專利名稱：處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在處理容器內(nèi)使用高壓流體對(duì)被處理基板進(jìn)行處理的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在對(duì)作為被處理基板的例如半導(dǎo)體晶圓(以下稱作晶圓)進(jìn)行清洗的單張式的旋轉(zhuǎn)清洗裝置中，通過一邊向晶圓的表面供給例如堿性、酸性的藥液，一邊使晶圓旋轉(zhuǎn)，除去晶圓表面的灰塵、自然氧化物等。通過例如利用純水等進(jìn)行的沖洗清洗來將殘存在晶圓表面的藥液除去，接著使晶圓旋轉(zhuǎn)，從而進(jìn)行將殘存的液體甩出的甩干等。但是，隨著半導(dǎo)體裝置的高集成化，在這樣的除去液體等的處理中，所謂的圖案倒伏的問題變嚴(yán)重。圖案倒伏是這樣的現(xiàn)象，即，在使殘存在晶圓表面的液體干燥時(shí)，由于殘存在形成圖案的凹凸的例如凸部的左右的液體不均勻地干燥，因此，將該凸部向左右拉伸 的表面張力的平衡破壞，凸部向液體殘存較多的方向倒伏。作為抑制產(chǎn)生該圖案倒伏并除去殘存在晶圓表面的液體的方法，公知有采用了作為高壓流體的一種的超臨界狀態(tài)的流體(超臨界流體)進(jìn)行的干燥方法。超臨界流體除了粘度比液體的粘度小并且溶解液體的能力也較高之外，在超臨界流體和與超臨界流體處于平衡狀態(tài)的液體、氣體之間不存在界面。因此，在附著有液體的狀態(tài)的晶圓上將殘存的液體置換為超臨界流體，然后使超臨界流體變?yōu)闅怏w狀態(tài)時(shí)，能夠不會(huì)受到表面張力的影響地使液體干燥。但是，在進(jìn)行該干燥處理的情況下，使處理容器內(nèi)的壓力上升到例如IOMPa左右。因此，對(duì)于利用蓋體將形成在處理容器上的晶圓輸送口氣密地封堵的密封構(gòu)造，要求一種即使在處理容器內(nèi)的壓力發(fā)生了變化的情況下也維持氣密性、而且抑制產(chǎn)生顆粒的作用。在此，在專利文獻(xiàn)I中提出了這樣的技術(shù)，即，在利用壓緊環(huán)連結(jié)主體凸緣和蓋體凸緣而將罐主體內(nèi)部密閉的密封構(gòu)造中，形成于主體凸緣的凹面部與形成于蓋體凸緣的凸出部相嵌合，凸出部的密封件與凹面部接觸而將罐主體內(nèi)密閉。但是，由于該專利文獻(xiàn)I的構(gòu)造是利用壓緊環(huán)連結(jié)主體凸緣和蓋體凸緣的密封構(gòu)造，因此，不能原封不動(dòng)地應(yīng)用于將處理容器的輸送口和蓋體氣密地封堵的構(gòu)造，利用專利文獻(xiàn)I的構(gòu)造也不能解決本發(fā)明的問題。專利文獻(xiàn)I :日本特開平10-47483號(hào)公報(bào)(圖2，段落0016，段落0017)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的情況而做成的。其目的在于提供一種在處理容器內(nèi)利用高壓流體對(duì)被處理基板進(jìn)行處理時(shí)、在抑制產(chǎn)生顆粒的同時(shí)確保處理容器的氣密性的處理裝置。本發(fā)明提供一種處理裝置，其用于利用高壓流體對(duì)經(jīng)由輸送口輸入到處理容器內(nèi)的被處理基板進(jìn)行處理，其特征在于，該處理裝置包括蓋體，其用于封堵上述輸送口 ；密封構(gòu)件，其以在利用該蓋體封堵上述輸送口時(shí)圍繞該輸送口的方式、或者沿著該輸送口的內(nèi)周面的方式設(shè)置為環(huán)狀，縱截面形成為U字形，并以圍成該U字形的內(nèi)部空間與上述處理容器的內(nèi)部氣氛相連通的方式配置；限制機(jī)構(gòu)，其用于限制上述蓋體因處理容器內(nèi)的壓力而后退，上述密封構(gòu)件被進(jìn)入到上述密封構(gòu)件的上述內(nèi)部空間中的處理容器的內(nèi)部氣氛加壓而被按壓于蓋體和處理容器中的至少一個(gè)，將上述處理容器與蓋體之間的間隙氣密地封堵。優(yōu)選上述密封構(gòu)件的與內(nèi)部空間接觸的面由自聚酰亞胺、聚乙烯、聚丙烯、對(duì)二甲苯、聚醚醚酮所組成的樹脂組中選出的樹脂構(gòu)成。另一個(gè)技術(shù)方案提供一種處理裝置，其用于利用高壓流體對(duì)經(jīng)由輸送口輸入到處理容器內(nèi)的被處理基板進(jìn)行處理，其特征在于，該處理裝置包括蓋體，其用于封堵上述輸送口 ；密封構(gòu)件，其由彈性體構(gòu)成，該密封構(gòu)件以在利用上述蓋體封堵上述輸送口時(shí)圍繞該輸送口的方式設(shè)置為環(huán)狀，縱截面形成為U字形，并且，U字部分的兩端部向外側(cè)彎曲而形成彎曲端部，并以圍成該U字形的內(nèi)部空間與上述處理容器的內(nèi)部氣氛相連通的方式配置；罩構(gòu)件，其用于限制該密封構(gòu)件的變形，在上述密封構(gòu)件的縱截面中看來從U字部分的 外側(cè)覆蓋該密封構(gòu)件；限制機(jī)構(gòu)，其用于限制上述蓋體因處理容器內(nèi)的壓力而后退，在利用上述蓋體封堵上述處理容器的輸送口時(shí)，使上述彎曲端部抵接于上述處理容器和蓋體而將該處理容器與蓋體之間的間隙氣密地封堵，隨著上述處理容器內(nèi)壓力上升、上述間隙擴(kuò)大，上述密封構(gòu)件在上述罩構(gòu)件內(nèi)被進(jìn)入到上述內(nèi)部空間中的處理容器的內(nèi)部氣氛對(duì)加壓而變形，將上述彎曲端部向外側(cè)擴(kuò)張而維持將上述間隙氣密地封堵的狀態(tài)。優(yōu)選上述密封構(gòu)件由自聚酰亞胺、聚乙烯、聚丙烯、對(duì)二甲苯、聚醚醚酮所組成的樹脂組中選出的樹脂構(gòu)成。又一個(gè)技術(shù)方案提供一種處理裝置，其用于利用高壓流體對(duì)經(jīng)由輸送口輸入到處理容器內(nèi)的被處理基板進(jìn)行處理，其特征在于，該處理裝置包括槽部，其以圍繞上述輸送口的方式形成為環(huán)狀；密封構(gòu)件，其沿著該槽部設(shè)置在該槽部?jī)?nèi)；蓋體，其用于封堵上述輸送口，該蓋體的周緣部與上述密封構(gòu)件相對(duì)并與上述密封構(gòu)件相接觸；連通通路，其用于使上述槽部與上述處理容器的內(nèi)部氣氛相連通；限制機(jī)構(gòu)，其用于限制上述蓋體因處理容器內(nèi)的壓力而后退，上述密封構(gòu)件被處理容器的內(nèi)部氣氛經(jīng)由上述連通通路加壓而被向蓋體側(cè)按壓，將上述槽部與蓋體之間的間隙氣密地封堵。采用本發(fā)明，以圍繞處理容器的輸送口的方式設(shè)置密封構(gòu)件，使蓋體的周緣部與上述密封構(gòu)件相對(duì)并與上述密封構(gòu)件相接觸而封堵輸送口，利用限制機(jī)構(gòu)限制蓋體因處理容器內(nèi)的壓力而后退，同時(shí)在處理容器內(nèi)利用高壓流體對(duì)被處理基板進(jìn)行處理。由此，由于上述密封構(gòu)件被處理容器的內(nèi)部氣氛加壓而被向蓋體側(cè)按壓，因此，能夠?qū)⑸w體與處理容器之間的間隙氣密地封堵，從而能夠確保處理容器的氣密性。另外，由于密封構(gòu)件不會(huì)相對(duì)于處理容器、蓋體滑動(dòng)，因此，能夠抑制產(chǎn)生顆粒。


圖I是表示本實(shí)施方式的超臨界處理裝置的立體圖。圖2是上述超臨界處理裝置的分解立體圖。圖3是表示設(shè)置在上述超臨界處理裝置中的處理容器的縱剖側(cè)視圖。圖4是表示設(shè)置在上述超臨界處理裝置中的處理容器的縱剖側(cè)視圖。
圖5是上述處理容器的縱剖視圖。圖6是表示上述處理容器的輸送口附近的縱剖立體圖。圖7是表示設(shè)置在上述處理容器上的輸送口形成構(gòu)件和密封構(gòu)件的分解立體圖。圖8是表示上述輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖9是表示上述輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖10是表示上述輸送口附近的縱剖立體圖。圖11是表示上述輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖12是表示上述輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。
圖13是表示上述輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖14是表示以往的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖15是表示以往的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖16是表示設(shè)置在上述超臨界處理裝置的另一例子中的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖17是表示圖16中的輸送口形成構(gòu)件的縱剖側(cè)視圖。圖18是表示圖16中的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖19是表示圖16中的輸送口形成構(gòu)件的縱剖側(cè)視圖。圖20是表示設(shè)置在上述超臨界處理裝置的又一例子中的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖21是表示設(shè)置在上述超臨界處理裝置的又一例子中的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖22是表示圖21所示的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖23是表示設(shè)置在上述超臨界處理裝置的又一例子中的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖24是表示圖23所示的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖25是表示設(shè)置在上述超臨界處理裝置的又一例子中的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖26是表示設(shè)置在上述超臨界處理裝置的又一例子中的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖27是表示設(shè)置在上述超臨界處理裝置的又一例子中的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖28是表示圖27所示的處理容器的輸送口附近的縱剖側(cè)視圖。圖29是表示第2實(shí)施方式的處理容器的開口部附近的第I縱剖側(cè)視圖。圖30是表示上述開口部附近的第2縱剖側(cè)視圖。圖31是表示具有U字形缺口的密封構(gòu)件的第I結(jié)構(gòu)例的縱剖側(cè)視圖。圖32是表示上述密封構(gòu)件的第2結(jié)構(gòu)例的縱剖側(cè)視圖。圖33是第2實(shí)施方式的變形例的第I縱剖側(cè)視圖。圖34是上述變形例的第2縱剖側(cè)視圖。圖35是第3實(shí)施方式的密封構(gòu)件的縱剖側(cè)視圖。圖36是表示包括圖35所示的密封構(gòu)件的處理容器的開口部附近的縱剖側(cè)視圖。
圖37是圖36所示的處理容器的第I作用說明圖。圖38是圖36所示的處理容器的第2作用說明圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照?qǐng)DI 圖7說明構(gòu)成本發(fā)明的處理裝置的超臨界處理裝置的一實(shí)施方式的構(gòu)造。超臨界處理裝置I包括供超臨界處理進(jìn)行的處理腔室2，該超臨界處理是利用超臨界流體使晶圓W干燥的 處理。該處理腔室2相當(dāng)于本實(shí)施方式的超臨界處理裝置I的處理容器，其構(gòu)成為扁平的長方體形狀的耐壓容器。在處理腔室2的內(nèi)部形成有能夠?qū)⒕A保持器21以水平的狀態(tài)收容的扁平的處理空間20 (參照?qǐng)D3)，該晶圓保持器21構(gòu)成用于保持晶圓W的基板保持部。處理空間20例如構(gòu)成為高度幾mm 十幾mm、容積300cm3 1500cm3左右的比較狹小的空間，以便例如在處理300mm的晶圓W的情況下，能夠使超臨界流體充分地在晶圓W與處理腔室2的內(nèi)壁面之間流通，而且能夠趁著堆積在晶圓W上的IPA沒有自然干燥在短時(shí)間內(nèi)利用超臨界流體充滿處理空間20內(nèi)的氣氛。在處理腔室2的前表面形成有用于輸入、輸出晶圓W的、在左右方向(圖I中的X方向)上細(xì)長的開口部22。另外，在處理腔室2的開口部22的上下，平板狀的兩張突片部23以沿前后方向(圖I中的Y方向)突出的方式設(shè)置。在各突片部23中形成有用于供后述的鎖板嵌入的嵌入孔24。另外，以下將圖I 圖3中的紙面左側(cè)作為前后方向的前方側(cè)繼續(xù)說明。如圖3 圖8所示，在上述處理腔室2的開口部22的外側(cè)，為了形成與該開口部22相連續(xù)的輸送口 31而設(shè)有環(huán)狀的輸送口形成構(gòu)件3。上述輸送口 31用于向處理腔室2的處理空間20中輸送晶圓W。該輸送口形成構(gòu)件3以自處理腔室2的開口部22的周圍的側(cè)壁部25突出的方式設(shè)置，其前表面部30為了與后述的蓋體接合而形成為面狀，形成在該輸送口形成構(gòu)件3中的開口部形成了處理腔室2的晶圓W的輸送口 31。在上述輸送口形成構(gòu)件3的周圍設(shè)有用于在處理腔室2中形成凹部的凹部形成構(gòu)件4。該凹部形成構(gòu)件4例如縱截面形狀形成為-字狀，其包括與處理腔室2的側(cè)壁部25接合的面部42、以自該面部42向處理腔室2的前方突出的方式設(shè)置的環(huán)狀的壁部43。這樣在處理腔室2中形成凹部，在上述面部42中形成有與上述開口部22和輸送口 31相連續(xù)的開口部40。上述輸送口形成構(gòu)件3和凹部形成構(gòu)件4例如由不銹鋼構(gòu)成，凹部形成構(gòu)件4的面部42例如利用螺紋緊固固定在處理腔室2上。另外，輸送口形成構(gòu)件3利用螺紋緊固固定在凹部形成構(gòu)件4上。這樣，如圖8所示，在輸送口形成構(gòu)件3的外周面32與凹部形成構(gòu)件4的內(nèi)周面44之間，以圍繞輸送口 31的方式形成有環(huán)狀的槽部5。如圖7及圖8所示，在上述輸送口形成構(gòu)件3中，上壁部3a的上表面以從輸送口31朝向處理腔室2側(cè)逐漸朝向下側(cè)的方式形成為錐面33a，并且下壁部3b的下表面以從輸送口 31朝向處理腔室2側(cè)逐漸朝向下側(cè)的方式形成為錐面33b。由此，槽部5從處理腔室2的左右方向一側(cè)看來以槽部5內(nèi)的上下方向的空間隨著從前方側(cè)(槽部5的開口部51側(cè))朝向后方側(cè)(處理腔室2側(cè))逐漸變大的方式構(gòu)成為錐形。另外，如圖5及圖8所示，在輸送口形成構(gòu)件3中沿著輸送口 31的周向互相隔開間隔地形成有多個(gè)連通通路35，該連通通路35的一端側(cè)向該輸送口形成構(gòu)件3的輸送區(qū)域34開口，另一端側(cè)向槽部5開口。如圖3所示，由于上述輸送區(qū)域34與處理空間20相連通，因此，槽部5與上述處理腔室2的內(nèi)部氣氛利用該連通通路35而連通。在上述槽部5內(nèi)設(shè)有環(huán)狀的、例如由彈性體構(gòu)成的密封構(gòu)件6。該密封構(gòu)件6例如由氟樹脂、橡膠等彈性體、不銹鋼、鈦和特殊合金等、對(duì)于向處理腔室2供給的超臨界流體具有耐性的材質(zhì)構(gòu)成。密封構(gòu)件6的縱截面形狀既可以是圓形，也可以是方形，但如圖8所示，其縱截面的大小被設(shè)定得大于上述槽部5的開口部51，從而抑制自輸送口形成構(gòu)件3落下。另外，為了抑制樹脂、橡膠等的成分、密封構(gòu)件所含有的雜質(zhì)溶出到超臨界流體中而導(dǎo)致密封構(gòu)件6劣化，也可以利用聚酰亞胺膜覆蓋密封構(gòu)件6的表面、或者利用SiO2進(jìn)行涂敷。另外，為了便于圖示，圖5中省略了密封構(gòu)件6，圖6中省略了晶圓保持器21和晶圓I在處理腔室2的上下兩面設(shè)有例如由帶式加熱器(tape heater)等電阻發(fā)熱體構(gòu) 成的加熱器26。加熱器26與電源26A相連接，通過增大或減小電源26A的輸出，能夠?qū)⑻幚砬皇?主體和處理空間20的溫度維持在例如100°C 300°C的范圍中的270°C。在處理腔室2中還形成有用于向處理空間20內(nèi)供給超臨界狀態(tài)的IPA的供給通路27，該供給通路27的另一端側(cè)經(jīng)由閥Vl與IPA供給部27a相連接。在處理腔室2中還形成有用于排出處理空間20內(nèi)的IPA的排出通路28，該排出通路28經(jīng)由作為用于調(diào)整處理空間20內(nèi)壓力的壓力調(diào)整閥的閥V2與IPA回收部28a相連接。在處理腔室2的上下表面設(shè)有用于將周圍的氣氛自加熱器26絕熱的上板11和下板12，通過使制冷劑在冷卻管10中流通而使該上板11和下板12冷卻。在各板11、12的前方側(cè)的與上述突片部23相對(duì)應(yīng)的位置形成有缺口部I la、12a。并且，例如，如圖I及圖2所示，本例子中的上板11和下板12從前方看來在左右方向上寬度形成得比處理腔室2的寬度大。在上述下板12的兩端緣的上表面?zhèn)纫匝厍昂蠓较蜓由斓姆绞皆O(shè)置有軌道131。該軌道131供保持晶圓保持器21的后述的臂構(gòu)件210行走，圖中的附圖標(biāo)記132是在軌道131上行走的滑動(dòng)件，附圖標(biāo)記133是用于驅(qū)動(dòng)該滑動(dòng)件132的、例如由無桿缸體等構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，附圖標(biāo)記134是用于連結(jié)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)133和滑動(dòng)件132的連結(jié)構(gòu)件。上述晶圓保持器21是能夠在保持有晶圓W的狀態(tài)下以水平的狀態(tài)配置在處理腔室2的處理空間20內(nèi)的較薄的板狀構(gòu)件，其與沿左右方向延伸的棱柱狀的蓋體7相連接。該蓋體7以在將晶圓保持器21輸入到處理腔室2內(nèi)時(shí)能夠嵌入到上下的突片部23之間而封堵輸送口 31的方式構(gòu)成。該蓋體7在封堵輸送口 31時(shí)其周緣部與槽部5內(nèi)的密封構(gòu)件6相對(duì)并與密封構(gòu)件6相接觸。例如，如圖9、圖11和圖12所示，蓋體7包括與處理腔室2的輸送口 31相對(duì)且比輸送口 31大的面部71、欲進(jìn)入上述槽部5的環(huán)狀的突部72。上述面部71以與輸送口形成構(gòu)件3的前表面部30抵接的方式設(shè)置，在面部71抵接于前表面部30時(shí)，突部72進(jìn)入至IJ槽部5中。這樣，在本例子的蓋體7中，在封堵輸送口 31的狀態(tài)下，蓋體7的一部分(突部72)沿著槽部5進(jìn)入到該槽部5內(nèi)。在蓋體7的左右兩端設(shè)有沿前后方向延伸的臂構(gòu)件210，通過將該臂構(gòu)件210與已述的滑動(dòng)件132連接起來，能夠使臂構(gòu)件210在上述軌道131上行走。于是，在使滑動(dòng)件132移動(dòng)至軌道131的前端側(cè)時(shí)，晶圓保持器21被拉出到圖I所示的處理腔室2外部的交接位置。在該交接位置，在晶圓保持器21與后述的輸送臂之間交接晶圓W。另一方面，在使滑動(dòng)件132移動(dòng)至軌道131的后端側(cè)時(shí)，晶圓保持器21移動(dòng)到圖3所示的處理腔室2(處理空間20)內(nèi)的處理位置。在該處理位置，對(duì)晶圓W執(zhí)行超臨界處理。在上述左右的臂構(gòu)件210的近側(cè)的一端部設(shè)有向上方側(cè)突起的突起部211。另一方面，在處理腔室2側(cè)、例如上板11的左右兩端的前方區(qū)域中設(shè)有鎖定構(gòu)件14。該鎖定構(gòu)件14借助鎖定缸體141旋轉(zhuǎn)自由，在將鎖定構(gòu)件14的突片沿左右方向打開時(shí)，突起部211自卡定狀態(tài)被釋放(參照?qǐng)DI)，如圖2所示那樣使上述突片朝向下方側(cè)時(shí)，突起部211成為被鎖定構(gòu)件14卡定的狀態(tài)。在處理腔室2的近側(cè)設(shè)有鎖板15。該鎖板15起到在使晶圓保持器21移動(dòng)至處理位置時(shí)限制蓋體7的移動(dòng)的作用。通過將該鎖板15的一端側(cè)和另一端側(cè)分別嵌入到上述嵌入孔24中，能夠抑制該鎖板15在前后方向(圖3中的Y方向)上的移動(dòng)。另外，利用升降機(jī)構(gòu)151使鎖板15在嵌入到嵌入孔24中而按壓蓋體7的鎖定位置與自該鎖定位置退避到下方側(cè)而將蓋體7釋放的釋放位置之間沿上下方向移動(dòng)。圖2所示的附圖標(biāo)記152是使鎖板15在軌道上行走而引導(dǎo)鎖板15的移動(dòng)方向的滑動(dòng)機(jī)構(gòu)。在本例子中，由鎖板15、嵌入 孔24和升降機(jī)構(gòu)151構(gòu)成用于限制蓋體7因處理腔室2內(nèi)的壓力而后退的限制機(jī)構(gòu)。另夕卜，由于在嵌入孔24中設(shè)有插入、拔出鎖板15所需要的余量，因此，在嵌入孔24與處于鎖定位置的鎖板15之間形成有微小的間隙24a。另外，為了便于圖示，在附圖中夸張地描畫了上述間隙24a。另外，如圖2所示，在移動(dòng)至上述交接位置的晶圓保持器21的下方側(cè)設(shè)有用于冷卻該晶圓保持器21的冷卻機(jī)構(gòu)16。該冷卻機(jī)構(gòu)16包括冷卻板161和例如用于噴出冷卻用的清潔空氣的噴出孔162。圖2中的附圖標(biāo)記163是用于接住自晶圓W流下來的I PA并向排水(drain)管164排出的排水接收皿163。圖2中的附圖標(biāo)記165是升降機(jī)構(gòu)，在晶圓保持器21移動(dòng)至交接位置時(shí)，該升降機(jī)構(gòu)上升而對(duì)晶圓保持器21執(zhí)行冷卻。另外，圖I所示的附圖標(biāo)記17是用于向被交接到晶圓保持器21上的晶圓W供給IPA的IPA噴嘴，其再次向被輸送到處理腔室2內(nèi)之前的晶圓W供給IPA，從而在向晶圓W堆積了使該晶圓W不會(huì)自然干燥的程度的足夠量的IPA之后將該晶圓W輸入到處理腔室2內(nèi)。具有以上說明的構(gòu)造的超臨界處理裝置與控制部100相連接?？刂撇?00例如由包括未圖示的CPU和存儲(chǔ)部的計(jì)算機(jī)構(gòu)成，在存儲(chǔ)部中記錄有編入了超臨界處理裝置I的作用、即對(duì)晶圓W進(jìn)行超臨界處理的步驟(命令)組的程序。該程序存儲(chǔ)在硬盤、CD、磁光盤、存儲(chǔ)卡等存儲(chǔ)介質(zhì)中，并從上述存儲(chǔ)介質(zhì)安裝到計(jì)算機(jī)中。接著，說明本發(fā)明的作用。向超臨界處理裝置I中輸送在未圖示的單張式的清洗裝置中被實(shí)施了清洗處理后的晶圓W。在該清洗裝置中，例如按下述順序進(jìn)行利用作為堿性藥液的SCl液(氨和過氧化氫水的混合液)除去顆粒、有機(jī)性的污染物質(zhì)一利用作為沖洗液的去離子水(Deionized Water DIff)進(jìn)行的沖洗清洗一利用作為酸性藥液的稀氟酸水溶液(以下稱為D HF(Diluted HydroFluoric acid))除去自然氧化膜一利用DIW進(jìn)行的沖洗清洗，最后在晶圓表面堆積IPA。然后，將晶圓W以該狀態(tài)從清洗裝置輸出，向超臨界處理裝置I輸送。例如使用輸送臂18向該超臨界處理裝置I輸送晶圓W。如圖2所示，該輸送臂18在沿水平方向延伸的臂構(gòu)件18A的頂端具有用于保持晶圓W的保持環(huán)19，利用升降機(jī)構(gòu)18B升降自由，利用移動(dòng)機(jī)構(gòu)18C沿前后方向移動(dòng)自由。在保持環(huán)19上例如設(shè)有用于吸附保持晶圓W的上表面周緣部的3處的兩組拾取器(pick) 19A、19B，分開使用兩組拾取器19A、19B、即在進(jìn)行輸入時(shí)使用用于保持進(jìn)行超臨界處理之前的晶圓W的輸入用拾取器19A、在進(jìn)行輸出時(shí)使用用于保持超臨界處理之后的晶圓W的輸出用拾取器19B。然后，在向處理腔室2輸送晶圓W時(shí)，上述輸送臂18在將該晶圓W交接到在交接位置待機(jī)的晶圓保持器21上之后，自晶圓保持器21的上方位置退避。然后，如圖I所示，在使冷卻板161位于冷卻位置的狀態(tài)下，自IPA噴嘴17向晶圓W表面供給IPA，再次堆積IPA。另一方面，使電源部26A為ON(連通)的狀態(tài)，處理腔室2內(nèi)成為被加熱器26加熱到例如270°C的狀態(tài)。另外，利用冷卻管10使處理腔室2的周圍的溫度不會(huì)過度上升，從 而抑制被供給到晶圓保持器21上的晶圓W表面的IPA的蒸發(fā)。此時(shí)，供給通路27、排出通路28的閥VI、V2關(guān)閉，處理腔室2內(nèi)是大氣壓氣氛。接著，使臂構(gòu)件210在軌道131上滑動(dòng)，如圖4及圖11所示，使晶圓保持器21移動(dòng)至處理位置，使鎖定構(gòu)件14旋轉(zhuǎn)而卡定突起部211。然后，在利用蓋體7封堵處理腔室2的輸送口 31之后，使鎖板15上升至鎖定位置，如圖9所示，使鎖板15與蓋體7的前表面73抵接，限制蓋體7的移動(dòng)。在該狀態(tài)下，如圖3、圖9及圖12所示，蓋體7的突部72進(jìn)入到槽部5內(nèi)，在本例子中，在突部72與槽部5之間壓扁密封構(gòu)件6，從而將輸送口 31氣密地封堵。然后，在堆積于晶圓W表面的IPA干燥之前打開閥VI，經(jīng)由供給通路27向處理空間20中供給超臨界IPA，使該處理空間20內(nèi)的壓力上升至例如lOMPa。此時(shí)，由于處理空間20內(nèi)的氣氛利用連通通路35與槽部5相連通，因此，如圖10及圖13所示，隨著處理空間20的加壓，處理空間20內(nèi)的氣氛通經(jīng)由通通路35流通到槽部5內(nèi)，該槽部5內(nèi)被加壓。于是，在該槽部5內(nèi)的壓力的作用下，密封構(gòu)件6隔著蓋體7按壓鎖板15。這樣，在槽部5內(nèi)的壓力(處理腔室2內(nèi)的壓力)變大時(shí)，由于在嵌入孔24中如上所述形成有微小的間隙24a,因此,蓋體I和鎖板15后退該間隙24a的量。然后，由于蓋體7的進(jìn)一步移動(dòng)被鎖板15限制，因此，槽部5內(nèi)的壓力進(jìn)一步升高。這樣，密封構(gòu)件6在槽部5內(nèi)的壓力的作用下被按壓于蓋體7的突部72，隨著槽部5內(nèi)的加壓力增加，密封構(gòu)件6的按壓力升高，因此，密封功能變強(qiáng)。結(jié)果，如圖13所示，蓋體7與槽部5之間成為被密封構(gòu)件6氣密地封堵的狀態(tài)。另一方面，在處理空間20內(nèi)，被供給到該處理空間20內(nèi)的超臨界IPA與堆積于晶圓W的IPA接觸時(shí)，堆積的IPA自超臨界IPA接收熱量而蒸發(fā)，成為超臨界狀態(tài)。結(jié)果，晶圓W的表面自液體的IPA置換為超臨界IPA，在平衡狀態(tài)下，由于在液體IPA與超臨界IPA之間不形成界面，因此，能夠不會(huì)引起圖案倒伏地將晶圓W表面的流體置換為超臨界IPA。在向處理空間20內(nèi)供給超臨界IPA之后經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的時(shí)間，若晶圓W的表面成為被超臨界IPA置換后的狀態(tài)，則打開閥V2，朝向IPA回收部28a排出處理空間20內(nèi)的氣氛。由此，處理腔室2內(nèi)的壓力逐漸降低，但由于處理空間20內(nèi)的溫度保持在比常壓時(shí)的IPA的沸點(diǎn)(82. 40C )高的溫度，因此，處理空間20內(nèi)的IPA自超臨界的狀態(tài)變?yōu)闅怏w的狀態(tài)。此時(shí)，由于在超臨界狀態(tài)與氣體之間不形成界面，因此，能夠不會(huì)對(duì)形成在表面的圖案施加表面張力地使晶圓W干燥。另外，由于槽部5內(nèi)隨著處理腔室2內(nèi)的壓力降低而減壓，因此，密封構(gòu)件6被輸送口形成構(gòu)件3的錐面33a、33b引導(dǎo)而返回到原來的位置(圖12所示的位置)，鎖板15和蓋體7前進(jìn)至原來的位置。這樣，在處理腔室2內(nèi)的壓力降低之后，在突部72與槽部5之間壓扁密封構(gòu)件6，維持處理腔室2的氣密性。利用以上工藝完成了晶圓W的超臨界處理之后，為了將殘存在處理空間20中的氣體的IPA排出，自未圖示的吹掃氣供給管線供給N2氣體，朝向排氣通路28進(jìn)行吹掃。然后，以預(yù)先設(shè)定的時(shí)間供給N2氣體，吹掃結(jié)束，在處理腔室2內(nèi)恢復(fù)到大氣壓之后，使鎖板15下降至釋放位置，解除鎖定構(gòu)件14對(duì)突起部211的卡定狀態(tài)。然后，使晶圓保持器21移動(dòng)至交接位置，利用輸送臂18的輸出用拾取器19B對(duì)完成了超臨界處理的晶圓W進(jìn)行吸附保持，進(jìn)行輸送。采用上述的實(shí)施方式，在以圍繞處理腔室2的輸送口 31的方式設(shè)置的槽部5中設(shè)置密封構(gòu)件6，使蓋體7的周緣部與上述密封構(gòu)件6相對(duì)并與上述密封構(gòu)件相接觸，從而封堵輸送口 31。然后，一邊利用鎖板15限制蓋體7因處理腔室2內(nèi)的壓力而后退，一邊在處理腔室2使用超臨界流體對(duì)晶圓W進(jìn)行干燥處理。由此，由于上述密封構(gòu)件6被處理腔室2的內(nèi)部氣氛經(jīng)由連通通路35加壓而被向蓋體7側(cè)按壓，因此，能夠氣密地封堵上述槽部5與蓋體7之間的間隙，從而能夠確保處理腔室2的氣密性。S卩，在利用鎖板15限制蓋體7移動(dòng)的構(gòu)造中，如上所述，在處理腔室2內(nèi)的壓力升高時(shí)，鎖板15和蓋體7以嵌入孔24的游隙量后退。但是，突部72進(jìn)入到槽部5內(nèi)，僅是突部72在該槽部5內(nèi)后退，密封構(gòu)件6由于槽部5內(nèi)的加壓而被按壓于突部72 (蓋體7)，因此，能夠確保槽部5與蓋體7之間的氣密性。這樣，在設(shè)有密封構(gòu)件6的槽部5內(nèi)，僅是蓋體7的突部72在處理腔室2內(nèi)的位置發(fā)生變化，不會(huì)在槽部5與蓋體7之間重新形成間隙。另外，由于處理腔室2內(nèi)的減壓，密封構(gòu)件6被按壓于蓋體7的力減弱，密封構(gòu)件6返回到原來的位置。因而，不會(huì)發(fā)生密封構(gòu)件6咬入到蓋體7與處理腔室2之間的間隙中的現(xiàn)象，密封構(gòu)件6不會(huì)破損，因此，即使在處理腔室2內(nèi)的壓力發(fā)生發(fā)生變化的情況下，也能夠確保處理腔室2的氣密性。另外，密封構(gòu)件6在槽部5的內(nèi)部稍稍移動(dòng)，但此時(shí)密封構(gòu)件6不會(huì)在槽部5內(nèi)滑動(dòng)，因此，也不可能導(dǎo)致密封構(gòu)件6劣化而產(chǎn)生顆粒。在此，如圖14所示，在如上述那樣利用鎖板81限制蓋體82因處理腔室83內(nèi)的壓力而后退的構(gòu)造中，設(shè)想將密封構(gòu)件85設(shè)置在蓋體82與處理腔室83之間的、上述蓋體82的進(jìn)退方向上的面部84來氣密地封堵輸送口 86的構(gòu)造。處理腔室83的內(nèi)壓升高，在鎖板81和蓋體82后退時(shí)，在蓋體82與處理腔室83之間形成間隙87。在該狀態(tài)下進(jìn)行了干燥處理之后，在使處理腔室83減壓時(shí)，發(fā)生密封構(gòu)件85進(jìn)入到該間隙87中這樣的咬入現(xiàn)象。于是，由于蓋體82欲返回到原來的位置，因此，對(duì)該間隙87內(nèi)的密封構(gòu)件85施加較大的力，導(dǎo)致該密封構(gòu)件85破損，難以維持處理腔室的氣密性。另外，如圖15所示，在將密封構(gòu)件85設(shè)置在蓋體82與處理腔室83之間的、相對(duì)于上述進(jìn)退方向?yàn)閭?cè)方側(cè)的面部88的構(gòu)造中，即使處理腔室83的壓力升高，也不會(huì)在蓋體82與處理腔室83之間形成間隙，因此，能夠抑制上述密封構(gòu)件85的咬入現(xiàn)象的發(fā)生。但是，在使蓋體82進(jìn)退時(shí)，密封構(gòu)件85相對(duì)于處理腔室83的側(cè)面滑動(dòng)，因此，密封構(gòu)件85劣、化，易于產(chǎn)生顆粒。并且，在上述構(gòu)造中，為了使槽部5朝向處理腔室2側(cè)逐漸變大，輸送口形成構(gòu)件3的外表面構(gòu)成為錐面33a、33b，因此，能夠如上述那樣抑制密封構(gòu)件6的脫落。另外，由于該錐面33a、33b在密封構(gòu)件6在槽部5內(nèi)移動(dòng)時(shí)起到輔助該移動(dòng)的引導(dǎo)面的作用，因此，密封構(gòu)件6能夠迅速地進(jìn)行移動(dòng)。接著，參照?qǐng)D16 圖20說明本發(fā)明的處理裝置的其他實(shí)施方式。該實(shí)施方式與上述實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，輸送口形成構(gòu)件3A在蓋體7A的進(jìn)退方向上可動(dòng)自由地設(shè)置在凹部形成構(gòu)件4A上。該例子的輸送口形成構(gòu)件3A借助卡定構(gòu)件35設(shè)置在凹部形成構(gòu)件4A上。如圖17所示，該卡定構(gòu)件35在形成于凹部形成構(gòu)件4A的內(nèi)部的移動(dòng)區(qū)域45內(nèi)沿上述進(jìn)退方向移動(dòng)自由，在該移動(dòng)區(qū)域45的前端設(shè)有用于卡定卡定構(gòu)件35的固定部46。另外，該例子的 蓋體7A是未設(shè)置突部的構(gòu)造。除此之外，與上述實(shí)施方式同樣構(gòu)成。在本例子中，如圖16所示，在蓋體7A未受到來自處理腔室2的壓力時(shí)，卡定構(gòu)件35位于移動(dòng)區(qū)域45的后端,輸送口形成構(gòu)件3A的后表面36抵接于凹部形成構(gòu)件4A的前表面47。此時(shí)，蓋體7A的周緣側(cè)進(jìn)入到凹部形成構(gòu)件4A內(nèi)，面部74抵接于輸送口形成構(gòu)件3A的前表面30，輸送口 31被封堵。另一方面，在處理晶圓W時(shí)，若處理腔室2內(nèi)的壓力升高，則通過連通通路35對(duì)槽部5內(nèi)加壓，如圖18所示，蓋體7A與鎖板15都因處理腔室2內(nèi)的壓力而后退。此時(shí)，隨著蓋體7A的后退，如圖19所示，輸送口形成構(gòu)件3A也因來自處理腔室2的壓力而向蓋體7A側(cè)移動(dòng)，卡定構(gòu)件35被移動(dòng)區(qū)域45的前方側(cè)的固定部46卡定。在這樣的構(gòu)造中，密封構(gòu)件6也由于槽部5內(nèi)的加壓而在槽部5內(nèi)被向蓋體7A側(cè)按壓，將蓋體7A和槽部5之間氣密地封堵。此時(shí)，由于不會(huì)在蓋體7A與槽部5之間重新形成間隙，因此，不可能發(fā)生密封構(gòu)件6的咬入。另外，由于密封構(gòu)件6也不滑動(dòng)，因此，也能夠抑制產(chǎn)生顆粒。在此，如圖20所示，也可以在蓋體7A與輸送口形成構(gòu)件3A的接觸面上設(shè)置新的密封構(gòu)件61。圖20是輸送口形成構(gòu)件3A相對(duì)于凹部形成構(gòu)件4A可動(dòng)自由地設(shè)置的構(gòu)造，圖20表示輸送口形成構(gòu)件3A與蓋體7A因處理腔室2內(nèi)的壓力而一同后退的狀態(tài)，卡定構(gòu)件35等省略圖示。在以上內(nèi)容中，本發(fā)明的蓋體和凹部形成構(gòu)件也可以如圖21及圖22所示那樣構(gòu)成。該例子是輸送口形成構(gòu)件3固定在凹部形成構(gòu)件4內(nèi)、且在蓋體7A上未設(shè)置突部的構(gòu)造。另外，在圖21及圖22中省略了鎖板15。在本例子中，如圖21所示，蓋體7A以在輸入晶圓W時(shí)在封堵輸送口 31的狀態(tài)下蓋體7A的周緣部進(jìn)入到凹部形成構(gòu)件4內(nèi)的方式構(gòu)成，這樣，能夠利用蓋體7A的面部74封堵槽部5的開口部51。另一方面，在處理晶圓W時(shí)，在處理腔室2的內(nèi)壓升高時(shí)，如圖22所示，蓋體7A與鎖板15因處理腔室2的壓力而一同后退，因此，在該蓋體7A的面部74與輸送口形成構(gòu)件3的前表面部30之間形成間隙。但是，由于蓋體7A以封堵槽部5的開口部51的方式進(jìn)入到凹部形成構(gòu)件4中，并且密封構(gòu)件6被按壓在在上述蓋體7A與凹部形成構(gòu)件4的接觸區(qū)域中，因此，槽部5與蓋體7A之間被氣密地封堵。另外，在處理腔室2的壓力降低時(shí)，槽部5也減壓，因此，密封構(gòu)件6向蓋體7A側(cè)的按壓力減弱，密封構(gòu)件6沿著槽部5的錐面33a、33b返回到原來的位置(圖21的位置)。另外，蓋體7A也與鎖板15 —同前進(jìn)到原來的位置，蓋體7A的面部74與輸送口形成構(gòu)件3的前表面部30之間的間隙逐漸變小。因而，即使在蓋體7A與處理腔室2之間產(chǎn)生了間隙，也能夠抑制密封構(gòu)件6向該間隙中咬入的現(xiàn)象的發(fā)生。另外，如圖23及圖24所示，也可以使輸送口形成構(gòu)件3B突出到比凹部形成構(gòu)件4B的前表面靠蓋體7B側(cè)的位置。在上述圖23及圖24中也省略了鎖板15的記載。圖23表示在輸入晶圓W時(shí)設(shè)置在蓋體7B的周緣部的突部72沿著槽部5進(jìn)入到該槽部5內(nèi)的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，由于蓋體7B的面部71封堵輸送口 31，且突部72進(jìn)入到槽部5內(nèi)，因此上述輸送口 31被封堵。另外，在處理晶圓W時(shí)，在處理腔室2的內(nèi)壓升高時(shí)，如圖24所示，由于蓋體7B的后退而在該蓋體7B的面部71與輸送口形成構(gòu)件3的前表面部30之間形成間隙，但由于突部72進(jìn)入到槽部5內(nèi)，并且密封構(gòu)件6因槽部5內(nèi)的加壓被向蓋體7B(突部72)側(cè)按壓，、因此，將蓋體7B與槽部5之間氣密地封堵，能夠維持處理腔室2的氣密性。在本例子中，在處理腔室2的壓力降低之后，密封構(gòu)件6也返回到原來的位置，蓋體7B也移動(dòng)到原來的位置，因此，也能夠抑制密封構(gòu)件6向蓋體7B與處理腔室2之間的間隙中咬入的現(xiàn)象的發(fā)生。另外，如圖25所示，用于使槽部5與處理腔室2的內(nèi)部氣氛連通的連通通路47既可以形成在凹部形成構(gòu)件4C側(cè)，或者也可以在輸送口形成構(gòu)件和凹部形成構(gòu)件這兩者中設(shè)置連通通路。另外，形成在槽部5中的錐部形成于輸送口形成構(gòu)件的外表面和凹部形成構(gòu)件的內(nèi)表面中的任一個(gè)上即可，例如，如圖26所示，也可以不在輸送口形成構(gòu)件3D的外表面上形成錐面，而在凹部形成構(gòu)件4D的內(nèi)表面上形成錐面48。另外，在本例子中，是以槽部5內(nèi)的上下方向的空間在晶圓W的輸送方向上逐漸擴(kuò)展的方式構(gòu)成為錐形的，但也可以是以槽部5內(nèi)的左右方向的空間在晶圓W的輸送方向上逐漸擴(kuò)展的方式構(gòu)成為錐形的。另外，蓋體7的限制機(jī)構(gòu)只要是限制蓋體7因處理腔室2內(nèi)的壓力而后退的構(gòu)造，就并不限于采用鎖板的構(gòu)造。例如，也可以利用使蓋體7在交接位置與處理腔室2內(nèi)的處理位置之間移動(dòng)的鎖定缸體等驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)來限制蓋體7。在采用鎖板15的限制機(jī)構(gòu)中，蓋體7因處理腔室2內(nèi)的壓力而稍稍后退，但由于限制機(jī)構(gòu)的不同，也能夠以即使受到處理腔室2內(nèi)的壓力也基本上不會(huì)使蓋體后退的方式進(jìn)行限制。另外，也可以將處理腔室2和凹部形成構(gòu)件4形成為一體、并在處理腔室2的側(cè)面形成凹部。另外，如圖27所示，也可以如下這樣設(shè)置在處理腔室91上形成輸送口 92，以圍繞該輸送口 92的方式形成環(huán)狀的槽部93，在該槽部93中設(shè)置環(huán)狀的密封構(gòu)件94。在本例子中，蓋體95以封堵輸送口 92、并且其周緣部與密封構(gòu)件94相對(duì)且與密封構(gòu)件94相接觸的方式設(shè)置，并且設(shè)有用于使槽部93與處理腔室91的內(nèi)部氣氛相連通的連通通路96。在這種情況下，在處理腔室91內(nèi)的壓力升高時(shí)，密封構(gòu)件94被向蓋體95側(cè)按壓，槽部93與蓋體95之間的間隙被氣密地封堵。此時(shí)，在應(yīng)用采用了鎖板的限制機(jī)構(gòu)的情況下，如圖28所示，在處理腔室91內(nèi)的壓力升高時(shí)，在蓋體95與槽部93之間形成有間隙，但密封構(gòu)件94被按壓于蓋體95，使得該間隙被封堵，因此，槽部93與蓋體95之間的間隙被氣密地封堵。另外，在對(duì)處理腔室91進(jìn)行減壓時(shí)，解除對(duì)密封構(gòu)件94的按壓，因此，密封構(gòu)件94返回到原來的位置，能夠抑制密封構(gòu)件94向上述間隙中咬入的現(xiàn)象的發(fā)生。另外，晶圓保持器21和蓋體7也可以彼此獨(dú)立地設(shè)置。例如也可以如下這樣設(shè)置預(yù)先將晶圓保持器21設(shè)置在處理腔室2內(nèi)，在向晶圓保持器21上輸送了晶圓W之后，利用蓋體7關(guān)閉輸送口 31。在以上內(nèi)容中，本發(fā)明的密封構(gòu)件并非一定是彈性體，也可以由不銹鋼、鈦、特殊合金構(gòu)成。在這種情況下，在處理容器內(nèi)升壓之后，密封構(gòu)件也被處理容器的內(nèi)部氣氛經(jīng)由連通通路加壓而被向蓋體側(cè)按壓，將槽部與蓋體之間的間隙氣密地封堵，能夠確保處理容器的氣密性。另外，由于密封構(gòu)件不會(huì)相對(duì)于處理容器、蓋體滑動(dòng)，因此，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生。接著，參照?qǐng)D29 圖32說明另一個(gè)超臨界處理裝置(處理裝置)的第2實(shí)施方式。第2實(shí)施方式的處理裝置具有與使用圖I 圖4說明的超臨界處理裝置大致同樣的整體構(gòu)造。但是，不包括用于形成供密封構(gòu)件6配置的槽部5的輸送口形成構(gòu)件3、凹部形成 構(gòu)件4這一點(diǎn)和密封構(gòu)件62的縱截面為U字形這一點(diǎn)與已述的各實(shí)施方式(以下統(tǒng)稱為第I實(shí)施方式)的處理裝置不同。如圖29、圖30所示，在第2實(shí)施方式的處理裝置的例如蓋體7的側(cè)壁上，以圍繞晶圓保持器21的基端部的方式形成有凹部75。通過向該凹部75內(nèi)嵌入密封構(gòu)件62，在與開口部22周圍的側(cè)壁面抵接的蓋體7側(cè)的側(cè)壁面上配置有密封構(gòu)件62。如上所述，在本例子的處理腔室2上未設(shè)置輸送口形成構(gòu)件3、凹部形成構(gòu)件4，因此，處理腔室2的開口部22相當(dāng)于晶圓W的輸送口 31。另外，對(duì)于圖29 圖34所示的構(gòu)成要件中的、與圖I 圖28所示的處理裝置通用的構(gòu)成要素標(biāo)注與在上述圖I 圖28中標(biāo)注的附圖標(biāo)記通用的附圖標(biāo)記。密封構(gòu)件62在以能夠包圍開口部22的方式形成為環(huán)狀這一點(diǎn)上與圖7所示的第I實(shí)施方式的密封構(gòu)件6通用。另一方面，如圖31、圖32所示，密封構(gòu)件62的截面形狀為U字形。在圖29、圖30所示的密封構(gòu)件62中，U字的缺口 620是沿著環(huán)狀的密封構(gòu)件62的內(nèi)周面形成的。換言之，在密封構(gòu)件62中形成有被圍成U字形的內(nèi)部空間(缺口 620)。在利用設(shè)有該密封構(gòu)件62的蓋體7封堵輸送口 31時(shí)，密封構(gòu)件62以封堵蓋體7與輸送口 31之間的間隙的方式配置在蓋體7和處理腔室2的相對(duì)的面之間。而且，由于該間隙形成在處理腔室2內(nèi)的處理空間20的開口部22周圍，因此，沿著密封構(gòu)件62的內(nèi)周面形成的缺口呈與該處理空間20相連通的狀態(tài)。在本例子中，缺口 620與處理空間20相連通的密封構(gòu)件62也暴露在超臨界IPA的氣氛中，存在超臨界IPA使樹脂、橡膠等的成分、密封構(gòu)件62所含有的雜質(zhì)溶出的情況。因此，本例子的密封構(gòu)件62至少朝向上述處理空間20開口的缺口 620的內(nèi)側(cè)由對(duì)于超臨界IPA具有耐腐蝕性的樹脂構(gòu)成。作為對(duì)于超臨界IPA具有耐腐蝕性的樹脂，可列舉出聚酰亞胺、聚乙烯、聚丙烯、對(duì)二甲苯、聚醚醚酮(PEEK)，優(yōu)選采用即使向超臨界IPA中溶出了微量的成分、對(duì)半導(dǎo)體裝置的影響也很少的非氟系樹脂。圖31所示的密封構(gòu)件62a是通過在形成為與該密封構(gòu)件62a大致相同的形狀(夕卜觀為環(huán)狀，縱截面為U字形)的、不銹鋼、鎳、鎳鉻鐵耐熱耐蝕合金(Inconel)(注冊(cè)商標(biāo))、銅等金屬制的芯材611的表面形成聚酰亞胺覆膜612而構(gòu)成的。聚酰亞胺覆膜612例如也可以通過如下這樣的真空蒸鍍來形成，即，向載置有芯材611的真空容器內(nèi)供給作為聚酰亞胺的原料的單體的蒸氣，將芯材611加熱到進(jìn)行聚合反應(yīng)的溫度，在該芯材611的表面形成聚酰亞胺覆膜612。另外，也可以通過在芯材611的表面涂敷聚酰亞胺原料的液體，并將所涂敷的聚酰亞胺原料的液體加熱來形成聚酰亞胺覆膜612。另外，構(gòu)成上述芯材611的金屬也可以使用Ni-Ti合金等超彈性合金(彈性模量較高的金屬)。超彈性合金、例如Ni-Ti合金即使變形至8%左右的變形也能夠復(fù)原。另外，圖32所示的密封構(gòu)件62b僅在芯材611的形成有缺口 620的面形成有聚酰亞胺覆膜613，密封構(gòu)件62b是將帶有該聚酰亞胺覆膜613的芯材611例如嵌入到形成于PTFE(聚四氟乙烯PolyTetra Fluoro Ethylene)制的引導(dǎo)構(gòu)件614的凹部?jī)?nèi)而成的構(gòu)造。像上述的密封構(gòu)件62a、62b這樣，通過由耐腐蝕性較高的樹脂構(gòu)成朝向處理空間20開口的缺口 620的內(nèi)側(cè)，能夠抑制密封構(gòu)件62a、62b劣化。另外，芯材611、聚酰亞胺覆膜612、613等具有能夠沿開閉缺口 620的方向變形的彈性。另外，圖29 圖30、圖33 圖 34中的密封構(gòu)件62將圖31、圖32所示的各密封構(gòu)件62a、62b的構(gòu)造簡(jiǎn)化表示。下面，對(duì)包括上述密封構(gòu)件62的處理裝置的作用進(jìn)行說明。直到將利用未圖示的清洗裝置清洗后的晶圓W以在其表面堆積有液體IPA的狀態(tài)輸送，交接到晶圓保持器21上之后，使蓋體7移動(dòng)而將晶圓W輸入到處理腔室2內(nèi)為止，與已述的第I實(shí)施方式的處理裝置相同。此時(shí)，由于在處理腔室2上未設(shè)置輸送口形成構(gòu)件3、凹部形成構(gòu)件4，因此，如圖29所示，蓋體7和處理腔室2的側(cè)壁面彼此直接相對(duì)而壓扁密封構(gòu)件62，將輸送口 31的周圍氣密地封堵。被蓋體7和處理腔室2壓扁的密封構(gòu)件62向缺口 620變窄的方向變形。在缺口 620未完全關(guān)閉的情況下，在該時(shí)刻，處理空間20內(nèi)的氣氛經(jīng)由蓋體7與處理腔室2之間的間隙向上述缺口 620內(nèi)流入。然后，在堆積于晶圓W表面的IPA干燥之前向處理空間20中供給超臨界IPA時(shí)，在受自超臨界IPA的壓力的作用下，蓋體7以形成于突片部23的嵌入孔24與鎖板15之間的間隙24a的量后退。由于蓋體7的后退，該蓋體7與處理腔室2之間的間隙擴(kuò)大時(shí)，缺口620在具有彈性的密封構(gòu)件62的恢復(fù)力的作用下擴(kuò)展，如圖30所示，處理空間20內(nèi)的氣氛(超臨界IPA)也進(jìn)一步還進(jìn)入到該缺口 620(內(nèi)部空間)內(nèi)。在超臨界IPA進(jìn)入到缺口 620內(nèi)時(shí)，從缺口 620的內(nèi)側(cè)擴(kuò)張密封構(gòu)件62，施加將密封構(gòu)件62的外周面(與缺口 620相反一側(cè)的面)朝向蓋體7的凹部75這一側(cè)的面、處理腔室2的側(cè)壁面按壓的力。由此，密封構(gòu)件62的外周面與蓋體7、處理腔室2緊密貼合，將上述的構(gòu)件7、2之間的間隙氣密地封堵。確認(rèn)了這種密封構(gòu)件62具有能夠在受自超臨界IPA的力的作用下變形的彈性，并能夠克服處理空間20與外部的壓力差(例如4MPa IOMPa左右)維持將上述間隙氣密地封堵的狀態(tài)。另外，密封構(gòu)件62的供超臨界IPA流入的缺口 620內(nèi)的面由對(duì)于超臨界IPA具有耐腐蝕性的樹脂構(gòu)成，從而樹脂成分、雜質(zhì)的溶出較少，能夠長期維持密封性能。向處理空間20內(nèi)供給超臨界IPA之后，在利用超臨界IPA置換晶圓W表面的液體IPA之后使晶圓W干燥的作用、處理之后的晶圓W輸出動(dòng)作等與已述的第I實(shí)施方式相同，因此省略說明。在此，密封構(gòu)件62并不限定于設(shè)置在蓋體7側(cè)的情況。在圖29、圖30所示的例子中，也可以在處理腔室2的側(cè)壁面設(shè)置凹部，在該凹部?jī)?nèi)嵌入密封構(gòu)件62。并且，并不限定于密封構(gòu)件62配置在蓋體7與輸送口 31相對(duì)的面之間的情況。例如圖33、圖34所示的處理裝置在利用蓋體7封堵開口部22時(shí)沿著該開口部的內(nèi)周面配置密封構(gòu)件62。該密封構(gòu)件62的缺口 620從蓋體7側(cè)看來朝向深側(cè)方向開口，呈不經(jīng)由蓋體7與處理腔室2之間的間隙而直接與處理空間20相連通的狀態(tài)(圖33)。在本例子的處理裝置中，在將晶圓W輸入到處理腔室2內(nèi)之后，向處理空間20中供給超臨界IPA時(shí)，在受來自超臨界IPA的力的作用下，蓋體7以已述的間隙24a的量后退，并且，超臨界IPA (處理空間20的氣氛)流入到朝向處理空間20開口的缺口 620內(nèi)。進(jìn)入到缺口 620內(nèi)的超臨界IPA從缺口 620的內(nèi)側(cè)使密封構(gòu)件62沿上下方向擴(kuò)張，施加將密封構(gòu)件62的外周面朝向處理腔室2的開口部22的內(nèi)周面按壓的力。由此，密封構(gòu)件62的外周面與處理腔室2緊密貼合，將形成在蓋體7與處理腔室2 之間的間隙覆蓋，將該間隙氣密地封堵。圖中的附圖標(biāo)記29是將開口部22的周緣部局部切除而用于使密封構(gòu)件62的外周面易于緊密貼合的抵接面，附圖標(biāo)記63是預(yù)先設(shè)置在蓋體7與處理腔室2之間的0型環(huán)，上述抵接面29和0型環(huán)63根據(jù)需要來設(shè)置。另外，形成于密封構(gòu)件62的缺口 620的形狀并不限于U字形，只要通過使超臨界IPA進(jìn)入到缺口 620的內(nèi)側(cè)，能夠施加將密封構(gòu)件62壓靠于蓋體7、處理腔室2的力，就也可以是V字形、凹字形等。權(quán)利要求書所述的“U字形”是指也包含上述V字形、凹字形的縱截面形狀的概念。另外，圖31、圖32所示的金屬制的芯材611也不是必需的構(gòu)成要素，也可以僅由樹脂等彈性體構(gòu)成密封構(gòu)件62。接著，參照?qǐng)D35、圖36說明第3實(shí)施方式的超臨界處理裝置(處理裝置)的構(gòu)造。第3實(shí)施方式的處理裝置的整體構(gòu)造也與使用圖I 圖4說明的超臨界處理裝置大致相同。另外，如圖35所示，本例子的處理裝置在包括以能夠圍繞處理腔室2的開口部22的方式形成為環(huán)狀、縱截面形狀為U字形、且形成有被圍成該U字形的缺口 640 (內(nèi)部空間)的密封構(gòu)件64這一點(diǎn)上與第2實(shí)施方式的密封構(gòu)件62a、62b通用。本密封構(gòu)件64的U字部分的兩端部向外側(cè)彎曲而形成有彎曲端部642。該彎曲端部642越向外側(cè)行進(jìn)變得越細(xì)，成為彎曲端部642利用彎曲端部642的頂端部643以細(xì)長的線狀區(qū)域與處理腔室2、蓋體7相接觸的構(gòu)造。以下，在密封構(gòu)件64的U字形的縱截面中，將相對(duì)的部位稱作側(cè)部641、將連接上述側(cè)部641的部位稱作連結(jié)部644時(shí)，密封構(gòu)件64自連結(jié)部644朝向彎曲端部642側(cè)逐漸變細(xì)(變薄)，并且，兩側(cè)部641越向頂端側(cè)(彎曲端部642側(cè))行進(jìn)越向內(nèi)側(cè)(缺口 640側(cè))傾斜。密封構(gòu)件64由作為對(duì)于超臨界IPA具有耐腐蝕性的彈性體的樹脂、例如由自聚酰亞胺、聚乙烯、聚丙烯、對(duì)二甲苯、聚醚醚酮(PEEK)所構(gòu)成的樹脂組中選出的樹脂構(gòu)成，抑制雜質(zhì)向超臨界IPA溶出。在該密封構(gòu)件64上，以在縱截面中看來從U字部分的外側(cè)覆蓋該密封構(gòu)件64的方式設(shè)有罩構(gòu)件65。罩構(gòu)件65起到在超臨界IPA進(jìn)入到缺口 640內(nèi)、密封構(gòu)件64從內(nèi)側(cè)被加壓時(shí)限制密封構(gòu)件64變形的作用。罩構(gòu)件65與密封構(gòu)件64同樣形成為環(huán)狀，并且，其縱截面呈U字形，在該U字的缺口(內(nèi)部空間)中嵌入有密封構(gòu)件64。以下，在罩構(gòu)件65的U字縱截面中，也將相對(duì)的部位稱作側(cè)部651，將連接上述側(cè)部651的部位稱作連結(jié)部652。在罩構(gòu)件65的側(cè)部651的內(nèi)表面與朝向內(nèi)側(cè)傾斜的密封構(gòu)件64的側(cè)部641的外表面之間形成有間隙，該間隙作為游隙而密封構(gòu)件64的側(cè)部641能夠在罩構(gòu)件65內(nèi)變形。另外，罩構(gòu)件65的側(cè)部651的內(nèi)表面呈能夠通過與密封構(gòu)件64的側(cè)部的外表面面接觸而與密封構(gòu)件64的側(cè)部的外表面相抵接的形狀。在密封構(gòu)件64嵌入在罩構(gòu)件65內(nèi)的狀態(tài)下，彎曲端部642向罩構(gòu)件65的外側(cè)伸出。另外，在未向缺口 640內(nèi)施加壓力時(shí),彎曲端部642的頂端部643位于比罩構(gòu)件65的側(cè)部651的外表面靠外側(cè)的位置。并且，在罩構(gòu)件65的連結(jié)部652的內(nèi)表面與密封構(gòu)件64的連結(jié)部644的外表面之間形成有間隙，該間隙作為吸收由熱量等引起的密封構(gòu)件64膨脹的空間。另外，密封構(gòu)件64的彎曲端部642以覆蓋罩構(gòu)件65的側(cè)部651的端部的方式與罩構(gòu)件65的側(cè)部651的端部接觸，通過自密封構(gòu)件64的內(nèi)側(cè)加壓，將密封構(gòu)件64向罩構(gòu)件65內(nèi)推入，密封構(gòu)件64的彎曲端部642支承密封構(gòu)件64，使得上述連結(jié)部644、652之間 的間隙不被封堵。本例子的密封構(gòu)件64的側(cè)部641基端部側(cè)的外表面與罩構(gòu)件65的內(nèi)表面相接觸，密封構(gòu)件64利用該接觸面保持在罩構(gòu)件65內(nèi)。如上所述，在罩構(gòu)件65內(nèi)，密封構(gòu)件64的側(cè)部641變形或者熱膨脹，因此，為了不阻礙這樣的變形、膨脹，優(yōu)選不通過粘結(jié)等將密封構(gòu)件64與罩構(gòu)件65的接觸部固定。罩構(gòu)件65由比密封構(gòu)件64難以變形的材料、例如不銹鋼、鎢(W)、鈦(Ti)等金屬、或者含有上述金屬的合金等構(gòu)成。以下，將密封構(gòu)件64和覆蓋該密封構(gòu)件64的罩構(gòu)件65并稱作密封部66。如圖36所示，密封部66嵌入到以圍繞晶圓保持器21基端部的方式設(shè)置在處理裝置的例如蓋體7的側(cè)壁上的凹部75內(nèi)。由此，在用蓋體7封堵開口部22時(shí)，密封部66以圍繞處理腔室2的開口部22的方式配置在處理腔室2與蓋體7的側(cè)壁面之間。另外，在密封部66中，將密封構(gòu)件64的缺口 640朝向開口部22地配置，在被密封部66圍繞的處理腔室2與蓋體7的側(cè)壁面之間形成有間隙76。結(jié)果，密封構(gòu)件64的缺口 640 (內(nèi)部空間)呈與處理腔室2的內(nèi)部氣氛相連通的狀態(tài)。另外，對(duì)于圖36 圖38所示的構(gòu)成要素中的、與圖I 圖28所示的處理裝置通用的構(gòu)成要素標(biāo)注與在上述圖中標(biāo)注的附圖標(biāo)記通用的附圖標(biāo)記。下面，說明包括上述密封部66的處理裝置的作用。在將堆積有液體IPA的清洗之后的晶圓W以保持在晶圓保持器21上的狀態(tài)輸入到處理腔室2內(nèi)時(shí)，成為蓋體7與處理腔室2的側(cè)壁面彼此直接相對(duì)的狀態(tài)。此時(shí)，如圖37的放大圖所示，蓋體7和處理腔室2的側(cè)壁面分別與突出到比罩構(gòu)件65靠外側(cè)的位置的彎曲端部642接觸，以將密封構(gòu)件64的側(cè)部641朝向內(nèi)側(cè)推回的方式使密封構(gòu)件64變形。作為彈性體的側(cè)部641沿著與被推回的方向相反的方向作用恢復(fù)力，將彎曲端部642的頂端部643壓靠于蓋體7和處理腔室2。結(jié)果，蓋體7與處理腔室2之間的間隙76被密封構(gòu)件64氣密地封堵。然后，在堆積于晶圓W表面的IPA干燥之前向處理空間20中供給超臨界IPA時(shí)，處理腔室2內(nèi)的超臨界IPA經(jīng)由間隙76進(jìn)入到密封構(gòu)件64的缺口 640(內(nèi)部空間)內(nèi)。然后，在維持蓋體7與處理腔室2相接觸的狀態(tài)的比較低的壓力、例如處理腔室2、缺口 640內(nèi)的壓力上升至IMPa左右的期間里，密封構(gòu)件64的側(cè)部641被加壓而朝向外側(cè)變形，利用更強(qiáng)的力將彎曲端部642壓靠于蓋體7和處理腔室2的側(cè)壁面。處理腔室2、缺口 640內(nèi)的壓力進(jìn)一步上升、例如超過IMPa時(shí)，蓋體7開始被推回至由鎖板15限制的位置，如圖38所示，處理腔室2與蓋體7之間的間隙76擴(kuò)大。與該移動(dòng)相對(duì)應(yīng)，被缺口 640內(nèi)的超臨界IPA加壓的密封構(gòu)件64的側(cè)部641也被進(jìn)一步向外側(cè)擴(kuò)張，彎曲端部642伸出至罩構(gòu)件65的外側(cè)，維持與蓋體7、處理腔室2的接觸狀態(tài)。在此，在圖38所示的例子中，罩構(gòu)件65受到與側(cè)部641的變形相應(yīng)地作用于密封構(gòu)件64的應(yīng)力的作用，從而罩構(gòu)件65在蓋體7的凹部75內(nèi)移動(dòng)。在密封構(gòu)件64的側(cè)部641這樣朝向外側(cè)變形時(shí)，密封構(gòu)件64的側(cè)部641的外表面不久就與罩構(gòu)件65的側(cè)部651的內(nèi)表面相抵接，密封構(gòu)件64的變形受到限制。這樣，設(shè)計(jì)密封構(gòu)件64與罩構(gòu)件65的側(cè)部641、651之間的間隙的寬度、彎曲端部642的彎曲寬度(向外側(cè)突出的寬度)，以便在密封構(gòu)件64變形至被罩構(gòu)件65限制的位置時(shí)，能夠維持將后退至鎖板15所決定的的限制位置的蓋體7與處理腔室2之間的間隙76氣密地封堵的狀 態(tài)。另外，通過改變自連結(jié)部644側(cè)朝向彎曲端部642側(cè)變薄的側(cè)部641的厚度，能夠調(diào)節(jié)缺口 640內(nèi)的壓力與側(cè)部641的變形量之間的關(guān)系。另外，通過利用罩構(gòu)件65限制密封構(gòu)件64的變形，超臨界流體進(jìn)入到缺口 640內(nèi)，即使缺口 640的內(nèi)部空間與外部的壓力差增大至IOMPa左右，也能夠抑制密封構(gòu)件64的側(cè)部641產(chǎn)生過度的變形、裂紋。另一方面，密封構(gòu)件64的連結(jié)部644比側(cè)部641粗，因此，即使在該連結(jié)部644與罩構(gòu)件65之間形成有用于吸收熱膨脹等的間隙，也能夠維持密封構(gòu)件64的強(qiáng)度，從而能夠抑制產(chǎn)生不需要的變形、裂紋。并且，通過由對(duì)于超臨界IPA具有耐腐蝕性的樹脂構(gòu)成密封構(gòu)件64，樹脂成分、雜質(zhì)的溶出較少，能過長期維持密封性能。另外，通過密封構(gòu)件64的彎曲端部642以覆蓋在罩構(gòu)件65的側(cè)部651的端部的方式向外側(cè)伸出，罩構(gòu)件65能夠保持不與超臨界IPA接觸的狀態(tài)，從而能夠抑制用于構(gòu)成罩構(gòu)件65的金屬的腐蝕。在第3實(shí)施方式中，在向處理空間20內(nèi)供給超臨界IPA之后，利用超臨界IPA置換晶圓W表面的液體IPA之后使晶圓W干燥的作用、處理之后的晶圓W的輸出動(dòng)作等也與已述的第I實(shí)施方式相同，因此省略說明。另外，密封部66并不限定于設(shè)置在蓋體7側(cè)的情況，也可以在處理腔室2的側(cè)壁面設(shè)置凹部，并在該凹部?jī)?nèi)嵌入密封構(gòu)件64，這一點(diǎn)與第2實(shí)施方式的密封構(gòu)件62相同。另外，在第3實(shí)施方式的發(fā)明中，權(quán)利要求書所述的“U字形”也是指也包含V字形、凹字形的縱截面形狀的概念。在以上說明的第I 第3實(shí)施方式的處理裝置中，為了進(jìn)行晶圓W的干燥所采用的高壓流體的原料并不限定于IPA,例如也可以采用HFE (Hydro Fluoro Ether)、CO2 ( 二氧化碳)、N2 (氮)、氬等非活性氣體。并且，高壓流體狀態(tài)并不限于超臨界狀態(tài)的情況，使原料的液體成為亞臨界狀態(tài)(例如，在為IPA的情況下，溫度為100°C 300°C的范圍、壓力為IMPa 3MPa的范圍內(nèi))、并利用該亞臨界流體進(jìn)行晶圓W的干燥的情況也包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。另外，也可以在利用晶圓保持器21向大致水平地設(shè)置的處理腔室2內(nèi)輸入晶圓W之后，將處理腔室2傾斜成大致鉛垂，在該鉛垂的狀態(tài)下進(jìn)行超臨界處理。另外，利用本發(fā)明實(shí)施的超臨界處理并不限定于除去晶圓W的表面的液體的干燥處理。例如，本發(fā)明也能夠應(yīng)用于使利用抗蝕劑膜進(jìn)行了圖案化之后的晶圓W與超臨界流體接觸而自晶圓W除去抗蝕劑膜的處理。附圖標(biāo)記說明
W、晶圓；2、處理腔室；20、處理空間；21、晶圓保持器；22、開口部；3、輸送口形成構(gòu)件；31、輸送口 ；33a、33b、錐部；35、連通通路；4、凹部形成構(gòu)件；5、槽部；51、開口部；6、62、64、密封構(gòu)件；65、罩構(gòu)件；66、密封部；620、缺口。
權(quán)利要求
1.一種處理裝置，其用于利用高壓流體對(duì)經(jīng)由輸送口輸入到處理容器內(nèi)的被處理基板進(jìn)行處理，其特征在于， 該處理裝置包括 蓋體，其用于封堵上述輸送口 ； 密封構(gòu)件，其以在利用該蓋體封堵上述輸送口時(shí)圍繞該輸送口的方式、或者沿著該輸送口的內(nèi)周面的方式設(shè)置為環(huán)狀，縱截面形成為U字形，并以圍成該U字形的內(nèi)部空間與上述處理容器的內(nèi)部氣氛相連通的方式配置； 限制機(jī)構(gòu)，其用于限制上述蓋體因處理容器內(nèi)的壓力而后退， 上述密封構(gòu)件被進(jìn)入到上述密封構(gòu)件的上述內(nèi)部空間中的處理容器的內(nèi)部氣氛加壓而被按壓于蓋體和處理容器中的至少一個(gè)，將上述處理容器與蓋體之間的間隙氣密地封堵。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的處理裝置，其特征在于， 上述密封構(gòu)件的與內(nèi)部空間接觸的面由自聚酰亞胺、聚乙烯、聚丙烯、對(duì)二甲苯、聚醚醚酮所組成的樹脂組中選出的樹脂構(gòu)成。
3.—種處理裝置，其用于利用高壓流體對(duì)經(jīng)由輸送口輸入到處理容器內(nèi)的被處理基板進(jìn)行處理，其特征在于， 該處理裝置包括 蓋體，其用于封堵上述輸送口 ； 密封構(gòu)件，其由彈性體構(gòu)成，該密封構(gòu)件以在利用上述蓋體封堵上述輸送口時(shí)圍繞該輸送口的方式設(shè)置為環(huán)狀，縱截面形成為U字形，并且，U字部分的兩端部向外側(cè)彎曲而形成彎曲端部，并以圍成該U字形的內(nèi)部空間與上述處理容器的內(nèi)部氣氛相連通的方式配置； 罩構(gòu)件，其用于限制該密封構(gòu)件的變形，在上述密封構(gòu)件的縱截面中看來從U字部分的外側(cè)覆蓋該密封構(gòu)件； 限制機(jī)構(gòu)，其用于限制上述蓋體因處理容器內(nèi)的壓力而后退， 在利用上述蓋體封堵上述處理容器的輸送口時(shí)，使上述彎曲端部抵接于上述處理容器和蓋體而將該處理容器與蓋體之間的間隙氣密地封堵，隨著上述處理容器內(nèi)的壓力上升、上述間隙擴(kuò)大，上述密封構(gòu)件在上述罩構(gòu)件內(nèi)被進(jìn)入到上述內(nèi)部空間中的處理容器的內(nèi)部氣氛加壓而變形，將上述彎曲端部向外側(cè)擴(kuò)張而維持將上述間隙氣密地封堵的狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理裝置，其特征在于， 上述密封構(gòu)件由自聚酰亞胺、聚乙烯、聚丙烯、對(duì)二甲苯、聚醚醚酮所組成的樹脂組中選出的樹脂構(gòu)成。
5.一種處理裝置，其用于利用高壓流體對(duì)經(jīng)由輸送口輸入到處理容器內(nèi)的被處理基板進(jìn)行處理，其特征在于， 該處理裝置包括 槽部，其以圍繞上述輸送口的方式形成為環(huán)狀； 密封構(gòu)件，其沿著該槽部設(shè)置在該槽部?jī)?nèi)； 蓋體，其用于封堵上述輸送口，該蓋體的周緣部與上述密封構(gòu)件相對(duì)并與上述密封構(gòu)件相接觸；連通通路，其用于使上述槽部與上述處理容器的內(nèi)部氣氛相連通； 限制機(jī)構(gòu)，其用于限制上述蓋體因處理容器內(nèi)的壓力而后退， 上述密封構(gòu)件被處理容器的內(nèi)部氣氛經(jīng)由上述連通通路加壓而被向蓋體側(cè)按壓，將上述槽部與蓋體之間的間隙氣密地封堵。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的處理裝置，其特征在于， 上述蓋體在封堵著輸送口的狀態(tài)下蓋體的一部分沿著槽部進(jìn)入到該槽部?jī)?nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的處理裝置，其特征在于， 上述槽部以槽部?jī)?nèi)的空間自蓋體側(cè)向被處理基板的輸入方向逐漸擴(kuò)展的方式構(gòu)成為錐形。
8.根據(jù)權(quán)利要求5 7中任一項(xiàng)所述的處理裝置，其特征在于， 在上述處理容器上設(shè)有凹部，并且在該凹部的底面形成有用于將被處理基板相對(duì)于該處理容器內(nèi)輸入、輸出的開口部； 該處理裝置包括環(huán)狀的輸送口形成構(gòu)件，該輸送口形成構(gòu)件配置在上述凹部?jī)?nèi)，用于形成與上述開口部連續(xù)的上述輸送口，并且在該輸送口形成構(gòu)件的外周面與上述凹部的內(nèi)周面之間形成上述槽部。
9.根據(jù)權(quán)利要求5 8中任一項(xiàng)所述的處理裝置，其特征在于， 上述輸送口形成構(gòu)件相對(duì)于上述凹部在上述被處理基板的輸入方向上可動(dòng)自由地設(shè)于該凹部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種處理裝置。該處理裝置抑制在利用高壓流體對(duì)被處理基板進(jìn)行處理的處理容器中產(chǎn)生顆粒，確保處理容器內(nèi)的氣密性。以圍繞處理腔室(2)的輸送口(31)的方式設(shè)置密封構(gòu)件(62)，利用蓋體(7)封堵輸送口(31)，利用鎖板(15)限制蓋體(7)因處理腔室(2)內(nèi)的壓力而后退，同時(shí)在處理腔室(2)內(nèi)利用高壓流體對(duì)晶圓(W)進(jìn)行干燥處理。在干燥處理的期間，由于上述密封構(gòu)件(62)被處理腔室(2)的內(nèi)部氣氛加壓而被向蓋體(7)側(cè)按壓，因此，能夠?qū)⑸鲜錾w體(7)與處理腔室(2)之間的間隙氣密地封堵。另外，由于密封構(gòu)件(62)不會(huì)相對(duì)于處理腔室(2)、蓋體(7)滑動(dòng)，因此，能夠抑制產(chǎn)生顆粒。
文檔編號(hào)B08B3/08GK102751173SQ20121006714
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月20日
發(fā)明者中島干雄, 岡村聰, 稻富弘朗 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社