專利名稱：用有機(jī)溶劑進(jìn)行硅片清洗的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能級(jí)硅片的制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及硅片清洗技木。
背景技術(shù)：
太陽能級(jí)硅片由于制成后下段為太陽能電池制絨段，在酸制絨過程中主要依 靠硅片的晶體缺陷和硅片表面損傷層，所以在硅片清洗時(shí)既要將硅片表面臟污清洗干凈，并且不能破壞娃片表面損傷層。目前硅片的清洗方法為酸洗或者堿洗與硅片反應(yīng)的硅片清洗方法。無論是酸性溶液還是堿性溶液都一定會(huì)破壞硅片制造過程中留下的機(jī)械損傷層，但在后段的酸制絨過程中，酸液主要依靠硅片的晶體缺陷和機(jī)械損傷層來進(jìn)行制絨，所以呈酸性或者堿性的無機(jī)清洗液無法保證制絨效果。而使用有機(jī)清洗劑,就可克服以上存在的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用有機(jī)溶劑進(jìn)行硅片清洗的方法，此方法可以輕松的把硅片表面的臟污清洗干凈，并且保留了硅片原有的機(jī)械損傷層，使硅片在后段酸制絨過程中反射率多降低2%左右。不僅清洗效率提高，而且不會(huì)引入雜質(zhì)離子，減少了清洗成本與污染。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
用有機(jī)溶劑進(jìn)行硅片清洗的方法，其特征在于依次進(jìn)行以下步驟a硅片從砂漿液中取出后，立即放入50 — 100攝氏度的熱純水中超聲清洗，清洗10 — 30分鐘；b之后，硅片放入有機(jī)清洗液YB中，在溫度為30 — 75攝氏度時(shí)進(jìn)行超聲清洗，清洗30分鐘以上；其中所述有機(jī)清洗液YB為有機(jī)溶物こ醇與丙酮為溶質(zhì)的水溶液；在溶液混合吋，こ醇的濃度為95%以上，こ醇在溶液體積中所占比例為44% — 75%，丙酮的濃度為99%以上，丙酮在溶液體積中所占比例為10%以上，其余為純水；所述超聲波的頻率28 — 40kHz，功率為1000 —3000W。進(jìn)ー步
所述超聲波的頻率是40kHz ;功率是2500-3000W。本發(fā)明的有益效果是由于，第一歩主要清洗了硅片表面所殘留的金屬屑和砂漿，第二步主要清洗了硅片表面的油污和有機(jī)溶劑，從而此方法可以輕松的把硅片表面的臟污清洗干凈，并且保留了硅片原有的機(jī)械損傷層。經(jīng)檢測(cè)，使硅片在后段酸制絨過程中反射率多降低2%左右。不僅清洗效率提高，而且不會(huì)引入雜質(zhì)離子，減少了清洗成本與污染。
具體實(shí)施例方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，并使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步詳細(xì)的說明。
實(shí)施例
首先硅片在切片后應(yīng)該立即放入50至100攝氏度的熱水中進(jìn)行超聲清洗，清洗好的硅片應(yīng)該立即放入到溫度在45到75攝氏度的YB清洗液中超聲清洗。YB清洗液應(yīng)在常溫下配制，配制所需溶劑為乙醇和丙酮，乙醇在溶液體積中所占比例為45%至75%，丙酮在溶液體積中所占比例為10%以上。YB超聲清洗的時(shí)間根據(jù)硅片情況而定。在硅片從砂漿液中取出來后暴露空氣中的時(shí)間超過半小時(shí)以上，而且表面臟污比較多的情況下，時(shí)間為45分鐘以上；在硅片從砂漿液中取出后立即清洗，且表面臟污較少情況下，時(shí)間為30分鐘以上。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍 內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.用有機(jī)溶劑進(jìn)行硅片清洗的方法，其特征在于依次進(jìn)行以下步驟a硅片從砂漿液中取出后，立即放入50 - 100攝氏度的熱純水中超聲清洗，清洗10 - 30分鐘；b之后，硅片放入有機(jī)清洗液YB中，在溫度為30 - 75攝氏度時(shí)進(jìn)行超聲清洗，清洗30分鐘以上；其中所述有機(jī)清洗液YB為有機(jī)溶物乙醇與丙酮為溶質(zhì)的水溶液；在溶液混合時(shí)，乙醇的濃度為95%以上，乙醇在溶液體積中所占比例為44% - 75%，丙酮的濃度為99%以上，丙酮在溶液體積中所占比例為10%以上，其余為純水；所述超聲波的頻率28 - 40kHz，功率為1000 —3000W。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用有機(jī)溶劑進(jìn)行硅片清洗的方法，其特征在于所述的超聲波的頻率是40kHz ;功率是2500-3000W。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用有機(jī)溶劑進(jìn)行硅片清洗的方法，涉及硅片清洗技術(shù)，依次進(jìn)行以下步驟a硅片從砂漿液中取出后，立即放入50－100攝氏度的熱水中超聲清洗，清洗10－30分鐘；b之后，硅片放入有機(jī)清洗液YB中，在溫度為30－75攝氏度時(shí)進(jìn)行超聲清洗，清洗30分鐘以上；其中所述有機(jī)清洗液YB為有機(jī)溶物乙醇與丙酮為溶質(zhì)的水溶液；所述超聲波的頻率28－40kHz，功率為2500－3000W。本發(fā)明的有益效果是此方法可以輕松的把硅片表面的臟污清洗干凈，并且保留了硅片原有的機(jī)械損傷層。經(jīng)檢測(cè)，使硅片在后段酸制絨過程中反射率多降低2%左右。不僅清洗效率提高，而且不會(huì)引入雜質(zhì)離子，減少了清洗成本與污染。
文檔編號(hào)B08B3/12GK102806217SQ201210298448
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月21日
發(fā)明者石堅(jiān), 孫志剛, 劉茂華, 韓子強(qiáng) 申請(qǐng)人:安陽市鳳凰光伏科技有限公司, 石堅(jiān)