專利名稱：一種Y₂SiO₅ 晶須增韌Y₂SiO₅ 復(fù)合涂層的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高溫抗氧化涂層的制備方法，具體涉及一種Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的制備方法。
背景技術(shù)：
碳/碳(C/C)復(fù)合材料具有熱膨脹系數(shù)低、密度低、耐高溫、耐燒蝕、高強度、高模量等優(yōu)異性能，特別是在惰性氣氛的2200°C以內(nèi)條件下其強度和模量隨溫度升高而增加的優(yōu)異性能，使其在航空航天領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。然而，C/C復(fù)合材料在超過450°C的有氧環(huán)境就會被氧化，氧化質(zhì)量損失導(dǎo)致其強度下降，限制了其在氧化氣氛下的廣泛應(yīng)用。因此，解決C/C復(fù)合材料高溫防氧化問題是充分利用其性能的關(guān)鍵。
提高C/C復(fù)合材料抗氧化性能主要有兩種途徑一種是基體改性技術(shù)；一種是表面涂層技術(shù)。研究表明，基體改性技術(shù)只適用于低溫段對C/C材料的氧化保護。而涂層技術(shù)則能夠有效解決C/C材料的高溫防氧化問題。長期以來，無論采用何種涂層，涂層與C/C基體之間或與SiC內(nèi)涂層之間的熱膨脹系數(shù)差異均會導(dǎo)致涂層中出現(xiàn)或多或少的裂紋，從而使涂層在抗氧化過程中快速失效[JF Huang, XR Zeng, HJ Li, et al. Influence of thepreparation temperature onthe phase, microstructure and anti-oxidation propertyofa SiC coating for C/Ccomposites [J], Carbon, 2004, 42:1517-1521.]。因此，如何使內(nèi)外涂層之間熱膨脹系數(shù)匹配一直是一個很難解決的問題，而硅酸釔即是一種熱膨脹系數(shù)與碳化硅非常接近的耐高溫材料。黃劍鋒[HuangJF, Li HJ, Zeng XR, et al. Preparation and oxidationkineticsmechanism of three layer multi-layer coatings coated carbon/carboncomposites[J]. Surface and Coating Technology, 2006，200 (18-19):5379-5385.]等開發(fā)了 Y2Si05/Y2Si207玻璃復(fù)合涂層，該復(fù)合涂層在1700°C的靜態(tài)空氣中經(jīng)過200h的抗氧化測試，氧化失重僅為2. 87X10_3g/cm2，但內(nèi)外涂層間的結(jié)合情況并不十分理想，成為制約涂層防氧化性能的關(guān)鍵問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種均勻、致密、無顯微裂紋、抗氧化性能優(yōu)異的Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的制備方法。為達到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是步驟I :采用包埋法在C/C復(fù)合材料基體表面制備SiC多孔內(nèi)涂層I)首先，取市售分析純的Si粉、C粉和WO3粉，按Si粉C粉W03粉= (Γ2) : (2^3) : (0. 5^1. 0)的質(zhì)量比配制包埋粉料，然后將預(yù)處理后的碳/碳復(fù)合材料放入石墨坩堝，并將其埋入包埋粉料中；2)其次，將石墨坩堝放入立式真空爐中，通入氬氣作為保護氣體，控制立式真空爐的升溫速度為1(T30°C /min，將爐溫從室溫升至150(Tl80(TC后，保溫I 3h后隨爐自然冷卻，用無水乙醇將完成包埋的碳/碳復(fù)合材料超聲清洗O. 5 lh，超聲功率為20(T400W ；3)最后，在5(T80°C的電熱鼓風(fēng)干燥箱中干燥得到帶有SiC多孔內(nèi)涂層的碳/碳復(fù)合材料；步驟2 :采用復(fù)合表面活性劑對Y2SiO5晶須進行表面改性I)將十六烷基苯磺酸鈉配制成濃度為O. 4^0. 6mol/L的溶液，將Y2SiO5晶須見專利“一種Y2SiO5晶須的制備方法”(專利申請?zhí)?01210137915. 8)浸泡在溶液中，超聲輻射3(T50min，超聲功率為30(T500W，然后過濾并分離出Y2SiO5晶須；2)將分離所得的Y2SiO5晶須與異丙醇按Y2SiO5晶須異丙醇=(6^12g)(10(T300ml)的比例配制成懸浮液，然后向懸浮液中按(O. 2^0. 4) g/mL加入碘，攪拌得到混合液； 步驟3 :采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y2SiO5晶須釘扎層I)將步驟2制得的混合液置于超聲電沉積裝置中，以步驟I制備的帶有多孔SiC內(nèi)涂層的C/C復(fù)合材料為陰極，以石墨為陽極，進行電沉積，超聲功率控制為10(T300W，溫度為2(T30°C，沉積電壓為5(T70V，沉積電流為O. Γο. 2Α，沉積時間為3飛min ；2)沉積結(jié)束后，將陰極的復(fù)合材料取下，用蒸餾水洗滌3飛次，在8(T12(TC干燥，即在帶有多孔SiC內(nèi)涂層的碳/碳復(fù)合材料上得到Y(jié)2SiO5晶須嵌入SiC孔隙的Y2SiO5晶須釘扎層；步驟4 :采用水熱電泳沉積法制備Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層I)取l(T30g Y2SiO5粉體懸浮于20(T400ml的異丙醇中，磁力攪拌l(T30h，隨后加入O. Ol"O. 05g的碘,磁力攪拌l(T30h,制備成懸浮液；2)以步驟3制得的帶有Y2SiO5晶須嵌入SiC孔隙的Y2SiO5晶須釘扎層的C/C復(fù)合材料作為沉積基體，固定沉積基體于陰極，陽極選用石墨板，將懸浮液倒入水熱電泳沉積反應(yīng)釜中，控制填充比為60 70%，加熱到8(Tl40°C后保溫，調(diào)整沉積電壓為12(Tl80V進行水熱電泳沉積，沉積6(T80min后停止通電，待試樣冷卻后取出，置于6(T80°C的烘箱中干燥，得到帶有Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的C/C復(fù)合材料試樣。所述的Si粉、C粉和WO3粉的粒度為20 30 μ m。所述的C/C復(fù)合材料預(yù)處理包換以下步驟I)取飛機剎車片用的2D-碳/碳復(fù)合材料，將其加工成6X6X6 12X12X 12mm3的立方體，并對其進行打磨倒角的表面處理，倒角為3(Γ50° ；2)然后分別用去離子水和無水乙醇各超聲清洗:Γ5次，每次清洗超聲時間為l(T30min，超聲功率為8(Tl20W，最后在5(T80°C的電熱鼓風(fēng)干燥箱中干燥。所述的Y2SiO5粉體的粒度為20 30 μ m。本發(fā)明借鑒晶須增韌陶瓷的思想[G Duan, HM Wang. High-temperaturewearresistance of a laser-clad y /Cr3Si metal silicide composite coating[J]. ScriptaMaterialia, 2002，46:107-111.]，將 Y2SiO5 晶須引入 Y2SiO5 外涂層和 SiC 內(nèi)涂層之間，使涂層基體相與晶須間界面有較為牢固的結(jié)合，從而減小了 Y2SiO5涂層與SiC內(nèi)涂層間因熱膨脹系數(shù)失配及組織結(jié)構(gòu)突變而引起的應(yīng)力，在一定程度上降低了涂層開裂與剝落的趨勢[曾燮榕，李賀軍，楊崢，等.表面硅化對C/C復(fù)合材料組織結(jié)構(gòu)的影響[J].金屬熱處理學(xué)報，2000，21 (2) :64-67.]。Y2SiO5F僅具有相當(dāng)高的熔點(1980°C)，并且在1973K的高溫下氧氣滲透率極低，僅為 I X lCTlclkg/OiTs) [OguraY, Kondo M, Mormoto T, et al. Oxygenpermeability ofY2SiO5[J], Materials Transactions, 2001，42(6) :1124-1130. ]。Y2SiO5 晶須作SY2SiO5 夕卜涂層與SiC內(nèi)涂層間的增韌材料，利用了相同物質(zhì)間及其良好的物理化學(xué)相容性，增強了內(nèi)外涂層、基體與內(nèi)復(fù)合涂層間的結(jié)合力，有效防止涂層高溫開裂和脫落的問題，在提高抗沖刷剪切應(yīng)力作用的同時還可大大提高抗氧化性能。有益效果I)本發(fā)明制得的Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層均勻，致密，無顯微裂紋，基體與 內(nèi)涂層以及內(nèi)外涂層之間的結(jié)合力明顯提高。2)本發(fā)明制得的Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層在1900°C的靜態(tài)空氣中可對C/C復(fù)合材料進行200h的有效防氧化保護，氧化失重率小于O. 9%。


圖I為實施例I制備的Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層斷面的SEM照片。
具體實施例方式以下結(jié)合實施例及附圖對本發(fā)明進行具體說明。實施例I :步驟I :C/C復(fù)合材料預(yù)處理I)取飛機剎車片用的2D-碳/碳復(fù)合材料，將其加工成6 X 6 X 6mm3的立方體，并對其進行打磨倒角的表面處理，倒角為30° ;2)然后分別用去離子水和無水乙醇各超聲清洗3次，每次清洗超聲時間為30min，超聲功率為80W，最后在50°C的電熱鼓風(fēng)干燥箱中干燥；步驟2 :采用包埋法在C/C復(fù)合材料基體表面制備SiC多孔內(nèi)涂層I)首先，取市售分析純的粒度為20 30 μ m的Si粉、C粉和WO3粉，按Si粉C粉冊3粉=1 2 :0. 5的質(zhì)量比配制包埋粉料，然后將預(yù)處理后的碳/碳復(fù)合材料放入石墨坩堝，并將其埋入包埋粉料中；2)其次，將石墨坩堝放入立式真空爐中，通入氬氣作為保護氣體，控制立式真空爐的升溫速度為10°c /min，將爐溫從室溫升至1500°C后，保溫3h后隨爐自然冷卻，用無水乙醇將完成包埋的碳/碳復(fù)合材料超聲清洗lh，超聲功率為200W ；3)最后，在50°C的電熱鼓風(fēng)干燥箱中干燥得到帶有SiC多孔內(nèi)涂層的碳/碳復(fù)合材料； 步驟3 :采用復(fù)合表面活性劑對Y2SiO5晶須進行表面改性I)將十六烷基苯磺酸鈉配制成濃度為O. 4mol/L的溶液，將Y2SiO5晶須見專利“一種Y2SiO5晶須的制備方法”(專利申請?zhí)?01210137915. 8)浸泡在溶液中，超聲輻射30min，超聲功率為500W，然后過濾并分離出Y2SiO5晶須；2)將分離所得的Y2SiO5晶須與異丙醇按Y2SiO5晶須異丙醇=6g 200ml的比例配制成懸浮液，然后向懸浮液中按O. 2g/mL加入碘,攪拌得到混合液；
步驟4 :采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y2SiO5晶須釘扎層I)將步驟3制得的混合液置于超聲電沉積裝置中，以步驟2制備的帶有多孔SiC內(nèi)涂層的C/C復(fù)合材料為陰極，以石墨為陽極，進行電沉積，超聲功率控制為200W，溫度為25°C，沉積電壓為50V，沉積電流為O. 1A，沉積時間為6min ；2)沉積結(jié)束后，將陰極的復(fù)合材料取下，用蒸餾水洗滌5次，在80°C干燥，即在帶有多孔SiC內(nèi)涂層的碳/碳復(fù)合材料上得到Y(jié)2SiO5晶須嵌入SiC孔隙的Y2SiO5晶須釘扎層；步驟5 :采用水熱電泳沉積法制備Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層I)取IOg粒度為20 30 μ m的Y2SiO5粉體懸浮于300ml的異丙醇中，磁力攪拌10h，隨后加入O. Olg的碘,磁力攪拌IOh,制備成懸浮液；
2)以步驟4制得的帶有Y2SiO5晶須嵌入SiC孔隙的Y2SiO5晶須釘扎層的C/C復(fù)合材料作為沉積基體，固定沉積基體于陰極，陽極選用石墨板，將懸浮液倒入水熱電泳沉積反應(yīng)釜中，控制填充比為60%，加熱到80°C后保溫，調(diào)整沉積電壓為150V進行水熱電泳沉積，沉積60min后停止通電，待試樣冷卻后取出，置于70°C的烘箱中干燥，得到帶有Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的C/C復(fù)合材料試樣。由圖I可以看出所制備的Y2SiO5晶須在多孔SiC內(nèi)涂層與Y2SiO5外涂層間定向穿插，復(fù)合涂層均勻致密，沒有裂紋，Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層厚度約為10(Γ120 μ m。實施例2:步驟I :C/C復(fù)合材料預(yù)處理I)取飛機剎車片用的2D-碳/碳復(fù)合材料，將其加工成9 X 9 X 9mm3的立方體，并對其進行打磨倒角的表面處理，倒角為40° ;2)然后分別用去離子水和無水乙醇各超聲清洗4次，每次清洗超聲時間為lOmin，超聲功率為100W，最后在65°C的電熱鼓風(fēng)干燥箱中干燥；步驟2 :采用包埋法在C/C復(fù)合材料基體表面制備SiC多孔內(nèi)涂層I)首先，取市售分析純的粒度為20 30 μ m的Si粉、C粉和WO3粉，按Si粉C粉WO3粉=1. 5 3 :0. 8的質(zhì)量比配制包埋粉料，然后將預(yù)處理后的碳/碳復(fù)合材料放入石墨坩堝，并將其埋入包埋粉料中；2)其次，將石墨坩堝放入立式真空爐中，通入氬氣作為保護氣體，控制立式真空爐的升溫速度為20°C /min，將爐溫從室溫升至1650°C后，保溫2h后隨爐自然冷卻，用無水乙醇將完成包埋的碳/碳復(fù)合材料超聲清洗O. 5h，超聲功率為300W ；3)最后，在65°C的電熱鼓風(fēng)干燥箱中干燥得到帶有SiC多孔內(nèi)涂層的碳/碳復(fù)合材料；步驟3 :采用復(fù)合表面活性劑對Y2SiO5晶須進行表面改性I)將十六烷基苯磺酸鈉配制成濃度為O. 5mol/L的溶液，將Y2SiO5晶須見專利“一種Y2SiO5晶須的制備方法”(專利申請?zhí)?01210137915. 8)浸泡在溶液中，超聲輻射40min，超聲功率為300W，然后過濾并分離出Y2SiO5晶須；2)將分離所得的Y2SiO5晶須與異丙醇按Y2SiO5晶須異丙醇=9g: IOOml的比例配制成懸浮液，然后向懸浮液中按O. 3g/mL加入碘,攪拌得到混合液；步驟4 :采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y2SiO5晶須釘扎層
I)將步驟3制得的混合液置于超聲電沉積裝置中，以步驟2制備的帶有多孔SiC內(nèi)涂層的C/C復(fù)合材料為陰極，以石墨為陽極，進行電沉積，超聲功率控制為300W，溫度為20°C，沉積電壓為60V，沉積電流為O. 2A，沉積時間為4min ；2)沉積結(jié)束后，將陰極的復(fù)合材料取下，用蒸餾水洗滌3次，在100°C干燥，即在帶有多孔SiC內(nèi)涂層的碳/碳復(fù)合材料上得到Y(jié)2SiO5晶須嵌入SiC孔隙的Y2SiO5晶須釘扎層；步驟5 :采用水熱電泳沉積法制備Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層I)取20g粒度為20 30 μ m的Y2SiO5粉體懸浮于200ml的異丙醇中，磁力攪拌20h，隨后加入O. 03g的碘,磁力攪拌20h,制備成懸浮液；2)以步驟4制得的帶有Y2SiO5晶須嵌入SiC孔隙的Y2SiO5晶須釘扎層的C/C復(fù)合材料作為沉積基體，固定沉積基體于陰極，陽極選用石墨板，將懸浮液倒入水熱電泳沉積反應(yīng)釜中，控制填充比為65%，加熱到110°C后保溫，調(diào)整沉積電壓為120V進行水熱電泳沉 積，沉積70min后停止通電，待試樣冷卻后取出，置于60°C的烘箱中干燥，得到帶有Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的C/C復(fù)合材料試樣。實施例3 步驟I :C/C復(fù)合材料預(yù)處理I)取飛機剎車片用的2D-碳/碳復(fù)合材料，將其加工成12X 12X 12mm3的立方體，并對其進行打磨倒角的表面處理，倒角為50° ;2)然后分別用去離子水和無水乙醇各超聲清洗5次，每次清洗超聲時間為20min，超聲功率為120W，最后在80°C的電熱鼓風(fēng)干燥箱中干燥；步驟2 :采用包埋法在C/C復(fù)合材料基體表面制備SiC多孔內(nèi)涂層I)首先，取市售分析純的粒度為20 30 μ m的Si粉、C粉和WO3粉，按Si粉C粉WO3粉=2 :2. 5 :1. O的質(zhì)量比配制包埋粉料，然后將預(yù)處理后的碳/碳復(fù)合材料放入石墨坩堝，并將其埋入包埋粉料中；2)其次，將石墨坩堝放入立式真空爐中，通入氬氣作為保護氣體，控制立式真空爐的升溫速度為30°C /min，將爐溫從室溫升至1800°C后，保溫Ih后隨爐自然冷卻，用無水乙醇將完成包埋的碳/碳復(fù)合材料超聲清洗lh，超聲功率為400W ；3)最后，在80°C的電熱鼓風(fēng)干燥箱中干燥得到帶有SiC多孔內(nèi)涂層的碳/碳復(fù)合材料；步驟3 :采用復(fù)合表面活性劑對Y2SiO5晶須進行表面改性I)將十六烷基苯磺酸鈉配制成濃度為O. 6mol/L的溶液，將Y2SiO5晶須見專利“一種Y2SiO5晶須的制備方法”(專利申請?zhí)?01210137915. 8)浸泡在溶液中，超聲輻射50min，超聲功率為400W，然后過濾并分離出Y2SiO5晶須；2)將分離所得的Y2SiO5晶須與異丙醇按Y2SiO5晶須異丙醇=12g :300ml的比例配制成懸浮液，然后向懸浮液中按O. 4g/mL加入碘,攪拌得到混合液；步驟4 :采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y2SiO5晶須釘扎層I)將步驟3制得的混合液置于超聲電沉積裝置中，以步驟2制備的帶有多孔SiC內(nèi)涂層的C/C復(fù)合材料為陰極，以石墨為陽極，進行電沉積，超聲功率控制為100W，溫度為30°C，沉積電壓為70V，沉積電流為O. 1A，沉積時間為3min ；
2)沉積結(jié)束后，將陰極的復(fù)合材料取下，用蒸餾水洗滌4次，在120°C干燥，即在帶有多孔SiC內(nèi)涂層的碳/碳復(fù)合材料上得到Y(jié)2SiO5晶須嵌入SiC孔隙的Y2SiO5晶須釘扎層；步驟5 :采用水熱電泳沉積法制備Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層I)取30g粒度為20 30 μ m的Y2SiO5粉體懸浮于400ml的異丙醇中，磁力攪拌30h，隨后加入O. 05g的碘,磁力攪拌30h,制備成懸浮液；2)以步驟4制得的帶有Y2SiO5晶須嵌入SiC孔隙的Y2SiO5晶須釘扎層的C/C復(fù)合材料作為沉積基體，固定沉積基體于陰極，陽極選用石墨板，將懸浮液倒入水熱電泳沉積反應(yīng)釜中，控制填充比為70%，加熱到140°C后保溫，調(diào)整沉積電壓為180V進行水熱電泳沉 積，沉積SOmin后停止通電，待試樣冷卻后取出，置于80°C的烘箱中干燥，得到帶有Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的C/C復(fù)合材料試樣。
權(quán)利要求
1.一種Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于 步驟I:采用包埋法在C/C復(fù)合材料基體表面制備SiC多孔內(nèi)涂層 1)首先，取市售分析純的Si粉、C粉和WO3粉，按Si粉c粉:wo3粉= (Γ2) : (2^3) : (O. 5 I. O)的質(zhì)量比配制包埋粉料，然后將預(yù)處理后的碳/碳復(fù)合材料放入石墨坩堝，并將其埋入包埋粉料中； 2)其次，將石墨坩堝放入立式真空爐中，通入氬氣作為保護氣體，控制立式真空爐的升溫速度為1(T30°C /min，將爐溫從室溫升至150(Tl80(rC后，保溫l 3h后隨爐自然冷卻，用無水乙醇將完成包埋的碳/碳復(fù)合材料超聲清洗O. 5 lh，超聲功率為20(T400W ； 3)最后，在5(T80°C的電熱鼓風(fēng)干燥箱中干燥得到帶有SiC多孔內(nèi)涂層的碳/碳復(fù)合材料； 步驟2 :采用復(fù)合表面活性劑對Y2SiO5晶須進行表面改性 O將十六烷基苯磺酸鈉配制成濃度為O. 4^0. 6mol/L的溶液，將Y2SiO5晶須浸泡在溶液中，超聲輻射3(T50min，超聲功率為30(T500W，然后過濾并分離出Y2SiO5晶須； 2)將分離所得的Y2SiO5晶須與異丙醇按Y2SiO5晶須異丙醇=(6 12g) (10(T300ml)的比例配制成懸浮液，然后向懸浮液中按(O. 2^0. 4)g/mL加入碘，攪拌得到混合液； 步驟3 :采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y2SiO5晶須釘扎層 1)將步驟2制得的混合液置于超聲電沉積裝置中，以步驟I制備的帶有多孔SiC內(nèi)涂層的C/C復(fù)合材料為陰極，以石墨為陽極，進行電沉積，超聲功率控制為10(T300W，溫度為2(T30°C，沉積電壓為5(T70V，沉積電流為O. Γθ. 2Α，沉積時間為3 6min ； 2)沉積結(jié)束后，將陰極的復(fù)合材料取下，用蒸餾水洗滌3飛次，在8(T12(TC干燥，即在帶有多孔SiC內(nèi)涂層的碳/碳復(fù)合材料上得到Y(jié)2SiO5晶須嵌入SiC孔隙的Y2SiO5晶須釘扎層； 步驟4 :采用水熱電泳沉積法制備Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層 1)取l(T30gY2SiO5粉體懸浮于20(T400ml的異丙醇中，磁力攪拌l(T30h，隨后加入O.Ol"O. 05g的碘,磁力攪拌l(T30h,制備成懸浮液； 2)以步驟3制得的帶有Y2SiO5晶須嵌入SiC孔隙的Y2SiO5晶須釘扎層的C/C復(fù)合材料作為沉積基體，固定沉積基體于陰極，陽極選用石墨板，將懸浮液倒入水熱電泳沉積反應(yīng)釜中，控制填充比為60 70%，加熱到8(Tl40°C后保溫，調(diào)整沉積電壓為12(Tl80V進行水熱電泳沉積，沉積6(T80min后停止通電，待試樣冷卻后取出，置于6(T80°C的烘箱中干燥，得到帶有Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的C/C復(fù)合材料試樣。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于所述的Si粉、C粉和WO3粉的粒度為20 30 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于所述的C/C復(fù)合材料預(yù)處理包換以下步驟 1)取飛機剎車片用的2D-碳/碳復(fù)合材料，將其加工成6X 6 X 6 12 X 12 X 12mm3的立方體，并對其進行打磨倒角的表面處理，倒角為3(Γ50° ； 2)然后分別用去離子水和無水乙醇各超聲清洗:Γ5次，每次清洗超聲時間為l(T30min，超聲功率為8(Tl20W，最后在5(T80°C的電熱鼓風(fēng)干燥箱中干燥。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于所述的Y2SiO5粉體的粒度為20 30 μ m?！?br> 全文摘要
一種Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層的制備方法，采用包埋法在C/C復(fù)合材料基體表面制備SiC多孔內(nèi)涂層，然后制備Y2SiO5晶須并采用復(fù)合表面活性劑對Y2SiO5晶須進行表面改性，采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y2SiO5晶須釘扎層，采用水熱電泳沉積法制備Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層。本發(fā)明制得的Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層均勻，致密，無顯微裂紋，基體與內(nèi)涂層以及內(nèi)外涂層之間的結(jié)合力明顯提高。本發(fā)明制得的Y2SiO5晶須增韌Y2SiO5復(fù)合涂層在1900℃的靜態(tài)空氣中可對C/C復(fù)合材料進行200h的有效防氧化保護，氧化失重率小于0.9%。
文檔編號C04B41/89GK102964147SQ201210458139
公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月14日
發(fā)明者黃劍鋒, 楊柳青, 曹麗云, 王雅琴, 費杰 申請人:陜西科技大學(xué)