專利名稱：：于植入物表面上淀積納米粒子的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般地涉及植入物，具體涉及到上面淀積有離散的納米級(jí)結(jié)晶磷酸鈣粒子的牙科用植入物。
背景技術(shù)：
：以置放并固定于牙科用植入物上的假牙來(lái)更換缺失的牙的方法，已日益普通。牙科用植入物通常由金屬與合金，包括鈦(Ti)與鈦合金組成。這種牙科用植入物用作與牙齦以及口腔的骨組織結(jié)合的人造牙根。為了使這種牙科用植入物成功地起作用，需要作到有充分的骨結(jié)合。換言之，在植入物與骨之間必須形成與保持直接的化學(xué)鍵接，可以將骨結(jié)合材料引入到植入物的表面上以增強(qiáng)骨結(jié)合過(guò)程。骨結(jié)合材料的非限制性例子包括磷酸4丐陶資材料例如羥磷灰石(HA)，后者具有特別良好的化學(xué)穩(wěn)定性與骨傳導(dǎo)性。要給表面上具有骨結(jié)合化合物的植入物以充分長(zhǎng)效的行為，植入物與化合物之間就需有足夠的結(jié)合強(qiáng)度。此外，這種化合物要求具有充分的生物穩(wěn)定性，以使此化合物的溶解率低。若千既有技術(shù)涉及形成HA的，其他磷酸鉤的或其他骨結(jié)合化合物的，一般是薄(例如一般小于IO微米)的涂層，來(lái)提高這種涂層對(duì)植入物的結(jié)合強(qiáng)度。等離子噴涂與濺射是用來(lái)將例如HA淀積到植入物上的兩種主要技術(shù)。但這些工藝下的HA的溶解率可能會(huì)高到有害程度。此外，HA與植入物的界面常會(huì)由于HA與金屬植入物的粘合不良而易開(kāi)裂。美國(guó)專利申請(qǐng)公告號(hào)No.2004/0249472公開(kāi)了以納米磷酸鈣(例如HA)涂層植入物的方法。所公開(kāi)的方法雖然有效，到由于它需要利用極易燃的化合物和產(chǎn)生危險(xiǎn)的化合物(排放物)而成為有害的。此外，這種方法也是不經(jīng)濟(jì)的，因?yàn)樗蠼o植入物首先涂以一層包括醇鹽或三官能硅烷類(即氨基三乙氧基甲硅烷)的涂層，以給植入物形成帶正電荷的表面。然后于上述第一涂層之上形成包括帶負(fù)電荷的HA納米粒子的第二涂層。本發(fā)明的目的在于提供在表面上淀積有離散的納米結(jié)晶磷酸鈣(例如HA)的一種改進(jìn)的植入物與形成這種植入物的方法。發(fā)明概述本發(fā)明涉及擬植入到活骨內(nèi)的植入物的形成方法。此方法包括使植入物表面的至少一部分糙化以產(chǎn)生微尺度的糙化表面的步驟。此方法還包括這樣的步驟通過(guò)將糙化表面暴露于包括離散納米粒子溶液中的一步過(guò)程，將這種離散的納米粒子淀積于此糙化表面上。此種納米粒子包括具有促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)的粒子。本發(fā)明的另一方面公開(kāi)了形成由鈦或鈦合金制的牙科用植入物的方法。此方法包括蝕刻出此植入物至少一個(gè)螺紋底部以除去天然氧化物層的步驟。此方法還包括下述步驟對(duì)上迷螺紋底部進(jìn)^f亍酸蝕刻形成一糙面，此糙面具有大致均勻的微尺度不規(guī)則點(diǎn)的陣列，這些不規(guī)則點(diǎn)的峰一谷高度不大于約20微米。此方法還又包括下述步驟對(duì)此糙面不作預(yù)處理，使此糙面暴露于包括2-曱氧基乙醇溶劑與羥磷灰石納米級(jí)晶體中，而于此糙面上淀積上離散的羥磷灰石納米級(jí)晶體。本發(fā)明也公開(kāi)了于植入物上形成納米結(jié)晶面的方法。此方法包括使此植入物表面的至少一部分糙化以形成糙面的步驟。此方法還包括下述步驟不于此糙面上形成醇鹽而在此糙面上淀積納米晶體。這種納米晶體包括具有促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)。根椐本發(fā)明另一實(shí)施形式，公開(kāi)了一種牙科用植入物。這種牙科用植入物包括具有不非旋轉(zhuǎn)性部件的頭部。此牙科用植入物還包括一與此頭部相對(duì)峙的最低端。此牙科用植入物還又包括一用來(lái)結(jié)合此頭部與最低端之間的骨的螺紋底部。此螺紋底部具有由峰一谷高度不大于約20微米的不MJ，J點(diǎn)組成大致均勻陣列的糙面。螺紋底部還包括位于此糙面上的離散的納米粒子。這種納米粒子包括羥磷灰石納米粒子。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施形式，公開(kāi)了一種形成擬植入到活骨內(nèi)的植入物的方法。此方法包括通過(guò)將此植入物的表面暴露于溶液中的一步過(guò)程，而于此表面淀積上離散的納米粒子的步驟。這種納米粒子包括具有促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施形式，公開(kāi)了于植入物表面上形成納米結(jié)晶表面的方法。此方法包括提供金屬基片的步驟。此方法還包括下述步驟將基片的至少一部分浸沒(méi)于溫度約18°C~約32'C的膠體溶液中約11.5分鐘~約240分鐘。這種膠體溶液包括2-甲氧基乙醇溶劑與許多羥磷灰石納米晶體。后者的濃度相對(duì)于整個(gè)溶液按重量百分?jǐn)?shù)計(jì)為約0.01~約1。此方法還包括將該膠體溶液的pH調(diào)節(jié)至約9~約11。根據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施形式，公開(kāi)了一種形成擬植入到活骨內(nèi)的植入體的方法。此方法包括提供植入物的步驟。此方法還包括下述步驟通過(guò)將植入物表面暴露于溶液中的一步過(guò)程而于此表面淀積上離散的納米粒子。這種納米粒子包括具有促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)。此方法還包括沖洗植入物的步驟。此方法又還包括干燥植入物的步驟。以上對(duì)本發(fā)明所作的概述并非用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的各實(shí)施形式或其每一方面。此概述是用來(lái)引入下面的附圖與詳細(xì)說(shuō)明的。附圖簡(jiǎn)述本發(fā)明上述的和其他的優(yōu)點(diǎn)通過(guò)閱讀下面的詳細(xì)說(shuō)明和參看附圖即可明了。圖1是依據(jù)一實(shí)施形式的植入物的側(cè)視圖。圖2a、2b、2c分別是依據(jù)第二實(shí)施形式的植入物的側(cè)視圖、插入端端一見(jiàn)圖、牙齦的端一見(jiàn)圖。圖3a、3b、3c分別是依據(jù)第三實(shí)施形式的植入物的側(cè)視圖、插入端端寺見(jiàn)圖、牙齦的端一見(jiàn)圖。圖4a與4b分別是依據(jù)第四實(shí)施形式的植入物的側(cè)視圖與端視圖。圖5是詳述本發(fā)明一實(shí)施形式的植入物形成方法的流程圖。圖6是具有粗糙外表面的圖1中植入物的側(cè)視圖。圖7a是詳述本發(fā)明另一實(shí)施形式的植入物形成方法的流程圖。圖7b是詳述本發(fā)明又另一實(shí)施形式的植入物形成方法的流程圖。圖8a是場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)像，示明IOKX下的羥磷灰石納米粒子。圖8b是示明在30KX下的羥磷灰石納米粒子的FESEM像。圖9一13是分別示明用來(lái)本發(fā)明的不同方法淀積到植入物表面上的在30KX下的鞋磷灰石納米粒子的FESEM像。-洋細(xì)i兌明本發(fā)明是針對(duì)表面上淀積有離散的納米結(jié)晶磷酸鈣粒子的植入物極其制造方法。本發(fā)明范圍內(nèi)的植入物是指用來(lái)置入人體內(nèi)的裝置，如用來(lái)連接骸骨構(gòu)造(例如骸骨部植入物)或用作體部的固定件(例如假牙用固定件)。盡管本申請(qǐng)的余剩部分是針對(duì)牙科用植入物，但預(yù)料本發(fā)明同樣可以用于其他方面(例如醫(yī)療方面)的植入物。圖1示明標(biāo)準(zhǔn)的牙科用植入物10，它包括頭部12、最低端14與螺紋底部16。植入物10例如可由鈦、鉭、鈷、鉻、不銹鋼或它們的合金制成。預(yù)計(jì)也可以采用其他材料如陶瓷或陶瓷一鈦組合材料。下面討論的圖2a~c、圖3a~c與4a~b描述了同樣可用于本發(fā)明的其他植入物設(shè)計(jì)。在圖1的植入物10中，頭部12包括非旋轉(zhuǎn)性部件，這種非旋轉(zhuǎn)性部件包括多角形凸臺(tái)20，后者可與工具結(jié)合，將植入物IO擰入骨組織內(nèi)。在所示實(shí)施形式中，此多角形凸臺(tái)是六角形的。多角形凸臺(tái)20也可用來(lái)與接附于植入物10上的修復(fù)體或假體上取對(duì)應(yīng)外形的插孔作非旋轉(zhuǎn)的結(jié)合。上述螺紋底部16的外形便于與骨或牙齦結(jié)合。螺紋底部16包括圍繞植入物10形成許多圏的螺紋18。螺紋底部16還可包括具有逐漸增長(zhǎng)的切削刃17的自動(dòng)攻絲區(qū)，可讓植入物IO不需用骨絲錐而進(jìn)行安置。這類逐漸增長(zhǎng)的切削刃已詳迷于標(biāo)題為"自攻絲，螺絲型牙科用植入物"的美國(guó)專利No.5727943中，該專利的整體內(nèi)容已綜合于此供參考。圖2ac公開(kāi)了一種在切削刃17，的與界定螺紋底部16'外部輪廓的細(xì)節(jié)上與圖1中植入物IO不同的植入物36。從橫剖面中觀察(參看圖2a)，螺紋外表面16，在螺紋區(qū)和/或在螺紋之間的槽之中為非圓形的。這種類型的螺紋結(jié)構(gòu)詳述于標(biāo)題為"減少摩擦的螺紋型牙科用植入物"的美國(guó)專利No.5902109中，該專利的整體內(nèi)容已綜合于此供參考。在圖3a~c中，所示的植入物41在螺紋底部42的區(qū)域中有大的直徑。此直徑的范圍為約4.5咖~約6,0咖，對(duì)于大直徑的植入物，5.0咖的直徑是相當(dāng)普通的直徑。這類植入物41能用來(lái)結(jié)合一或兩個(gè)皮層骨以增強(qiáng)穩(wěn)定性，尤其是在裝入后的這段時(shí)間內(nèi)。圖4ab示明了可用于本發(fā)明的另一實(shí)施形式的植入物110。植入物110包括設(shè)計(jì)用來(lái)延伸通過(guò)牙齦的中間段114。此中間段最好具有包括氮化鈦涂層的光滑表面，這樣通過(guò)牙齦便不易看見(jiàn)此涂層下的鈦或鈦合金。植入物IIO還包括一可有不同的螺紋結(jié)構(gòu)的螺紋底部120,且最好加以糙化處理以改進(jìn)骨結(jié)合過(guò)程?？梢灶A(yù)料到有不同于圖l一4所示的那些植入物能夠用于本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明，使納米粒子淀積物覆蓋到植入物表面的至少一部分(例如螺紋底部)之上。在一種實(shí)施形式中，上述納米淀積物是一種可促進(jìn)植入物與骨科(例如人骨物質(zhì))之間骨結(jié)合的物質(zhì)。一種合適的物質(zhì)是磷酸釣物質(zhì)，例如羥磷灰石(HA)。在一實(shí)施形式中，上述納米粒子淀積物包括尺寸范圍從約IO納米至約150納米的HA納米晶體。在另一實(shí)施形式中，這種HA納米晶體具有的尺寸范圍為約20納米至約100納米。現(xiàn)參看圖5,其中表述了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的將磷酸鈣納米粒子淀積到植入物表面上的一般方法。于步驟S20G，提供植入物。于步驟S201,使此植入物表面的至少一部分粗糙化。作為例子，圖6示明具有糙面130的圖I中的植入物IO。然后于步驟S202,將包括著具有促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)的離散納米粒子淀積到此植入物的糙面上。參看圖7a，其中示明了形成本發(fā)明另一實(shí)施形式的植入物的另一一般方法。于步驟S250,提供了由鈦、鈦合金(例如鈦6AL-4VELI合金)、不銹鋼、陶乾或類似材料組成的植入物。然后于步驟S254,將包括著具有促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)的離散納米粒子(例如HA納米粒子)淀積到此植入物的糙面上。至此于步驟S258,可在反滲透/去離子(RO/DI)水中沖洗此植入物，除去殘留的溶劑與HA。最后于步驟S264干燥此植入物。參考圖7b，依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施形式，示明了將M納米粒子淀積到牙科用植入物表面上的更詳細(xì)方法。于步驟S300，提供了由鈦、鈦合金(例如鈥6AL-4VELI合金)、不銹鋼或類似材料制的螺紋式牙科用植入物。這種牙科用植入物的表面一般是清潔與干燥的。于步驟S301,將植入物的螺紋底部蝕刻，以從植入物表面除去天然氧化物層。這種天然氧化物層可以用能夠包括含水氫氟酸在內(nèi)的第一酸性溶液除去。然后于步驟S302對(duì)此螺紋底部進(jìn)行酸蝕刻以形成粗糙表面即糙面。上迷酸蝕刻步驟可以用包括硫酸與氫氟酸的混合物。此糙面形成微尺度不規(guī)則點(diǎn)的基本均勻的陣列，用來(lái)增強(qiáng)植入物與骨或其他生物界面的結(jié)合性。這里的"微尺度，，一詞應(yīng)理解為用來(lái)描述一般以微米度量的，例如1微米~100微米大小的物件或部件。上述不規(guī)則點(diǎn)可以包括微尺度的錐形件，一般所具有的峰一谷高不大于約20微米，而最好約1微米~約IO微米。這種應(yīng)用到工業(yè)純(CP)鈦上的糙化方法已詳述于題名為"植入物表面加工"的美國(guó)專利No.5876453中，它的整體內(nèi)容已綜合于此供參考。另一種應(yīng)用到鈦6AL-4VELI合金上的糙化方法，已詳述于題名為"鈦合金制植入物的表面處理方法"的美國(guó)申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2004/0265780,其整體內(nèi)容也綜合于此供參考。預(yù)計(jì)其他的表面糙化技術(shù)，包括(但不限于)噴砂與鈦等離子噴涂也是可以采用的。經(jīng)過(guò)上述酸蝕刻步驟后，于步驟S304可用熱的(例如70°C~IO(TC)去離子水沖洗植入物，除去任何的酸性殘留物，同時(shí)能增長(zhǎng)氫氧化鈦晶體點(diǎn)集。于步驟S306,HA納米晶體此時(shí)淀積于植入物的糙面上。這些納米晶體可以以膠體形式引入到植入物的糙面上。膠體形式的HA的代表性量值按重量百分?jǐn)?shù)計(jì)通常約為0.Ol至約l(例如0.10)。為了形成這種膠體，可讓HA納米晶體與2-甲氧基乙醇溶劑組成溶液，然后用超聲進(jìn)行分散和解凝集。此膠體溶液的pH可用氫氧化鈉，氫氧化銨或類似化合物調(diào)節(jié)到約7至約13。這樣，此膠體溶液可以包括HA納米晶體、2-甲氧基乙醇和一種pH調(diào)節(jié)劑(例如氬氧化銨和/或氫氧化鈉)。在配制HA納米晶體溶液時(shí)，可將原始的HA納米晶體物質(zhì)精制，以求得只有有限的晶體凝集的儲(chǔ)備溶液。根據(jù)一種方法，將BerkleyAdvancedBiomaterials(Berkley,California)制造的BABI-HAP-N20-EHA料干燥形成濾餅。然后用機(jī)^成方法將此濾餅》皮碎成細(xì)粉，繼后與2-甲氧基乙醇溶液組合。然后進(jìn)行超聲分散使HA納米晶體解凝集。再讓此溶液沉淀和傾析。將此已沉淀的溶液的上部用作制備淀積物溶液的儲(chǔ)備溶液。對(duì)此儲(chǔ)備溶液進(jìn)行測(cè)試以確認(rèn)粒度分布與HA濃度。如Nanotrac150(Microtrac,Inc.,NorthLargo,Florida)指出，合適的粒度分布(體積)具有小于150納米的D10(1/10°/。分布)、小于300納米的D50(1/5%分布)、小于900納米的D90(1/9%分布)。制備淀積物溶液時(shí)，是對(duì)在2-甲氧基乙醇中有適當(dāng)粒度的HA納米晶體的儲(chǔ)備溶液另加2-甲氧基乙醇，以獲得所需的濃度。2_甲氧基乙醇中這樣的一種濃度范圍按重量百分?jǐn)?shù)計(jì)是約0.08~約0.12。應(yīng)知如杲其他變數(shù)(例如浸沒(méi)時(shí)間與pH)變動(dòng)時(shí)，則上述HA的濃度可按重量百分?jǐn)?shù)計(jì)低于0.08或高于0,12。上述淀積物溶液可以用例如氫氧化銨調(diào)節(jié)其pH。較具堿性的溶液一般可加速淀積過(guò)程和會(huì)讓較大的粒子淀積到植入物表面上。氫氧化銨的合適濃度范圍按重量百分?jǐn)?shù)計(jì)可以從約0.05至約0.1。按重量計(jì)25%的上述pH已調(diào)淀積溶液與去離子水結(jié)合一般可以具有pH約9~約U。然后將HA納米晶體例如通過(guò)使植入物浸漬于所迷膠體溶液中而淀積到植入物的表面上。此溶液可在初始時(shí)攪拌，但在淀積過(guò)程中一般是不流動(dòng)的。植入物例如可在膠體溶液中浸沒(méi)幾個(gè)小時(shí)(例如2~4小時(shí))。這種淀積可一般在環(huán)境溫度下或較此略高或是略低的溫度下進(jìn)行。HA納米晶體是直接結(jié)合到氫氧化鈦和/或氧化鈦之上。浸沒(méi)時(shí)間與HA濃度是屬于影響HA納米晶體淀積到植入物表面上的若干因素之中的。將植入物浸沒(méi)于具有濃度約0.1重量百分?jǐn)?shù)的HA與pH約10的溶液中例如約10~約60分鐘，通常會(huì)使沉淀物覆蓋植入物的表面約40%~約60%。較長(zhǎng)的浸沒(méi)時(shí)間一般提供較大的覆蓋率而可于植入物表面上形成膜層或涂層。相反，較短的浸沒(méi)時(shí)間一般會(huì)降低淀積于植入物表面上的物質(zhì)量。具有較低濃度的HA納米晶體的溶液一般需要較長(zhǎng)的浸沒(méi)時(shí)間，而具有較高濃度的HA納米晶體的溶液則一般需求較短的浸沒(méi)時(shí)間。影響HA納米晶體淀積到植入物表面上的速率與數(shù)量的另一因素則是淀積物溶液的pH。此溶液的pH還會(huì)在某種程度上影響到淀積到植入物上的HA納米晶體的粒度。在酸性pH(即pH小于7)下，此淀積速率一般是低的而淀積到植入物表面上粒子的平均粒度普遍地減小。在中性pH(約7)，淀積發(fā)生得較慢。例如，若是采用HA濃度約0.1重量百分?jǐn)?shù)的淀積物溶液，為了獲得約40%~60%的覆蓋率則需將植入物浸沒(méi)于此溶液中約2小時(shí)~約4小時(shí)。此外，淀積到植入物表面上的粒子一般是較小的(約20納米)和較均勻。在高pH(即pH〉9)下，所淀積的HA的粒度一般較大，約20納米~約150納米。在HA濃度約0.1重量百分?jǐn)?shù)和pH大于約9的溶液中，處理時(shí)間一般較短，60分鐘的浸沒(méi)時(shí)間會(huì)獲得約40~約60%的淀積物覆蓋率。然后在步驟S308,于反向滲透/去離子(RO/DI)水中沖洗此植入物，除去殘余的溶劑與HA。再將植入物干燥(例如烘箱干燥)。在任選的步驟S310，于約80°C~約500。C的溫度范圍內(nèi)(例如在約IO(TC)對(duì)此植入物作熱固化處理。以燒結(jié)HA。至此可采用另外的步驟，來(lái)糾正在HA納米晶體淀積到植入物上的過(guò)程中可能會(huì)使植入的美觀受損的問(wèn)題。例如在步驟S312，于約40°C~約80'C的溫度范圍內(nèi)以去離子水沖洗植入物，除去任何會(huì)在植入物上形成的水污點(diǎn)。然后將此植入物干燥。于步驟S314，可將此植入物例如于約80°C~約50(TC溫度范圍內(nèi)以烘箱干燥。植入物表面可用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微檢查法(FESEM)觀察其特征。取決于相應(yīng)的電子顯微鏡的分辨率，通?？稍诔^(guò)1.0KX(例如30KX)的放大倍下觀察到納米粒子的淀積物。通過(guò)用計(jì)算機(jī)軟件進(jìn)行FESEM的圖像對(duì)比度作相位分析。可以分析離散納米結(jié)晶淀積物的覆蓋量。納米晶體對(duì)植入物表面的附著力可以通過(guò)功能測(cè)試確定，或通過(guò)新穎技術(shù)例如用原子力顯微鏡檢查法和納米計(jì)長(zhǎng)度標(biāo)尺碳化硅(Sin)校準(zhǔn)的射束，以金剛石覆蓋的探針或觸頭測(cè)試結(jié)合強(qiáng)度(例如剪切強(qiáng)度)。才艮據(jù)本發(fā)明的另一種方法，對(duì)植入物表面不首先作糙化處理而于其上淀積納米粒子(例如HA納米晶體)。在本實(shí)施形式中，對(duì)植入物作機(jī)加工，而它的最終表面與前述酸蝕刻步驟情形中的相比大致為光滑的。下面例1—10中涉及的膠體溶液是用前迷的方法制備的。在例1—10中，于HA納米晶體淀積到植入物的表面上后，在約IO(TC的溫度下將植入物用烘箱干燥。例1圖8a、8b是在HA納米晶體402淀積于CP鈦植入物400表面上后的掃描電子顯微鏡圖像。圖8a的圖像是用FESEM于10KX下攝取的。圖8b的圖像是用FESEM于30KX下攝取的。圖8a、8b所示植入物400的表面是用美國(guó)專利申請(qǐng)系列No.11/361286中所描述的，采用酸蝕刻法粗糙化以生產(chǎn)一種088601〃〗6@表面，該項(xiàng)申請(qǐng)文件的內(nèi)容已綜合于此供參考。此粗糙化方法形成的不規(guī)則點(diǎn)404具有的峰一谷高度不超過(guò)10微米。HA納米晶體402用膠體溶液淀積到植入物400的表面上。上述膠體溶液包括在2-曱氧基乙醇溶劑中的約0.07重量百分?jǐn)?shù)的HA。此植入物400浸沒(méi)在這種膠體中約4小時(shí)。在植入物400上形成HA納米晶體402的淀積物如圖8a、8b中所示。例2圖9a是掃描電子顯微鏡圖像，示明淀積到植入物500表面上后HA納米晶體502。圖9a中的植入物500由鈦6AL-4VELI合金組成。圖9a中所示植入物500的表面是用美國(guó)專利申請(qǐng)公告No.2004/0265780中描述的雙重蝕刻工藝粗糙化的，該申請(qǐng)文件內(nèi)容已綜合于此供參考。HA納米晶體502是用上述在2-曱氧基乙醇溶劑中包括約0.10重量百分?jǐn)?shù)的HA的膠體溶液淀積到植入物500的表面上。此植入物5D0在環(huán)境溫度下浸沒(méi)于上述膠體溶液中約150分鐘。于植入物500之上形成的HA納米晶體502示明于圖9a中。例3圖9b是掃描電子顯微鏡圖像，示明了淀積在鈦6AL-4VELI合金植入物550表面上的HA納米晶體。圖9b的圖像是用FESEM于30KX下攝取的。用來(lái)HA納米晶體552淀積到植入物550表面上的流程一般與例2中所用的類似。但與例2中流程不同的是，例3中膠體溶液的pH是用氫氣化銨調(diào)節(jié)到0.IO重量百分?jǐn)?shù)的氫氧化銨。當(dāng)在去離子的H20中于約25%的重量百分比測(cè)量時(shí)，此調(diào)節(jié)的溶液的PH值在9和10之間。此植入物550浸沒(méi)于環(huán)境溫度下的上述膠體溶液中約60分鐘，形成于植入物550表面上HA納米晶體552的淀積物示明于圖9b中。如圖9b所示，植入物550表面上的HA納米晶體552的淀積物與圖9a中植入物500上的類似。但植入物500的浸沒(méi)時(shí)間則短的多。這樣，業(yè)已證明，通過(guò)調(diào)節(jié)pH來(lái)形成較堿性的溶液，縮短了HA納米晶體552淀積到植入物表面上的時(shí)間。例4圖9c是掃描電子顯微鏡圖像，示明了淀積在鈦6AL-4VELI合金植入物600表面上的HA納米晶體602。附圖9c的圖像是用FESEM在30KX下獲取的。本例用來(lái)將HA納米晶體602淀積到植入物600上的流程類似于例3中所用的，但與例3中植入物550不同的是，圖9c所示植入物600表面不是粗糙化了的。相反，植入物600的表面經(jīng)過(guò)機(jī)加工，它的最終表面構(gòu)型在淀積有HA納米晶體602之前是大致光滑的。如圖9c所示，植入物600表面上的HA納米晶體602淀積物分別與圖9a、9b的植入物500、550的類似。這樣，在淀積之前不對(duì)植入物作粗糙化處理，也能是HA納米晶體合適地淀積于植入物表面上。例5圖9d是掃描顯微鏡圖像，示明了淀積到植入物650表面上的HA納米晶體652。圖9d的圖像是用FESEM于30KX下攝取的。用來(lái)將HA納米晶體652淀積到植入物650表面上的流程與例3中所用的類似。但圖9d中所用植入物650含有316不銹鋼，使之可以例如用在皮層螺旋上。此植入物表面在對(duì)其進(jìn)行淀積之前未作糙化處理。植入物650于環(huán)境溫度下浸沒(méi)與所述膠體溶液中約120分鐘。植入物650上形成的HA納米晶體652的淀積物示于圖9d中。如圖9d所示，淀積到植入物650表面上的HA納米晶體652的數(shù)量與圖9a—c中的類似。這樣，在含有異于鈦和鈦合金的金屬(例如不銹鋼)的植入物的表面上也可合適地淀積HA納米晶體。例6圖IO是掃描電子顯微鏡圖像，示明了淀積在植入物700表面上的HA納米晶體702。圖10中的圖像是用FESEM于30KX下攝取的。圖10中所用植入物700由鈥6AL-4VELI合金組成。圖IO所示植入物700的表面用美國(guó)專利申請(qǐng)公告No.2004/0265780中所述的雙重酸蝕刻法作糙化處理，該項(xiàng)申請(qǐng)文件的內(nèi)容已綜合于此供參考。HA納米晶體702是用包括在2-曱氧基乙醇溶劑中0.80重量百分?jǐn)?shù)的HA的膠體溶液淀積到植入物700的表面上。此膠體溶液的pH是以氫氧化銨調(diào)節(jié)到0.01重量百分?jǐn)?shù)的氫氧化銨。此已調(diào)溶液當(dāng)于去離子水中調(diào)整到約25重量百分?jǐn)?shù)時(shí)，它的pH測(cè)量值是在8與9之間。植入物700在約18"C的溫度下浸沒(méi)于上述膠體溶液中約55分鐘。形成于植入物700上HA納米晶體702的淀積物示明于圖10中。例6中的流程采用了較低濃度的HA納米晶體(即0.08重量百分?jǐn)?shù))和相當(dāng)?shù)偷臐舛鹊臍溲趸@(即0.01重量百分?jǐn)?shù))，但在植入物700表面上的HA納米晶體702則與圖9a—d中的類似。例7圖11是掃描電子顯微鏡圖像，示明淀積到植入物750表面上的HA納米晶體752。圖11中的圖像是用FESEM于30KX下攝取的。圖11中所用植入物750由鈥6AL-4VEU合金組成。圖11中所示植入物750的表面已用美國(guó)專利申請(qǐng)公告No.2004/0265780中所述雙重酸蝕刻法進(jìn)行過(guò)糙化處理，該申請(qǐng)文件的內(nèi)容已綜合于此供參考。HA納米晶體752是用在2-甲氫氧乙醇溶劑和/包括約0.12重量百分?jǐn)?shù)的膠體溶液淀積到植入物750的表面上。此膠體溶液的pH是用氬氧化銨調(diào)節(jié)到0.30重量百分?jǐn)?shù)的氫氧化銨。此已調(diào)溶液當(dāng)于去離子水中調(diào)整到約25重量百分?jǐn)?shù)時(shí)，它的pH測(cè)量值在10與11之間。植入物550于約3(TC的溫度下在此膠體溶液中浸沒(méi)約70分鐘。于植入物750上形成的HA納米晶體752示明于圖11中。例7流程中的HA納米晶體采用了比例6中HA納米晶體濃;l(即0.08重量百分?jǐn)?shù))為高的濃度(即O.12重量百分?jǐn)?shù))。例7的流程中與例6中相比也顯著地提高了氪氧化銨的濃度(即0,30重量百分?jǐn)?shù))，但植入物750表面上的HA納米晶體752的淀積物則與以前各例中的類似。例8例12a是掃描電子顯微鏡圖像，示明了淀積到植入物775表面上的HA納米晶體。圖12a的圖像是用FESEM于30KX下攝取的。圖12a中所用植入物775是由CP鈦組成。圖12a中所示植入物775的表面是用美國(guó)專利No.5876453中所述雙重酸蝕刻法作糙化處理的，該項(xiàng)專利的內(nèi)容已綜合于此供參考。HA納米晶體780是用在2-甲氧基乙醇溶劑中包括約0.1重量百分?jǐn)?shù)的HA的膠體溶液淀積到植入物775的表面上。此膠體溶液的pH是用氫氧化銨調(diào)節(jié)到0.05重量百分?jǐn)?shù)的氫氧化銨。此已調(diào)溶液當(dāng)于去離子水中調(diào)整到約25重量百分?jǐn)?shù)時(shí)，它的pH測(cè)量值在9與10之間。植入物775于環(huán)境溫度下在上述膠體溶液中浸沒(méi)約11.5分鐘。此11，5分鐘的浸沒(méi)時(shí)間于前述各例中的相比是較短的。因此，植入物775表面上所淀積的HA納米晶體量一般少于以前各例中的。例9圖12b是掃描電子顯微鏡圖像，示明了淀積到CP鈦植入物800表面.上的HA納米晶體。圖12b中的圖像是用FESES于30KX下攝取的。這里用來(lái)將HA納米晶體802淀積到植入物800表面上的流程類似于例8中所用的，但圖12b中所用的浸沒(méi)時(shí)間約為60分鐘。這樣，此浸沒(méi)時(shí)間比例8中的要長(zhǎng)。因此，淀積于植入物800表面上的HA納米晶體802的數(shù)量一般比例8中的多。例10圖12c是掃描電子顯微鏡圖像，示明了淀積到CP鈦植入物825表面上的HA納米晶體830。圖12c中的圖像是用FESEM于30KX下攝取的。用來(lái)將HA納米晶體830淀積到植入物825表面上的流程類似于例8與9中所用的，但圖12c中所用的浸沒(méi)時(shí)間約為240分鐘，因而浸沒(méi)時(shí)間遠(yuǎn)高于例8與9中的。這樣，淀積到植入物825表面上的HA納米晶體830的數(shù)量一般多于例8與9中的。例11圖13a是掃描電子顯微鏡圖像，示明了淀積到植入物850表面上的HA納米晶體852。圖13a的圖像是用FESEM于30KX下攝取的。圖13a中所示植入物850是由鈦6AL-4VELI組成。圖13a中所示植入物850的表面是用美國(guó)專利申請(qǐng)公告No.2004/0265780所述雙重酸蝕刻法進(jìn)行粗糙化的，此申請(qǐng)文件的內(nèi)容已綜合于此供參考。HA納米晶體852是用包括于2-曱氧基乙醇溶劑的約0.IO重量百分?jǐn)?shù)的膠體溶液淀積到植入物850的表面上。此膠體溶液中pH以氫氧化銨調(diào)節(jié)到0.05重量百分?jǐn)?shù)的氫氧化銨。植入物850在環(huán)境溫度下浸沒(méi)于此膠體溶液中約11.5分鐘。此植入物850上形成的HA納米晶體852的淀積物示明于圖13a中。浸沒(méi)時(shí)間11.5分鐘較低于以前各例中。因此，淀積于植入物850表面上的HA納米晶體852的數(shù)量一般較以前各例中的少。例12圖13b是掃描電子顯微鏡圖像，示明了淀積到鈦6AL-4VELI合金植入物875上的HA納米晶體880。圖13b的圖像是用FESEM在30KX下攝取的。這里用來(lái)將HA納米晶體880淀積到鈦6AL-4VELI合金植入物875表面上的流程與例11中所用的類似，但圖13b中所用的浸沒(méi)時(shí)間約為"分鐘。這樣，此浸沒(méi)時(shí)間便較例11中的長(zhǎng)。因此，淀積到植入物875表面上的HA納米晶體880上的數(shù)量一般多于例U中的。例13圖13c是掃描電子顯微鏡圖像，示明了淀積到鈦6AL-4VELI合金表面上的納米晶體902。圖13c的圖像是用FESEM于30KX下攝取的。這里用來(lái)將HA納米晶體902淀積到植入物900表面上的流程與例9中所用的類似，但圖13c中所用浸沒(méi)時(shí)間約為240分鐘。這樣，此浸沒(méi)時(shí)間比例11與12中所用的顯著地長(zhǎng)。因此，淀積到植入物900表面上的HA納米晶體902的數(shù)量一般較例U與12中的多。對(duì)動(dòng)物進(jìn)行的試驗(yàn)室試驗(yàn)進(jìn)行了動(dòng)物研究，以試驗(yàn)上面淀積有HA納米晶體的若干植入物的性能。此項(xiàng)研究采用了骨對(duì)植入物抗張強(qiáng)度試驗(yàn)，比較了兩個(gè)對(duì)照組與六個(gè)試驗(yàn)組的結(jié)果。對(duì)照組包括03360"16蝕刻的鈦合金(6AL-4VELI)植入物和工業(yè)純(CP)鈥植入物。有三個(gè)試驗(yàn)組包括Osseotite圾蝕刻的CP鈦植入物，其上淀積有HA納米晶體。其余的三個(gè)試驗(yàn)組包括03860"16蝕刻的鈥合金(6AL-4VELI)植入物，其上淀積有HA納米晶體。這些試驗(yàn)組在各有關(guān)植入物的HA納米晶體的覆蓋率不同(低度、中度與高度)。對(duì)這六個(gè)試驗(yàn)組與兩個(gè)對(duì)照組的各個(gè)試驗(yàn)了十二個(gè)植入物。CP鈦植入物，如圖12a-c中所示且在例8、9與10中描述到的CP鈦植入物775、800、825,也是本項(xiàng)研究中所試驗(yàn)的植入物之中。按照例8(圖12a)所制的植入物是在具有低度覆蓋率的08360"160鈦植入物的組中。按照例9(圖12b)所制的植入物是在具有中度覆蓋率的Osseotite⑧鈦6AL-4VELI植入物的組中。按照例10(圖Uc)所制的植入物是在具有高度覆蓋率的0sseotite⑧鈥6AL-4VELI植入物的組中。附圖13a-c所示的以及如上所示的例子11、12、13所述的如植入物850、875、900的鈦合金植入物也屬于研究中的測(cè)試的植入物。按照例11(圖13a)所制的植入物是在具有低度覆蓋率的0sseotite戀鈦6AL-4VELI植入物的組中。按照例12(圖13b)所制的植入物是在具有中度覆蓋率的Osseotite⑧鈦6AL-4VELI植入物的組中。按照例13(圖13c)所制的植入物是在具有高度覆蓋率的0sseoUte鈥6AL-4VELI植入物的組中。采用老鼠作為試驗(yàn)對(duì)象進(jìn)行抗張強(qiáng)度試驗(yàn)。用外科術(shù)將植入物于雙皮層方式下植入試驗(yàn)對(duì)象的兩個(gè)股骨中。然后封閉植入點(diǎn)，讓它經(jīng)過(guò)九曰來(lái)愈合，在此之后，試驗(yàn)對(duì)象犧牲了。然后取出試驗(yàn)對(duì)象的股骨，加工出骨一植入物橫切片用于抗張強(qiáng)度試驗(yàn)。再將金屬絲通過(guò)此植入物兩側(cè)上的骨髄腔。隨即將植入物固定于InstronCorporation(Burlington,Ontario)制的Instron⑧萬(wàn)能試驗(yàn)系統(tǒng)上。以漸增的力垂直地上拉此金屬絲，直至所述骨從植入物上破碎脫離下來(lái)。以牛頓(N)為單位測(cè)量了在破碎之前的力的最大量值。然后將植入物轉(zhuǎn)過(guò)180°而對(duì)此植入物的另一側(cè)重復(fù)此試驗(yàn)。這樣，對(duì)各植入物作了兩次試驗(yàn)。試驗(yàn)結(jié)果指明了對(duì)照組與各相應(yīng)試驗(yàn)組平均值之間的統(tǒng)計(jì)性顯著差(95%置信度)。各0sseotite⑧鈥合金含6AL-4VELI植入物試驗(yàn)組(低度、中度與高度覆蓋率)，分別需要IO.8N(n=23,n為植入物個(gè)數(shù)，標(biāo)準(zhǔn)離差=5.32)、14，lN(n-24，標(biāo)準(zhǔn)離差=5.98)與12.8N((n=23,標(biāo)準(zhǔn)離差=4.78)的力以使上述骨從植入物上破碎分離開(kāi)。各Osseotite⑧CP鈦試驗(yàn)組(低度、中度與高度覆蓋率)的平均值分別需要8.2N(n=24，標(biāo)準(zhǔn)離差=4.21)、10.5N(n=24,標(biāo)準(zhǔn)離差=4.38)與11,6N(n=24，標(biāo)準(zhǔn)離差=4.89)較大的力，以使上述骨從植入物上破碎分離開(kāi)。各Osseotite吸鈥合金6AL-4VELI植入物試驗(yàn)組(低度、中度與高度覆蓋率)的平均值分別要求157%、235/與204°/。較大的力，以使上述骨從植入物上破碎分離開(kāi)。各08860〃16CP鈦試驗(yàn)組(低度、中度與高度覆蓋率)的平均值分別要求901%、1178%與1319%較大的力，以使上述骨從植入物上破碎分離開(kāi)。這樣，證明了任何程度的HA納米晶體覆蓋率(即低度、中度與高度)都有助于改進(jìn)植入物的性能，而具有中度與高度覆蓋率的納米晶體淀積物則已證明其性能稍優(yōu)于低度覆蓋率的。對(duì)人體臨床試驗(yàn)的初步結(jié)果進(jìn)行了對(duì)人體的有關(guān)研究以比較其上具有和不具有HA納米晶體的兩種植入物的性能。此項(xiàng)研究中用到的所有植入物都定制成2咖x10mm0sseotite⑧鈥合金5AL"VELI現(xiàn)場(chǎng)評(píng)估植入物(SEI),它們包括有以前定義過(guò)的那種蝕刻成的糙面。對(duì)照組包括十六個(gè)未經(jīng)進(jìn)一步處理的SEI(對(duì)照用SEI),試驗(yàn)組包括十六個(gè)在其糙面上淀積有離散的HA納米晶體的SEI(試驗(yàn)用SEI)。臨床試驗(yàn)中用到的議定書(shū)得到了Chieti-Pescara大學(xué)倫理學(xué)委員會(huì)的認(rèn)可，所有的病人都提供了書(shū)面的同意文件。為使骨密度與病人生態(tài)的差異得到抵消與最小化，在十五個(gè)病人的各個(gè)之中設(shè)置有一個(gè)對(duì)照用SEI和一個(gè)試驗(yàn)用SEI。這十五個(gè)病人之一安裝有另加的一個(gè)對(duì)照用SEI和一個(gè)試驗(yàn)用SEI,總共四個(gè)SEI(表1中的病人No.11)。這些SEI是用隨機(jī)方式設(shè)置的，或是緊鄰地相互在上頜骨的同側(cè)，或是在對(duì)側(cè)定位。經(jīng)過(guò)8土1周的醫(yī)治，對(duì)各個(gè)SEI附以一個(gè)指示標(biāo)，然后用4咖內(nèi)徑的圓柱將這些SEI取下。最后在光學(xué)顯微鏡與共焦激光掃描顯微鏡下進(jìn)行了評(píng)估。在對(duì)照用SEI與試驗(yàn)用SEI之間觀察到顯著差。例如在對(duì)照用SEI中所作的組織結(jié)構(gòu)觀察中，示明在與植入物螺紋整個(gè)周邊不常直接接觸的植入物表面周圍有新骨形成。另一方面，在試驗(yàn)用SEI中新形成的骨則是與植入物表面緊密接觸，完全與植入物表面的微不規(guī)則點(diǎn)適配。對(duì)各對(duì)照用SEI與試驗(yàn)用SEI進(jìn)行了骨一植入物接觸點(diǎn)、組織形態(tài)測(cè)量學(xué)分析。分析結(jié)果匯總于下面的表l表1<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>如表1所示，試驗(yàn)的初始結(jié)果表明，在對(duì)照用SEI與試驗(yàn)用SEI的平均值之間存在統(tǒng)計(jì)性顯著差。在一個(gè)對(duì)照用SEI(病人No.15)與一個(gè)試驗(yàn)用SEI(病人No.2)之中，疑可能存在人為的切削品，它們已都除去掉而不涉及任何周圍的骨(BIC=0)。除去上述病人，對(duì)照用SEI的平均BIC值為19.0(n=14，標(biāo)準(zhǔn)離差-14.18),而試驗(yàn)用SEI的平均BIC值為32.2(n=14,標(biāo)準(zhǔn)離差=18.49)。這樣上面淀積HA納米晶體試驗(yàn)用SEI顯現(xiàn)出有顯著優(yōu)于對(duì)照SEI的性能。根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方法，磷酸鈣的納米粒子可直接與植入物表面上形成的氧化鈦和/或氫氧化鈦層結(jié)合。于是，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)之一是它不需要中間分子(例如醇鹽，或三官能硅烷如氨基丙基三乙氧基硅烷)來(lái)將納米粒子結(jié)合到植入物上。再有，這種納米粒子是用一步過(guò)程使植入物的糙面暴露于包括此納米粒子的膠體溶液而進(jìn)行淀積。雖然本發(fā)明已相對(duì)接觸骨組織的植入物部分作了一般描述，但應(yīng)知這里說(shuō)明的蝕刻、酸蝕刻、粗糙化與淀積等操作也可施行于整個(gè)植入物之上。盡管本發(fā)明業(yè)已對(duì)照一或多個(gè)具體實(shí)施形式作了說(shuō)明，但內(nèi)行的人將認(rèn)識(shí)到在不脫離本發(fā)明的精神與范圍的前提下可以作出許多變更，各個(gè)這些實(shí)施形式極其明顯的變動(dòng)都應(yīng)認(rèn)為是在此所申請(qǐng)的發(fā)明的精神與范圍之內(nèi)，而本發(fā)明的范圍則列述于下面的權(quán)利要求書(shū)中。權(quán)利要求1.擬用來(lái)植入活骨內(nèi)的植入物的形成方法，此方法包括下述步驟將此植入物表面至少一部分粗糙化以產(chǎn)生出微尺度的糙面；通過(guò)將此糙面暴露于包括納米粒子的溶液中的一步過(guò)程，使離散的納米粒子淀積到此糙面之上，所述納米粒子包括具有促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)。2.權(quán)利要求1的方法，其中所述植入物是由選自包括鉭、鈷、鉻、鈦、不銹鋼或它們的含金的這個(gè)組中的金屬制備的。3.權(quán)利要求2的方法，其中所述金屬包括鈦。4.權(quán)利要求4的方法，其中所述植入物是由包括陶瓷在內(nèi)的材料制備的。5.權(quán)利要求1的方法，其中所述植入物是牙科用植入物。6.權(quán)利要求5的方法，其中所述植入物表面的所述部分是便于與骨結(jié)合的螺紋底部。7.權(quán)利要求1的方法，其中所述植入物是由鈦制備，而所述將植入物表面糙化的步驟包括從植入物表面除去天然氧化物；對(duì)此所得表面進(jìn)行酸蝕刻。8.權(quán)利要求1的方法，其中所述將植入物表面粗糙化的步驟形成了不規(guī)則點(diǎn)，這類不規(guī)則點(diǎn)所具的峰一谷高度不大于約20微米。9.權(quán)利要求8的方法，所迷納米粒子包括尺寸約20納米~約100納米的羥磷灰石。10.權(quán)利要求9的方法，其中所述溶液還包括2-曱氧基乙醇溶劑。11.權(quán)利要求9的方法，其中所述淀積羥磷灰石的步驟還包括調(diào)節(jié)所述溶液的pH。12.權(quán)利要求11的方法，其中所述調(diào)節(jié)溶液的pH包括使用氫氧化銨。13.權(quán)利要求ll的方法，其中所述pH調(diào)節(jié)到約9~約11。14.權(quán)利要求10的方法，此方法在淀積步驟之后還包括以反向滲透/去離子水沖洗植入物。15.權(quán)利要求14的方法，此方法還包括熱固化此植入物以燒結(jié)淀積的羥磷灰石納米晶體。16.權(quán)利要求14的方法，此方法還包括下述步驟于去離子水中沖洗此纟直入物；干燥此植入物。17.權(quán)利要求14的方法，其中在淀積羥磷灰石之前，此方法還包括于去離子水中沖洗植入物。18.鈦或鈦合金制植入物的形成方法，此方法包括下述步驟蝕刻出此植入物的至少一個(gè)螺紋底部以除去天然氧化物層。對(duì)上述螺紋底部進(jìn)行酸蝕刻以形成粗糙化表面，此糙面具有由微尺度不規(guī)則點(diǎn)組成的基本均勻的陣列，這些不規(guī)則點(diǎn)的峰一谷高度不大于約20微米；對(duì)此糙面不作預(yù)處理，通過(guò)將其暴露于包括2-甲氧基乙醇溶劑與羥磷灰石組成的溶液中，使離散的羥磷灰石納米晶體淀積到此糙面上。19.權(quán)利要求18的方法，其中所述峰一谷高度從約1微米至約10微米。20.權(quán)利要求19的方法，其中所述蝕刻、酸蝕刻與粗糙化是在將與骨或牙齦接觸的所有表面上進(jìn)行。21.權(quán)利要求18的方法，此方法還包括在所述暴露于溶液中之前調(diào)節(jié)此溶液的pH。22.權(quán)利要求21的方法，其中所述調(diào)節(jié)溶液的pH的步驟包括采用氫氧化銨。23.權(quán)利要求21的方法，其中所述pH調(diào)節(jié)到約9~約11。24.權(quán)利要求18的方法，其中所述羥磷灰石納米晶體具有的尺寸為約20納米~約IOO;微米。25.權(quán)利要求18的方法，此方法在所述酸蝕刻步驟之后和所述淀積羥磷灰石納米晶體之前還包括有一或多道清潔或沖洗步驟。26.權(quán)利要求25的方法，其中所述沖洗步驟包括于去離子水中沖洗此植入物。27.權(quán)利要求18的方法，此方法還包括于反向滲透/去離子水中沖洗此植入物的步驟。28.權(quán)利要求27的方法，此方法還包括熱固化此植入物以燒結(jié)羥磷灰石納米晶體。29.權(quán)利要求27的方法，此方法還包括下述步驟于去離子水中沖洗此植入物；干燥此植入物。30.權(quán)利要求18的方法，其中所述不規(guī)則點(diǎn)包括錐形件。31.權(quán)利要求18的方法，其中所述天然氧化物層是用第一酸性溶液除去。32.權(quán)利要求31的方法，其中所述第一酸性溶液是含水的氫氟酸，而所述酸性蝕刻步驟中包括使用硫酸與氫氧酸的混合物。33.于植入物上形成納米結(jié)晶表面的方法，此方法包括下述步驟將此植入物表面的至少一部分粗糙化以形成糙面；不于此糙面上形成醇鹽，于此糙面上淀積納米晶體，此種納米晶體包括具有能促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)。34.權(quán)利要求33的方法，其中所述植入物是由選自包括鉭、鈷、鈥、不銹鋼或它們的合金的這個(gè)組中的金屬制備的。35.權(quán)利要求33的方法，其中所述金屬包括鈦。36.權(quán)利要求33的方法，其中所述植入物是由包括陶乾在內(nèi)的材料制成。37.權(quán)利要求33的方法，其中所述植入物是牙科用植入物。38.權(quán)利要求37的方法，其中所述植入物表面的所述部分是便于與骨結(jié)合的螺紋底部。39.權(quán)利要求33的方法，其中所迷將植入物表面粗糙化的步驟包括從此植入物表面除去天然氧化物層；對(duì)所得到的表面進(jìn)行酸獨(dú)刻。40.權(quán)利要求33的方法，其中所述使植入物表面粗糙化的步驟形成了不規(guī)則點(diǎn)，這些不規(guī)則點(diǎn)具有的峰一谷高度不大于約20微米。41.權(quán)利要求33的方法，其中所述納米晶體包括羥磷灰石，這種納米晶體的大小為約20納米~約100納米。42.權(quán)利要求41的方法，其中所述淀積羥磷灰石納米晶體的步驟還包括使用2-甲氧基乙醇溶劑與羥磷灰石納米晶體組成的溶液。43.權(quán)利要求42的方法，其中所述淀積羥磷灰石納米晶體的步驟還包括調(diào)節(jié)此溶液的pH。44.權(quán)利要求43的方法，其中所述調(diào)節(jié)溶液的pH的步驟包括使用氬氧化銨。45.權(quán)利要求43的方法，其中所述pH調(diào)節(jié)到約9至約11之間。46.權(quán)利要求33的方法，此方法還包括于反向滲透/去離子水中沖洗植入物的步驟。47.權(quán)利要求46的方法，此方法還包括熱固化此植入物以燒結(jié)淀積羥磷灰石納米晶體的步驟。48.權(quán)利要求46的方法，此方法還包括下述步驟于去離子水中沖洗此植入物；干燥此植入物。49.權(quán)利要求46的方法，其中此方法是包括在羥磷灰石淀積之前以去離子水沖洗此植入物的步驟。50.牙科用植入物，它包括具有非旋轉(zhuǎn)性部件的頭部；與此頭部相對(duì)峙的最低端；以及用來(lái)與此頭部與最低端之間的骨結(jié)合的螺紋底部，此螺紋底部具有由峰一谷高度不大于約20微米的不規(guī)則點(diǎn)組成大致均勻陣列的糙面。此螺紋底部還包括位于此糙面上的離散的納米粒子，這種納米粒子包括羥磷灰石納米粒子。51.權(quán)利要求50的植入物成之組中的金屬制成。52.權(quán)利要求50的植入物料制成。53.權(quán)利要求50的植入物20納米~約100納米。54.權(quán)利要求50的植入物括醇鹽或三官能硅烷。55.擬用來(lái)植入活骨內(nèi)的植入物的形成方法，此方法包括通過(guò)使植入物表面暴露于溶液中的一步過(guò)程將離散的納米粒子淀積到此表面之上的步驟，而這種納米粒子包括具有可促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)。56.權(quán)利要求55的方法，其中所述植入物是由鈦制成。57.權(quán)利要求55的方法，其中所述植入物是由包括陶瓷材料在內(nèi)的材料制成。58.于植入物上形成納米結(jié)晶表面的方法，此方法包括下述步驟提供金屬基片；將此基片的至少一部分浸沒(méi)于具有約irc~約32。C溫度范圍的膠體溶液中約11.5分鐘~約240分鐘，此膠體溶液包括2-甲氧基乙醇溶劑，以及濃度范圍相對(duì)于整個(gè)溶液的重量百分?jǐn)?shù)為約0.1至約1的許多羥磷灰石納米晶體；,其中所述植入物是由選自鈦與鈦合金所,其中所述植入物是由包括陶瓷在內(nèi)的材，其中所述鞋磷灰石納米晶體的大小為約,其中所述置納離散納米粒子的糙面不包上述膠體溶液的pH調(diào)節(jié)到約9~約11。59.用來(lái)擬植入到活骨內(nèi)的植入物的形成方法，此方法包括下述步驟；提供植入物；通過(guò)使此植入物表面暴露于溶液中的一步過(guò)程將離散的納米粒子淀積到此表面上，而此納米粒子包括具有可促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)的納米粒子；干燥此植入物。全文摘要公開(kāi)了用來(lái)植入活骨內(nèi)的植入物的形成方法。此方法包括使植入物表面的至少一部分糙化以產(chǎn)生微尺度的糙化表面的步驟。此方法還包括這樣的步驟通過(guò)將糙化表面暴露于包括離散納米粒子溶液中的一步過(guò)程，將這種離散的納米粒子淀積于此糙化的表面上。此種納米粒子包括具有促進(jìn)骨結(jié)合性質(zhì)的物質(zhì)的粒子。文檔編號(hào)A61L2/00GK101340935SQ200680042514公開(kāi)日2009年1月7日申請(qǐng)日期2006年11月10日優(yōu)先權(quán)日2005年11月14日發(fā)明者B·伯克曼斯三世,R·L·麥菲爾德,R·W·陶斯申請(qǐng)人:拜奧美特3i公司