若使用Zn0、IGZ0(In-Ga-Zn-0)、IT0等透明半導(dǎo)體膜，則可抑制由光吸收所引起的光載體的不良影響，就增大元件的開 口率的觀點而言，也優(yōu)選。
[0298] 進(jìn)一步，為了降低肖特基能障的寬度、高度，也可在半導(dǎo)體層13與漏極電極16或源 極電極17之間設(shè)置歐姆接觸層15。歐姆接觸層中，可使用n型非晶娃、n型多晶娃等W高濃度 添加有憐等雜質(zhì)的材料。
[0299] 柵極總線26、數(shù)據(jù)總線25、共用線29優(yōu)選為金屬膜，更優(yōu)選為Al、Cu、Au、AgXr、Ta、 Ti、Mo、W、Ni或其合金，特別優(yōu)選使用Al或其合金的配線的情形。另外，絕緣保護(hù)層18為具有 絕緣功能的層，由氮化娃、二氧化娃、娃酸氮化膜等所形成。
[0300] 在圖2及圖3所示的實施方式中，共用電極22是形成于柵極絕緣層12上的大致整個 面的平板狀電極，另一方面，像素電極21是形成于覆蓋共用電極22的絕緣保護(hù)層18上的梳 形電極。即，共用電極22配置于比像素電極21更接近第一基板2的位置，運些電極隔著絕緣 保護(hù)層18而相互重合地配置。像素電極21及共用電極22例如由ITOClndi凹1 Tin化ide，氧 化銅錫）、IZ0(Indi皿 Zinc Oxide,氧化銅鋒）、IZT0(Indi皿 Zinc Tin Oxide,氧化銅鋒 錫)等透明導(dǎo)電性材料所形成。像素電極21及共用電極22由透明導(dǎo)電性材料所形成，因而單 位像素面積的開口的面積增大，開口率及透過率增加。
[0301] 另外，像素電極21及共用電極22是指為了運些電極間形成邊緣電場，W像素電極 21與共用電極22之間的電極間距離（也稱為最小間隔距離）：R小于第一基板2與第二基板7 的距離:G的方式形成。此處，電極間距離:R表示各電極間與基板水平的方向的距離。在圖3 中，平板狀共用電極22與梳形像素電極21重合，因而示出了成為最小間隔距離(或電極間距 離）：R=〇的例子，最小間隔距離:R小于第一基板2與第二基板7的距離（即，單元間隙）：G，因 而形成邊緣的電場E。因此，F(xiàn)FS型的液晶顯示元件可利用相對于形成像素電極21的梳形的 線而垂直的方向形成的水平方向的電場及拋物線狀電場。像素電極21的梳狀部分的電極寬 度:1及像素電極21的梳狀部分的間隙寬度:m優(yōu)選形成為可利用所產(chǎn)生的電場驅(qū)動液晶層5 內(nèi)的全部液晶分子的程度的寬度。另外，像素電極與共用電極的最小間隔距離R可調(diào)整為柵 極絕緣膜12的(平均)膜厚。
[0302] 本發(fā)明的液晶顯示元件優(yōu)選為垂直電場方式或橫向電場方式液晶顯示元件，更優(yōu) 選為利用邊緣電場的方式或VA方式的液晶顯示元件。若共用電極22與像素電極21鄰接 的最短間隔距離R小于取向?qū)?彼此(基板間距離）的最短間隔距離G，則在共用電極與像素 電極之間形成邊緣電場，可有效地利用液晶分子的水平方向及垂直方向的取向。如本發(fā)明 的優(yōu)選方式的方式的液晶顯示元件的情況中，若對W長軸方向與取向?qū)拥娜∠蚍较蚱?行的方式配置的液晶分子施加電壓，則在像素電極21與共用電極22之間的拋物線形電場的 等電位線形成為達(dá)到像素電極21與共用電極22的上部，液晶層5內(nèi)的液晶分子沿著所形成 的電場而在液晶層5內(nèi)旋轉(zhuǎn)。尤其是本發(fā)明的液晶組合物由于使用具有負(fù)介電常數(shù)各向異 性的液晶分子，因而液晶分子的長軸方向W與所產(chǎn)生的電場方向平行的方式旋轉(zhuǎn)。位于像 素電極21附近的液晶分子容易受到邊緣電場的影響，但具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的液晶分 子由于分極方向位于分子的短軸，因此其長軸方向并非在平行于取向?qū)?的方向旋轉(zhuǎn)，液晶 層5內(nèi)的全部液晶分子的長軸方向可相對于取向膜4而維持平行方向。因此，與使用具有正 介電常數(shù)各向異性的液晶分子的FK方式的液晶顯示元件相比，可獲得優(yōu)異的透過率特性。
[0303] 就防止漏光的觀點而言，彩色濾光片6優(yōu)選為在與薄膜晶體管及存儲電容器23對 應(yīng)的部分形成黑矩陣(未圖示）。
[0304] 在電極層3及彩色濾光片6上，設(shè)置有與構(gòu)成液晶層5的液晶組合物直接抵接且引 起水平取向的一對取向膜4。
[0305] 此處，使用圖4對本實施方式中的取向膜4的取向方向（液晶分子的取向方向）進(jìn)行 說明。圖4是模式性地表示利用取向膜4所誘發(fā)的液晶的取向方向的圖。本發(fā)明中，使用具有 負(fù)介電常數(shù)各向異性的液晶組合物。因此，在將與形成像素電極21的梳形的線垂直的方向 (形成水平電場的方向）設(shè)為X軸時，優(yōu)選為W該X軸與液晶分子30的長軸方向所成的角0大 致成為0~45°的方式取向。在圖3所示的例中，示出X軸與液晶分子30的長軸方向所成的角0 大致為0°的例子。W運樣的方式誘發(fā)液晶的取向方向的原因在于，提高液晶顯示裝置的最 大透過率。
[0306] 通過將取向膜設(shè)為光取向膜，可減輕因摩擦不均所引起的對液晶分子的取向限制 力的降低，且可提供優(yōu)異的透過率特性的FK方式的液晶顯示元件。
[0307] 另外，偏光板1及偏光板8可W W調(diào)整各偏光板的偏光軸而使視野角、對比度變得 良好的方式進(jìn)行調(diào)整，優(yōu)選W運些透過軸按照常黑模式進(jìn)行動作的方式具有相互平行的透 過軸。尤其是偏光板1及偏光板8中的任一者均優(yōu)選為W具有與液晶分子30的取向方向平行 的透過軸的方式配置。另外，優(yōu)選W對比度成為最大的方式調(diào)整液晶的折射率各向異性An 與單元厚度d的積。進(jìn)一步，也可使用用于擴(kuò)大視野角的位相差膜。
[0308] 另外，本發(fā)明的液晶顯示元件優(yōu)選為共用電極形成于第一基板的大致整個面，且 配置于比像素電極更靠近第一基板側(cè)。即，本發(fā)明的液晶顯示元件的優(yōu)選的實施方式具備： 相對著配置的第一基板及第二基板;液晶層，其含有填充至上述第一基板與上述第二基板 之間的液晶組合物；電極層，其在上述第一基板上，在每個像素中具有包含透明導(dǎo)電性材料 的共用電極、配置為矩陣狀的多個柵極總線及數(shù)據(jù)總線、設(shè)置于上述柵極總線與數(shù)據(jù)總線 的交叉部的薄膜晶體管、W及包含透明導(dǎo)電性材料且利用上述薄膜晶體管進(jìn)行驅(qū)動而在與 上述共用電極之間形成邊緣電場的像素電極；W及光取向膜層，其分別形成于上述液晶層 與上述第一基板間及上述液晶層與上述第二基板間且誘發(fā)水平取向；并且，上述像素電極 與共用電極之間的電極間距離R小于上述第一基板與第二基板的距離G，上述共用電極形成 于上述第一基板的大致整個面，且配置于比像素電極更靠近第一基板側(cè)。運里，在作為本發(fā) 明的一個方式的圖1~4中，示出了共用電極形成于第一基板的大致整個面且配置于比像素 電極更靠近第一基板側(cè)的方式。
[0309] 使用圖1~圖4說明的。!^型液晶顯示元件為一例，只要不偏離本發(fā)明的技術(shù)思想， 也可實施其他各種方式。
[0310] W下使用圖5及圖6對本發(fā)明的液晶顯示元件的其他實施方式進(jìn)行說明。
[0311] 例如圖5是將圖1中基板2上所形成的電極層3由II線所包圍的區(qū)域放大的平面圖 的其他實施方式。如圖5所示，也可設(shè)為像素電極21具有狹縫的構(gòu)成。另外，也可W W相對于 柵極總線26或數(shù)據(jù)總線25而具有傾斜角的方式形成狹縫的圖案。
[0312] 該圖5所示的像素電極21是將大致長方形平板體的電極W大致矩形框狀缺口部的 方式進(jìn)行挖空的形狀。另外，在該像素電極21的背面，隔著絕緣層18(未圖示)而在單面形成 有梳齒狀的共用電極22。并且，鄰接的共用電極與像素電極的最短間隔距離R小于取向?qū)颖?此的最短間隔距離G。另外，上述像素電極的表面優(yōu)選由保護(hù)絕緣膜及取向膜層所被覆。運 里，也可在上述多個柵極總線25與多個數(shù)據(jù)總線24所包圍的區(qū)域設(shè)置對于經(jīng)由數(shù)據(jù)配線24 供給的顯示信號進(jìn)行保存的存儲電容器(未圖示）。運里，缺口部的形狀并無特別限定，不僅 可使用圖5所示的大致矩形，也可使用楠圓、圓形、長方形、菱形、=角形或平行四邊形等公 知形狀的缺口部。
[0313] 圖6是與圖3不同的實施方式，是沿著圖2中的III-III線方向切割圖1所示的液晶 顯示元件的剖視圖的另一例。在表面形成有取向?qū)?及包含薄膜晶體管20的電極層3的第一 基板2、與在表面形成有取向?qū)?的第二基板8W特定間隔D且W取向?qū)颖舜讼鄬Φ姆绞介g 隔，在該空間內(nèi)填充包含液晶組合物的液晶層5。在第一基板2的表面的一部分上W柵極絕 緣膜12、共用電極22、絕緣膜18、像素電極21及取向?qū)?的順序?qū)盈B。另外，也如圖8所示，像 素電極21是將平板體的中央部及兩端部W =角形缺口部的方式進(jìn)行挖空，進(jìn)一步將殘留的 區(qū)域W長方形缺口部的方式進(jìn)行挖空而成的形狀，且共用電極22是W與上述像素電極21的 大致楠圓形缺口部大致平行的方式使梳齒狀的共用電極配置于比上述像素電極更靠近第 一基板側(cè)的結(jié)構(gòu)。
[0314] 另外，在圖6所示的例中，使用梳形或具有狹縫的共用電極22,像素電極21與共用 電極22的電極間距離成為R=CU進(jìn)一步，圖3是表示在柵極絕緣膜12上形成有共用電極22的 例子，但如圖6所示，也可將共用電極22形成于第一基板2上并隔著柵極絕緣膜12設(shè)置像素 電極21。像素電極21的電極寬度：1、共用電極22的電極寬度:n及電極間距離:R優(yōu)選適當(dāng)調(diào) 整至可利用所產(chǎn)生的電場驅(qū)動液晶層5內(nèi)的全部液晶分子的程度的寬度。
[0315] 本發(fā)明的模式的液晶顯示元件由于使用特定的液晶組合物及特定的光取向 膜，因而可W兼顧高速響應(yīng)及抑制顯示不良。
[0316] 本發(fā)明優(yōu)選的其他實施方式是使用液晶組合物的垂直電場型液晶顯示元件。圖7 是模式性地表示垂直電場型液晶顯示元件的構(gòu)成的圖。另外，在圖7中，為了進(jìn)行說明，方便 起見將各構(gòu)成要素隔開而進(jìn)行記載。圖8是將該圖7中的由形成于基板上的包含薄膜晶體管 的電極層3(或也稱為薄膜晶體管層3)由II線所包圍的區(qū)域放大的平面圖。圖9是沿著圖8中 的III-III線方向切割圖1所示的液晶顯示元件的剖視圖。W下，參照圖7~9,對本發(fā)明的垂 直電場型液晶顯示元件進(jìn)行說明。
[0317] 本發(fā)明的液晶顯示元件10的構(gòu)成如圖7所記載那樣具有如下特征，其具備:第一基 板80,其具有包含透明導(dǎo)電性材料的透明電極(層)60(或也稱為共用電極60);第二基板20， 其包含薄膜晶體管層30,該薄膜晶體管層30形成有對含有透明導(dǎo)電性材料的像素電極及各 像素上所具有的上述像素電極進(jìn)行控制的薄膜晶體管；W及液晶組合物(或液晶層50)，其 夾持于上述第一基板80與第二基板20之間;并且該液晶組合物中的液晶分子在未施加電壓 時的取向相對于上述基板20、80大致垂直;該液晶顯示元件使用上述本發(fā)明的液晶組合物 作為該液晶組合物。另外，如圖7及圖9所示，上述第二基板20及上述第一基板80也可由一對 偏光板10、90所夾持。進(jìn)一步，在圖7中，在上述第一基板8與共用電極6之間設(shè)置有彩色濾光 片70。進(jìn)一步，也可W與本發(fā)明的液晶層50鄰接且與構(gòu)成該液晶層50的液晶組合物直接抵 接的方式將一對光取向膜40形成于透明電極(層)60、140表面。
[0318] 目P，本發(fā)明的液晶顯示元件10為依序?qū)盈B有第二偏光板10、第二基板20、包含薄膜 晶體管的電極層(或也稱為薄膜晶體管層)30、光取向膜40、包含液晶組合物的層50、光取向 膜40、共用電極60、彩色濾光片70、第一基板80及第一偏光板90的構(gòu)成。
[0319] 另外，如圖8及圖9所示，形成于第二基板20的表面的包含薄膜晶體管的電極層30 中，用于供給掃描信號的柵極配線250及用于供給顯示信號的數(shù)據(jù)配線240相互交叉，并且 在上述多個柵極配線250及多個數(shù)據(jù)配線240所包圍的區(qū)域形成有矩陣狀像素電極210。作 為對像素電極210供給顯示信號的開關(guān)元件，在上述柵極配線250與上述數(shù)據(jù)配線240相互 交叉的交叉部附近，W與上述像素電極210連接的方式設(shè)置有包含源極電極260、漏極電極 230與柵極電極270的薄膜晶體管。進(jìn)一步，在上述多個柵極配線250與多個數(shù)據(jù)配線240所 包圍的區(qū)域，設(shè)置有對于經(jīng)由數(shù)據(jù)配線240供給的顯示信號進(jìn)行保存的存儲電容器220。
[0320] 本發(fā)明中，如圖2所記載那樣，可優(yōu)選地用于薄膜晶體管為逆交錯型的液晶顯示元 件中，柵極配線250、數(shù)據(jù)配線240等優(yōu)選為金屬膜，特別優(yōu)選使用侶配線的情形。進(jìn)一步，柵 極配線250及數(shù)據(jù)配線240隔著柵極絕緣膜而重合。
[0321] 另外，就防止漏光的觀點而言，該彩色濾光片70優(yōu)選為在與薄膜晶體管及存儲電 容器22對應(yīng)的部分形成黑矩陣(未圖示）。
[0322] 本發(fā)明的液晶顯示元件的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的一個優(yōu)選方式如上所述。
[0323] 如上所述，在制造液晶顯示元件的過程中，滴痕的產(chǎn)生受到注入的液晶材料的大 的影響，但即便根據(jù)液晶顯示元件的構(gòu)成，也無法避免其影響，如圖9所示，由于是僅薄的光 取向膜40、透明電極60、140等與液晶組合物直接抵接的構(gòu)件，因而例如通過與用于光取向 膜40的具有高分子化學(xué)結(jié)構(gòu)及特定化學(xué)結(jié)構(gòu)的液晶化合物組合，而對滴痕的產(chǎn)生造成影 響。
[0324] 另外，關(guān)于FR5模式的液晶顯示元件，當(dāng)在第一基板2與第二基板7之間注入液晶層 5時，例如進(jìn)行真空注入法或滴加注入(ODF: One Drop Fi 11)法等方法，本申請發(fā)明中，ODF 法可抑制將液晶組合物滴加至基板上時的滴痕的產(chǎn)生。運里，所謂滴痕，定義為顯示黑色時 滴加液晶組合物的痕跡浮現(xiàn)白色的現(xiàn)象。
[0325] 滴痕的產(chǎn)生受到注入的液晶材料的大的影響，進(jìn)一步，即便根據(jù)顯示元件的構(gòu)成， 也無法避免該影響。在。!^模式的液晶顯示元件中，顯示元件中所形成的薄膜晶體管及梳形 或具有狹縫的像素電極21等由于僅存在薄的取向膜4、或薄的取向膜4及薄的絕緣保護(hù)層18 等隔開液晶組合物的構(gòu)件，因此未徹底阻斷離子性物質(zhì)的可能性高，無法避免由構(gòu)成電極 的金屬材料與液晶組合物的相互作用所引起的滴痕的產(chǎn)生，但通過在。!^型液晶顯示元件 中組合使用本申請發(fā)明的液晶組合物及光取向膜，可有效地抑制滴痕的產(chǎn)生。
[0326] 另外，在利用ODF法的液晶顯示元件的制造工序中，必須根據(jù)液晶顯示元件的尺寸 而滴加最優(yōu)選的液晶注入量，但本申請發(fā)明的液晶組合物由于例如在液晶滴加時產(chǎn)生的滴 加裝置內(nèi)的急劇的壓力變化、對應(yīng)于沖擊的影響小，可歷經(jīng)長時間持續(xù)穩(wěn)定地滴加液晶，因 而也可使液晶顯示元件的良率保持為高。尤其是多用于最近流行的智能手機(jī)的小型液晶顯 示元件由于最優(yōu)選的液晶注入量少，因而本身難W將距離最優(yōu)選值的偏離控制于一定范圍 內(nèi)，但通過使用本申請發(fā)明的液晶組合物，即便是小型液晶顯示元件，也可實現(xiàn)穩(wěn)定的液晶 材料的吐出量。
[0327] W下，對本發(fā)明的液晶顯示元件的制造方法進(jìn)行說明。本發(fā)明的液晶顯示元件例 如優(yōu)選為通過W下的工序（1)~(3)而制造。
[0328] 本發(fā)明的液晶顯示元件的制造方法中，優(yōu)選通過在基板上涂布本發(fā)明的光取向膜 前體溶液后，加熱該涂布面從而在基板上形成涂膜(工序（1))。更詳細(xì)而言，例如通過在設(shè) 置有形成梳齒型圖案的透明導(dǎo)電膜的基板的導(dǎo)電膜形成面W及未設(shè)置導(dǎo)電膜的對向基板 的一面分別涂布本發(fā)明的光取向膜前體溶液，繼而加熱各涂布面從而形成涂膜。
[0329] 本發(fā)明的光取向膜前體溶液優(yōu)選為包含上述光響應(yīng)性高分子的溶液。該光響應(yīng)性 高分子更優(yōu)選含有選自由使四簇酸二酢與二胺化合物反應(yīng)而獲得的聚酷胺酸及聚酷亞胺 所組成的組中的至少一種聚合物及上述有機(jī)溶劑。
[0330] 對于本發(fā)明的光取向膜前體溶液，優(yōu)選為利用平版印刷法、旋轉(zhuǎn)涂布法、漉式涂布 法或噴墨印刷法分別進(jìn)行涂布。此處，作為基板，例如可使用:浮法玻璃、鋼玻璃等玻璃;包 含聚對苯二甲酸乙二醋、聚對苯二甲酸下二醋、聚酸諷、聚碳酸醋、聚(脂環(huán)式締控)等塑料 的透明基板。作為設(shè)置于(第一)基板的一面上的透明導(dǎo)電膜，也可使用包含氧化錫（Sn〇2) 的肥SA膜、包含氧化銅-氧化錫（In2〇3-Sn〇2)的ITO膜等。進(jìn)一步，為了獲得圖案化的透明導(dǎo) 電膜，例如可采用在形成無圖案的透明導(dǎo)電膜后利用光蝕刻形成圖案的方法、或在形成透 明導(dǎo)電膜時使用具有所需圖案的掩模的方法等。在涂布上述光取向膜前體溶液時，為了進(jìn) 一步改良基板表面及透明導(dǎo)電膜與涂膜的粘接性，也可使用官能性硅烷化合物、官能性鐵 化合物等公知的方法預(yù)先對基板表面進(jìn)行表面處理。
[0331] 在涂布上述光取向膜前體溶液后，視需要也可進(jìn)行預(yù)烤，該情況中的預(yù)烤溫度優(yōu) 選為30~200°C。另外，該預(yù)烤時間優(yōu)選為0.25~10分鐘。然后，優(yōu)選完全去除溶劑，為了視 需要使存在于聚合物中的酷胺酸結(jié)構(gòu)發(fā)生熱酷亞胺化而進(jìn)行燒結(jié)工序。此時的燒結(jié)溫度優(yōu) 選為80~300°C。燒結(jié)時間優(yōu)選為5~200分鐘。W運樣的方式形成的膜的膜厚優(yōu)選為0.001 ~化m〇
[0332] 另外，當(dāng)本發(fā)明的光取向膜前體溶液所含有的聚合物為聚酷胺酸或具有酷亞胺環(huán) 結(jié)構(gòu)及酷胺酸結(jié)構(gòu)的酷亞胺化聚合物時，也可通過在涂膜形成后進(jìn)一步加熱進(jìn)行脫水閉環(huán) 反應(yīng)，也可制成進(jìn)一步酷亞胺化的涂膜。
[0333] 本發(fā)明的液晶顯示元件的制造方法中，優(yōu)選對形成于上述基板上的包含聚酷胺酸 或聚酷亞胺的涂膜進(jìn)行光照射(工序(2))。另外，該工序(2)也可在下述工序(3)后進(jìn)行。作 為對該涂膜進(jìn)行照射的光，可使用包含150~SOOnm的波長的光的紫外線或可視光線，優(yōu)選 為包含300~400nm的波長的光的紫外線。
[0334] 作為上述照射光的光源，可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、重氨燈、金屬面化物燈、 氣氣共振燈、氣氣燈、準(zhǔn)分子激光等。運里，上述優(yōu)選的波長區(qū)域的紫外線可通過將光源與 例如濾光片、衍射光柵等并用的手段等而獲得。作為光的照射量，優(yōu)選為l，〇〇〇J/m 2W上且 100,000J/m2W下。
[0335] 本發(fā)明的液晶顯示元件的制造方法中，優(yōu)選使形成有光取向膜或涂膜的一對基板 隔著間隙(單元間隙)而相對著配置，并且在該間隙內(nèi)填充本發(fā)明的液晶組合物(工序(3))。
[0336] 作為填充上述液晶組合物的方法，可列舉：（1)真空注入法(對于形成有光取向膜 或涂膜的一對基板，W兩炔基板的該膜的取向方向成為正交的方式隔著間隙（單元間隙）而 相對著配置，使用密封劑使兩炔基板的周邊部貼合，在由基板表面及密封劑所劃分的單元 間隙內(nèi)注入填充液晶，密封注入孔而構(gòu)成液晶單元的方法)或(2)0DF法。在利用真空注入法 導(dǎo)入液晶組合物的方法中，不產(chǎn)生滴痕但是伴隨著基板尺寸的大型化而在制造時間、成本 等方面存在問題。但是，本申請發(fā)明中，通過光取向膜與液晶組合物的組合，可更優(yōu)選地用 于使用ODF法制造的顯示元件中。
[0337] 另外，如本申請發(fā)明那樣，可認(rèn)為由于FR5方式是在同一基板（圖3中，為第一基板） 的表面形成有TFT等電極層3(光取向膜所被覆的面），因而在該表面存在大量凹凸，成為容 易促進(jìn)滴痕的產(chǎn)生的環(huán)境，但通過光取向膜與液晶組合物的組合，可減輕該問題。
[0；33引實施例
[0339] W下，列舉實施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明，本發(fā)明并不限定于運些實施例。另外，W 下的實施例及比較例的組合物中的"％"表示"質(zhì)量％"。
[0340] 實施例中，測定的特性如下所述。
[Cmi ] Tni :向列相-各向同性液體相轉(zhuǎn)變溫度rC )
[0%2] An:25°C時的折射率各向異性
[0343] Ae:25°C時的介電常數(shù)各向異性
[0344] 11:20。(：時的粘度(111?曰.3)
[0345] 丫 1:化。C時的旋轉(zhuǎn)粘度(mPa ? S)
[0%6] VHR:頻率60化，施加電壓IV的條件下且60°C時的電壓保持率（％ )
[0；347]燒屏：
[0348]液晶顯示元件的燒屏評價是使特定的固定圖案在顯示區(qū)域內(nèi)顯示1000小時后，W 目測并根據(jù)W下的4個階段對進(jìn)行全畫面均勻顯示時的固定圖案的殘影水平進(jìn)行評價。
[0349] ◎無殘影
[0350] O有極少殘影且可容許的水平
[0351] A有殘影且無法容許的水平
[0352] X有殘影且相當(dāng)嚴(yán)重 [0；353]滴痕；
[0354] 液晶顯示裝置的滴痕評價是W目測并按照W下的4個階段對整個面顯示黑色時浮 現(xiàn)白色的滴痕進(jìn)行評價。
[0355] ◎無殘影
[0356] O有極少殘影且可容許的水平
[0357] A有殘影且無法容許的水平
[0358] X有殘影且相當(dāng)嚴(yán)重
[0359] 工藝適應(yīng)性：
[0360] 工藝適應(yīng)性是在ODF工藝中，使用定積計量累W每次50pL逐次滴加液晶100000次， 對連續(xù)的"0~100次、101~200次、201~300次、……99901~100000次"的各100次滴加的液 晶量變化按照W下的4個階段進(jìn)行評價。
[0361 ] ◎變化極小(可穩(wěn)定地制造液晶顯示元件）
[0362] O稍微變化且可容許的水平
[0363] A有變化且無法容許的水平(因產(chǎn)生不均而良率惡化）
[0364] X有變化且相當(dāng)嚴(yán)重(產(chǎn)生液晶泄漏、真空氣泡）
[0%日]低溫時的溶解性：
[0366] 低溫時的溶解性評價是在制備液晶組合物后，在2mL樣品瓶