本發(fā)明涉及液晶顯示制造技術領域，尤其涉及一種低溫多晶硅層制造方法、陣列基板制造方法及陣列基板。

背景技術：

目前高解析度的顯示面板一般采用低溫多晶硅作為TFT的有源層，生產中常用的低溫多晶硅層的制作方法是在玻璃基板上沉積緩沖層，在緩沖層上沉積非晶硅層，通過準分子激光退火將非晶硅層轉化成多晶硅層。準分子激光退火結晶是一種非晶硅融化再結晶形成多晶硅的過程，由于固液兩相硅的密度不同，在結晶過層中，液態(tài)硅會被結晶的固相硅推動，最終在晶界處形成凸起，通常采用這種方法制作的多晶硅層具有較大的晶界突起，導致表面粗糙度較大(表面粗糙度大于10nm)。針對上述問題，在現有技術中，采用圖案化處理方式對緩沖層進行粗糙度處理，需要經過涂布、曝光、顯影、蝕刻、剝離等工序，工序復雜。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種低溫多晶硅層制造方法，減小多晶硅層表面的粗糙度。

本發(fā)明還提供一種陣列基板制造方法及陣列基板。

為了實現上述目的，本發(fā)明實施方式提供如下技術方案：

本發(fā)明所述的低溫多晶硅層制造方法，包括在基板上形成緩沖層；

對所述緩沖層表面進行等離子處理，形成粗糙表面；

在所述粗糙表面上沉積非晶硅層；

對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層。

其中，所述緩沖層為SiNx與SiOx形成的疊層結構，或者是SiOx形成。

其中，對所述緩沖層表面進行表面等離子處理的等離子為N2或Ar氣體形成的離子體。

其中，對所述緩沖層表面進行表面等離子處理，形成粗糙表面的步驟包括對所述緩沖層表面進行轟擊處理，形成粗糙表面。

其中，對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層為通過準分子激光退火形成。

本發(fā)明所述的陣列基板制造方法，包括在基板上形成緩沖層；

對所述緩沖層表面進行等離子處理，形成粗糙表面；

在所述處理后的緩沖層的粗糙表面上沉積非晶硅層；

對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層；

對所述多晶硅層進行處理形成多晶硅半導體層；

在所述多晶硅半導體層上依次形成絕緣層、源極及漏極，其中所述源極及漏極與所述多晶硅半導體層連接。

其中，所述緩沖層為SiNx與SiOx形成的疊層結構，或者是SiOx形成。

其中，對所述緩沖層表面進行表面等離子處理的等離子為N2或Ar氣體形成的離子體。

其中，對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層為通過準分子激光退火形成。

本發(fā)明所述的陣列基板，包括基板，形成于所述基板的緩沖層、形成于所述緩沖層的多晶硅半導體層、位于多晶硅半導體層及緩沖層上的絕緣層及源極與漏極，所述緩沖層具有粗糙表面，所述多晶硅半導體層形成于所述粗糙表面上；其中，所述緩沖層上的粗糙表面是通過對緩沖層表面進行等離子處理形成。

本發(fā)明所述的低溫多晶硅層制造方法采用等離子處理緩沖層，在沉積非晶硅層之前，先在緩沖層的表面通過等離子處理實現粗糙表面，不僅工藝簡單而且能有效阻礙融化的硅在緩沖層上的遷移，能有效降低通過準分子激光退火形成的多晶硅層的表面粗糙度，提升多晶硅薄膜晶體管的器件工作性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明低溫多晶硅層制造方法的示意圖；

圖2是本發(fā)明陣列基板制造方法的示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參閱圖1，本發(fā)明提供一種低溫多晶硅層制造方法，其包括以下步驟：

步驟S1，在基板上形成緩沖層。所述基板為透明基板，優(yōu)選的，所述基板為玻璃基板。

步驟S2，對所述緩沖層表面進行表面等離子處理，形成粗糙表面。

本實施例中，所述緩沖層為SiNx與SiOx形成的疊層結構，或者是SiOx形成。優(yōu)選為SiNx與SiOx形成的疊層結構。

進一步的，對所述緩沖層表面進行表面等離子處理的等離子為N2或Ar氣體形成的離子體。

進一步的，對所述緩沖層表面進行表面等離子處理包括對所述緩沖層表面進行轟擊處理。

步驟S3，在所述處理后的緩沖層的粗糙表面上沉積非晶硅層。

步驟S4，對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層。對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層為通過準分子激光退火形成。所述非晶硅層吸收激光束的能量后溫度升高直至熔融狀態(tài)并進行重結晶。由于所述粗糙表面上凸起部分處較厚，保溫效果較好，位于凸起部分的非晶硅層熔化較完全；位于粗糙表面上凹陷部分的非晶硅層溫度相對較低，熔化相對不完全，所述粗糙表面形成溫度梯度。由于非晶硅重結晶過程中會按照低能量向高能量方向、低溫向高溫方向結晶，位于溫度相對較低的凹陷的非晶硅先進行結晶，之后沿著溫度由低到高的方向結晶，即沿著由凹陷向凸起的方向結晶，最終晶格在溝道長度方向的中部相遇，從而對所述非晶硅層重結晶形成多晶硅層時的結晶位置和結晶方向進行了有效控制，使結晶狀況在整個基板上的分布較均勻。

本發(fā)明所述的低溫多晶硅層制造方法采用等離子處理緩沖層，在沉積非晶硅層之前，先在緩沖層的表面通過等離子處理實現粗糙表面，不僅工藝簡單而且能有效阻礙融化的硅在緩沖層上的遷移，能有效降低通過準分子激光退火形成的多晶硅層的表面粗糙度，提升多晶硅薄膜晶體管的器件工作性能。

請參閱圖2，本發(fā)明提供的陣列基板制造方法，包括

步驟S1，在基板上形成緩沖層。所述基板為透明基板，優(yōu)選的，所述基板為玻璃基板。

步驟S2，對所述緩沖層表面進行表面等離子處理，形成粗糙表面。

本實施例中，所述緩沖層為SiNx與SiOx形成的疊層結構，或者是SiOx形成。優(yōu)選為SiNx與SiOx形成的疊層結構。

進一步的，對所述緩沖層表面進行表面等離子處理的等離子為N2或Ar氣體形成的離子體。

進一步的，對所述緩沖層表面進行表面等離子處理包括對所述緩沖層表面進行轟擊處理。

步驟S3，在所述處理后的緩沖層的粗糙表面上沉積非晶硅層。

步驟S4，對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層。對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層為通過準分子激光退火形成。

步驟S5，對所述多晶硅層進行處理形成多晶硅半導體層；

步驟S6，在所述多晶硅半導體層上依次形成絕緣層、源極及漏極，其中所述源極及漏極與所述多晶硅半導體層連接。

本發(fā)明所述的陣列基板，包括基板，形成于所述基板的緩沖層、形成于所述緩沖層的多晶硅半導體層、位于多晶硅半導體層及緩沖層上的絕緣層及源極、漏極，所述緩沖層具有粗糙表面，所述多晶硅半導體層形成于所述粗糙表面上；其中，所述緩沖層上的粗糙表面是通過對緩沖層表面進行等離子處理形成。

本發(fā)明的低溫多晶硅的制作方法及陣列基板的制作方法，通過對緩沖層進行等離子處理，形成具有不同厚度的凸起與凹陷的粗糙表面，使得在多晶硅層激光準分子退火過程中，能有效降低通過準分子激光退火形成的多晶硅層的表面粗糙度，提升多晶硅薄膜晶體管的器件工作性能；從而具有較高的電子遷移率，能夠提高陣列基板的性能，改善顯示效果。

以上所述的實施方式，并不構成對該技術方案保護范圍的限定。任何在上述實施方式的精神和原則之內所作的修改、等同替換和改進等，均應包含在該技術方案的保護范圍之內。