專利名稱：在切削工件時(shí)形成圖像的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及切削(milling)工件和使工件成像的方法，該工件呈現(xiàn)一面(face)， 該方法包括將工件放置在真空環(huán)境中，使聚焦粒子射束射向表面，采用預(yù)定圖案在表面上 掃描所述射束以照射工件的點(diǎn)，從而切削工件，從探測(cè)輻射(響應(yīng)于撞擊工件的粒子射束 而從工件產(chǎn)生)的探測(cè)器采集信號(hào)，以及將源自該信號(hào)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中，該 數(shù)據(jù)由此形成工件的面的表示。本發(fā)明還涉及用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法的軟件。

這樣的方法從國(guó)際申請(qǐng)PCT/US2007/082159中獲知。
背景技術(shù)：
在例如半導(dǎo)體工業(yè)中，樣品從半導(dǎo)體晶圓獲得以在例如透射電子顯微鏡(TEM)中 檢查。在TEM中檢查的這樣的樣品典型地是具有大約1(^111的邊長(zhǎng)和小于5011111(優(yōu)選地 30nm)厚度的矩形樣品，盡管可使用其他尺寸和厚度?？梢酝ㄟ^切削晶圓、留下從晶圓獲得 的用于進(jìn)一步處理和/或檢查的薄膜片而從晶圓獲得這樣的樣品。注意在本上下文中切削包括濺射和蝕刻。切削典型地在聚焦離子射束裝置(FIB) 中完成，在FIB中聚焦離子射束射向晶圓以用于切削。切削速度常常通過在切削工件時(shí)用注氣系統(tǒng)(GIS)將適當(dāng)流體的噴射流射向晶 圓使得該流體的層吸附到晶圓的表面而提高。當(dāng)晶圓和吸附的流體用離子射束照射時(shí)該流 體引起增強(qiáng)的切削或蝕刻。當(dāng)從晶圓脫離時(shí)該薄膜片(也稱為薄片)常常太厚而不能在TEM中檢查，因此進(jìn) 一步處理典型地包括減薄該樣品到典型小于50nm、常常在20-40nm厚的范圍內(nèi)的最終厚度。已知的國(guó)際申請(qǐng)描述薄片如何從以半導(dǎo)體晶圓形式的工件上脫離。將晶圓放入 FIB并且在晶圓的表面中形成基準(zhǔn)標(biāo)記，一組基準(zhǔn)標(biāo)記用于粗定位而一組基準(zhǔn)標(biāo)記用于精 定位。另外保護(hù)層局部地附加在待形成薄片的位置以便保護(hù)薄片避免不希望的暴露于離子 射束。通過使具有相對(duì)高的射束電流(beam current)的離子射束采用薄膜片分開兩個(gè)槽 的這樣的方式射向晶圓的表面，在晶圓中形成該兩個(gè)槽。在切削期間槽相對(duì)于離子射束的 位置通過測(cè)量粗基準(zhǔn)標(biāo)記的位置來重復(fù)核查。這樣消除了工件相對(duì)于離子射束的漂移。當(dāng) 槽足夠深時(shí)，可以減薄該膜片。通過調(diào)節(jié)離子射束到較低射束電流并且測(cè)量離子射束相對(duì) 于精基準(zhǔn)標(biāo)記的位置而完成減薄。然后通過在膜片的表面上幾乎平行地掃描射束而局部減 薄膜片，產(chǎn)生膜片的所謂“拋光”。如本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員已知的，用FIB對(duì)晶圓成像包括使聚焦離子射束射向晶圓并 且采用預(yù)定圖案(例如，采用光柵)在晶圓的表面上掃描射束。響應(yīng)于撞擊，例如電子和二 次離子等的離子射束輻射從晶圓產(chǎn)生。在成像期間射束切削表面是不希望的副作用，因?yàn)?成像優(yōu)選地在不損傷基準(zhǔn)標(biāo)記的情況下完成。注意為了形成圖像，單個(gè)掃描足夠了，盡管重復(fù)掃描可用于提高信噪比。
已知的國(guó)際申請(qǐng)描述使晶圓的表面成像以確定基準(zhǔn)標(biāo)記的位置以便將射束正確 地放置在待切削的晶圓的部分。已知的國(guó)際申請(qǐng)還描述膜片或薄片的最終減薄，該最終減薄常常稱為清理切割或 清潔截面。在該最終減薄中，離子射束朝感興趣的特征一次掃描一條線。通過該切割圖案， 射束以連續(xù)模式執(zhí)行一組線切割以便逐漸使線切割步進(jìn)暴露的表面以清潔它。當(dāng)多個(gè)切削 走材料的線切割到達(dá)槽的底部時(shí)，線在另一個(gè)槽的方向上步進(jìn)，并且新層從薄片上切削掉。已知方法的缺點(diǎn)是沒有形成通過切削而暴露的面的圖像，而且任意端點(diǎn)必須基于 如從晶圓的表面形成的圖像。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明計(jì)劃為此提供技術(shù)方案。在這點(diǎn)上，本發(fā)明特征在于射束基本上平行于工件的面來撞擊工件，被照射的點(diǎn) 形成重復(fù)掃描的單個(gè)曲線，在每次掃描期間材料從表面不同距離切削掉，并且計(jì)算機(jī)存儲(chǔ) 器存儲(chǔ)工件上的曲線的多次掃描的數(shù)據(jù)，由此該面在一個(gè)方向上由粒子射束的方向限定而 在另一個(gè)方向上沿該曲線被限定。本發(fā)明基于以下認(rèn)識(shí)通過探測(cè)當(dāng)重復(fù)切削單個(gè)線或曲線時(shí)產(chǎn)生的輻射，每個(gè)線 對(duì)應(yīng)于從表面移除的其他的線或曲線。因此對(duì)于垂直于水平表面撞擊的射束，垂直面(平 行于撞擊射束的方向)被成像。這與現(xiàn)有技術(shù)成像方式相反，現(xiàn)有技術(shù)中射束垂直地撞擊 水平表面產(chǎn)生被成像的水平面(平行于表面)。注意用曲線掃描工件是已知的，如前面描述的，這產(chǎn)生一系列線切割。然而，這從 未在切削該切削面時(shí)與FIB成像結(jié)合。相反FIB成像用于使基準(zhǔn)標(biāo)記所在的表面成像。還注意，使該切削面成像從使用離子射束切削和用電子射束成像的儀器獲知，電 子射束相對(duì)于離子射束傾斜并且在工件的位置與離子射束相交。這些儀器在工業(yè)中被廣泛 接受，但明顯比僅具有FIB鏡筒(column)的裝置更貴。值得提到的是，圖像的質(zhì)量低于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的表面圖像的質(zhì)量。這是由于以下 事實(shí)來自槽的更深部分的輻射沒有用與表面或靠近表面產(chǎn)生的輻射相同的效率來探測(cè)。圖像的進(jìn)一步退化是由射束在薄片上掃描的粗略方式引起的。結(jié)果，已經(jīng)清潔 (拋光、切削)的薄片的部分也被射束余量地地照射從而產(chǎn)生探測(cè)到的二次輻射。也就是 說當(dāng)對(duì)薄片的部分(從表面移除的)進(jìn)行切削以及成像時(shí)，表面和正切削的線之間的該面 的部分也對(duì)成像點(diǎn)有貢獻(xiàn)并且切削線和在切削線與表面之間的該面的部分之間發(fā)生一種 串?dāng)_(cross-talk)。在本發(fā)明的方法的一個(gè)實(shí)施例中，粒子射束大致垂直于表面而撞擊。通常垂直于工件的表面的薄片被挖出。這需要垂直于該表面的離子射束。在本發(fā)明的方法的另一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)用于形成圖像。代表切削面(milled face)的視圖的數(shù)據(jù)可用于在顯示器或任何其他成像裝置 (例如打印機(jī)等)上形成圖像。在本發(fā)明的方法的更另一個(gè)實(shí)施例中，曲線是線段，由此，該面是矩形面。這里矩形面通過重復(fù)地掃描線而被成像。注意矩形面還可通過在交錯(cuò)方向上掃描線段而形成，即以蛇形方式。
在本發(fā)明的方法的再另一個(gè)實(shí)施例中，曲線是環(huán)，由此該面是曲面。在本發(fā)明的方法的另外的實(shí)施例中，環(huán)是圓圈，由此，該面是圓柱面。 在本發(fā)明的方法的另一個(gè)實(shí)施例中，探測(cè)到的輻射包括從工件產(chǎn)生的帶電粒子。
通常二次電子用例如配備成探測(cè)帶電粒子的弗哈特-索恩利探測(cè)器 (Everhart-Thornley detector)或光電二極管探測(cè)。然而，用于探測(cè)二次電子和/或例如 二次離子的其他類型的探測(cè)器對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員是已知的。在本發(fā)明的方法的再另一個(gè)實(shí)施例中，聚焦粒子射束是聚焦帶電粒子射束。例如電子或離子等帶電粒子的聚焦射束可以由靜電場(chǎng)或磁場(chǎng)進(jìn)行聚焦并且由電 或磁偏轉(zhuǎn)器進(jìn)行掃描。這樣的射束的源是眾所周知的，并且用于輸送這樣的聚焦和掃描射 束的鏡筒是容易獲得的。在本發(fā)明的方法的更另一個(gè)實(shí)施例中，切削包括氣體輔助切削或氣體輔助蝕刻。如本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員已知的，在FIB中工件通常放置在具有低于1毫巴(典型地 10-3毫巴或更低)的壓強(qiáng)的樣品室中。通過使例如XeF2( 二氟化氙)等蝕刻劑流體的噴射 流射向工件，一層流體吸附到工件并且增強(qiáng)射束的切削。這樣，即使自身不能切削的電子射 束可以用于蝕刻工件。在本發(fā)明的方法的更另一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)與其他數(shù)據(jù) 比較以確定端點(diǎn)動(dòng)作。與存儲(chǔ)數(shù)據(jù)比較的其他數(shù)據(jù)可以是在觀察另一個(gè)薄片時(shí)采集的數(shù)據(jù)。該比較可以 自動(dòng)地完成，S卩由計(jì)算機(jī)使用以用于例如圖像識(shí)別技術(shù)，或該比較可以由操作者執(zhí)行，將 由數(shù)據(jù)形成的圖像與另一個(gè)圖像或CAD模型進(jìn)行比較。在本發(fā)明的方法的另外的實(shí)施例中，該其他數(shù)據(jù)是使用CAD模型生成的數(shù)據(jù)。在本發(fā)明的方法的另一個(gè)實(shí)施例中，曲線用許多停留點(diǎn)建立而成，粒子射束射向 每個(gè)停留點(diǎn)長(zhǎng)達(dá)預(yù)定的停留期，在該停留期之后粒子射束射向下一個(gè)停留點(diǎn)。射束以固定速度沿曲線移動(dòng)不是必須的。逐點(diǎn)跳躍是備選的，這常常與現(xiàn)今可獲 得的掃描發(fā)生器和圖像存儲(chǔ)器一起使用。在本發(fā)明的方法的另外的實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)停留期存儲(chǔ)一個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)在計(jì)算機(jī)存 儲(chǔ)器中。在本發(fā)明的方法的另一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)停留期分為許多子停留期，每個(gè)子停留 期在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中產(chǎn)生數(shù)據(jù)點(diǎn)，每個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于離表面的不同距離。當(dāng)射束射向曲線的一點(diǎn)時(shí)，它鉆進(jìn)材料，逐步地切削走材料，該材料不斷地從表面 移除。在一個(gè)這樣停留期期間，采集的信息可以按子停留期進(jìn)行劃分，每個(gè)時(shí)期的信號(hào)存儲(chǔ) 在不同的存儲(chǔ)單元(location)中，每個(gè)隨后的單元代表進(jìn)一步從表面移除的位置。在本發(fā)明的方法的更另一個(gè)實(shí)施例中，在將射束射向曲線上的一點(diǎn)之前，相鄰點(diǎn) 被切削，該相鄰點(diǎn)位于使得當(dāng)使射束射向曲線上的該點(diǎn)時(shí)射束不轟擊工件表面和被切削的 工件部分之間的該面的部分的位置。通過首先切削靠近已經(jīng)切削的面的點(diǎn)然后將射束從該已經(jīng)切削的面稍稍移走，在 該切削面上掃過的射束不會(huì)生成或至少在較低水平上生成已經(jīng)切削的面的部分(即該面 在射束切削工件的位置和工件的表面之間的部分)的二次輻射。注意由于在切削該面時(shí)射 束平行于該面，因此在切削一點(diǎn)時(shí)的信號(hào)總是包括發(fā)生實(shí)際切削的位置和表面之間的切削面的一些信號(hào)。


本發(fā)明現(xiàn)在參照附圖描述，其中相同的標(biāo)號(hào)指示對(duì)應(yīng)的元件。這里圖1示意地示出其中切削兩個(gè)槽的晶圓表面；圖2示意地示出局部減薄的薄片；

圖3示意地描繪沿如在圖2中示出的線AA’的視圖；圖4示意地示出如用現(xiàn)有技術(shù)電子射束獲得的圖像與根據(jù)本發(fā)明形成的圖像的 比較，以及圖5示意地示出配備以執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法的裝置。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出其中切削兩個(gè)槽的晶圓表面。圖1示出基本上垂直于工件的表面(以晶圓表面101的形式)撞擊的以離子射束 100的形式的粒子射束。在表面中，切削兩組基準(zhǔn)標(biāo)記，一組高精度基準(zhǔn)標(biāo)記102a和一組粗 基準(zhǔn)標(biāo)記102b。例如鎢或鉬的保護(hù)層103沉積在該表面上。切削兩個(gè)槽104，留下它們之 間的薄膜片或薄片105。由離子鏡筒產(chǎn)生的例如鎵離子射束等的離子射束包括具有例如50keV能量的離 子。可以使用其他類型的離子和離子的其他能量。離子射束聚焦在焦點(diǎn)上且具有例如1和 IOnm之間的直徑。在射束轟擊表面的地方，材料被濺射走。這樣，可通過在表面上掃描射 束(例如采用矩形圖案)而在表面中切削槽。在表面上掃描射束的工藝常常重復(fù)若干次， 在每次通過(each pass)后，槽露出更深的層。在挖掘這些槽之前，在表面中切削兩組基準(zhǔn)標(biāo)記，一組粗基準(zhǔn)標(biāo)記102b和一組精 基準(zhǔn)標(biāo)記102a。這些基準(zhǔn)標(biāo)記用于在切削時(shí)相對(duì)于工件來定位射束，并且用于消除例如漂 移的影響。為了限定工件和粒子射束的相對(duì)位置，形成該表面的圖像(包括基準(zhǔn)標(biāo)記)。通 過現(xiàn)在在圖像中確定基準(zhǔn)標(biāo)記的位置，確定了相對(duì)于基準(zhǔn)標(biāo)記的圖像(視場(chǎng))的位置。當(dāng) 工件相對(duì)于射束漂移時(shí)，基準(zhǔn)標(biāo)記也將在圖像中漂移。通過現(xiàn)在改變例如視場(chǎng)的中心，消除 了漂移的影響。重新定位視場(chǎng)可以在定期基礎(chǔ)上基于例如預(yù)期的漂移量而做出。保護(hù)層沉積在將成為薄膜片或薄片的一部分的那部分表面的晶圓表面上。使用離 子射束沉積層本身是已知的并且稱為離子射束誘發(fā)沉積(IBID)。為了在工件上沉積金屬 層，在工件放置在真空中時(shí)例如金屬有機(jī)氣體等前驅(qū)流體的噴射流用注氣系統(tǒng)(GIS)射向 工件。一層前驅(qū)氣體吸附到工件的表面。將具有吸附層的工件暴露于離子射束導(dǎo)致前驅(qū)物 分子的分解，由此，金屬成份接合于該表面。剩余的有機(jī)金屬分子形成更易揮發(fā)產(chǎn)物，從而 從表面釋放出并且由裝置的真空系統(tǒng)抽出。注意，用于沉積的離子射束也引起一些切削，但 例如離子射束電流密度、離子能量、射向工件的流體量等等參數(shù)，沉積可以遠(yuǎn)高于切削。保護(hù)層保護(hù)薄片的頂部免受射束的不希望的影響。應(yīng)該注意，由于例如射束像差 (beam aberration)，離子射束的電流密度輪廓接近高斯曲線，射束的直徑對(duì)應(yīng)于例如半最 大處的全寬度(FWHM)值。因此在遠(yuǎn)離射束的中心的距離處可能另外發(fā)生離子的一些濺射 和/或注入。
在晶圓表面上沉積保護(hù)層后，射束在表面上掃描，照射兩個(gè)矩形。在這些照射的位 置材料被濺射走，并且形成兩個(gè)槽104，留下兩個(gè)槽之間的薄片。注意，盡管工藝在這里描述以產(chǎn)生具有平底的兩個(gè)槽，槽常常具有的形狀中，最深 的部分靠近薄片，而在從薄片進(jìn)一步移開的位置處的槽是較淺的。圖2示意地示出局部減薄的薄片。圖2可以認(rèn)為描繪在接著圖1中示出的工藝步驟的工藝步驟中的晶圓。薄片105 被局部減薄，留下被減薄的部分206。對(duì)于該局部減薄(也稱為拋光)，射束射向薄片的邊 緣并且重復(fù)地掃描線段，由此，每次掃描移除薄帶狀的材料。通過重復(fù)地掃描線段，移除了 薄層，直到移除了最后的條帶207。

注意可以通過將靠近基準(zhǔn)標(biāo)記的材料切割走并且凹割薄片的底部而從晶圓取出 薄片。薄片可例如在將它與晶圓分開之前膠粘或焊接到操縱器，或它可例如在分離之后焊 接、膠粘、靜電地或另外連接到操縱器。仍然在底部連接到晶圓的薄片也可被斷開而脫離晶 圓。沿線AA，的試圖在圖3中示出。圖3示意地描繪沿如在圖2中示出的線AA’的視圖。圖3示出具有保護(hù)層103的薄片105，薄片被離子射束100照射。離子射束沿垂直 于該圖的平面的線在晶圓上掃描。示出射束在該時(shí)刻在位置300 (射束在這里切削材料) 撞擊薄片。切削引起二次粒子發(fā)出，例如可以被該裝置的探測(cè)工具探測(cè)到的二次電子301 等。因?yàn)樯涫诒∑蠏哌^，一些離子也將撞擊該面302的已經(jīng)拋光的部分，并且位于該暴 露面上的晶圓材料的部分將對(duì)探測(cè)工具探測(cè)到的信號(hào)有貢獻(xiàn)。當(dāng)移除足夠的條帶狀材料并且到達(dá)拋光面的底部303時(shí)，該面的拋光可以停止。注意，盡管射束是聚焦射束，在切削中使用的開度角(openingangle)通常是如此 小(典型地若干毫弧度)使得在待切削的長(zhǎng)度(典型地5-15 μ m)上沒有觀察到射束直徑 的變化。圖4示意地示出如用現(xiàn)有技術(shù)電子射束獲得的圖像與根據(jù)本發(fā)明形成的圖像的 比較。圖4A示出如在所謂的雙射束儀器(dual beam instrument)中形成的圖像，其中 切削和拋光用離子射束完成而采用一角度下射向該面105的電子射束來觀察拋光的進(jìn)展。 圖像示出用SEM獲得的典型圖像質(zhì)量和圖像分辨率。圖4B示出使用根據(jù)本發(fā)明的方法在FIB中形成的圖像。圖像質(zhì)量比在圖4A中示 出的用電子射束獲得的差很多，但發(fā)現(xiàn)這足夠用于端點(diǎn)指示(endpointing)。注意在圖4B中可以看見的在垂直方向上的拖尾是已經(jīng)暴露的面302的貢獻(xiàn)的結(jié) 果，如前面解釋的。圖5示意地示出配備成執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法的裝置。圖5示出FIB 500，其包括在其上安裝FIB鏡筒510的真空腔502。FIB鏡筒包括 用于產(chǎn)生沿光軸線514的離子射束的離子源512。射束由透鏡516a和516b聚焦并且可以 由偏轉(zhuǎn)器518偏轉(zhuǎn)。FIB鏡筒從而產(chǎn)生聚焦離子射束508。工件504放置在工件支架506上。工件支架配備成相對(duì)于由FIB鏡筒產(chǎn)生的聚焦 離子射束508來定位工件。
FIB還配備有注氣系統(tǒng)(GIS) 520。GIS包括流體可通過其而射向工件的毛細(xì)管 522，和容納流體的容器524。閥526可以調(diào)整射向工件的流體的量。這樣的流體可用于在 工件上沉積保護(hù)層，或具有另一種流體的另一個(gè)GIS可用于增強(qiáng)切削。FIB還配備有探測(cè)器530用于探測(cè)二次輻射。這可例如是用于探測(cè)二次電子的弗 哈特_索恩利探測(cè)器，或例如光電二極管等半導(dǎo)體器件。還已知包括轉(zhuǎn)變二次離子為待探 測(cè)電子的探測(cè)器的其他探測(cè)器。探測(cè)器的信號(hào)饋入控制器532。該控制器配備有計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)源自于該 信號(hào)的數(shù)據(jù)。控制器還控制FIB的其他部件，例如透鏡516、偏轉(zhuǎn)器518、工件支架506、GIS 520的流量和對(duì)室502抽空的真空泵(真空泵沒有示出)等。因此控制器配備成將離子射 束 定位在工件上?？刂破骺稍诒O(jiān)視器524上形成存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的圖像。注意，盡管本發(fā)明在圖5中使用FIB解釋，本發(fā)明可以同樣地與例如使用電子射束 的裝置或既使用離子射束又使用電子射束的裝置一起使用。本發(fā)明可與使用其他類型的探 測(cè)器、GIS系統(tǒng)、透鏡、偏轉(zhuǎn)器、粒子源及其類似物的裝置一起使用。
權(quán)利要求
一種切削工件和使工件成像的方法，所述工件呈現(xiàn)一表面(101)，所述方法包括將所述工件放置在真空環(huán)境中，使聚焦粒子射束(100)射向所述表面，采用預(yù)定圖案在所述表面上掃描所述射束以照射所述工件的點(diǎn)，從而切削所述工件，從探測(cè)響應(yīng)于所述粒子射束撞擊所述工件而從所述工件產(chǎn)生的輻射的探測(cè)器采集信號(hào)，以及將源自所述信號(hào)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中，所述數(shù)據(jù)因此形成所述工件的面的表示，其特征在于所述射束基本上平行于所述工件的面(206)撞擊所述工件，被照射的點(diǎn)形成被重復(fù)掃描的單個(gè)曲線，在每次掃描期間，材料從離所述表面不同距離切削掉，以及所述計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)所述工件上的所述曲線的多次掃描的數(shù)據(jù)，由此，所述面在一個(gè)方向上由所述粒子射束的方向限定，而在另一個(gè)方向上沿所述曲線被限定。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述粒子射束基本上垂直于所述表面撞擊。
3.如權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)用于形成圖像。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述曲線是線段，由此，所述面是矩形面。
5.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述曲線是環(huán)，由此，所述面是曲面。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述環(huán)是圓圈，由此，所述面是圓柱面。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法，其中所探測(cè)到的輻射包括從所述工件產(chǎn)生的 帶電粒子。
8.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述聚焦粒子射束是聚焦帶電粒子射束ο
9.如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述切削包括氣體輔助切削或氣體輔助 蝕刻。
10.如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的方法，其中存儲(chǔ)在所述計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)與 其他數(shù)據(jù)進(jìn)行比較以確定端點(diǎn)動(dòng)作。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述其他數(shù)據(jù)是使用CAD模型生成的數(shù)據(jù)。
12.如權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述曲線用許多停留點(diǎn)建立而成，所 述粒子射束射向所述停留點(diǎn)中的每個(gè)長(zhǎng)達(dá)一預(yù)定停留期，在所述預(yù)定停留期之后所述粒子 射束射向下一個(gè)停留點(diǎn)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中對(duì)于每個(gè)停留期，存儲(chǔ)一個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)在所述計(jì)算機(jī) 存儲(chǔ)器中。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中每個(gè)停留期分為許多子停留期，每個(gè)子停留期在 計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中產(chǎn)生數(shù)據(jù)點(diǎn)，每個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于離所述表面的不同距離。
15.如權(quán)利要求1-14中任一項(xiàng)所述的方法，其中在將所述射束射向所述曲線上的一點(diǎn) 之前，相鄰點(diǎn)被切削，所述相鄰點(diǎn)位于使得當(dāng)使所述射束射向所述曲線上的該點(diǎn)時(shí)所述射束不轟擊所述工件的表面和被切削的所述工件的部分之間的所述面的部分的位置。
16. 一種用于為粒子光學(xué)裝置(500)編程的軟件，所述粒子光學(xué)裝置配備成在工件 (504)上掃描精細(xì)聚焦的粒子射束(508)并且存儲(chǔ)源自來自探測(cè)二次輻射的探測(cè)器(530) 的信號(hào)的數(shù)據(jù)，所述二次輻射是響應(yīng)于撞擊粒子射束而從所述工件產(chǎn)生的，所述裝置配備 有可編程控制器(532)用于控制所述裝置，其特征在于，所述軟件包括用于為可編程控制 器編程以執(zhí)行如權(quán)利要求1-15任一項(xiàng)中限定的所述方法的代碼。
全文摘要
包括用于成像的掃描電子顯微鏡(SEM)鏡筒和用于切削的聚焦離子射束(FIB)鏡筒的雙射束儀器常規(guī)地用于從半導(dǎo)體晶圓取出樣品(薄片)。通過用SEM鏡筒觀察切削的進(jìn)展，可以進(jìn)行該切削工藝的端點(diǎn)指示。本發(fā)明提供該問題的備選技術(shù)方案，其中使用僅具有FIB鏡筒的儀器。為了將薄片切削到例如30nm的其最終厚度，聚焦離子射束100沿薄片重復(fù)地掃描。發(fā)現(xiàn)，在切削薄片時(shí)可以從薄片獲得足夠的用于端點(diǎn)指示的信號(hào)。不需要另外的電子射束用于檢查。
文檔編號(hào)B28D5/00GK101844374SQ20101015953
公開日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2010年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日
發(fā)明者J·S·法伯, R·T·J·P·古爾茨 申請(qǐng)人:Fei公司