中所描述的臨時(shí)專利申請案61/745981)分析。
[0072]通常針對使用一個(gè)或多個(gè)方法(例如計(jì)算硬件的設(shè)計(jì)及實(shí)施、平行化、計(jì)算的分布、負(fù)載平衡、多服務(wù)支持、動態(tài)負(fù)載最優(yōu)化等)的計(jì)量應(yīng)用使計(jì)算算法最優(yōu)化。算法的不同實(shí)施方案可在固件、軟件、FPGA、可編程光學(xué)器件組件等中進(jìn)行。
[0073]數(shù)據(jù)分析及擬合步驟可用于追求以下目標(biāo)中的一者:質(zhì)量測量、缺陷數(shù)目、CD、SWA、形狀、應(yīng)力、組合物、膜、帶隙、電性質(zhì)、焦點(diǎn)/劑量、疊加、產(chǎn)生過程參數(shù)(例如抵抗?fàn)顟B(tài)、分壓力、溫度、聚焦模型)及/或其任一組合;計(jì)量系統(tǒng)的模型化及/或設(shè)計(jì)；以及計(jì)量目標(biāo)的模型化、設(shè)計(jì)及/或最優(yōu)化。
[0074]此處呈現(xiàn)的本發(fā)明的某些實(shí)施例一般來說針對半導(dǎo)體計(jì)量及過程控制的領(lǐng)域，且不限于硬件、算法/軟件實(shí)施方案及架構(gòu)，且使用上文所概述的案例。
[0075]雖然已出于理解清楚的目的而相當(dāng)詳細(xì)地描述了前述發(fā)明，但將了解，可在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)實(shí)踐某些改變及修改。應(yīng)注意，存在實(shí)施本發(fā)明的過程、系統(tǒng)及設(shè)備的許多替代方式。因此，本發(fā)明實(shí)施例應(yīng)被視為說明性而非限定性的，且本發(fā)明不應(yīng)限于本文中所給出的細(xì)節(jié)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種表征半導(dǎo)體晶片上的多個(gè)所關(guān)注結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括: 產(chǎn)生具有浮動與固定臨界參數(shù)的變化的組合及對應(yīng)所模擬光譜的多個(gè)模型，其中每一模型經(jīng)產(chǎn)生以基于從未知結(jié)構(gòu)收集的光譜而確定此些未知結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)臨界參數(shù)； 基于參考數(shù)據(jù)而確定所述模型中的哪一者與每一臨界參數(shù)最佳相關(guān)，所述參考數(shù)據(jù)包含多個(gè)臨界參數(shù)中的每一者的多個(gè)已知值及對應(yīng)已知光譜，及 針對使用計(jì)量工具從未知結(jié)構(gòu)獲得的光譜，選擇并使用所述模型中的不同模型來基于如下操作而確定所述未知結(jié)構(gòu)的所述臨界參數(shù)中的不同臨界參數(shù):基于所述參考數(shù)據(jù)而確定所述模型中的哪一者與每一臨界參數(shù)最佳相關(guān)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模型具有為固定的一個(gè)或多個(gè)臨界參數(shù)的不同集合及為浮動的一個(gè)或多個(gè)臨界參數(shù)的不同集合。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模型中的每一者具有低自由度且經(jīng)配置以提供所述未知結(jié)構(gòu)的所述臨界參數(shù)的不同子集。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模型中的至少一者經(jīng)配置以利用具有對應(yīng)于多個(gè)子模型的多個(gè)不同約束條件的同一幾何模型或利用對應(yīng)于多個(gè)子模型的不同幾何模型。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模型中的至少第一模型經(jīng)配置以使用變換函數(shù)將選定臨界參數(shù)發(fā)送到所述模型中的第二模型。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用以下各項(xiàng)中的一者或多者采集來自已知結(jié)構(gòu)及所述未知結(jié)構(gòu)的光譜:光譜橢圓偏振測量、米勒矩陣光譜橢圓偏振測量、光譜反射測量、光譜散射測量、光束輪廓反射測量、光束輪廓橢圓偏振測量、單一波長、單一離散波長范圍或多個(gè)離散波長范圍。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用嚴(yán)格波耦合分析技術(shù)產(chǎn)生所述模型。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述臨界參數(shù)包含中間臨界尺寸MCD、頂部CDTCD、底部⑶B⑶、高度HT及側(cè)壁角度SWA。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中不同模型相比于其它模型具有針對所述臨界參數(shù)中的不同一者或多者的較高相關(guān)性，其中基于哪些模型具有針對每一臨界參數(shù)的最高相關(guān)性而選擇并使用不同模型。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中選擇并使用不同模型包含基于第一模型滿足一條件的執(zhí)行而在所述第一模型的多個(gè)子模型之間進(jìn)行選擇，其中每一子模型經(jīng)配置以用于確定臨界參數(shù)的同一集合。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中每一子模型具有固定及浮動臨界參數(shù)的不同集合，且最初在所有所述第一模型的臨界參數(shù)為浮動的情況下執(zhí)行所述第一模型。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中選擇并使用不同模型包含基于第一模型滿足一條件的執(zhí)行而在所述第一模型的多個(gè)子模型與所述第一模型之間進(jìn)行選擇，其中每一子模型經(jīng)配置以用于確定臨界參數(shù)的基本集合的不同子集且所述第一模型經(jīng)配置以用于確定臨界參數(shù)的所述基本集合。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中選擇并使用不同模型進(jìn)一步基于預(yù)期臨界尺寸范圍。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中還針對所述計(jì)量工具的不同子系統(tǒng)選擇并使用不同模型。15.一種半導(dǎo)體計(jì)量工具，其包括: 照明器，其用于產(chǎn)生照明； 照明光學(xué)器件，其用于將所述照明朝向未知結(jié)構(gòu)引導(dǎo)； 收集光學(xué)器件，其用于將多個(gè)光譜從所述未知結(jié)構(gòu)引導(dǎo)到傳感器； 所述傳感器用于從所述未知結(jié)構(gòu)采集多個(gè)光譜信號;及 處理器與存儲器，其經(jīng)配置以用于執(zhí)行以下操作: 產(chǎn)生具有浮動與固定臨界參數(shù)的變化的組合及對應(yīng)所模擬光譜的多個(gè)模型，其中每一模型經(jīng)產(chǎn)生以基于從未知結(jié)構(gòu)收集的光譜而確定此些未知結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)臨界參數(shù)； 基于參考數(shù)據(jù)而確定所述模型中的哪一者與每一臨界參數(shù)最佳相關(guān)，所述參考數(shù)據(jù)包含多個(gè)臨界參數(shù)中的每一者的多個(gè)已知值及對應(yīng)已知光譜，及 針對從未知結(jié)構(gòu)獲得的光譜，選擇并使用所述模型中的不同模型來基于如下操作而確定所述未知結(jié)構(gòu)的所述臨界參數(shù)中的不同臨界參數(shù):基于所述參考數(shù)據(jù)而確定所述模型中的哪一者與每一臨界參數(shù)最佳相關(guān)。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量工具，其中所述模型中的至少一者經(jīng)配置以利用具有對應(yīng)于多個(gè)子模型的多個(gè)不同約束條件的同一幾何模型或利用對應(yīng)于多個(gè)子模型的不同幾何模型。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量工具，其中所述模型中的至少第一模型經(jīng)配置以使用變換函數(shù)將選定臨界參數(shù)發(fā)送到所述模型中的第二模型。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量工具，其中使用以下各項(xiàng)中的一者或多者采集來自已知結(jié)構(gòu)及所述未知結(jié)構(gòu)的光譜:光譜橢圓偏振測量、米勒矩陣光譜橢圓偏振測量、光譜反射測量、光譜散射測量、光束輪廓反射測量、光束輪廓橢圓偏振測量、單一波長、單一離散波長范圍或多個(gè)離散波長范圍。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量工具，其中所述臨界參數(shù)包含中間臨界尺寸MCD、頂部CD TCD、底部CD BCD及側(cè)壁角度SWA。20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量工具，其中不同模型相比于其它模型具有針對所述臨界參數(shù)中的不同一者或多者的較高相關(guān)性，其中基于哪些模型具有針對每一臨界參數(shù)的最高相關(guān)性而選擇并使用不同模型。21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量工具，其中選擇并使用不同模型包含基于第一模型滿足一條件的執(zhí)行而在所述第一模型的多個(gè)子模型之間進(jìn)行選擇，其中每一子模型經(jīng)配置以用于確定臨界參數(shù)的同一集合。22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量工具，其中每一子模型具有固定及浮動臨界參數(shù)的不同集合，且最初在所有所述第一模型的臨界參數(shù)為浮動的情況下執(zhí)行所述第一模型。23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量工具，其中選擇并使用不同模型包含基于第一模型滿足一條件的執(zhí)行而在所述第一模型的多個(gè)子模型與所述第一模型之間進(jìn)行選擇，其中每一子模型經(jīng)配置以用于確定臨界參數(shù)的基本集合的不同子集且所述第一模型經(jīng)配置以用于確定臨界參數(shù)的所述基本集合。24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量工具，其中選擇并使用不同模型進(jìn)一步基于預(yù)期臨界尺寸范圍。25.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量工具，其中還針對所述計(jì)量工具的不同子系統(tǒng)選擇并使用不同模型。
【專利摘要】本發(fā)明揭示用于表征半導(dǎo)體晶片上的多個(gè)所關(guān)注結(jié)構(gòu)的設(shè)備及方法。產(chǎn)生具有浮動與固定臨界參數(shù)的變化的組合及對應(yīng)所模擬光譜的多個(gè)模型。每一模型經(jīng)產(chǎn)生以基于從未知結(jié)構(gòu)收集的光譜而確定此些未知結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)臨界參數(shù)。基于參考數(shù)據(jù)而確定所述模型中的哪一者與每一臨界參數(shù)最佳相關(guān)，所述參考數(shù)據(jù)包含多個(gè)臨界參數(shù)中的每一者的多個(gè)已知值及對應(yīng)已知光譜。針對使用計(jì)量工具從未知結(jié)構(gòu)獲得的光譜，選擇并使用所述模型中的不同模型來基于如下操作而確定所述未知結(jié)構(gòu)的所述臨界參數(shù)中的不同臨界參數(shù)：基于所述參考數(shù)據(jù)而確定所述模型中的哪一者與每一臨界參數(shù)最佳相關(guān)。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號】CN105580123
【申請?zhí)枴緾N201480052525
【發(fā)明人】金仁教, 李新, 利奧尼德·波斯拉夫斯基, 列-關(guān)·里奇·利, 曹孟, 柳孫澈, 山邦·帕克, 安德烈·V·舒杰葛洛夫
【申請人】科磊股份有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年8月21日
【公告號】US20150058813, WO2015027088A1