專利名稱：一種鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種復(fù)合薄膜及其制備方法，具體說，是涉及一種鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜及其制備方法，屬于磁電材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
多鐵性材料不僅具有單一的鐵性(如鐵電性、鐵磁性和鐵彈性)，而且不同鐵性之間的耦合協(xié)同作用會產(chǎn)生新的磁電效應(yīng)。利用磁電效應(yīng)，鐵電/鐵磁材料可以用在磁電轉(zhuǎn)換器上。由于鐵電材料具有電滯損耗，鐵磁材料具有磁滯損耗，鐵電/鐵磁材料兼有兩種材料的損耗，可開發(fā)出抗電磁干擾器件；另外，鐵電/鐵磁材料同時具有電容和電感兩種特性，開發(fā)出的濾波器可減小空間消耗，從而可取代現(xiàn)在的無源濾波器，實現(xiàn)小型化。隨著信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，本著對高速度、大容量、低損耗等更佳性能的追求，人們對器件的集成化和小型化提出了越來越高的要求，磁電復(fù)合薄膜由于具有良好的微電子工藝兼容特性和良好的性能，在換能器、傳感器、存儲器等高技術(shù)領(lǐng)域具有巨大應(yīng)用潛力。但目前在此方面的研究還處在初級階段，存在許多尚未解決的工藝、物理和電子學(xué)器件的制備等方面的問題，使得磁電復(fù)合薄膜的研究成為眾多研究者關(guān)注的熱點。鉛基鈣鈦礦氧化物薄膜在微電子領(lǐng)域有著廣泛的潛在的應(yīng)用(紅外探測器、非揮發(fā)性存儲器、壓電換能器及微型馬達(dá)等)。近幾年BaxSivxTiO3薄膜由于其居里溫度可通過改變Ba/Sr比在很寬的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，且具有良好的可調(diào)諧性和對電場快速反應(yīng)的能力等優(yōu)點使人們對其進(jìn)行了大量的研究。然而，其高的生成溫度和大的漏電流限制了它在實際生產(chǎn)中的應(yīng)用。與BaxSivxTiO3相比，PbxSr(1_x)Ti03有類似的性能，且只顯示有三方到四方相一個相變，而BaxSivxTiO3顯示三個相變，不可避免在微波頻段出現(xiàn)大的損耗；更重要的是， PbxSr(1_x)Ti03的鐵電臨界尺寸較小，晶化溫度低，制備工藝與Si微電子工藝兼容，更能滿足高性能集成電路的要求。鑭鍶錳氧薄膜是一類用途十分廣泛的功能材料，LSMO具有較高的磁致伸縮性能， 具有與PST相似的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，同時它可以作為電極材料使器件工藝簡化；另外，這類材料具有高于室溫的居里溫度，且其金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變溫度附近，其紅外輻射特性隨之發(fā)生顯著變化，同時還具有耐強酸、耐水氣、耐高溫等化學(xué)性能；并且它是巨磁阻材料，巨磁阻效應(yīng)與磁電效應(yīng)組合可能有新的效應(yīng)和現(xiàn)象。人們已采用了多種方法制備PST薄膜和LSMO薄膜，如化學(xué)溶液法、脈沖激光沉積、 射頻磁控濺射等。與其他制備方法相比，化學(xué)溶液法制備薄膜有很多優(yōu)點工藝簡單，成本低，化學(xué)計量比易于控制，可以制備出大面積均勻的薄膜。到目前為止，雖有采用化學(xué)溶液法制備PST薄膜和LSMO薄膜的溶液，但基本上都采用金屬醇鹽(毒性較大)或硝酸鹽(加熱分解會釋放氮的氧化物)為溶質(zhì)，甲醇、乙二醇甲醚有毒試劑為溶劑，且其生長出的薄膜表面有裂紋。雖然現(xiàn)有技術(shù)中已有關(guān)于鈦酸鍶鉛薄膜及鑭鍶錳氧薄膜的研究報道，但至今未見由鈦酸鍶鉛薄膜與鑭鍶錳氧薄膜組成的復(fù)合薄膜的相關(guān)報道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一是提供一種具有良好的電學(xué)性能、鐵磁性能及具有磁介電效應(yīng)的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜，為磁電材料領(lǐng)域增添一類新品種；本發(fā)明的目的之二是提供一種不僅工藝簡單、環(huán)境污染小、制備成本低，而且制備的薄膜面積大、均勻且不開裂、 性能穩(wěn)定、適于工業(yè)化生產(chǎn)的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜的制備方法。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下本發(fā)明提供的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜，為層狀結(jié)構(gòu)，是由鈦酸鍶鉛薄膜層、 鑭鍶錳氧薄膜層及基底層依次由上至下層疊而成。所述鈦酸鍶鉛的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為PbxSr(1_x)Ti03，其中，0. 4彡χ彡0. 7。
所述鑭鍶錳氧的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為Leiq. 7Sr0.3Μη03。所述基底層為單晶片，如MgO、YIG、LaAW3、SrTiO3或Si單晶片。本發(fā)明提供的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜的制備方法，包括如下具體步驟A、前驅(qū)體溶液的制備1)將醋酸鑭、醋酸鍶和醋酸錳三種溶質(zhì)按配比加入醋酸和去離子水中，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解；在室溫下靜置、過濾，制得穩(wěn)定的鑭鍶錳氧(LSMO)前驅(qū)體溶液；2)將配比量的醋酸鉛、醋酸鍶溶于醋酸或醋酸和去離子水中，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解；冷卻到室溫，加入適量穩(wěn)定劑乙酰丙酮和配比量的鈦酸丁酯，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解；冷卻到室溫，靜置、過濾，制得穩(wěn)定的鈦酸鍶鉛(PST)前驅(qū)體溶液；B、復(fù)合薄膜的制備是采用旋轉(zhuǎn)鍍膜法先在基底片上制備所需要厚度的鑭鍶錳氧薄膜，再在所制得的鑭鍶錳氧薄膜上制備所需要厚度的鈦酸鍶鉛薄膜，具體操作是1)將配制好的鑭鍶錳氧(LSMO)前驅(qū)體溶液勻速滴加到高速旋轉(zhuǎn)的清洗過的基底片上得到鑭鍶錳氧凝膠膜；置入退火爐中進(jìn)行分段熱處理；甩膠次數(shù)由所需要的鑭鍶錳氧薄膜的厚度決定；2)將配制好的鈦酸鍶鉛(PST)前驅(qū)體溶液勻速滴加到高速旋轉(zhuǎn)的上步制得的鑭鍶錳氧薄膜上，得到鈦酸鍶鉛凝膠膜；置入退火爐中進(jìn)行分段熱處理；甩膠次數(shù)由所需要的鈦酸鍶鉛薄膜的厚度決定；3)快速冷卻到室溫，即得本發(fā)明所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜。所述醋酸鑭、醋酸鍶和醋酸錳三種溶質(zhì)的摩爾比推薦為7 3 10。所述醋酸鉛、醋酸鍶和鈦酸丁酯三種溶質(zhì)的摩爾比推薦為(1.05 1. 15) χ 1-x 1，其中，0. 4 彡 χ 彡 0. 7。所述鑭鍶錳氧前驅(qū)體溶液及鈦酸鍶鉛前驅(qū)體溶液的摩爾濃度均優(yōu)選為0. 1 0.4mol/Lo所述高速旋轉(zhuǎn)是指轉(zhuǎn)速為3000 6000轉(zhuǎn)/分。所述分段熱處理是指先在150 20(TC下，保溫2 4分鐘；再在340 440°C 下，熱解3 30分鐘；最后在600 800°C下，退火3 60分鐘。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果1)本發(fā)明的復(fù)合薄膜具有均勻性好、粗糙度小、無微裂紋，性能穩(wěn)定，且具有良好的電學(xué)性能、鐵磁性能及磁介電效應(yīng)等優(yōu)點，可與半導(dǎo)體集成電路技術(shù)相兼容，用于制造集成的多功能磁/電器件如微型傳感器，MEMS器件，高密度的信息存儲器件等。2)本發(fā)明的制備方法是采用醋酸和水為溶劑，原料價廉、無毒，環(huán)境污染小，工藝簡單，無需特殊設(shè)備，適合規(guī)?；a(chǎn)。


圖1是本發(fā)明提供的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中a為鈦酸鍶鉛薄膜層、b為鑭鍶錳氧薄膜層、c為基底層。圖2是實施例1制得的復(fù)合薄膜在不同頻率下的電滯回線圖。圖3是實施例1制得的復(fù)合薄膜在不同電壓下的電滯回線圖。圖4是實施例1制得的復(fù)合薄膜的磁滯回線圖。圖5是實施例1制得的復(fù)合薄膜的磁化強度隨溫度變化的關(guān)系曲線圖。圖6是實施例1制得的復(fù)合薄膜在偏置磁場下的介電頻譜圖，其測試溫度為300K。圖7是實施例1制得的復(fù)合薄膜在50kHz時的磁電容和磁損耗隨偏置磁場變化的關(guān)系曲線圖。圖8是實施例2制得的復(fù)合薄膜在3kHz下測得的介電溫譜圖。圖9是實施例2制得的復(fù)合薄膜在100K、200K、300K下的介電頻譜圖。具體實施方法下面結(jié)合實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)、完整地說明，但并不限制本發(fā)明的內(nèi)容。實施例1Α、前驅(qū)體溶液的制備稱取0. 0042mol醋酸鑭、0. 0018mol醋酸鍶和0. 0060mol醋酸錳，加入33ml醋酸和7ml水，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解，得到透明的黃色溶液；靜置2 3天，用0. 2μπι的微孔濾膜過濾，即得濃度為0. 15mol/L的穩(wěn)定的鑭鍶錳氧(I^a7Sra3MnO3)前驅(qū)體溶液；稱取0. 00693mol醋酸鉛、0. 0027mol醋酸鍶，加入25ml醋酸，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解，冷卻到室溫，加入5ml乙酰丙酮，得到透明的黃色溶液，再量取2. 7617ml鈦酸丁酯加入其中，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解，得到透明棕色溶液；靜置3 7天，用0. 2μ m的微孔濾膜過濾，即得濃度為0. 3mol/L的穩(wěn)定的鈦酸鍶鉛(Pba7Sra3TiO3)前驅(qū)體溶液(其中， Pb 過量 10% )。B、復(fù)合薄膜的制備將配制好的鑭鍶錳氧前驅(qū)體溶液勻速滴加到高速旋轉(zhuǎn)的清洗過的硅基片上，硅基片的轉(zhuǎn)速為5000轉(zhuǎn)/分，并保持30秒，得到一層鑭鍶錳氧凝膠膜；置入退火爐中，在200°C 加熱3分鐘，再在360°C熱解10分鐘，最后在750°C退火10分鐘；LSMO薄膜的甩膠層數(shù)為6 層，厚度約為llOnm。將配制好的鈦酸鍶鉛(PST)前驅(qū)體溶液勻速滴加到高速旋轉(zhuǎn)的上步制得的LSMO/ Si上，轉(zhuǎn)速為5000轉(zhuǎn)/分，并保持40秒，得到一層鈦酸鍶鉛凝膠膜；置入退火爐中，在180°C 加熱3分鐘，再在360°C熱解3分鐘，最后在650°C退火3分鐘；PST薄膜的甩膠層數(shù)為8層， 厚度約為680nm。快速冷卻到室溫，即得本實施例提供的I^ba7Sra3TiO3-LEia7Sra3MnO3復(fù)合薄膜，為層狀結(jié)構(gòu)，是由鈦酸鍶鉛薄膜層、鑭鍶錳氧薄膜層及硅基片依次由上至下層疊而成，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。C、性能檢測在對復(fù)合薄膜進(jìn)行電性能測試之前，先在薄膜表面濺射一層厚度約為IOOnm的鉬電極。(1)鐵電性能圖2和圖3為本實施例所制得的復(fù)合薄膜(SiA^a7Sra3Mn(VPba7Sra3TiO3)的電滯回線圖，圖2為復(fù)合薄膜在不同測試頻率下的電滯回線圖，由圖2可見隨測試頻率的增大，矯頑場和剩余極化降低；圖3為復(fù)合薄膜在不同電壓下的電滯回線圖，由圖3可見隨電壓的增大，薄膜的矯頑場和剩余極化增大。綜合圖2和圖3可見該復(fù)合薄膜具有良好的的鐵電性。(2)磁性能圖4為本實施例所制得的復(fù)合薄膜(SiA^a7Sra3Mn(VPba7Sra3TiO3)的磁滯回線圖，由圖4可見該復(fù)合薄膜具有良好的鐵磁性。圖5為本實施例所制得的復(fù)合薄膜(SiA^a7Sra3Mn(VPba7Sra3TiO3)的磁化強度隨溫度變化的關(guān)系曲線圖，由圖5可見該復(fù)合薄膜的居里溫度為34 ，在居里溫度之前都有鐵磁性。(3)磁介電性能圖6為本實施例所制得的復(fù)合薄膜(SiA^a7Sra3Mn(VPba7Sra3TiO3)偏置磁場下的介電頻譜圖，測試溫度為300K。由圖6可見該復(fù)合薄膜的介電損耗在頻率(100Hz IkHz)時，損耗較低，不隨磁場的變化而改變，頻率大于IkHz時，隨著頻率的增大，損耗也增大，但在偏置磁場下，隨場強的增大，而減小。介電常數(shù)隨著頻率的增大明顯減小，在頻率大于IOkHz以后，隨偏置磁場的增大，其介電常數(shù)明顯增大。圖7是本實施例所制得的復(fù)合薄膜(SiAAl7Sra3Mn(VPba7Sra3TiO3)在50kHz時的磁電容和磁損耗隨偏置磁場變化的關(guān)系曲線圖，由圖7可明顯看出該復(fù)合薄膜在偏置磁場下顯示磁介電效應(yīng)，其磁電容隨磁場的增大而增大，磁損耗隨磁場增大而減小。實施例2A、前驅(qū)體溶液的制備稱取0. 0042mol醋酸鑭、0. 0018mol醋酸鍶和0. 0060mol醋酸錳，加入32ml醋酸和8ml水，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解，得到透明的黃色溶液；靜置2 3天，用0. 2μ m的微孔濾膜過濾，即得濃度為0. 15mol/L的穩(wěn)定的鑭鍶錳氧(I^a7Sra3MnO3)前驅(qū)體溶液；稱取0. 0036mol醋酸鉛、0. 0054mol醋酸鍶，加入2細(xì)1醋酸和2ml水，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解，冷卻到室溫，加入4ml乙酰丙酮，得到透明的黃色溶液，再量取2. 7617ml 鈦酸丁酯加入其中，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解，得到透明棕色溶液；靜置3 7天，用 0. 2 μ m的微孔濾膜過濾，即得濃度為0. 3mol/L的穩(wěn)定的鈦酸鍶鉛(Pba4Sra6TiO3)前驅(qū)體溶液。B、復(fù)合薄膜的制備將配制好的鑭鍶錳氧前驅(qū)體溶液勻速滴加到高速旋轉(zhuǎn)的清洗過的硅基片上，硅基片的轉(zhuǎn)速為5000轉(zhuǎn)/分，并保持30秒，得到一層鑭鍶錳氧凝膠膜；置入退火爐中，在200°C加熱3分鐘，再在360°C熱解10分鐘，最后在750°C退火60分鐘；LSMO薄膜的甩膠層數(shù)為 12層，厚度約為230nm。將配制好的鈦酸鍶鉛(PST)前驅(qū)體溶液勻速滴加到高速旋轉(zhuǎn)的上步制得的LSMO/ Si上，轉(zhuǎn)速為5000轉(zhuǎn)/分，并保持40秒，得到一層鈦酸鍶鉛凝膠膜；置入退火爐中，在180°C 加熱3分鐘，再在360°C熱解3分鐘，最后在650°C退火30分鐘；PST薄膜的甩膠層數(shù)為4層厚度約為340nm?？焖倮鋮s到室溫，即得本實施例提供的Pba4Sra6TiO3-IAl7Sra3MnO3復(fù)合薄膜，為層狀結(jié)構(gòu)，是由鈦酸鍶鉛薄膜層、鑭鍶錳氧薄膜層及硅基片依次由上至下層疊而成，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。C、性能檢測圖8是本實施例制得的復(fù)合薄膜(SiAAl7Sra3Mn(VPba4Sra6TiO3)在3kHz下測得的介電溫譜圖，由圖8可見該復(fù)合薄膜的順電-鐵電轉(zhuǎn)變溫度在室溫附近；圖9是本實施例制得的復(fù)合薄膜(SizlEia7Sra3Mn(VPba4Sra6TiO3)在100K、200K、300K下的介電頻譜圖， 相比于200Κ和300Κ時薄膜的介電常數(shù)和損耗在100Κ時較小，這與圖8吻合。由圖9可見 從200Κ到300Κ之間，介電常數(shù)和介電損耗曲線都出現(xiàn)兩個峰，第二個峰對應(yīng)的是PST的鐵電-順電相變溫度，即Tc ；第一個峰與LSMO的金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變溫度相對應(yīng)。另外，實驗表明上述實施例中的硅基片可由MgO、YIG、LaAW3、SrTiO3等單晶片等同替換，其他內(nèi)容均與實施例1中所述相同，在此不再贅述。最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制本發(fā)明， 盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍中。
權(quán)利要求
1 一種鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜，其特征在于為層狀結(jié)構(gòu)，是由鈦酸鍶鉛薄膜層、鑭鍶錳氧薄膜層及基底層依次由上至下層疊而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜，其特征在于所述鈦酸鍶鉛的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為PbxSr(1_x)Ti03，其中，0. 4彡χ彡0. 7。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜，其特征在于所述鑭鍶錳氧的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為IAl7Sra3MnCV
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜，其特征在于所述基底層為單晶片。
5 根據(jù)權(quán)利要求4所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜，其特征在于所述基底層為 Mg0、HG、LaA103、SrTiO3 或 Si 單晶片。
6.一種權(quán)利要求1所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下具體步驟A、前驅(qū)體溶液的制備1)將醋酸鑭、醋酸鍶和醋酸錳三種溶質(zhì)按配比加入醋酸和去離子水中，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解；在室溫下靜置、過濾，制得穩(wěn)定的鑭鍶錳氧(LSMO)前驅(qū)體溶液；2)將配比量的醋酸鉛、醋酸鍶溶于醋酸或醋酸和去離子水中，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解；冷卻到室溫，加入適量穩(wěn)定劑乙酰丙酮和配比量的鈦酸丁酯，加熱到回流使溶質(zhì)完全溶解；冷卻到室溫，靜置、過濾，制得穩(wěn)定的鈦酸鍶鉛(PST)前驅(qū)體溶液；B、復(fù)合薄膜的制備是采用旋轉(zhuǎn)鍍膜法先在基底片上制備所需要厚度的鑭鍶錳氧薄膜，再在所制得的鑭鍶錳氧薄膜上制備所需要厚度的鈦酸鍶鉛薄膜，具體操作是1)將配制好的鑭鍶錳氧(LSMO)前驅(qū)體溶液勻速滴加到高速旋轉(zhuǎn)的清洗過的基底片上得到鑭鍶錳氧凝膠膜；置入退火爐中進(jìn)行分段熱處理；甩膠次數(shù)由所需要的鑭鍶錳氧薄膜的厚度決定；2)將配制好的鈦酸鍶鉛(PST)前驅(qū)體溶液勻速滴加到高速旋轉(zhuǎn)的上步制得的鑭鍶錳氧薄膜上，得到鈦酸鍶鉛凝膠膜；置入退火爐中進(jìn)行分段熱處理；甩膠次數(shù)由所需要的鈦酸鍶鉛薄膜的厚度決定；3)快速冷卻到室溫，即得本發(fā)明所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述醋酸鑭、醋酸鍶和醋酸錳三種溶質(zhì)的摩爾比為7 3 10。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述醋酸鉛、醋酸鍶和鈦酸丁酯三種溶質(zhì)的摩爾比為(1.05 1.15)x (1-x) 1，其中， 0. 4 彡 χ 彡 0. 7。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述鑭鍶錳氧前驅(qū)體溶液及鈦酸鍶鉛前驅(qū)體溶液的摩爾濃度均為0. 1 0. 4mol/L。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述高速旋轉(zhuǎn)是指轉(zhuǎn)速為3000 6000轉(zhuǎn)/分。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述分段熱處理是指先在150 200°C下，保溫2 4分鐘；再在340 440°C下，熱解3 30分鐘；最后在600 800°C下，退火3 60分鐘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鑭鍶錳氧-鈦酸鍶鉛復(fù)合薄膜，為層狀結(jié)構(gòu)，是由鈦酸鍶鉛薄膜層、鑭鍶錳氧薄膜層及基底層依次由上至下層疊而成。所述復(fù)合薄膜的制備是首先使用醋酸或醋酸和去離子水作為溶劑，制得穩(wěn)定的鑭鍶錳氧前驅(qū)體溶液和鈦酸鍶鉛前驅(qū)體溶液；再采用旋轉(zhuǎn)鍍膜法先在基底片上制備所需要厚度的鑭鍶錳氧薄膜，再在所制得的鑭鍶錳氧薄膜上制備所需要厚度的鈦酸鍶鉛薄膜，最后快速冷卻到室溫即可。本發(fā)明的復(fù)合薄膜具有均勻性好、粗糙度小、無微裂紋，性能穩(wěn)定，且具有良好的電學(xué)性能、鐵磁性能及磁介電效應(yīng)等優(yōu)點，可與半導(dǎo)體集成電路技術(shù)相兼容，用于制造集成的多功能磁/電器件，且制備工藝簡單，原料價廉、無毒，污染小，適合規(guī)模化生產(chǎn)。
文檔編號C04B35/622GK102179967SQ20101061393
公開日2011年9月14日 申請日期2010年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月30日
發(fā)明者張帥, 王根水, 董顯林, 陳瑩 申請人:中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所