14的接觸孔和貫通第四絕緣膜15的接觸孔而設(shè)置。此外，形成經(jīng)由第三接觸孔CH3與第三電極WD接觸的像素電極PE，以覆蓋第四絕緣膜15以及像素電極PE的方式成膜第一取向膜AL1，并對(duì)該第一取向膜ALl實(shí)施取向處理。在該階段，形成于第一絕緣基板10的第一主面1A的導(dǎo)電性膜30未被除去而殘留。
[0087]以這種方式制造的陣列基板AR在步驟ST4中與通過(guò)步驟ST2另行制造的對(duì)置基板CT貼合。在此后的步驟ST5的研磨工序(導(dǎo)電性膜浸蝕工序)中，如圖10所示導(dǎo)電性膜30被除去，并且，利用氫氟酸水溶液對(duì)第一絕緣基板10的第一主面1A進(jìn)行了化學(xué)研磨。在該研磨工序中使用的氫氟酸水溶液是氟化氫的質(zhì)量百分比濃度為10%以上的氫氟酸水溶液。
[0088]即，利用在該研磨中使用的氫氟酸水溶液首先浸蝕導(dǎo)電性膜30，導(dǎo)電性膜30被除去。接著，利用該氫氟酸水溶液如圖10所示那樣，對(duì)第一主面1A進(jìn)行浸蝕而使得第一絕緣基板10的厚度從Wl變?yōu)閃2。在圖10中，用單點(diǎn)劃線示出了利用氫氟酸水溶液浸蝕前的第一主面1A的位置。厚度Wl例如為1.0mm以下。作為一例，厚度Wl為約0.5mm，厚度W2為約0.15mm。在該情況下，第一絕緣基板10被研磨了約0.35mm。另外，對(duì)于對(duì)置基板CT，第二絕緣基板20與第一絕緣基板10同等地被研磨。使用以這種方式研磨后的陣列基板AR以及對(duì)置基板CT，如上述那樣制造出液晶顯示裝置I。
[0089]在一般的顯示裝置的制造工序中，在絕緣基板與各種制造裝置或者輸送機(jī)構(gòu)等接觸時(shí)、摩擦?xí)r、剝離時(shí)、或者實(shí)施等離子體CVD等的等離子體工序時(shí)會(huì)產(chǎn)生靜電。若這種靜電在絕緣基板局部蓄積，則存在形成在該部分附近的開(kāi)關(guān)元件SW或各種布線發(fā)生靜電破壞的危險(xiǎn)。該靜電破壞在形成第二絕緣膜13時(shí)容易在形成柵極布線G及第一電極WG的導(dǎo)電層與半導(dǎo)體層SC之間、或者浮動(dòng)狀態(tài)的布線之間產(chǎn)生。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，在形成開(kāi)關(guān)元件SW時(shí)在第一絕緣基板10的第一主面1A存在導(dǎo)電性膜30，因此制造工序中產(chǎn)生的上述靜電在導(dǎo)電性膜30中分散。因而，靜電不會(huì)局部地蓄積，能夠防止開(kāi)關(guān)元件SW及各種布線的靜電破壞。
[0090]并且，在本實(shí)施方式中，導(dǎo)電性膜30在開(kāi)關(guān)元件SW形成后的工序中被除去。因而，導(dǎo)電性膜30不會(huì)對(duì)液晶顯示裝置I的顯示質(zhì)量造成影響。此外，導(dǎo)電性膜30在對(duì)第一絕緣基板10的第一主面1A進(jìn)行研磨的工序中被除去。因而，無(wú)需追加僅用于除去導(dǎo)電性膜30的特別工序。
[0091]另外，在形成源極布線S、開(kāi)關(guān)元件SW的第二電極WS以及第三電極WD之后，成為開(kāi)關(guān)元件SW與源極布線S等電導(dǎo)通的狀態(tài)。因而，第一電極WG與半導(dǎo)體層SC之間的電荷被分散，難以產(chǎn)生靜電破壞。并且，當(dāng)設(shè)置使源極布線S以及柵極布線G經(jīng)由半導(dǎo)體層等短路的短路環(huán)(也稱為護(hù)環(huán))的情況下，在形成該短路環(huán)后，能夠防止開(kāi)關(guān)元件SW的靜電破壞。這種短路環(huán)通常與第二電極WS以及第三電極WD的形成同時(shí)完成。如果是以這種方式完成了短路環(huán)之后，那么導(dǎo)電性膜30也可以在對(duì)第一絕緣基板10進(jìn)行研磨的工序之前的工序中被除去。
[0092]另外，半導(dǎo)體層SC與第一電極WG對(duì)置的第一區(qū)域Rl的面積越小的開(kāi)關(guān)元件SW，越容易產(chǎn)生上述的靜電破壞。特別是若第一區(qū)域Rl的面積為20 μ HI2以下，則靜電破壞的產(chǎn)生數(shù)急劇上升。該靜電破壞的大多數(shù)在設(shè)置靜電環(huán)以前的制造工序中產(chǎn)生。因而，通過(guò)像本實(shí)施方式這樣設(shè)置導(dǎo)電性膜30來(lái)防止靜電破壞的效果在具有第一區(qū)域Rl的面積為20 μ m2以下的開(kāi)關(guān)元件WS的液晶顯示裝置I的制造工序中更加顯著。
[0093]并且，在本實(shí)施方式中，如上述的條件I那樣，相對(duì)于質(zhì)量百分比濃度為10%以上的氫氟酸水溶液的導(dǎo)電性膜30的第一蝕刻速率與相對(duì)于該氫氟酸水溶液的第一絕緣基板10的第二蝕刻速率實(shí)質(zhì)上相同、或者第一蝕刻速率大于第二蝕刻速率。因而，即便假設(shè)氫氟酸水溶液對(duì)導(dǎo)電性膜30的浸蝕不均而存在使第一主面1A局部地暴露于氫氟酸水溶液的期間，在該期間中第一主面1A被浸蝕的厚度也被抑制得較低，能夠平坦地形成第一主面1A0
[0094]并且，若像本實(shí)施方式這樣導(dǎo)電性膜30被減薄至200nm以下、或者10nm以下的程度，則通過(guò)使用上述研磨工序中的氫氟酸水溶液，能夠以極短的時(shí)間將該導(dǎo)電性膜30除去。因而，即便如上所述存在第一主面1A局部地暴露于氫氟酸水溶液的期間，由于該期間相對(duì)于對(duì)第一絕緣基板1A進(jìn)行研磨的期間極短，因此能夠平坦地形成第一主面10A。例如，若假想導(dǎo)電性膜30的厚度為lOOnm、將第一絕緣基板10研磨0.35mm的情況，則第一絕緣基板10被研磨導(dǎo)電性膜30的厚度的大約3500倍的厚度量。因而，用于除去導(dǎo)電性膜30的期間與對(duì)第一絕緣基板10進(jìn)行研磨的期間相比極短。
[0095]并且，在本實(shí)施方式中，如上述的條件2那樣，相對(duì)于氟化氫的質(zhì)量百分比濃度為I %以下的氫氟酸水溶液的導(dǎo)電性膜30的第三蝕刻速率為lnm/sec以下。若使用這種導(dǎo)電性膜30，則在半導(dǎo)體層SC的使用氫氟酸水溶液進(jìn)行的清洗中，導(dǎo)電性膜30盡管被浸蝕而變薄但不會(huì)被除去。
[0096]發(fā)明人驗(yàn)證了在制造工序中在第一絕緣基板10的第一主面1A設(shè)置氮化鎢的導(dǎo)電性膜30而制造了顯示裝置的情況、和不設(shè)置導(dǎo)電性膜30而制造了顯示裝置的情況下的開(kāi)關(guān)元件SW的靜電破壞的產(chǎn)生狀況。在該驗(yàn)證中，針對(duì)設(shè)置和不設(shè)置導(dǎo)電性膜30的雙方的情況，作為第一絕緣基板10 (母玻璃)準(zhǔn)備1500mmX 1800mm的大版面尺寸的玻璃基板，為了獲得300面具備例如對(duì)角5”(英寸)的有效顯示區(qū)域的顯示裝置，設(shè)定了陣列基板AR的形成區(qū)域。各陣列基板AR的開(kāi)關(guān)元件SW中的第一區(qū)域Rl的面積均為15 μ m2。該驗(yàn)證的結(jié)果是:對(duì)于在大版面的第一絕緣基板10不設(shè)置導(dǎo)電性膜30而制造的300個(gè)陣列基板AR，在其2%即6個(gè)陣列基板AR中，在一部分開(kāi)關(guān)元件SW產(chǎn)生了靜電破壞。另一方面，對(duì)于在大版面的第一絕緣基板10設(shè)置導(dǎo)電性膜30而制造的陣列基板AR，在300個(gè)陣列基板AR中均未發(fā)生開(kāi)關(guān)元件SW的靜電破壞。根據(jù)該驗(yàn)證結(jié)果能夠確認(rèn)借助導(dǎo)電性膜30實(shí)現(xiàn)的靜電破壞的防止效果的高度。
[0097]并且，通過(guò)設(shè)置導(dǎo)電性膜30，還能夠得到抑制在陣列基板AR的第二主面1B形成的各層的膜厚的不均的作用。以下對(duì)該作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0098]圖11是用于對(duì)上述膜厚的不均的產(chǎn)生原理進(jìn)行說(shuō)明的示意性的剖視圖，示出未設(shè)置導(dǎo)電性膜30的第一絕緣基板10、和載置有該第一絕緣基板10的工作臺(tái)100。工作臺(tái)100是能夠搭載于蝕刻裝置、CVD裝置、濺射裝置等各種制造裝置的部件，在各處設(shè)置有銷孔101。在各銷孔101中，用于在使載置于工作臺(tái)100的基板移動(dòng)時(shí)等將該基板從載置面抬起的銷102設(shè)置成相對(duì)于載置面出沒(méi)自如。另外，工作臺(tái)100設(shè)定為接地電位。
[0099]對(duì)以這種方式配置于工作臺(tái)100的第一絕緣基板10的第二主面10通過(guò)例如CVD等形成了某種膜的情況下，在與銷孔101對(duì)應(yīng)的位置電位紊亂，膜厚會(huì)產(chǎn)生不均。因而，在如上所述使用大版面尺寸的第一絕緣基板10制造多個(gè)陣列基板AR的情況下，需要避開(kāi)該銷孔101的位置來(lái)設(shè)定陣列基板AR的形成區(qū)域。在該情況下，需要與銷孔101的位置對(duì)應(yīng)地?cái)U(kuò)寬陣列基板AR的形成區(qū)域的間隔，因此，銷孔101的位置也成為限制從一張大版面的第一絕緣基板10所能制造出的陣列基板AR的數(shù)量的因素。
[0100]另一方面，圖12是示意性地示出設(shè)置有導(dǎo)電性膜30的第一絕緣基板10、和載置有該第一絕緣基板10的工作臺(tái)100的剖視圖。當(dāng)像這樣在第一絕緣基板10的第一主面1A設(shè)置有導(dǎo)電性膜30的情況下，第一主面1A側(cè)的電位能夠無(wú)關(guān)于銷孔101地保持一樣。因而，通過(guò)像本實(shí)施方式這樣設(shè)置導(dǎo)電性膜30，能夠得到抑制在第二主面1B側(cè)形成的各層的膜厚的不均的作用。因此，能夠無(wú)需在意銷孔101的位置地設(shè)定陣列基板AR的形成區(qū)域。SP，與圖11所示的例子相比較，即便在與銷孔101重疊的位置也能夠設(shè)定陣列基板AR的形成區(qū)域，設(shè)定陣列基板AR的形成區(qū)域時(shí)的自由度提高。由此，與圖11所示的例子相比較，能夠增加從一張大版面的第一絕緣基板10所能制造出的陣列基板AR的數(shù)量。
[0101]這樣，通過(guò)設(shè)置導(dǎo)電性膜30能夠得到各種良好的作用，能夠改善顯示裝置的制造成品率。
[0102]并且，即便是針對(duì)使陣列基板的絕緣基板、對(duì)置基板的絕緣基板各自的膜厚不同這樣的產(chǎn)品要求，通過(guò)利用導(dǎo)電性膜30，能夠?qū)﹃嚵谢宓慕^緣基板和對(duì)置基板的絕緣基板的膜厚設(shè)定差。
[0103]另外，在本實(shí)施方式中，公開(kāi)了包含在第一絕緣基板10形成導(dǎo)電性膜30的工序的液晶顯示裝置I的制造方法。然而，在第一絕緣基板10形成導(dǎo)電性膜30的工序也可以利用與執(zhí)行隨后的工序的主體不同的主體來(lái)實(shí)施。即，形成有導(dǎo)電性膜30