專利名稱：電容性負載驅(qū)動電路和等離子顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示器，尤其涉及對一種給電極施加電壓脈沖而使之維持放電的驅(qū)動電路的改進。
背景技術(shù)：
等離子顯示器已被實際用作平板顯示器，是一種具有高亮度的薄顯示器。

圖1是傳統(tǒng)的三電極交流驅(qū)動的等離子顯示器的總體結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖所示，該等離子顯示器包括一個由兩基板構(gòu)成的等離子顯示板(PDP)1，在這兩基板之間封裝放電氣體，且每個基板都具有多個依次相鄰排列的X電極(X1，X2，X3，...，Xn)和Y電極(Y1，Y2，Y3，...，Yn)、多個與前述電極垂直排列的尋址電極(A1，A2，A3，...，Am)、置于各交叉點處的發(fā)光物、給所述尋址電極施加尋址脈沖的尋址驅(qū)動器2、給所述X電極施加維持放電脈沖的X公共驅(qū)動器3、依次給所述Y電極施加掃描脈沖的掃描驅(qū)動器4、給所述掃描驅(qū)動器4施加要施加給所述Y電極的維持放電脈沖的Y公共驅(qū)動器5，和控制各個部分的控制電路6，且所述控制電路6還包括顯示數(shù)據(jù)控制部7，所述的顯示數(shù)據(jù)控制部7中含有一個幀存儲器和一個由掃描驅(qū)動控制部9與公共驅(qū)動器控制部10組成的驅(qū)動控制電路8。所述的X電極也稱為維持電極，所述的Y電極也稱為掃描電極。由于等離子顯示器已經(jīng)公知，所以，在此不對其整體裝置做較為詳細的描述，而僅進一步描述本發(fā)明所涉及的X公共驅(qū)動器3和Y公共驅(qū)動器5。這種等離子顯示器的X公共驅(qū)動器、掃描驅(qū)動器和Y公共驅(qū)動器已經(jīng)公開，例如在日本專利No.3201603、日本公開特許公報(Kokai)No.9-68946和日本公開特許公報(Kokai)No.2000-194316中已經(jīng)披露。
圖2示意了已經(jīng)披露的前述X公共驅(qū)動器、掃描驅(qū)動器和Y公共驅(qū)動器的一種結(jié)構(gòu)。所述多個X電極都與所述的X公共驅(qū)動器3相連并由其驅(qū)動。所述的X公共驅(qū)動器3包括幾個輸出器件(晶體管)Q8，Q9，Q10和Q11，它們分別設(shè)于所述X電極的公共端與電壓源+Vs1之間、所述X電極的公共端與電壓源-Vs2之間、所述X電極的公共端與電壓源+Vx之間和所述X電極的公共端與地電位(GND)之間。導(dǎo)通任何一個晶體管，就會在X電極的公共端施加相應(yīng)的電壓。
掃描驅(qū)動器4由為各Y電極設(shè)置的各獨立驅(qū)動器組成，且各獨立驅(qū)動器包括晶體管Q1、Q2和分別與之并聯(lián)的二極管D1、D2。每個獨立驅(qū)動器的各晶體管Q1、Q2和各二極管D1、D2的一端分別與各Y電極相連，另一端都與所述Y公共驅(qū)動器5相連。所述的Y公共驅(qū)動器包括晶體管Q3，Q4，Q5，Q6和Q7，它們分別設(shè)于所述掃描驅(qū)動器4的線路與電壓源+Vs1、-Vs2、+Vw、地電位(GND)和-Vy之間，所述的晶體管Q3、Q5和Q7與晶體管Q1和二極管D1相連，晶體管Q4、Q6與晶體管Q2和二極管D2相連。
圖3是一種等離子顯示器的驅(qū)動波形示意圖。下面結(jié)合圖3描述圖2所示電路的工作過程。在復(fù)位期，Q5和Q11導(dǎo)通而其他晶體管關(guān)斷，Y電極被施加電壓+Vw(第三電壓)，X電極被施加0V電壓，以產(chǎn)生一個完整的寫/擦脈沖，該脈沖使平板1的顯示單元進入一致狀態(tài)。此時，電壓+Vw經(jīng)由Q5和D1而施加給Y電極。在尋址期，Q6、Q7和Q10導(dǎo)通而其他晶體管關(guān)斷，X電極被施加電壓+Vx，Q2的端子被施加地電位GND，Q1的端子被施加電壓-Vy(圖3中為-Vs2)。在此狀態(tài)下，導(dǎo)通Q1而關(guān)斷Q2的掃描脈沖相繼施加給各獨立驅(qū)動器。此時，在未施加掃描脈沖的獨立驅(qū)動器中，Q1關(guān)斷而Q2導(dǎo)通，所以，電壓-Vy經(jīng)由Q1而施加給其上被施以掃描脈沖的Y電極，其他Y電極經(jīng)Q2被施以GND，因此而在被施以正向數(shù)據(jù)電壓的尋址電極與被施以掃描脈沖的Y電極間產(chǎn)生尋址放電。這樣，平板內(nèi)的每個單元都將根據(jù)顯示數(shù)據(jù)進入某種狀態(tài)。
在維持放電期，Q1、Q2、Q5-Q7、Q10和Q11關(guān)斷，Q3與Q9同Q4與Q8交替導(dǎo)通。這些晶體管稱為維持晶體管，其中，與高電位側(cè)電源相連的Q3和Q8稱為高端開關(guān)，與低電位側(cè)電源相連的Q4和Q9稱為低端開關(guān)。這樣，電壓+Vs1(第一電壓)和-Vs2(第二電壓)交替施加給Y電極和X電極，因此在尋址放電期已經(jīng)產(chǎn)生尋址放電的單元中產(chǎn)生維持放電，從而顯示圖像。此時，如果Q3導(dǎo)通，則電壓+Vs1經(jīng)由D1施加給Y電極；如果Q4導(dǎo)通，則電壓-Vs2經(jīng)由D2施加給Y電極。換句話說，在所述維持放電期，電壓Vs1+Vs2將以相反的極性交替地施加給X電極和Y電極。在此，所述電壓稱為維持電壓。
上面所描述的例子僅是各種實例之一，對于在復(fù)位期、尋址期和維持放電期施加何種電壓可以作各種修改，對所述的掃描驅(qū)動器4、Y公共驅(qū)動器5和X公共驅(qū)動器6也可以進行各種修改。尤其是在前述驅(qū)動電路中，電壓+Vs1和-Vs2交替地施加給Y電極和X電極以施加維持放電電壓Vs1+Vs2＝Vs，但也可以采用另一種方法，其中交替地施加電壓Vs和GND，而且這種方法被廣泛采用。
在通常的等離子顯示器中，電壓Vs設(shè)定為150V-200V之間的值，驅(qū)動電路由多個大額定電壓(擊穿電壓)的晶體管組成。與之相反，在例如日本專利No.3201603、日本公開特許公報(Kokai)No.9-68946和日本公開特許公報(Kokai)No.2000-194316中所公開的驅(qū)動方法中，如上所述，正向和負向維持電壓(+Vs/2和-Vs/2)交替施加給X電極和Y電極。這有一個好處，即可以降低用以施加維持電壓的電源中平滑電容器的擊穿電壓。
美國專利No.4,070,633中公開了一種控制系統(tǒng)，其中，在一個顯示裝置中設(shè)置有一個與電容一起構(gòu)成諧振電路的電感元件，以降低電容性顯示裝置如EL(場致發(fā)光)顯示板的功耗。另外，美國專利No.4,866,349和美國專利No.5,081,400也公開了一種PDP板的維持(放電)驅(qū)動器和尋址驅(qū)動器，所述的PDP板含有由多個電感元件構(gòu)成的功率回收電路。另一方面，日本公開特許公報(Kokai)No.7-160219公開了一種三電極顯示裝置的結(jié)構(gòu)，其中設(shè)有兩個電感元件，一個電感元件構(gòu)成一個回收路徑，用于當Y電極從高電位變到低電位時回收施加給Y電極的功率；另一個電感元件構(gòu)成一個施加路徑，用于當Y電極從低電位變到高電位時施加所述存儲的功率。另外，本申請人在日本專利申請No.2001-152744中公開了一種其中設(shè)有調(diào)相電路的結(jié)構(gòu)，所述的調(diào)相電路調(diào)節(jié)施加于晶體管各柵極上的信號的相位，這些晶體管組成了Y公共驅(qū)動器和X公共驅(qū)動器的各個開關(guān)。本申請人還在日本專利申請No.平2002-086225中公開了這樣一種結(jié)構(gòu)，其中一個Y公共驅(qū)動器和一個X公共驅(qū)動器的各開關(guān)由若干具有低擊穿電壓的晶體管組成。
圖4是一種Y電極驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)的一個更為具體的實施例的示意圖，其中設(shè)有兩個功率回收路徑系統(tǒng)，且在X電極和Y電極上交替施加維持電壓Vs和-Vs。掃描電壓為-Vs。圖4所示的電路是一個具體電路且在一定程度上與圖2所示基本結(jié)構(gòu)相應(yīng)，但不完全相同。CL表示由X電極和Y電極形成的顯示器電容。掃描驅(qū)動器與圖2所示的相同。CU與圖2中的晶體管Q3相應(yīng)，且它的一端與晶體管Q1相連，另一端經(jīng)二極管D5與一端子相連，同時與一復(fù)位電路15相連，該端子上施加第一電壓Vs。CD與圖2中的晶體管Q4相應(yīng)，它的一端與晶體管Q2相連，另一端與施加第二電壓-Vs的端子相連。QS與圖2中的晶體管Q7相應(yīng)，且它的一端與晶體管Q1相連。QY與圖2中的晶體管Q6相應(yīng)，且它的一端與晶體管Q2相連。對CU和CD的柵極分別施加維持信號CUG和CDG，所述信號的相位已在調(diào)相電路11和12中進行了調(diào)節(jié)。在圖4所示的電路中，在復(fù)位電路15中，通過將二極管D5與CU接點處的電壓從Vs提高到Vs+Vw0來得到電壓Vw。因此，沒有與圖2中所示Q5相應(yīng)的晶體管。
復(fù)位電路15包括串聯(lián)于電壓Vw0和地電位間的QW和QW1、一個連接于晶體管QW與QW1的接點和CU的端子之間的升壓電容器CS和一個斜坡信號電路16，所述斜坡信號電路將復(fù)位信號RG轉(zhuǎn)換成如圖3所示的漸變波形。信號RY使QW1處于打開狀態(tài)(導(dǎo)通狀態(tài))，而使QW處于關(guān)閉狀態(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))，而且使CS充電到電壓VS。接下來，如果QW1關(guān)斷而QW導(dǎo)通，則CS一端的電壓將從地電位變?yōu)閂w0，所以，CS另一端的電壓將變成Vs+Vw0＝Vw，從而從復(fù)位電路中提供一個復(fù)位電壓Vw(第三電壓)。
功率回收電路包括電容C1、電感元件L1和L2、二極管D3和D4和晶體管LU和LD。C1的一端接地，另一端經(jīng)LU、D3和L1與Q1相連，同時經(jīng)LD、D4和L2與Q2相連。要施加于晶體管LU和LD柵極上的信號LUG和LDG在調(diào)相電路13和14中經(jīng)過相位調(diào)節(jié)后再施加給各柵極。由于在日本公開特許公報(Kokai)No.7-160219中已公開了功率回收電路，在此不作詳細的描述。
盡管以上僅描述了Y電極驅(qū)動電路，但X電極驅(qū)動電路中也設(shè)有功率回收電路。而且，如果要給X電極施加復(fù)位電壓，則在X電極驅(qū)動電路中還設(shè)有復(fù)位電路。
掃描脈沖必須相繼施加給各個Y電極，所以，涉及掃描脈沖的施加的Q1和Q2應(yīng)當能高速運行。并且，由于所產(chǎn)生的維持放電次數(shù)將影響顯示亮度，在固定周期內(nèi)必須有盡可能多的維持放電，所以，圖2所示的涉及維持放電脈沖的施加的維持晶體管Q3、Q4、Q8和Q9也需要能高速運行。構(gòu)成功率回收電路的晶體管(圖4中的LU和LD)也必須能夠高速運行。換句話說，在所述的等離子顯示器中，需要給每個電極施加高電壓以產(chǎn)生放電，因此，晶體管需要具有較高的擊穿電壓。但是，具有高擊穿電壓的晶體管其運行速度相對較低，或者說具有較高運行速度的晶體管其擊穿電壓相對較低，這些晶體管的制造成本較低，但那些既具有高的擊穿電壓又具有高的運行速度的晶體管的成本卻很高，并且與此同時，在導(dǎo)通狀態(tài)下其電阻很高且功率損耗較大。
在圖2所示的晶體管中，由于Q6、Q7、Q10和Q11(圖4中為QW、QW1、QS和QY)不直接涉及需要高速運行的掃描脈沖和維持放電脈沖的施加過程，所以它們的運行速度可相對較低。盡管Q1和Q2需要高速運行，但它們的擊穿電壓可相對較低，因為它們并聯(lián)了D1和D2，要施加的電壓為-Vy(圖4中為-Vs)和GND，其間的電壓差相對較小。
與此相反，維持晶體管Q3、Q4、Q8和Q9(圖4中為CU和CD)必須能高速運行且其上能施加高電壓。晶體管LU和LD也必須能高速運行且其上能施加高電壓。在功率回收電路中，如果在電感元件L1和L2中產(chǎn)生接近Vs的反電動勢，則晶體管LU和LD被施加接近Vs1+Vs2的電壓。
在圖2電路中所施加的各電壓當中，最大電壓為復(fù)位電壓+Vw，最小電壓為-Vs2(圖4中為-Vs)。如果Q5導(dǎo)通且施加復(fù)位電壓+Vw，則施加給維持晶體管Q4(圖4中為CD)的電壓為Vw+Vs2。通常，-Vy大于-Vs2(其絕對值較小)，而+Vx等于或小于+Vs1。因此，施加給其他維持晶體管Q3、Q8和Q9的電壓為Vs1+Vs2，它小于施加給Q4的電壓Vw+Vs2。類似地，作為結(jié)果，一個接近Vw+Vs的電壓也被施加給功率回收電路中的晶體管LD。但是，由于設(shè)有二極管3，所以這種大電壓不會加到晶體管LU上。因此，即使不使用電感元件，也會給晶體管LD施加比LU上所加電壓更大的電壓。
從等離子顯示器驅(qū)動電路施加的電壓可以有多種變化，因此，施加給每個維持晶體管的最大電壓相應(yīng)地相互不同。一般來說，如果所施加的電壓大于高電位側(cè)的維持電壓，則施加給構(gòu)成低端開關(guān)的維持晶體管的最大電壓大于維持電壓。如果所施加的電壓小于低電位側(cè)的維持電壓，則施加給構(gòu)成高端開關(guān)的維持晶體管的最大電壓大于維持電壓。
在制造如上所述的這種其上施加大電壓且能高速運行的開關(guān)時，通常會使用大擊穿電壓元件，例如功率MOS場效應(yīng)晶體管(powerMOSFET)和IGBT。但是，具有大擊穿電壓的元件在導(dǎo)通狀態(tài)時呈現(xiàn)高電阻，功率損失很大。所以，出現(xiàn)了功耗升高的問題，與此同時，晶體管中所產(chǎn)生的熱量也很大，其溫度將變得很高。為解決這一問題，提出了并聯(lián)多個晶體管來減少產(chǎn)生的熱量的方法，但在此情形中又出現(xiàn)另一問題，即由于部件數(shù)量的增加而導(dǎo)致部件成本增加。
發(fā)明概述本發(fā)明是為解決上述技術(shù)問題而研制的，其目的在于提供一種電容性負載電路和使用該電路的等離子顯示器。其中，即使是在復(fù)位期和尋址期施加給維持電極(X電極和Y電極)的電壓大于所述維持電壓時，也可以使用具有與維持電壓相應(yīng)的額定電壓的維持輸出元件(晶體管)。
圖5是本發(fā)明的電容性負載電路的原理示意圖。圖5中，CL是該電路中被驅(qū)動的電容性負載，它相應(yīng)于等離子顯示板的顯示電容#。CL的一端接地，另一端與該驅(qū)動電路相連。V0是施加于該另一端的電壓。CL的所述另一端與開關(guān)CUSW相連，同時與開關(guān)CDSW相連。開關(guān)CUSW與經(jīng)由二極管5提供第一電壓Vs1的第一電壓源相連，且同時與經(jīng)由開關(guān)RSW提供第三電壓Vw的第三電壓源相連。開關(guān)CDSW與經(jīng)由開關(guān)BSW提供第二電壓Vs2的第二電壓源相連，且同時與經(jīng)由開關(guān)ASW而提供電壓VA的電壓源相連。
CL的所述另一端還經(jīng)電感元件L而與開關(guān)LSW相連。開關(guān)LSW與經(jīng)由開關(guān)PSW而提供電壓VP的電壓源相連，且同時與經(jīng)由開關(guān)QSW而提供電壓VQ的電壓源相連。信號CUG、CDG、RG、BG、AG、LG、PG和QG是開關(guān)CUSW、CDSW、RSW、BSW、ASW、LSW、PSW和GSW的控制信號。這些開關(guān)由“高(H)”信號變成激活狀態(tài)，即開關(guān)導(dǎo)通的導(dǎo)通狀態(tài)。
開關(guān)CUSW和CDSW與圖4中的晶體管CU和CD相應(yīng)，開關(guān)LSW相當于一個雙向開關(guān)，它等同于由作為單向開關(guān)工作的晶體管LU和LD所構(gòu)成的一個開關(guān)，VP將根據(jù)情況而變化。
圖6是在圖5所示電路中交替施加電壓Vs1和Vs2且向CL施加電壓Vw時電壓V0和各開關(guān)的控制信號的示意圖。如圖所示，在RSW、ASW和QSW都為非導(dǎo)通狀態(tài)(關(guān)斷狀態(tài))而BSW和PSW為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，當給CL交替施加電壓Vs1和Vs2時，則CUSW和CDSW交替導(dǎo)通，LSW在切換期導(dǎo)通。具體來說，在CDSW導(dǎo)通且給CL施加電壓Vs2的狀態(tài)下(即V0即為Vs2的狀態(tài))，CDSW斷開且LSW接通而給CL施加存儲電壓(stored voltage)VP(在此情形中為高電壓)。而且在V0到達中點且V0變成Vs1時，CUSW導(dǎo)通。在CUSW導(dǎo)通之后，LSW關(guān)斷。隨后，CUSW關(guān)斷，而LSW導(dǎo)通，保留在CL中的電荷被回收并被存儲起來。當V0降到中點時，CDSW導(dǎo)通，V0變成Vs2。這些動作與傳統(tǒng)的相同。
在CDSW、BSW、LSW和PSW關(guān)斷且CUSW、ASW和QSW導(dǎo)通的狀態(tài)下，在給CL施加電壓VW時，RSW交替導(dǎo)通。因此，Vw經(jīng)由CUSW和RSW施加給CL。此時，VA施加給CDSW的一端，VQ施加給LSW的另一端。由于Vw-VA和Vw-VQ小于維持電壓Vs1-Vs2，所以，施加給CDSW和LSW的電壓小于在維持期間所要施加的電壓。因此，需要高速運行的CDSW和LSW的擊穿電壓可根據(jù)在維持期間所要施加的電壓來設(shè)定，且它們可由具有較低擊穿電壓的元件組成。
附圖簡介從結(jié)合附圖的以下描述中可以更為清楚地理解本發(fā)明的特性和優(yōu)點，其中圖1示意了等離子顯示器的一般結(jié)構(gòu)；圖2示意了傳統(tǒng)的X電極和Y電極驅(qū)動電路的一個例子；圖3示意了施加給等離子顯示器中每個電極的電壓波形；圖4示意了等離子顯示器中Y電極驅(qū)動電路的一種結(jié)構(gòu)；圖5示意了本發(fā)明的原理；圖6示意了所示原理圖中施加的電壓及開關(guān)的工作過程；圖7示意了本發(fā)明第一實施例中Y電極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)；圖8示意了本發(fā)明第二實施例中Y電極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選實施例的詳細描述本發(fā)明實施例中的等離子顯示器具有如圖1所示的結(jié)構(gòu)，其中，施加給Y電極的復(fù)位電壓大于維持電壓。所以，X電極驅(qū)動電路(X公共驅(qū)動器)的結(jié)構(gòu)與前述的或日本專利申請No.平2001-152744和日本專利申請No.平2002-086225中所公開的電路結(jié)構(gòu)相似。
圖7示意了本發(fā)明第一實施例中Y電極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)。從與圖4的比較中可清楚地看到，上述電路與圖4所示的不同之處在于晶體管CD的一端和電容C1的一端都與串聯(lián)在電壓VQ和地電位之間的晶體管QQ和QP的接點相連。而且，在維持放電期間施加給Y電極的電壓在Vs與地電位間變化。圖5中的開關(guān)BSW和PSW與圖7中的開關(guān)QP相應(yīng)，圖5中的開關(guān)ASW和QSW與圖7中的開關(guān)QQ相應(yīng)。
在維持放電期，QQ關(guān)斷，而QP導(dǎo)通，電容C1一端的電壓設(shè)為地電位，另一端的電壓VL設(shè)為接近維持電壓Vs與地電位間的中間值的值。從而，在晶體管QS、QY和QW關(guān)斷的狀態(tài)下，QW1導(dǎo)通，Vs施加給CU，CD接地，且當CD接地時CU與CD、LU與LD交替導(dǎo)通。此種情形的工作過程與傳統(tǒng)的相同。
在復(fù)位期，QQ導(dǎo)通，QP關(guān)斷，電容C1一端的電壓升為VQ。從而，電壓VL也升高。然后，在晶體管CD、QS、QY、LU和LD關(guān)斷而CU導(dǎo)通的狀態(tài)下，復(fù)位電路15中的QW1關(guān)斷、QW導(dǎo)通，從而在升壓電容器CS一端產(chǎn)生復(fù)位電壓Vw，隨后該電壓經(jīng)由CU施加給CL。此時，由于高于地電位的電壓VQ被施加給CD的一端，CD兩端之間的電壓為Vw-VQ，該值小于Vw。類似地，由于高于地電位的電壓施加給LD的一端，LD兩端之間的電壓也小于Vw。通過適當?shù)卦O(shè)定電壓VQ，可以使復(fù)位期間CD和LD兩端的電壓小于維持電壓，而且不太可能使大于維持電壓Vs的電壓施加于CD和LD兩端。因此，可以根據(jù)小于復(fù)位電壓Vw的維持電壓Vs來規(guī)定晶體管CD和LD的擊穿電壓，從而可獲得由具較低擊穿電壓的元件所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。
圖8示意了本發(fā)明第二實施例中Y電極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)。從與圖4所示的比較中可見，本實施例中的電路與圖4所示的不同之處在于取消了功率回收電路中的電容C1，且晶體管LU的一端和晶體管LD的一端都與復(fù)位電路中晶體管QW和QW1的接點相連。換句話說，復(fù)位電路15中的晶體管QW和QW1被用作圖5中的開關(guān)PSW和QSW，從而獲得所述電路。
在維持放電期，QW關(guān)斷，QW1導(dǎo)通，QW和QW1的接點電壓為地電位。那么，在晶體管QS和QY關(guān)斷的狀態(tài)下，Vs被施加給CU。在CD接地的狀態(tài)下，CU與CD、LU與LD交替開閉。后面將給出有關(guān)此情形中降低功耗方面的描述。
在復(fù)位期，在晶體管CD、QS、QY、LU和LD關(guān)斷且CU導(dǎo)通的狀態(tài)下，復(fù)位電路15中的QW1關(guān)斷，QW導(dǎo)通，而使QW與QW1接點處的電壓升到Vw0。從而，在升壓電容CS的一端產(chǎn)生復(fù)位電壓Vw，且該復(fù)位電壓經(jīng)由CU施加給CL。此時，由于施加于LD一端的電壓高于地電位，所以LD兩端之間的電壓小于Vw。因此，可以根據(jù)小于復(fù)位電壓Vw的維持電壓VS來指定晶體管LD的擊穿電壓，而且可以獲得由具較低擊穿電壓的元件所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。
在第二實施例中，當顯示電容CL上所加的電壓在+Vs與-Vs間變化時，在變成目標電壓之前，它將暫時變?yōu)榈仉娢?，即中間電壓，從而，在不使用電感元件L1和L2的情況下，減小了功率變化量并使功率損耗降低。
例如，如果用P1來表示在未設(shè)功率回收電路時的功率消耗，則P1可由以下公式表示P1＝CL×Vs×Vs/2其中CL表示顯示電容器的電容。
另外，如果用P2來表示第二實施例中電路的功率消耗，則P2可由以下公式表示P2＝CL×Vs×Vs/4＝P1/2這就意味著從原理上講，不用電感元件L1和L2，功率消耗可以減半。
盡管上面描述了給Y電極施加復(fù)位電壓的實施例，但在通過把本發(fā)明應(yīng)用于X電極驅(qū)動電路而將復(fù)位電壓施加于X電極的情形中也可以得到相同的效果。
根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器，即使把大于維持電壓的電壓施加給維持電極，由于施加給維持晶體管和功率回收電路中的晶體管上的電壓小于維持電壓，也可以采用具較低擊穿電壓的元件，從而降低成本。
權(quán)利要求
1.一種電容性負載驅(qū)動電路，用于給一個電容性負載交替地提供第一電壓和第二電壓，所述的電容性負載驅(qū)動電路包括一個開關(guān)，其一端與所述電容性負載相連；其中，當給所述電容性負載施加第三電壓、且所述第三電壓與第二電壓之差大于所述第一電壓與第二電壓之差時，向所述開關(guān)的另一端選擇性地施加一第四電壓。
2.一種如權(quán)利要求1所述的電容性負載驅(qū)動電路，當給所述電容性負載交替地提供所述第一電壓和第二電壓時，向所述開關(guān)的所述另一端施加所述第二電壓。
3.一種如權(quán)利要求1所述的電容性負載驅(qū)動電路，當給所述電容性負載交替地提供所述第一電壓和第二電壓時，給所述開關(guān)的所述另一端提供一個介于第一電壓與第二電壓之間的電壓。
4.一種如權(quán)利要求1所述的電容性負載驅(qū)動電路，所述開關(guān)與所述電容性負載形成一個諧振電路，并形成一個功率回收電路，用于在施加給所述電容性負載的電壓發(fā)生改變時回收能量，在施加給所述電容性負載的電壓接下來再次改變時消耗所述回收的能量。
5.一種如權(quán)利要求3所述的電容性負載驅(qū)動電路，所述開關(guān)經(jīng)一個電感元件而與所述電容性負載相連。
6.一種如權(quán)利要求4所述的電容性負載驅(qū)動電路，所述開關(guān)經(jīng)一個電感元件而與所述電容性負載相連。
7.一種等離子顯示器，包括一個顯示板，具有依次相鄰排列的第一電極和第二電極；一個X驅(qū)動電路，用于驅(qū)動所述第一電極；一個Y驅(qū)動電路，用于驅(qū)動所述第二電極；第一電壓和第二電壓交替地施加給所述的第一電極和第二電極，以在所述第一電極和第二電極之間產(chǎn)生維持放電；對所述第一電極或第二電極中至少一個施加第三電壓，所述的第三電壓與第二電壓之差大于所述第一電壓與第二電壓之差；與被施加所述第三電壓的所述第一電極或第二電極相連的所述X驅(qū)動電路或Y驅(qū)動電路含有一個開關(guān)，開關(guān)的一端與所述第一電極或第二電極相連；其中，在給所述第一電極或第二電極施加所述第三電壓時，給所述開關(guān)的所述另一端選擇性地施加一第四電壓。
8.一種如權(quán)利要求7所述的等離子顯示器，其中所述的第一電壓和第二電壓交替提供給所述第一電極或第二電極，所述的第二電壓提供給所述開關(guān)的所述另一端。
9.一種如權(quán)利要求7所述的等離子顯示器，在所述第一電壓和第二電壓交替提供給所述第一電極或第二電極時，給所述開關(guān)的所述另一端提供一個電壓，該電壓值介于第一電壓與第二電壓之間。
10.一種如權(quán)利要求7所述的等離子顯示器，至少所述X驅(qū)動電路和Y驅(qū)動電路中之一與所述顯示板的顯示電容形成諧振電路，包括一個功率回收電路，用于在施加給第一或第二電極的電壓改變時回收能量，在施加給第一和第二電極的電壓下一次改變時消耗所述能量，并且所述開關(guān)是一個構(gòu)成功率回收電路的開關(guān)。
11.一種如權(quán)利要求10所述的等離子顯示器，所述的開關(guān)經(jīng)由一個電感元件與所述第一電極或第二電極相連。
12.一種如權(quán)利要求7所述的等離子顯示器，還包括第一復(fù)位開關(guān)，用于提供復(fù)位電壓；第二復(fù)位開關(guān)，連接于所述第一復(fù)位開關(guān)與地之間；一個升壓電容器，與所述第一復(fù)位開關(guān)和第二復(fù)位開關(guān)的接點相連；和一個復(fù)位電壓發(fā)生電路，通過使所述第一復(fù)位開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)、第二復(fù)位開關(guān)處于非導(dǎo)通狀態(tài)而在所述升壓電容器上產(chǎn)生所述第三電壓，另一方面，通過使所述第一復(fù)位開關(guān)處于非導(dǎo)通狀態(tài)、第二復(fù)位開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)而使所述第一電壓被充給所述升壓電容器；其中，所述開關(guān)與所述第一復(fù)位開關(guān)和第二復(fù)位開關(guān)的接點相連。
13.一種驅(qū)動電路，用于驅(qū)動顯示板中的電極，所述的顯示板具有一對依次相鄰排列的電極，所述的驅(qū)動電路包括第一電源電路，用于給所述電極提供第一電壓；第二電源電路，用于給所述電極提供第二電壓；和功率回收電路，具有一個電感元件和一個選擇電路，所述電感元件的一端與所述電極相連，所述選擇電路能夠選擇性地向所述電感元件的另一端輸出高電壓和低電壓。
14.一種如權(quán)利要求13所述的驅(qū)動電路，所述的第一電源電路包括一個用于產(chǎn)生比第一電壓大的第三電壓的復(fù)位電壓發(fā)生電路。
15.一種如權(quán)利要求13所述的驅(qū)動電路，所述的選擇電路經(jīng)由一個電容元件與所述電感元件的所述另一端相連。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電容性負載驅(qū)動電路和等離子顯示器(采用這種電路)，即使是在維持電極上所加電壓大于維持電壓時，也能采用具有與維持電壓相應(yīng)的額定電壓的維持晶體管，其中，含有一個其一端與一個電容性負載相連的開關(guān)，當給所述的電容性負載施加第三電壓、且該電壓與第二電壓之差大于第一電壓與第二電壓之差時，選擇性地給所述開關(guān)的所述另一端施加第四電壓。
文檔編號G09G3/20GK1459771SQ031044
公開日2003年12月3日 申請日期2003年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月16日
發(fā)明者小野澤誠, 伊藤英司, 熊倉健, 黃木英明, 鎌田雅樹, 山田和義 申請人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司