金屬層140互相貼附，每層所述絕緣層120的 一側(cè)都設(shè)有所述第一金屬層110，且另一側(cè)都設(shè)有所述第二金屬層130。此處，每層所述絕 緣層120的材料沒有特別的限制。然而，因?yàn)樵谒鲚d體100分離之后，每層所述絕緣層 120可以用作基板的絕緣層120(參見圖10)，所以每層所述絕緣層120可以由預(yù)浸料坯形 成以制成較薄的印刷電路板，或者可以由ABF形成以實(shí)現(xiàn)微電路。另外，覆銅板(CCL)可以 用作每層所述絕緣層120。在這種情況下，疊置在所述覆銅板(CCL)兩側(cè)上的銅箔分別用作 所述第一金屬層110和所述第二金屬層130。此外，通過將加強(qiáng)材料(如紙、玻璃纖維、無紡 玻璃布(non-woven glass fabric)等)添加至樹脂可以形成每層所述絕緣層120，以改善 所述載體100的機(jī)械強(qiáng)度。所述第三金屬層140通過與所述第一金屬層110互相貼附而保持所述載體100的 全部連接。此處，所述第三金屬層140可以由錫或錫合金制成，或者可以由選自由錫、鎘、 鉛、鉍、鋅以及它們的合金或組合所組成的組中的任一種制成。此外，所述第三金屬層140 可以通過鍍覆方法形成于所述第一金屬層110之間，或者可以通過加熱和壓制方法將金屬 箔貼附在所述第一金屬層110上來形成于所述第一金屬層110之間。在這種情況下，所述 第三金屬層140與所述第一金屬層110反應(yīng)以形成金屬間化合物層145。例如，當(dāng)所述第一 金屬層110由銅制成且所述第三金屬層140由錫制成時(shí)，金屬間化合物層145(如Cu6Sn5、 Cu3Sn等)形成于所述第一金屬層110和所述第三金屬層140之間。然而，為了在恒定溫度下分離所述載體100，所述第三金屬層140不必全部轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘匍g化合物層145，并且具有 恒定熔點(diǎn)的純的第三金屬層140必須保留。如上所述，由于錫的熔點(diǎn)為約232°C，因此當(dāng)所 述第三金屬層140由錫制成時(shí)，用于制造基板的所述載體100能夠通過將其加熱至232°C以 上的溫度來分離。因此，不同于常規(guī)技術(shù)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于可以省去布線過程，而且在制 造基板的過程中通常達(dá)到的約200°C下，所述載體能夠穩(wěn)定地保持。圖3-10為順序顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的使用載體制造基板的方法的截面圖。如圖3-10所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用載體制造基板的方法包括提供兩 層絕緣層120，每層所述絕緣層的一側(cè)都設(shè)有第一金屬層110，并且另一側(cè)都設(shè)有第二金屬 層130 ；在分別形成于所述兩層絕緣層120的兩層所述第一金屬層110之間形成第三金屬 層140，使得兩層所述第一金屬層110互相貼附，所述第三金屬層的熔點(diǎn)低于所述第一金屬 層110，以提供載體100 ；在所述第二金屬層130的暴露的表面上形成積層層150 ；并將所述 第三金屬層140加熱至其熔點(diǎn)以上以分離所述載體100。使用所述載體制造基板的方法還 可以包括在提供所述載體100之后，使所述第二金屬層130圖形化以形成第二電路圖形 135 ；以及在分離所述載體100之后，在所述絕緣層120的一側(cè)上形成第一電路圖形115。首先，如圖3和4所示，提供兩層絕緣層120，每層所述絕緣層120的一側(cè)都設(shè)有 第一金屬層110，且另一側(cè)都設(shè)有第二金屬層130，然后使用第三金屬層140使所述第一金 屬層110和所述第二金屬層130互相貼附。此處，所述第一金屬層110可以由銅、鎳或鋁制 成，并且所述絕緣層120可以由預(yù)浸料坯或ABF形成。此外，覆銅板(CCL)可以用作所述絕 緣層120。在這種情況下，疊置在所述覆銅板(CCL)兩側(cè)上的銅箔分別作為所述第一金屬層 110和所述第二金屬層130。此外，所述第三金屬層140可以由錫或錫合金制成，或者可以 由選自由錫、鎘、鉛、鉍、鋅以及它們的合金或組合所組成的組中的任一種制成。同時(shí)，可以通過下列四種方法來進(jìn)行使所述第一金屬層110互相貼附的過程。第一，分別將第三金屬層140鍍覆在形成于所述兩層絕緣層120上的兩層所述第 一金屬層110上(參見圖3A)，然后將所述第三金屬層140的暴露的表面互相接觸，接著加 熱并壓制以在所述第一金屬層110之間形成所述第三金屬層140(參見圖4)。第二，通過加熱和壓制箔形的第三金屬層140，分別將該箔形的第三金屬層140疊 置在形成于所述兩層絕緣層120上的兩層所述第一金屬層110上(參見圖3A)，然后將所述 第三金屬層140的暴露的表面互相接觸，接著加熱并壓制以在所述第一金屬層110之間形 成所述第三金屬層140(參見圖4)。第三，將第三金屬層140鍍覆在形成于所述兩層絕緣層120上的兩層所述第一金 屬層Iio的任一層上(參見圖;3B)，接著將所述第三金屬層140的暴露的表面與未鍍覆所述 第三金屬層140的第一金屬層110的暴露的表面接觸，然后加熱并壓制以在所述第一金屬 層110之間形成第三金屬層140(參見圖4)。第四，通過加熱和壓制箔形的第三金屬層，將該箔形的第三金屬層140疊置在形 成于所述兩層絕緣層120上的兩層所述第一金屬層110的任一層上(參見圖:3B)，接著將所 述第三金屬層140的暴露的表面與未鍍覆所述第三金屬層140的第一金屬層110的暴露的 表面接觸，然后加熱并壓制以在所述第一金屬層110之間形成第三金屬層140(參見圖4)。通過上述四種方法，使用所述第三金屬層140，將各在其一側(cè)設(shè)有第一金屬層 110和各在其另一側(cè)設(shè)有第二金屬層130的兩層絕緣層120互相貼附，以提供完成的載體100(參見圖4)。同時(shí)，如上所述，所述第三金屬層140與所述第一金屬層110反應(yīng)，以在所 述第三金屬層140與所述第一金屬層110之間形成金屬間化合物層145。接著，如圖5所示，將所述第二金屬層130圖形化，以形成第二電路圖形135。 所述第二金屬層130用于防止所述載體100翹曲。此外，在此過程中，將所述第二金屬 層130形成第二電路圖形135，以用作基板的內(nèi)部電路層。在這種情況下，可以使用半 加成法(Semi-Additive Process (SAP))、改良的半加成法(Modified Semi-Additive Process(MSAP))或減成法(subtractive process)形成所述第二電路圖形135。接著，如圖6所示，將積層層150形成于每層所述第二金屬層130的暴露的表面 上。此處，通過將絕緣材料151疊置在每層所述第二金屬層130上，使用YAG或(X)2激光器 在所述絕緣材料151中形成過孔(via hole)、接著通過半加成法(SAP)或改良的半加成法 (MSAP)在所述絕緣材料151上形成包括通孔(via) 155的電路層153，從而完成所述積層層 150。接著，如圖7所示，將所述第三金屬層140加熱至其熔點(diǎn)以上以分離所述載體100。 如上所述，所述第三金屬層140具有熔點(diǎn)范圍為約232°C至約419°C，同時(shí)所述第一金屬層 110具有熔點(diǎn)范圍為約660°C至約1455°C。因此，將所述載體100加熱至預(yù)定的溫度(例如 從419°C以上至660°C以下的溫度范圍)，以選擇性地僅熔化所述第三金屬層140，因此分離 所述載體100。在這種情況下，可以額外地施加物理力以更有效地分離所述載體100。同時(shí)，當(dāng)所述載體100分離時(shí)，將所述絕緣層120用作基板的最外的絕緣層。此外， 在所述載體100分離之后，可以通過蝕刻方法來除去殘留在所述第一金屬層110上的所述 第三金屬層140。接著，如圖8和9所示，將第一電路圖形115形成于所述絕緣層120上。在這種情 況下，在所述絕緣層120上形成所述第一電路圖形115的過程可以通過下面兩種方法來進(jìn) 行。第一，可以通過將所述第一金屬層110圖形化而在所述絕緣層120上形成所述第 一電路圖形115(參見圖8A)。在這種情況下，由于所述第一金屬層110用于形成所述第一 電路圖形115，因此能夠省去額外的鍍覆過程，從而簡化了制造方法。第二，可以通過除去所述第一金屬層110(參見圖8B)、然后進(jìn)行鍍覆過程(參見圖 9)，在所述絕緣層120上形成所述第一電路圖形115。在這種情況下，盡管必須進(jìn)行額外的 鍍覆過程，仍能夠改善電路設(shè)計(jì)的靈活性例如通孔形成的容易性等。此處，可以使用半加成法(SAP)、改良的半加成法(MSAP)或減成法來形成所述第 一電路圖形115。接著，如圖10所示，將阻焊劑層(solder resist layer) 160形成于所述絕緣層 120的一側(cè)。此處，阻焊劑層160由耐熱涂料制成，并用于保護(hù)所述第一電路圖形115，使得 在焊接過程中焊料不疊置在所述第一電路圖形115上。此外，為了使所述第一電路圖形115 與外部電路電連接，可以在所述阻焊劑層160中形成開口 165以暴露焊墊。同時(shí)，如圖9和10所示，當(dāng)所述第一電路圖形115和所述阻焊劑層160形成于所 述絕緣層120的一側(cè)上時(shí)，電路層170和阻焊劑層180甚至還可以在位于所述絕緣層120 相對側(cè)的積層層150的最外層上形成。因此，在基板的兩側(cè)上同時(shí)進(jìn)行相同的過程，由此簡 化了制造基板的方法。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以通過加熱分離所述載體，由此不需要布線過程，其結(jié) 果是，在分離所述載體時(shí)基板的尺寸不變，由此保持了基板與制造設(shè)施之間的相容性。此外，根據(jù)本發(fā)明，所述載體的部件能夠用作最終制成的印刷電路板的最外絕緣 層和電路圖形，由此減少了印刷電路板的制造成本。盡管用于說明的目的公開了本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理 解，在不背離所附的權(quán)利要求書所公開的本發(fā)明的范圍和實(shí)質(zhì)的情況下，各種修改、添加和 替換都是可能的。本發(fā)明的簡單修改、添加和替換都屬于本發(fā)明的范圍，而且本發(fā)明的具體范圍將 由所附的權(quán)利要求書清楚地限定。
權(quán)利要求
1.一種用于制造基板的載體，該載體包括兩層絕緣層，每層所述絕緣層的一側(cè)都設(shè)有第一金屬層，且另一側(cè)都設(shè)有第二金屬層；以及第三金屬層，該第三金屬層具有比所述第一金屬層低的熔點(diǎn)，并在分別形成于所述兩 層絕緣層上的兩層所述第一金屬層之間形成，使得兩層所述第一金屬層互相貼附。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造基板的載體，其中，所述第三金屬層由錫或錫合金 制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造基板的載體，其中，所述第三金屬層由選自由錫、 鎘、鉛、鉍、鋅以及它們的合金或組合所組成的組中的任一種而制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造基板的載體，其中，所述第一金屬層由銅、鎳或鋁制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造基板的載體，其中，所述絕緣層由預(yù)浸料坯或味之 素積層膜形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造基板的載體，其中，在所述第三金屬層和所述第一 金屬層之間形成有金屬間化合物層。
7.一種使用載體制造基板的方法，該方法包括提供兩層絕緣層，每層所述絕緣層的一側(cè)都設(shè)置有第一金屬層，且另一側(cè)都設(shè)置有第在分別形成于所述兩層絕緣層上的兩層所述第一金屬層之間形成第三金屬層，使得兩 層所述第一金屬層互相貼附，該第三金屬層具有比所述第一金屬層低的熔點(diǎn)，由此提供載 體；在所述第二金屬層的暴露的表面上形成積層層；以及 將所述第三金屬層加熱至熔點(diǎn)以上以分離所述載體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法，其中，在形成所述第三金屬層時(shí)， 所述第三金屬層由錫或錫合金制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法，其中，在形成所述第三金屬層時(shí)， 所述第三金屬層由選自由錫、鎘、鉛、鉍、鋅以及它們的合金或組合所組成的組中的任一種 制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法，其中，該方法還包括在分離所 述載體之后，除去殘留在所述第一金屬層上的所述第三金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法，其中，該方法還包括在分離所 述載體之后，將所述第一金屬層圖形化以形成第一電路圖形。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法，其中，該方法還包括在分離所 述載體之后，除去所述第一金屬層，然后通過鍍覆方法形成第一電路圖形。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法，其中，該方法還包括在形成所 述第三金屬層之后，將所述第二金屬層圖形化以形成第二電路圖形。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法，其中，所述第三金屬層的形成過 程包括分別在形成于所述兩層絕緣層上的兩層所述第一金屬層上鍍覆所述第三金屬層；以及加熱并壓制鍍覆于兩層所述第一金屬層上的所述第三金屬層，以使所述第三金屬層互 相貼附，由此提供所述載體。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法， 其中，所述第三金屬層的形成過程包括在形成于所述兩層絕緣層上的兩層所述第一金屬層的任一層上鍍覆所述第三金屬層；以及加熱并壓制鍍覆在一層所述第一金屬層上的所述第三金屬層和另一層第一金屬層，以 使所述第三金屬層與所述另一層第一金屬層互相貼附，由此提供所述載體。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法， 其中，所述第三金屬層的形成過程包括加熱并壓制箔形的第三金屬層，以使該箔形的第三金屬層疊置在形成于所述兩層絕緣 層上的兩層所述第一金屬層上；以及加熱并壓制疊置在兩層所述第一金屬層上的所述第三金屬層，以使所述第三金屬層互 相貼附，由此提供所述載體。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法， 其中，所述第三金屬層的形成過程包括加熱并壓制箔形的第三金屬層，以使該箔形的第三金屬層疊置在形成于所述兩層絕緣 層上的兩層所述第一金屬層的任一層上；以及加熱并壓制疊置在一層第一金屬層上的所述第三金屬層和另一層第一金屬層，以使所 述第三金屬層與所述另一層第一金屬層互相貼附，由此提供所述載體。
18.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法，其中，在提供所述兩層絕緣層 時(shí)，所述第一金屬層由銅、鎳或鋁制成。
19.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法，其中，在提供所述兩層絕緣層 時(shí)，所述第一金屬層由預(yù)浸料坯或味之素積層膜形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用載體制造基板的方法，其中，在形成所述第三金屬層 時(shí)，在所述第三金屬層和所述第一金屬層之間形成金屬間化合物層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于制造基板的載體，該載體包括兩層絕緣層，每層絕緣層的一側(cè)都設(shè)有第一金屬層、且另一側(cè)都設(shè)有第二金屬層；以及第三金屬層，該第三金屬層具有比第一金屬層低的熔點(diǎn)、并在分別形成于所述兩層絕緣層上的兩層第一金屬層之間形成，使得兩層所述第一金屬層互相貼附。該載體的優(yōu)點(diǎn)是該載體能夠通過加熱第三金屬層來分離，使得基板的尺寸在分離該載體時(shí)不變，由此保持基板與制造設(shè)施之間的相容性。
文檔編號B32B15/00GK102098883SQ201010139
公開日2011年6月15日 申請日期2010年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者吳昌建, 孫暻鎮(zhèn), 洪賢貞, 裵泰均, 趙成愍 申請人:三星電機(jī)株式會社