專(zhuān)利名稱(chēng)：磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用以形成磊晶成長(zhǎng)膜的高分子積層基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
以前磊晶成長(zhǎng)膜形成用基板是使用結(jié)晶配向性?xún)?yōu)異的單晶硅(Si)、單晶砷化鎵 (GaAs)、單晶藍(lán)寶石(Al2O3)等單晶晶圓。但是，這些單晶晶圓是尺寸即便較大也為300πιπιΦ左右的砧板，無(wú)法通過(guò)象卷到卷方式的連續(xù)的生產(chǎn)方式進(jìn)行成膜。另外，Si等也無(wú)強(qiáng)度，在制造步驟的搬送中，不容易操作而需要注意。另外，所述單晶晶圓由于無(wú)法對(duì)基板賦予柔性，而所使用的用途也受到限定。在所述單晶晶圓以外，使磊晶成長(zhǎng)膜形成的基板已知將Ni、Cu、Ag、或這些金屬的合金以高壓下率進(jìn)行冷延，對(duì)材料整體賦予均勻的應(yīng)變后，通過(guò)熱處理使其再結(jié)晶，而形成高度雙軸結(jié)晶配向性的金屬基板。其中，如專(zhuān)利文獻(xiàn)1-專(zhuān)利文獻(xiàn)5所示，提出Ni或Ni-W合金與其他金屬材料的包層材料，但這些材料是中間層或超電導(dǎo)體層的成膜在大于等于600°C的高溫下進(jìn)行或降低飽和磁化、且使表面沿著(200)面結(jié)晶配向的材料，通常得不到普及，是特殊且高價(jià)的材料。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本專(zhuān)利第3601830號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本專(zhuān)利第3587956號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3 :W02004/088677號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4 日本專(zhuān)利特開(kāi)2006-286212號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)5 日本專(zhuān)利特開(kāi)2007-200831號(hào)公報(bào)如所述說(shuō)明，磊晶成長(zhǎng)膜的形成用單晶晶圓基板可以列舉以下問(wèn)題。S卩，使用高價(jià)的單晶基板；單晶基板尺寸也較小，必須進(jìn)行單片式的步驟處理；基板堅(jiān)硬、無(wú)法賦予柔性；應(yīng)用面受到限定。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是為了解決所述問(wèn)題而提出具有高度結(jié)晶配向的表面的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板及其制造方法。(1)本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法的特征在于在高分子板上積層以壓下率大于等于90%進(jìn)行冷延的包含Cu或Cu合金的金屬箔，積層后通過(guò)熱處理使所述金屬箔進(jìn)行雙軸結(jié)晶配向。(2)本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法的特征在于包括將高分子板的至少一個(gè)表面活化的步驟；將以壓下率大于等于90%進(jìn)行冷延的包含Cu或Cu 合金的金屬箔的至少一個(gè)表面活化的步驟；使所述高分子板的活化表面與所述金屬箔的活化表面相對(duì)向而積層并冷延的步驟；通過(guò)熱處理使所述金屬箔進(jìn)行雙軸結(jié)晶配向的步驟。(3)本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法的特征在于包括通過(guò)濺鍍?cè)诟叻肿影宓闹辽僖粋€(gè)表面形成金屬層的步驟；將以壓下率大于等于90%進(jìn)行冷延的包含Cu或Cu合金的金屬箔的至少一個(gè)表面活化的步驟；使所述高分子板的金屬層表面與所述金屬箔的活化表面相對(duì)向而積層并冷延的步驟；通過(guò)熱處理使所述金屬箔進(jìn)行雙軸結(jié)晶配向的步驟。(4)本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法根據(jù)( 或C3)所述， 其特征在于所述積層時(shí)的冷延的壓下率小于等于10%。(5)本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法根據(jù)所述(1)至(4) 中任一項(xiàng)所述，其特征在于進(jìn)行將所述金屬箔側(cè)表面的表面粗度Ra調(diào)整為大于等于Inm 且小于等于40nm的雙軸結(jié)晶配向。(6)本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法根據(jù)所述(1)至(5) 中任一項(xiàng)所述，其特征在于所述金屬箔的厚度為大于等于7 μ m且小于等于50 μ m。(7)本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法根據(jù)所述(1)至(6) 中任一項(xiàng)所述，其特征在于所述熱處理溫度為大于等于150°C且小于等于400°C。(8)本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法根據(jù)所述(1)至(7) 中任一項(xiàng)所述，其特征在于所述金屬箔包含總計(jì)大于等于0. 01 %且小于等于1 %的Ag、 Sn、Zn、Zr、0、N。(9)本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法根據(jù)所述(1)至(8) 中任一項(xiàng)所述，其特征在于在通過(guò)所述高分子積層基板的制造方法而制造的高分子積層基板的金屬面上，進(jìn)一步形成保護(hù)膜。(10)本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的特征在于其是通過(guò)根據(jù)所述(1)至(9)中任一項(xiàng)所述的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法而制造。發(fā)明的效果本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板由于以高分子為基板，因此具有柔性，由于具有經(jīng)高度結(jié)晶配向的表面，因此作為磊晶成長(zhǎng)膜形成用基板而較為優(yōu)異。


圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式的高分子積層基板5A的構(gòu)成的概略截面圖。 圖2為本發(fā)明的實(shí)施方式的高分子積層基板5B的構(gòu)成的概略截面圖。 圖3為本發(fā)明的實(shí)施方式的高分子積層基板IOA的構(gòu)成的概略截面圖。 圖4為本發(fā)明的實(shí)施方式的高分子積層基板IOB的構(gòu)成的概略截面圖。 圖5為表面活化接合裝置Dl的概略圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明Tl高分子板
T2 Cu箔或Cu合金箔
T 3保護(hù)膜
B
flAs
取極貞卷電樸
箔 4、 金 8
合 、 >426
U 6 8 7
C
、 、 、
6 2 2 4
26 7 7
O
3,
24高分子板
5A、5B、10A、IOB 高分子積層基板
Dl表面活化接合裝置
具體實(shí)施例方式圖1是表示本發(fā)明的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板5A的構(gòu)成的概略截面圖。如圖1所示，高分子積層基板5A具備高分子板Tl、積層在高分子板Tl上的金屬箔T2。高分子板Tl根據(jù)其使用目的而進(jìn)行選擇，如果可以承受所貼合的金屬箔T2的再結(jié)晶熱處理溫度150°C -400°C，則可以應(yīng)用，其中由于耐熱性?xún)?yōu)異，并且通常普及的聚酰亞胺、液晶聚合物、芳香族聚酰胺等樹(shù)脂膜的高溫耐熱性?xún)?yōu)異，因而可優(yōu)選列舉。高分子板Tl的厚度如果能確保強(qiáng)度，并且能以寬幅、長(zhǎng)條線圈的狀態(tài)提供，則并無(wú)特別限定，如果考慮到成本面或普及的芳香族聚酰胺膜、聚酰亞胺膜或液晶聚合物膜，則較理想的是大于等于3 μ m且小于等于200 μ m。金屬箔T2可以列舉Cu箔或Cu合金箔(本說(shuō)明書(shū)中將兩者合并稱(chēng)為Cu合金箔) 作為優(yōu)選的材料。Cu合金箔T2以事先通過(guò)熱處理而結(jié)晶配向的狀態(tài)使用，操作過(guò)程中有產(chǎn)生應(yīng)變， 使結(jié)晶配向性劣化的危險(xiǎn)性，因此較理想的是Cu合金箔T2與高分子板Tl積層而形成高分子積層基板后賦予高度的結(jié)晶配向性。因此，本發(fā)明的Cu合金箔T2在與高分子板Tl積層前，優(yōu)選為通過(guò)壓下率大于等于90%的強(qiáng)加工而形成的均勻的壓延集合組織的狀態(tài)。原因是如果壓下率小于90%，則之后進(jìn)行的熱處理中有可能Cu不會(huì)發(fā)生配向。這種高壓下壓延Cu合金箔是為了在柔性安裝基板用途中賦予高彎曲性而開(kāi)發(fā)并普及，而可以容易獲得。例如可以列舉日礦材料(Nikko-Materials)公司制造的高壓下壓延Cu箔(HA箔 (商品名))或日立電線公司制造的高壓下壓延Cu箔(HX箔(商品名))等。本發(fā)明中，如上所述的市售品的高壓下壓延Cu合金箔由于結(jié)晶配向性?xún)?yōu)異，而使用較理想。較理想的是厚度大于等于7 μ m且小于等于50 μ m。更優(yōu)選為12 μ m_18 μ m。將厚度設(shè)定大于等于7 μ m的理由是為了確保Cu合金箔T2的強(qiáng)度，將厚度設(shè)定小于等于50 μ m 的理由是為了確保Cu合金箔T2的加工性。至于Cu合金箔T2的結(jié)晶配向，是在Cu合金箔T2與高分子板Tl接合時(shí)或接合后的目標(biāo)磊晶成長(zhǎng)膜形成步驟中，通過(guò)將高分子積層基板的溫度設(shè)定為大于等于150°C，而在接合時(shí)或目標(biāo)磊晶成長(zhǎng)膜形成步驟中使Cu合金箔再結(jié)晶化，從而賦予高度的結(jié)晶配向性。但是，在接合時(shí)或接合后的目標(biāo)磊晶成長(zhǎng)膜形成步驟中，在高分子積層基板的溫度低于150°C的低溫下進(jìn)行處理時(shí)，或者即便在大于等于150°C通過(guò)步驟而連續(xù)步驟的處理時(shí)間也較短時(shí)，Cu合金箔的再結(jié)晶化會(huì)受到抑制，而無(wú)法賦予高度的結(jié)晶配向性，因此優(yōu)選事先通過(guò)熱處理而事先使高分子積層基板上的Cu合金箔結(jié)晶配向。熱處理溫度是大于等于Cu合金箔的再結(jié)晶結(jié)束的溫度即可，如果考慮到接合對(duì)象是高分子板，其耐熱性或使結(jié)晶配向性為大于等于99%的高配向率等，則較理想的是熱處理溫度為大于等于150°C且小于等于400°C。所述Cu合金箔中如果有能通過(guò)熱處理容易以(200)面結(jié)晶配向率大于等于99% 進(jìn)行配向的元素，則可為任意添加元素，可以添加微量Ag、Sn、Zn、Zr、0、N,但總計(jì)含量大于等于0.01%且小于等于1%。將添加元素總計(jì)設(shè)定為小于等于的理由是雖然添加元素與Cu會(huì)形成固溶體， 但如果添加元素總計(jì)超過(guò)1 %，則會(huì)導(dǎo)致固溶體以外的氧化物等雜質(zhì)增加，而有可能影響配向。因此，優(yōu)選總計(jì)為大于等于0.01%且小于等于0. 1%。通過(guò)將所述說(shuō)明的高分子板與Cu合金箔接合，而完成高分子積層基板。另外，圖2表示在高分子板Tl的兩面接合金屬箔T2的實(shí)施方式的高分子積層基板5B。圖2的高分子積層基板5B由于在柔性高分子板Tl的兩面積層有結(jié)晶配向金屬層，因此可制成使磊晶成長(zhǎng)膜在兩面成長(zhǎng)的基板。高分子板與Cu合金箔的接合方法只要可將寬幅且長(zhǎng)條線圈沿著長(zhǎng)度方向均勻接合，則可為任意方法，可以列舉使用粘結(jié)劑通過(guò)雙輥進(jìn)行壓接的方法；或不使用粘結(jié)劑而直接將高分子板與Cu合金箔接合的澆鑄方式等。另外，也較理想的是使用在接合后也能獲得穩(wěn)定結(jié)晶配向性的表面活化接合法。表面活化接合法例如可以列舉圖5所示的真空表面活化接合裝置D1。所謂表面活化接合，是指通過(guò)濺鍍蝕刻等方法將表面的氧化物或污垢等去除，而使所積層的高分子板或金屬箔的表面活化，并使經(jīng)活化的表面與其他積層物抵接而進(jìn)行冷延。另外，可以在高分子板的表面通過(guò)濺鍍?cè)O(shè)置金屬層。如圖5所示，以寬度150mm 600mm的長(zhǎng)條線圈的形態(tài)準(zhǔn)備高分子板M及Cu合金箔26，分別設(shè)置于表面活化接合裝置Dl的卷取部62、64。從卷取部62、64搬送的高分子板M及Cu合金箔沈被連續(xù)地搬送到表面活化處理步驟，因此事先將所接合的2個(gè)面活化處理后進(jìn)行冷壓接。表面活化處理步驟中，在10 1Χ10_2Ι^的極低壓惰性氣體環(huán)境中，將具有接合面的高分子板M與Cu金屬箔沈分別設(shè)為地線接地的一電極A(72、82)，在電極A(72、82) 與經(jīng)絕緣支持的另一電極B(74、76及84、86)之間施加IMHz 50MHz的交流電而產(chǎn)生輝光放電，且以通過(guò)輝光放電而產(chǎn)生的等離子體中所露出的電極的面積小于等于電極B面積的 1/3的方式進(jìn)行濺鍍蝕刻處理。惰性氣體可以使用氬氣、氖氣、氙氣、氪氣等、或包含至少一種這些氣體的混合氣體。
6
在濺鍍蝕刻處理中，利用惰性氣體將高分子板M及Cu金屬箔沈接合的面進(jìn)行濺鍍，從而去除表面吸附層及表面氧化膜，而使接合的面活化。該濺鍍蝕刻處理中，電極A (72、 82)采用冷卻輥的形態(tài)，防止各搬送材料的溫度上升。然后，連續(xù)地搬送到壓接輥步驟，將經(jīng)活化的面彼此壓接。壓接下的環(huán)境氣體如果存在A氣體等，則搬送中經(jīng)活化處理的面會(huì)再次被氧化，而對(duì)密接造成影響。因此，較理想的是在小于等于lX10_3Pa的高真空下進(jìn)行。另外，壓下率越低則厚度精度越優(yōu)異，且不會(huì)破壞金屬箔的狀態(tài)，因此壓下率優(yōu)選小于等于10%。壓下率更優(yōu)選小于等于2%。通過(guò)所述壓接步驟而密接的積層體被搬送到卷繞步驟，于此進(jìn)行卷繞。另外為了提高高分子板與Cu合金箔的密接性，也較為有效的是，利用電極B (74) 對(duì)高分子板進(jìn)行濺鍍蝕刻后，設(shè)置Ni、Ni-Cr合金或Ni-Cu合金等靶，而在高分子板的接合面?zhèn)刃纬山饘僦虚g層。另外，如圖3所示，在Cu合金箔上形成目標(biāo)膜而且無(wú)法確保密接性時(shí)，或難以直接在Cu上進(jìn)行磊晶成長(zhǎng)時(shí)，可在高分子積層基板上形成保護(hù)膜作為中間層。例如，在藍(lán)色發(fā)光二極管用途中，以半導(dǎo)體化合物的形式形成GaN膜來(lái)作為磊晶成長(zhǎng)膜時(shí)，可在Cu合金箔上形成InGaN層或ZnO層作為保護(hù)膜，再于保護(hù)膜上形成GaN膜。至于保護(hù)膜的厚度，為了發(fā)揮出防止底層的Cu的擴(kuò)散的功能，為大于等于0. Ιμπι 即可。另外，為了維持磊晶成長(zhǎng)膜，保護(hù)膜的厚度優(yōu)選小于等于ΙΟμπι。保護(hù)膜的形成方法一般認(rèn)為有濺鍍法、蒸鍍法、CVD (Chemical Vapor D印osition，化學(xué)氣相沉積)法、MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor D印osition，有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積)法、電解鍍敷法、無(wú)電解鍍敷法等，可以是任一種方法。將保護(hù)膜設(shè)為 Ni等金屬時(shí)，于經(jīng)濟(jì)方面而言?xún)?yōu)選電解鍍敷法。另外，將氧化物或氮化物作為保護(hù)膜時(shí)，優(yōu)選在基板溫度相對(duì)較低的低溫下能成膜的濺鍍法或MOCVD法等。 另外，圖4表示在高分子板Tl的兩面接合金屬箔T2，并在各金屬箔T2上形成保護(hù)膜T3的實(shí)施方式的高分子積層基板10B。圖4的高分子積層基板10B由于在柔性高分子板Tl的兩面積層結(jié)晶配向金屬層， 并且在各金屬箔T2上形成保護(hù)膜T3，因此可制成使磊晶成長(zhǎng)膜在兩面成長(zhǎng)的基板。另外，磊晶成長(zhǎng)膜的形成方法可以使用電解鍍敷法、無(wú)電解鍍敷法、真空蒸鍍法、 濺鍍成膜法等公知的方法。磊晶成長(zhǎng)膜的膜厚必須達(dá)到磊晶成長(zhǎng)的膜，較理想的是大于等于Inm且小于等于 10 μ m。原因是，在磊晶成長(zhǎng)膜的膜厚小于Inm時(shí)，無(wú)法確保所形成的膜的密接性，在磊晶成長(zhǎng)膜的膜厚超過(guò)10 μ m時(shí)，膜厚會(huì)過(guò)厚。接著，對(duì)高分子積層基板上的經(jīng)結(jié)晶配向的Cu合金箔的表面粗度進(jìn)行說(shuō)明。Cu合金箔的表面粗度在購(gòu)入時(shí)，如果表面粗度Ra為小于等于40nm，則無(wú)問(wèn)題，也有表面粗度Ra超過(guò)IOOnm的Cu合金箔。合金箔的表面粗度(稱(chēng)為平均表面粗度)Ra為IOOnm時(shí)也具有作為基板的充分的性能，但是表面粗度Ra越低，則結(jié)晶配向性越好，因此在Ra為IOOnm的表面粗度狀態(tài)時(shí)，在表面活化接合后，進(jìn)行將表面粗度Ra調(diào)整為小于等于40nm的處理。使表面粗度降低的方法認(rèn)為有利用壓延輥的壓下、拋光研磨、電解研磨或電解研
7磨粒研磨等，可以為任一種方法。表面粗度較理想的是鏡面，考慮到目前的方法及經(jīng)濟(jì)性， 較理想的是將Ra設(shè)定為大于等于Inm且小于等于10nm。通過(guò)調(diào)整為象所述一樣的表面粗度，而可以形成更優(yōu)異的磊晶成長(zhǎng)膜用高分子積層基板，并在這樣的基板上形成高性能的功能性膜。通過(guò)以所述方式制造磊晶成長(zhǎng)膜用高分子板，而可以一直保持Cu金屬箔的以高壓下率進(jìn)行冷延的狀態(tài)并以界面平滑的狀態(tài)積層在高分子板上。然后進(jìn)行加熱使金屬箔雙軸結(jié)晶配向時(shí)，如果未保持Cu金屬箔的以高壓下率進(jìn)行冷延的狀態(tài)，則表現(xiàn)不出必需的雙軸結(jié)晶配向。另外，如果界面不平滑則會(huì)導(dǎo)致雙軸結(jié)晶配向破壞。而且，在使用表面活化接合進(jìn)行積層時(shí)，即便通過(guò)積層后的加熱，產(chǎn)生變形等的可能性也較少，因此導(dǎo)致雙軸結(jié)晶配向破壞的可能性也較少，與使用粘結(jié)劑等的情況相比，更加有利。實(shí)施例1以下，揭示本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)所得的高分子積層基板的特性進(jìn)行說(shuō)明。分別將200mm寬的18 μ m厚的高壓下壓延Cu箔與100 μ m厚的聚酰亞胺膜以及液晶聚合物膜，通過(guò)常溫表面活化接合法接合后，在200°C下進(jìn)行5分鐘熱處理而獲得高分子積層基板。表1表示此時(shí)的Cu (200)面與Cu箔表面平行的比例、即結(jié)晶配向率(通過(guò)X射線衍射而測(cè)定的Θ/2Θ衍射波峰的(200)面的衍射波峰強(qiáng)度率=Itoltl)/Σ I(hkl)X100(%)), 及作為表示此(200)面與長(zhǎng)度方向<001>平行的值的雙軸配向性指標(biāo)的ΔΦ° (X射線衍射所得Ni(Ill)極點(diǎn)圖中獲得的Φ掃描波峰(α =35°的4條波峰的半值寬度的平均值))。比較例是表示在130°C下進(jìn)行熱處理時(shí)，以及將非一般的高壓下的16 μ m厚的壓延Cu箔通過(guò)所述常溫活化接合法接合后，在200°C下進(jìn)行5分鐘熱處理時(shí)的波峰強(qiáng)度。根據(jù)表1可知，高壓下壓延Cu箔與所積層的高分子板的種類(lèi)無(wú)關(guān)，在熱處理溫度為130°C X5分鐘時(shí)，結(jié)晶配向率為93%，仍然說(shuō)不上充分，在200°C下保持5分鐘，則(200) 面結(jié)晶配向率大于等于99%。另外，比較例所示的使用通常的壓延Cu箔時(shí)，即便進(jìn)行熱處理結(jié)晶配向率也小于等于70%。另外，結(jié)晶配向率大于等于99%的實(shí)施例的ΔΦ為6°，表現(xiàn)出相當(dāng)高的雙軸結(jié)晶配向度。[表1]
權(quán)利要求
1.一種磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法，其特征在于在高分子板上積層以壓下率大于等于90%進(jìn)行冷延的包含Cu或Cu合金的金屬箔，積層后通過(guò)熱處理使所述金屬箔進(jìn)行雙軸結(jié)晶配向。
2.一種磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法，其特征在于包括將高分子板的至少一個(gè)表面活化的步驟；將以壓下率大于等于90 %進(jìn)行冷延的包含Cu或Cu合金的金屬箔的至少一個(gè)表面活化的步驟；使所述高分子板的活化表面與所述金屬箔的活化表面相對(duì)向而積層并冷延的步驟；通過(guò)熱處理使所述金屬箔雙軸結(jié)晶配向的步驟。
3.一種磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法，其特征在于包括通過(guò)濺鍍?cè)诟叻肿影宓闹辽僖粋€(gè)表面形成金屬層的步驟；將以壓下率大于等于90 %進(jìn)行冷延的包含Cu或Cu合金的金屬箔的至少一個(gè)表面活化的步驟；使所述高分子板的金屬層表面與所述金屬箔的活化表面相對(duì)向而積層并冷延的步驟；通過(guò)熱處理使所述金屬箔雙軸結(jié)晶配向的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法，其特征在于所述積層時(shí)的冷延的壓下率小于等于10%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法，其特征在于進(jìn)行將所述金屬箔側(cè)表面的表面粗度Ra調(diào)整為大于等于Inm且小于等于 40nm的雙軸結(jié)晶配向。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法，其特征在于所述金屬箔的厚度為大于等于7 μ m且小于等于50 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法，其特征在于所述熱處理溫度為大于等于150°C且小于等于400°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法，其特征在于所述金屬箔總計(jì)包含大于等于0. 01 %且小于等于1 %的Ag、Sn、Zn、Zr、0、 N0
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法，其特征在于在通過(guò)所述高分子積層基板的制造方法而制造的高分子積層基板的金屬面上，進(jìn)一步形成保護(hù)膜。
10.一種磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板，其特征在于其是通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1至 9中任一項(xiàng)所述的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板的制造方法而制造。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有經(jīng)高度結(jié)晶配向的表面的磊晶成長(zhǎng)膜形成用高分子積層基板及其制造方法。所述制造方法包括將高分子板T1的至少一個(gè)表面活化的步驟；將以壓下率大于等于90％進(jìn)行冷延的包含Cu或Cu合金的金屬箔T2的至少一個(gè)表面活化的步驟；使高分子板的活化表面與金屬箔的活化表面相對(duì)向而積層并冷延的步驟；通過(guò)熱處理使金屬箔雙軸結(jié)晶配向的步驟。
文檔編號(hào)B32B15/08GK102209804SQ2009801443
公開(kāi)日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2009年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月12日
發(fā)明者岡山浩直, 南部光司, 金子彰 申請(qǐng)人:東洋鋼鈑株式會(huì)社