一種led封裝結(jié)構(gòu)及其圓片級(jí)封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)及其圓片級(jí)封裝方法，屬于半導(dǎo)體封裝【技術(shù)領(lǐng)域】。其包括硅基本體（110）和LED芯片（200），硅基本體（110）的正面設(shè)置不連續(xù)的金屬反光層（410、420），硅通孔（111）內(nèi)設(shè)置不連續(xù)的金屬層Ⅰ（810）、金屬層Ⅱ（820），電極(210)、金屬柵(311)、金屬反光層（410）、金屬層Ⅰ（810）電氣連接，電極(220)、金屬柵(312)、金屬反光層（420）、金屬層Ⅱ（820）實(shí)現(xiàn)電氣連接；還包括金屬層Ⅲ（830），金屬層Ⅲ（830）位于硅基本體（110）的背面的絕緣層Ⅱ（520）的表面且位于金屬層Ⅰ（810）、金屬層Ⅱ（820）之間。本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)依靠圓片級(jí)封裝技術(shù)獲得全角度出光的LED封裝結(jié)構(gòu)，且能夠降低熱阻、提高可靠性、使出光角度不受限、并且能降低設(shè)計(jì)和制造成本。
【專利說(shuō)明】一種LED封裝結(jié)構(gòu)及其圓片級(jí)封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)及其圓片級(jí)封裝方法，屬于半導(dǎo)體封裝【技術(shù)領(lǐng)域】?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]一般的,發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱LED,下同)的封裝有多種封裝形式。早期的，采用引線框?yàn)榛暹M(jìn)行封裝，將LED芯片通過(guò)導(dǎo)熱膏(或?qū)щ娔z)貼裝至引線框上，通過(guò)引線鍵合的方式實(shí)現(xiàn)電流加載從而使其發(fā)光；隨著技術(shù)進(jìn)步，一些新的、高性能的基板材料出現(xiàn)，在大功率LED的應(yīng)用中起到了引領(lǐng)作用，如陶瓷基板、AlN基板等。但作為商用化的產(chǎn)品而言，現(xiàn)有的LED封裝技術(shù)還存在如下問題:①熱阻高。由于LED芯片發(fā)光是通過(guò)電子復(fù)合過(guò)程所激發(fā)，因而在產(chǎn)生光的同時(shí)產(chǎn)生大量的熱。眾所周知，熱的產(chǎn)生反過(guò)來(lái)影響著電轉(zhuǎn)化為光的效率，降低了 LED本身的發(fā)光性能。②LED芯片通過(guò)貼裝工藝與金屬層連接，由于LED芯片的自身重量越來(lái)越輕，其電極與焊錫的潤(rùn)濕力常存在不平衡，在回流時(shí)就可能發(fā)生的漂移、立碑或旋轉(zhuǎn)等不良連接方式，影響LED封裝的可靠性；
I:出光角度受限?，F(xiàn)有的LED燈珠，其LED芯片坐落于下凹的反光杯罩內(nèi)，出光角度最大
不超過(guò)150度，受限的出光角度導(dǎo)致LED燈珠使用范圍受限，在某些需要超大角度甚至全角度的場(chǎng)合，必須輔以二次光學(xué)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)；由于出光角度大小不一致，二次光學(xué)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)需要考慮具體的出光角度有針對(duì)性地進(jìn)行設(shè)計(jì)，不僅增加了二次光學(xué)設(shè)計(jì)難度，而且增加了 LED結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性，同時(shí)，設(shè)計(jì)和制造成本也相應(yīng)增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種能夠降低熱阻、提高可靠性、使出光角度不受限、并且能降低設(shè)計(jì)和制造成本的LED封裝結(jié)構(gòu)及其圓片級(jí)封裝方法。
[0004]本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:
本發(fā)明一種圓片級(jí)LED封裝方法，包括如下工藝步驟:
提供一帶有絕緣層I的硅圓片，在絕緣層I的表面形成金屬反光層；
在金屬反光層的表面形成金屬柵，再在金屬柵的表面電鍍金屬連接層；
將帶有電極的LED芯片倒裝固定至金屬連接層上；
將透光層鍵合至LED芯片的上方；
依次利用光刻、刻蝕工藝，在硅圓片的背面形成硅通孔；
在硅圓片的背面沉積絕緣層II，再在硅通孔內(nèi)，依次通過(guò)光刻、刻蝕的方式形成貫穿絕緣層I和絕緣層II的絕緣層開口 ；
依次通過(guò)濺射、光刻、電鍍的方式，在絕緣層II的表面形成金屬層1、金屬層II和金屬層III，其中金屬層I與金屬層II分別通過(guò)絕緣層開口與金屬反光層連接，金屬層III設(shè)置于金屬層1、金屬層II之間；
將完成封裝的硅圓片切割成單顆獨(dú)立的封裝體。[0005]進(jìn)一步地，通過(guò)如下步驟在絕緣層I的表面形成金屬反光層:
在絕緣層I的表面通過(guò)濺射形成金屬反光層；
在金屬反光層的表面通過(guò)光刻工藝形成光刻膠圖形；
以光刻膠圖形為掩膜，刻蝕金屬反光層，形成金屬反光層。
[0006]進(jìn)一步地，在金屬反光層的表面形成金屬柵，包括步驟:
在金屬反光層的表面對(duì)應(yīng)倒裝LED芯片處濺射金屬種子層；
在金屬種子層的表面通過(guò)光刻工藝形成光刻膠圖形；
以光刻膠圖形為掩膜，電鍍?nèi)舾蓚€(gè)條狀金屬柱/塊；
用去膠工藝去除光刻膠圖形和無(wú)效區(qū)域的金屬種子層。
[0007]進(jìn)一步地，將帶有電極的LED芯片倒裝固定至金屬連接層上之后還包括步驟:
在LED芯片與金屬反光層的間隙填充填充劑。
[0008]進(jìn)一步地，將透光層鍵合至LED芯片上方之前包括步驟:
在LED芯片表面噴涂熒光粉膠層；
在完成熒光粉膠層的封裝結(jié)構(gòu)上印刷粘合劑I，并固化和整平粘合劑I ;
再利用旋轉(zhuǎn)涂膠的方式涂上粘合劑II，與透光層鍵合，然后固化粘合劑II。
[0009]進(jìn)一步地，利用光刻、刻蝕工藝形成硅通孔之前包括步驟:
硅圓片的背面進(jìn)行減薄處理，至硅圓片的厚度不超過(guò)200um。
[0010]本發(fā)明一種圓片級(jí)LED封裝方法形成的LED封裝結(jié)構(gòu)，包括背面開設(shè)若干個(gè)硅通孔的硅基本體和帶有電極的LED芯片，所述硅基本體的正面設(shè)置絕緣層I，所述硅通孔的內(nèi)壁設(shè)置絕緣層II，
所述絕緣層I的表面設(shè)置不連續(xù)的金屬反光層，所述硅通孔的頂部設(shè)置貫穿絕緣層I和絕緣層II的絕緣層開口，所述絕緣層II的表面設(shè)置不連續(xù)的金屬層1、金屬層II，所述金屬層1、金屬層II 一端分別通過(guò)絕緣層開口與金屬反光層連接，另一端沿硅通孔向外延展至硅基本體的背面并向相反方向延展，所述LED芯片通過(guò)金屬柵倒裝至金屬反光層，并設(shè)置填充劑，所述電極、金屬柵、金屬反光層、金屬層I實(shí)現(xiàn)電氣連接，所述電極、金屬柵、金屬反光層、金屬層II實(shí)現(xiàn)電氣連接，所述LED芯片的外圍涂覆熒光粉膠層；
還包括金屬層III，所述金屬層III位于硅基本體的背面的絕緣層II的表面且位于金屬層
1、金屬層II之間，所述金屬層III與金屬層1、金屬層II均不連接；
在LED芯片的上方通過(guò)粘合劑設(shè)置透光層。
[0011]可選地，所述金屬柵包括若干個(gè)平行排列的條狀金屬塊/柱。
[0012]可選地，所述金屬柵材質(zhì)為銅，其高度為5-15um。
[0013]可選地，所述LED芯片通過(guò)金屬連接層與金屬柵連接，所述金屬連接層材質(zhì)為錫或錫合金，其高度為8-20um。
[0014]本發(fā)明結(jié)構(gòu)旨在通過(guò)圓片級(jí)封裝方式提升LED燈珠的出光性能、散熱性能，降低設(shè)計(jì)和封裝成本。
[0015]本發(fā)明有益效果是:
1、LED芯片落座于平展的反射層上，四周無(wú)遮擋，LED光線能夠全角度出射；
2、針對(duì)實(shí)際使用需要的LED出光角度，后續(xù)的二次光學(xué)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)均可在LED光線全角度出射的基礎(chǔ)上加以優(yōu)化； 3、LED芯片通過(guò)金屬柵結(jié)構(gòu)與金屬反光層實(shí)現(xiàn)倒裝連接，提升了倒裝工藝的穩(wěn)定性和可操作性；
4、特意設(shè)置于硅基本體背面的大比例的金屬層快速地傳導(dǎo)LED芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱，有效地降低LED封裝結(jié)構(gòu)的熱阻，有助于提升LED性能；
5、圓片級(jí)封裝的芯片設(shè)計(jì)和封裝設(shè)計(jì)可以統(tǒng)一考慮、同時(shí)進(jìn)行，有助于提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)費(fèi)用；
6、圓片級(jí)封裝從芯片制造、封裝到產(chǎn)品發(fā)往用戶的整個(gè)過(guò)程中，中間環(huán)節(jié)大大減少，縮短了周期，有助于成本的降低。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本發(fā)明一種圓片級(jí)LED封裝方法的流程圖；
圖2為本發(fā)明一種LED封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的示意圖；
圖3為圖2的實(shí)施例的金屬柵與LED芯片的位置關(guān)系示意圖；
圖4為圖2的實(shí)施例的LED芯片與金屬層的位置關(guān)系示意圖；
圖5為圖2的實(shí)施例的LED芯片與金屬層的位置關(guān)系示意圖；
圖6至圖19為圖2實(shí)施例的圓片級(jí)LED封裝方法的示意圖；
圖中:硅圓片100,101,102 硅基本體110 硅通孔111 LED芯片200 電極 210、220 光刻膠圖形301 金屬柵311、312 金屬連接層321、322 金屬反光層400、410、420 光刻膠圖形401 絕緣層I 510、510’
絕緣層II 520 絕緣層開口 501、502 填充劑610 粘合劑620 粘合劑I 621 粘合劑II 622 熒光粉膠層630 透光層700 凸起801 金屬層I 810 金屬層II 820 金屬層III 830?！揪唧w實(shí)施方式】
[0017]參見圖1，本發(fā)明一種圓片級(jí)LED封裝方法，包括如下工藝步驟:
執(zhí)行步驟SlOl:提供一帶有絕緣層I的硅圓片，在絕緣層I的表面形成金屬反光層； 執(zhí)行步驟S102:在金屬反光層的表面形成金屬柵，再在金屬柵的表面電鍍金屬連接
層；
執(zhí)行步驟S103:將帶有電極的LED芯片倒裝固定至金屬連接層上；
執(zhí)行步驟S104:將透光層鍵合至LED芯片的上方；
執(zhí)行步驟S105:依次利用光刻、刻蝕工藝，在硅圓片的背面形成硅通孔；
執(zhí)行步驟S106:在硅圓片的背面沉積絕緣層II，再在硅通孔內(nèi)，依次通過(guò)光刻、刻蝕的方式形成貫穿絕緣層I和絕緣層II的絕緣層開口 ；
執(zhí)行步驟S107:依次通過(guò)濺射、光刻、電鍍的方式，在絕緣層II的表面形成金屬層1、金屬層II和金屬層III，其中金屬層I與金屬層II分別通過(guò)絕緣層開口與金屬反光層連接，金屬層III設(shè)置于金屬層1、金屬層II之間；
執(zhí)行步驟S108:將完成封裝的硅圓片切割成單顆獨(dú)立的封裝體。
[0018]本發(fā)明一種圓片級(jí)LED封裝方法形成的LED封裝結(jié)構(gòu)，如圖2至圖5所示，包括背面開設(shè)若干個(gè)硅通孔111的硅基本體110和帶有電極210、220的LED芯片200，所述硅基本體110的正面設(shè)置絕緣層I 510，所述硅通孔111的內(nèi)壁設(shè)置絕緣層II 520。
[0019]絕緣層I 510的表面設(shè)置不連續(xù)的銀、鋁等材質(zhì)的金屬反光層410、420，金屬反光層410與金屬反光層420之間的間隔小于電極210與電極220之間的間隔。利用銀、鋁等材質(zhì)的高反射率性質(zhì)，金屬反光層410、420可以作為L(zhǎng)ED芯片200的反射層。由于LED芯片200坐落于平展的反射層上，實(shí)現(xiàn)了 LED光線的全角度出射。LED芯片200與金屬反光層410與金屬反光層420之間可以設(shè)置硅膠等填充劑610，也可以無(wú)任何物質(zhì)。
[0020]所述LED芯片200通過(guò)金屬柵311、312倒裝至金屬反光層410、420，如圖3所示，所述金屬柵311、312包括若干個(gè)平行排列的條狀金屬塊/柱。所述電極210、金屬柵311、金屬反光層410、金屬層I 810實(shí)現(xiàn)電氣連接,所述電極220、金屬柵312、金屬反光層420、金屬層II 820實(shí)現(xiàn)電氣連接。所述LED芯片200與金屬柵311、312之間可以設(shè)置錫或錫合金的金屬連接層321、322。LED芯片200通過(guò)金屬柵311、312與金屬反光層410、420實(shí)現(xiàn)倒裝連接，提升了倒裝工藝的穩(wěn)定性和可操作性，克服了 LED芯片200在回流工藝中可能發(fā)生的漂移、立碑或旋轉(zhuǎn)等不良連接方式，保證了圓片級(jí)工藝過(guò)程中LED芯片200連接的一致性與均勻性。其中金屬柵311和金屬柵312的金屬塊/柱的厚度范圍為5-15um，錫或錫合金的厚度范圍為8-20um，能在實(shí)現(xiàn)可靠連接的同時(shí)，最大限度的降低熱阻。金屬柵311、312或金屬柵311、312與金屬連接層321、322也可以應(yīng)用于傳統(tǒng)的設(shè)置有LED反射杯的LED燈珠或其他微小金屬部件與金屬面/塊的連接。
[0021]在娃基本體110的背面絕緣層II 520的表面且位于金屬層I 810、金屬層II 820之間設(shè)置金屬層III 830,所述金屬層III 830與金屬層I 810、金屬層II 820均不連接。金屬層
III830能夠有效將LED芯片200工作時(shí)傳導(dǎo)至硅基本體110上的熱量散出。
[0022]在LED芯片200的上方通過(guò)硅膠等粘合劑620固定玻璃、有機(jī)樹脂等材質(zhì)的透光層700，粘合劑620填充透光層700與硅基本體110之間的空間。其中，耐候性較好的玻璃材質(zhì)的透光層700有助于延長(zhǎng)LED燈珠在戶外環(huán)境的壽命。
[0023]硅通孔111的頂部設(shè)置貫穿絕緣層I 510和絕緣層II 520的絕緣層開口 501、502，所述絕緣層II 520的表面設(shè)置不連續(xù)的金屬層I 810、金屬層II 820,所述金屬層I 810、金屬層II 820 一端分別通過(guò)絕緣層開口 501、502與金屬反光層410、420連接，另一端沿硅通孔111向外延展至娃基本體110的背面并向相反方向延展,金屬層I 810、金屬層II 820之間存在間隙。所述金屬層I 810、金屬層II 820在硅基本體110的背面延展呈矩形，如圖4所示；所述金屬層I 810、金屬層II 820在硅基本體110的背面延展也可以呈帶有凸起801的矩形，所述凸起801與硅通孔111對(duì)應(yīng)，如圖5所示。所述凸起801的個(gè)數(shù)不少于硅通孔111的個(gè)數(shù)，一個(gè)凸起801至少對(duì)應(yīng)一個(gè)硅通孔111。
[0024]單色的LED芯片200 —般只能激發(fā)R (紅)、G (綠)、B (藍(lán))三色光。而在人們的實(shí)際生活中，更需要地是使用白光，為了得到白光LED燈珠，可以選擇藍(lán)色LED芯片200激發(fā)分布于其周圍的熒光粉，該熒光粉制成的熒光粉膠層630可以涂覆于藍(lán)色LED芯片200的發(fā)光面，熒光粉也可以與硅膠等粘合劑620混合，填充于透光層700與硅基本體110之間的空間。
[0025]本發(fā)明一種LED封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，通過(guò)如下圓片級(jí)LED封裝方法形成。
[0026]如圖6至圖9所示，提供一帶有絕緣層I 510’的硅圓片100，在絕緣層I 510’的表面通過(guò)濺射形成金屬反光層400，在金屬反光層400的表面通過(guò)光刻工藝形成光刻膠圖形401，以光刻膠圖形401為掩膜，刻蝕金屬反光層400，形成不連續(xù)的金屬反光層410、420。
[0027]如圖10和圖11所示，在金屬反光層410、420的表面對(duì)應(yīng)倒裝LED芯片200處濺射金屬種子層(圖中未示出)，在金屬種子層的表面通過(guò)光刻工藝形成光刻膠圖形301，以光刻膠圖形301為掩膜，電鍍?nèi)舾蓚€(gè)條狀金屬柱/塊；用去膠工藝去除光刻膠圖形301和無(wú)效區(qū)域的金屬種子層，再在金屬柵321、322的表面電鍍金屬連接層311、312。
[0028]如圖12所示，將帶有電極210、220的LED芯片200倒裝至金屬連接層321、322上，通過(guò)回流形成固定連接；在LED芯片200周圍點(diǎn)硅膠等填充劑610，以填充LED芯片200與金屬反光層410、420之間的縫隙。
[0029]如圖13所示，預(yù)先設(shè)置掩膜板(圖中未示出)，通過(guò)噴涂的方式將熒光粉膠層630噴涂在LED芯片200表面，且均勻覆蓋至填充劑610外圍和LED芯片200周邊的金屬反光層 410,420 上。
[0030]如圖14所示，在完成熒光粉膠層630的封裝結(jié)構(gòu)上印刷硅膠等粘合劑I 621，并固化粘合劑I 621，再通過(guò)機(jī)械研磨方式整平粘合劑I 621的表面。
[0031]如圖15所示，再利用旋轉(zhuǎn)涂膠的方式涂上硅膠等粘合劑II 622，與透光層700鍵合，然后固化粘合劑II 622。
[0032]如圖16所示，通過(guò)研磨機(jī)將硅圓片101的背面進(jìn)行減薄處理，至硅圓片102的厚度不超過(guò)200um，再依次利用光刻、刻蝕工藝，在硅圓片102的背面的金屬反光層410、420下方形成若干個(gè)娃通孔111。
[0033]如圖17所示，在硅圓片102的背面沉積絕緣層II 520，再在硅通孔111內(nèi)，依次通過(guò)光刻、刻蝕的方式形成貫穿絕緣層I 510和絕緣層II 520的絕緣層開口 501、502。
[0034]如圖18所示，依次通過(guò)濺射、光刻、電鍍的方式，在絕緣層II 520的表面形成不連續(xù)的金屬層I 810、金屬層II 820和金屬層III 830，其中金屬層I 810與金屬層II 820分別通過(guò)絕緣層開口 501、502與金屬反光層410、420連接，金屬層111 830設(shè)置于金屬層I 810與金屬層II 820之間。
[0035]如圖19所示，采用激光切割或刀片機(jī)械切割的方式將完成封裝的硅圓片102切割成單顆獨(dú)立的LED封裝結(jié)構(gòu)，測(cè)試并編帶出貨。
[0036]本發(fā)明的LED封裝結(jié)構(gòu)和圓片級(jí)LED封裝方法不限于上述實(shí)施例，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何修改、等同變化及修飾，均落入本發(fā)明權(quán)利要求所界定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種圓片級(jí)LED封裝方法，包括如下工藝步驟: 提供一帶有絕緣層I (510’)的硅圓片，在絕緣層I (510’)的表面形成金屬反光層(410,420)； 在金屬反光層(410、420)的表面形成金屬柵(311、312),再在金屬柵(311、312)的表面電鍍金屬連接層(321、322)； 將帶有電極(210、220)的LED芯片(200)倒裝固定至金屬連接層(321、322)上； 將透光層(700)鍵合至LED芯片(200)的上方； 依次利用光刻、刻蝕工藝，在硅圓片的背面形成硅通孔(111); 在硅圓片的背面沉積絕緣層II (520)，再在硅通孔(111)內(nèi)，依次通過(guò)光刻、刻蝕的方式形成貫穿絕緣層I (510)和絕緣層II (520)的絕緣層開口(501、502)； 依次通過(guò)濺射、光刻、電鍍的方式，在絕緣層II (520)的表面形成金屬層I (810)、金屬層II (820)和金屬層111(830)，其中金屬層I (810)與金屬層II (820)分別通過(guò)絕緣層開口(501、502)與金屬反光層(410、420)連接，金屬層111(830)設(shè)置于金屬層I (810)、金屬層II(820)之間； 將完成封裝的硅圓片切割成單顆獨(dú)立的封裝體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級(jí)LED封裝方法，其特征在于:通過(guò)如下步驟在絕緣層I (510，)的表面形成金屬反光層(410、420): 在絕緣層I (510’)的表面通過(guò)濺射形成金屬反光層(400)； 在金屬反光層(400)的表面通過(guò)光刻工藝形成光刻膠圖形(401)； 以光刻膠圖形(401)為掩膜,刻蝕金屬反光層(400 ),形成金屬反光層(410、420 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種圓片級(jí)LED封裝方法，其特征在于:在金屬反光層(410、420)的表面形成金屬柵(311、312)，包括步驟: 在金屬反光層(410、420)的表面對(duì)應(yīng)倒裝LED芯片(200)處濺射金屬種子層； 在金屬種子層的表面通過(guò)光刻工藝形成光刻膠圖形(301); 以光刻膠圖形(301)為掩膜，電鍍?nèi)舾蓚€(gè)條狀金屬柱/塊； 用去膠工藝去除光刻膠圖形(401)和無(wú)效區(qū)域的金屬種子層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種圓片級(jí)LED封裝方法，其特征在于:將帶有電極(210、220)的LED芯片(200)倒裝固定至金屬連接層(321)上之后還包括步驟: 在LED芯片(200 )與金屬反光層(410、420 )的間隙填充填充劑(610)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種圓片級(jí)LED封裝方法，其特征在于:將透光層(700)鍵合至LED芯片(200)上方之前包括步驟: 在LED芯片(200 )表面噴涂熒光粉膠層(630 ); 在完成熒光粉膠層(630)的封裝結(jié)構(gòu)上印刷粘合劑I (621)，并固化和整平粘合劑I(621)； 再利用旋轉(zhuǎn)涂膠的方式涂上粘合劑II (622)，與透光層(700)鍵合，然后固化粘合劑II(622)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種圓片級(jí)LED封裝方法，其特征在于:利用光刻、刻蝕工藝形成硅通孔(111)之前包括步驟: 硅圓片的背面進(jìn)行減薄處理，至硅圓片的厚度不超過(guò)200um。
7.—種如權(quán)利要求6所述的圓片級(jí)LED封裝方法形成的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括背面開設(shè)若干個(gè)硅通孔(111)的硅基本體(110)和帶有電極(210、220)的LED芯片(200)，所述硅基本體(110)的正面設(shè)置絕緣層I (510)，所述硅通孔(111)的內(nèi)壁設(shè)置絕緣層 II (520)， 所述絕緣層I (510)的表面設(shè)置不連續(xù)的金屬反光層(410、420)，所述硅通孔(111)的頂部設(shè)置貫穿絕緣層I (510)和絕緣層II (520)的絕緣層開口(501、502)，所述絕緣層II(520)的表面設(shè)置不連續(xù)的金屬層I (810)、金屬層II (820),所述金屬層I (810)、金屬層II(820) 一端分別通過(guò)絕緣層開口( 501、502 )與金屬反光層(410、420 )連接，另一端沿硅通孔(111)向外延展至娃基本體(110)的背面并向相反方向延展,所述LED芯片(200)通過(guò)金屬柵(311、312)倒裝至金屬反光層(410、420)，并設(shè)置填充劑(610)，所述電極(210)、金屬柵(311)、金屬反光層(410)、金屬層I (810)實(shí)現(xiàn)電氣連接，所述電極220、金屬柵312、金屬反光層(420)、金屬層II (820)實(shí)現(xiàn)電氣連接，所述LED芯片(200)的外圍涂覆熒光粉膠層(630)； 還包括金屬層111(830)，所述金屬層111(830)位于硅基本體(110)的背面的絕緣層II(520)的表面且位于金屬層I (810)、金屬層II (820)之間,所述金屬層111(830)與金屬層I(810)、金屬層II (820)均不連接； 在LED芯片(200)的上方通過(guò)粘合劑(620)設(shè)置透光層(700)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬柵(311、312)包括若干個(gè)平行排列的條狀金屬塊/柱。
9.根據(jù)權(quán) 利要求7或8所述的一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬柵(311、312)材質(zhì)為銅，其高度為5-15um。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述LED芯片(200)通過(guò)金屬連接層(321、322)與金屬柵(311、312)連接，所述金屬連接層(321、322)材質(zhì)為錫或錫合金，其高度為8-20um。
【文檔編號(hào)】H01L33/64GK103633237SQ201310698043
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月18日
【發(fā)明者】張黎, 賴志明, 陳棟, 陳錦輝 申請(qǐng)人:江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司