專利名稱：膜除去裝置、膜除去方法和基板處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及從基板定位用的定位記號(hào)上除去保護(hù)膜和反射防止膜等的涂布膜的膜除去裝置、膜除去方法以及基板處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
制造LCD或半導(dǎo)體設(shè)備的光刻法(Photolithography process)，是以以下順序進(jìn)行的在基板(LCD用玻璃基板、半導(dǎo)體晶片)表面涂布保護(hù)液的保護(hù)膜涂布處理、在保護(hù)膜上形成規(guī)定的潛象圖案的曝光處理、以及使保護(hù)膜顯影的顯影處理。這樣規(guī)定電路圖形就在基板上形成了。
在曝光處理方面，曝光機(jī)必需精度極高地對(duì)基板定位，基板定位的步驟如下在基板規(guī)定位置上事先做好定位標(biāo)記，用位置檢測(cè)用的激光檢測(cè)出該定位標(biāo)記的位置，然后依照該定位標(biāo)記的位置實(shí)施定位。這種使用激光進(jìn)行的基板定位，由于有能夠高精度實(shí)施定位這一點(diǎn)，所以是有效的。
在保護(hù)膜涂布工序和反射防止膜涂布工序中，由于使用旋轉(zhuǎn)涂布法使涂布膜形成于基板全面，定位標(biāo)記因而被涂布膜覆罩。因此曝光處理工序當(dāng)中，位置檢測(cè)用激光由于涂布膜的原因或被反射，或衰減，定位標(biāo)記往往不被正確檢測(cè)，基板定位精度低下，結(jié)果就造成圖形曝光不正確。
日本特開平10-113779號(hào)公報(bào)中，提出了一種激光加工裝置的方案。就是對(duì)曝光機(jī)在基板定位之前，向定位記號(hào)上的膜照射加工用的激光，激光能夠只將該定位記號(hào)上的膜除去。
然而，現(xiàn)有裝置使用激光對(duì)膜施以較高能量，膜的成分會(huì)蒸發(fā)、分解，這樣膜除去之后，被分解的膜殘存、浮游在周圍。如果以此狀態(tài)放置的話，該分解了的膜的浮游物會(huì)再度附著在基板之上，由于之后的處理有可能不形成正常的電路圖形。
美國(guó)專利4752668號(hào)公報(bào)以及日本特開平11-145108號(hào)公報(bào)中提出了作為解決相關(guān)弊害的方法，那就是提供一種微細(xì)加工裝置，對(duì)浸泡在儲(chǔ)有液體的加工槽內(nèi)的基板進(jìn)行激光照射，然后實(shí)施孔加工。但是，即便是使用這種微細(xì)加工裝置，還是不能排出一旦被除去的膜的分解物再度附著上去的可能性。還是不足以防止基板的污染。還有，由于基板整體沾有液體，后處理就需要有洗凈整個(gè)基板的洗凈機(jī)構(gòu)，所以存在加工工序復(fù)雜的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于在除去基板規(guī)定位置(定位記號(hào))上的涂布膜時(shí)，提供能夠不污染基板的膜除去裝置、膜除去方法以及基板處理系統(tǒng)。
本發(fā)明的膜除去裝置的特征為具有基板保持部，保持具有涂布膜的基板；激光光源，用激光局部照射該基板保持部上的基板規(guī)定位置，使上述涂布膜從基板上部分剝離；具有對(duì)上述規(guī)定位置供給規(guī)定流體的主噴嘴的流體供給機(jī)構(gòu)；回收機(jī)構(gòu)，該回收機(jī)構(gòu)包含吸引口，在基板上將供給到上述規(guī)定位置的上述規(guī)定流體連同剝離的膜成分吸收并除去；和引導(dǎo)部件，該引導(dǎo)部件將從上述主噴嘴噴出的上述規(guī)定流體引導(dǎo)至上述規(guī)定位置，同時(shí)將上述規(guī)定流體以及剝離了的膜成分引導(dǎo)至上述回收機(jī)構(gòu)的吸引口使得它不會(huì)在上述規(guī)定位置周圍擴(kuò)散、漏出。
根據(jù)上述發(fā)明，能夠?qū)嵤⒁后w噴出在基板上、使液體在基板表面上流動(dòng)，在回收該液體的同時(shí)用激光照射進(jìn)行除去膜的作業(yè)。這樣一來，激光所分解的膜成分匯入液體當(dāng)中被回收，就可以防止利用激光分解后的膜再度附著在基板上，防止了基板污染。上述液體由于引導(dǎo)部件的作用被引導(dǎo)至上述規(guī)定位置，不會(huì)供給多余的液體，因而能夠更為有效地實(shí)施膜的除去處理。還有，由于液體不會(huì)擴(kuò)散到整個(gè)基板，所以洗凈基板等的后處理可以簡(jiǎn)化。
引導(dǎo)部件是近似的長(zhǎng)方體形，可以在基板規(guī)定位置上接近基板而配置，在該引導(dǎo)部件下面，可以形成有引導(dǎo)液體的槽。通過這個(gè)溝槽，液體會(huì)確實(shí)地被引導(dǎo)至規(guī)定的位置，從基板分解、剝離的膜也可以確切且確實(shí)地被排出掉。
引導(dǎo)部件可以是透過從激光光源所發(fā)出的激光的透明部件。這樣，使用引導(dǎo)部件激光可以不會(huì)被遮擋，確切地照射到基板的規(guī)定位置。還有，由于引導(dǎo)部件是透明部件，對(duì)于規(guī)定位置，激光不論從哪個(gè)角度照射都可以，因此激光光源的安裝位置就可以自由選擇。
在主噴嘴上可以安裝振動(dòng)器。通過它振動(dòng)傳至從主噴嘴噴出的液體，所以通過液體自身能夠提高膜的剝離、除去效果。需提一下，振動(dòng)器可以是產(chǎn)生超音波振動(dòng)的振動(dòng)器。進(jìn)一步，主噴嘴的噴口可以朝向基板的規(guī)定位置。這樣，附加了振動(dòng)的液體直接沖擊規(guī)定位置，膜的剝離、除去效果會(huì)進(jìn)一步提高。
另外，在引導(dǎo)部件上可以安裝振動(dòng)器，在上述基板保持部也可以安裝振動(dòng)器。在這種情況下，振動(dòng)傳至液體，由于液體而使得膜的剝離、除去效果會(huì)提高。
還有，液體在基板上的規(guī)定位置上流淌的狀態(tài)下，能夠向規(guī)定位置照射激光，進(jìn)行膜除去作業(yè)。而且，借助整流板可以使通過該位置的液體與基板隔離。借此能夠防止卷入了膜的污染液體再次接觸基板而使膜顆粒再次附著在基板上。
再有，液體在基板上的規(guī)定位置上流淌，在這種液體流的兩側(cè)形成有與該液體的流動(dòng)同方向的流體的流動(dòng)，在此狀態(tài)下向規(guī)定位置照射激光也可以進(jìn)行膜的除去作業(yè)。由此液體夾在流體中間，不會(huì)擴(kuò)散到基板上而是直線流淌。所以可以防止匯入了分解膜的液體在整個(gè)基板上擴(kuò)散，防止膜顆粒再度附著在基板上。需提一下，副噴嘴噴出的液體既可以是純水，也可以是氣體。
本發(fā)明的膜除去裝置以以下結(jié)構(gòu)為特征。它包含基板保持部，保持具有涂布膜的基板；激光光源，用激光局部照射該基板保持部上的基板規(guī)定位置，使上述涂布膜從基板上部分剝離；膜除去單元，具有對(duì)上述規(guī)定位置供給規(guī)定流體的主噴嘴，并且，還具備第一吸引口，將供給到上述規(guī)定位置上的上述規(guī)定流體連同剝離了的膜成分在基板上吸引并除去，將上述主噴嘴噴出的上述規(guī)定流體引導(dǎo)至上述規(guī)定位置，同時(shí)引導(dǎo)至上述第一吸引口使得上述規(guī)定流體以及剝離了的膜成分不會(huì)在上述規(guī)定位置周圍擴(kuò)散、漏出；流體供給機(jī)構(gòu)，向上述規(guī)定主噴嘴供給上述規(guī)定流體；和回收機(jī)構(gòu)，與上述第一吸引口連通。
根據(jù)上述發(fā)明，通過將膜除去單元接近基板規(guī)定位置上面配置，可以在規(guī)定位置上形成膜除去空間。而且，對(duì)該膜除去空間供給液體，使該液體能夠從膜除去空間排液，因此借助激光能夠?qū)⒃谀こタ臻g中剝離的膜連同液體一起較好地排出。這種情況下，由于向限定的空間里高效地供給液體，因此液體的消費(fèi)量就能降低。還有，膜除去單元的一部分由于選用了透明材料，所以能夠不遮擋激光而可以較好地照射。
在膜除去單元中，還可以進(jìn)一步設(shè)置有供給管，它在膜除去空間以外、向膜除去單元和基板的間隙里供給液體。這樣，處于膜除去空間之外的膜除去單元和基板間的間隙充滿了液體，抑制了液體由膜除去空間向該間隙的流動(dòng)。因此，膜除去空間的液體由排液管適當(dāng)排出，可以防止含有分解膜的液體擴(kuò)散到基板上。
另外，膜除去單元的吸引口即便配置在規(guī)定位置上面，也不會(huì)遮擋來自上方的激光。因此吸引口可以接近規(guī)定位置進(jìn)行吸引，由激光分解的膜的成分就能夠確實(shí)高效地排出。還有，通過本案發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)可知激光分解的膜顆粒是浮游在上方的。因此從這一點(diǎn)來看，吸引口配置在規(guī)定位置上面是很有效的。
還有，膜除去單元也可以包括向基板的規(guī)定位置附近供給流體的流體供給部。如果從吸引口連續(xù)吸引，一般在其周圍會(huì)形成負(fù)壓，最終導(dǎo)致吸引變難。通過流體供給部也可以向規(guī)定位置附近供給氣體等流體，因此可以恢復(fù)呈負(fù)壓的周邊部分的壓力，維持來自吸引口的吸引力。這樣，從吸引口較好地對(duì)分解膜進(jìn)行排出，該膜顆粒再度附著在基板就可以得到防止。需提一下，流體供給部也可以以規(guī)定位置為中心在同一圓周上設(shè)置多個(gè)。
再有，優(yōu)選是包含第一噴嘴和第二噴嘴，且第一噴嘴噴出的液體可比第二噴嘴噴出的液體速度快。通過接近規(guī)定位置配置的第一噴嘴來形成通過規(guī)定位置的液體流(第一流)。還有，通過第二噴嘴來形成比第一流速度慢的液體流(第二流)。以此狀態(tài)，能夠向規(guī)定位置照射激光，進(jìn)行膜除去作業(yè)。在這種情況下，第一流和第二流之間產(chǎn)生壓力差，從第二流側(cè)朝向第一流側(cè)的力就產(chǎn)生了。由此，就抑制了第一流的液體，即含有所剝離的膜的成分的液體在基板上漫延。因此，膜成分再度被附著在基板上就被抑制了。
掩模部件上設(shè)有為使液體流一部分接觸到上述規(guī)定位置上的貫通孔。從噴嘴噴出的液體流在掩模部件上，在途中貫通孔的地方與基板的規(guī)定位置接觸。這樣，從規(guī)定位置剝離的膜成分能夠匯入該掩模部件上的液體流從基板上排出。其結(jié)果就抑制了含有被剝離的膜成分的液體接觸規(guī)定位置以外的部分。因此就抑制了該膜成分再度附著在基板上。另外，由于液體與基板表面接觸被抑制了，所以就能簡(jiǎn)化基板清洗等的后處理。
另外，掩模部件形成平板狀，掩模部件的下面做成水平的，上面可以傾斜使貫通孔高度變到最低的狀態(tài)。還有，掩模部件可以做成俯視為圓形形狀的，貫通孔設(shè)置在上述圓形形狀的中心。
膜除去裝置包含導(dǎo)向部件，可以配置在與掩模部件的貫通孔相對(duì)的位置，在上方側(cè)抑制上述掩模部件上的液體流。導(dǎo)向部件能上下自由移動(dòng)，可以是透明部件，使來自激光光源的激光透過到規(guī)定位置。在這種情況下，可以將導(dǎo)向部件上下移動(dòng)，調(diào)節(jié)液體流路的寬度，調(diào)節(jié)液體的流速。由此，將規(guī)定位置上剝離的膜成分匯入具有一定流速的液體中，從基板上較好地除去。
本發(fā)明的膜除去方法是以以下過程為特征的(a)將涂布膜為上側(cè)，使基板實(shí)質(zhì)保持水平，從主噴嘴向基板上噴出規(guī)定流體，通過引導(dǎo)部件將上述規(guī)定流體供給到基板的規(guī)定位置，同時(shí)通過吸引口吸引存在于上述規(guī)定位置的上述規(guī)定流體或者通過上述規(guī)定位置的上述規(guī)定流體，然后從基板上回收，(b)在上述規(guī)定流體流過的狀態(tài)下，對(duì)上述規(guī)定位置局部照射激光，使上述涂布膜從基板上部分剝離，剝離的膜成分連同上述規(guī)定流體利用吸引口在基板上吸引除去。
根據(jù)上述發(fā)明，借助激光從基板上剝離下來的膜匯入液體當(dāng)中，與該液體一起被回收。因此能夠防止剝離下來的膜浮游在周圍而再度附著在基板上。
本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)由以下兩部分組成處理部，包含基板搬入搬出部、膜形成裝置以及膜除去裝置；搬送機(jī)構(gòu)，在上述膜形成裝置和上述膜除去裝置之間搬送基板。
上述膜除去裝置的特征為，具有基板保持部，保持具有涂布膜的基板；激光光源，用激光局部照射該基板保持部上的基板規(guī)定位置，使上述涂布膜從基板上部分剝離；具有對(duì)上述規(guī)定位置供給規(guī)定流體的主噴嘴的流體供給機(jī)構(gòu)；回收機(jī)構(gòu)，包含吸引口，將向上述規(guī)定位置供給的上述規(guī)定流體連同剝離的膜成分一起在基板上吸收并除去；引導(dǎo)部件是為了將上述主噴嘴噴出的上述規(guī)定流體引導(dǎo)至上述規(guī)定位置，同時(shí)將上述規(guī)定流體以及剝離了的膜成分引導(dǎo)至上述回收機(jī)構(gòu)的吸引口使得其不會(huì)在上述規(guī)定位置周圍擴(kuò)散、漏出。
本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)由以下兩部分組成。處理部，包含基板搬入搬出部、膜形成裝置以及膜除去部；搬送機(jī)構(gòu)，在上述膜形成裝置和上述膜除去部之間搬送基板。
上述膜除去裝置的特征為，包含基板保持部，保持具有涂布膜的基板；激光光源，用激光局部照射該基板保持部上的基板規(guī)定位置，使上述涂布膜從基板上部分剝離；膜除去單元，具有對(duì)規(guī)定位置供給規(guī)定流體的噴嘴，并且，還具備第一吸引口，在基板上將供給上述規(guī)定位置的上述規(guī)定流體連同剝離了的膜成分吸引并除去，將上述主噴嘴噴出的上述規(guī)定流體引導(dǎo)至上述規(guī)定位置，同時(shí)引導(dǎo)至上述第一吸引口使得上述規(guī)定流體以及剝離的膜成分不會(huì)在上述規(guī)定位置周圍擴(kuò)散、漏出；流體供給機(jī)構(gòu)，向上述主噴嘴供給上述規(guī)定流體；和回收機(jī)構(gòu)，與上述第一吸引口連通。
根據(jù)上述發(fā)明，被激光照射從基板剝離的膜立刻被排氣，因此能夠防止剝離下來的膜浮游在周圍并再度附著在基板上，能夠在不污染基板的情況下，進(jìn)行基板的膜的除去作業(yè)。還有，由于不使用液體，所以沒必要進(jìn)行干燥處理等后處理。
通過搬送機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⒃谀ば纬裳b置上形成了膜的基板迅速且確實(shí)地搬送到膜除去裝置。因此可以防止以往作業(yè)員在搬送過程中基板破損的現(xiàn)象。另外，搬送時(shí)間也被縮短，能夠減少搬送中基板的污染。搬送時(shí)間縮短了，處理基板全體的處理時(shí)間也縮短了，因此可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量的提高。
膜除去部與上述第一膜形成裝置以及上述第二膜形成裝置之間的基板搬送，通過搬送機(jī)構(gòu)可迅速且確實(shí)地進(jìn)行。由于包含兩種膜形成裝置，所以可以在一個(gè)系統(tǒng)內(nèi)形成不同種類的膜。由此如果是在基板上形成不同種類的膜的情況，就不用將基板搬送到其他的系統(tǒng)中，因此可以減少由于搬送所帶來的基板污染。另外還可以縮短處理時(shí)間。
處理部設(shè)有對(duì)基板進(jìn)行熱處理的熱處理裝置，搬送機(jī)構(gòu)可以對(duì)于熱處理裝置自由地在基板上搬送。在這種情況下，可以在相同系統(tǒng)內(nèi)進(jìn)行膜形成后的加熱、冷卻處理等。需提一下，熱處理裝置中含有加熱處理裝置、冷卻處理裝置等。
另外，基板處理系統(tǒng)可以包含接口部，它具備在上述處理部與系統(tǒng)外的曝光裝置間搬送基板的搬送裝置。借此可以迅速搬送系統(tǒng)內(nèi)的基板至曝光裝置。因此，對(duì)含曝光處理的基板處理可以連續(xù)進(jìn)行，還可以縮短基板的處理時(shí)間。
還有，膜除去部?jī)?yōu)選是包含吹出口，對(duì)著由上述基板保持部保持的基板外緣部的背面吹出氣體?；迳弦后w流淌時(shí)，由于能夠向基板外緣部的背面吹出氣體，所以就可以防止從外緣部落下的液體流轉(zhuǎn)到基板背面。這樣由于微粒的原因而造成的基板背面的污染就得到了防止。還有，由于可以不進(jìn)行基板背面的清洗，也就可以簡(jiǎn)化相應(yīng)部分的基板處理工序。
膜除去裝置還可以包含向基板上噴出氣體的氣體噴出部。在這種情況下，就可以向基板上噴出氣體，吹走殘存在基板之上的液體，因而就省略或簡(jiǎn)化基板的干燥處理。
在這種情況下，即使膜除去單元的吸引口配置在規(guī)定位置，也不會(huì)遮斷來自上方的激光。由于吸引口可以接近上述規(guī)定位置吸引，激光所分解的膜微粒也就可以確實(shí)地、高效地排出。還有，通過發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)可知激光所分解的膜的微粒浮游在上方，所以吸引口能夠在規(guī)定位置上配置，從這一點(diǎn)來看是有效的。
另外，基板處理系統(tǒng)可以具備向基板規(guī)定位置附近供給流體的流體供給部。來自上述吸引口的吸引連續(xù)進(jìn)行的話，一般就會(huì)使得其周邊形成負(fù)壓，最終變得很難吸引。根據(jù)本發(fā)明，流體供給部可以向上述規(guī)定位置附近供給氣體等流體，使形成負(fù)壓的周圍壓力回復(fù)，以維持來自吸引口的吸引力。還有，從流體供給部向吸引口形成流暢的流，能夠讓在規(guī)定位置剝離的膜成分有效地流入膜除去單元。因此，分解膜的除去較好地進(jìn)行，就防止了基板上該膜微粒再度附著。需提一下，“流體”中含有氮?dú)狻⒀鯕獾葰怏w或純水等液體。
基板處理系統(tǒng)可以具備使基板保持部在水平面內(nèi)移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。借助它可以將被搬送到膜除去部?jī)?nèi)的基板移動(dòng)到激光照射的規(guī)定位置上。
還有，處理系統(tǒng)可以具備位置檢測(cè)部件，檢測(cè)保持在基板保持部的基板位置，在這種情況下，因?yàn)榭梢詸z測(cè)基板位置，所以可以基于檢測(cè)位置，修正基板位置。這樣移動(dòng)基板到更為正確的位置，就能夠更為正確地照射激光。
基板處理系統(tǒng)也可以具有圍繞保持在基板保持部的基板的罩。還有，基板處理系統(tǒng)可以具備在膜除去部?jī)?nèi)形成清潔空氣的下降流的空調(diào)裝置。通過在膜除去處理中在膜除去部?jī)?nèi)形成清潔空氣的下降流，就能夠排出從基板和驅(qū)動(dòng)部產(chǎn)生的微粒，將膜除去部?jī)?nèi)維持為清潔的環(huán)境，因此，也就能夠防止塵埃等浮游物附著在基板上，較好地進(jìn)行基板處理。


圖1是基板處理系統(tǒng)的內(nèi)部透視平面圖。
圖2是基板處理系統(tǒng)的正面圖。
圖3是基板處理系統(tǒng)的背面圖。
圖4是反射防止膜形成裝置(或者是保護(hù)膜涂布裝置)的內(nèi)部透視截面圖。
圖5是顯示本發(fā)明的膜除去裝置概要的截面框圖。
圖6是示意地顯示本發(fā)明的膜除去裝置的截面框圖。
圖7是顯示罩內(nèi)配置的下部吹出口的平面圖。
圖8是引導(dǎo)部件的立體圖。
圖9是顯示從定位記號(hào)上除去保護(hù)膜時(shí)的膜除去裝置的模式圖。
圖10是帶有吸引口的回收管口的立體圖。
圖11是具有由涂布膜覆蓋的定位記號(hào)的晶片的立體圖。
圖12是擴(kuò)大顯示的定位記號(hào)部分的截面模式圖。
圖13是顯示從定位記號(hào)上除去保護(hù)膜狀況的截面模式圖。
圖14是顯示其他實(shí)施形式的回收管口的擴(kuò)大模式圖。
圖15是顯示直接瞄準(zhǔn)膜除去位置噴出流體的主噴嘴以及引導(dǎo)部件的模式圖。
圖16是顯示帶有振動(dòng)器的引導(dǎo)部件的模式圖。
圖17是顯示帶有振動(dòng)器的基板保持部(卡盤)的模式圖。
圖18是顯示具有整流板(掩模部件)的膜除去裝置的模式圖。
圖19是顯示主噴嘴、副噴嘴以及引導(dǎo)部件的平面圖。
圖20是顯示相對(duì)配置的一對(duì)主噴嘴以及引導(dǎo)部件的平面圖。
圖21是顯示膜除去單元(塊型)的截面模式圖。
圖22示意地顯示膜除去單元(塊型)內(nèi)部流路的立體圖。
圖23是帶有副噴嘴的膜除去單元(塊型)的截面模式圖。
圖24是帶有多個(gè)主噴嘴的膜除去單元(腔室型；氣體用)的截面框圖。
圖25是從下方看到的圖24的膜除去單元的平面圖。
圖26是帶有多個(gè)主噴嘴的膜除去單元(腔室型；液體用)的截面框圖。
圖27是顯示帶有除了主噴嘴外還有輔助噴嘴的膜除去單元的截面模式圖。
圖28是圖27的膜除去單元的平面圖。
圖29是顯示從主噴嘴以及副噴嘴分別噴出的液體(純水)流的擴(kuò)大模式圖。
圖30是具備掩模部件的膜除去裝置的主要部分截面圖。
圖31是膜除去單元(腔室型；氣體用)的縱截面圖。
圖32是圖31的膜除去單元沿A-A線切斷的截面圖。
圖33是其他膜除去單元(腔室型；氣體用)的縱截面圖。
圖34是圖33的膜除去單元的平面圖。
圖35是其他膜除去單元(腔室型；氣體用)的截面框圖。
圖36是圖35的膜除去單元沿B-B線切斷的截面圖。
圖37是其他膜除去單元的平面圖。
圖38是圖37的膜除去單元(腔室型；氣體用)沿C-C線切斷的截面圖。
圖39是圖37的膜除去單元(腔室型；氣體用)沿D-D線切斷的截面圖。
圖40是其他膜除去單元的平面圖。
圖41是圖40的膜除去單元(腔室型；氣體用)沿C-C線切斷的截面圖。
圖42是顯示具備本發(fā)明的膜除去裝置以及氣刀組件的基板處理系統(tǒng)的內(nèi)部透視截面圖。
圖43是顯示具備膜除去單元(腔室型；液體用)的膜除去裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的縱截面說明圖。
圖44是顯示具備本發(fā)明的膜除去裝置以及接口部的基板處理系統(tǒng)的內(nèi)部透視截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖對(duì)有關(guān)本發(fā)明的種種優(yōu)選實(shí)施形式進(jìn)行說明。
基板處理系統(tǒng)1如圖1所示，例如將25張晶片W為晶匣單位從外部引進(jìn)到基板處理系統(tǒng)1中，具有將以下各部分一體連接的結(jié)構(gòu)晶匣出入?yún)^(qū)2，作為對(duì)晶匣C取出放入晶片W的搬入搬出部；處理區(qū)3，作為處理部，對(duì)晶片W逐片實(shí)施熱處理和膜形成處理等的規(guī)定處理；膜除去裝置4，與該處理區(qū)3鄰接設(shè)置，作為膜除去部，除去在處理區(qū)3中在晶片W上形成的膜的一部分。
晶匣出入?yún)^(qū)2中，在成為載置部的晶匣載置臺(tái)10的規(guī)定位置上，多個(gè)晶匣C沿X軸一列地載置。搬送路徑12在X軸方向伸延，輔助臂搬送機(jī)構(gòu)11設(shè)置成能夠沿搬送路徑12移動(dòng)的狀態(tài)。
輔助臂搬送機(jī)構(gòu)11包含固定器，為的是保持晶片；進(jìn)退驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，使晶片固定器在X-Y平面內(nèi)前進(jìn)或者后退；升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，將晶片固定器在Z軸方向移動(dòng)；θ驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，將晶片固定器圍繞Z軸旋轉(zhuǎn)。進(jìn)一步，輔助臂搬送機(jī)構(gòu)11具備對(duì)晶片W進(jìn)行定位的調(diào)整機(jī)能。該輔助臂搬送機(jī)構(gòu)11像后述的那樣，即便對(duì)屬于處理區(qū)3側(cè)的第二處理裝置組G2的擴(kuò)展裝置43也可以進(jìn)行訪問。
處理區(qū)3中，實(shí)施規(guī)定處理的各種處理裝置被配置成多段，構(gòu)成多個(gè)處理裝置組。在這個(gè)處理系統(tǒng)1中，兩個(gè)處理裝置組G1、G2被配置，例如，第一處理裝置組G1配置在處理系統(tǒng)1的正面?zhèn)?，第二處理裝置組G2配置在處理區(qū)3的晶匣出入?yún)^(qū)2側(cè)。還有，處理區(qū)3中設(shè)置了能夠多段收容數(shù)個(gè)晶片W的緩存晶匣B。緩存晶匣B例如設(shè)置在處理區(qū)3的背面?zhèn)?。緩存晶匣B是通過支持晶片W的外緣部分來在各段載置、收容晶片W。
如圖2所示，在第一處理裝置組G1中，以下部分自下向上順序配置成兩段在晶片W上形成作為膜的反射防止膜的膜形成裝置以及作為第一膜形成裝置的反射防止膜形成裝置20、和作為在晶片W上形成作為膜的保護(hù)膜的第二膜形成裝置的保護(hù)層涂布裝置21。反射防止膜是防止曝光時(shí)光在基板上反射、通過駐波效果減輕保護(hù)圖案變形的膜。需提一下，第一處理裝置組G1的數(shù)量可以任意選擇，也可以設(shè)置多個(gè)。
如圖4所示，反射防止膜形成裝置20為了使用旋轉(zhuǎn)涂布法在晶片W的整個(gè)上面涂布形成反射防止膜，在殼體(casing)20a內(nèi)具備旋轉(zhuǎn)卡盤30、噴嘴31、罩32。旋轉(zhuǎn)卡盤30具有吸附保持晶片W、并使其圍繞Z軸旋轉(zhuǎn)的機(jī)能。噴嘴31與圖中未標(biāo)示的處理液供給源連通、是對(duì)旋轉(zhuǎn)卡盤30上的晶片W供給處理液(反射防止膜用的溶液)的部分。罩32具有下列機(jī)能接收從晶片W飛散的處理液、將處理液經(jīng)過排水管排出到回收槽(圖中未標(biāo)示)。
殼體20a的側(cè)面設(shè)有為使晶片W搬入搬出的搬送口33。還有，在該搬送口33上安裝定時(shí)開關(guān)搬送口33的閘板34。
需提一下，保護(hù)層涂布裝置21實(shí)質(zhì)上與上述反射防止膜形成裝置20結(jié)構(gòu)相同，所以在此省略其說明。
如圖3所示，在第二處理裝置組G2中，以下部分自下向上重疊配置成七段冷卻處理晶片W的清潔處理裝置40、41、42、作為對(duì)晶片W進(jìn)行傳遞處理的傳遞部的擴(kuò)展裝置43、加熱處理晶片W的加熱處理裝置44、45、46。需提一下，本實(shí)施方式的熱處理裝置是清潔處理裝置40～42以及加熱處理裝置44～46。晶片W在這些熱處理裝置的板(plate)上被加熱或是冷卻到規(guī)定溫度。需提一下，熱處理裝置也可以是包含加熱處理板和冷卻處理板兩方的加熱冷卻裝置。
在處理區(qū)3中，設(shè)置有第一處理裝置組G1的各處理裝置、第二處理裝置組G2的各處理裝置、主臂搬送機(jī)構(gòu)50，它作為搬送機(jī)構(gòu)在緩存晶匣B和后述的膜除去裝置4之間搬送晶片W。主臂搬送機(jī)構(gòu)50已在美國(guó)專利5664254號(hào)中公開，在此省略詳細(xì)說明。
如圖5所示，膜除去裝置4包括殼體4a內(nèi)的卡盤60、罩61、X-Y工作臺(tái)(X-Y stage)62、激光裝置63、主噴嘴64、引導(dǎo)部件65、以及回收管口66等?？ūP60在圖中未標(biāo)示的吸引口向上面開口，具有水平地真空吸附保持晶片W的基板保持部的功能。
如圖6所示，卡盤60通過驅(qū)動(dòng)部70能夠回轉(zhuǎn)、升降。即，驅(qū)動(dòng)部70內(nèi)藏有使卡盤60高速回轉(zhuǎn)的馬達(dá)、以及使卡盤60升降的氣缸?？ūP60上安裝著超聲波振動(dòng)器71，使得卡盤60本身產(chǎn)生振動(dòng)，超聲波振動(dòng)就傳播到從主噴嘴64噴到晶片W上的液體中。由此就防止了匯入晶片W上流動(dòng)的液體中的膜成分再次附著在晶片W上。
罩61設(shè)置成上面開口、近似圓筒狀地圍繞著卡盤60。罩61下部設(shè)有排出罩61內(nèi)液體或氣體的排出口72。從晶片W上或撒落或飛散的液體由罩61阻擋并由排出口72排出。
在罩61內(nèi)，晶片W的下方設(shè)置多個(gè)向晶片W的外緣部背面吹出氣體的吹出口73c，吹出口73c如圖7所示在同一圓周上等間隔設(shè)置。對(duì)于吹出口73c而言，例如從圖中未標(biāo)示的氣體供給裝置中定時(shí)地、以規(guī)定壓力供給氣體。這樣通過向晶片W的外緣部背面噴出氣體，就能夠抑制流在晶片W上面的液體向背面一側(cè)流轉(zhuǎn)。需提一下，對(duì)于噴出的氣體而言，可以使用非活性氣體、氮?dú)?、空氣等。還有，罩61全體如圖5所示，由下面封口的近似圓筒狀的支持容器74支持?？ūP60容納在該支持容器74中。
X-Y工作臺(tái)62具有移動(dòng)裝置的作用，在水平方向移動(dòng)旋轉(zhuǎn)卡盤60以及罩61。例如X-Y工作臺(tái)62具有兩張上下配置的板。在上側(cè)的第一板75上，如圖1和圖5所示，形成沿Y軸方向的軌道76。支持容器74設(shè)置在軌道76上，通過馬達(dá)等驅(qū)動(dòng)部77能夠使其在軌道76上沿Y軸方向移動(dòng)。
另一方面，在下側(cè)的第二板78上，如圖1和圖5所示形成沿X軸方向延伸的軌道79。第一板75載置在該軌道79上，通過馬達(dá)等驅(qū)動(dòng)部80能夠使其在軌道79上沿X軸方向移動(dòng)。通過這樣的結(jié)構(gòu)，第一板75上的支持容器74能夠在X軸方向、Y軸方向移動(dòng)。因此，支持容器74與罩61和卡盤60一起可以向X-Y平面的任意位置移動(dòng)。
另外，X-Y工作臺(tái)62的驅(qū)動(dòng)部77以及驅(qū)動(dòng)部80的驅(qū)動(dòng)由控制部81控制。即，罩61或卡盤60的移動(dòng)目標(biāo)點(diǎn)可以由控制部81來設(shè)定、控制。因此，將卡盤60所保持的晶片W移動(dòng)到激光裝置63下方的激光照射位置，就能夠在晶片W上的所期望的膜除去位置照射激光。
激光裝置63內(nèi)藏激光振蕩器、電源、電源控制器等，具有向覆蓋晶片W的規(guī)定位置14(定位記號(hào)15)的涂布膜照射激光，并使該涂布膜分解發(fā)散的機(jī)能。對(duì)于激光振蕩器63而言，例如使用YAG激光器、受激準(zhǔn)分子激光器等的加工用激光器。激光振蕩器63例如固定設(shè)置在膜除去裝置4的殼體(未在圖中表示)上，由此可以嚴(yán)格維持被設(shè)定的光學(xué)系統(tǒng)。激光振蕩器63是能夠垂直向下地發(fā)射激光。需提一下，也可以安裝激光振蕩器使得激光向規(guī)定偏角方向發(fā)光。
本實(shí)施方式的激光裝置63固定在殼體4a的上面，激光裝置63包含例如作為激光光源的激光振蕩器82、作為檢測(cè)晶片W位置的位置檢測(cè)部的CCD照相機(jī)183。激光振蕩器82安裝成能夠垂直向下地發(fā)射激光的狀態(tài)。因此，激光振蕩器82的水平面內(nèi)X-Y坐標(biāo)與激光照射位置的X-Y坐標(biāo)一致。需提一下，對(duì)于激光振蕩器82而言，例如使用YAG激光器、受激準(zhǔn)分子激光器等的加工用激光器。還有，激光也可以向規(guī)定方向發(fā)光。需提一下，本實(shí)施方式的激光裝置63在焦點(diǎn)位置上的激光光束直徑是調(diào)節(jié)為250μm×100μm。
CCD照相機(jī)83可以由例如與激光振蕩器82設(shè)置在同光軸上的半反射鏡84來對(duì)激光照射位置的影像進(jìn)行反射、攝像。即，CCD照相機(jī)83能夠?qū)募す庹袷幤?2看到的激光照射位置的影像進(jìn)行攝像。使用CCD照相機(jī)83所攝的晶片W的攝像數(shù)據(jù)例如可以輸出到控制部81中。控制部81根據(jù)該攝像數(shù)據(jù)識(shí)別晶片W的現(xiàn)在位置，將該現(xiàn)在位置與事先規(guī)定的最適位置進(jìn)行比較，如果該現(xiàn)在位置與事先規(guī)定的最適位置錯(cuò)開了，就向X-Y工作臺(tái)62的驅(qū)動(dòng)部77以及80發(fā)出命令，能夠?qū)⒕琖的位置修正到適當(dāng)?shù)奈恢蒙?。即，能夠進(jìn)行嚴(yán)密的位置修正使晶片W上的膜除去位置成為激光照射位置。
主噴嘴64、引導(dǎo)部件65和回收管口66安裝在例如X軸方向能夠移動(dòng)的保持臂85上。保持臂85如圖1所示，設(shè)置成能夠向Y軸方向伸延，在X軸方向沿軌道86行走。即，保持臂85通過具有馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)部87來支持。另外，驅(qū)動(dòng)部87中，設(shè)有使保持臂85升降的氣缸等，保持臂85可以上下移動(dòng)調(diào)整引導(dǎo)部件65等的高度。即，保持臂85可以將引導(dǎo)部件65接近晶片W表面后，再對(duì)該引導(dǎo)部件65與晶片W的距離進(jìn)行嚴(yán)密地調(diào)節(jié)。因此，就可以調(diào)節(jié)流淌在引導(dǎo)部件65的誘導(dǎo)槽65a內(nèi)的流體17(純水)的厚度T1。
還有，保持臂85例如能夠?qū)⒅鲊娮?4或引導(dǎo)部件65從規(guī)定的待機(jī)部移動(dòng)到激光照射位置。保持臂85將引導(dǎo)部件65保持在相對(duì)于晶片W和主噴嘴64最合適的位置。例如如圖9所示，配置引導(dǎo)部件65使得從激光照射位置14到引導(dǎo)部件65的主噴嘴64側(cè)的端部的距離L1(純水的助走距離)為6mm以上。由此，可以充分確保從主噴嘴64噴出的純水的助走距離L1，并在純水流到達(dá)激光照射位置之前形成使該水流安定的層流狀態(tài)。
如圖6所示，主噴嘴64具有經(jīng)過配管113與流體供給機(jī)構(gòu)連通，并向晶片W上供給作為規(guī)定流體的純水的機(jī)能。流體供給機(jī)構(gòu)具有儲(chǔ)存規(guī)定純度純水的供給源116，還包括在供給源116和主噴嘴64之間的水泵115和調(diào)節(jié)閥116。水泵115和調(diào)節(jié)閥116各自的動(dòng)作分別被圖5所示的控制器81所控制。通過控制器81控制上述流體供給機(jī)構(gòu)的水泵115和調(diào)節(jié)閥116的動(dòng)作，在規(guī)定的定時(shí)、以規(guī)定壓力使純水供給到主噴嘴64，并使純水從噴嘴64噴出到晶片W上。
如圖8所示，引導(dǎo)部件65做成近似長(zhǎng)方體的形狀，誘導(dǎo)來自噴嘴64的純水的誘導(dǎo)槽65a在下部形成。誘導(dǎo)槽65a沿引導(dǎo)部件65的長(zhǎng)邊(Y軸方向)形成直線狀，其寬度W1(例如2～10mm左右)比膜除去位置14的定位記號(hào)15的寬度要大。
引導(dǎo)部件65安裝在從噴嘴64噴出的純水流入誘導(dǎo)槽65a的位置。通過將該引導(dǎo)部件65接近晶片W表面，將誘導(dǎo)槽65a放置到膜除去位置14上，就能夠把晶片W上的液體引導(dǎo)到膜除去位置14。對(duì)于引導(dǎo)部件65而言，例如使用石英玻璃等的透明部件，就會(huì)使激光振蕩器63所發(fā)出的激光無衰減、反射地透過。
引導(dǎo)部件65通過保持臂85被保持在與激光振蕩器82的激光照射位置相同的Y坐標(biāo)位置。即，通過將保持臂85在X軸方向上移動(dòng)，可以將引導(dǎo)部件65移動(dòng)直至激光照射位置(膜除去位置14的上方)。對(duì)于引導(dǎo)部件65而言，例如使用石英玻璃等的透明部件，就會(huì)使上方的激光振蕩器82所發(fā)射的激光無衰減、反射地透過。
回收管口66具有回收在晶片W上流淌的液體的機(jī)能。如圖6所示，通過回收管95將其與回收槽96相連通，而且，該回收槽96借助吸引管97與吸引機(jī)構(gòu)例如排出器98相連通。
如圖15所示，在主噴嘴64上安裝振動(dòng)器71，就能夠?qū)⒁?guī)定頻率的振動(dòng)傳達(dá)到自主噴嘴64噴出的純水當(dāng)中。由此，就可能提高被激光所照射的晶片W的涂布膜的剝離效果。
回收機(jī)構(gòu)90由以下部分構(gòu)成例如回收通過引導(dǎo)部件65的純水的回收管口66；與該回收管口66連接的回收管26；儲(chǔ)存在該回收管26中流淌的純水的回收槽27；和將吸引力施加到回收管口66的吸引機(jī)構(gòu)的、例如排出器28等。
如圖10所示，回收管口66做成近似長(zhǎng)方體的形狀，具有斜切的下端部，在該管口的下端部開口有與回收管95相連的切口狀的吸引口66a。如圖9所示，吸引口66a朝向引導(dǎo)部件65開口，使得通過引導(dǎo)部件65的流體(純水+保護(hù)層)回收容易。吸引口66a的寬度W2比引導(dǎo)部件的誘導(dǎo)槽65a的寬度W1要大。寬度W2優(yōu)選例如是寬度W1的1.1倍 2.0倍。通過這樣幅度的吸引口66a能夠吸引流體(純水+保護(hù)層)不會(huì)漏出。
回收管口66由臂85保持著，被置于引導(dǎo)部件65的下流側(cè)?；厥展芸?6在引導(dǎo)部件65接近晶片W配置時(shí)，其下端部的吸引口66a接近晶片W而定位。
如圖6所示，回收管95與回收槽96的上部相連通，回收槽96的下部設(shè)有排水管99?；厥盏募兯?7暫時(shí)儲(chǔ)存在回收槽96中，經(jīng)過排水管99隨時(shí)從回收槽96排出。
在回收槽96的上部，開口有連通排出器98的吸引管97，用排出器98使吸引管97形成負(fù)壓，從而吸引回收槽96內(nèi)的氣體，進(jìn)一步，對(duì)回收管口66施加吸引力。還有，通過利用經(jīng)該吸引管97的吸引，能夠從回收槽96內(nèi)排出伴隨在純水17的空氣(氣泡)。由此回收槽96內(nèi)回收物氣液分離成氣體成分和液體成分，并分別各自排出。需提一下，對(duì)從排水管99排出的純水進(jìn)行凈化處理以后，可以返回主噴嘴64再利用。還有，取代作為吸引機(jī)構(gòu)的排出器也可以使用真空泵。
下面，對(duì)如上所構(gòu)成的膜除去裝置4的作用進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，具有如圖11、圖12所示的多個(gè)定位記號(hào)15的、其上形成有保護(hù)層16的晶片W吸附保持在卡盤60之上。這時(shí)，可以將晶片W從規(guī)定的搬送位置(圖中未標(biāo)示)傳遞到先前上升并正在待機(jī)的卡盤60。需提一下，膜除去位置14是晶片W上的定位記號(hào)15的位置。
接下來，罩7從晶片W搬入的位置開始移動(dòng)，晶片W的膜除去位置14移動(dòng)到激光照射位置。這時(shí)，可以根據(jù)檢測(cè)晶片W位置的CCD照相機(jī)等的位置檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果，來控制罩7的移動(dòng)位置。
接著，通過保持臂85將主噴嘴64和引導(dǎo)部件65從待機(jī)部移動(dòng)到晶片W上的膜除去位置14上，接近配置在晶片W上面。這時(shí)調(diào)節(jié)引導(dǎo)部件65的高度，調(diào)節(jié)到使流淌在誘導(dǎo)槽65a內(nèi)的純水的液膜17的厚度b在2mm左右以下。
如圖9所示，來自主噴嘴64的例如純水以0.5-2L/min左右的量開始噴出，在誘導(dǎo)槽65a內(nèi)形成通過膜除去位置14上的純水流。這時(shí)振動(dòng)器71例如以0.4-1MHz左右的超聲波振動(dòng)，振動(dòng)傳播到噴出的純水。另外，排出器28動(dòng)作，通過引導(dǎo)部件65的純水從回收管口66回收、排液。需提一下，回收管口66不能回收的純水用罩7來回收，之后從排出部11排出。
在純水流在晶片W上的狀態(tài)下，從激光振蕩器63發(fā)射激光，透過引導(dǎo)部件65，照射到膜除去位置14。如圖13所示，借此該膜除去位置14的保護(hù)層16分解，從晶片W被剝離。由激光剝離的保護(hù)層16或因激光引起的熱反應(yīng)生成的異物匯入純水水流，通過回收管口66從晶片W上除去。
激光照射了規(guī)定時(shí)間，如果膜除去位置14的保護(hù)層16被除去的話，激光的照射停止，純水的噴出也停止。進(jìn)一步，規(guī)定時(shí)間經(jīng)過后，排出器98的動(dòng)作停止，回收管口66的吸引終了。其后其他的定位記號(hào)15上的保護(hù)層16也同樣被除去。
所有的膜除去位置14的保護(hù)層16被除去時(shí)，主噴嘴64和引導(dǎo)部件65就移動(dòng)到待機(jī)部。接著，例如卡盤60高速回轉(zhuǎn)，留在晶片W上的水滴被甩出，晶片W就被干燥了。該甩干干燥一旦終了，罩7移至規(guī)定搬出位置，一連串的保護(hù)層16的除去處理就終了了。
根據(jù)以上實(shí)施方式，純水在晶片W上流淌的同時(shí)，分解膜除去位置14的定位記號(hào)15上的保護(hù)層16，迅速回收匯入有該分解物的純水，所以就能夠抑制作為分解物的保護(hù)層16再度附著到晶片W上。因此，晶片W表面可以不被污染地適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行膜除去處理。
由于引導(dǎo)部件65配置在晶片W上，純水被誘導(dǎo)至膜除去位置14，因此對(duì)膜除去位置14能夠供給水量充足的純水，膜的除去能夠確實(shí)地施行。另外，純水可高效地集中在膜除去位置14，所以能夠減少純水的供給量。由于引導(dǎo)噴出到晶片W上的純水，所以能夠防止晶片W整面被純水淋濕。由于充分確保了從主噴嘴64噴出的純水的助走距離L1，純水水流經(jīng)過膜除去位置14時(shí)形成為層流，因此不會(huì)發(fā)生由亂流引起的純水內(nèi)的氣泡進(jìn)而激光由于該氣泡而擴(kuò)散，保護(hù)層16的分解也就可以切實(shí)地進(jìn)行。
振動(dòng)器71安裝在主噴嘴64上，將超聲波振動(dòng)傳至純水，所以能夠提高由保護(hù)層16或激光的照射引起的分解異物的純水自身的剝離、除去作用。需提一下，也可以不將超聲波振動(dòng)傳至純水，而只噴出純水。另外，所噴出的液體不只限于純水，還可以是匯入了二氧化碳、氧或者氮等氣體的純水、離子水、臭氧水、以及過氧化氫水等其他液體。需提一下，為了防止晶片W帶電，優(yōu)選將噴出的液體調(diào)節(jié)在pH4-6。
進(jìn)一步，由于液體供給時(shí)，從吹出口73c向晶片W的背面的周邊部分吹氮?dú)猓涂梢苑乐辜兯畯木琖上面向背面流轉(zhuǎn)，也可以有效防止晶片W背面的污染。由此就不需要洗凈晶片W背面的后續(xù)工程，縮短了晶片W的整體處理時(shí)間。
上述實(shí)施方式中記載的回收管口66的前端部雖然傾斜，但要如圖14所示可以使回收管口66A的前端部66f形成與晶片W平行的狀態(tài)。在這種情況下，進(jìn)入回收管口66A和晶片W縫隙的純水能夠更為確實(shí)地回收。
另外，如圖15所示，可以將主噴嘴64的噴出口朝向保護(hù)層1 6被除去的膜除去位置14設(shè)置。在這種情況下，主噴嘴64中附加了振動(dòng)的純水直接與定位記號(hào)15上的保護(hù)層16沖突，因此能夠進(jìn)一步提高純水所帶來的保護(hù)層16的剝離、除去作用。需提一下，對(duì)于本例的引導(dǎo)部件65，應(yīng)將傾斜部65b設(shè)置成不妨礙從主噴嘴64所噴出的純水水流。
如圖16所示，振動(dòng)器71可以安裝在引導(dǎo)部件65一側(cè)。還有，如圖17所示，可以安裝在卡盤60。在這些情況下，振動(dòng)傳至在晶片W上流淌的純水，因此能夠提高純水所帶來的保護(hù)層16的剝離、除去作用。
如圖18所示，取代回收管口66，也可以安裝整流板18。整流板18設(shè)置在膜除去位置14的下流側(cè)。整流板18例如制作成100-200μm左右的薄平板狀，從引導(dǎo)部件65下流側(cè)插入在晶片W和引導(dǎo)部件65之間。整流板18配置成在整流板18的上流側(cè)的前端部與膜除去位置14之間距離S1為例如10-100μm左右的位置。整流板18的下流側(cè)的端部做成能夠達(dá)到晶片W端部的狀態(tài)。整流板18的上流側(cè)的端部做成下側(cè)突出的錐形狀。
整流板18接近晶片W配置，不接觸晶片W形成例如與晶片W的距離C1為10-50μm左右的狀態(tài)。整流板18通過例如安裝在引導(dǎo)部件65的保持臂85支持，與引導(dǎo)部件65一體移動(dòng)。
本實(shí)施方式中，純水從主噴嘴64吐出，通過膜除去位置14以后，使用整流板18誘導(dǎo)至晶片上方。由此從晶片W剝離下來的保護(hù)層16不會(huì)再附著到晶片W上，晶片W的污染得到防止。進(jìn)一步在整流板18上設(shè)置回收管口66，可以通過回收管口66回收保護(hù)層混入水16、17。需提一下，整流板18的后端部沒有必要延伸到晶片W的周邊端部，只到回收管口66的位置即可。
如圖19所示，可以在上述的主噴嘴64以外，進(jìn)一步在主噴嘴64兩側(cè)并設(shè)兩個(gè)副噴嘴150、151。從各副噴嘴150、151與主噴嘴64同樣在Y軸方向吐出純水。副噴嘴150、151與主噴嘴64一起被保持臂85支持。副噴嘴150、151的相互間的距離可以大約調(diào)整成例如引導(dǎo)部件65的橫寬。
由主噴嘴64供給純水時(shí)，由副噴嘴150和151也同時(shí)供給純水。由此從副噴嘴150和151供給的純水形成水流從兩側(cè)夾住來自主噴嘴64的供給水，從而抑制了保護(hù)層混入水16、17在晶片W上擴(kuò)散。另外，還可以上卷保護(hù)層16、使被污染的純水呈直線高效地排出到晶片W之外。需提一下，從副噴嘴150和151供給的流體，不只限于純水，離子水等的其他液體也可以，另外，也不只限于液體，也可以是非活性氣、氮?dú)?、氧氣等氣體。
如圖20所示，取代上述的主噴嘴64，可以在引導(dǎo)部件160上安裝一對(duì)副噴嘴161、162。副噴嘴161、162安裝在引導(dǎo)部件160的側(cè)部，相對(duì)于膜除去位置14等距離相對(duì)配置。流體向垂直于引導(dǎo)部件160的長(zhǎng)邊方向的X軸方向噴射，引導(dǎo)部件160中形成向X軸方向延伸的導(dǎo)入槽164和向Y軸方向延伸的導(dǎo)入槽163，兩槽163、164在膜除去位置14處交叉。
來自兩個(gè)噴嘴161、162的流體17(純水)同時(shí)被噴出，流體17在膜除去位置14沖突，連同剝離的保護(hù)層16沿誘導(dǎo)槽163左右排出。進(jìn)一步，在誘導(dǎo)槽163的兩個(gè)出口上分別設(shè)置了回收機(jī)構(gòu)(圖中未標(biāo)示)，可以回收保護(hù)層混入水16、17。
如圖21、圖22所示，膜除去單元170可以設(shè)置于激光振蕩器63和膜除去位置14之間。膜除去單元170做成近似長(zhǎng)方體形狀，其下面的中央部分具有凹部171，凹部171與晶片W的上面相對(duì)，兩者之間形成膜除去空間178。膜除去單元170包括供給管172，向膜除去空間178供給液體(純水)；排液管173，將空間178內(nèi)的液體排出。供給管172和排液管173具有與凹部171相同的寬度，朝向凹部171的開口部被做成切口。
供給管172與如圖6所示的連通供給源114的液體供給管113相連通。控制器81向供給源114的電源送信號(hào)，使供給源114在規(guī)定時(shí)刻，經(jīng)由供給管172向空間178內(nèi)供給規(guī)定流量的純水。
另一方面，排液管173與如圖6所示的具有排出器98的回收機(jī)構(gòu)90相連通。控制器81向排出器98的電源送信號(hào)，使回收機(jī)構(gòu)90以規(guī)定壓力和時(shí)刻，經(jīng)由排液管173吸引空間178內(nèi)，從而能夠?qū)⒁后w從空間178排出。
如圖21所示，在膜除去單元170的上部中央，嵌入有例如由玻璃組成的透明部件177。激光19透過透明部件177到達(dá)膜除去空間178，入射到位置14的保護(hù)層16。
膜除去單元170被與例如上述的保持臂85具有相同機(jī)能的保持臂75所保持。由此，保持臂75配置成可以將膜除去單元170的凹部171與晶片W的膜除去位置14相對(duì)設(shè)置，進(jìn)一步使膜除去單元170接近晶片W的表面。即，在晶片W的膜除去位置14上，能夠形成由凹部171和晶片W的表面所形成的大致密封的空間的膜除去空間178。需提一下，可以將晶片W和膜除去單元170的下面的縫隙C3做成100-300μm左右使得膜除去空間178中的純水不會(huì)漏出。
而且，在除去膜除去位置14的保護(hù)層16時(shí)，向在膜除去位置14上所形成的膜除去空間178內(nèi)供給來自供給管172的純水。與此同時(shí)膜除去空間178的純水通過被排液管173吸引而被排液。由此就如圖22所示，按供給管172→涂布膜除去空間178→排液管173的順序流淌的純水流就形成了。還有，這時(shí)為了從膜除去空間178來的純水不至溢出，要控制向膜除去空間178供給純水的供給量使得其與被排液的純水的排液量等同。其后，與上述實(shí)施方式同樣，激光振蕩器63向膜除去位置14照射激光，使保護(hù)層16剝離。而且被剝離的保護(hù)層16匯入純水，與純水一起從排液管173排出。
根據(jù)本例，由于向膜除去空間178局部供給純水等液體，所使用的液體的消費(fèi)量可以減低。還有，匯入保護(hù)層16而污染的純水由于不會(huì)在晶片W表面上擴(kuò)散，所以可以抑制晶片W上的污染。
如圖23所示，可以設(shè)置向膜除去單元170和晶片W之間的縫隙C3供給純水17的副供水管180。副供水管180例如可以在凹部171的周圍設(shè)置兩個(gè)、三個(gè)或是四個(gè)。
從供給管172向膜除去空間178供給純水17的時(shí)候，同時(shí)各副供水管180也向縫隙C3供給純水17。其周圍的供給純水17對(duì)流動(dòng)在膜除去空間178內(nèi)的純水17起到堤防的作用，就防止了純水17從膜除去空間178通過縫隙C3向外漏出。因此通過膜除去空間178，就能夠防止污染了的純水接觸到晶片W上的其他部分。
雖然在上述實(shí)施方式中，激光照射剝離的保護(hù)層16是連同流動(dòng)液體(純水)從位置14除去的，不過也可以通過真空吸引將激光照射剝離的保護(hù)層16從位置14除去。
如圖24所示，可以將多個(gè)流體供給部200設(shè)在膜除去單元191的側(cè)面的下部。流體供給部200與圖中未標(biāo)示的多個(gè)流體供給源連通使得在膜除去位置14的近旁可選地供給氣體(例如空氣或氧氣)和液體(例如純水)。這些流體供給部200如圖25所示，具有在以吸引口193為中心的同心圓上開口的吹出口200a。雖然圖中吹出口200a標(biāo)示了8個(gè)，但可以設(shè)置3-16個(gè)。
另外，如圖24所示，各吹出口200a朝向膜除去單元191的中心開口，流體在膜除去單元191和晶片W間的縫隙間吹出。各流體供給部200經(jīng)由供給管201分別與氣體供給源(圖中未標(biāo)示)和液體供給源(圖中未標(biāo)示)連通。
供給管201上安裝著三面閥門202。該三面閥門202的一個(gè)上流口與氧氣供給源(圖中未標(biāo)示)連通，另一的上流口與純水的供給源(圖中未標(biāo)示)連通?？刂破?1通過控制三面閥門202的電源開關(guān)，將向膜除去單元191供給的流體在氧氣和純水之間適當(dāng)切換。
另一方面，作為負(fù)壓發(fā)生裝置的排出器203與排出管194連通，控制器81通過控制排出器203的電源開關(guān)，調(diào)節(jié)施加于排出管194的負(fù)壓，調(diào)整吸引口193的吸引力。
在除去保護(hù)層16的膜的時(shí)候，從各流體供給部200向膜除去位置14的近旁供給氧氣或者純水。供給氧氣的情況下，如圖24所示，氧氣連同剝離的保護(hù)層16被吸引口193吸引，再通過排出室192從排出管194排出。結(jié)果，膜除去位置14近旁的排氣能夠順利進(jìn)行，且能夠抑制例如回收機(jī)構(gòu)90內(nèi)慢慢形成負(fù)壓、膜除去單元191的吸引壓力低下。
另一方面，供給純水的情況下，如圖26所示，膜除去單元191和晶片W之間形成純水的薄膜，剝離的保護(hù)層16連同該薄膜純水被吸引口193吸引。進(jìn)一步，純水通過排出室192內(nèi)從排出管194排出。需提一下，通過調(diào)節(jié)排出器203的壓力，也可以調(diào)節(jié)自吸引口193的吸引量，調(diào)節(jié)膜除去單元191和晶片W之間縫隙的純水量。另外，在膜除去裝置中，既可以對(duì)膜除去位置14近旁只供給氣體，也可以對(duì)膜除去位置14近旁只供給液體。
如圖27、28所示，也可以使用膜除去部件210來抑制剝離了的保護(hù)層16對(duì)晶片W的再附著。膜除去部件210包含本體211、第一噴嘴212、左右一對(duì)的第二噴嘴213、214。第一噴嘴212在平面視野中沿Y軸安裝在本體211的后部，相對(duì)于膜除去位置14是從后方供給液體的。
如圖28所示，第二噴嘴213、214左右對(duì)稱地配置在第一噴嘴212的兩側(cè)，在平面視野中與第一噴嘴212成銳角θ配置(例如θ＝5°～45°)，液體從這兩個(gè)第二噴嘴213、214、從相對(duì)于膜除去位置14的斜后方被供給。
本體211例如具有近似倒圓錐形狀，圓錐的前端部，即在本體211的下部做成水平面。本體211由玻璃等透明材料制成，可透過激光19。本體211被保持臂215支持，在X軸、Y軸、Z軸的各個(gè)方向都可以移動(dòng)。需提一下，保持臂215與上述保持臂85是實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
如圖27所示，本體211內(nèi)藏有第二噴嘴213、214。第二噴嘴213、214分別與液體供給裝置(圖中未標(biāo)示)連通。第二噴嘴213、214的供給口在本體211的底面開口，例如直徑2mm左右?？刂破?1向液體供給源的驅(qū)動(dòng)電路發(fā)送指令信號(hào)，液體從第二噴嘴213、214在規(guī)定時(shí)刻、以規(guī)定流速噴出。
第一噴嘴212通過支持棒216來由本體211支持。第一噴嘴212的前端部距本體211的軸心(激光19的光軸)在后方僅僅離開極小的距離S2。距離S2選擇例如0.01mm～0.05mm左右。第一噴嘴212相對(duì)于水平面例如在俯角方向傾斜5°～45°?？刂破?1向液體供給源的驅(qū)動(dòng)電路發(fā)送指令信號(hào)，液體從第一噴嘴212在規(guī)定定時(shí)、以規(guī)定流速噴出。
膜除去時(shí)，本體211接近于晶片W配置使得本體211的軸心位于膜除去位置14的上面。純水從第一噴嘴212以例如20m/秒以上的流速噴出，由此，對(duì)膜除去位置14近距離供給純水，如圖29所示就形成了沿Y軸前進(jìn)的純水水流(第一流218)。
另一方面，純水以比從第一噴嘴212出來的純水緩慢的流速?gòu)牡诙娮?13、214噴出。來自第二噴嘴213、214的純水的流速選擇例如1m/秒左右。由此在第一流218的兩側(cè)就形成了比該第一流慢的純水水流(第二流219)。由于第一流218比第二流219的速度快，就在第一流218和第二流219之間產(chǎn)生了壓力差，從第二流219向第一流218的力也就起作用了。結(jié)果，當(dāng)向膜除去位置14照射激光、保護(hù)層16剝離的時(shí)候，其隨著被夾在第二流219中的第一流218就從晶片W上除去。因此，剝離了的保護(hù)層16不會(huì)在晶片W表面上擴(kuò)散，抑制剝離了的保護(hù)層16再次附著在晶片W上。
需提一下，也可以包含回收至少通過了膜除去位置14的第一流218的液體的回收機(jī)構(gòu)。
如圖30所示，可以使用掩模部件220，抑制剝離了的保護(hù)層16再次附著在晶片W上。在這個(gè)例子中，例如在向晶片W供給純水等液體的噴嘴221和晶片W之間配置掩模部件220。掩模部件220整體是半徑比晶片W大的近似圓盤形狀，掩模部件220上面的220a是中部變低地傾斜著。掩模部件220的中心部設(shè)有例如直徑為0.5mm左右的貫通孔222。掩模部件220的下面220b形成平面。掩模部件220由例如與上述保持臂85具有相同機(jī)能的保持臂(圖中未標(biāo)示)保持，在水平方向和上下方向上自由移動(dòng)。
在掩模部件220的貫通孔222上方配置有從上方抑制引導(dǎo)流體的引導(dǎo)部件223。引導(dǎo)部件223是例如石英玻璃等的透明部件。該引導(dǎo)部件223例如是近似立方體的形狀。引導(dǎo)部件223例如被上下移動(dòng)自由的保持臂(圖中未標(biāo)示)保持，例如可以將距掩模部件220的上面220a的距離調(diào)節(jié)為規(guī)定距離例如0.05mm～0.3mm左右。
而且，膜除去時(shí)，掩模部件220接近于晶片W使得掩模部件220和引導(dǎo)部件223移動(dòng)到膜除去位置14之上，掩模部件220的下面220b距晶片W表面的距離f變成為10μm-100μm。這時(shí)掩模部件220的位置調(diào)節(jié)成貫通孔222面對(duì)膜除去位置14的位置。而且，在掩模部件220上液體例如純水從噴嘴221噴出，噴出的純水從上面220a下行經(jīng)過貫通孔222，上到對(duì)面一側(cè)的上面220a，再?gòu)难谀２考?20上排出到例如罩61內(nèi)。以此狀態(tài)激光照射到膜除去位置14，一旦保護(hù)層16剝離，該剝離的保護(hù)層16就會(huì)匯入掩模部件120上的純水流，從晶片W上排出。結(jié)果，就會(huì)抑制一旦去除的保護(hù)層16再度附著到晶片W上。
需提一下，掩模部件220的形狀不只限于圓盤形狀，也可以是其他的形狀，例如方盤形狀。還有，掩模部件的上面220a不必傾斜是水平面也可以。
以上實(shí)施方式是除去在晶片W的膜除去位置14上存在的定位記號(hào)15上的保護(hù)膜16的方式。本發(fā)明也適用于作為其他用途的除去晶片上膜的情況。另外，基板也不只限于晶片、LCD基板、光掩模(photomask)用掩模標(biāo)線(reticule)基板的等其他基板也可以。
下面，參照?qǐng)D31-41，對(duì)各種實(shí)施形態(tài)的膜除去單元進(jìn)行說明。
如圖31所示，在膜除去單元291內(nèi)不妨礙激光19的行經(jīng)路徑地形成上下兩個(gè)圓筒形狀的流體室295、296。圖中未標(biāo)示的真空泵經(jīng)由排氣管297連通到上室296。在其下形成作為吸引促進(jìn)室的下室295。兩個(gè)吸引口293a、293b沿激光軸19a上下直列排列。第二吸引口293b具有從激光照射領(lǐng)域吸引剝離的保護(hù)層16和流體17的功能。第一吸引口293a具有進(jìn)一步強(qiáng)力吸引通過了第二吸引口293b剝離的保護(hù)層16和流體17的功能。需提一下，在膜除去單元291的上部嵌入有透明玻璃等的透明部件177。
如圖32所示，四個(gè)第三吸引口294在下室295的四周壁292上開口。各吸引口294偏離激光軸19a(大致切線方向)將流體(例如空氣)吸引導(dǎo)入，在下室295內(nèi)形成流體的上升旋回流。第三吸引口294依照作為吸引促進(jìn)室的下室295的大小應(yīng)適當(dāng)?shù)剡x擇數(shù)量和直徑。例如下室292的內(nèi)徑d1為25mm的情況下，將第三吸引口294的直徑優(yōu)選為2mm，數(shù)量?jī)?yōu)選為兩個(gè)。
需提一下，通過控制器81高精度控制升降機(jī)86、87，膜除去單元291(吸引口293a)和涂布膜16之間的縫隙C7可在50-1000μm的范圍內(nèi)任意調(diào)整。
根據(jù)本實(shí)施方式的裝置，由于旋回流，吸引力被增強(qiáng)，所以能夠?qū)⒓す庹丈鋾r(shí)發(fā)生的微粒(particle)不漏地吸引排出。
如圖33所示，膜除去單元311內(nèi)形成分別與下端的吸引口313以及排氣管317連通的排出室316。另外，在膜除去單元311的下部安裝有氣體排放器室312。該氣體排放器室312圍繞吸引口313設(shè)置，氧氣經(jīng)由給氣口314從氧氣供給源(圖中未標(biāo)示)被供給。如圖34所示，給氣口314連通到在氣體排放器室312上部的3處。
需提一下，通過控制器81高精度控制升降機(jī)86、87，膜除去單元311(吸引口313)和涂布膜16之間的縫隙C8可在50-1000μm的范圍內(nèi)任意調(diào)整。還有，通過控制器81分別對(duì)氧氣供給源(圖中未標(biāo)示)以及真空泵(圖中未標(biāo)示)的動(dòng)作進(jìn)行控制，氧氣的供給量Q1被調(diào)整成大于或是等于吸引排氣量Q2(Q1≥Q2)。
根據(jù)本實(shí)施方式的裝置，由于旋回流，吸引力被增強(qiáng)，所以能夠?qū)⒓す庹丈鋾r(shí)發(fā)生的微粒不漏出地吸引排出。
如圖35所示，膜除去單元411內(nèi)形成分別與下端的吸引口413以及排氣管417連通的排出室416。吸引口413在平板412的中央形成，平板412利用多個(gè)螺栓414裝拆可能地安裝在膜除去單元411的本體下部。需提一下，平板412是由陶瓷(ceramic)等絕緣材料制成的。
如圖36所示，兩對(duì)正負(fù)電極418、419貫通排出室416的周圍壁被導(dǎo)入到排出室416內(nèi)，相對(duì)的兩對(duì)電極418、419各自的前端極力接近吸引口413配置。一對(duì)電極418與高壓電源421連接，使得幾kV的正電壓被施加。另一方面，另外一對(duì)電極419與高壓電源422連接，使得幾kV的負(fù)電壓被施加。
需提一下，通過控制器81高精度控制升降機(jī)86、87，膜除去單元411(吸引口413)和涂布膜16之間的縫隙C9可在50-1000μm的范圍內(nèi)任意調(diào)整。
根據(jù)本實(shí)施方式的裝置，由于能夠吸引帶了電的微粒到電極一側(cè)，所以可以防止微粒附著到晶片W。需提一下，附著于電極的微粒由于存在由吸引造成的上升氣流，所以沒有落到晶片W的危險(xiǎn)。
如圖37-39所示，膜除去單元511內(nèi)形成分別與下端的吸引口513以及排氣管517連通的排出室516。還有，圍繞吸引口513形成環(huán)狀的輔助流體室515。進(jìn)一步，兩根針512貫通排出室516以及輔助流體室515的周圍壁被導(dǎo)入到排出室516內(nèi)。相對(duì)的兩根針512各自的前端極力接近吸引口413配置。針512的前端希望盡可能在與激光19的行路不干涉的范圍內(nèi)接近激光照射區(qū)域14。針512具有內(nèi)部流路，內(nèi)部流路在針512的前端開口，內(nèi)部流路與圖中未標(biāo)示的流體供給源連通。需提一下，將排出室516做成倒圓錐臺(tái)(研缽形狀)的形狀。另外，經(jīng)由給氣口514，氧氣供給源(圖中未標(biāo)示)與輔助流體室515連通。
從針512每隔極短的時(shí)間流體在激光照射之前和之后的定時(shí)被供給。即，例如在激光照射之前的0.5秒的定時(shí)里，僅僅0.1-0.3秒間讓流體(純水或者氣體)噴出。另外，例如在激光照射之后的0.5秒的定時(shí)里，僅僅0.1-0.3秒間讓流體(純水或者氣體)噴出。需提一下，從針512噴出的流體取為與從噴嘴供給的流體相同。
從針418、419僅在加工前后的極短時(shí)間(加工前0.5秒、以及加工后0.5秒)吐出流體。需提一下，使用的針既可以只是單側(cè)一條，也可以同時(shí)是兩條。另外，從針吐出的流體既可以是液體(例如純水)也可以是氣體(例如空氣、氧氣)。
一旦自兩個(gè)針512噴出流體，回旋在吸引室516內(nèi)的上升渦流518就會(huì)形成。該上升渦流518會(huì)促進(jìn)來自吸引室516內(nèi)的流體的排出。
需提一下，通過控制器81高精度控制升降機(jī)86、87，膜除去單元511(吸引口513)和涂布膜16之間的縫隙C10可在50-1000μm的范圍內(nèi)任意調(diào)整。
根據(jù)本實(shí)施方式的裝置，通過來自針418、419的流體的吐出，就可以將在保護(hù)層剝離加工部14發(fā)生的微粒順利地放到上方的回旋流中。特別是，在加工部14橫向飛散的微粒，由于針局部流體吐出和上部回旋流的綜合效果，會(huì)得到有效的吸引排出。
如圖40、41所示，膜除去單元611內(nèi)形成分別與下端的吸引口613以及排氣管417連通的排出室616。還有，圍繞吸引口613形成環(huán)狀的輔助流體室615。輔助流體室615與氧氣供給源(圖中未標(biāo)示)連通。
進(jìn)一步，兩根針612貫通排出室616以及輔助流體室615的周圍壁被導(dǎo)入到排出室616內(nèi)。相對(duì)的兩根針612配置成各自的前端極力接近吸引口613。針612的前端希望在與激光19的行路不干涉的范圍內(nèi)盡可能接近激光照射區(qū)域14。
隔開排出室616和輔助流體室615的壁在兩處形成切口614，通過切口614氧氣從輔助流體室615流入排出室616。
需提一下，通過控制器81高精度控制升降機(jī)86、87，膜除去單元611(吸引口613)和涂布膜16之間的縫隙C11可在50-1000μm的范圍內(nèi)任意調(diào)整。
根據(jù)本實(shí)施方式的裝置，通過切口614，充分量的氧氣被供給到激光照射區(qū)域14，所以作為剝離對(duì)象的保護(hù)膜16容易完全燃燒，因此保護(hù)膜16的除去效果就進(jìn)一步提高了。
以上的實(shí)施方式中，通過旋轉(zhuǎn)對(duì)被純水淋濕的晶片W進(jìn)行甩干、干燥，也可以向晶片W上噴出氣體，將純水除去。例如在膜除去裝置4的殼體4a上面設(shè)置作為氣體噴出部的氣刀組件105。氣刀組件105如圖42所示配置在借助X-Y工作臺(tái)62的晶片W的移動(dòng)范圍內(nèi)。氣刀組件105例如具有比晶片W直徑還長(zhǎng)的切口狀噴出口，能夠向下方的晶片W噴出簾幕形的空氣。而且，膜除去后在除去晶片W上的純水的時(shí)候，氣刀組件105一邊噴出空氣，一邊驅(qū)動(dòng)X-Y工作臺(tái)62，將晶片W從簾狀的空氣下通過。這樣做，晶片W上殘存的純水就被吹飛，晶片W也就被干燥。
上述的空氣噴出工序中，也可以邊旋轉(zhuǎn)晶片W邊進(jìn)行。另外，上述的空氣噴出工序中，也可以邊振動(dòng)安裝于卡盤60的超聲波振動(dòng)器71邊進(jìn)行。進(jìn)一步，上述的空氣噴出工序中，可以回轉(zhuǎn)晶片W，邊振動(dòng)超聲波振動(dòng)器71邊進(jìn)行。
以上的實(shí)施方式中，雖然在晶片W上讓純水等液體流淌來除去剝離的反射防止膜，但是也可以如圖43所示通過吸引、排出存在于膜除去位置14附近的流體來除去剝離后的反射防止膜。
如圖43所示，在膜除去裝置710上設(shè)置膜除去單元711以便吸引、排出膜除去位置14附近的氣氛氣等的流體。膜除去單元711例如做成近似圓柱狀，其內(nèi)部做成形成近似封閉空間的排出室712。在膜除去單元711下面設(shè)有將存在于下方的流體吸引到排出室712內(nèi)的吸引口713。膜除去單元711側(cè)面與將吸引到排出室712內(nèi)的流體排出的排出管714連接。排出管714例如與作為負(fù)壓發(fā)生裝置的排出器715相連，能夠以規(guī)定的壓力，在規(guī)定的定時(shí)吸引排出室712內(nèi)的流體。因此，就能夠?qū)⒛こ卧?11的下方的流體從吸引口713吸引，并通過排出室712從排出管714排氣。
在膜除去單元711側(cè)面的下部設(shè)有能夠有選擇的向膜除去位置14附近供給空氣、氧氣等氣體和純水等液體的流體供給部716。流體供給部716在以吸引口713為中心的同一圓周上設(shè)置了多個(gè)。各流體供給部716設(shè)置成流體供給部716的供給口716a朝向吸引口713傾斜。由此，各流體供給部716就能夠向膜除去單元711與晶片W間的縫隙供給規(guī)定的流體。各流體供給部716例如通過供給管717與氣體例如氧氣的供給源(圖中未標(biāo)示)、和液體例如純水的供給源相連。供給管717設(shè)有三向閥門718，通過該三向閥門718就可以對(duì)氧氣和純水的供給進(jìn)行適當(dāng)?shù)厍袚Q。需提一下，三向閥門718的動(dòng)作是由控制器81來控制的。
在膜除去單元711的上部，即排出室712的上面是由石英玻璃等的透明部件177做成。吸引口713配置在夾持著排出室712的該透明部件177的下方。從上方照射的激光通過透明部件177、排出室712以及吸引口713，就會(huì)照射到下方的晶片W上。
膜除去單元711例如是由保持臂85保持，可以將吸引口713配置在晶片W上的膜除去位置14之上。另外，還能夠調(diào)節(jié)膜除去單元711的高度，將吸引口713與晶片W間的距離調(diào)整到最適當(dāng)?shù)木嚯x，例如10-50μm左右。
而且，膜除去時(shí)，膜除去單元711會(huì)移動(dòng)到膜除去位置14上。純水從流體供給部716供給到膜除去位置14附近，從吸引口713吸引該純水。被吸引口713吸引的純水通過中空部712，經(jīng)排出管714排出。這樣形成了以流體供給部716→膜除去位置14→吸引口713→排出管714的順序流淌的純水水流，在此狀態(tài)下，從振蕩器63發(fā)射激光，通過了透明部件177、吸引口713的激光照射在膜除去位置14上。因?yàn)樵撜丈涠鴦冸x的反射防止膜匯入純水流，再通過膜除去單元711排出。激光照射一終了，繼續(xù)規(guī)定時(shí)間純水的供給、排出，其后停止。
根據(jù)本實(shí)施方式的裝置，通過激光從晶片W剝離了的反射防止膜立刻從吸引口713被吸引、排出。因此，就能防止剝離了的反射防止膜再度附著到晶片W上，從而防止了晶片W的污染。由于膜除去單元711的上面使用透明部件177，膜除去單元711的內(nèi)部做成中空的，所以將膜除去單元711配置在膜除去位置14的正上方，就可以照射激光。因此，就能夠?qū)⑽?13更為接近膜除去位置14地進(jìn)行吸引。特別是，通過試驗(yàn)等已經(jīng)確認(rèn)從晶片W剝離的反射防止膜的粒子在上方浮游，所以其效果是很大的。需提一下，本例當(dāng)中，雖然是從流體供給部716供給了純水，但是也可以供給氧氣等氣體。在這種情況下，就形成了通過膜除去位置14、從吸引口713被吸引的氣流，因此從晶片W剝離的反射防止膜就可以迅速且確實(shí)地除去。
在以上實(shí)施方式中，雖然是在反射防止膜形成之后，實(shí)行膜的除去處理，之后形成保護(hù)膜，但也可以是，根據(jù)制造方法，在反射防止膜形成之后就形成了保護(hù)膜，其后再進(jìn)行膜的除去處理。在這種情況下，使用反射防止膜形成裝置20形成有反射防止膜的晶片W在被加熱、冷卻后再被搬送到保護(hù)層涂布裝置21上，在晶片W上形成保護(hù)膜。其后晶片W被加熱、冷卻，其后被搬送到膜除去裝置4。在膜除去裝置4進(jìn)行過膜除去處理的晶片W被加熱、冷卻處理，然后再?gòu)臄U(kuò)展裝置43返回到晶匣出入?yún)^(qū)2。
另外，上述實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)1中雖然在處理區(qū)3設(shè)有保護(hù)層涂布裝置21，但是也可以沒有保護(hù)層涂布裝置21。這種情況下，在晶片W上形成反射防止膜，其后在膜除去位置14上的膜被除去之后，晶片W再?gòu)臄U(kuò)展裝置43返回到晶匣出入?yún)^(qū)2。
進(jìn)一步，以上實(shí)施方式記載的系統(tǒng)如圖44所示可以具備帶有在處理區(qū)與曝光裝置之間搬送晶片W的搬送裝置的接口部124。
如圖44所示，處理系統(tǒng)1B的處理區(qū)121的背面?zhèn)?圖14的上方側(cè))設(shè)有膜除去位置122。需提一下，膜除去位置122是例如具有與上述的膜除去位置4相同結(jié)構(gòu)的部分。夾著處理區(qū)121的兩側(cè)設(shè)有晶匣出入?yún)^(qū)123和接口部124。還有，在該系統(tǒng)外，與接口部124相鄰設(shè)有曝光裝置125。
在處理區(qū)121，在主搬送裝置126的接口部124側(cè)，設(shè)有第三處理裝置組G3。在第三處理裝置組G3中具有作為向接口部124一側(cè)傳遞晶片W的傳遞部的擴(kuò)展裝置130。還有在主搬送裝置126的正面一側(cè)設(shè)有第四處理裝置組G4。在第四處理裝置組G4當(dāng)中，例如顯影處理裝置131被兩段重疊設(shè)置。需提一下，在與上述實(shí)施方式相同的第一處理裝置組G1中設(shè)有反射防止膜形成裝置20和保護(hù)層涂布裝置21，第二處理裝置組G2中設(shè)有冷卻裝置40-42、擴(kuò)展裝置43、加熱處理裝置44-46。
主搬送裝置126被配置成，除相對(duì)于除第一處理裝置組G1、第二處理裝置組G2外，相對(duì)于膜除去裝置112、第三處理裝置組G3以及第四處理裝置組G4，能夠搬送晶片W。需提一下，對(duì)于第三處理裝置組G3而言，加上擴(kuò)展裝置130，與晶片W的制法相匹配，可以設(shè)置冷卻裝置或加熱處理裝置等其他處理裝置。
接口部124當(dāng)中設(shè)有作為搬運(yùn)裝置的晶片搬運(yùn)體132。這種搬運(yùn)體132構(gòu)成為例如能夠在X軸方向(圖14中的上下方向)、Z方向(垂直方向)自由移動(dòng)和在θ方向(以Z軸為中心的回轉(zhuǎn)方向)回轉(zhuǎn)，能夠?qū)τ诘谌幚硌b置組G3的擴(kuò)展裝置130和曝光裝置125進(jìn)行進(jìn)出操作，分別將晶片W搬送到它們。
而且，在晶片W處理的時(shí)候，晶片W從晶匣出入?yún)^(qū)123經(jīng)由擴(kuò)展裝置43被傳遞到主搬送裝置126，主搬送裝置126將晶片W搬送到反射防止膜形成裝置20中。在晶片W上一旦反射防止膜形成，晶片W在被加熱、冷卻之后借助主搬送裝置126就被搬送到膜除去裝置122。而且，完成上述實(shí)施方式所記載的膜除去處理后的晶片W被加熱、冷卻處理后，搬送到保護(hù)層涂布裝置21。在保護(hù)層涂布裝置21中，保護(hù)層涂布處理終了后的晶片W被加熱、冷卻處理后，搬送到第三處理裝置組G3的擴(kuò)展裝置130，然后借助晶片搬運(yùn)體132搬送到曝光裝置125。在曝光裝置125中曝光處理完成后的晶片W再度借助晶片搬運(yùn)體132返回到擴(kuò)展裝置130。返回到擴(kuò)展裝置130的晶片W被加熱、冷卻處理后，搬送到顯影處理裝置131。在顯影處理裝置131中完成晶片W的顯影處理之后，晶片W再度被加熱、冷卻處理，然后借助主搬送裝置126搬送到第二處理裝置組G2的擴(kuò)展裝置43。其后，晶片W借助輔助臂搬送機(jī)構(gòu)11返回到晶匣出入?yún)^(qū)123的晶匣C中，晶片W的一連串的處理就結(jié)束了。
這樣，通過具備在處理區(qū)121和曝光裝置125之間搬送晶片W的接口部124，就能夠在一個(gè)處理系統(tǒng)內(nèi)進(jìn)行反射防止膜形成→膜除去處理→保護(hù)膜形成→曝光處理→顯影處理的一連串的晶片處理。因此，處理中，操作人員等無需搬送晶片W，所以也就能夠防止搬送中污染、破損晶片W。還有，能夠縮短晶片W的搬送時(shí)間，所以晶片W全體的處理時(shí)間也就能夠縮短。
需提一下，在這種實(shí)施方式下，雖然膜除去裝置122配置在處理區(qū)121的背面?zhèn)?，但只要是主搬送裝置126能夠訪問到的位置，設(shè)在其他側(cè)面也可以。接口部124也可以同樣設(shè)在處理區(qū)121的其他側(cè)面。還有，處理區(qū)121內(nèi)還可以設(shè)有膜除去裝置112搬送前使晶片W暫時(shí)待機(jī)存放的緩存晶匣。
以上的實(shí)施方式雖然是將反射防止膜除去的方式，但本發(fā)明也適用于例如反射防止膜和保護(hù)膜同時(shí)除去的情況。另外，本發(fā)明還適用于除去其他膜的情況。需提一下，上述的膜除去處理以外的處理內(nèi)容和順序可以結(jié)合晶片的制法自由變更。此外，基板也不只限于晶片、LCD基板、光掩模(photomask)用掩模標(biāo)線(reticule)基板的等其他基板也可以。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性根據(jù)本發(fā)明，除去基板上的膜而不使基板污染，可使基板保持清凈的狀態(tài)，再借助其后的處理就能制造高品質(zhì)的基板。
根據(jù)本發(fā)明，可防止基板污染，提高基板品質(zhì)。還有，縮短搬送時(shí)間，提高生產(chǎn)率。
權(quán)利要求
1.一種膜除去裝置，其特征在于，包括保持具有涂布膜的基板的基板保持部；用激光局部照射該基板保持部上的基板規(guī)定位置，使所述涂布膜從基板上部分剝離的激光光源；具有對(duì)所述規(guī)定位置供給規(guī)定流體的主噴嘴的流體供給機(jī)構(gòu)；具有將供給到所述規(guī)定位置的所述規(guī)定流體連同剝離后的膜成分在基板上吸收并除去的吸引口的回收機(jī)構(gòu)；和將所述主噴嘴噴出的所述規(guī)定流體引導(dǎo)至所述規(guī)定位置，同時(shí)將所述規(guī)定流體以及剝離后的膜成分引導(dǎo)至所述回收機(jī)構(gòu)的吸引口使得其不會(huì)在所述規(guī)定位置周圍擴(kuò)散、漏出的引導(dǎo)部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜除去裝置，其特征在于，所述引導(dǎo)部件包括具有用于將從所述主噴嘴供給的所述規(guī)定流體引導(dǎo)至所述規(guī)定位置的槽的本體；和使所述本體接近所述規(guī)定位置而配置的機(jī)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜除去裝置，其特征在于，所述引導(dǎo)部件的至少一部分由能夠透過所述激光光源所發(fā)出的激光的透明部件構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜除去裝置，其特征在于，還具有安裝在所述主噴嘴的超聲波振動(dòng)器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜除去裝置，其特征在于，還具有安裝在所述引導(dǎo)部件的超聲波振動(dòng)器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜除去裝置，其特征在于，還具有安裝在所述基板保持部的超聲波振動(dòng)器。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的膜除去裝置，其特征在于，所述主噴嘴具有朝所述規(guī)定位置直接吹出規(guī)定流體的噴出口。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜除去裝置，其特征在于，還具有整流板，配置于所述規(guī)定位置的下流側(cè)且基板的正上，將所述規(guī)定流體從基板遷移。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜除去裝置，其特征在于，還具有在所述主噴嘴兩側(cè)所設(shè)的一對(duì)副噴嘴。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的膜除去裝置，其特征在于，所述流體供給機(jī)構(gòu)分別對(duì)所述主噴嘴和所述副噴嘴供給液體，所述副噴嘴向與所述主噴嘴噴出液體的方向?qū)嵸|(zhì)上相同的方向噴出液體。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的膜除去裝置，其特征在于，所述流體供給機(jī)構(gòu)向所述主噴嘴供給液體，向所述副噴嘴供給氣體，所述副噴嘴向與所述主噴嘴噴出液體的方向?qū)嵸|(zhì)上相同的方向噴出氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的膜除去裝置，其特征在于，所述回收機(jī)構(gòu)的吸引口被設(shè)置在所述整流板的上面。
13.一種膜除去裝置，其特征在于，包括保持具有涂布膜的基板的基板保持部；用激光局部照射該基板保持部上的基板規(guī)定位置，使所述涂布膜從基板上部分剝離的激光光源；膜除去單元，具有向所述規(guī)定位置供給規(guī)定流體的主噴嘴，而且，還具有將向所述規(guī)定位置供給的所述規(guī)定流體連同剝離后的膜成分在基板上吸引并除去的第一吸引口，將所述主噴嘴噴出的所述規(guī)定流體引導(dǎo)至所述規(guī)定位置，同時(shí)將所述規(guī)定流體以及剝離后的膜成分引導(dǎo)至所述第一吸引口使得其不會(huì)向所述規(guī)定位置周圍擴(kuò)散、漏出；向所述主噴嘴供給所述規(guī)定流體的流體供給機(jī)構(gòu)；和連通到所述第一吸引口的回收機(jī)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的膜除去裝置，其特征在于，所述膜除去單元還具有比所述主噴嘴還設(shè)置于外側(cè)、向在該膜除去單元和基板之間形成的間隙供給液體的輔助噴嘴。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的膜除去裝置，其特征在于，所述膜除去單元的至少一部分由能夠透過所述激光光源所發(fā)出的激光的透明部件構(gòu)成，激光透過所述透明部件，在通過所述第一吸引口之后，照射到所述規(guī)定位置。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的膜除去裝置，其特征在于，所述膜除去單元包括所述第一吸引口開口于下面中央的、與所述回收機(jī)構(gòu)連通的排出室；和與所述第一吸引口相對(duì)地設(shè)置在所述排出室上部的、使來自所述激光光源的激光透過的透明部件。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的膜除去裝置，其特征在于，在所述排出室的下面的周邊安裝多個(gè)主噴嘴；從所述流體供給機(jī)構(gòu)分別向所述多個(gè)主噴嘴供給氣體。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的膜除去裝置，其特征在于，所述多個(gè)主噴嘴分別在以所述第一吸引口為中心的同心圓上開口。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的膜除去裝置，其特征在于，所述膜除去單元進(jìn)一步包含通過所述第一吸引口與所述排出室連通的、使所述規(guī)定流體以及剝離后的膜成分向所述排出室的吸引得以促進(jìn)的吸引促進(jìn)室；與所述第一吸引口相對(duì)配置的、在所述吸引促進(jìn)室的下面中央開口的第二吸引口；和多個(gè)第三吸引口，各自朝向偏離激光軸的方向，在所述吸引促進(jìn)室的周壁上開口，通過所述回收機(jī)構(gòu)的吸引被導(dǎo)入所述吸引促進(jìn)室內(nèi)的外氣在所述吸引促進(jìn)室內(nèi)旋回，所述外氣的渦旋流在所述吸引促進(jìn)室內(nèi)產(chǎn)生。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的膜除去裝置，其特征在于，所述膜除去單元還包括圍繞所述第一吸引口的、具有與所述流體供給機(jī)構(gòu)連通的氣體供給口的、使所述第一吸引口的周圍為所述規(guī)定氣體氣氛的氣體排放器室。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的膜除去裝置，其特征在于，所述氣體排放器室在所述第一吸引口的周圍環(huán)狀形成；所述氣體供給口為多個(gè)，各自在所述氣體排放器室的上部開口。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的膜除去裝置，其特征在于，還具有控制所述流體供給機(jī)構(gòu)和所述回收機(jī)構(gòu)的控制裝置，使得從所述流體供給機(jī)構(gòu)通過所述氣體供給口向所述氣體排放器室內(nèi)供給的所述規(guī)定氣體的供應(yīng)量，比從所述排出室向所述回收機(jī)構(gòu)排出的所述規(guī)定氣體的排氣量大。
23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的膜除去裝置，其特征在于，所述膜除去單元還包括具有接近所述規(guī)定位置而相對(duì)配置的前端部的至少一對(duì)正負(fù)電極；在所述正電極上施加正電壓的第一高壓電源；在所述負(fù)電極上施加負(fù)電壓的第二高壓電源。
24.根據(jù)權(quán)利要求13所述的膜除去裝置，其特征在于，所述膜除去單元還包括具有接近所述規(guī)定位置而相對(duì)配置的前端部，與所述流體供給機(jī)構(gòu)連通，具有在所述前端部開口的內(nèi)部流路的至少一對(duì)的針；在所述針的前端部周圍形成，與所述流體供給機(jī)構(gòu)連通的輔助流體室；設(shè)置在所述針的前端部上方、形成為研缽狀的排出室；和在分隔所述輔助流體室和所述排出室的壁上開口形成的、將所述輔助流體室與所述排出室連通的切口。
25.根據(jù)權(quán)利要求13所述的膜除去裝置，其特征在于，還包括可升降地支持所述膜除去單元的升降機(jī)構(gòu)；控制所述升降機(jī)構(gòu)的控制裝置，使得所述第一吸引口與所述規(guī)定位置上的涂布膜之間的間隙在50-1000μm的范圍內(nèi)。
26.根據(jù)權(quán)利要求13所述的膜除去裝置，其特征在于，還包括配置在所述主噴嘴的兩側(cè)、向與從所述主噴嘴噴出的流體在所述規(guī)定位置處交叉的方向噴出所述規(guī)定流體的一對(duì)副噴嘴；和控制所述流體供給機(jī)構(gòu)的控制裝置，使得所述規(guī)定流體的噴出速度是所述主噴嘴方比所述副噴嘴方大。
27.根據(jù)權(quán)利要求13所述的膜除去裝置，其特征在于，還包括掩模部件，配置在基板和所述主噴嘴之間，將所述主噴嘴噴出的所述規(guī)定流體在其上加以引導(dǎo)；和將所述掩模部件上下貫通的貫通孔，使流在所述掩模部件上的所述規(guī)定流體接觸到所述規(guī)定位置的涂布膜。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的膜除去裝置，其特征在于，所述掩模部件包括實(shí)質(zhì)上水平形成的下面；和相對(duì)于水平面傾斜的、使得所述貫通孔的位置變得最低的上面。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的膜除去裝置，其特征在于，所述掩模部件俯視為圓形，所述貫通孔在其中央形成。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的膜除去裝置，其特征在于，還包括由使所述激光光源射出的激光透過到達(dá)所述規(guī)定位置的透明部件構(gòu)成，配置在所述掩模部件的上方，與所述貫通孔相對(duì)，限制所述掩模部件上的所述規(guī)定流體的流動(dòng)的導(dǎo)向部件；和可升降地支持所述導(dǎo)向部件的升降機(jī)構(gòu)。
31.一種膜除去方法，其特征在于，(a)將涂布膜為上側(cè)地使基板實(shí)質(zhì)保持水平，從主噴嘴向基板上噴出規(guī)定流體，通過引導(dǎo)部件將所述規(guī)定流體供給到基板的所述規(guī)定位置，同時(shí)通過吸引口吸引存在于所述規(guī)定位置的所述規(guī)定流體或者通過所述規(guī)定位置后的所述規(guī)定流體，然后從基板上回收，(b)在所述規(guī)定流體流過的狀態(tài)下，對(duì)所述規(guī)定位置局部照射激光，使所述涂布膜從基板上部分剝離，剝離后的膜成分連同所述規(guī)定流體在基板上從吸引口吸引除去。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的膜除去方法，其特征在于，在所述工序(b)中，還在所述規(guī)定位置的近旁強(qiáng)制排氣，同時(shí)向所述規(guī)定位置照射激光。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的膜除去方法，其特征在于，在所述工序(b)中，還對(duì)通過所述規(guī)定位置的所述規(guī)定流體施加超聲波。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的膜除去方法，其特征在于，在所述工序(a)中，除去所述規(guī)定位置設(shè)置覆蓋基板的掩模部件，利用該掩模部件防止由于激光照射而得以剝離的膜成分附著在基板上。
35.根據(jù)權(quán)利要求31所述的膜除去方法，其特征在于，在所述工序(b)中，將所述吸引口對(duì)準(zhǔn)所述規(guī)定位置，同時(shí)在所述吸引口周圍配置多個(gè)所述主噴嘴，從這些多個(gè)所述主噴嘴中向所述規(guī)定位置供給所述規(guī)定流體，通過所述吸引口將剝離后的膜成分連同所述規(guī)定流體吸引并從基板上除去。
36.根據(jù)權(quán)利要求31所述的膜除去方法，其特征在于，在所述工序(b)中，在所述主噴嘴兩側(cè)設(shè)置左右一對(duì)副噴嘴，與所述主噴嘴噴出的所述規(guī)定流體并行地從所述副噴嘴噴出所述規(guī)定流體。
37.根據(jù)權(quán)利要求31所述的膜除去方法，其特征在于，在所述工序(b)中，在所述主噴嘴兩側(cè)設(shè)置左右一對(duì)副噴嘴，向與所述主噴嘴的噴出流體在所述規(guī)定位置相交叉的方向從所述副噴嘴噴出的所述規(guī)定流體時(shí)，加以控制，使得所述規(guī)定流體的噴出速度是在所述主噴嘴方比所述副噴嘴方大。
38.根據(jù)權(quán)利要求31所述的膜除去方法，其特征在于，在所述工序(b)中，使來自流體供給機(jī)構(gòu)通過氣體供給口向氣體排放器室內(nèi)供給的所述規(guī)定氣體的供給量大于從排出室向回收機(jī)構(gòu)排氣的所述規(guī)定氣體的排氣量。
39.根據(jù)權(quán)利要求31所述的膜除去方法，其特征在于，在所述工序(b)中，相對(duì)于基板將所述吸引口定位使得所述吸引口與所述規(guī)定位置上的涂布膜之間的間隙在50-1000μm的范圍內(nèi)。
40.一種基板處理系統(tǒng)，其特征在于，包括基板搬入搬出部、具有膜形成裝置以及膜除去裝置的處理部、和在所述膜形成裝置和所述膜除去裝置之間搬送基板的搬送機(jī)構(gòu)，所述膜除去裝置包括保持具有涂布膜的基板的基板保持部；用激光局部照射該基板保持部上的基板的規(guī)定位置，使所述涂布膜從基板上部分剝離的激光光源；具有對(duì)所述規(guī)定位置供給規(guī)定流體的主噴嘴的流體供給機(jī)構(gòu)；具有將供給到所述規(guī)定位置上的所述規(guī)定流體和剝離后的膜成分在基板上吸收并除去的吸引口的回收機(jī)構(gòu)；和引導(dǎo)部件，將所述主噴嘴噴出的所述規(guī)定流體引導(dǎo)至所述規(guī)定位置，同時(shí)將所述規(guī)定流體以及剝離后的膜成分引導(dǎo)至所述回收機(jī)構(gòu)的吸引口使其不會(huì)向所述規(guī)定位置周圍擴(kuò)散、漏出。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述處理部包括在基板上形成第一膜的第一膜形成裝置；和在基板上形成第二膜的第二膜形成裝置，所述搬送機(jī)構(gòu)在所述第一膜形成裝置、所述第二膜形成裝置和所述膜除去裝置之間搬送基板。
42.根據(jù)權(quán)利要求40所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，還，所述處理部包括用于對(duì)基板進(jìn)行熱處理的熱處理裝置；所述搬送機(jī)構(gòu)在所述熱處理裝置、所述膜形成裝置和所述膜除去裝置之間搬送基板。
43.根據(jù)權(quán)利要求40所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，還具備接口部，設(shè)于外部曝光裝置和所述處理部之間，具有在該曝光裝置和所述處理部之間搬送基板的搬送裝置。
44.根據(jù)權(quán)利要求40所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述膜除去裝置包括可升降地支持所述膜除去單元的升降機(jī)構(gòu)；控制所述升降機(jī)構(gòu)使得所述吸引口與所述規(guī)定位置上的涂布膜之間的間隙在50-1000μm的范圍內(nèi)的控制裝置。
45.根據(jù)權(quán)利要求40所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述引導(dǎo)部件的至少一部分由能夠透過激光的透明部件形成。
46.根據(jù)權(quán)利要求40所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，還，所述膜除去裝置具有向保持在所述基板保持部的基板的背面的周邊部吹出氣體的裝置。
47.根據(jù)權(quán)利要求44所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，還，所述膜除去裝置包括向基板上的涂布膜吹出氣體的氣體噴出部。
48.根據(jù)權(quán)利要求44所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，還包括可升降地支持所述膜除去單元的升降機(jī)構(gòu)；控制所述升降機(jī)構(gòu)使得所述第一吸引口與所述規(guī)定位置上的涂布膜之間的間隙在50-1000μm的范圍內(nèi)的控制裝置。
49.一種基板處理系統(tǒng)，其特征在于，包括基板搬入搬出部、具有膜形成裝置以及膜除去部的處理部、和在所述膜形成裝置和所述膜除去部之間搬送基板的搬送機(jī)構(gòu)，所述膜除去裝置包括保持具有涂布膜的基板的基板保持部；用激光局部照射該基板保持部上的基板的規(guī)定位置，使所述涂布膜從基板上部分剝離的激光光源；膜除去單元，具有對(duì)所述規(guī)定位置供給規(guī)定流體的主噴嘴，而且，具有在基板上將供給到所述規(guī)定位置的所述規(guī)定流體連同剝離后的膜成分一起吸引并除去的第一吸引口，將所述主噴嘴噴出的所述規(guī)定流體引導(dǎo)至所述規(guī)定位置，同時(shí)將所述規(guī)定流體以及剝離后的膜成分引導(dǎo)至所述第一吸引口而不會(huì)向所述規(guī)定位置周圍擴(kuò)散、漏出；對(duì)所述主噴嘴供給所述規(guī)定流體的流體供給機(jī)構(gòu)；和與所述第一吸引口連通的回收機(jī)構(gòu)。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述膜除去裝置還包括可升降地支持所述膜除去單元的升降機(jī)構(gòu)；控制所述升降機(jī)構(gòu)使得所述吸引口與所述規(guī)定位置上的涂布膜之間的間隙在50-1000μm的范圍內(nèi)的控制裝置。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述膜除去裝置具有使所述基板保持部在水平方向移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
52.根據(jù)權(quán)利要求49所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述膜除去裝置具有檢測(cè)保持在所述基板保持部的基板的位置的位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)。
53.根據(jù)權(quán)利要求49所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述膜除去裝置具有包圍保持于所述基板保持部的基板的外方的罩。
54.根據(jù)權(quán)利要求49所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述主噴嘴包括接近于基板上的所述規(guī)定位置配置的噴出口，從該噴出口向所述規(guī)定位置直接供給所述規(guī)定流體。
55.根據(jù)權(quán)利要求49所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，還包括在所述膜除去裝置內(nèi)形成清潔空氣的下降流的空調(diào)裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種膜除去裝置，它包括基板保持部(60)，保持具有涂布膜的基板；激光光源(63)，將激光局部照射到該基板保持部上的基板的定位記號(hào)位置(14)上，將涂布膜從基板部分剝離；流體供給機(jī)構(gòu)(113－116，201，202)，具有向定位記號(hào)位置供給規(guī)定流體的主噴嘴(64，172，200)；回收機(jī)構(gòu)(90)，具有在基板上將供給到定位記號(hào)位置的規(guī)定流體連同剝離了的膜成分吸引的吸引(66a，171，193)和引導(dǎo)部件(65，170，191)，將主噴嘴所噴出的規(guī)定流體引導(dǎo)到定位記號(hào)位置，同時(shí)引導(dǎo)到回收機(jī)構(gòu)的吸引口使得規(guī)定的流體以及剝離了的膜成分不擴(kuò)散到定位記號(hào)位置周圍，并且不泄漏。
文檔編號(hào)B08B7/00GK1572015SQ0282080
公開日2005年1月26日 申請(qǐng)日期2002年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月17日
發(fā)明者寺田正一, 吉高直人, 飽本正巳 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社