OO-、-OCO-、-CH=CH-、-CF = CF-、-CF20-、-0CF2-、-CF2CF2-、-CC-、-CH = CHCOO-、-OCOCH = CH-。其中，61、62、63、64、巧中的任意一個(gè)^上表示-邸=(：肥00-、-0(：0邸=邸-。115、116、117、118表 示0或1，61、6 2、63、64、65各自獨(dú)立地表示反式-1，4-亞環(huán)己基、反式-1，4-二嗯燒-2,5-二基、 1，4-亞糞基、2，6-亞糞基、化晚-2，5-二基、喀晚-2，5-二基、2，5-硫代亞苯基、2，5-亞巧喃基 或1,4-亞苯基，它們可未經(jīng)取代，或者也可一個(gè)W上的氨原子經(jīng)氣原子、氯原子、甲基或甲 氧基取代，Z表示氨原子、氣原子、碳原子數(shù)1~12的烷基(一個(gè)-C出-基或兩個(gè)W上的非鄰接 的-畑2-基可被-0-、-C0-、-C00-、-0C0-、-NR-、-NRC0-、-C0NR-、-NRC00-、-0C0NR-、-NRCONR-、-CH = CH-、-CC-或-OCOO-取代。R表示氨原子或碳原子數(shù)1~20的烷基）、氯基、硝 基、徑基或簇基。）
[0219]作為運(yùn)樣的二胺化合物的具體例，例如可列舉W下的式(DA-60)~(DA-63)。
[0222] 作為本發(fā)明的光分解型光取向膜，就可表現(xiàn)良好的液晶取向性的觀點(diǎn)而言，四簇 酸酢更優(yōu)選為式(TCA-I)、式(TCA-2)、式(TCA-3)、式(TCA-4)、式(TCA-5)、式(TCA-33)(上述 式(TCA-33)中，T特別優(yōu)選為-CO-)及TCA-34(上述式(TCA-34)中，T優(yōu)選為-CO-)，特別優(yōu)選 為式(TCA-I)、式(TCA-2)、式(TCA-3)、式(TCA-4)及式(TCA-5)。另外，作為本發(fā)明的光分解 型光取向膜，就可表現(xiàn)良好的液晶取向性的觀點(diǎn)而言，二胺化合物特別優(yōu)選為式(DA-1)、式 (DA-25)、式（DA-49)。
[0223] W上列舉的四簇酸酢、二胺化合物根據(jù)所要求的特性，可分別單獨(dú)使用一種或組 合使用兩種W上。
[0224] 在本發(fā)明的光響應(yīng)性分解型高分子的優(yōu)選的聚酷胺酸中，上述四簇酸二酢與上述 二胺化合物的混合比率相對(duì)于二胺的氨基1當(dāng)量而優(yōu)選為四簇酸二酢的酸酢基成為0.2~2 當(dāng)量的比率，更優(yōu)選成為0.3~1.2當(dāng)量的比率。
[0225] 另外，在本發(fā)明的光取向膜中，由四簇酸酢及二胺化合物的縮合所引起的聚酷胺 酸的合成反應(yīng)優(yōu)選在有機(jī)溶劑中進(jìn)行。該反應(yīng)溫度優(yōu)選為-20°C~150°C，更優(yōu)選為0~100 °C。另外，該反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選為0.1~24小時(shí)，更優(yōu)選為0.5~12小時(shí)。
[0226] 作為上述有機(jī)溶劑，例如可列舉:醇、酬、醋、酸、非質(zhì)子性極性溶劑、苯酪及其衍生 物系溶劑、面化控系溶劑、控系溶劑等。
[0227] 作為上述醇，例如優(yōu)選為甲醇、乙醇、異丙醇、環(huán)己醇、乙二醇、丙二醇、1,4-下二 醇、S乙二醇、乙二醇單甲酸等。
[0。引作為上述酬，例如優(yōu)選為丙酬、甲基乙基酬、甲基異下基酬、環(huán)己酬等。
[0229] 作為上述醋，例如可列舉:乳酸乙醋、乳酸下醋、乙酸甲醋、乙酸乙醋、乙酸下醋、甲 基甲氧基丙酸醋、乙基乙氧基丙酸醋、草酸二乙醋、丙二酸二乙醋等。
[0230] 作為上述酸，例如可列舉:二乙酸、乙二醇甲酸、乙二醇乙酸、乙二醇-正丙酸、乙二 醇-異丙酸、乙二醇-正下酸、乙二醇二甲酸、乙二醇乙酸乙酸醋、二乙二醇二甲酸、二乙二醇 二乙酸、二乙二醇單甲酸、二乙二醇單乙酸、二乙二醇單甲酸乙酸醋、二乙二醇單乙酸乙酸 醋、四氨巧喃等。
[0231] 作為上述非質(zhì)子性極性溶劑的具體例，例如優(yōu)選為N-甲基-2-化咯燒酬、N，N-二甲 基乙酷胺、N，N-二甲基甲酯胺、二甲基亞諷、丫-下內(nèi)醋、四甲基脈及六甲基憐酷S胺等。
[0232] 作為上述苯酪及其衍生物，例如優(yōu)選為間甲酪、二甲苯酪、面化苯酪等
[0233] 作為上述面化控系溶劑，例如可列舉:二氯甲燒、1,2-二氯乙燒、1,4-二氯下燒、S 氯乙燒、氯苯、鄰二氯苯等。
[0234] 作為上述控系溶劑，例如可列舉:己燒、庚燒、辛燒、苯、甲苯、二甲苯、異戊基丙酸 醋、異戊基異下酸醋、二異戊酸等。
[0235] 四簇酸二酢及二胺化合物相對(duì)于有機(jī)溶劑的合計(jì)量?jī)?yōu)選為相對(duì)于反應(yīng)溶液的總 量而成為0.1~50重量％。
[0236] 若在上述條件下使四簇酸二酢及二胺化合物反應(yīng)，則獲得包含聚酷胺酸的反應(yīng)溶 液。該所獲得的反應(yīng)溶液可直接供給至取向膜的制備，或者也可使該反應(yīng)溶液中所含的聚 酷胺酸單獨(dú)分離后供給至取向膜的制備，進(jìn)一步也可將單獨(dú)分離的聚酷胺酸純化后供給至 取向膜的制備。
[0237] 另外，在使上述所獲得的聚酷胺酸脫水閉環(huán)而制成聚酷亞胺時(shí)，可將上述反應(yīng)溶 液直接供給至脫水閉環(huán)反應(yīng)，也可將反應(yīng)溶液中所含的聚酷胺酸單獨(dú)分離后供給至脫水閉 環(huán)反應(yīng)，或者也可將單獨(dú)分離的聚酷胺酸純化后供給至脫水閉環(huán)反應(yīng)。聚酷胺酸的單獨(dú)分 離及純化可根據(jù)公知的方法而進(jìn)行。
[0238] 作為使由上述反應(yīng)所獲得的聚酷胺發(fā)生酸酷亞胺化而制成聚酷亞胺的方法，可通 過使聚酷胺酸脫水閉環(huán)并酷亞胺化而獲得。具體而言，通過對(duì)聚酷胺酸進(jìn)行加熱的方法、或 將聚酷胺酸溶解于有機(jī)溶劑中并且在該溶液中添加脫水劑及脫水閉環(huán)催化劑、并視需要進(jìn) 行加熱的方法而進(jìn)行。
[0239] 作為用于脫水閉環(huán)反應(yīng)的有機(jī)溶劑，可列舉作為用于合成聚酷胺酸的有機(jī)溶劑而 例示的有機(jī)溶劑，因而此處省略。
[0240] 作為本發(fā)明的取向膜的聚酷亞胺可W是使作為其前體的聚酷胺酸所具有的酷胺 酸結(jié)構(gòu)全部脫水閉環(huán)而成的完全酷亞胺化物，也可為使酷胺酸結(jié)構(gòu)的一部分脫水閉環(huán)從而 酷胺酸結(jié)構(gòu)與酷亞胺環(huán)結(jié)構(gòu)并存的部分酷亞胺化物。關(guān)于本發(fā)明的聚酷亞胺，其酷亞胺化 率優(yōu)選為30% W上，更優(yōu)選為40~99%，進(jìn)一步優(yōu)選為45~98%。該酷亞胺化率是指W百分 率表示酷亞胺環(huán)結(jié)構(gòu)的數(shù)量相對(duì)于聚酷亞胺的酷胺酸結(jié)構(gòu)的數(shù)量與酷亞胺環(huán)結(jié)構(gòu)的數(shù)量 的合計(jì)所占的比率。此處，酷亞胺環(huán)的一部分也可為異酷亞胺環(huán)。
[0241] 運(yùn)里，本發(fā)明中，聚酷亞胺的酷亞胺化率的測(cè)定方法是將來自酷亞胺化前后未變 化的結(jié)構(gòu)的質(zhì)子設(shè)為基準(zhǔn)質(zhì)子，使用該質(zhì)子的峰積分值及9.5~10.Oppm附近所出現(xiàn)的來自 酷胺酸的NH基的質(zhì)子峰積分值進(jìn)行計(jì)算。
[0242] 在本發(fā)明中，使聚酷胺酸在溶液中熱酷亞胺化時(shí)的溫度優(yōu)選為100°C~400°C，更 優(yōu)選為120°C~250°C。在該情況中，優(yōu)選為一邊將由酷亞胺化反應(yīng)所生成的水排出至體系 外一邊進(jìn)行的方法。
[0243] 本發(fā)明中，在利用催化劑使聚酷胺酸發(fā)生酷亞胺化時(shí)，通過如下方式獲得:在上述 所獲得的聚酷胺酸的溶液中添加堿性催化劑及酸酢，在優(yōu)選為-20~250°C、更優(yōu)選為0~ 18(TC進(jìn)行攬拌。另外，在該情況中，堿性催化劑的量為酷胺酸基的0.5~30摩爾倍，優(yōu)選為2 ~20摩爾倍，酸酢的量為酷胺酸基的1~50摩爾倍，優(yōu)選為3~30摩爾倍。
[0244] 作為上述堿性催化劑，可列舉:化晚、=甲基化晚、二甲基化晚、=乙胺、=甲胺、= 下胺及=辛胺等。另外，作為上述酸酢，可列舉:乙酸酢、偏苯=甲酸酢、均苯四甲酸酢等。
[0245] 運(yùn)里，由催化劑酷亞胺化所產(chǎn)生的酷亞胺化率可通過調(diào)節(jié)催化劑量和反應(yīng)溫度、 反應(yīng)時(shí)間而進(jìn)行控制。
[0246] 本發(fā)明中，在從聚酷胺酸或聚酷亞胺的反應(yīng)溶液中回收所生成的聚酷胺酸或聚酷 亞胺時(shí)，只要將反應(yīng)溶液投入至不良溶劑中而使其沉淀即可。作為用于沉淀的不良溶劑，可 列舉：甲醇、丙酬、己燒、下基溶纖劑、庚燒、甲基乙基酬、甲基異下基酬、乙醇、甲苯、苯、水 等。投入至不良溶劑中而沉淀的聚合物可在過濾并回收后，在常壓或減壓下且在常溫下或 加熱而進(jìn)行干燥。
[0247] 在將本發(fā)明的聚酷胺酸及聚酷亞胺的濃度設(shè)為10重量％的溶液時(shí)，優(yōu)選具有10~ SOOmPa ? S的溶液粘度，更優(yōu)選具有15~500m化? S的溶液粘度。運(yùn)里，運(yùn)些聚合物的溶液粘 度(mPa ? S)是對(duì)于使用該聚合物的良性溶劑(例如丫-下內(nèi)醋、N-甲基-2-化咯燒酬等）制備 的濃度10重量％的聚合物溶液，利用E型旋轉(zhuǎn)粘度計(jì)在25 °C測(cè)得的值。
[0248] 作為本發(fā)明的光響應(yīng)性分解型高分子，除上述W外，也優(yōu)選為下述通式（IA)或通 式(IB)所表示的光響應(yīng)性二聚化型高分子、其水解物或水解物的縮合物。
[0巧。（上述通式（1)中，Sp為選自由單鍵、-(畑2)。-(式中，U表示1~20)、-0畑2-、- CH20-、-coo-、-OCO-、-CH=CH-、-CF = CF-、-CF20-、-OCF 廣、-CF2CF 廣及-C = C-所組成的組中 的至少一種二價(jià)連接基團(tuán)，運(yùn)些取代基中，非鄰接的C此基中的一個(gè)W上可獨(dú)立地被-0-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-S i (C曲）2-0-S i (邸3) 2-、-NR-、-NR-CO-、-CO-NR-、-NR-CO-O-、-O-CO-NR-、-NR-CO-NR-、-CH=CH-、-C = C-或-O-CO-O-(式中，R獨(dú)立地表示氨或碳原子數(shù)1至5的燒 基)取代，
[0252] Al、A2各自獨(dú)立地表示選自由
[0253] (a)反式-1,4-亞環(huán)己基(存在于該基團(tuán)中的一個(gè)亞甲基或不鄰接的兩個(gè)W上的亞 甲基可被-〇-、-NH-或-S-取代）、
[0254] (b)l ,4-亞苯基(存在于該基團(tuán)中的一個(gè)或兩個(gè)W上的-CH=可被-N=取代）、W及 [0巧日](C)1,4-亞環(huán)己締基、2,5-硫代亞苯基、2,5-亞巧喃基、1,4-二環(huán)(2.2.2)亞辛基、 糞-1，4-二基、糞-2，6-二基、十氨糞-2，6-二基及1，2，3，4-四氨糞-2，6-二基
[0256]所組成的組中的基團(tuán)，上述基團(tuán)（a)、基團(tuán)（b)或基團(tuán)（C)可分別未經(jīng)取代，或者也 可一個(gè)W上的氨原子經(jīng)氣原子、氯原子、氯基、甲基或甲氧基取代，
[0巧7] 21、22及23各自獨(dú)立地表示單鍵、-(細(xì)2)。-(式中，11表示1~20)、-〇邸2-、-邸2〇-、-COO-、-OCO-、-CH = CH-、-CF = CF-、-CF20-、-OCF廣、-CF2CF廣或-C = C-，運(yùn)些取代基中，非鄰 接的 C此基中的一個(gè) W 上可獨(dú)立地被-0-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-S i (CH3) 2-0-S i (C曲）2-、-NR-、-NR-CO-、-CO-NR-、-NR-CO-O-、-O-CO-NR-、-NR-CO-NR-、-CH=CH-、-C = C-或-O-CO-O-(式中，財(cái)蟲立地表示氨或碳原子數(shù)1至5的烷基)取代，
[0巧引 X為-0-、單鍵、-NR-或亞苯基，
[0259] Rb為聚合性基、烷氧基、氯基或碳原子數(shù)1~12個(gè)的氣化烷基，
[0260] m為0、1 或2，
[0%1] Mb及Md各自獨(dú)立地可W相同也可W不同且表示W(wǎng)下的通式(U-I)~(U-13)中的任 一種單體單元，
[02創(chuàng)[化 36]
[0264] (上述通式化-I)~化-10)中，虛線表示向Sp結(jié)合的鍵，Ra獨(dú)立地表示氨原子、碳原 子數(shù)1至5的烷基、苯基、面原子，各結(jié)構(gòu)中的任意的氨原子可被氣原子、氯原子、甲基、苯基、 甲氧基取代，
[0265] 上述通式化-11)~化-13)中，虛線表示向Sp結(jié)合的鍵，Ri表示4價(jià)環(huán)結(jié)構(gòu)，R2表示3 價(jià)有機(jī)基，R 3表示氨原子、徑基、碳原子數(shù)1~15個(gè)的烷基、碳原子數(shù)1~15個(gè)的烷氧基。） [0%6] y及W表示共聚物的摩爾分率，0<y^ 1且O^wCl，n表示4~100,000，Mb及Md的單體 單元各自獨(dú)立地可包含一種，也可包含兩種W上的不同單元）
[0267] 另外，作為上述本發(fā)明的通式（1)所表示的光響應(yīng)性高分子的優(yōu)選的方式，優(yōu)選Z2 為單鍵的光響應(yīng)性二聚化型高分子。
[0268] 本發(fā)明的其他光響應(yīng)性二聚化型高分子優(yōu)選為下述通式(2)所表示的光響應(yīng)性二 聚化型高分子。
[0269] [化 37]
[027。（上述通式（2)中，M咳M2分別相互獨(dú)立地為選自由丙締酸醋、甲基丙締酸醋、2-氯 丙締酸醋、2-苯基丙締酸醋、可被低級(jí)烷基進(jìn)行N-取代的丙締酷胺、甲基丙締酷胺、2-氯丙 締酷胺、2-苯基丙締酷胺、乙締酸、乙締醋、苯乙締衍生物及硅氧烷類所組成的組中的至少 一種重復(fù)單元，
[0272] M3為選自由丙締酸醋、甲基丙締酸醋、2-氯丙締酸醋、2-苯基丙締酸醋、可被低級(jí) 烷基進(jìn)行N-取代的丙締酷胺、甲基丙締酷胺、2-氯丙締酷胺、2-苯基丙締酷胺、乙締酸、乙締 醋、丙締酸或甲基丙締酸的直鏈狀-或分支狀烷基醋、丙締酸或甲基丙締酸的締丙醋、烷基 乙締酸或烷基乙締醋、苯氧基烷基丙締酸醋或苯氧基烷基甲基丙締酸醋或徑基烷基丙締酸 醋或徑基烷基甲基丙締酸醋、苯基烷基丙締酸醋或苯基烷基甲基丙締酸醋、丙締臘、甲基丙 締臘、苯乙締、4-甲基苯乙締及硅氧烷類所組成的組中的至少一種重復(fù)單元，
[027引心、81心、42、82及(：2分別相互獨(dú)立地表示選自由
[0274] (a)反式-1,4-亞環(huán)己基(存在于該基團(tuán)中的一個(gè)亞甲基或不鄰接的兩個(gè)W上的亞 甲基可被-〇-、-NH-或-S-取代）、
[0275] (b)l ,4-亞苯基(存在于該基團(tuán)中的一個(gè)或兩個(gè)W上的-CH=可被-N=取代）、W及
[0276] (C)1,4-亞環(huán)己締基、2,5-硫代亞苯基、2,5-亞巧喃基、1,4-二環(huán)(2.2.2)亞辛基、 糞-1，4-二基、糞-2，6-二基、十氨糞-2，6-二基及1，2，3，4-四氨糞-2，6-二基
[0277] 所組成的組中的基團(tuán)，上述基團(tuán)（a)、基團(tuán)（b)或基團(tuán)（C)可分別未經(jīng)取代，或者也 可一個(gè)W上的氨原子經(jīng)氣原子、氯原子、氯基、甲基或甲氧基取代，
[0278] Si及S2分別相互獨(dú)立為被一個(gè)W上的氣原子、氯原子或氯基取代的直鏈狀或分支 狀亞烷基(-(C此)r-)或-(C出)r-L- (C出)S-(式中，L意思是單鍵或-0-、-C00-、-00C-、-NRl-、-NRi-CO-、-CO-NRi-、-NRi-COO-、-OCO-NRi-、-NRi-CO-NRi-、-CH = CH-或-C = C-，此時(shí)，Ri 為氨 原子或低級(jí)烷基，r及S在r+s^24的條件下為1~20的整數(shù)），
[0279] 〇i、D2分別相互獨(dú)立地包含-〇-、-NR2-或選自由下述式(d)~(f):
[0280] (d)反式-1,4-亞環(huán)己基(存在于該基團(tuán)中的一個(gè)亞甲基或不鄰接的兩個(gè)W上的亞 甲基可被-〇-、-NH-或-S-取代）、
[0281] (e)l ,4-亞苯基(存在于該基團(tuán)中的一個(gè)或兩個(gè)W上的-CH=可被-N=取代）、W及
[0282] (f)l ,4-亞環(huán)己締基、2,5-硫代亞苯基、2,5-亞巧喃基、1,4-二環(huán)(2.2.2)亞辛基、 糞-1，4-二基、糞-2，6-二基、十氨糞-2，6-二基及1，2，3，4-四氨糞-2，6-二基
[0283] 所組成的組中的基團(tuán)，上述基團(tuán)（d)、基團(tuán)（e)或基團(tuán)（f)可分別未經(jīng)取代，或者一 個(gè)W上的氨原子經(jīng)氣原子、氯原子、氯基、甲基或甲氧基取代，此時(shí)，R 2為氨原子或低級(jí)燒 基，
[0284] Xi、X2、yi及Y2分別相互獨(dú)立地表示經(jīng)氨原子、氣原子、氯原子、氯基取代、根據(jù)情況 經(jīng)氣原子取代、并且C此基或多個(gè)非鄰接C此基可根據(jù)情況經(jīng)-o-、-coo-、-ooc-及/或-CH= CH-取代的碳原子數(shù)1~12的烷基，
[0285] 213、2化、223及226分別相互獨(dú)立為單鍵、-(畑2)廣、-〇-、-(：〇-、-〇)-〇-、-〇-〇(：-、-NR4-、-C0-NR4-、-NR4-C0-、- (C出)U-O-、-0- (C出)U-、- (C出)U-NR4-或-NR4- (C出)U-，此時(shí)，r4 意 思是氨原子或低級(jí)烷基;t意思是1~4的整數(shù);U化~3的整數(shù)，
[0286] pi、p2、qi及q2分別相互獨(dú)立為0或1，
[0287] Ria及RSa分別相互獨(dú)立地指氨原子、氣原子、氯原子、氯基、硝基或碳原子數(shù)1~20 的直鏈狀或分支狀的烷基、烷氧基、烷基-C00-、烷基-CO-NR 3或烷基-OCO基，此時(shí)，R3意思是 氨原子或低級(jí)烷基，上述烷基或上述烷氧基中的一個(gè)W上的氨原子可被氣原子、氯原子、氯 基或硝基取代，上述烷基或上述烷氧基中的C出基或多個(gè)非鄰接C出基可被-〇-、-邸=邸-或-C ^ C-取代，
[028引 ni、n2及n3為0<ni^l、0^n2<l及0^n 3^0.5的共聚單體的摩爾分率。）
[0289] (基板、電極層）
[0290] W下對(duì)作為本發(fā)明的液晶顯示元件的構(gòu)成要素的一對(duì)基板及電極層進(jìn)行說明，方 便起見，對(duì)于該構(gòu)成要素，與本發(fā)明的液晶顯示元件的說明一并進(jìn)行詳細(xì)說明。W下，基于 附圖而對(duì)本發(fā)明的液晶顯示元件的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1~6是作為本發(fā)明的液晶顯 示元件的優(yōu)選的一例而對(duì)橫向電場(chǎng)型液晶顯示元件進(jìn)行說明，圖7~9是對(duì)垂直電場(chǎng)型液晶 顯示元件進(jìn)行說明。
[0291] 圖1是模式性地表示液晶顯示元件的構(gòu)成的圖。圖1中，為了進(jìn)行說明，方便起見將 各構(gòu)成要素隔開而進(jìn)行記載。本發(fā)明的液晶顯示元件10的構(gòu)成如圖1所記載那樣具有如下 特征:其是具有夾持于相對(duì)著配置的第一透明絕緣基板2與第二透明絕緣基板7之間的液晶 組合物(或液晶層5)的FR5模式的液晶顯示元件，使用上述本發(fā)明的液晶組合物作為該液晶 組合物。第一透明絕緣基板2在液晶層5側(cè)的面上形成有電極層3。另外，在液晶層5與第一透 明絕緣基板2及液晶層5與第二透明絕緣基板8之間具有與構(gòu)成液晶層5的液晶組合物直接 抵接而引起水平取向的一對(duì)光取向膜4,該液晶組合物中的液晶分子W未施加電壓時(shí)大致 平行于上述基板2、7的方式取向。如圖1及圖3所示，上述第二基板7及上述第一基板2也可由 一對(duì)偏光板1、8所夾持。進(jìn)一步，在圖1中，在上述第二基板7與取向膜4之間設(shè)置有彩色濾光 片6。運(yùn)里，作為本發(fā)明的液晶顯示元件的方式，可W為所謂彩色濾光片陣列（C0A(Color Filter On Array))，也可在包含薄膜晶體管的電極層與液晶層之間設(shè)置彩色濾光片，或者 也可在包含該薄膜晶體管的電極層與第二基板之間設(shè)置彩色濾光片。
[0292] 目P，本發(fā)明的液晶顯示元件10為依序?qū)盈B有第一偏光板1、第一基板2、包含薄膜晶 體管的電極層3、取向膜4、包含液晶組合物的液晶層5、取向膜4、彩色濾光片6、第二基板7及 第二偏光板8的構(gòu)成。
[0293] 第一基板2及第二基板7可使用玻璃或如塑料那樣具有柔軟性的透明材料，一者也 可為娃等不透明材料。兩炔基板2、7由配置于周邊區(qū)域的環(huán)氧系熱固化性組合物等密封材 料及封止材料所貼合，為了在其間保持基板間距離，例如也可配置有玻璃粒子、塑料粒子、 氧化侶粒子等粒狀間隔件或包含由光刻法所形成的樹脂的間隔柱。
[0294]圖2是將圖1中基板2上所形成的電極層3由II線所包圍的區(qū)域放大的平面圖。圖3 是沿著圖2中的III-III線方向切割圖1所示的液晶顯示元件的剖視圖。如圖2所示，形成于 第一基板2的表面上的包含薄膜晶體管的電極層3通過用于供給掃描信號(hào)的多個(gè)柵極總線 26及用于供給顯示信號(hào)的多個(gè)數(shù)據(jù)總線25相互交叉而配置為矩陣狀。運(yùn)里，在圖2中，僅示 出一對(duì)柵極總線25及一對(duì)數(shù)據(jù)總線24。
[02M]通過W多個(gè)柵極總線26及多個(gè)數(shù)據(jù)總線25包圍的區(qū)域而形成液晶顯示裝置的單 位像素，在該單位像素內(nèi)形成有像素電極21及共用電極22。在柵極總線26與數(shù)據(jù)總線25相 互交叉的交叉部附近設(shè)置有包含源極電極27、漏極電極24與柵極電極28的薄膜晶體管。該 薄膜晶體管作為對(duì)像素電極21供給顯示信號(hào)的開關(guān)元件而與像素電極21連接。另外，與柵 極總線26并排而設(shè)置有共用線29。該共用線29為了對(duì)共用電極22供給共用信號(hào)而與共用電 極22連接。
[0296] 薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的優(yōu)選的一個(gè)方式例如如圖3所示，具備:形成于基板2表面的 柵極電極11、W覆蓋該柵極電極11且覆蓋上述基板2的大致整個(gè)面的方式設(shè)置的柵極絕緣 層12、W與上述柵極電極11相對(duì)的方式形成于上述柵極絕緣層12的表面的半導(dǎo)體層13、W 覆蓋上述半導(dǎo)體層17的表面的一部分的方式設(shè)置的保護(hù)膜14、W覆蓋上述保護(hù)層14及上述 半導(dǎo)體層13的一側(cè)端部且與形成于上述基板2表面的上述柵極絕緣層12接觸的方式設(shè)置的 漏極電極16、W覆蓋上述保護(hù)膜14及上述半導(dǎo)體層13的另一側(cè)端部且與形成于上述基板2 表面的上述柵極絕緣層12接觸的方式設(shè)置的源極電極17、W覆蓋上述漏極電極16及上述源 極電極17的方式設(shè)置的絕緣保護(hù)層18。在柵極電極11的表面，由于去除與柵極電極的段差 等理由，也可形成陽(yáng)極氧化被膜(未圖示）。
[0297] 在上述半導(dǎo)體層13上，可使用非晶娃、多晶娃等，但