低壓壓敏電阻陶瓷片及其制備方法、低壓壓敏電阻器的制備方法
【專利摘要】一種低壓壓敏電阻陶瓷片，低壓壓敏電阻陶瓷片由混合粉末燒結(jié)形成，混合粉末包括質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為94％～96％的ZnO、0.2％～4％的Bi2O3、0.1％～0.6％的MnCO3、0.1％～2％的Co3O4、0.1％～0.6％的NiO、0.002％～0.02％的Al(NO3)3、0.1％～0.5％的TiO2、0.01％～0.5％的Nb2O5以及0.01％～2％的Sb2O3。上述低壓壓敏電阻器，能夠很好的提高低壓壓敏電阻器的8/20μs波形的通流性能，提高低壓壓敏電阻器的能量承受能力，該高能型的低壓壓敏電阻器防雷擊能力較好。此外，還提供上述低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法以及低壓壓敏電阻器的制備方法。
【專利說明】低壓壓敏電阻陶瓷片及其制備方法、低壓壓敏電阻器的制 備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及壓敏電阻材料領(lǐng)域，特別是涉及一種低壓壓敏電阻陶瓷片及其制備方 法，以及低壓壓敏電阻器的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 壓敏電阻器是一種電路中常用的防雷擊、防瞬態(tài)過電壓電子元件。行業(yè)中一般將 68V以下電壓段的壓敏電阻定義為低壓壓敏電阻器。低壓壓敏電阻器在雷擊能量的承受能 力上通常比高壓壓敏電阻器要低。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T10348-93以及SJ/T10349-93中的要 求，MYG2-20K系列的壓敏電阻器的最大通流量只有1000A，沖擊次數(shù)2次，而相同直徑尺寸 的高電壓壓敏電阻器的最大通流量可達(dá)4000A，沖擊次數(shù)2次。
[0003] 傳統(tǒng)的低壓壓敏電阻器具有防雷擊能力較差的缺點(diǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種防雷擊能力較好的低壓壓敏電阻陶瓷片及其制備方法， 以及低壓壓敏電阻器的制備方法。
[0005] -種低壓壓敏電阻陶瓷片，所述低壓壓敏電阻陶瓷片由混合粉末燒結(jié)形成，所述 混合粉末包括質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為94 %?96 %的Ζη0、0. 2 %?4 %的Bi203、0. 1 %?0. 6 %的 MnC03、0. 1 % ?2 % 的 C〇304、0. 1 % ?0· 6 % 的 Ni0、0. 002 % ?0· 02 % 的 Α1 (Ν03) 3、0· 1 % ? 0.5%的1102、0.01%?0.5%的恥205 以及0.01%?2%的513203。
[0006] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述混合粉末包括質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為94. 15 %的Zn0、2 %的 Bi203、0. 4% 的 MnC03、l. 3% 的 C〇304、0. 5% 的 Ni0、0. 02% 的 Α1(Ν03)3、0· 2% 的 Ti02、0. 03% 的 Nb205 以及 1.4%的 Sb203。
[0007] -種低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法，包括以下步驟：
[0008] 提供含有質(zhì)量比為94?96 :0· 2?4 :0· 1?0· 6 :0· 1?2 :0· 1?0· 6 :0· 002? 0· 02 :0· 1 ?0· 5 :0· 01 ?0· 5 :0· 01 ?2 的 ZnO、Bi203、MnC03、C〇30 4、NiO、A1 (N03) 3、Ti02、 Nb205和Sb203的原料漿；
[0009] 往所述原料漿中加入膠黏劑造粒，壓制成型得到陶瓷生坯；
[0010] 將所述陶瓷生坯在500°C?550°C保溫2h?4h，再升溫至1180°C?1220°C燒結(jié) 2h?6h，得到所述低壓壓敏電阻陶瓷片。
[0011] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述膠黏劑為聚乙烯醇水溶液。
[0012] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述原料漿通過如下步驟制備：
[0013] 將質(zhì)量比為 0· 2 ?4 :0· 1 ?0· 6 :0· 1 ?2 :0· 1 ?0· 6 :0· 002 ?0· 02 :0· 1 ?0· 5 : 0· 01 ?0· 5 :0· 01 ?2 的 Bi203、MnC03、Co304、Ni0、Al (N03)3、Ti02、Nb205 和 Sb203 的混合物和 去離子水混合，磨碎形成漿料；
[0014] 往所述漿料中加入ZnO和去離子水，其中，ZnO和Bi203的質(zhì)量比為94?96 :0. 2? 4,磨碎后得到所述原料漿。
[0015] 一種低壓壓敏電阻器的制備方法，包括以下步驟：
[0016] 提供含有質(zhì)量比為94?96 :0· 2?4 :0· 1?0· 6 :0· 1?2 :0· 1?0· 6 :0· 002? 0· 02 :0· 1 ?0· 5 :0· 01 ?0· 5 :0· 01 ?2 的 ZnO、Bi203、MnC03、C〇30 4、NiO、A1 (N03) 3、Ti02、 Nb205和Sb 203的原料漿；
[0017] 往所述原料漿中加入膠黏劑造粒，壓制成型得到陶瓷生坯；
[0018] 將所述陶瓷生坯在500°C?550°C保溫2h?4h，再升溫至1180°C?1220°C燒結(jié) 2h?6h，得到所述低壓壓敏電阻陶瓷片；
[0019] 將所述低壓壓敏電阻陶瓷片的表面涂覆銀漿料，接著在550°C?570°C保溫 lOmin?15min，得到壓敏電阻芯片；
[0020] 將所述壓敏電阻芯片進(jìn)行退火處理，接著在所述壓敏電阻芯片上焊接鍍錫銅線， 包封、固化后得到所述低壓壓敏電阻器。
[0021] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，將所述壓敏電阻芯片進(jìn)行退火處理的操作為，將所述壓敏 電阻芯片在500°C?600°C保溫3h?5h，接著降溫至常溫。
[0022] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，將所述壓敏電阻芯片在500°C?600°C保溫3h?5h，接著降 溫至常溫的操作中，采用0. 5°C /min?1°C /min的降溫速率降至常溫。
[0023] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，將所述低壓壓敏電阻陶瓷片的表面涂覆銀漿料的操作中， 采用絲網(wǎng)印刷的方式將所述銀漿料印刷在所述低壓壓敏電阻陶瓷片的表面。
[0024] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述壓敏電阻芯片上焊接鍍錫銅線的操作中，采用 250°C?260°C的焊接溫度在所述壓敏電阻芯片上焊接鍍錫銅線。
[0025] 上述低壓壓敏電阻器的制備方法制備得到的低壓壓敏電阻器，通過在原料中添加 Sb203材料，能夠很好的提高低壓壓敏電阻器的8/20 μ s波形的通流性能，提高低壓壓敏電 阻器的能量承受能力，同時(shí)，通過在原料中引入Nb205材料，該材料對(duì)Ti0 2的半導(dǎo)化作用使 得壓敏電阻電壓降低，抑制了 Sb203材料摻入而產(chǎn)生的電壓升高的現(xiàn)象，從而制作出高能型 的低壓壓敏電阻器，該高能型的低壓壓敏電阻器防雷擊能力較好。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 圖1為一實(shí)施方式的低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法的流程圖；
[0027] 圖2為一實(shí)施方式的低壓壓敏電阻器的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0029] -實(shí)施方式的低壓壓敏電阻陶瓷片，由混合粉末燒結(jié)形成?；旌戏勰┌ㄙ|(zhì)量 百分?jǐn)?shù)為 94%?96% 的 Ζη0、0· 2%?4% 的 Bi203、0. 1%?0· 6% 的 MnC03、0. 1%?2% 的 (：〇304、0.1%?0.6%的附0、0.002%?0.02%的六1(吣 3)3、0.1%?0.5%的1102、0.01%? 0.5%的恥 205 以及0.01%?2%的513203。
[0030] 在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，混合粉末包括質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為94. 15%的Zn0、2%的Bi203、 0· 4%的MnC03、l. 3%的 C〇304、0. 5%的Ni0、0. 02%的 Α1(Ν03)3、0· 2%的 Ti02、0. 03% 的Nb205 以及 1.4%的 Sb203。
[0031] 該低壓壓敏電阻陶瓷片可用于制備低壓壓敏電阻器。
[0032] 上述低壓壓敏電阻陶瓷片，通過在原料中添加Sb203材料，能夠很好的提高低壓壓 敏電阻器的8/20 μ S波形的通流性能，提高低壓壓敏電阻器的能量承受能力，同時(shí)，通過在 原料中引入Nb205材料，該材料對(duì)Ti0 2的半導(dǎo)化作用使得壓敏電阻電壓降低，抑制了 Sb203 材料的摻入而產(chǎn)生的電壓升高的現(xiàn)象，從而制作出高能型的低壓壓敏電阻陶瓷片。
[0033] 傳統(tǒng)的低壓壓敏電阻配方中基本上都不會(huì)含有Sb203材料，因?yàn)樵摬牧先菀滋岣?產(chǎn)品的電壓。然而，在上述低壓壓敏電阻陶瓷片中，通過添加Sb 203材料能夠提高8/20 μ s 波形的通流性能，并且，還通過在原料中引入適量的Nb205材料和Ti0 2材料可以防止電壓升 高，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的低電壓與高8/20 μ s波形的通流性能。
[0034] 如圖1所示的，一實(shí)施方式的低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法，包括以下步驟：
[0035] S110、提供含有質(zhì)量比為 94 ?96 :0· 2 ?4 :0· 1 ?0· 6 :0· 1 ?2 :0· 1 ?0· 6 : 0· 002 ?0· 02 :0· 1 ?0· 5 :0· 01 ?0· 5 :0· 01 ?2 的 Zn0、Bi203、MnC03、Co30 4、Ni0、Al (Ν03) 3、 Ti02、Nb205 和 Sb203 的原料漿。
[0036] SI 10中的原料漿可以通過如下步驟制備：
[0037] S112、將質(zhì)量比為 0.2 ?4 :0· 1 ?0.6 :0· 1 ?2 :0· 1 ?0.6 :0.002 ?0.02 :0· 1 ? 0· 5 :0· 01 ?0· 5 :0· 01 ?2 的 Bi203、MnC03、Co304、Ni0、Al (N03)3、Ti02、Nb205 和 Sb203 的混合 物和去離子水混合，磨碎形成漿料。
[0038] 將混合物磨成成漿料的操作可以采用砂磨機(jī)對(duì)混合物進(jìn)行砂磨，制成漿料。磨碎 至漿料的粒度D50值小于1 μ m。
[0039] S114、往漿料中加入ZnO和去離子水，其中，ZnO和Bi203的質(zhì)量比為94?96 : 0.2?4,磨碎后得到原料漿。
[0040] 往漿料中加入ZnO和去離子水之前，先將S112得到的漿料抽入球磨罐中，接著采 用球磨法進(jìn)行球磨。球磨的時(shí)間可以為16h?24h。
[0041] 加入的去離子水的量可以和加入的ZnO的量相同。
[0042] S120、往原料漿中加入膠黏劑造粒，壓制成型得到陶瓷生坯。
[0043] 膠黏劑可以為聚乙烯醇水溶液。可以理解，膠黏劑也可以為其他物質(zhì)。
[0044] 膠黏劑和原料漿的質(zhì)量比可以為0. 18?0. 23:1。
[0045] 往原料漿中加入膠黏劑造粒的操作中，可以噴霧干燥法造粒，將原料漿做成干粉。
[0046] 壓制成型得到陶瓷生坯的操作中，可以使用壓機(jī)干壓成型。
[0047] S130、將陶瓷生坯在500°C?550°C保溫2h?4h，再升溫至1180°C?1220°C燒結(jié) 2h?6h，得到低壓壓敏電阻陶瓷片。
[0048] 將陶瓷生坯在500°C?550°C保溫2h?4h，可以將膠黏劑排出。
[0049] 上述的低壓壓敏電阻陶瓷片制備方法，將各類微量添加物磨碎后再加入主材料 ZnO進(jìn)行研磨，可以使各類微量添加物在與主材料接觸前充分混合均勻，從而使制備出的壓 敏電阻產(chǎn)品各項(xiàng)電性能表現(xiàn)得更集中。
[0050] 上述的低壓壓敏電阻陶瓷片制備方法，制備方法簡單，制備得到的低壓壓敏電阻 陶瓷片同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低電壓與高8/20 μ S波形的通流性能。
[0051] 如圖2所示，一種低壓壓敏電阻器的制備方法，包括以下步驟：
[0052] S210、提供含有質(zhì)量比為 94 ?96 :0· 2 ?4 :0· 1 ?0· 6 :0· 1 ?2 :0· 1 ?0· 6 : 0· 002 ?0· 02 :0· 1 ?0· 5 :0· 01 ?0· 5 :0· 01 ?2 的 Zn0、Bi203、MnC03、Co30 4、Ni0、Al (N03) 3、 Ti02、Nb205 和 Sb203 的原料漿。
[0053] S210中的原料漿可以通過如下步驟制備：
[0054] S212、將質(zhì)量比為 0· 2 ?4 :0· 1 ?0· 6 :0· 1 ?2 :0· 1 ?0· 6 :0· 002 ?0· 02 :0· 1 ? 0· 5 :0· 01 ?0· 5 :0· 01 ?2 的 Bi203、MnC03、Co304、Ni0、Al (N03)3、Ti02、Nb205 和 Sb203 的混合 物和去離子水混合，磨碎形成漿料。
[0055] 將混合物磨成成漿料的操作可以采用砂磨機(jī)對(duì)混合物進(jìn)行砂磨，制成漿料。磨碎 至漿料的粒度D50值小于1 μ m。
[0056] S214、往漿料中加入ZnO和去離子水，其中，ZnO和Bi203的質(zhì)量比為94?96 : 0.2?4,磨碎后得到原料漿。
[0057] 往漿料中加入ZnO和去離子水之前，先將S212得到的漿料抽入球磨罐中，接著采 用球磨法進(jìn)行球磨。球磨的時(shí)間可以為16h?24h。
[0058] 加入的去離子水的量可以和加入的ZnO的量相同。
[0059] S220、往原料漿中加入膠黏劑造粒，壓制成型得到陶瓷生坯。
[0060] 膠黏劑可以為聚乙烯醇水溶液?？梢岳斫?，膠黏劑也可以為其他物質(zhì)。
[0061] 膠黏劑和原料漿的質(zhì)量比可以為〇· 18?0· 23:1。
[0062] 往原料漿中加入膠黏劑造粒的操作中，可以噴霧干燥法造粒，將原料漿做成干粉。
[0063] 壓制成型得到陶瓷生坯的操作中，可以使用壓機(jī)干壓成型。
[0064] S230、將陶瓷生坯在500°C?550°C保溫2h?4h，再升溫至1180°C?1220°C燒結(jié) 2h?6h，得到低壓壓敏電阻陶瓷片。
[0065] 將陶瓷生坯在500°C?550°C保溫2h?4h，可以將膠黏劑排出。
[0066] S240、將低壓壓敏電阻陶瓷片的表面涂覆銀漿料，接著在550°C?570°C保溫 lOmin?15min，得到壓敏電阻芯片。
[0067] 將低壓壓敏電阻陶瓷片的表面涂覆銀漿料的操作中，采用絲網(wǎng)印刷的方式將銀漿 料印刷在低壓壓敏電阻陶瓷片的表面。當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，也可以采用直接刷涂的方 式進(jìn)行涂覆。
[0068] 低壓壓敏電阻陶瓷片表面涂覆的銀漿料在550°C?570°C保溫lOmin?15min后， 形成銀電極層。即采用燒滲法在低壓壓敏電阻陶瓷片上形成銀電極層。
[0069] S250、將壓敏電阻芯片進(jìn)行退火處理，接著在壓敏電阻芯片上焊接鍍錫銅線，包 封、固化后得到低壓壓敏電阻器。
[0070] 將壓敏電阻芯片進(jìn)行退火處理的操作為，將壓敏電阻芯片在500°C?600°C保溫 3h?5h，接著降溫至常溫。降溫至常溫的操作中，采用0. 5°C /min?1°C /min的降溫速率 降至常溫。
[0071] 包封可以采用環(huán)氧樹脂進(jìn)行包封。
[0072] 在壓敏電阻芯片上焊接鍍錫銅線的操作中，采用250°C?260°C的焊接溫度在壓 敏電阻芯片上焊接鍍錫銅線。
[0073] 上述低壓壓敏電阻器的制備方法，在得到壓敏電阻芯片后進(jìn)行退火處理，能夠提 高銀電極層和低壓壓敏電阻陶瓷片的結(jié)合強(qiáng)度，并且能夠使低壓壓敏電阻陶瓷片內(nèi)的晶體 結(jié)構(gòu)更致密，更穩(wěn)定，從而提高低壓壓敏電阻器承受8/20 μ s波形的雷擊電流的能力。
[0074] 上述低壓壓敏電阻器的制備方法制備得到的低壓壓敏電阻器，其壓敏電壓值在 16V?68V，8/20 μ s波形的通流性能比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T10348-93的要求有大幅的提高。 [0075] 下面為具體實(shí)施例部分。
[0076] 實(shí)施例1
[0077] 將質(zhì)量比為 0· 2 :0· 1 :0· 1 :0· 1 :0· 02 :0· 1 :0· 5 :0· 01 的 Bi203、MnC03、C〇304、NiO、 A1 (N03)3、Ti02、Nb205和Sb 203的混合物以及和該混合物質(zhì)量相等的水混合后，采用砂磨機(jī)磨 碎形成漿料。漿料的粒度D50值小于1 μ m。
[0078] 將漿料抽入球磨罐中，接著往漿料中加入ZnO和去離子水，ZnO和Bi20 3的質(zhì)量比 為94 :0. 2,去離子水的加入量和ZnO的加入量相同，接著球磨24h，得到原料漿。
[0079] 往原料漿中加入該原料漿總質(zhì)量18%的聚乙烯醇水溶液，采用噴霧干燥法造粒， 將原料漿做成干粉。接著使用壓機(jī)干壓成型得到陶瓷生坯。
[0080] 將陶瓷生坯在500°C下保溫3h后，再升溫至1220°C，接著燒結(jié)2h，得到低壓壓敏電 阻陶瓷片。
[0081] 采用絲網(wǎng)印刷的方式在低壓壓敏電阻陶瓷片的表面涂覆銀漿料，接著在550°C下 保溫15min，得到壓敏電阻芯片。
[0082] 將壓敏電阻芯片在500°C下保溫5h，接著以0. 5°C /min的降溫速率降至常溫。在 降溫后的壓敏電阻芯片上采用260°C的焊接溫度焊接鍍錫銅線，接著采用環(huán)氧樹脂進(jìn)行包 封，固化后得到所述低壓壓敏電阻器。
[0083] 按此方法生產(chǎn)的MYG2-20K低壓壓敏電阻器采用壓敏電阻三參數(shù)儀測試壓敏電 壓，采用8/20 μ S波形沖擊電流發(fā)生器測試最大流通量，得到壓敏電壓為16V，最大通流量 2000Α，沖擊次數(shù)10次，比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T10348-93相同規(guī)格產(chǎn)品的技術(shù)要求有明顯提高。
[0084] 實(shí)施例2
[0085] 將質(zhì)量比為 1. 2 :0· 4 :0· 6 :0· 2 :0· 02 :0· 5 :0· 1 :0· 01 的 Bi203、MnC03、C〇304、NiO、 A1 (N03)3、Ti02、Nb205和Sb 203的混合物以及和該混合物質(zhì)量相等的水混合后，采用砂磨機(jī)磨 碎形成粒度D50值小于1 μ m的漿料。
[0086] 將漿料抽入球磨罐中，接著往漿料中加入ZnO和去離子水，ZnO和Bi20 3的質(zhì)量比 為97 :1. 2,去離子水的加入量和ZnO的加入量相同，然后球磨16小時(shí)，得到原料漿。
[0087] 往原料漿中加入該原料漿總質(zhì)量20%的PVA膠水混合均勻后，用噴霧干燥法做成 干粉。接著使用壓機(jī)干壓成型得到陶瓷生坯。
[0088] 將陶瓷生坯在550°C，保溫2h排膠后，再升溫至1200°C，接著燒結(jié)4h，得到低壓壓 敏電阻陶瓷片。
[0089] 采用絲網(wǎng)印刷的方式在低壓壓敏電阻陶瓷片的表面印刷上銀漿料，接著在570°C， 保溫10min的工藝燒滲獲得壓敏電阻芯片。
[0090] 將壓敏電阻芯片在600°C下保溫3h，接著以1°C /min的降溫速率降至常溫。在降 溫后的壓敏電阻芯片上采用258°C的焊接溫度焊接鍍錫銅線，接著采用環(huán)氧樹脂進(jìn)行包封， 固化后得到低壓壓敏電阻器成品。
[0091] 按此方法生產(chǎn)的MYG2-20K低壓壓敏電阻器采用壓敏電阻三參數(shù)儀測試壓敏電 壓，采用8/20 μ S波形沖擊電流發(fā)生器測試最大流通量，得到壓敏電壓為18V，最大通流量 2000Α，沖擊次數(shù)10次，比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T10348-93相同規(guī)格產(chǎn)品的技術(shù)要求有明顯提高。
[0092] 實(shí)施例3
[0093] 將質(zhì)量比為 1. 8 :0· 6 :1 :0· 4 :0· 005 :0· 1 :0· 01 :0· 02 的 Bi203、MnC03、C〇304、NiO、 A1 (N03)3、Ti02、Nb205和Sb 203的混合物以及和該混合物質(zhì)量相等的水混合后，采用砂磨機(jī)磨 碎形成漿料。漿料的粒度D50值小于1 μ m。
[0094] 將漿料抽入球磨罐中，接著往漿料中加入ZnO和去離子水，ZnO和Bi20 3的質(zhì)量比 為96 :1. 8,去離子水的加入量和ZnO的加入量相同，然后球磨20h，得到原料漿。
[0095] 再往原料漿中加入該原料漿總質(zhì)量20%的PVA膠水混合均勻后，用噴霧干燥法做 成干粉。接著使用壓機(jī)干壓得到陶瓷生坯。
[0096] 將陶瓷生坯在530°C，保溫2h排膠后，再升溫至1180°C，接著燒結(jié)2h，得到低壓壓 敏電阻陶瓷片。
[0097] 采用絲網(wǎng)印刷的方式在低壓壓敏電阻陶瓷片的表面印刷上銀漿料后，接著在 550°C，保溫lOmin的工藝燒滲獲得壓敏電阻芯片。
[0098] 將壓敏電阻芯片在550°C保溫4h，接著0. 5°C /min的的降溫速率降至常溫。在降 溫后的壓敏電阻芯片上采用260°C的焊接溫度焊接鍍錫銅線，接著采用環(huán)氧樹脂進(jìn)行包封， 固化后得到低壓壓敏電阻器成品。
[0099] 按此方法生產(chǎn)的MYG2-20K低壓壓敏電阻器采用壓敏電阻三參數(shù)儀測試壓敏電 壓，采用8/20 μ S波形沖擊電流發(fā)生器測試最大流通量，得到壓敏電壓為27V，最大通流量 2000Α，沖擊次數(shù)10次，比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T10348-93相同規(guī)格產(chǎn)品的技術(shù)要求有明顯提高。
[0100] 實(shí)施例4
[0101] 將質(zhì)量比為 2 :0· 4 :1· 3 :0· 5 :0· 02 :0· 2 :0· 03 :1· 4 的 Bi203、MnC03、C〇304、NiO、 A1 (N03)3、Ti02、Nb205和Sb 203的混合物以及和該混合物質(zhì)量相等的水混合后，采用砂磨機(jī)磨 碎形成漿料。漿料的粒度D50值小于1 μ m。
[0102] 將漿料抽入球磨罐中，接著往漿料中加入ZnO和去離子水，ZnO和Bi20 3的質(zhì)量比 為95 :2,去離子水的加入量和ZnO的加入量相同，然后球磨18h，得到原料漿。
[0103] 再往原料漿中加入該原料漿總質(zhì)量20%的PVA膠水混合均勻后，用噴霧干燥法做 成干粉。用上述方法制作的干粉，接著使用壓機(jī)干壓成型得到陶瓷生坯。
[0104] 將陶瓷生坯在550°C，保溫2h排膠后，再升溫至1220°C，接著燒結(jié)6h，得到低壓壓 敏電阻陶瓷片。
[0105] 采用絲網(wǎng)印刷的方式在低壓壓敏電阻陶瓷片的表面印刷上銀漿料后，接著在 530°C，保溫lOmin的工藝燒滲獲得壓敏電阻芯片。
[0106] 將壓敏電阻芯片在530°C保溫3h，接著以1°C /min的降溫速率降至常溫。在降溫 后的壓敏電阻芯片上采用260°C的焊接溫度焊接鍍錫銅線，接著采用環(huán)氧樹脂進(jìn)行包封，固 化后最終制成低壓壓敏電阻器成品。
[0107] 按此方法生產(chǎn)的MYG2-20K低壓壓敏電阻器采用壓敏電阻三參數(shù)儀測試壓敏電 壓，采用8/20 μ S波形沖擊電流發(fā)生器測試最大流通量，得到壓敏電壓為47V，最大通流量 8000Α，沖擊次數(shù)2次，比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T10348-93相同規(guī)格產(chǎn)品的技術(shù)要求有明顯提高。
[0108] 實(shí)施例5
[0109] 將質(zhì)量比為 4 :0· 6 :2 :0· 6 :0· 002 :0· 5 :0· 01 :2 的 Bi203、MnC03、C〇304、NiO、 A1 (N03)3、Ti02、Nb205和Sb 203的混合物以及和該混合物質(zhì)量相等的水混合后，采用砂磨機(jī)磨 碎形成漿料。漿料的粒度D50值小于1 μ m。
[0110] 將漿料抽入球磨罐中，接著往漿料中加入ZnO和去離子水，ZnO和Bi20 3的質(zhì)量比 為96 :4,去離子水的加入量和ZnO的加入量相同，接著球磨16h，得到原料漿。
[0111] 往原料漿中加入該原料漿總質(zhì)量23%的聚乙烯醇水溶液，采用噴霧干燥法造粒， 將原料漿做成干粉。接著使用壓機(jī)干壓成型得到陶瓷生坯。
[0112] 將陶瓷生坯在550°C下保溫4h后，再升溫至1180°C，接著燒結(jié)2h，得到低壓壓敏電 阻陶瓷片。
[0113] 采用絲網(wǎng)印刷的方式在低壓壓敏電阻陶瓷片的表面涂覆銀漿料，接著在570°C下 保溫lOmin，得到壓敏電阻芯片。
[0114] 將壓敏電阻芯片在600°C下保溫3h，接著以1°C /min的降溫速率降至常溫。
[0115] 在降溫后的壓敏電阻芯片上采用250°C的焊接溫度焊接鍍錫銅線，接著采用環(huán)氧 樹脂進(jìn)行包封，固化后得到所述低壓壓敏電阻器。
[0116] 按此方法生產(chǎn)的MYG2-20K低壓壓敏電阻器采用壓敏電阻三參數(shù)儀測試壓敏電 壓，采用8/20 μ S波形沖擊電流發(fā)生器測試最大流通量，得到壓敏電壓為68V，最大通流量 8000Α，沖擊次數(shù)2次，比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T10348-93相同規(guī)格產(chǎn)品的技術(shù)要求有明顯提高。
[0117] 以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保 護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種低壓壓敏電阻陶瓷片，其特征在于，所述低壓壓敏電阻陶瓷片由混合粉末燒結(jié) 形成，所述混合粉末包括質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為94%?96%的Ζη0、0. 2%?4%的Bi203、0. 1%? 0· 6 % 的 MnC03、0. 1 % ?2 % 的 C〇304、0. 1 % ?0· 6 % 的 Ni0、0. 002 % ?0· 02 % 的 A1 (N03) 3、 0.1%?0.5%的1102、0.01%?0.5%的恥20 5 以及0.01%?2%的513203。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓壓敏電阻陶瓷片，其特征在于，所述混合粉末包括質(zhì)量 百分?jǐn)?shù)為 94. 15% 的 ZnO、2% 的 Bi203、0. 4% 的 MnC03、l. 3% 的 C〇304、0. 5% 的 Ni0、0. 02% 的 Α1(Ν03)3、0· 2%的 Ti02、0. 03%的 Nb205 以及 1. 4%的 Sb203。
3. -種低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供含有質(zhì)量比為94?96 :0· 2?4 :0· 1?0· 6 :0· 1?2 :0· 1?0· 6 :0· 002?0· 02 : 0· 1 ?0· 5 :0· 01 ?0· 5 :0· 01 ?2 的 Zn0、Bi203、MnC03、Co30 4、Ni0、Al(N03)3、Ti02、Nb20jP Sb 203的原料漿； 往所述原料漿中加入膠黏劑造粒，壓制成型得到陶瓷生坯； 將所述陶瓷生坯在500°C?550°C保溫2h?4h，再升溫至1180°C?1220°C燒結(jié)2h? 6h，得到所述低壓壓敏電阻陶瓷片。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法，其特征在于，所述膠黏劑 為聚乙烯醇水溶液。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法，其特征在于，所述原料漿 通過如下步驟制備： 將質(zhì)量比為 〇· 2 ?4 :0· 1 ?0· 6 :0· 1 ?2 :0· 1 ?0· 6 :0· 002 ?0· 02 :0· 1 ?0· 5 : 0· 01 ?0· 5 :0· 01 ?2 的 Bi203、MnC03、Co304、Ni0、Al (N03)3、Ti02、Nb205 和 Sb203 的混合物和 去離子水混合，磨碎形成漿料； 往所述漿料中加入ZnO和去離子水，其中，ZnO和Bi203的質(zhì)量比為94?96 :0. 2?4， 磨碎后得到所述原料漿。
6. -種低壓壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供含有質(zhì)量比為94?96 :0· 2?4 :0· 1?0· 6 :0· 1?2 :0· 1?0· 6 :0· 002?0· 02 : 0· 1 ?0· 5 :0· 01 ?0· 5 :0· 01 ?2 的 Zn0、Bi203、MnC03、Co30 4、Ni0、Al(N03)3、Ti02、Nb20jP Sb 203的原料漿； 往所述原料漿中加入膠黏劑造粒，壓制成型得到陶瓷生坯； 將所述陶瓷生坯在500°C?550°C保溫2h?4h，再升溫至1180°C?1220°C燒結(jié)2h? 6h，得到所述低壓壓敏電阻陶瓷片； 將所述低壓壓敏電阻陶瓷片的表面涂覆銀漿料，接著在550°C?570°C保溫lOmin? 15min，得到壓敏電阻芯片； 將所述壓敏電阻芯片進(jìn)行退火處理，接著在所述壓敏電阻芯片上焊接鍍錫銅線，包封、 固化后得到所述低壓壓敏電阻器。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的低壓壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，將所述壓敏電阻 芯片進(jìn)行退火處理的操作為，將所述壓敏電阻芯片在500°C?600°C保溫3h?5h，接著降溫 至常溫。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的低壓壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，將所述壓敏電阻 芯片在500°C?600°C保溫3h?5h，接著降溫至常溫的操作中，采用0. 5°C /min?1°C /min 的降溫速率降至常溫。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的低壓壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，將所述低壓壓敏 電阻陶瓷片的表面涂覆銀漿料的操作中，采用絲網(wǎng)印刷的方式將所述銀漿料印刷在所述低 壓壓敏電阻陶瓷片的表面。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的低壓壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，在所述壓敏電阻 芯片上焊接鍍錫銅線的操作中，采用250°C?260°C的焊接溫度在所述壓敏電阻芯片上焊 接鍍錫銅線。
【文檔編號(hào)】C04B35/453GK104086170SQ201410259346
【公開日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年6月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月11日
【發(fā)明者】梁戈仁, 鄧佩佳 申請(qǐng)人:廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司