基于二氧化鈦/鈦酸鍶異質(zhì)結(jié)的紫外光探測器及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了基于二氧化鈦/鈦酸鍶異質(zhì)結(jié)的紫外光探測器，紫外光探測器從下到上依次包括超薄硅片襯底、采用溶膠凝膠法在硅片襯底上生長的納米SrTiO3薄膜與納米ZnO薄膜構(gòu)成的ZnO/SrTiO3異質(zhì)結(jié)有源層、在ZnO/SrTiO3異質(zhì)結(jié)有源層上用磁控濺射法制備的Au叉指電極；待探測的紫外光從金屬叉指電極的上方入射。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了基于二氧化鈦/鈦酸鍶異質(zhì)結(jié)的紫外光探測器的制備方法。本發(fā)明制備的ZnO/SrTiO3異質(zhì)結(jié)金屬?半導(dǎo)體?金屬紫外光探測器具有制備方法簡單，成本低廉，有望大規(guī)模生產(chǎn)的特點，對波長250nm?350nm的紫外線具有良好的檢測性能。
【專利說明】
基于二氧化鈦/鈦酸鍶異質(zhì)結(jié)的紫外光探測器及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域，具體涉及一種以超薄硅片為襯底、以納米ZnO/SrTi03( 二氧化鈦/鈦酸鍶)異質(zhì)結(jié)有源層為基體材料、以Au為金屬叉指電極的高性能紫外光探測器及其制備方法。
【背景技術(shù)】
寬禁帶半導(dǎo)體基紫外光探測器由于體積小、效率高、成本低、功耗低等優(yōu)點，在軍事、民用、航天、環(huán)保、防火等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值，是近年來光電探測領(lǐng)域的研究熱點之一。
用于紫外光探測器的半導(dǎo)體材料有很多，目前主要集中在SiC、Ti02和GaN等材料中。但是用以上材料制備紫外光電探測器，不僅制備工藝難度大，生產(chǎn)成本高，對加工條件和設(shè)備的要求也很苛刻。ZnO作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其價格低廉，具有非常好的耐候性、物理和化學(xué)穩(wěn)定性、良好的光電特性，因此在紫外光探測方面具有明顯的優(yōu)勢，但是ZnO基紫外探測器的響應(yīng)恢復(fù)時間較長，且暗電流大。
近幾年，由于良好的光電性能，鈣鈦礦材料逐漸被用于光電器件的研制。作為鈣鈦礦材料的一種，SrT13的物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，并且在可見盲區(qū)顯現(xiàn)出了優(yōu)異的光電特性，因此被作為制作可見盲型紫外探測器的基體材料，但是SrT13基紫外探測器的響應(yīng)度很低，有較大的提升空間。
[0005]Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層綜合了ZnO和SrT13兩種材料的優(yōu)點，降低了器件的響應(yīng)時間及暗電流，提高了器件的響應(yīng)度，相對于獨立的ZnO基探測器與SrT13基探測器，器件性能得到顯著提高。因此，Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)在紫外探測器制作方面顯示出獨特的應(yīng)用前景。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明目的是提供一種基于Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層的紫外光探測器及該探測器的制備方法。
本發(fā)明采用超薄硅片作為襯底，以Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層作基體材料制備紫外光探測器，不但擺脫了寬禁帶半導(dǎo)體紫外光探測器缺乏合適襯底的困境，還可以有效利用兩種材料的優(yōu)勢。同時本發(fā)明采用的工藝簡單且與半導(dǎo)體平面工藝兼容、易于集成、適于大批量生產(chǎn)，因而具有重要的應(yīng)用價值。
本發(fā)明的紫外光探測器從下到上依次包括超薄硅片襯底、采用溶膠凝膠法在硅片襯底上生長的納米SrTi03薄膜與納米ZnO薄膜構(gòu)成的ZnO/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層、在ZnO/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層上用磁控濺射法制備的Au叉指電極;待探測的紫外光從金屬叉指電極的上方入射。其中超薄硅片襯底的厚度為0.5?2mm，納米ZnO薄膜的厚度為10?50nm，納米SrT13薄膜的厚度為100?200nm，金屬叉指電極的指間距、指寬度、厚度分別為5?30μηι、5?30μηι、50?150nmo
本發(fā)明所述的基于Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層的金屬-半導(dǎo)體-金屬結(jié)構(gòu)紫外光探測器的制備步驟如下:
(一)納米ZnO溶膠的制備
采用溶膠-凝膠法制備納米ZnO溶膠:室溫條件下，將5?1mL硫酸鋅加入到50?10mL無水乙醇中，攪拌20?40分鐘后，滴加入5?I OmL冰醋酸作為催化劑，使硫酸鋅和乙醇形成易水解酯，再經(jīng)過30?90分鐘的攪拌，得到均勻透明的淡白色溶液;然后緩慢加入5?1mL乙酰丙酮以抑制酯類水解，此時溶液顏色變深，繼續(xù)攪拌I?2小時;最后將5?1mL去離子水以0.5?lmL/min的速率緩慢滴加到上述溶液中，繼續(xù)攪拌I?2小時，得到均勻透明的白色溶膠，將其放置陳化4?6小時，得到納米ZnO溶膠。
(二)納米SrT i 03溶膠的制備
采用溶膠-凝膠法制備納米SrT13溶膠:室溫條件下，將0.2?0.4g醋酸鍶溶解于3?6mL醋酸中，攪拌均勻后，滴加0.3?0.6mL鈦酸四丁酯，攪拌30?90分鐘，得到白色均勻溶液，最后將10?20mL乙醇作為溶劑加入到上述溶液中，繼續(xù)攪拌I?2個小時，得到均勻透明的溶膠，將其放置陳化4?6小時，得到納米SrT13溶膠。
(三)襯底的處理
首先分別用丙酮、乙醇棉球擦硅片至干凈，再將硅片襯底依次置于丙酮、乙醇和去離子水中，分別超聲清洗5?10分鐘，最后用氮氣吹干備用；
(四)ZnO/SrT13異質(zhì)結(jié)有源層的制備
采用旋涂的方法將陳化的納米SrT13溶膠旋涂在處理后的硅片襯底上形成薄膜，旋涂速度為2500?3500轉(zhuǎn)/分鐘；100?120°C下烘干10?30分鐘，然后將薄膜放入馬弗爐中于550?700 °C燒結(jié)2?4小時，自然冷卻至室溫;重復(fù)旋涂與燒結(jié)過程3?5次，從而在硅片上制備得到100?200nm厚的納米SrTi03薄膜；
采用同樣的旋涂方法將陳化的納米ZnO溶膠旋涂在上述納米SrT13薄膜上，經(jīng)相同溫度燒結(jié);再重復(fù)納米ZnO溶膠的旋涂與燒結(jié)過程I?3次;從而在SrT13納米薄膜上得到厚度為10?50nm的納米ZnO薄膜，由此得到Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層；
(五)制備Au叉指電極
在制備好的Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層上采用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝制備叉指電極:在有源層上旋涂一層厚度為I?2μπι的光刻膠(正膠BP212，轉(zhuǎn)速為2500-3500轉(zhuǎn)/分鐘)，70?90°C條件下前烘10?30分鐘；在光刻機上采用與金屬叉指電極圖形互補的掩模板曝光光刻膠40?50秒，經(jīng)過10?15秒的顯影(顯影液由上述正型光刻膠顯影液與去離子水按體積比2:1配成)，最后在120?130°C下堅膜5?20分鐘，從而在Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層上得到所需要的光刻膠叉指電極圖形；
采用磁控濺射技術(shù)制備金屬電極，將光刻后表面有光刻膠叉指電極圖形的硅片襯底置于真空室中，抽真空至2.0 X 10—3?4.0 X 10—3Pa ；然后通Ar氣，濺射氣壓為0.4?1.0Pa，濺射功率為50?100W，濺射時間5?20分鐘，濺射靶材為Au靶;最后將硅片襯底置于丙酮中超聲5?30秒，未被曝光的光刻膠及覆蓋其上的金屬即被剝離，將器件用去離子水沖洗后吹干，從而制備得到基于Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)的金屬-半導(dǎo)體-金屬平面結(jié)構(gòu)紫外光探測器，叉指電極的指間距、指寬度、厚度分別為5?30μηι、5?30μηι、厚度為50?150nm。
為了進行器件性能的對比，我們采用同樣的方法以硅片為襯底制備了 ZnO基與SrT13基紫外探測器。 本發(fā)明制備的Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)金屬-半導(dǎo)體-金屬紫外光探測器具有制備方法簡單，成本低廉，有望大規(guī)模生產(chǎn)的特點，對波長250nm-350nm的紫外線具有良好的檢測性能。
【附圖說明】
圖1為本發(fā)明的器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
如圖1所示，紫外光直接照射在Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層上，產(chǎn)生光電流;各部件名稱為:1-娃片，2-金屬叉指電極，4-納米SrTi03薄膜，3-納米ZnO薄膜。
【具體實施方式】
實施例1:
采用溶膠凝膠技術(shù)制備ZnO薄膜，室溫下分別將1mL硫酸鋅加到10mL無水乙醇中，再滴加入1mL冰醋酸作為催化劑，經(jīng)過60分鐘的攪拌，得到均勻透明的淡白色溶液;緩慢加入1mL乙酰丙酮以抑制水解，溶液顏色變深，繼續(xù)攪拌I小時;最后將1mL去離子水以lmL/min的速率緩慢滴加到上述溶液中，繼續(xù)攪拌2小時，得到均勻透明的淡白色溶膠，將其放置陳化6小時。
采用溶膠凝膠技術(shù)制備SrT13納米薄膜，常溫下將0.25g醋酸鍶溶解于5mL醋酸中，攪拌均勻后，滴加0.4mL鈦酸四丁酯，攪拌30分鐘，得到白色均勻溶液，最后將1mL乙醇作為溶劑加入上述溶液中，繼續(xù)攪拌I個小時，得到均勻透明的溶膠，將其放置陳化6小時。
采用旋涂法將陳化的SrT13溶膠旋涂在清洗后的硅片襯底上，旋涂速度為3000轉(zhuǎn)/分鐘，然后在烘箱中120 °C烘干10分鐘，旋涂次數(shù)為5次，之后將薄膜放入馬弗爐中燒結(jié)2h，燒結(jié)溫度為700°C，自然降溫冷卻，得到膜厚為150nm的SrT13薄膜;然后將ZnO溶膠以同樣的方法旋涂在SrT13薄膜上，旋涂次數(shù)為I次，經(jīng)過相同溫度煅燒后，ZnO薄膜厚度為20nm，由此得到Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層薄膜。
采用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝在制備好的異質(zhì)結(jié)薄膜上制備叉指電極:在薄膜上旋涂一層光刻膠(正膠BP212，轉(zhuǎn)速為3200轉(zhuǎn)/分鐘)，80°C條件下前烘20分鐘;在光刻機上利用與金屬叉指電極圖形互補的掩模板(指間距與指寬均為20μπι，器件有效面積為0.38mm2)對光刻膠進行曝光，時間為45秒，再經(jīng)過10秒的顯影(顯影液由上述正型光刻膠顯影液與去離子水按體積比2:1配成)，最后在120°C下堅膜5分鐘，得到所需要的電極圖形。
采用磁控濺射技術(shù)制備金屬電極，將光刻后表面有叉指電極圖形的硅片襯底置于真空室中，抽真空至4.0 X 10—3Pa;然后通Ar氣，濺射氣壓為0.5Pa，濺射功率為80W，濺射時間5分鐘，濺射靶為Au靶，得到的金屬薄膜的厚度為150nm，最后將硅片襯底置于丙酮中超聲10秒，未被曝光的光刻膠及覆蓋其上的Au即被剝離，將器件用去離子水沖洗后吹干，得到ZnO/SrT13異質(zhì)結(jié)金屬-半導(dǎo)體-金屬平面結(jié)構(gòu)紫外光探測器，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。
實施例2:
采用溶膠凝膠技術(shù)制備ZnO薄膜，室溫下分別將1mL硫酸鋅加到10mL無水乙醇中，再滴加入1mL冰醋酸作為催化劑，經(jīng)過60分鐘的攪拌，得到均勻透明的淡白色溶液;緩慢加入1mL乙酰丙酮以抑制水解，溶液顏色變深，繼續(xù)攪拌I小時;最后將1mL去離子水以lmL/min的速率緩慢滴加到上述溶液中，繼續(xù)攪拌2小時，得到均勻透明的淡白色溶膠，將其放置陳化6小時。 采用溶膠凝膠技術(shù)制備SrT13納米薄膜，常溫下將0.25g醋酸鍶溶解于5mL醋酸中，攪拌均勻后，滴加0.4mL鈦酸四丁酯，攪拌30分鐘，得到白色均勻溶液，最后將1mL乙醇作為溶劑加入上述溶液中，繼續(xù)攪拌I個小時，得到均勻透明的溶膠，將其放置陳化6小時。
采用旋涂法將陳化的SrT13溶膠旋涂在清洗后的硅片襯底上，旋涂速度為3000轉(zhuǎn)/分鐘，然后在烘箱中120 °C烘干10分鐘，旋涂次數(shù)為5次，之后將薄膜放入馬弗爐中燒結(jié)2h，燒結(jié)溫度為700°C，自然降溫冷卻，得到膜厚為150nm的SrT13薄膜;然后將ZnO溶膠以同樣的方法旋涂在SrT13薄膜上，旋涂次數(shù)為2次，經(jīng)過相同溫度煅燒后，ZnO薄膜厚度為35nm，由此得到Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層薄膜。
采用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝在制備好的異質(zhì)結(jié)薄膜上制備叉指電極:在薄膜上旋涂一層光刻膠(正膠BP212，轉(zhuǎn)速為3200轉(zhuǎn)/分鐘)，80°C條件下前烘20分鐘;在光刻機上利用與金屬叉指電極圖形互補的掩模板(指間距與指寬均為20μπι，器件有效面積為0.38mm2)對光刻膠進行曝光，時間為45秒，再經(jīng)過10秒的顯影(顯影液由上述正型光刻膠顯影液與去離子水按體積比2:1配成)，最后在120°C下堅膜5分鐘，得到所需要的電極圖形。
采用磁控濺射技術(shù)制備金屬電極，將光刻后表面有叉指電極圖形的硅片襯底置于真空室中，抽真空至4.0 X 10—3Pa;然后通Ar氣，濺射氣壓為0.5Pa，濺射功率為80W，濺射時間5分鐘，濺射靶為Au靶，得到的金屬薄膜的厚度為150nm，最后將硅片襯底置于丙酮中超聲10秒，未被曝光的光刻膠及覆蓋其上的Au即被剝離，將器件用去離子水沖洗后吹干，得到ZnO/SrT13異質(zhì)結(jié)金屬-半導(dǎo)體-金屬平面結(jié)構(gòu)紫外光探測器，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。
實施例3:
采用溶膠凝膠技術(shù)制備ZnO薄膜，室溫下分別將1mL硫酸鋅加到10mL無水乙醇中，再滴加入1mL冰醋酸作為催化劑，經(jīng)過60分鐘的攪拌，得到均勻透明的淡白色溶液;緩慢加入1mL乙酰丙酮以抑制水解，溶液顏色變深，繼續(xù)攪拌I小時;最后將1mL去離子水以lmL/min的速率緩慢滴加到上述溶液中，繼續(xù)攪拌2小時，得到均勻透明的淡白色溶膠，將其放置陳化6小時。
采用溶膠凝膠技術(shù)制備SrT13納米薄膜，常溫下將0.25g醋酸鍶溶解于5mL醋酸中，攪拌均勻后，滴加0.4mL鈦酸四丁酯，攪拌30分鐘，得到白色均勻溶液，最后將1mL乙醇作為溶劑加入上述溶液中，繼續(xù)攪拌I個小時，得到均勻透明的溶膠，將其放置陳化6小時。
采用旋涂法將陳化的SrT13溶膠旋涂在清洗后的硅片襯底上，旋涂速度為3000轉(zhuǎn)/分鐘，然后在烘箱中120 °C烘干10分鐘，旋涂次數(shù)為5次，之后將薄膜放入馬弗爐中燒結(jié)2h，燒結(jié)溫度為700°C，自然降溫冷卻，得到膜厚為150nm的SrT13薄膜;然后將ZnO溶膠以同樣的方法旋涂在SrT13薄膜上，旋涂次數(shù)為3次，經(jīng)過相同溫度煅燒后，ZnO薄膜厚度為50nm，由此得到Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層薄膜。
采用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝在制備好的異質(zhì)結(jié)薄膜上制備叉指電極:在薄膜上旋涂一層光刻膠(正膠BP212，轉(zhuǎn)速為3200轉(zhuǎn)/分鐘)，80°C條件下前烘20分鐘;在光刻機上利用與金屬叉指電極圖形互補的掩模板(指間距與指寬均為20μπι，器件有效面積為0.38mm2)對光刻膠進行曝光，時間為45秒，再經(jīng)過10秒的顯影(顯影液由上述正型光刻膠顯影液與去離子水按體積比2:1配成)，最后在120°C下堅膜5分鐘，得到所需要的電極圖形。
采用磁控濺射技術(shù)制備金屬電極，將光刻后表面有叉指電極圖形的硅片襯底置于真空室中，抽真空至4.0 X 10—3Pa;然后通Ar氣，濺射氣壓為0.5Pa，濺射功率為80W，濺射時間5分鐘，派射革E為Au革E，得到金屬薄膜的厚度為150nm，最后將娃片襯底置于丙酮中超聲10秒，未被曝光的光刻膠及覆蓋其上的Au即被剝離，將器件用去離子水沖洗后吹干，得到ZnO/SrT13異質(zhì)結(jié)金屬-半導(dǎo)體-金屬平面結(jié)構(gòu)紫外光探測器，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。
以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種基于Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層的紫外光探測器，其特征在于:從下到上依次包括超薄娃片襯底、采用溶膠凝膠法在娃片襯底上生長的納米SrTi03薄膜與納米ZnO薄膜構(gòu)成的Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層、在Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層上用磁控濺射法制備的Au叉指電極，待探測的紫外光(I)從金屬叉指電極的上方入射。2.如權(quán)利要求1所述的一種基于Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層的紫外光探測器，其特征在于:硅片襯底的厚度為0.5?2mm，納米SrT13薄膜的厚度為100?200nm，納米ZnO薄膜的厚度為10?50nm;金屬叉指電極的指間距、指寬度、厚度分別為5?30μηι、5?30μηι、0.05?0.15μ??ο3.權(quán)利要求2所述的基于Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層的紫外光探測器的制備方法，其步驟如下: (1)采用溶膠-凝膠法制備納米ZnO溶膠和納米SrT13溶膠； (2)襯底的處理 分別用丙酮、乙醇棉球擦拭硅片至干凈，再將硅片依次置于丙酮、乙醇和去離子水中，分別超聲清洗5?10分鐘，最后用氮氣吹干； (3)ZnO/ Sr T i 03異質(zhì)結(jié)有源層的制備 采用旋涂的方法將陳化后的納米SrT13溶膠旋涂在處理后的硅片上形成薄膜，旋涂速度為2500?3500轉(zhuǎn)/分鐘，之后將薄膜在100?120°C下烘干10?30分鐘，再放入馬弗爐中于.550?700°C下燒結(jié)2?4小時后自然冷卻至室溫;重復(fù)上述旋涂與燒結(jié)過程3?5次，從而在娃片襯底上制備得到100?200nm厚的納米SrTi03薄膜； 然后采用同樣的旋涂方法將陳化后的納米ZnO溶膠旋涂在SrTi03薄膜上，經(jīng)過相同溫度燒結(jié);再重復(fù)納米ZnO溶膠的旋涂與燒結(jié)過程I?3次，從而在SrT13納米薄膜上得到厚度為10?50nm的納米ZnO薄膜，由此得到Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層； (4)制備Au金屬叉指電極 在Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層上旋涂一層厚度為I?2μπι的正型光刻膠，70?90°C條件下前烘10?30分鐘;然后在光刻機上，將與叉指電極結(jié)構(gòu)互補的掩膜板與旋涂的光刻膠層緊密接觸，曝光光刻膠40?50秒，經(jīng)過10?15秒的顯影，最后在120?130 °C下堅膜5?20分鐘，從而在Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層上得到所需要的光刻膠叉指電極圖形； 然后再將表面有光刻膠叉指電極圖形的硅片襯底置于真空室中，抽真空至2.0 X 10-3?4.0 X 10-3Pa ；然后通Ar氣，濺射氣壓為0.4?1.0Pa，濺射功率為50?100W，濺射時間5?.20分鐘，派射革E為Au革E ；最后將娃片襯底置于丙酮中超聲5?30秒，未被曝光的光刻膠及覆蓋其上的金屬即被剝離，再將器件用去離子水沖洗后吹干，從而制備得到基于Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)的金屬-半導(dǎo)體-金屬平面結(jié)構(gòu)紫外光探測器，其中金屬叉指電極的指間距、指寬度、厚度分別為 5?30μηι、5?30μηι、0.05 ?0.15ym。4.如權(quán)利要求3所述的基于Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層的紫外光探測器的制備方法，其特征在于:步驟(I)中所述的采用溶膠-凝膠法制備納米ZnO溶膠是在室溫條件下，將5?1mL的硫酸鋅加入到50?10mL無水乙醇中，攪拌20?40分鐘后，滴加入5?1mL冰醋酸作為催化劑，再經(jīng)過30?90分鐘的攪拌，得到均勻透明的淡白色溶液;然后緩慢加入5?1mL乙酰丙酮以抑制酯類水解，此時溶液顏色變深，繼續(xù)攪拌I?2小時;最后將5?1mL去離子水以.0.5?lmL/min的速率緩慢滴加到上述溶液中，繼續(xù)攪拌I?2小時，得到均勻透明的白色溶膠，再將其放置陳化4?6小時，得到納米ZnO溶膠。5.如權(quán)利要求3所述的基于Zn0/SrTi03異質(zhì)結(jié)有源層的紫外光探測器的制備方法，其特征在于:步驟(I)中所述的采用溶膠-凝膠法制備納米SrT13溶膠是在室溫條件下，將0.2?.0.4g醋酸鎖溶解于3?6mL醋酸中，攪拌均勾后，滴加0.3?0.6mL鈦酸四丁酯，攪拌30?90分鐘，得到白色均勻溶液，最后將10?20mL乙醇作為溶劑加入上述溶液中，繼續(xù)攪拌I?2個小時，得到均勻透明的溶膠，將其放置陳化4?6小時，得到納米SrT13溶膠。
【文檔編號】H01L31/109GK106057959SQ201610490292
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年6月28日
【發(fā)明人】蘭建龍
【申請人】蘭建龍