有機光電裝置。
[0062] 在附圖中，為清楚起見放大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在整篇說明書中，相似 元件符號表示相似元件。應(yīng)理解，當將一個元件，如層、膜、區(qū)域或襯底稱為在另一個元件 "上"時，其可以是直接在所述另一個元件上，或還可以存在插入元件。相比之下，當元件被 稱為"直接在"另一個元件"上"時，不存在插入元件。
[0063] 圖1是顯示根據(jù)一個實施例的有機光電裝置的示意性截面圖。
[0064] 參看圖1，根據(jù)一個實施例的有機光電裝置包含面向彼此的陽極10和陰極20,以 及在陽極10與陰極20之間的有機層30。
[0065] 陽極10可以由具有較大功函數(shù)的導(dǎo)體制成以幫助空穴注入，并且可以是例如 金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?。陽極10可以是例如金屬（如鎳、鉑、釩、鉻、銅、 鋅以及金或其合金）；金屬氧化物，如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫（indium tin oxide; ΙΤ0)、氧化銦鋅（indium zinc oxide ;ΙΖ0)等；金屬與氧化物的組合，如ZnO與Al或 SnOg Sb ;導(dǎo)電聚合物，如聚（3-甲基噻吩）、聚（3,4-(亞乙基-1，2-二氧基）噻吩 (poly (3, 4-(ethylene-1, 2-dioxy) thiophene) ;PEDT)、聚吡略以及聚苯胺，但不限于此。 [0066] 陰極20可以由具有較小功函數(shù)的導(dǎo)體制成以幫助電子注入，并且可以是例如金 屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?。陰極20可以是例如金屬或其合金，如鎂、鈣、鈉 、鉀、鈦、 銦、釔、鋰、釓、鋁銀、錫、鉛、銫、鋇等；多層結(jié)構(gòu)材料，如LiF/Al、Li02/Al、LiF/Ca、LiF/Al以 及BaF2/Ca，但不限于此。
[0067] 有機層30包含空穴傳輸層31、發(fā)射層32以及在空穴傳輸層31與發(fā)射層32之間 的空穴傳輸輔助層33。
[0068] 參看圖2,有機層30可以還包含在空穴傳輸層31與陽極10之間的空穴注入層37， 以及在電子傳輸層34與陰極20之間的電子注入層36。
[0069] 在空穴傳輸層31與陽極10之間的空穴注入層37改進用作空穴傳輸層31的有機 材料和用作陽極10的ITO的界面特征，并且被涂布在ITO上以使ITO的不均勻上表面變 光滑。舉例來說，空穴注入層37可以由具有在ITO的功函數(shù)與空穴傳輸層31的HOMO之 間的中值的材料中選出，以調(diào)節(jié)ITO的功函數(shù)與空穴傳輸層31的HOMO之間的差異，并且 尤其是具有適當導(dǎo)電率的材料。形成本發(fā)明的空穴注入層37的材料可以是N4, N4'-二苯 基-N4, N4' -雙（9-苯基-9H-咔唑-3-基）聯(lián)苯-4, 4' -二胺，但不限于此。還可以一起 使用空穴注入層37的常規(guī)材料，例如酞菁銅（CuPc);芳香族胺，如Ν，Ν' -二萘基-N，Ν' -苯 基-(1，Γ -聯(lián)苯）-4, 4' -二胺（Ν，Ν' -dinaphthyl-N，Ν' -phenyl- (1，Γ -biphenyl) -4, 4' -diamine ;NPD)、4, 4'，4〃-三[甲基苯基（苯基）氨基]三苯基胺（4, 4'，4〃_tris [methy lphenyl (phenyl)amino]triphenyl amine ;m_MTDATA)、4, 4'，4〃-三[I-萘基（苯基）氨 基]三苯基胺（4, 4'，4〃_tris [1-naphthyl (phenyl) amino] triphenyl amine ; 1-TNATA)、 4, 4'，4〃-三[2-萘基（苯基）氨基]三苯基胺（4, 4'，4〃_tris [2-naphthyl (phenyl) amino] triphenyl amine ;2_TNATA)、1，3, 5-三[N- (4-二苯基氨基苯基）苯氨基]苯（1，3, 5_tri s[N-(4_diphenylaminophenyl)phenylamino]benzene ;p_DPA_TDAB);化合物，如 4, 4,-雙 [N-[4-{N，N-雙（3-甲基苯基）氨基}苯基]-N-苯氨基]聯(lián)苯（4, 4'-bis [N-[4-{N，N-bi s (3-methylphenyl) amino} phenyl]-N-phenylamino] biphenyl ;DNTPD)、六氮雜三亞苯-己 臆〇161&&2&1：1^口11611716116-1161&0&1'13011；[1：1'；[16;撤1'-01^)等；導(dǎo)電聚合物，如聚（3,4-亞乙 二氧基噻吩） _ 聚（苯乙稀橫酸酯）（poly (3, 4-ethylenedioxythiophene) -poly (styrenesu lfonate) ;PED0T)的聚噻吩衍生物?？昭ㄗ⑷雽?7可以例如涂布在作為陽極的ITO上，厚 度為10埃到300埃。
[0070] 電子注入層36安置在電子傳輸層上，并且因此有助于從陰極注入電子并且最終 改進功率效率，并且可以例如包含相關(guān)技術(shù)中常規(guī)使用的LiF、Liq、NaCl、C SF、Li20、Ba0等。
[0071] 空穴傳輸層31有助于從陽極10到發(fā)射層32的空穴傳輸，并且可以例如由胺化合 物形成，但不限于此。
[0072] 所述胺化合物可以包含例如至少一個芳基和/或雜芳基。所述胺化合物可以例如 由化學(xué)式a或化學(xué)式b表示，但不限于此。
[0073]
[0074] 在化學(xué)式a或化學(xué)式b中，
[0075] Ar，lj Ar 8各自獨立地是氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl到C20烷基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的C6到C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30雜芳基或其組合，
[0076] Ar, Ar。中的至少一個和Ar，Ar沖的至少一個是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到 C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30雜芳基或其組合，以及
[0077] Arh是單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl到C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30 亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30亞雜芳基或其組合。
[0078] 電子傳輸層34易于將電子從陰極20傳輸?shù)桨l(fā)射層32,并且可以由含有接收電子 的官能團（吸電子基團）的有機化合物、良好地接收電子的金屬化合物或其混合物形成。 舉例來說，電子傳輸層材料可以包含三羥基喹喔啉錯（aluminum trihydroxyquinoline ; Alq3)、2-(4-聯(lián)苯基）-5-苯基-1，3, 4-噁二唑（PBD)的1，3, 4-噁二唑衍生物、1，3, 4-三 [(3-戊基-6-三氟甲基）喹喔啉-2-基]苯（TPQ)的喹喔啉衍生物、8-(4-(4-(萘-2-基）- 6-(萘-3-基）-1，3, 5-三嗪-2-基）苯基）喹啉）的三唑衍生物和三嗪衍生物等，但不限于 此。
[0079] 此外，電子傳輸層可以包含單獨的由化學(xué)式c表示的有機金屬化合物或其與電子 傳輸層材料的混合物。
[0080] [化學(xué)式J
[0081] Yn-M-(OA)n
[0082] 在化學(xué)式c中，
[0083] Y包含由C、N、0以及S中選出的一者與M直接鍵結(jié)以形成單鍵的部分，以及由C、 N、0以及S中選出的一者與M形成配位鍵的部分，并且是具有單鍵和配位鍵的螯合配體，
[0084] M是堿金屬、堿土金屬、鋁（Al)或硼（B)原子，并且OA是能夠與M形成單鍵或配位 鍵的單價配體，
[0085] 0 是氧，
[0086] A是由經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl到C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C5到C50芳基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C20炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的C3到C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C5到C30環(huán)烯基以及具有雜原子0、N或S的 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C50雜芳基中選出，
[0087] 當M是由堿金屬中選出的金屬時，m = 1并且η = 0，
[0088] 當M是由堿土金屬中選出的金屬時，m = 1并且η = 1，或m = 2并且η = 0，
[0089] 當M是硼或錯時，m是1到3中的一個并且η是0到2中的一個，其滿足m+n = 3 ; 以及
[0090] '經(jīng)取代或未經(jīng)取代的'中的'經(jīng)取代'是指至少一個氫被一個或更多個取代基置 換，所述取代基是由氘、氰基、鹵素、羥基、硝基、烷基、烷氧基、烷基氨基、芳基氨基、雜芳基 氨基、烷基硅烷基、芳基硅烷基、芳氧基、芳基、雜芳基、鍺、磷以及硼中選出。
[0091] 在本發(fā)明中，每一 Y是相同或不同的，并且獨立地是由化學(xué)式cl到化學(xué)式c39中 選出的一個，但不限于此。
[0092]
[化學(xué)式cl][化學(xué)式c2] [化學(xué)式c3] [化學(xué)式c4] [化學(xué)式c5]
[0093]

[0095] 在化學(xué)式cl到化學(xué)式c39中，
[0096] R是相同或不同的并且各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 Cl到C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C30雜芳 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl到C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C30環(huán)烷基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的C2到C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl到C30烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的Cl到C30烷基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基氨基以及經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的C6到C30芳基硅烷基，或連接到具有亞烷基或亞烯基的相鄰取代基以形成螺環(huán)或稠環(huán)。 [0097] 發(fā)射層32是發(fā)光的有機層并且在采用摻雜系統(tǒng)時包含主體和摻雜劑。在本文中， 主體主要促進電子與空穴的再結(jié)合并且將激子保持在發(fā)射層中，而摻雜劑有效地由通過所 述再結(jié)合獲得的激子而發(fā)光。
[0098] 發(fā)射層可以包含已知的主體和摻雜劑。
[0099] 發(fā)射層32包含至少兩種主體和摻雜劑，并且主體包含具有電子特征相對較強的 雙極特征的第一化合物和具有空穴特征相對較強的雙極特征的第二化合物。
[0100] 第一化合物是具有電子特征相對較強的雙極特征的化合物，并且可以由由化學(xué)式 1到化學(xué)式3表示的部分的連續(xù)組合表示。
[0101]
[0102] 在化學(xué)式1到化學(xué)式3中，
[0103] X1 是 ^Y1-ET,
[0104] X2 是=K-Y2-Ar1,
[0105] Y1以及Y 2各自獨立地是單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30亞芳基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的C2到C30亞雜芳基或其組合，
[0106] Ar1是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30雜芳基 或其組合，
[0107] L是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2或C3亞烯基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C20亞芳 基，以及
[0108] R1到R4各自獨立地是氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl到C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的C6到C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30雜芳基或其組合。
[0109] 在化學(xué)式1到化學(xué)式3中，是在化學(xué)式1與化學(xué)式2之間和在化學(xué)式2與化 學(xué)式3之間的連接點。
[0110] ET由化學(xué)式Ia表示，
[0111] [化學(xué)式 la]
[0112]
[0113] 在化學(xué)式Ia中，
[0114] X 是 N、C 或 CRa，
[0115] 至少一個X是N，
[0116] R5、R6以及R 3各自獨立地是氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl到C20烷基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的C6到C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30雜芳基或其組合，以及
[0117] *是連接點。
[0118] ET是能夠傳輸電子的取代基，例如除咔唑基以外的包含至少一個氮的雜芳基，如 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基、經(jīng) 取代或未經(jīng)取代的吡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噠嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘌呤基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的異喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的酞嗪基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的萘吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹喔