專利名稱：用于刻蝕工藝前清潔腔室的裝置及方法
技術領域：
本發(fā)明涉及陣列基板生產(chǎn)エ藝中干法刻蝕エ藝技術領域，特別是涉及ー種用于刻蝕エ藝前清潔腔室的裝置及方法。
背景技術：
目前在TFT領域，玻璃基 板尺寸越來越大，對應的腔室也越來越大，所以對顆粒污染的控制越來越難，同吋，由于單位面板尺寸變大，超高分辨率(4000*2000)，in-cell觸摸屏及GOA (Gate On Array)等技術的開發(fā)與應用，顆粒污染對產(chǎn)品良率及技術開發(fā)設計的影響也日:JifL關出。在干法蝕刻エ藝過程中，顆粒污染造成的斷線、短路等不良是影響產(chǎn)品最終良率的關鍵原因，顆粒污染的控制日益成為TFTエ藝的最大挑戰(zhàn)。在干法刻蝕エ藝中，一般包括以下三個步驟(I) BT (before treatment)其作用主要是去除表面自然氧化層，使得下一歩主刻蝕步驟得以順利進行；(2)ME(main etch)其主要作用是按照mask圖形進行刻蝕,形成設計所需的圖形；(3)AT(after treatment)其主要作用是在主刻蝕完成后，對基本表面進行處理，保證后續(xù)エ藝質量。顆粒污染的ー個主要原因是腔室內(nèi)壁沉積的反應生成物在エ藝過程中，由于強室內(nèi)壓カ變化脫落造成的，現(xiàn)有的エ藝一般是在刻蝕之前，BT步驟只進行去除表面自然氧化層的前處理，這種處理方式不能有效地優(yōu)化腔室環(huán)境，即不能清潔腔室內(nèi)部的顆粒污染，從而使得腔室維護周期縮短，產(chǎn)線的容錯能力降低，而且可能導致因顆粒污染而造成的產(chǎn)品不良。現(xiàn)有的清潔裝置往往是專門設計的額外的清潔設備，從而増加了額外材料消耗費用，提高了清潔成本。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術問題本發(fā)明要解決的技術問題是如何提供一種在刻蝕エ藝前減少顆粒污染的方案。(ニ)技術方案為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種用于刻蝕エ藝前清潔基板的裝置，所述裝置為ー腔室，包括腔室本體，用于放置和傳遞基板。優(yōu)選地，所述腔室為真空腔室。優(yōu)選地，所述裝置還包括位于所述腔室本體內(nèi)的可升降支柱。優(yōu)選地，所述裝置還包括位于所述腔室本體內(nèi)、用于吸附所述基板的反應臺。優(yōu)選地，所述裝置還包括設置于所述腔室本體上的腔室蓋。優(yōu)選地，所述腔室蓋為絕緣材料。本發(fā)明還提供了ー種利用所述的裝置來清潔腔室的方法，包括以下步驟SI、采用能夠使得顆粒污染發(fā)生的惡化工藝條件對所述腔室內(nèi)環(huán)境進行處理；S2、在一定腔室壓カ條件下，清除所述腔室內(nèi)的顆粒污染。
優(yōu)選地，步驟SI的エ藝條件為腔室壓カ5-200mt，電極功率5000-18000W，反應氣體選自02、CL2、SF6、He中的一種或幾種的組合，氣體總流量5000-20000sccm。優(yōu)選地，步驟SI的エ藝條件為腔室壓カ5-100mt，電極功率7000-16000W，氣體總流量 8000-15000sccm。優(yōu)選地，步驟S2的エ藝條件為腔室壓カO. I-IOmt,電極功率5000-18000W，反應氣體選自02、CL2、SF6、He中的一種或幾種的組合，氣體總流量5000-20000sccm。優(yōu)選地，步驟S2的エ藝條件為腔室壓カO. 5-1. Omt,電極功率7000-16000W，氣體總流量 9000_13000sccm。優(yōu)選地，步驟S2的處理時間長于步驟SI的處理時間。

(三)有益效果上述技術方案具有如下優(yōu)點本發(fā)明所設計的裝置可以用于在干法刻蝕之前對其腔室本身內(nèi)部環(huán)境進行清潔，最大程度上清除顆粒污染對陣列基板性能可能會造成的影響。本發(fā)明所設計的方法直接作用于干法刻蝕之前，在不對基板造成刻蝕的前提下，避免了其他污染可能，最大程度上清除顆粒污染對基板性能造成的影響。本發(fā)明不需要增加額外的清潔設備，不增加額外的エ藝時間，不增加額外材料消耗費用，除壓カ外其他エ藝參數(shù)保持不變，在保留前處理去除基板表面氧化層作用的基礎上，實現(xiàn)了清潔腔室的目的。同時還可以延長腔室維護周期，提高產(chǎn)線的容錯能力，減少因顆粒污染而造成的產(chǎn)品不良。


圖I是本發(fā)明實施例一的裝置結構示意圖及其使用示意；圖2是本發(fā)明實施例ニ的方法流程圖。其中，I :腔室本體；2 :腔室蓋；3 :陣列基板。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進ー步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。實施例一本發(fā)明實施例一提供了 ー種用于刻蝕エ藝前清潔基板的裝置，用于對將要進行干法刻蝕的腔室內(nèi)的環(huán)境進行優(yōu)化，減少腔室內(nèi)顆粒污染，該裝置為ー個長方體形真空腔室，包括腔室本體I，腔室本體I用于放置和傳遞陣列基板3。所述真空腔室還包括設置于所述腔室本體I上的腔室蓋2，所述腔室蓋2為絕緣材料，該裝置還包括位于所述腔室本體I內(nèi)的可升降支柱(未示出)、位于所述腔室本體I內(nèi)、用于吸附所述基板的反應臺(未示出)。所述腔室的長為2700mnT2800mm，寬為2400mnT2500mm，優(yōu)選地，所述腔室的長為2700mm，寬為2400mmo本實施例的裝置結構簡單，能夠在不需要增加額外的清潔設備，用于實現(xiàn)在干法刻蝕之前對其腔室本身內(nèi)部環(huán)境進行清潔的功能，最大程度上清除顆粒污染對陣列基板性能可能會造成的影響。實施例ニ本發(fā)明實施例ニ還提供了ー種利用實施例一所述的裝置清潔腔室的方法，包括兩I K
少SI、采用顆粒污染容易發(fā)生的エ藝條件對腔室內(nèi)環(huán)境進行處理。具體來說，通過設定腔室壓力，使得在陣列基板進入腔室前形成ー個容易誘使腔室內(nèi)壁反應生成物脫落的顆粒污染惡化條件。步驟SI的エ藝條件為腔室 壓カ5_200mt，電極功率5000-18000W，反應氣體選自02、CL2, SF6、He中的一種或幾種的組合，氣體總流量5000-20000sccm。進ー步的方案，步驟SI的エ藝條件為腔室壓カ5-100mt，電極功率7000-16000W，氣體總流量8000-15000sccm。S2、將顆粒污染清除掉。具體來說，采用超低腔室壓カ條件(O. 5mrimt)，將腔室內(nèi)脫落的顆粒污染抽離，實現(xiàn)在刻蝕前清潔腔室環(huán)境的目的。步驟S2的エ藝條件為腔室壓カO. I-IOmt,電極功率5000-18000W，反應氣體選自02、CL2, SF6、He中的一種或幾種的組合，氣體總流量5000-20000sccm。進ー步的方案，步驟S2的エ藝條件為腔室壓カO. 5-1. Omt,電極功率7000-16000W,氣體總流量 9000-13000sccm。在干法刻蝕エ藝中，所用的設備是TEL設備。陣列基板上按照順序依次沉積有
200-800 A透日月導電氧化物、4000-10000 A氮化物，3000-6000 A金屬線。包含上述清潔腔室過程的整個干法刻蝕的流程包括刻蝕前的準備、清潔腔室、刻蝕以及刻蝕后的處理，分為以下幾步I.機械手將陣列基板送入反應腔室，落在腔室內(nèi)的可升降支柱上。2.支柱落下，陣列基板落在腔室內(nèi)的反應臺上。3.反應臺加電壓，利用靜電作用將陣列基板吸附在反應臺上。4.通入反應氣體，等待反應腔室內(nèi)氣體氣壓穩(wěn)定。5.電極功率開啟，反應腔室內(nèi)生成等離子體。6.清潔及刻蝕エ藝(I)執(zhí)行上述步驟SI。(2)執(zhí)行上述步驟S2。(3)執(zhí)行ME步驟，エ藝條件為腔室壓カ50-100mt，電極功率8000-14000W，反應氣體選自02、CL2、SF6、He中的一種或幾種的組合，氣體總流量8000-15000sccm，時間35s_70s。(4)執(zhí)行AT步驟，エ藝條件為腔室壓カ50-100mt，電極功率8000-14000W，反應氣體選自02、CL2、SF6、He中的一種或幾種的組合，氣體總流量8000-15000sccm，時間25s_45s。7.刻蝕エ藝完成后，反應臺消除電壓，消除基板表面靜電。8.支柱升起，機械手將刻蝕完成的基板取出，刻蝕結束。上述步驟S2的處理時間應長于步驟SI，確保顆粒污染全部被抽離腔室，不會對陣列基板造成影響。本實施例的方法直接作用于干法刻蝕之前，在不對基板造成刻蝕的前提下，避免了其他污染可能，最大程度上清除顆粒污染對基板性能造成的影響。本發(fā)明不需要增加額外的清潔設備，不增加額外的エ藝時間，不增加額外材料消耗費用，除壓カ外其他エ藝參數(shù)保持不變，在保留前處理去除基板表面氧化層作用的基礎上，實現(xiàn)了清潔腔室的目的。同時還可以延長腔室維護周期，提高產(chǎn)線的容錯能力，減少因顆粒污染而造成的產(chǎn)品不良。以上所述僅是本發(fā)明的 優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置，其特征在于，所述裝置為一腔室，包括腔室本體，用于放置和傳遞基板。
2.如權利要求I所述的用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置，其特征在于，所述腔室為真空腔室。
3.如權利要求I所述的用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置，其特征在于，所述裝置還包括位于所述腔室本體內(nèi)的可升降支柱。
4.如權利要求I所述的用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置，其特征在于，所述裝置還包括位于所述腔室本體內(nèi)、用于吸附所述基板的反應臺。
5.如權利要求廣4中任一項所述的用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置，其特征在于，所述裝置還包括設置于所述腔室本體上的腔室蓋。
6.如權利要求5所述的用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置，其特征在于，所述腔室蓋為絕緣材料。
7.一種利用權利要求f 6所述的裝置來清潔腔室的方法，其特征在于，包括以下步驟 51、采用能夠使得顆粒污染發(fā)生的工藝條件對所述腔室內(nèi)環(huán)境進行處理； 52、在一定腔室壓力條件下，清除所述腔室內(nèi)的顆粒污染。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，步驟SI的工藝條件為腔室壓力5-200mt，電極功率5000-18000W，反應氣體選自02、CL2, SF6, He中的一種或幾種的組合，氣體總流量5000-20000sccmo
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，步驟SI的工藝條件為腔室壓力5-100mt，電極功率7000-16000W，氣體總流量8000-15000sccm。
10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，步驟S2的工藝條件為腔室壓力O. I-IOmt,電極功率5000-18000W，反應氣體選自02、CL2、SF6、He中的一種或幾種的組合，氣體總流量 5000-20000sccm。
11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，步驟S2的工藝條件為腔室壓力O.5-1. Omt,電極功率 7000-16000W，氣體總流量 9000-13000sccm。
12.如權利要求疒11中任一項所述的方法，其特征在于，步驟S2的處理時間長于步驟SI的處理時間。
全文摘要
本發(fā)明涉及陣列基板生產(chǎn)工藝中干法刻蝕工藝技術領域，公開了一種用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置，所述裝置為一腔室，包括腔室本體，用于放置和傳遞基板。本發(fā)明還提供了一種刻蝕工藝前清潔基板的方法。本發(fā)明所設計的裝置可以用于在干法刻蝕之前對其腔室本身內(nèi)部環(huán)境進行清潔，最大程度上清除顆粒污染對陣列基板性能可能會造成的影響。
文檔編號B08B7/00GK102814305SQ20121027632
公開日2012年12月12日 申請日期2012年8月3日 優(yōu)先權日2012年8月3日
發(fā)明者丁向前, 孫亮, 白金超, 李梁梁, 劉耀 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司