專利名稱：用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種MEMS (微電子機(jī)械系統(tǒng))制造技術(shù)，尤其涉及一種用微模具 成型圓片級(jí)玻璃器件的方法。
背景技術(shù)：
在MEMS制造技術(shù)領(lǐng)域，Pyrex7740玻璃(一種含有堿性離子的玻璃，Pyrex 是美國(guó)Corning公司的產(chǎn)品品牌)是一種重要的材料，它有著和半導(dǎo)體硅材料(常 溫300K下，Pyrex7740玻璃熱膨脹系數(shù)為28*10—7K，硅的熱膨脹系數(shù)為 23 40*10—7K)相近的熱膨脹系數(shù)，有著高透光率和較高的強(qiáng)度，并且可以通過(guò) 使用陽(yáng)極鍵合工藝與硅襯底形成高強(qiáng)度的鍵合連接，在鍵合表面產(chǎn)生了牢固的 Si-0共價(jià)鍵，其強(qiáng)度甚至高于硅材料本身。由于這樣的特性，使得Pyrex7740 玻璃廣泛應(yīng)用于MEMS封裝、微流體和MOEMS (微光學(xué)機(jī)電系統(tǒng))等領(lǐng)域。
在MEMS制造領(lǐng)域，對(duì)Pyrex7740等玻璃材料的微加工一直是一個(gè)難以解決 的問(wèn)題。傳統(tǒng)采用濕法腐蝕Pyrex7740玻璃工藝，由于是各向同性腐蝕，所以完 全無(wú)法提供精確尺寸的微結(jié)構(gòu)。如果采用DRIE的方法利用SFe氣體對(duì)Pyrex7740 玻璃進(jìn)行刻腔，則需要用金屬Cu、 Cr等做掩膜進(jìn)行刻蝕，不僅所刻結(jié)構(gòu)形狀和 尺寸局限性大，無(wú)法實(shí)現(xiàn)大高寬比，而且加工效率低，低成本高昂。
在微流體器件和MOEMS等領(lǐng)域，對(duì)Pyrex7740玻璃的精密加工有著迫切的需 求，比如微流體器件中微緩存腔體的構(gòu)成，比如MOEMS中光學(xué)透鏡和表面波導(dǎo)器 件的制造等，這些都需要Pyrex7740玻璃精確的表面微加工技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種工藝方法簡(jiǎn)單、成本低廉、適合批量制造，精密 成型且可實(shí)現(xiàn)大高寬比玻璃表面微結(jié)構(gòu)的用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法。一種用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，包括以下步驟
第一步，在微電子加工工藝在拋光硅圓片上刻蝕形成特定結(jié)構(gòu)模具深腔， 第二步，將上述硅圓片與Pyrex7740玻璃圓片在真空環(huán)境下進(jìn)行鍵合，使硅 片上的上述特定結(jié)構(gòu)模具深腔形成密封腔體，
第三步，將上述鍵合好的兩圓片在一個(gè)大氣壓下、55CTC-90(TC溫度范圍內(nèi)， 進(jìn)行熱成型，腔內(nèi)外壓力差使軟化后的玻璃形成與上述特定結(jié)構(gòu)模具深腔相應(yīng)的 微結(jié)構(gòu)，冷卻，將上述圓片退火消除應(yīng)力，
第四步，對(duì)上述熱退火過(guò)后的鍵合片的玻璃背面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，磨平鍵 合片的玻璃圓片背面。
第五步，使用單面腐蝕方法去除硅模具層，最終得到圓片級(jí)玻璃微模具。 本技術(shù)方案中，所述第一步微電子加工工藝為濕法腐蝕工藝、干法等離子 刻蝕工藝、反應(yīng)離子刻蝕或者深反應(yīng)離子刻蝕中的一種。所述第二步所述鍵合采 用陽(yáng)極鍵合工藝，工藝條件為溫度300-400。C，電壓600-1000V，鍵合壓力 400-1200N，真空度小于10—2Pa 。所述第三步熱成型的過(guò)程中，溫度為760。C -880。C，時(shí)間為2-10min。第三步中所述熱退火的工藝條件為退火溫度范圍在 51(TC-56(TC中，退火保溫時(shí)間為30min，然后緩慢風(fēng)冷至常溫。第四步中所述 的磨平工藝中，采用了 CMP工藝，將在熱成型工藝中表面有變形的玻璃圓片背面 磨平、拋光。第五步中所述去除硅模具的方法為，將退火過(guò)后的鍵合片，浸泡在 40y。的K0H強(qiáng)堿溶液中，以大于7(T C的溫度水浴加熱，直至完全去除硅模具層。 所述第二步刻陽(yáng)極鍵合過(guò)程中，硅片與Pyrex7740玻璃基片按照陽(yáng)極鍵合的工藝 要求進(jìn)行必要的清洗和拋光。所述第一步中所述刻蝕的結(jié)構(gòu)的深寬比為5:1-50:1。
本發(fā)明獲得如下效果
1.本發(fā)明基于傳統(tǒng)MEMS硅微加工工藝，首先在硅片上加工成型的微腔結(jié)構(gòu) 作為模具，尺寸需要根據(jù)最終所需的Pyrex7740玻璃結(jié)構(gòu)尺寸和厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)。 由于硅微加工技術(shù)是IC工業(yè)中非常成熟的工藝，可以標(biāo)準(zhǔn)的做出所需結(jié)構(gòu)，甚 至是高深寬比(可達(dá)到50:1)的深腔結(jié)構(gòu)，所以本發(fā)明使用硅片做Pyrex7740 玻璃的模具層。隨后將該含有模具結(jié)構(gòu)的硅片與Pyrex7740玻璃在真空環(huán)境下進(jìn) 行陽(yáng)極鍵合，形成真空狀態(tài)的微腔。然后在常壓下加熱到玻璃的軟化點(diǎn)溫度進(jìn)行 熱成型處理，在微腔內(nèi)外壓力差的作用下，Pyrex7740玻璃被負(fù)壓擠入硅模具層微腔結(jié)構(gòu)中成型，從而得到我們所需要的玻璃表面微結(jié)構(gòu)。由于Pyrex7740玻璃 在軟化點(diǎn)溫度下成型呈流態(tài)，因而形成的微結(jié)構(gòu)表面粗糙度低。這樣的特性適用 于微流體器件和MOEMS領(lǐng)域。該微結(jié)構(gòu)尺寸可通過(guò)在硅片上刻蝕結(jié)構(gòu)的尺寸進(jìn)行 調(diào)節(jié)，因而可從微米級(jí)別進(jìn)行控制調(diào)節(jié)。
2. 陽(yáng)極鍵合工藝具有鍵合強(qiáng)度高，密閉性好的特點(diǎn)。本發(fā)明采用陽(yáng)極鍵合 工藝形成密閉空腔，在第三步的熱成型過(guò)程中不會(huì)發(fā)生漏氣而導(dǎo)致成型失敗。在 溫度400°C，電壓直流IOOOV，鍵合壓力40(Tl200N(針對(duì)4英寸硅和Pyrex7740 玻璃的鍵合片)的鍵合條件下，陽(yáng)極鍵合能夠達(dá)到更好的密封效果，鍵合的真空 度越高，成型性通暢越好，但是，過(guò)高的真空度容易導(dǎo)致成本大幅度增加。
3. 采用的第三步中的退火工藝可以有效的消除Pyrex7740玻璃承受高溫負(fù) 壓成型過(guò)程中形成的應(yīng)力，從而使其微結(jié)構(gòu)可靠性更高。在該條件下退火，既能 有效退去應(yīng)力，還能夠使得微結(jié)構(gòu)的形狀基本無(wú)改變，而退火溫度過(guò)高易導(dǎo)致微 結(jié)構(gòu)形狀發(fā)生變化;而過(guò)低的退火溫度則無(wú)法有效去除Pyrex7740玻璃微結(jié)構(gòu)的 應(yīng)力。
4. 本發(fā)明制備與硅的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)?shù)腜yrex7740玻璃作為玻璃微腔結(jié) 構(gòu)，在制備微腔時(shí)不容易使鍵合好的兩圓片因熱失配產(chǎn)生損壞，為后道的熱成型 工藝提供了可靠的保障。
5. 本發(fā)明使用CMP工藝磨平鍵合片的玻璃圓片背面，使最后成型的玻璃圓 片成為標(biāo)準(zhǔn)加工圓片，可以繼續(xù)投入其他工藝中進(jìn)一步加工至所需器件。
6. 本發(fā)明采用常規(guī)硅微加工工藝在圓片上進(jìn)行加工，因此工藝過(guò)程簡(jiǎn)單可 靠，成本低廉，并且可實(shí)現(xiàn)玻璃微結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制造。
7. 本發(fā)明可制備大高寬比(可達(dá)到50:1以上)的玻璃微結(jié)構(gòu)，在微流體器 件和MOEMS等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。
8. 熱成型的溫度和時(shí)間條件是整個(gè)工藝的重點(diǎn)。溫度過(guò)低，則需要的成型時(shí) 間較長(zhǎng)，成本較高，甚至由于其流動(dòng)性差而無(wú)法完全成型；溫度過(guò)高，則 Pyrex7740玻璃圓片底面變形嚴(yán)重，直接影響后續(xù)的CMP工藝。所以挑選合適的 工藝條件對(duì)于玻璃表面微結(jié)構(gòu)的成型過(guò)程非常重要。經(jīng)過(guò)一系列實(shí)驗(yàn)，我們選擇 熱成型反應(yīng)溫度為76(TC-88(TC，反應(yīng)時(shí)間2-10min。
本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、成型精確、微結(jié)構(gòu)高寬比高的特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于 MEMS封裝中Pyrex7740玻璃微腔的制造。


圖一 刻蝕有微模具結(jié)構(gòu)的硅圓片截面示意圖。 圖二硅模具圓片與Pyrex7740玻璃圓片鍵合后的圓片截面示意圖。 圖三硅與玻璃的鍵合片熱成型后的截面示意圖。 圖四硅與玻璃的鍵合片進(jìn)行CMP磨平后的截面示意圖。 圖五磨平拋光后鍵合片去除硅模具層之后的截面示意圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1
一種用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，其特征在于，包括以下步驟 第一步，在微電子加工工藝在拋光硅圓片上刻蝕形成特定結(jié)構(gòu)模具深腔，本 實(shí)施例中，所述第一步微電子加工工藝為濕法腐蝕工藝、干法等離子刻蝕工藝、 反應(yīng)離子刻蝕或者深反應(yīng)離子刻蝕中的一種。
第二步，將上述硅圓片與Pyrex7740玻璃圓片在真空環(huán)境下進(jìn)行鍵合，真空 度可以為10—6-10Pa，譬如，10-5 Pa， 10—4 Pa， 10—3 Pa， 10—1 Pa, 2 Pa， 4 Pa， 8Pa，使硅片上的上述特定結(jié)構(gòu)模具深腔形成密封腔體，所述鍵合可采用陽(yáng)極鍵 合工藝，也可以采用熔融鍵合等工藝，優(yōu)選陽(yáng)極鍵合工藝，工藝條件為溫度 300-400°C，例如選取為32(TC， 350°C， 380。C，電壓600-1000V，例如可以選 取為650 V， 720 V， 830 V， 950 V，鍵合壓力400-1200N，例如可以選取為 500 N, 700 N， 850 N， 1050 N，真空度小于10—2Pa，譬如10—3Pa,
第三步，將上述鍵合好的兩圓片在一個(gè)大氣壓下(氣氛可以是保護(hù)性氣氛， 也可以是通常的空氣)，55(TC-90(TC溫度范圍內(nèi)，進(jìn)行熱成型，熱成型時(shí)間(從 圓片放入上述溫度的爐中開始計(jì)時(shí))可以為50秒至20分鐘，例如1分鐘，1. 5分 鐘，2分鐘，8分鐘，9分鐘，ll分鐘，16分鐘，腔內(nèi)外壓力差使軟化后的玻璃 形成與上述特定結(jié)構(gòu)模具深腔相應(yīng)的微結(jié)構(gòu)，冷卻，將上述圓片退火消除應(yīng)力， 所述熱退火的工藝條件為退火溫度范圍在51(TC-56(TC中，溫度可以選取為530 °C， 540°C,退火保溫時(shí)間為30min,然后緩慢風(fēng)冷至常溫(通常為25'C)。溫度 優(yōu)選為76CTC-880。C，例如可以為77(TC， 82(TC, 850°C，時(shí)間優(yōu)選為2-10分 鐘(min)，例如相應(yīng)地為8分鐘，5分鐘，3分鐘。
第四步，對(duì)上述熱退火過(guò)后的鍵合片的玻璃背面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，磨平鍵 合片的玻璃圓片背面。第五步，使用單面腐蝕方法去除硅模具層，最終得到圓片級(jí)玻璃微模具。所 述去除硅模具的方法為，將退火過(guò)后的鍵合片，浸泡在4(F。的K0H強(qiáng)堿溶液中， 以大于70° C的溫度水浴加熱，直至完全去除硅模具層，
所述第三步熱成型的過(guò)程中，第三步中第四步中所述的磨平工藝中，采用了 CMP工藝，將在熱成型工藝中表面有變形的玻璃圓片背面磨平、拋光。第五步中 所述第二步刻陽(yáng)極鍵合過(guò)程中，硅片與Pyrex7740玻璃基片按照陽(yáng)極鍵合的工藝 要求進(jìn)行必要的清洗和拋光。所述第一步中所述刻蝕的結(jié)構(gòu)的深寬比為5:卜
50:1，例如可以為10: 1， 20: 1， 30: 1， 40: 1。 實(shí)施例2
一種用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，包括以下步驟-
第一步，利用硅微加工工藝在硅圓片(譬如4英寸圓片)上刻蝕形成特定微腔 結(jié)構(gòu)作為模具，所述硅原片上微腔結(jié)構(gòu)的微加工工藝為濕法腐蝕工藝、或者干法 ICP刻蝕工藝、RIE或者DRIE中的一種，該圖案可以是方形或圓形微腔陣列，也 可以是各種不同的圖形。實(shí)際上從三維上看，特定微腔結(jié)構(gòu)是在硅片上刻深槽， 從二維上看是圖形。
第二步，將上述硅圓片與同樣拋光的Pyrex7740玻璃圓片在小于l*l(T2Pa 的氣氛下進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，譬如壓力為O. OlPa， 0. 005Pa， 0. 001Pa，使Pyrex7740 玻璃與硅模具腔形成密封腔體，鍵合表面在鍵合前應(yīng)該保持高度清潔和極小的表 面粗糙度，應(yīng)按照陽(yáng)極鍵合或其他鍵合的工藝要求進(jìn)行常規(guī)清洗和拋光，
第三步，將上述鍵合好的圓片在一個(gè)大氣壓下加熱至Pyrex7740玻璃軟化點(diǎn)
溫度附近81(TC~88(TC，在該溫度下保溫5 10niin腔內(nèi)外壓力差使軟化后的玻璃 形成與硅微模具結(jié)構(gòu)相應(yīng)的微結(jié)構(gòu)，冷卻到常溫，將上述鍵合片在常壓下退火消 除應(yīng)力，該常壓是指一標(biāo)準(zhǔn)大氣壓環(huán)境下。
第四步，對(duì)上述熱退火過(guò)后的鍵合片的玻璃背面進(jìn)行CMP (化學(xué)機(jī)械拋光) 工藝處理，磨平鍵合片的玻璃圓片背面。
第五步，將經(jīng)過(guò)退火處理的鍵合片，浸泡在40y。的K0H強(qiáng)堿溶液中，以大于 7(TC的溫度水浴加熱，直至完全去除硅模具層。
上述技術(shù)方案中，所述的Si原片與Pyrex7740玻璃表面鍵合工藝為陽(yáng)極鍵 合，典型工藝條件為溫度300。(T40(rC，電壓60(Tl000V，鍵合壓力40(Tl200N(針對(duì)4英寸硅和Pyrex7740玻璃的鍵合片)。第三步中的加熱溫度可以選取為 820。C， 830°C， 840°C， 845°C， 850°C， 855°C， 860°C， 870°C， 880°C，保溫時(shí) 間可以選取為5min， 6min， 7min， 8min， 9min， 10min。第三步中所述熱退火 的工藝條件為退火溫度范圍在51(TCT56(rC中，退火溫度可以選取為52(TC， 530°C， 54(TC， 55(TC，退火保溫時(shí)間為30min，然后緩慢風(fēng)冷至常溫，譬如25 'C。第四步中CMP工藝磨平鍵合片的玻璃背面，同時(shí)也可以進(jìn)行拋光以達(dá)到玻璃 圓片的原始表面粗糙度。第五步去除硅模具層所采用40%的KOH強(qiáng)堿水浴反應(yīng)溫 度可以選取為70。C， 80°C, 9CTC。
實(shí)施例3
一種大高寬比玻璃表面微結(jié)構(gòu)的用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，包
括以下步驟
第一步，利用DRIE刻蝕方法在4英寸硅圓片上刻蝕形成特定模具結(jié)構(gòu)(實(shí)際 上，從三維上看是在硅片上刻深槽，二維上是圖案)，深寬比實(shí)現(xiàn)50:1，硅片經(jīng) 過(guò)拋光。
第二步，將上述硅圓片與相同尺寸的(4英寸)Pyrex7740玻璃圓片在1*10—3Pa 的真空下進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，使Pyrex7740玻璃與硅模具腔形成密封腔體，鍵合表面 在陽(yáng)極鍵合前按照鍵合要求進(jìn)行常規(guī)清洗和拋光，保持高度清潔和極小的表面粗 糙度。
第三步，將上述鍵合好的圓片在一個(gè)大氣壓下加熱至85(TC，在該溫度下保 溫8min，腔內(nèi)外壓力差使軟化后的玻璃形成與上述微模具結(jié)構(gòu)相應(yīng)的結(jié)構(gòu)，冷 卻到常溫25。C，將上述圓片在一個(gè)大氣壓下退火消除應(yīng)力。
第四步，對(duì)上述熱退火過(guò)后的鍵合片的玻璃背面進(jìn)行CMP (化學(xué)機(jī)械拋光) 工藝處理，磨平鍵合片的玻璃圓片背面，并進(jìn)行拋光，使表面粗糙度達(dá)到原始玻 璃圓片標(biāo)準(zhǔn)。
第五步，將經(jīng)過(guò)退火處理的鍵合片，浸泡在40%的KOH強(qiáng)堿溶液中，以80 r的溫度水浴加熱，直至完全去除硅模具層。
上述技術(shù)方案中，所述的硅原片與Pyrex7740玻璃表面鍵合工藝為陽(yáng)極鍵 合，工藝條件為溫度40(TC，電壓800V。第三步中所述熱退火工藝中溫度可 以選取為54(TC，退火保溫時(shí)間為30min，然后緩慢風(fēng)冷至常溫25°C 。在去除硅模具層之后，圓片級(jí)玻璃微模具熱成型工藝完成，玻璃圓片表面微結(jié)構(gòu)的高寬比 達(dá)到50:1。
本發(fā)明通過(guò)MEMS加工制造技術(shù)硅片與Pyrex7740玻璃的陽(yáng)極鍵合工藝， 再利用真空負(fù)壓熱處理工藝，制造出具有原始拋光表面粗糙度的圓片級(jí) Pyrex7740玻璃微結(jié)構(gòu)，工藝成熟，技術(shù)可靠。
本發(fā)明可以在同時(shí)在上述圓片上預(yù)留劃片槽，在加工形成后，可以沿劃片槽 將各圖形劃片，獲得多個(gè)不同的玻璃微結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)玻璃微結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作， 降低該工藝的成本。
上述形成的玻璃模具，在光學(xué)等領(lǐng)域用作模具，甚至直接應(yīng)用成器件，具有 較廣闊的應(yīng)用前景。
權(quán)利要求
1. 一種用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，其特征在于，包括以下步驟第一步，在微電子加工工藝在拋光硅圓片上刻蝕形成特定結(jié)構(gòu)模具深腔，第二步，將上述硅圓片與Pyrex7740玻璃圓片在真空環(huán)境下進(jìn)行鍵合，使硅片上的上述特定結(jié)構(gòu)模具深腔形成密封腔體，第三步，將上述鍵合好的兩圓片在一個(gè)大氣壓下、550℃-900℃溫度范圍內(nèi)，進(jìn)行熱成型，腔內(nèi)外壓力差使軟化后的玻璃形成與上述特定結(jié)構(gòu)模具深腔相應(yīng)的微結(jié)構(gòu)，冷卻，將上述圓片退火消除應(yīng)力，第四步，對(duì)上述熱退火過(guò)后的鍵合片的玻璃背面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，磨平鍵合片的玻璃圓片背面。第五步，使用單面腐蝕方法去除硅模具層，最終得到圓片級(jí)玻璃微模具。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，其特征在于所 述第一步微電子加工工藝為濕法腐蝕工藝、干法等離子刻蝕工藝、反應(yīng)離子刻 蝕或者深反應(yīng)離子刻蝕中的一種。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，其特征在于所 述第二步所述鍵合采用陽(yáng)極鍵合工藝，工藝條件為溫度300-400°C，電壓 600-1000V，鍵合壓力400-1200N，真空度小于10—2Pa 。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，其特征在于所 述第三步熱成型的過(guò)程中，溫度為760°C-88(TC，時(shí)間為2-10min。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，其特征在于第 三步中所述熱退火的工藝條件為退火溫度范圍在510。C-56(TC中，退火保溫時(shí) 間為30rain，然后緩慢風(fēng)冷至常溫。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，其特征在于第 四步中所述的磨平工藝中，采用了CMP工藝，將在熱成型工藝中表面有變形的玻 璃圓片背面磨平、拋光。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，其特征在于第 五步中所述去除硅模具的方法為，將退火過(guò)后的鍵合片，浸泡在40。/。的K0H強(qiáng)堿 溶液中，以大于7(T C的溫度水浴加熱，直至完全去除硅模具層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，其特征在于所 述第二步刻陽(yáng)極鍵合過(guò)程中，硅片與Pyrex7740玻璃基片按照陽(yáng)極鍵合的工藝要 求進(jìn)行必要的清洗和拋光。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，其特征在于所 述第一步中所述刻蝕的結(jié)構(gòu)的深寬比為5:1- 50:1。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用微模具成型圓片級(jí)玻璃器件的方法，在微電子加工工藝在拋光硅圓片上刻蝕形成特定結(jié)構(gòu)模具深腔，將上述硅圓片與Pyrex7740玻璃圓片在真空環(huán)境下進(jìn)行鍵合，使硅片上的上述特定結(jié)構(gòu)模具深腔形成密封腔體，將上述鍵合好的兩圓片在一個(gè)大氣壓下加熱，進(jìn)行熱成型，腔內(nèi)外壓力差使軟化后的玻璃形成與上述特定結(jié)構(gòu)模具深腔相應(yīng)的微結(jié)構(gòu)，冷卻，將上述圓片退火消除應(yīng)力，對(duì)上述熱退火過(guò)后的鍵合片的玻璃背面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，磨平鍵合片的玻璃圓片背面，使用單面腐蝕方法去除硅模具層。可制備大高寬比(可達(dá)到50∶1以上)的玻璃微結(jié)構(gòu)，成本低，在微流體器件和MOEMS等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。
文檔編號(hào)C03B19/00GK101475298SQ20091002846
公開日2009年7月8日 申請(qǐng)日期2009年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月20日
發(fā)明者唐潔影, 尚金堂, 柳俊文, 黃慶安 申請(qǐng)人:東南大學(xué)