專利名稱：一種制漿機(jī)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制漿機(jī)，特別是一種加熱時能攪拌的制漿機(jī)電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在市場上銷售的制漿機(jī)(包括豆?jié){機(jī)，米糊機(jī)等)由于電路的設(shè)置，只 具有單一的加熱和攪拌功能，也就是說，制漿機(jī)在發(fā)熱盤工作的同時電機(jī)不能 工作。由于制漿機(jī)在加熱的時候不能攪拌，這樣容易導(dǎo)致制漿物料發(fā)生糊管(采 用發(fā)熱管制漿機(jī))或糊底(采用發(fā)熱盤的制漿機(jī))的現(xiàn)象，不僅減少了制漿機(jī) 的使用壽命，長期食用糊管或糊底的漿體也不利于消費(fèi)者的健康。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處，提供了一種在加熱的同 時電機(jī)也能工作的制漿機(jī)的電路。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明包括如下技術(shù)方案 一種制漿機(jī)電路，包
括控制單元、執(zhí)行單元和電源單元，所述控制單元包括中央處理芯片，所述執(zhí)
行單元包括并聯(lián)的電機(jī)和電加熱裝置；電機(jī)串聯(lián)有一個雙向可控硅，電加熱裝
置串聯(lián)有第二繼電器；所述中央處理芯片通過光耦控制電路與雙向可控硅連接， 所述中央處理芯片通過第二繼電器控制電路與電加熱裝置連接；所述控制單元
包括與中央處理芯片連接用于檢測電源信號的過零檢測電路。
為了使用的安全和認(rèn)證的需要，所述執(zhí)行單元還包括與并聯(lián)的電機(jī)和電加 熱裝置相串聯(lián)的第一繼電器；所述中央處理芯片通過第一繼電器控制電路與第
一繼電器連接。
所述電源單元包括整流濾波電路和線性集成穩(wěn)壓器，所述整流濾波電路與 線性集成穩(wěn)壓器連接。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明電路可以通過第一繼電器、第二繼電器和可控硅 來控制發(fā)熱管加熱及電機(jī)慢速轉(zhuǎn)動，即一邊加熱一邊攪拌，以達(dá)到不燒糊的目 的。另外，本電路通過第一繼電器及雙向可控硅來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動，由于電路中 有過零檢測電路，所以可以實(shí)現(xiàn)無級調(diào)速，以達(dá)到慢速啟動或慢速攪拌的目的。 由本電路控制的制漿機(jī)在加熱的同時能對制漿物料進(jìn)行粉碎和攪拌，因此還可 提高出漿率，使制作出來的漿體更美味。


圖1是本發(fā)明電路較佳實(shí)施例的控制單元電路圖； 圖2是發(fā)明電路較佳實(shí)施例的執(zhí)行單元電路圖； 圖3是本發(fā)明電路較佳實(shí)施例的電源單元電路圖； 圖4是發(fā)明電路較佳實(shí)施例的無級調(diào)速波形圖。 圖中省略了與本發(fā)明無關(guān)的部件。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
如圖1至圖3所示，為本發(fā)明電路較佳實(shí)施例的線路圖。包括中央處理芯 片U3，與屮央處理芯片U3連接的用于檢測電源信號的過零檢測電路8，與中 央處理芯片U3連接的第一繼電器K1及第一繼電器控制電路9，與中央處理芯 片U3連接的第二繼電器K2及第一繼電器控制電路7，以及與中央處理芯片U3 連接的用于控制雙向可控硅T1開合的光耦控制電路6。如圖1為本發(fā)明控制單元1的電路圖。本實(shí)施例中中央處理芯片采用單片
機(jī)，型號為SN8P2613，晶振頻率為4MHZ，單片機(jī)的引腳7與過零檢測電路8 連接，單片機(jī)的13、 14引腳分別接晶振的兩個腳，晶振頻率為4MHZ， 5腳接 單片機(jī)的輸入電源。
如圖2為本發(fā)明執(zhí)行單元2的電路圖。包括作為電源總開關(guān)的第一繼電器 Kl,相互并聯(lián)的電機(jī)4和電發(fā)熱裝置5;其中電機(jī)4串聯(lián)有一雙向可控硅T1， 光耦控制電路6控制雙向可控硅Tl的開合，光耦控制電路6的一端與單片機(jī) U3的引腳12連接，另一端與電源電路連接；與電發(fā)熱裝置5串聯(lián)有第二繼電 器K2，單片機(jī)U3配合功率放大電路，通過繼電器K1， K2的通斷去實(shí)現(xiàn)弱電 對強(qiáng)電的控制功能的。當(dāng)繼電器K1通電，發(fā)熱裝置及電機(jī)的公共開關(guān)閉合，發(fā) 熱裝置及電機(jī)的一端得電。在發(fā)熱裝置及電機(jī)的公共開關(guān)閉合情況下，當(dāng)繼電 器K2通電，電發(fā)熱裝置5通電并工作。圖中與三極管基極相連的電阻R11、R13 起到一個限流的作用，與繼電器并聯(lián)的二極管D7、 D9起到一個當(dāng)繼電器關(guān)斷 時續(xù)流的作用，以使系統(tǒng)更為穩(wěn)定。
如圖3為本發(fā)明電源單元3的電路圖。電源由J1、 J2輸入，通過變壓器T 降壓為低電壓后，經(jīng)過整流濾波電路IO，線性集成穩(wěn)壓器11為芯片提供穩(wěn)定的 低電壓。本實(shí)施例中的線性集成穩(wěn)壓器U1為78L05線性集成穩(wěn)壓器，F(xiàn)l為保 險管，當(dāng)電路發(fā)生短路異常情況時，保險管斷開，從而保護(hù)了電機(jī)、芯片等。 Rl為壓敏原件，當(dāng)電壓發(fā)生異常時，壓敏電阻短路或起作用，從而保護(hù)電路其 他部分的安全。
本實(shí)施例中的電加熱器工作原理如下
中央處理芯片U3輸出一個高電位到RELAY1，這個高電位會通過電阻Rll
驅(qū)動三極管Q1導(dǎo)通，R12為負(fù)反饋電阻，當(dāng)Q1導(dǎo)通后，Ql-C的電勢為低，這 樣，在繼電器K1的線圈上就有一個+12V的壓降，繼電器K1就會動作，開關(guān) 閉合，這時L-HEAT與L-F1連接在了一起，同時中央處理芯片U3輸出一個高 電位到RELAY2，這個高電位會通過電阻R13驅(qū)動三極管Q2導(dǎo)通，R14為負(fù)反 饋電阻，當(dāng)Q2導(dǎo)通后，Q2-C的電勢為低，這樣，在繼電器K2的線圈上就有一 個+12V的壓降，繼電器K2就會動作，開關(guān)閉合，這時N-HEAT與N-LINE連 接在了一起。這樣，發(fā)熱管的一端L-HEAT是市電的火線， 一端N-HEAT是市 電的零線，發(fā)熱管兩端壓降約為220VAC，從而實(shí)現(xiàn)了加熱功能。 本實(shí)施例中的電機(jī)的工作原理如卜
中央處理芯片U3輸出一個高電位到RELAY1，這個高電位會通過電阻Rll 驅(qū)動三極管Q1導(dǎo)通，R12為負(fù)反饋電阻，當(dāng)Q1導(dǎo)通后，Ql-C的電勢為低，這 樣，在繼電器K1的線圈上就有一個+12V的壓降，繼電器K1就會動作，開關(guān) 閉合，這時M1與L-F1連接在了一起，同時中央處理芯片U3輸出一個低電位 到MC， U2的發(fā)光LED得電發(fā)光，使得U2-6與T1-G連接在了一起，Tl的控 制極G通過R17得電，Tl導(dǎo)通，這時M2與N-LINE連接在了一起。這樣，電 機(jī)的一端M1是市電的火線,一端M2是市電的零線，電機(jī)兩端壓降約為220VAC， 從而實(shí)現(xiàn)了運(yùn)轉(zhuǎn)的功能。
由上可知
1、 要實(shí)現(xiàn)發(fā)熱管單獨(dú)加熱，中央處理芯片U3要給高電位給RELAY1、 RELAY2，但不可給低電位給MC，也就是說這時要給高電位給MC。
2、 要實(shí)現(xiàn)電機(jī)單獨(dú)轉(zhuǎn)動，中央處理芯片U3要給高電位給RELAY1，給低 電位給MC，但不可給高電位給RELAY2，也就是說這時要給低電位給REALY2。
3、 要實(shí)現(xiàn)發(fā)熱管加熱的同時電機(jī)轉(zhuǎn)動，中央處理芯片U3要給高電位給 RELAY1、 RELAY2，同時要給低電位給MC。
4、 要實(shí)現(xiàn)發(fā)熱管不加熱，電機(jī)也不轉(zhuǎn)動，中央處理芯片U3要給低電位給 RELAY1、 RELAY2，同時要纟合高電位給MC。
本發(fā)明還可實(shí)現(xiàn)電機(jī)的無級調(diào)速功能。
本電路中的電源單元3使用了隔離變壓器T， D5-T是一個交流信號，它隨 著輸入市電的變化而變化，中央處理芯片U3通過R8檢測D5-T的信號，就可 以知道輸入市電是什么時候過零，中央處理芯片U3再給高電位RELAY1，驅(qū)動 Kl動作后，M1與L-F1連接，再通過程序來延遲一定時間后給低電位到MC， 讓T1導(dǎo)通，M2與N-LINE連接，這樣就實(shí)現(xiàn)了給電機(jī)馬達(dá)加上一定時間電壓 的功能，從而實(shí)現(xiàn)了調(diào)速的功能。
本發(fā)明的無級調(diào)速波形如圖4所示。
圖中的縱向坐標(biāo)是電壓，橫向坐標(biāo)是時間，因?yàn)槭?0HZ的交流電，所以一 個周期是20MS (毫秒)。假設(shè)中央處理芯片U3是在交流市電波形的A1、 A2、 A3、 A4處檢測到過零。當(dāng)中央處理芯片U3在交流市電波形的Al處檢測到過 零時，中央處理芯片U3給高電平到MC，再延時一段時間，假設(shè)中央處理芯片 U3在B點(diǎn)時(即16MS處)轉(zhuǎn)為給低電平到MC，開通T1，開通約0.5MS后 再給高電平到MC，由可控硅的特性可知，當(dāng)可控硅導(dǎo)通后，只有在電流少于可 控硅的維持電壓后，可控硅才會關(guān)斷，即在20MS處過零時才會關(guān)斷。同樣， 在A2處中央處理芯片U3再次檢測到過零時，假設(shè)MCU再延時一段時間在C 點(diǎn)處(26MS處)開通可控硅，在30MS處過零時再次關(guān)斷。如此類推A3、 A4..........。這樣，加在電機(jī)上的電壓的有效值就是圖屮的陰影部分，我們通過
調(diào)整開通可控硅的時間，就可以實(shí)現(xiàn)調(diào)整陰影部分的面積的大小，也就實(shí)現(xiàn)了 加在電機(jī)上的電壓的有效值的大小，從而實(shí)現(xiàn)了無級調(diào)速的功能。
權(quán)利要求
1.一種制漿機(jī)電路，包括控制單元(1)、執(zhí)行單元(2)和電源單元(3)，所述控制單元(1)包括中央處理芯片(U3)，所述執(zhí)行單元(2)包括并聯(lián)的電機(jī)(4)和電加熱裝置(5)，其特征在于電機(jī)(4)串聯(lián)有一個雙向可控硅(T1)，電加熱裝置(5)串聯(lián)有第二繼電器(K2)；所述中央處理芯片(U3)通過光耦控制電路(6)與雙向可控硅(T1)連接，所述中央處理芯片(U3)通過第二繼電器控制電路(7)與電加熱裝置(5)連接；所述控制單元(1)包括與中央處理芯片(U3)連接用于檢測電源信號的過零檢測電路(8)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述制漿機(jī)電路，其特征在于所述執(zhí)行單元(2)還包 括與并聯(lián)的電機(jī)(4)和電加熱裝置(5)相串聯(lián)的第一繼電器(Kl);所述中央 處理芯片(U3)通過第一繼電器控制電路(9)與第一繼電器(Kl)連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述制漿機(jī)電路，其特征在于所述電源單元(3)包括 整流濾波電路(10)和線性集成穩(wěn)壓器(11)，所述整流濾波電路(10)與線性 集成穩(wěn)壓器(11)連接。
全文摘要
一種制漿機(jī)電路，包括控制單元、執(zhí)行單元和電源單元，所述控制單元包括中央處理芯片，所述執(zhí)行單元包括并聯(lián)的電機(jī)和電加熱裝置，其中電機(jī)串聯(lián)有一個雙向可控硅，電加熱裝置串聯(lián)有第二繼電器；所述中央處理芯片通過光耦控制電路與雙向可控硅連接，所述中央處理芯片通過第二繼電器控制電路與電加熱裝置連接；所述控制單元包括與中央處理芯片連接用于檢測電源信號的過零檢測電路。由于電路中有雙向可控硅和過零檢測電路，所以可實(shí)現(xiàn)無級調(diào)速，以達(dá)到慢速啟動、慢速停止或慢速攪拌的目的。由于本電路控制的制漿機(jī)在加熱的同時能對制漿物料進(jìn)行粉碎和攪拌，避免漿物料糊管和糊底，還可提高出漿率，使制作出來的漿體更美味。
文檔編號A23C11/10GK101354573SQ20081019816
公開日2009年1月28日 申請日期2008年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月29日
發(fā)明者王曉華 申請人:美的集團(tuán)有限公司