藍光有機電致發(fā)光器件及包含該器件的顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種藍光有機電致發(fā)光器件（OLED)，具體為一種可抑制特定藍光波長 的藍光有機電致發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 研究表明，435nm以下波長的藍光對視網(wǎng)膜有很大的傷害，人的視網(wǎng)膜中有一種叫 做A2E的成分，A2E的吸收峰位于紫外光335nm、可見藍光435nm，容易因吸收藍光而進行光 氧化，造成細胞的凋亡，從而引起人眼黃斑部病變。另外，藍光的波長較短，容易造成散射炫 光，眼睛必須更用力聚焦，長時間下來，睫狀肌疲勞、酸痛，造成假性近視。另外，過多暴露于 高能藍光會影響人體生物鐘，使得人體內(nèi)分泌失調(diào)，患癌風險升高。原因在于，高能藍光會 降低人體褪黑激素的分泌，而褪黑激素是一種控制人體生物鐘及內(nèi)分泌的有效物質(zhì)。且人 眼在同樣的感知亮度下，接受到的深藍光的能量是黃綠光的253倍，使得人眼容易不自覺 受到高能量可見藍光的傷害。
[0003] 因此，若有過多的435nm以下波長的藍光射入人眼，會對人的眼睛及內(nèi)分泌系統(tǒng) 造成嚴重的傷害。
[0004] 圖1為一種常規(guī)液晶顯不屏（IXD)的發(fā)光光譜圖，其中，435nm以下藍光能量很大。 而生活中使用的3C產(chǎn)品（計算機、通信和消費類電子產(chǎn)品）大多涉及上述發(fā)光器件，如上 所述，長期使用此類顯示器會引起視疲勞、假性近視，嚴重的還會引起視網(wǎng)膜病變及生物鐘 紊亂等。
[0005] 為避免高能藍光對人體的傷害，現(xiàn)有技術(shù)中主要采用的方式是對3C產(chǎn)品貼合抗 藍光保護膜。圖2為現(xiàn)有的多款保護膜的UV透過率測試圖，其中，五條曲線分別代表300~ 700nm波長的光通過Benks、JC、Wriol、ZC四種不同品牌的抗藍光貼膜及ZC品牌的一種不 具有抗藍光作用的鋼化玻璃貼膜的透過率曲線。從圖中可以看出，使用抗藍光保護膜的可 以抑制25%左右的高能藍光，但各波段光的透過率均有所下降，使得顯示器的亮度受到一 定程度的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種藍光有機電致發(fā)光器件，包括，第一電極 層；第一空穴注入層，位于所述第一電極層上；第二空穴注入層，位于所述第一空穴注入層 上；空穴傳輸層，位于所述第二空穴注入層上；藍光發(fā)光材料層，位于所述空穴傳輸層上； 電子傳輸層，位于所述藍光發(fā)光材料層上；以及第二電極層，位于所述電子傳輸層上；其 中，所述第二空穴注入層的厚度為85nm~105nm。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，所述第二空穴注入層的厚度為90nm。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述第一空穴注入層的厚度為5nm~15nm。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，還包括光取出層，位于所述第二電極層上。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述第一電極層選自氧化銦錫層、氧化銦鋅層、氧化 錫層或氧化鋅層。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述第一空穴注入層的材質(zhì)包括芳胺化合物或星型 胺。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述第二空穴注入層的材質(zhì)包括芳胺化合物或星型 胺。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述空穴傳輸層的材質(zhì)選自亞芳基二胺衍生物、星 暴型化合物、具有螺環(huán)基的聯(lián)苯二胺衍生物或梯狀化合物。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述藍光發(fā)光材料層的材質(zhì)為DPVBi摻雜BCzVB。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述第二電極層為合金電極或金屬氟化物與金屬的 復合電極，所述金屬選自鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦，所述合金是鋰、鎂、鋁、鈣、鍶、銦中的一種與 銅、金、銀中的一種形成的合金。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述光取出層的材質(zhì)選自亞芳基二胺衍生物、星暴 型化合物、具有螺環(huán)基的聯(lián)苯二胺衍生物或梯狀化合物。
[0017] 本發(fā)明還提供了 一種藍光有機電致發(fā)光器件，包括第一電極層、位于所述第一電 極層上的有機功能層、位于所述有機功能層上的第二電極層，其中，所述有機功能層包括第 一空穴注入層和第二空穴注入層，所述第一空穴注入層位于所述第一電極層和所述第二空 穴注入層之間；所述第二空穴注入層的厚度為85nm~105nm。
[0018] 本發(fā)明進一步提供了一種顯示器，包括上述任一項的藍光有機電致發(fā)光器件。
[0019] 本發(fā)明的藍光有機電致發(fā)光器件應(yīng)用于3C產(chǎn)品，能夠?qū)?35nm以下波長的藍光能 量成分控制在0.2%以內(nèi)，很大程度上減少了該波段藍光對人眼的危害，且還可避免因使用 抗藍光保護膜帶來的屏幕亮度的降低現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0020] 圖1為習知的IXD的發(fā)光光譜圖；
[0021] 圖2為300~700nm波長的光通過現(xiàn)有的五種用于顯示器的貼膜的透過率曲線；
[0022] 圖3為本發(fā)明一實施方式的OLED的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖4為本發(fā)明不同厚度第二空穴注入層的藍光有機電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光 譜圖。
【具體實施方式】
[0024] 體現(xiàn)本發(fā)明特征與優(yōu)點的典型實施例將在以下的說明中詳細敘述。應(yīng)理解的是本 發(fā)明能夠在不同的實施例上具有各種的變化，其皆不脫離本發(fā)明的范圍，且其中的說明及 附圖在本質(zhì)上是當作說明之用，而非用以限制本發(fā)明。
[0025] 如圖3所不，本發(fā)明一實施方式的藍光有機電致發(fā)光器件，包括，第一電極層1，其 可以為陽極層；有機功能層，位于第一電極層1上；第二電極層5,其可以為陰極層，位于有 機功能層上；有機功能層可包括：第一空穴注入層2,位于第一電極層1上；第二空穴注入 層3,位于第一空穴注入層2上；其中，第二空穴注入層3的厚度可以為85nm~105nm，優(yōu)選 為90nm~95nm，進一步優(yōu)選為90nm。
[0026] 有機功能層還可以包括但不限于依次設(shè)置的空穴傳輸層41、發(fā)光層42、電子傳輸 層43,空穴傳輸層41位于第二空穴注入層3上。
[0027] 在本發(fā)明的一實施方式中，還可包括設(shè)置于第二電極層5上的光取出層6。
[0028] 第一電極層1可以是氧化銦錫（ITO)層、氧化銦鋅層、氧化錫層或氧化鋅層，還可 以是高功函數(shù)的金屬，例如Al、Ag、Au等。第一電極層1的厚度可以為Inm~500nm，進一 步為30nm~100nm，第一電極層1可通過派射、氣相沉積、離子束沉積、蒸鍍等方式形成。
[0029] 第一空穴注入層2與第二空穴注入層3均可通過蒸鍍形成，皆可由芳胺化合物 或星型胺形成，具體可以包括4, f，4〃-三（N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基）-三苯胺 (m-MTDATA)、1，3, 5-三[4- (3-甲基-苯基-苯基-氨基）苯基]苯（m-MTDATB)和銅酞菁 (CuPc)。第一空穴注入層2空穴注入能力強，其材料例如可以為NPB摻雜F4-TCNQ，空穴 可采用穿隧（tunneling)方式注入。第二空穴注入層3的注入能力可與其HOMO能級陽極 功函數(shù)相關(guān)，以IT0/Ag/IT0陽極結(jié)構(gòu)為例，ITO表面功函數(shù)接近5ev，則第二空穴注入層3 的材料優(yōu)選為 Η0Μ0 能級接近 5ev，如 PEDT:PSS(H0M0 = 5. Oev)，2-TNATA(H0M0 = 5. lev)， I-TNATA(HOMO = 5. lev)等。另外，為平衡本發(fā)明的器件的色坐標變化與抑制藍光效果，使 總體效果達到最佳，第一空穴注入層2的厚度優(yōu)選為5nm~15nm，進一步優(yōu)選為IOnm 0
[0030] 空穴傳輸層41可通過蒸鍍形成，其材料可以為亞芳基二胺衍生物、星暴型化合 物、具有螺環(huán)基的聯(lián)苯二胺衍生物或梯狀化合物，具體可以為N，N'-二苯基-N，N'-雙 (3-甲基苯基）-1，1'-聯(lián)苯基-4,4，二胺（TPD)、N，N'-二-[(1-萘基）-N，N'_ 二苯 基-1,1'-聯(lián)苯基]-4, V -二胺（NPB)?？昭▊鬏攲?1的厚度可以為Inm~200nm，進 一步可以為5nm~100nm。
[0031] 發(fā)光層42可通過蒸鍍形成，其材料可選自金屬有機配合物、芳香稠環(huán)類化合物、 鄰菲咯啉類化合物及咔唑類衍生物中的一種；或者發(fā)光材料可以為熒光、磷光染料摻雜， 具體地，主體材料可以包括CBP (4, 4-N，N-二咔唑-聯(lián)苯）及其衍生物、mCP (N，N-二咔唑 基-3, 5-苯）及其衍生物，摻雜材料可以包括具有選自Ir、Pt、Tb、和Eu的中心金屬原子 的磷光有機金屬絡(luò)合物，該磷光有機金屬絡(luò)合物可包括PQIr、PQIr (acac)、PQ2Ir (acac)、 PIQIr (acac)和PtOEP。發(fā)光層42的厚度可以為5nm~50nm，